JPH05347428A

JPH05347428A - 位置検出光半導体装置

Info

Publication number: JPH05347428A
Application number: JP17934992A
Authority: JP
Inventors: Kunio Nishimura; 国夫西村; Tadashi Oohayashi; 只志大林; Seishiro Mizukami; 誠志郎水上
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1992-06-12
Filing date: 1992-06-12
Publication date: 1993-12-27

Abstract

(57)【要約】【目的】スポットライトなどの点状の光を照射するこ
とにより、その光照射位置や角度を検出する位置検出光
半導体装置において、その検出精度を向上させることに
ある。【構成】絶縁基板１２上に被着させた高電気抵抗体か
ら成る電極層である透明導電膜１４を、線形性を有する
ように形成された細線２８にて所定の受光面積を得るよ
うに繰り返し構造（たとえばジグザグ構造）をもって構
成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は位置検出光半導体装置に
関し、特に一次元方向の位置や角度を光の照射によって
検出する位置検出光半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】非晶質シリコン半導体素子を利用して、
その非晶質シリコン半導体素子に光を照射し、その光照
射位置を検出する位置検出光半導体装置として、図１１
及び図１２に示す装置が提案されている。この位置検出
光半導体装置１は同図に示すように、ガラス基板２上に
透明導電膜３を帯状に形成した後、その上に非晶質シリ
コン半導体層４を所定の構造に積層被着させ、更にその
非晶質シリコン半導体層４を帯状の所定のパターンに形
成し、次いで、それらの上に金属膜５を被着させる。被
着させた金属膜５をパターン化して、帯状の透明導電膜
３の両端部に取出し電極部６，７を形成するとともに、
帯状に形成される金属膜５のほぼ中心部近傍に共通電極
である金属膜５の取出し電極部８を形成する。その後、
必要に応じて所定のパターンに絶縁保護膜を被着させ
て、位置検出光半導体装置１を形成するのである。

【０００３】かかる構成の位置検出光半導体装置１は帯
状の長手方向に移動させられるように被検査体に取り付
けられ、またこの位置検出光半導体装置１の透明導電膜
３側にスポットライトが照射される。ここで、スポット
ライトの照射される位置が位置検出光半導体装置１の光
半導体素子の中心部にあるとき、電気抵抗が等しいた
め、透明導電膜３の取出し電極部６又は７と共通電極で
ある金属膜５の取出し電極部８との間のそれぞれの電位
差は全く同じ値を示すことになる。

【０００４】ところが、透明導電膜３の電気抵抗が金属
膜５の電気抵抗に比べて非常に大きいため、スポットラ
イトの照射される位置が位置検出光半導体装置１の光半
導体素子の片側にずれているとき、スポットライトが照
射されて起電力が発生する箇所と透明導電膜３の取出し
電極部６，７との距離によって電位差が異なる。したが
って、たとえば図１２に示すように、スポットライトの
照射される位置が透明導電膜３の取出し電極部６側にず
れているとき、取出し電極部６側の電位差は取出し電極
部７側の電位差より高くなる。この原理を利用して、位
置検出光半導体装置１は位置検出を行うのである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、位置検
出光半導体装置１において、充分な起電力を得るために
は透明導電膜３をはじめ非晶質シリコン半導体層４及び
金属膜５の面積を広く取る必要がある。一方、スポット
ライトのわずかな位置変動に応じて、それを電位差の変
動として敏感に検知するためには、透明導電膜３の電気
抵抗が高い方が有利である。ところが、透明導電膜３の
固有の電気抵抗値は一定であるため、電気抵抗を高める
には透明導電膜３の断面積を小さくする必要があるが、
透明導電膜３の膜厚を薄くするのは困難である。そこ
で、帯状の透明導電膜３の幅すなわち面積を狭くするこ
とが考えられるが、これでは充分な起電力を得ることが
できず、位置検出光半導体装置１として機能し得なくな
るという問題があった。

【０００６】そこで、本発明者らは上記相反する問題点
を解決し、敏感に反応する位置検出光半導体装置を得る
ために鋭意研究を重ねた結果、本発明に至ったのであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る位置検出光
半導体装置の要旨とするところは、絶縁基板上に、第１
の電極層と、光半導体層と、第２の電極層がそれぞれ積
層され、全体として一次元にパターン化されて成り、光
照射により該光照射位置を検出する光半導体装置におい
て、前記第１の電極層及び第２の電極層のうちいずれか
一方が高電気抵抗体から成り、少なくとも該高電気抵抗
体から成る電極層が線形性を有するように形成された細
線にて所定の受光面積を得るように繰り返し構造をもっ
て構成されたことにある。

【０００８】かかる位置検出光半導体装置において、前
記高電気抵抗体から成る電極層に設けられる取出し電極
部が前記一次元方向の両端部に配設され、且つ共通電極
を成す当該他方の電極層に設けられる取出し電極部が前
記両端部に配設された両取出し電極部間のほぼ中心部近
傍に配設されたことにある。

【０００９】また、かかる位置検出光半導体装置におい
て、前記高電気抵抗体から成る電極層が透明導電膜であ
ることにある。

【００１０】特に、本発明に係る位置検出光半導体装置
の他の要旨とするところは、透光性絶縁基板上に透明導
電膜と、非晶質シリコン半導体層と、金属電極がそれぞ
れ積層され、全体として一次元にパターン化されて成
り、光照射により該光照射位置を検出する光半導体装置
において、少なくとも前記透明導電膜が線形性を有する
ように形成された細線にて所定の受光面積を得るように
繰り返し構造をもって構成されたことにある。

【００１１】

【作用】本発明に係る位置検出光半導体装置は、光電変
換素子部を構成する電極層のうち高電気抵抗体から成る
電極層を少なくとも線形性を有するように形成された細
線にて所定の受光面積を得るように繰り返し構造をもっ
て構成してある。この位置検出光半導体装置の光電変換
素子部の１点にスポットライトなどの点状の光が照射さ
れ、その光照射の箇所でのみ光電変換されて電圧が生
じ、共通電極である低電気抵抗の電極層の取出し電極部
と高電気抵抗の電極層の取出し電極部との間に電位差が
生じて、電流が流れる。

【００１２】ここで、点状の光照射によって発生する起
電力が光照射の位置などに関係なく常に一定である場合
には、電極が線形性を有することから前記両取出し電極
部間の電圧降下を測定することによって、光の照射位置
を求めることができる。また、点状の光照射によって発
生する起電力が光照射の位置などによって変化する恐れ
がある場合などは、高電気抵抗の電極層に光照射位置を
挟んで取出し電極部を２箇所設け、これらの取出し電極
部と低電気抵抗の電極層の取出し電極部との間のそれぞ
れの電位差を測定し、電位差の相違に基づいて光照射位
置を検出することができる。

【００１３】高電気抵抗体から成る電極層に設けられる
取出し電極部は一次元方向の両端部に配設されるのが最
も好ましく、また、共通電極を成す他方の低電気抵抗体
から成る電極層に設けられる取出し電極部は高電気抵抗
体から成る電極層の両端部に配設された両取出し電極部
間のほぼ中心部近傍に配設されるのが電気的なバランス
の面から最も好ましい。

【００１４】また、本発明に係る位置検出光半導体装置
において、高電気抵抗体から成る電極層として透明導電
膜が用いられ、特にＩＴＯがより好ましい。ＩＴＯなど
の透明導電膜は比較的電気抵抗が高く、かかる透明導電
膜を線形性を有するように形成した細線にて所定の受光
面積を得るように繰り返し構造をもって構成することに
より、取出し電極部における電位差の変化をより精度良
く検出することができる。

【００１５】

【実施例】次に、本発明に係る位置検出光半導体装置の
実施例を図面に基づいて、詳しく説明する。

【００１６】図１及び図２に位置検出光半導体装置１０
を示すように、位置検出光半導体装置１０はガラス基板
などの透光性絶縁基板１２の上に、第１の電極層である
透明導電膜１４と、光半導体層である非晶質シリコン半
導体層１６と、第２の電極層である金属電極１８がそれ
ぞれ所定のパターン形状にて順次積層されていて、全体
として帯状を成している。そして、この位置検出光半導
体装置１０は、全体として帯状を成す第１の電極層であ
る透明導電膜１４の両端部にそれぞれ取出し電極部２
０，２２が配設されていて、また、共通電極を成す第２
の電極層である金属電極１８には透明導電膜１４の両取
出し電極部２０と２２のほぼ中心部近傍に取出し電極部
２４が配設されて構成されている。

【００１７】かかる構成の位置検出光半導体装置１０に
おいて、透明導電膜１４はＩＴＯ，SnO₂，ＩＴＯ／ Sn
O₂などをほぼ均一な厚さに透光性絶縁基板１２の上に
被着させた後、その透明導電膜をフォトリソグラフィ法
などの手法により線形性を有するように形成された細線
にて所定の受光面積を得るように繰り返し構造をもって
構成されたパターンにエッチングして形成される。すな
わち、透明導電膜１４は図１及び一部を拡大して図３に
示すように、全体として帯状を成す一定幅の範囲内で、
線形性を有するように一定幅の細線２８で形成されると
ともに、その細線２８で位置検出光半導体装置１０が必
要とする受光面積を確保し得るように連続的にジグザグ
形状で構成されている。ここで、透明導電膜１４は抵抗
率が比較的高く、その断面積Ｓは一定に形成されている
ため、その抵抗Ｒは長さＬに比例し、透明導電膜１４の
長さＬに比例して抵抗Ｒが変化することになる。なお、
ジグザグ形状を成し且つ全体として帯状を成す透明導電
膜１４の両端部には外部接続のための取出し電極部２
０，２２が一体的に設けられている。

【００１８】透光性絶縁基板１２上に形成されたパター
ン化された透明導電膜１４の上には光半導体層である非
晶質シリコン半導体層１６が積層される。非晶質シリコ
ン半導体層１６は非晶質シリコンa-Si，水素化非晶質シ
リコンa-Si:H，水素化非晶質シリコンカーバイドa-SiC:
H,非晶質シリコンナイトライドなどの他、シリコンと炭
素、ゲルマニウム、スズなどの他の元素との合金から成
る非晶質シリコン系半導体の非晶質あるいは微結晶をｐ
ｉｎ型、ｎｉｐ型、ｎｉ型、ｐｎ型、ＭＩＳ型、ヘテロ
接合型、ホモ接合型、ショットキーバリアー型あるいは
これらを組み合わせた型などに構成した半導体層が用い
られる。なお、光半導体層は非晶質シリコン半導体に限
定されるものではなく、それ以外のGaAs系や CdS系の半
導体を用いて構成することも可能である。非晶質シリコ
ン半導体層１６はマスク法により帯状の所定のパターン
に透明導電膜１４の上に被着されるか、あるいは透明導
電膜１４の上に所定の構造に非晶質シリコン半導体を被
着した後、帯状にパターン化される。ここで、非晶質シ
リコン半導体は透明導電膜１４の細線２８と細線２８の
間にも被着されるが、非晶質シリコン半導体は電気的に
絶縁体として機能し得るため、細線２８間で短絡が生ず
ることはない。

【００１９】積層された非晶質シリコン半導体層１６の
上には金属電極１８が真空蒸着法などにより被着され
る。金属電極１８は電気抵抗が低く、また非晶質シリコ
ン半導体層１６と接することから、シリサイドを形成す
る金属材料であることが好ましく、たとえばクロムCr、
チタンTi、モリブデンMo、ニッケルNiなどが好ましい。
金属電極１８は非晶質シリコン半導体層１６の全領域に
対して共通電極を成し、局部的に光電変換させられた電
流をほとんど抵抗なく取り出すように構成されているの
が好ましく、金属電極１８の取出し電極部２４は低電気
抵抗体で形成される場合は、その配設位置はなんら限定
されるものではないが、特に、透明導電膜１４の両取出
し電極部２０，２２の中心部近傍に配設されるのが好ま
しい。

【００２０】なお、金属電極１８の形成と同時に、ある
いはそれとは別途にＩＴＯなどから成る透明導電膜１４
の取出し電極部２０，２２の上に、クロムCrやアルミニ
ウムAlなどの金属材料を積層して用いるのが、はんだ付
け性や接続抵抗の低減にとって好ましい。また、金属電
極１８の形成後、必要に応じて絶縁保護膜が取出し電極
部２０，２２，２４を除いて全領域に被着させられるの
が好ましい。

【００２１】以上の構成に係る位置検出光半導体装置１
０は被検査体に取り付けられ、その光半導体素子部に透
光性絶縁基板１２側からスポットライトなどの点状の光
照明が照射される。この点状の光照射により局部的に光
電変換させられて起電力が発生する。その際、発生した
電流はジグザグ形状に形成された細線２８から成る透明
導電膜１４により効果的に集積され、両取出し電極部２
０，２２に流れる。透明導電膜１４は線形性を有するよ
うに形成された細線にて所定の受光面積を得るように繰
り返し構造をもって構成されていて、電流は両取出し電
極部２０，２２へそれぞれ一定の線形性を保持して流れ
ることになる。したがって、取出し電極部２０と２４、
及び取出し電極部２２と２４の電位差を測定することに
より、透明導電膜１４が一定の繰り返し構造により構成
されているため、光の照射位置を検出することができ
る。更に、透明導電膜１４は高電気抵抗体にてジグザグ
状に形成されていて、電圧降下を大きく得ることができ
るため、測定精度を上げることができ、しかも、必要と
する受光面積が形成されているため、充分な起電力を確
保することができる。

【００２２】以上、本発明に係る位置検出光半導体装置
の一実施例を詳述したが、本発明は上述の実施例に限定
されるものではない。

【００２３】たとえば、図４に示すように、絶縁基板３
０の上に第１の電極層として金属電極３２を、光半導体
層として非晶質シリコン半導体層３４を、第２の電極層
として透明導電膜３６をそれぞれ順次積層して位置検出
光半導体装置３８を構成しても良い。かかる構成の位置
検出光半導体装置３８においては、絶縁基板３０とは反
対側の透明導電膜３６側が光入射側となる。なお、透明
導電膜３６の上に透明絶縁保護膜４０を被着して、外力
や水分の侵入などから保護が図られるのが好ましい。ま
た、絶縁基板３０は透光性を有する必要はなく、たとえ
ば絶縁処理された金属基板などであっても良い。

【００２４】更に、同図に示すように、透明導電膜３６
をたとえば図１に示すようなジグザグ形状に形成するだ
けでなく、非晶質シリコン半導体層３４についても透明
導電膜３６と同様の形状に形成しても良い。このように
すれば、非晶質シリコン半導体層３４における隣接する
透明導電膜３６間のリーク電流を防止することができ
る。

【００２５】次に、透明導電膜など少なくとも高電気抵
抗体から成る電極層に形成する複雑且つ繰り返し構造か
ら成るパターン形状は図１に示すパターンに限定される
ものではない。たとえば、図５(a)(b)(c) に透明導電膜
４２，４４，４６のパターン形状をそれぞれ示すよう
に、受光面積すなわち光電変換領域を充分確保しつつ、
電圧降下を大きくして測定精度を上げるために電流の流
れる経路を長くすることを目的に、透明導電膜４２，４
４，４６は複雑なパターン形状に形成されても良い。ま
た、かかる透明導電膜４２，４４，４６の複雑なパター
ン形状は、その取出し電極部における電位差の測定によ
り光照射位置を検出する必要があるため、一定の繰り返
し構造にて構成されている。

【００２６】また、図６(a) に示すように、たとえば透
明導電膜４８を構成する細線を曲線によって接続した
り、あるいは細線自体を曲線にて構成しても良い。更
に、同図(b) に示すように、透明導電膜５０を構成する
細線を全体として帯状を成す方向に対して斜め方向に傾
斜させて構成しても良い。次に、同図(c) に示すよう
に、透明導電膜５２を構成する細線５４に、その細線５
４から延び出す受光要素５５を一体的に設けて構成する
ことも可能である。また、同図(d) に示すように、透明
導電膜５６を構成する細線５８に、その細線５８から延
び出す受光要素６０を一体的に設けるとともに、その受
光要素６０が交互に隣接し合うように構成することも可
能である。

【００２７】更に、図７(a) に示すように、たとえば透
明導電膜６２を２本の並列を成す細線６３で複雑な配線
パターンに形成するとともに、その配線パターンを対称
に形成した配線構造とすることも可能である。また、同
図(b) に示すように、透明導電膜６４を２本の並列を成
す細線６５で複雑な配線パターンに形成するとともに、
その配線パターンを２本の細線６５を平行させて形成し
た配線構造とすることも可能である。このような構成に
よっても、前述と同様の効果が得られる。このようにパ
ターン形状はなんら限定されるものではない。

【００２８】以上、上述の実施例に示すような帯状の形
状を成す位置検出光半導体装置は被検査体の一次元方向
の変化を検出するのに適するものであるが、本発明に係
る位置検出光半導体装置は角度の変化の検出にも適用し
得るものである。たとえば、図８に示すように、位置検
出光半導体装置６６は透光性絶縁基板１２の上に、透明
導電膜６８と、図示しない非晶質シリコン半導体層と、
金属電極７０を共通の曲率中心７２を中心に全体として
円弧状に形成されている。このうち、透明導電膜６８は
曲率中心７２から等角度で放射状に延び出す等幅で等長
の半径要素７４の両端を交互に等幅で接続した構成を成
し、透明導電膜６８の有する電気抵抗が線形性を保持す
るように構成されている。ここで、透明導電膜６８は抵
抗率が比較的高く、その断面積Ｓは一定に形成されてい
るため、その抵抗Ｒは長さＬに比例し、透明導電膜６８
の長さＬに比例して抵抗Ｒが変化することになる。な
お、ジグザグ形状を成し且つ全体として円弧状を成す透
明導電膜６８の両端部には外部接続のための取出し電極
部２０，２２が一体的に設けられている。

【００２９】このような円弧状を成す位置検出光半導体
装置６６においては、点状の光照射がされることによ
り、その光照射位置を検出し、これにより曲率中心７２
を中心とする回転角度を検出することができる。なお、
この円弧状の位置検出光半導体装置６６においても、前
述の各種の透明導電膜のパターンを適用することができ
るのは言うまでもない。また、円弧状の角度は図示に限
定されるものではなく、たとえば３０°、９０°あるい
は１８０°で構成しても良く、更に取出し電極部を極力
小さく形成して、ほぼ３６０°になるように構成しても
良い。

【００００】また、図９に示すように、曲率半径の異な
るたとえば１９０°程度の角度を検出し得る２種類の位
置検出光半導体素子７６，７８をその曲率中心８０を共
通させて、全体として３６０°の角度を検出し得るよう
に配置して、１つの位置検出光半導体装置８２を構成す
ることも可能である。本例においては、各素子７６，７
８毎に約１８０°ずつ作動させられることになる。

【００３０】更に、上述したように透明導電膜を種々の
パターンに形成するだけでなく、金属電極を種々のパタ
ーンに形成しても良い。すなわち、透明導電膜の電気抵
抗が充分低い場合、透明導電膜を共通電極とし、他方の
金属電極の電極材料として高電気抵抗体を使用して、そ
の金属電極を前述したようなパターン形状に形成するこ
とも可能である。

【００３１】また、たとえば金属電極の電気抵抗が低く
得られるときには、その金属電極の取出し電極部は透明
導電膜の２つの取出し電極部の中心部に設けられる必要
はない。また、光照射によって局部的に発生する起電力
が光照射位置に関係なく常に一定であるときは、高電気
抵抗体によって構成された電極に設ける取出し電極部は
１箇所で良く、この場合、電圧降下の変化を検出するこ
とによって、光照射位置を検出することができる。その
他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の
知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で
実施し得るものである。

【００３２】実施例１図１に示す位置検出光半導体装置１０について、透明導
電膜としてＩＴＯを用い、ＩＴＯを図１０に示す形状に
形成した。すなわち、ＩＴＯ（１４）の細線２８をピッ
チＰが０．２０２mmで、線幅Ｗが０．１５mmで、細線２
８の間隔ｔが０．０５２mmになるように形成した。かか
るＩＴＯ（１４）のシート抵抗が１００Ω／□であると
き、取出し電極部２０，２２間の端子間抵抗は５５．３
ＫΩであった。

【００３３】実施例２図１に示す位置検出光半導体装置１０について、透明導
電膜としてＩＴＯを用い、ＩＴＯを図１０に示す形状に
形成した。すなわち、ＩＴＯ（１４）の細線２８をピッ
チＰが０．２０２mmで、線幅Ｗが０．１０mmで、細線２
８の間隔ｔが０．１０２mmになるように形成した。かか
るＩＴＯ（１４）のシート抵抗が１００Ω／□であると
き、取出し電極部２０，２２間の端子間抵抗は７７．６
ＫΩであった。

【００３４】実施例３図１に示す位置検出光半導体装置１０について、透明導
電膜としてＩＴＯを用い、ＩＴＯを図１０に示す形状に
形成した。すなわち、ＩＴＯ（１４）の細線２８をピッ
チＰが０．２０２mmで、線幅Ｗが０．０８mmで、細線２
８の間隔ｔが０．１２２mmになるように形成した。かか
るＩＴＯ（１４）のシート抵抗が１００Ω／□であると
き、取出し電極部２０，２２間の端子間抵抗は１０３．
９ＫΩであった。

【００３５】実施例４図１に示す位置検出光半導体装置１０について、透明導
電膜としてＩＴＯを用い、ＩＴＯを図１０に示す形状に
形成した。すなわち、ＩＴＯ（１４）の細線２８をピッ
チＰが０．１０１mmで、線幅Ｗが０．０７mmで、細線２
８の間隔ｔが０．０３１mmになるように形成した。かか
るＩＴＯ（１４）のシート抵抗が１００Ω／□であると
き、取出し電極部２０，２２間の端子間抵抗は１８２．
７ＫΩであった。

【００３６】

【発明の効果】本発明に係る位置検出光半導体装置は第
１の電極層及び第２の電極層のうちいずれか一方が高電
気抵抗体から成り、少なくともその高電気抵抗体から成
る電極層が複雑且つ繰り返し構造を成して線形性を保持
して形成されているため、受光面の一部にスポットライ
トなど点状の光が照射されたとき、発生した電流は複雑
且つ繰り返し構造を成して形成されている電極層によっ
て効率的に集電されることになる。また、集電された電
流は高電気抵抗体から成る電極層を長距離にわたって流
れることになるため、電圧降下が大きく、測定精度を向
上させることができる。

【００３７】また、かかる位置検出光半導体装置におい
て、高電気抵抗体から成る電極層に設けられる取出し電
極部が一次元方向の両端部に配設され、且つ共通電極を
成す当該他方の電極層に設けられる取出し電極部が前記
両端部に配設された両取出し電極部間のほぼ中心部近傍
に配設されることにより、発生させられた電流はバラン
ス良く流れ、測定精度が向上する。

【００３８】更に、かかる位置検出光半導体装置におい
て、高電気抵抗体から成る電極層を透明導電膜、特にＩ
ＴＯで構成することにより、製造コストを上昇させるこ
となく品質の優れた位置検出光半導体装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る位置検出光半導体装置の一実施例
を示す平面説明図である。

【図２】図１に示す位置検出光半導体装置の要部を拡大
して示す要部拡大断面説明図である。

【図３】図１に示す位置検出光半導体装置の要部を拡大
して示す要部拡大平面説明図である。

【図４】本発明に係る位置検出光半導体装置の他の実施
例の要部を拡大して示す要部拡大断面説明図である。

【図５】同図(a)(b)(c) は、本発明に係る位置検出光半
導体装置の高電気抵抗体から成る電極層のパターン形状
を示す要部説明図である。

【図６】同図(a)(b)(c)(d)は、本発明に係る位置検出光
半導体装置の高電気抵抗体から成る電極層の更に他のパ
ターン形状を示す要部説明図である。

【図７】同図(a)(b)は、本発明に係る位置検出光半導体
装置の高電気抵抗体から成る電極層の更に他のパターン
形状を示す要部説明図である。

【図８】本発明に係る位置検出光半導体装置の他の実施
例を示す平面説明図である。

【図９】本発明に係る位置検出光半導体装置のさらに他
の実施例を示す平面説明図である。

【図１０】本発明に係る位置検出光半導体装置の実施例
を説明するための要部平面説明図である。

【図１１】従来の位置検出光半導体装置の一例を示す平
面説明図である。

【図１２】図１０に示す位置検出光半導体装置の要部を
拡大して示す要部拡大断面説明図である。

【符号の説明】

１０，３８，６６，８２；位置検出光半導体装置１２；透光性絶縁基板１４，４２，４４，４６，４８，５０，５２，５６，６
２，６４，６８；透明導電膜（第１の電極層）１６，３４；非晶質シリコン半導体層（光半導体層）１８，７０；金属電極（第２の電極層）２０，２２，２４；取出し電極部２８，５４，５６，６３，６５；細線３０；絶縁基板３２；金属電極（第１の電極層）３６；透明導電膜（第２の電極層）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に、第１の電極層と、光半導
体層と、第２の電極層がそれぞれ積層され、全体として
一次元にパターン化されて成り、光照射により該光照射
位置を検出する光半導体装置において、前記第１の電極
層及び第２の電極層のうちいずれか一方が高電気抵抗体
から成り、少なくとも該高電気抵抗体から成る電極層が
線形性を有するように形成された細線にて所定の受光面
積を得るように繰り返し構造をもって構成されたことを
特徴とする位置検出光半導体装置。
【請求項２】前記高電気抵抗体から成る電極層に設け
られる取出し電極部が前記一次元方向の両端部に配設さ
れ、且つ共通電極を成す当該他方の電極層に設けられる
取出し電極部が前記両端部に配設された両取出し電極部
間のほぼ中心部近傍に配設されたことを特徴とする請求
項１に記載する位置検出光半導体装置。
【請求項３】前記高電気抵抗体から成る電極層が透明
導電膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載する位置検出光半導体装置。
【請求項４】透光性絶縁基板上に透明導電膜と、非晶
質シリコン半導体層と、金属電極がそれぞれ積層され、
全体として一次元にパターン化されて成り、光照射によ
り該光照射位置を検出する光半導体装置において、少な
くとも前記透明導電膜が線形性を有するように形成され
た細線にて所定の受光面積を得るように繰り返し構造を
もって構成されたことを特徴とする位置検出光半導体装
置。