JPH05347375A - Resin-sealed type semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係わり、特に集積度を向上させた樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly to a resin-encapsulated semiconductor device having improved integration and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。リードフレーム１の上にはＩＣペレ
ット２が設けられており、このＩＣペレット２はボンデ
ィングワイヤ３によりインナーリード１ａの一端と電気
的に接続されている。前記ＩＣペレット２、ボンディン
グワイヤ３およびインナーリード１ａは樹脂４により封
止されている。前記インナーリード１ａの他端にはアウ
ターリード１ｂが設けられており、このアウターリード
１ｂは前記樹脂４から突出している。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device. An IC pellet 2 is provided on the lead frame 1, and the IC pellet 2 is electrically connected to one end of the inner lead 1 a by a bonding wire 3. The IC pellet 2, the bonding wire 3, and the inner lead 1a are sealed with resin 4. An outer lead 1b is provided at the other end of the inner lead 1a, and the outer lead 1b projects from the resin 4.
【０００３】図９は、他の従来の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。リードフレーム１１の上には第１
および第２のＩＣペレット１２、１３が設けられてい
る。この第１のＩＣペレット１２はボンディングワイヤ
１４により第１のインナーリード１１ａの一端と電気的
に接続されており、第２のＩＣペレット１３はボンディ
ングワイヤ１４により第２のインナーリード１１ｂの一
端と電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペ
レット１２、１３、ボンディングワイヤ１４および第
１、第２のインナーリード１１ａ、１１ｂは樹脂１５に
より封止されている。前記第１のインナーリード１１ａ
の他端には第１のアウターリード１１ｃが設けられてお
り、第２のインナーリード１１ｂの他端には第２のアウ
ターリード１１ｄが設けられている。この第１、第２の
アウターリード１１ｃ、１１ｄは前記樹脂１５から突出
している。FIG. 9 is a sectional view showing another conventional resin-sealed semiconductor device. No. 1 on the lead frame 11
And second IC pellets 12, 13 are provided. The first IC pellet 12 is electrically connected to one end of the first inner lead 11a by a bonding wire 14, and the second IC pellet 13 is electrically connected to one end of the second inner lead 11b by the bonding wire 14. Connected to each other. The first and second IC pellets 12 and 13, the bonding wire 14 and the first and second inner leads 11a and 11b are sealed with a resin 15. The first inner lead 11a
Is provided with a first outer lead 11c at the other end thereof, and is provided with a second outer lead 11d at the other end of the second inner lead 11b. The first and second outer leads 11c and 11d project from the resin 15.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体業界
には、多くの素子を限られたエリア内に集積すること、
即ち半導体装置の集積度を向上させることが強く要求さ
れている。By the way, in the semiconductor industry, it is necessary to integrate many devices in a limited area.
That is, there is a strong demand for improving the degree of integration of semiconductor devices.
【０００５】従来は、図８に示す樹脂封止型半導体装置
より集積度を向上させるため、図９に示すように、二枚
のＩＣペレットを樹脂封止することが考えられていた。
しかし、二枚のＩＣペレットをリードフレームの上に並
べて載置しても、装置の大きさが約２倍になるため、集
積度を向上させることはできない。Conventionally, in order to improve the degree of integration as compared with the resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 8, it has been considered that two IC pellets are resin-sealed as shown in FIG.
However, even if two IC pellets are placed side by side on the lead frame, the size of the device is approximately doubled, so that the degree of integration cannot be improved.
【０００６】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、二枚のＩＣペレットを
樹脂封止することにより集積度を向上させた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法を提供することにある。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to provide a resin-sealed semiconductor device in which the degree of integration is improved by resin-sealing two IC pellets, and It is to provide the manufacturing method.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、第１の半導体素子が形成された第１のペ
レットと、前記第１のペレットの上に設けられた第１の
絶縁物と、前記第１の絶縁物の上に設けられ、第１のワ
イヤにより前記第１のペレットと接続されるリードフレ
ームと、前記リードフレームの上に設けられた第２の絶
縁物と、前記第２の絶縁物の上に設けられ、第２のワイ
ヤにより前記リードフレームと接続され、前記第１のペ
レットに形成された前記第１の半導体素子と同一の方向
に形成された第２の半導体素子を有する第２のペレット
と、前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁
物、前記第１、第２のワイヤおよび前記リードフレーム
を封止する樹脂とを具備することを特徴としている。In order to solve the above problems, the present invention provides a first pellet on which a first semiconductor element is formed, and a first insulation provided on the first pellet. An object, a lead frame provided on the first insulator and connected to the first pellet by a first wire, a second insulator provided on the lead frame, and A second semiconductor provided on the second insulator, connected to the lead frame by a second wire, and formed in the same direction as the first semiconductor element formed on the first pellet. A second pellet having an element, and a resin for sealing the first and second pellets, the first and second insulators, the first and second wires, and the lead frame. Is characterized by.
【０００８】また、第１の半導体素子が形成された第１
のペレットの上に第１の絶縁物を設ける工程と、前記第
１の絶縁物の上にリードフレームを設ける工程と、前記
リードフレームを第１のワイヤにより前記第１のペレッ
トと接続する工程と、前記リードフレームの上に第２の
絶縁物を設ける工程と、前記第２の絶縁物の上に、前記
第１のペレットに形成された前記第１の半導体素子と同
一の方向に第２の半導体素子を有する第２のペレットを
設ける工程と、前記第２のペレットを第２のワイヤによ
り前記リードフレームと接続する工程と、前記第１、第
２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、前記リードフ
レームおよび前記第１、第２のワイヤを樹脂により封止
する工程とからなることを特徴としている。A first semiconductor element is formed on the first semiconductor device.
A step of providing a first insulating material on the pellets, a step of providing a lead frame on the first insulating material, and a step of connecting the lead frame to the first pellets by a first wire. A step of providing a second insulator on the lead frame, and a step of forming a second insulator on the second insulator in the same direction as the first semiconductor element formed on the first pellet. Providing a second pellet having a semiconductor element, connecting the second pellet to the lead frame with a second wire, the first and second pellets, the first and second insulation And a step of sealing the lead frame and the first and second wires with a resin.
【０００９】[0009]
【作用】この発明は、第１のペレットの上に第１の絶縁
物を設け、この第１の絶縁物の上にリードフレームを設
け、このリードフレームの上に第２の絶縁物を設け、こ
の第２の絶縁物の上に第２のペレットを設けている。こ
のような構造によって二枚のペレットを樹脂封止するこ
とにより、樹脂封止型半導体装置の集積度を向上させる
ことができる。According to the present invention, the first insulator is provided on the first pellet, the lead frame is provided on the first insulator, and the second insulator is provided on the lead frame. The second pellet is provided on the second insulator. By sealing the two pellets with the resin having such a structure, the integration degree of the resin-sealed semiconductor device can be improved.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図１乃至図５は、この発明の実施例による
樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す平面図および断
面図である。図２（ａ）および（ｂ）は、表面上に複数
の図示せぬ半導体素子を有する第１のＩＣペレット２１
を示すものである。この第１のＩＣペレット２１の上に
は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁物から
なる第１の両面貼着テープ２２が貼り付けられる。1 to 5 are a plan view and a sectional view showing a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 2A and 2B show a first IC pellet 21 having a plurality of semiconductor elements (not shown) on the surface.
Is shown. As shown in FIGS. 3A and 3B, a first double-sided adhesive tape 22 made of an insulating material is adhered onto the first IC pellet 21.
【００１２】この後、図４（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、前記第１の両面貼着テープ２２の上にはリードフ
レーム２３が載置される。このリードフレーム２３には
枠２７が設けられており、この枠２７には第１乃至第１
６のアウターリード２８ａ〜２８ｐそれぞれの一端が設
けられている。前記第１乃至第８のアウターリード２８
ａ〜２８ｈそれぞれの他端には第１のタイバー２９ａが
設けられており、この第１のタイバー２９ａには第１乃
至第８のインナーリード２３ａ〜２３ｈそれぞれの一端
が設けられている。前記第９乃至第１６のアウターリー
ド２８ｉ〜２８ｐそれぞれの他端には第２のタイバー２
９ｂが設けられており、この第２のタイバー２９ｂには
第９乃至第１６のインナーリード２３ｉ〜２３ｐそれぞ
れの一端が設けられている。前記第１および第２のタイ
バー２９ａ、２９ｂそれぞれの一端は前記枠２７の一方
側とつながっており、前記第１および第２のタイバー２
９ａ〜２９ｂそれぞれの他端は前記枠２７の他方側とつ
ながっている。前記第１乃至第１６のインナーリード２
３ａ〜２３ｐそれぞれの他端は、リードフレーム２３の
中央部に向かって延び、この中央部の近傍において外側
方向（紙面上で左右方向）に直角に曲げられ、枠２７方
向に延出している。これらインナーリード２３ａ〜２３
ｐのうち２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２
３ｋ、２３ｎ、２３ｐは２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３
ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏより他端が突出さ
れており、前記第２、第４、第５、第７、第１０、第１
２、第１４および第１５のインナーリード２３ｂ、２３
ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏ
はボンディングワイヤ２４により第１のＩＣペレット２
１と電気的に接続される。次に、図５（ａ）および
（ｂ）に示すように、前記リードフレーム２３の上には
絶縁物からなる第２の両面貼着テープ２５が貼り付けら
れる。Thereafter, as shown in FIGS. 4A and 4B, a lead frame 23 is placed on the first double-sided adhesive tape 22. The lead frame 23 is provided with a frame 27, and the frame 27 has first to first frames.
One end of each of the six outer leads 28a to 28p is provided. The first to eighth outer leads 28
A first tie bar 29a is provided on the other end of each of a to 28h, and one end of each of the first to eighth inner leads 23a to 23h is provided on the first tie bar 29a. The second tie bar 2 is provided on the other end of each of the ninth to sixteenth outer leads 28i to 28p.
9b is provided, and the second tie bar 29b is provided with one end of each of the ninth to 16th inner leads 23i to 23p. One end of each of the first and second tie bars 29a, 29b is connected to one side of the frame 27, and the first and second tie bars 2 are connected.
The other ends of 9a to 29b are connected to the other side of the frame 27. The first to sixteenth inner leads 2
The other end of each of 3a to 23p extends toward the central portion of the lead frame 23, is bent at a right angle in the outer direction (left-right direction on the paper surface) in the vicinity of the central portion, and extends in the direction of the frame 27. These inner leads 23a-23
23a, 23c, 23f, 23h, 23i, and 2 of p
3k, 23n and 23p are 23b, 23d, 23e and 23
The other end is projected from g, 23j, 23l, 23n, and 23o, and the second, fourth, fifth, seventh, tenth, first
2, 14th and 15th inner leads 23b, 23
d, 23e, 23g, 23j, 23l, 23n, 23o
Is bonded to the first IC pellet 2 by the bonding wire 24.
1 is electrically connected. Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a second double-sided adhesive tape 25 made of an insulating material is attached onto the lead frame 23.
【００１３】この後、図１（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、前記第２の両面貼着テープ２５の上には、表面上
に複数の図示せぬ半導体素子を有する第２のＩＣペレッ
ト２６が載置される。この第２のＩＣペレット２６は、
ボンディングワイヤ２４により第１、第３、第６、第
８、第９、第１１、第１３および第１６のインナーリー
ド２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、
２３ｎ、２３ｐと電気的に接続される。次に、前記第
１、第２のＩＣペレット２１、２６、第１、第２の両面
貼着テープ２２、２５、ボンディングワイヤ２４および
第１乃至第１６のインナーリード２３ａ〜２３ｐは図示
せぬ樹脂により封止される。Thereafter, as shown in FIGS. 1A and 1B, a second IC having a plurality of semiconductor elements (not shown) on the surface is provided on the second double-sided adhesive tape 25. The pellet 26 is placed. The second IC pellet 26 is
The bonding wire 24 allows the first, third, sixth, eighth, ninth, eleventh, thirteenth and sixteenth inner leads 23a, 23c, 23f, 23h, 23i, 23k,
It is electrically connected to 23n and 23p. Next, the first and second IC pellets 21 and 26, the first and second double-sided adhesive tapes 22 and 25, the bonding wires 24, and the first to sixteenth inner leads 23a to 23p are made of resin (not shown). It is sealed by.
【００１４】図６は、上記のように製造された樹脂封止
型半導体装置を示す斜視図である。前記第１および第２
のＩＣペレット２１、２６は樹脂３１に封止されてお
り、この樹脂３１にはアウターリード２８ａ〜２８ｐが
突出している。FIG. 6 is a perspective view showing the resin-sealed semiconductor device manufactured as described above. The first and second
The IC pellets 21 and 26 are encapsulated in a resin 31, and outer leads 28a to 28p project from the resin 31.
【００１５】図７（ａ）は、図６に示す９ａー９ａ線に
沿った断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂー
９ｂ線に沿った断面図である。第１のＩＣペレット２１
の上には絶縁物からなる第１の両面貼着テープ２２が貼
り付けられており、この第１の両面貼着テープ２２の上
にはリードフレーム２３が載置されている。このリード
フレーム２３の上には絶縁物からなる第２の両面貼着テ
ープ２５が貼り付けられており、この第２の両面貼着テ
ープ２５の上には第２のＩＣペレット２６が載置されて
いる。FIG. 7A is a sectional view taken along line 9a-9a shown in FIG. 6, and FIG. 7B is a sectional view taken along line 9b-9b shown in FIG. First IC pellet 21
A first double-sided adhesive tape 22 made of an insulating material is affixed to the top of the above, and a lead frame 23 is placed on the first double-sided adhesive tape 22. A second double-sided adhesive tape 25 made of an insulating material is adhered on the lead frame 23, and a second IC pellet 26 is placed on the second double-sided adhesive tape 25. ing.
【００１６】前記リードフレーム２３には第１乃至第１
６のインナーリード２３ｄ、２３ｆが設けられている。
前記第４のインナーリード２３ｄの他端はボンディング
ワイヤ２４により第１のＩＣペレット２１と電気的に接
続されており、第６のインナーリード２３ｆの他端はボ
ンディングワイヤ２４により第２のＩＣペレット２６と
電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペレッ
ト２１、２６、第１、第２の両面貼着テープ２２、２
５、第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、２３ｆお
よびボンディングワイヤ２４は樹脂３１により封止され
ている。前記第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、
２３ｆそれぞれの一端にはアウターリード２８ａ〜２８
ｐが設けられており、このアウターリード２８ａ〜２８
ｐは樹脂３１から突出している。The lead frame 23 has first to first parts.
Six inner leads 23d and 23f are provided.
The other end of the fourth inner lead 23d is electrically connected to the first IC pellet 21 by a bonding wire 24, and the other end of the sixth inner lead 23f is a second IC pellet 26 by a bonding wire 24. Is electrically connected to. The first and second IC pellets 21, 26, the first and second double-sided adhesive tapes 22, 2
5, the first to sixteenth inner leads 23d and 23f and the bonding wire 24 are sealed with resin 31. The first to sixteenth inner leads 23d,
The outer leads 28a to 28 are provided at one end of each 23f.
p is provided, and the outer leads 28a to 28
p projects from the resin 31.
【００１７】上記実施例によれば、第１のＩＣペレット
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置し、このリードフレーム２３の上に第２の両面貼着
テープ２５を貼り付け、この第２の両面貼着テープ２５
の上に第２のＩＣペレット２６を載置している。これに
より、二枚のＩＣペレットが封止された樹脂封止型半導
体装置を従来のそれと同一の大きさで形成することがで
きる。この結果、この発明の樹脂封止型半導体装置にお
ける集積度を従来の樹脂封止型半導体装置におけるそれ
の約２倍にすることができる。したがって、従来より多
機能、且つ多容量である樹脂封止型半導体装置を形成す
ることができる。According to the above-described embodiment, the first double-sided adhesive tape 22 is adhered onto the first IC pellet 21, and the lead frame 23 is placed on the first double-sided adhesive tape 22. The second double-sided adhesive tape 25 is attached onto the lead frame 23, and the second double-sided adhesive tape 25 is attached.
The second IC pellet 26 is placed on the above. As a result, a resin-sealed semiconductor device in which two IC pellets are sealed can be formed in the same size as the conventional one. As a result, the degree of integration in the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention can be doubled that of the conventional resin-encapsulated semiconductor device. Therefore, it is possible to form a resin-encapsulated semiconductor device having more functions and more capacity than ever before.
【００１８】また、インナーリード２３ａ、２３ｃ、２
３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐの他端
を２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、
２３ｎ、２３ｏより突出させているため、第１、第２の
ＩＣペレット２１、２６とインナーリード２３ａ〜２３
ｐとのワイヤボンディングを同一方向から行うことがで
きる。The inner leads 23a, 23c, 2
The other ends of 3f, 23h, 23i, 23k, 23n, and 23p are connected to 23b, 23d, 23e, 23g, 23j, and 23l.
Since it is projected from 23n and 23o, the first and second IC pellets 21 and 26 and the inner leads 23a to 23a are formed.
Wire bonding with p can be performed from the same direction.
【００１９】尚、上記実施例では、第１のＩＣペレット
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置しているが、リードフレーム２３の下に第１の両面
貼着テープ２２を貼り付け、この第１の両面貼着テープ
２２の下に第１のＩＣペレット２１を貼り付けることも
可能である。In the above embodiment, the first double-sided adhesive tape 22 is adhered onto the first IC pellet 21, and the lead frame 23 is placed on the first double-sided adhesive tape 22. However, it is also possible to attach the first double-sided adhesive tape 22 under the lead frame 23 and then attach the first IC pellet 21 under the first double-sided adhesive tape 22.
【００２０】また、第１のＩＣペレット２１に第２、第
４、第５、第７、第１０、第１２、第１４および第１５
のインナーリード２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２
３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏをそれぞれボンディング
ワイヤ２４により電気的に接続し、第２のＩＣペレット
２６に第１、第３、第６、第８、第９、第１１、第１３
および第１６のインナーリード２３ａ、２３ｃ、２３
ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐをそれぞ
れボンディングワイヤ２４により電気的に接続している
が、同一のインナーリードをボンディングワイヤ２４に
より第１および第２のＩＣペレット２１、２６それぞれ
と電気的に接続すること、例えば第１１のインナーリー
ド２３ｋをボンディングワイヤ２４により第１および第
２のＩＣペレット２１、２６それぞれと電気的に接続す
ることも可能である。In addition, the first, second, fourth, fifth, seventh, tenth, twelfth, fourteenth and fifteenth IC pellets 21 are formed on the first IC pellet 21.
Inner leads 23b, 23d, 23e, 23g, 2 of
3j, 23l, 23n, and 23o are electrically connected by a bonding wire 24, and the first, third, sixth, eighth, ninth, eleventh, and thirteenth IC pellets 26 are connected to each other.
And the sixteenth inner leads 23a, 23c, 23
Although f, 23h, 23i, 23k, 23n, and 23p are electrically connected to each other by the bonding wire 24, the same inner lead is electrically connected to the first and second IC pellets 21 and 26 by the bonding wire 24, respectively. For example, the eleventh inner lead 23k can be electrically connected to the first and second IC pellets 21 and 26 by the bonding wire 24.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
第１のペレットの上に第１の絶縁物を設け、この第１の
絶縁物の上にリードフレームを設け、このリードフレー
ムの上に第２の絶縁物を設け、この第２の絶縁物の上に
第２のペレットを設けている。したがって、二枚のペレ
ットを樹脂封止することにより樹脂封止型半導体装置の
集積度を向上させることができる。As described above, according to the present invention,
A first insulator is provided on the first pellet, a lead frame is provided on the first insulator, a second insulator is provided on the lead frame, and a second insulator is provided on the lead frame. A second pellet is provided on top. Therefore, the degree of integration of the resin-sealed semiconductor device can be improved by sealing the two pellets with resin.
【図１】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図１（ａ）は、第２の両
面貼着テープの上に第２のＩＣペレットを載置する工程
を示す断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す
７−７線に沿った断面図。FIG. 1 shows a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) shows a second double-sided adhesive tape on which a second IC pellet is placed. FIG. 1B is a cross-sectional view showing a step of performing, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line 7-7 shown in FIG.
【図２】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図２（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットを示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す３ー３線に沿った断面図。FIG. 2 shows a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which FIG.
FIG. 2 is a plan view showing a C pellet, and FIG.
Sectional drawing which followed the 3-3 line | wire shown to (a).
【図３】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図３（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットの上に第１の両面貼着テープを貼り付ける工
程を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示
す４−４線に沿った断面図。FIG. 3 shows a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which FIG.
It is sectional drawing which shows the process of sticking a 1st double-sided adhesive tape on C pellet, FIG.3 (b) is sectional drawing which followed the 4-4 line shown in FIG.3 (a).
【図４】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図４（ａ）は、第１の両
面貼着テープの上にリードフレームを載置する工程を示
す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す５−
５線に沿った断面図。FIG. 4 shows a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 (a) shows a step of mounting a lead frame on a first double-sided adhesive tape. FIG. 4B is a cross-sectional view shown in FIG.
Sectional drawing along line 5.
【図５】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図５（ａ）は、リードフ
レームの上に第２の両面貼着テープを貼り付ける工程を
示す断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す６
−６線に沿った断面図。FIG. 5 shows a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 (a) shows a step of attaching a second double-sided adhesive tape onto a lead frame. FIG. 5B is a cross-sectional view, and FIG. 5B shows 6 shown in FIG.
-6 is sectional drawing which followed the 6 line.
【図６】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図７】図７（ａ）は、図６に示す９ａ−９ａ線に沿っ
た断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂ−９ｂ
線に沿った断面図。7 (a) is a cross-sectional view taken along line 9a-9a shown in FIG. 6, and FIG. 7 (b) is a sectional view taken along line 9b-9b shown in FIG.
Sectional view along the line.
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図９】他の従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面
図。FIG. 9 is a cross-sectional view showing another conventional resin-sealed semiconductor device.
21…第１のＩＣペレット、22…第１の両面貼着テープ、
23…リードフレーム、23a …第１のインナーリード、23
b …第２のインナーリード、23c …第３のインナーリー
ド、23d …第４のインナーリード、23e …第５のインナ
ーリード、23f…第６のインナーリード、23g …第７の
インナーリード、23h …第８のインナーリード、23i …
第９のインナーリード、23j …第１０のインナーリー
ド、23k …第１１のインナーリード、23l …第１２のイ
ンナーリード、23m …第１３のインナーリード、23n …
第１４のインナーリード、23o …第１５のインナーリー
ド、23p …第１６のインナーリード、24…ボンディング
ワイヤ、25…第２の両面貼着テープ、26…第２のＩＣペ
レット、27…枠、28a …第１のアウターリード、28b…
第２のアウターリード、28c …第３のアウターリード、
28d …第４のアウターリード、28e …第５のアウターリ
ード、28f …第６のアウターリード、28g …第７のアウ
ターリード、28h …第８のアウターリード、28i …第９
のアウターリード、28j …第１０のアウターリード、28
k …第１１のアウターリード、28l …第１２のアウター
リード、28m …第１３のアウターリード、28n …第１４
のアウターリード、28o …第１５のアウターリード、28
p …第１６のアウターリード、29a …第１のタイバー、
29b …第２のタイバー、31…樹脂。21 ... 1st IC pellet, 22 ... 1st double-sided adhesive tape,
23 ... Lead frame, 23a ... First inner lead, 23
b ... second inner lead, 23c ... third inner lead, 23d ... fourth inner lead, 23e ... fifth inner lead, 23f ... sixth inner lead, 23g ... seventh inner lead, 23h ... Eighth inner lead, 23i ...
Ninth inner lead, 23j ... Tenth inner lead, 23k ... Eleven inner lead, 23l ... Twelve inner lead, 23m ... Thirteenth inner lead, 23n ...
Fourteenth inner lead, 23o ... Fifteenth inner lead, 23p ... Sixteenth inner lead, 24 ... Bonding wire, 25 ... Second double-sided adhesive tape, 26 ... Second IC pellet, 27 ... Frame, 28a … First outer lead, 28b…
2nd outer lead, 28c ... 3rd outer lead,
28d ... 4th outer lead, 28e ... 5th outer lead, 28f ... 6th outer lead, 28g ... 7th outer lead, 28h ... 8th outer lead, 28i ... 9th
Outer lead, 28j ... 10th outer lead, 28
k ... 11th outer lead, 28l ... 12th outer lead, 28m ... 13th outer lead, 28n ... 14th
Outer reed, 28o… 15th outer reed, 28
p… 16th outer lead, 29a… 1st tie bar,
29b ... second tie bar, 31 ... resin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 25/18
Claims (2)
レットと、 前記第１のペレットの上に設けられた第１の絶縁物と、 前記第１の絶縁物の上に設けられ、第１のワイヤにより
前記第１のペレットと接続されるリードフレームと、 前記リードフレームの上に設けられた第２の絶縁物と、 前記第２の絶縁物の上に設けられ、第２のワイヤにより
前記リードフレームと接続され、前記第１のペレットに
形成された前記第１の半導体素子と同一の方向に形成さ
れた第２の半導体素子を有する第２のペレットと、 前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、
前記第１、第２のワイヤおよび前記リードフレームを封
止する樹脂と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。1. A first pellet on which a first semiconductor element is formed, a first insulator provided on the first pellet, and a first insulator provided on the first insulator, A lead frame connected to the first pellet by a first wire; a second insulator provided on the lead frame; and a second wire provided on the second insulator. A second pellet having a second semiconductor element formed in the same direction as that of the first semiconductor element formed on the first pellet, the second pellet being connected to the lead frame by the first pellet; Pellets, the first and second insulators,
A resin-sealed semiconductor device, comprising: a resin that seals the first and second wires and the lead frame.
レットの上に第１の絶縁物を設ける工程と、 前記第１の絶縁物の上にリードフレームを設ける工程
と、 前記リードフレームを第１のワイヤにより前記第１のペ
レットと接続する工程と、 前記リードフレームの上に第２の絶縁物を設ける工程
と、 前記第２の絶縁物の上に、前記第１のペレットに形成さ
れた前記第１の半導体素子と同一の方向に第２の半導体
素子を有する第２のペレットを設ける工程と、 前記第２のペレットを第２のワイヤにより前記リードフ
レームと接続する工程と、 前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、
前記リードフレームおよび前記第１、第２のワイヤを樹
脂により封止する工程と、 からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。2. A step of providing a first insulator on the first pellet on which a first semiconductor element is formed, a step of providing a lead frame on the first insulator, and the lead frame. Forming a second insulator on the lead frame; connecting the first pellet to the first pellet by a first wire; and forming the second pellet on the second insulator. Providing a second pellet having a second semiconductor element in the same direction as the formed first semiconductor element, connecting the second pellet to the lead frame with a second wire, and First and second pellets, the first and second insulators,
And a step of sealing the lead frame and the first and second wires with a resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520192A JPH05347375A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Resin-sealed type semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520192A JPH05347375A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Resin-sealed type semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347375A true JPH05347375A (en) | 1993-12-27 |
Family
ID=15600712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15520192A Pending JPH05347375A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Resin-sealed type semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347375A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215192B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit package and integrated circuit package control system |
| KR100286591B1 (en) * | 1996-11-26 | 2001-06-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method |
| DE19747105B4 (en) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Component with stacked semiconductor chips |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15520192A patent/JPH05347375A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100286591B1 (en) * | 1996-11-26 | 2001-06-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method |
| DE19747105B4 (en) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Component with stacked semiconductor chips |
| US6215192B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit package and integrated circuit package control system |
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