JPH05347292A - Rotating treatment device - Google Patents
Rotating treatment deviceInfo
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- JPH05347292A JPH05347292A JP27781192A JP27781192A JPH05347292A JP H05347292 A JPH05347292 A JP H05347292A JP 27781192 A JP27781192 A JP 27781192A JP 27781192 A JP27781192 A JP 27781192A JP H05347292 A JPH05347292 A JP H05347292A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回転処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotation processing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウエハやガラス基板等に
各種の処理を施して半導体製品や液晶表示製品を製造す
る過程においては、半導体ウエハやガラス基板に各種の
薬液を作用させることから例えば薬液処理後にウエハに
残留する薬液を除去するために水洗が行われ、その後、
ウエハ等に付着する水分を除去して乾燥することが行わ
れている。この場合、迅速な乾燥を行って生産効率を高
めることができることから、ウエハ等を回転させて遠心
力により水滴を飛散させるようになした、例えば特開平
1−255227号公報に示されるような回転式の乾燥
処理装置が用いられている。2. Description of the Related Art Generally, in the process of manufacturing semiconductor products and liquid crystal display products by subjecting semiconductor wafers and glass substrates to various treatments, various chemicals are applied to the semiconductor wafers and glass substrates. After that, water washing is performed to remove the chemical liquid remaining on the wafer, and then,
Water that adheres to wafers and the like is removed and dried. In this case, since rapid drying can be performed to improve the production efficiency, the wafer or the like is rotated so that the water droplets are scattered by the centrifugal force. For example, the rotation as shown in JP-A-1-255227. A dry processing apparatus is used.
【0003】この乾燥処理装置は、図14及び図15に
示すように断面矩形の箱状のハウジング2内に両端が回
転軸3を介して軸受4により回転自在に支持されたロー
タ6を有しており、このロータ6内に複数の基板保持棒
8により保持させた複数の被処理体としてのウエハWが
等ピッチで設けられている。上記基板保持棒8の内で上
側の保持棒8は、ハウジング2の側壁に内部へ突出させ
て設けたエアーシリンダ10によりアーム12を介して
揺動可能になされており、上記上側の保持棒8を揺動さ
せることによりウエハWの保持及び解除を行うようにな
っている。As shown in FIGS. 14 and 15, this drying apparatus has a rotor 6 rotatably supported by bearings 4 at both ends via a rotary shaft 3 in a box-shaped housing 2 having a rectangular cross section. In this rotor 6, a plurality of wafers W to be processed which are held by a plurality of substrate holding rods 8 are provided at equal pitches. The upper holding rod 8 of the substrate holding rods 8 is swingable through an arm 12 by an air cylinder 10 provided on the side wall of the housing 2 so as to project inward. The wafer W is held and released by swinging.
【0004】また、ハウジング2内の上方の角部には清
浄な気体を内部へ導入するためのフィルタ付きの吸気口
14が設けられると共に、この吸気口14が設けられる
壁面の反対側の壁面にはハウジング2内の気体を排出す
るための排気口16が設けられている。そして、このよ
うに構成された乾燥処理装置のモータ18を駆動してロ
ータ6を回転させた状態で上記吸気口14からハウジン
グ2内に清浄気体を流通させることにより、ウエハWに
付着している水分は回転による遠心力により飛散される
と共にウエハ表面に残存する水分は流通する清浄気体に
より蒸発除去される。Further, an intake port 14 with a filter for introducing clean gas into the inside is provided at an upper corner of the housing 2, and a wall surface opposite to the wall surface where the intake port 14 is provided. Is provided with an exhaust port 16 for exhausting the gas in the housing 2. Then, the cleaning gas is attached to the wafer W by driving the motor 18 of the thus configured drying processing apparatus to rotate the rotor 6 and circulating clean gas from the intake port 14 into the housing 2. The water content is scattered by the centrifugal force due to the rotation, and the water content remaining on the wafer surface is evaporated and removed by the flowing clean gas.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理体で
ある半導体ウエハ等の処理工程においては、その歩留ま
り低下の原因となるパーティクル等をできるだけその処
理空間から排除する必要があるため、乾燥処理中におい
てはフィルタ付きの吸気口14からハウジング2内へ清
浄空気などの清浄気体を常に導入し、また、内部空気を
排気口16から外部へ排出している。しかしながら、前
述した従来装置にあっては、ハウジング内に清浄気体を
常に導入しているとは言え、ウエハWの上部を保持する
上側の保持棒8を駆動するエアーシリンダ10がハウジ
ング2内に突出させて設けられていることからこの部分
に気体の滞留が生じたり或いはこの突出部分に起因して
清浄気体に乱流が生じ、ハウジング内のパーティクルを
効率良く排出できないという改善点があった。By the way, in the process of processing a semiconductor wafer or the like which is the object to be processed, it is necessary to remove as much particles as possible as a cause of the yield decrease from the processing space. In the above, a clean gas such as clean air is always introduced into the housing 2 from the intake port 14 with a filter, and the internal air is discharged from the exhaust port 16 to the outside. However, in the above-described conventional apparatus, although the clean gas is always introduced into the housing, the air cylinder 10 that drives the upper holding rod 8 that holds the upper portion of the wafer W projects into the housing 2. Since the gas is accumulated in the housing, turbulence occurs in the clean gas due to the retention of the gas in this portion or the protruding portion, so that the particles in the housing cannot be efficiently discharged.
【0006】また、高速回転するウエハWを支持固定す
る上記上側の基板保持棒8は、単にバネ等の弾発部材の
弾発力により保持されているだけなので高速回転時の大
きな負荷に対して上記弾発部材ではウエハを支持固定し
きれない場合が発生するという改善点があった。特に、
半導体ウエハの製造工程において、ウエハ径の大型化及
び微細化傾向の進んでいる今日において、上記した問題
点の解決が強く望まれている。本発明は、以上のような
問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたも
のである。本発明の目的は、被処理体を強固に保持する
と共に清浄気体の流れの乱れを抑制することができる回
転処理装置を提供することにある。Further, since the upper substrate holding rod 8 for supporting and fixing the wafer W rotating at a high speed is simply held by the elastic force of the elastic member such as a spring, it is against a large load during the high speed rotation. There is an improvement in that the elastic member may not be able to support and fix the wafer. In particular,
In the process of manufacturing semiconductor wafers, there is a strong demand for solving the above-mentioned problems in today's trend of increasing the diameter of wafers and miniaturization. The present invention has been made to pay attention to the above problems and to solve them effectively. An object of the present invention is to provide a rotation processing device that can firmly hold an object to be processed and can suppress turbulence in the flow of clean gas.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体が保持された被処理体保持機
構を筺体内で回転させつつ前記被処理体を処理する回転
処理装置において、前記被処理体保持機構は、前記被処
理体の下部を支持する下部支持部材と、前記被処理体の
上部を支持する上部支持部材と、前記上部支持部材を開
閉する開閉アームとを有し、前記被処理体保持機構は、
これを回転可能とする中空の回転軸に連結されると共に
前記開閉アームはこれを駆動すべく前記中空の回転軸に
挿通された開閉用中心軸に連結させるようにしたもので
ある。In order to solve the above problems, the present invention provides a rotation process for processing an object to be processed while rotating an object to be processed holding mechanism holding an object to be processed in a housing. In the apparatus, the object holding mechanism includes a lower support member that supports a lower part of the object, an upper support member that supports an upper part of the object, and an open / close arm that opens and closes the upper support member. And the processing target holding mechanism has
The opening / closing arm is connected to a hollow rotating shaft which is rotatable, and the opening / closing arm is connected to an opening / closing center shaft inserted through the hollow rotating shaft to drive the opening / closing arm.
【0008】[0008]
【作用】本発明は、以上のように構成したので、被処理
体保持機構の下部支持部材は被処理体の下部を支持し、
上部支持部材は被処理体の上部を支持する。この上部支
持部材の開閉は開閉アームを介して連結された開閉用中
心軸を所定の角度だけ正逆回転させることにより行われ
る。この開閉用中心軸は、上記被処理体保持機構を支持
する中空の回転軸内に収容されており、回転処理時に筐
体内を流れる清浄気体の流れの乱れや滞留を生ぜしめる
ことがない。Since the present invention is configured as described above, the lower support member of the object holding mechanism supports the lower part of the object to be processed,
The upper support member supports the upper portion of the object to be processed. The opening and closing of the upper support member is performed by rotating the opening and closing central shaft connected through the opening and closing arm forward and backward by a predetermined angle. The opening / closing central shaft is housed in a hollow rotary shaft that supports the object-to-be-processed holding mechanism, and does not cause turbulence or retention of the flow of the clean gas flowing in the housing during the rotation processing.
【0009】[0009]
【実施例】以下に、本発明に係る回転処理装置の一実施
例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る
回転処理装置の一実施例を示す正側図、図2は図1に示
す装置の側面図、図3は本発明に係る回転処理装置を組
み込んだ化学処理機構を示す斜視図である。本実施例に
おいては、本発明に係る回転処理装置を被処理体として
の半導体ウエハを乾燥させるウエハ乾燥装置に適用した
場合について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a rotation processing device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a front view showing an embodiment of a rotation processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a side view of the apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows a chemical processing mechanism incorporating the rotation processing apparatus according to the present invention. It is a perspective view. In the present embodiment, a case where the rotation processing apparatus according to the present invention is applied to a wafer drying apparatus for drying a semiconductor wafer as an object to be processed will be described.
【0010】図3に示すようにこの化学処理機構は、処
理前の被処理体としての半導体ウエハを複数枚収容した
カセット20を外部より受け入れる入力バッファ部22
と、ウエハに各種の薬液処理及びこの洗浄処理を実際に
施すための処理本体部24と、処理済みのウエハをカセ
ット20内に収容して後段の処理のために受け渡しを待
つ出力バッファ部26とにより主に構成されている。上
記入力バッファ部22は、外部からのカセット20を受
け入れてこれをカセット貯蔵部28へ移載するカセット
搬送アーム30と、この貯蔵部28から上記アーム30
により搬送されたカセット20を処理本体部24に向け
て載置する回転可能なローダ部32とにより主に構成さ
れている。As shown in FIG. 3, in this chemical processing mechanism, an input buffer section 22 for externally receiving a cassette 20 containing a plurality of semiconductor wafers as an object to be processed before processing.
A processing main body 24 for actually carrying out various chemical treatments and cleaning treatments on the wafers; an output buffer unit 26 for accommodating the processed wafers in the cassette 20 and waiting for delivery for subsequent processing. It is mainly composed of. The input buffer unit 22 receives the cassette 20 from the outside and transfers the cassette 20 to the cassette storage unit 28, and the storage unit 28 to the arm 30.
It is mainly configured by a rotatable loader unit 32 that mounts the cassette 20 transported by the processing unit toward the processing main body unit 24.
【0011】上記処理本体部24は、その長手方向に沿
って搬送路34が形成されると共にこの搬送路34には
ウエハ搬送アーム36が移動可能に設けられており、処
理前或いは処理後のウエハを搬送し得るように構成され
ている。そして、この処理本体部24には、上記ウエハ
搬送アーム36のチャックを洗浄するチヤック洗浄乾燥
装置38、ウエハに各種の薬液処理を施すための薬液処
理装置40、薬液処理後のウエハを洗浄するための洗浄
装置42、処理後のウエハを最終的に乾燥させる本発明
に係る回転処理装置としてのウエハ乾燥装置44がそれ
ぞれ搬送路34に沿って適当数設けられている。また、
上記搬送路34に並行して空の或いは満杯のカセットを
搬送するカセットライナ46が設けられると共にこの処
理本体部24の端部には前記ローダ部32と同様な構造
の回転可能なアンローダ部48が設けられている。上記
出力バッファ部20は、処理済みのウエハを収容したカ
セットを多段に載置するカセット貯蔵部44と、この貯
蔵部44のカセット14を外部へ受け渡すためのカセッ
ト搬送アーム46とにより主に構成されている。A transfer path 34 is formed along the longitudinal direction of the processing main body 24, and a wafer transfer arm 36 is movably provided in the transfer path 34. Is configured to be transported. The processing main body 24 includes a chuck cleaning / drying device 38 for cleaning the chuck of the wafer transfer arm 36, a chemical liquid processing device 40 for performing various chemical liquid treatments on the wafer, and a wafer after the chemical liquid treatment for cleaning. An appropriate number of cleaning devices 42 and wafer drying devices 44 as a rotary processing device according to the present invention for finally drying the processed wafers are provided along the transfer path 34. Also,
A cassette liner 46 that conveys an empty or full cassette is provided in parallel with the conveying path 34, and a rotatable unloader portion 48 having the same structure as the loader portion 32 is provided at the end of the processing main body portion 24. It is provided. The output buffer unit 20 is mainly composed of a cassette storage unit 44 in which cassettes containing processed wafers are placed in multiple stages, and a cassette transfer arm 46 for transferring the cassette 14 of the storage unit 44 to the outside. Has been done.
【0012】このように構成された処理本体部24へ組
み込まれた本発明に係るウエハ乾燥装置44は、図1及
び図2に示すように乾燥すべき被処理体を収容する箱状
の例えばステンレスよりなる筺体50と、被処理体とし
ての例えば半導体ウエハWを例えば52枚並列に等ピッ
チで保持して回転させる被処理体保持機構52と、上記
筺体上部に形成された気体導入口54に取り付けられて
筺体内部に供給される清浄気体G、例えば空気を更に清
浄化するための例えばULPAフィルターよりなるフィ
ルタ手段56と、上記被処理体保持機構52に接続され
る回転軸58を回転可能に保持する軸受60と、筐体内
をシールするための磁性流体シール部材62とにより主
に構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer drying device 44 according to the present invention, which is incorporated in the processing main body 24 having the above-described structure, has a box shape, for example, stainless steel for containing the object to be dried. A housing 50 made of, a processing object holding mechanism 52 for holding, for example, 52 semiconductor wafers W as processing objects in parallel and holding them at an equal pitch, and a gas introduction port 54 formed in the upper part of the housing. The cleaning gas G, which is supplied to the inside of the housing, for example, filter means 56 for further cleaning the air, such as ULPA filter, and the rotating shaft 58 connected to the object holding mechanism 52 are rotatably held. The bearing 60 and the magnetic fluid sealing member 62 for sealing the inside of the housing are mainly configured.
【0013】上記フィルタ手段56の外枠64は例えば
ステンレス等により矩形状に成形されており、外枠64
内の上段にフィルタ66を収容すると共にこのフィルタ
66の筺体内側にはウエハWから飛散する処理液、例え
ば洗浄後の純水がフィルタ66に付着することを防止す
るための被液防止手段68が設けられている。図8及び
図9に示すようにこの被液防止手段68は、フィルタ6
6の下部に等間隔でもって配設された複数、例えば3枚
のステンレス製のパンチング板70A、70B、70C
よりなり、各パンチング板には多数の通気孔72が形成
されている。そして、最上部のパンチング板70Aはフ
ィルタ66の下面に接して配置され、フィルタ66の重
量を支持するように構成されている。そして、各パンチ
ング板70A、70B、70Cは、その通気孔72が上
下方向において互い違いに位置ズレを生ずるように配置
されており、下方より上方に向けて飛散する水滴が上記
フィルタ66に直接接触しないように構成されている。The outer frame 64 of the filter means 56 is formed of, for example, stainless steel into a rectangular shape.
A filter 66 is housed in the upper stage of the inside of the filter 66, and inside the housing of the filter 66, there is a liquid-preventing means 68 for preventing the processing liquid scattered from the wafer W, for example, pure water after cleaning, from adhering to the filter 66. It is provided. As shown in FIG. 8 and FIG.
A plurality of, for example, three punching plates 70A, 70B, 70C made of stainless steel, which are arranged at equal intervals in the lower part of 6
In addition, a large number of ventilation holes 72 are formed in each punching plate. The uppermost punching plate 70A is arranged in contact with the lower surface of the filter 66, and is configured to support the weight of the filter 66. The punching plates 70A, 70B, 70C are arranged such that the vent holes 72 thereof are displaced in the vertical direction in a staggered manner, so that the water droplets scattered upward from below do not directly contact the filter 66. Is configured.
【0014】また、最下部のパンチング板70Dの通気
孔72は全面に均等に形成されており、これより流下す
る清浄空気に整流作用を施すように構成されている。
尚、パンチング板の数は3枚に限定されず、必要に応じ
て増加してもよい。また、このフィルタ手段56の外枠
64の下部には所定の高さを有する補助枠74が連設さ
れており、筺体50内に収容されたウエハWの中心部と
最下部のパンチング板70Dとの間に所定の間隔Hを設
けるようになっている。この間隔Hは、例えば乾燥時に
おける所定の回転数のウエハから飛散する所定の粒径、
例えば5mmの水滴が届き得る最大値、例えば本実施例
においては300mmに設定されている。また、上記外
枠64には、内部に臨ませて着脱可能になされたイオナ
イザ76が設けられており、ウエハ乾燥時にプラス及び
マイナスイオンを発生して、ウエハに滞電している電気
を中和して除電し得るように構成されている。Further, the vent holes 72 of the lowermost punching plate 70D are formed uniformly over the entire surface, and are constituted so as to apply a rectifying action to the clean air flowing down from the vent holes 72.
The number of punching plates is not limited to three and may be increased if necessary. Further, an auxiliary frame 74 having a predetermined height is continuously provided below the outer frame 64 of the filter means 56, and the central portion of the wafer W housed in the housing 50 and the punching plate 70D at the lowermost part are provided. A predetermined interval H is provided between the two. This interval H is, for example, a predetermined particle size scattered from a wafer having a predetermined rotation speed during drying,
For example, the maximum value that a water droplet of 5 mm can reach, for example, is set to 300 mm in this embodiment. In addition, the outer frame 64 is provided with an ionizer 76 which is made detachable so as to face the inside, and generates positive and negative ions when the wafer is dried to neutralize electricity stored in the wafer. It is configured so that the electricity can be removed.
【0015】そして、これら外枠64及び補助枠74を
含むフィルタ手段56の全体は、筺体50の気体導入口
54を開閉する蓋体79として構成されており、この補
助枠74に接続された蓋体アーム78を筺体側に取り付
けたヒンジ80を介して図示しないシリンダ等により回
転することにより上記蓋体79を90°以上開閉し得る
ようになっている。上記蓋体79の開状態においては、
蓋体79の重心の位置を考慮し、開閉機構の故障時にこ
の蓋体が倒れないように構成されている。また、気体導
入口54の周囲に沿って、例えばシリコンゴムよりなる
シール部材82が設けられており、上記蓋体79を気密
に筺体側と接触し得るように構成されている。尚、上記
ヒンジ80には、これを駆動するシリンダ(図示せず)
が設けられている。図4は上記被処理体保持機構を示す
側面図、図5は被処理体保持機構の要部を示す要部拡大
図である。本発明の特長とする上記被処理体保持機構5
2は、上記ウエハWの下部を支持するための下部支持部
材82と、上記ウエハWの上部を支持するための上部支
持部材84と、この上部支持部材84を開閉するための
開閉アーム86とにより主に構成されている。The entire filter means 56 including the outer frame 64 and the auxiliary frame 74 is constructed as a lid 79 for opening and closing the gas introduction port 54 of the housing 50, and the lid connected to the auxiliary frame 74. The lid 79 can be opened and closed by 90 ° or more by rotating the body arm 78 by a cylinder or the like not shown via a hinge 80 attached to the housing side. In the open state of the lid 79,
In consideration of the position of the center of gravity of the lid 79, the lid is configured not to fall when the opening / closing mechanism fails. Further, a seal member 82 made of, for example, silicon rubber is provided along the periphery of the gas introduction port 54 so that the lid 79 can be hermetically contacted with the housing side. The hinge 80 has a cylinder (not shown) for driving the hinge 80.
Is provided. FIG. 4 is a side view showing the object-to-be-processed holding mechanism, and FIG. 5 is an enlarged view of essential parts showing an essential part of the object-to-be-processed holding mechanism. The above-mentioned object holding mechanism 5 which is a feature of the present invention
2 includes a lower support member 82 for supporting the lower part of the wafer W, an upper support member 84 for supporting the upper part of the wafer W, and an opening / closing arm 86 for opening / closing the upper support member 84. It is mainly composed.
【0016】上記下部支持部材82は、ウエハWの配列
方向に沿って延在された例えば3本の棒状部材よりな
り、立設されたウエハWの下部を3点支持し得るように
なされると共にその両端は中央部が鼓状にくびれた1対
のフライホイール板88にネジ90により取り付け固定
されている。図5においては一側のフライホイール板の
みを記しているが他側のフライホイール板も同様に構成
されている。各フライホイール板88は、中心部が中空
になされた回転軸92の端部に取り付けられると共にこ
れら回転軸92は、基板93上に立設された1対の取付
板94に軸受ユニット95の軸受60を介して回転可能
に取り付けられている。各下部支持部材82は、例えば
ステンレスよりなる丸パイプ96を例えばテフロンパイ
プ98に圧入して構成され、このテフロンパイプ98の
周辺部にはウエハWの下部を挿入して固定するための断
面Y字状になされた多数、例えば52個のY溝100が
等ピッチで或いは異なるピッチで形成されている。この
Y溝100の開口の幅L1は約4.3mmに設定される
と共に基部の幅L2は約0.85mmに設定され、約
0.725mmの厚さのウエハWを上部基部に挿入して
固定するように構成されている。The lower support member 82 is composed of, for example, three rod-shaped members extending along the arrangement direction of the wafers W, and is capable of supporting the lower part of the wafer W standing upright at three points. Both ends thereof are attached and fixed by a screw 90 to a pair of flywheel plates 88 having a drum-shaped center portion. Although only the flywheel plate on one side is shown in FIG. 5, the flywheel plate on the other side has the same structure. Each flywheel plate 88 is attached to an end portion of a rotating shaft 92 having a hollow central portion, and these rotating shafts 92 are mounted on a pair of mounting plates 94 erected on a base plate 93 and bearings of a bearing unit 95. It is rotatably attached via 60. Each lower support member 82 is configured by press-fitting a round pipe 96 made of, for example, stainless into a Teflon pipe 98, and a Y-shaped cross section for inserting and fixing the lower portion of the wafer W into the peripheral portion of the Teflon pipe 98. A large number of, for example, 52 Y-shaped grooves 100 are formed at an equal pitch or at different pitches. The width L1 of the opening of the Y groove 100 is set to about 4.3 mm, the width L2 of the base is set to about 0.85 mm, and the wafer W having a thickness of about 0.725 mm is inserted and fixed in the upper base. Is configured to.
【0017】上記上部支持部材84は、前記下部支持部
材82と同様にウエハWの配列方向に沿って延在された
例えば2本の棒状部材よりなり、例えばウエハWの上部
オリフラ(オリエンテーションフラットと呼称される切
欠部分)102を2点支持し得るようになされると共に
これら上部支持部材84の両端部は、それぞれの端部に
2個ずつ設けられた合計4個の各開閉アーム86の先端
部に取り付けられている。各開閉アーム86は、円弧状
に成形されると共にそれらの基端部は、上記フライホイ
ール板88に例えばセラミック製のベアリング104及
び固定軸106を介して両方向へ開閉乃至回転可能に取
り付けられている(図4参照)。Similar to the lower support member 82, the upper support member 84 is formed of, for example, two rod-shaped members extending along the arrangement direction of the wafers W. For example, an upper orientation flat of the wafer W (referred to as an orientation flat). The upper end of the upper support member 84 is provided with two end portions of the opening and closing arms 86, two of which are provided at each end portion. It is installed. Each opening / closing arm 86 is formed in an arc shape, and the base end portion thereof is attached to the flywheel plate 88 so as to be openable / closable or rotatable in both directions via, for example, a ceramic bearing 104 and a fixed shaft 106. (See Figure 4).
【0018】この1対の開閉アーム86の内側には、前
記中空の回転軸92の中心部にベアリング108を介し
て同心状に回転自在に設けられた開閉用中心軸110の
端部に取り付け固定した小径の円板112が設けられて
いる。この円板112と上記1対の開閉アーム86、8
6の略中央部との間にはそれぞれ両端に例えばセラミッ
ク製のベアリング114、116を介して回転可能にな
された連結アーム118が円板112の回転中心に対し
て点対称に掛け渡されており、図4に示すようにこの円
板112を約90°往復回転することにより1対の開閉
アーム86、86を仮想線に示すように開閉し得るよう
に構成されている。従って、これら開閉アーム86、8
6が開状態になされている時に、上方からウエハWの搬
入・搬出が行われることになる。上記各開閉アーム8
6、86の途中には、強度を維持しつつこの重量を低減
するために適当数のバランス孔120が形成されると共
に、一方の上部支持部材84の取付部には、ウエハWの
微小な大きさの相異に対応させて上部支持部材84を上
下方向へ移動可能とするために長孔122が設けられて
おり、ボルト124の調整により上部支持部材84を上
下方向へ僅かに移動し得るように構成されている。Inside the pair of open / close arms 86, the hollow open / close shaft 92 is fixedly attached to the end of an open / close center shaft 110 rotatably concentrically provided in the center of the rotary shaft 92 via a bearing 108. A small-diameter disk 112 is provided. The disk 112 and the pair of open / close arms 86, 8
6, a connecting arm 118 rotatably provided at both ends via ceramic bearings 114 and 116, respectively, is provided symmetrically about the center of rotation of the disc 112. As shown in FIG. 4, the pair of open / close arms 86, 86 can be opened / closed by rotating the disc 112 reciprocally by about 90 ° as shown by phantom lines. Therefore, these open / close arms 86, 8
When 6 is opened, the wafer W is loaded and unloaded from above. Each open / close arm 8
In the middle of 6, 86, an appropriate number of balance holes 120 are formed in order to reduce the weight while maintaining the strength, and at the mounting portion of one upper support member 84, a small size of the wafer W is formed. The elongated holes 122 are provided to enable the upper support member 84 to move in the vertical direction in correspondence with different heights, and the upper support member 84 can be slightly moved in the vertical direction by adjusting the bolts 124. Is configured.
【0019】また、上記2つの上部支持部材84は、前
記下部支持部材82と同様に、例えばステンレスよりな
る丸パイプ126を例えばテフロンパイプ128に圧入
して構成され、このテフロンパイプ128の周辺部に
は、立設したウエハWの垂直方向の傾斜を規制するため
の断面V字状になされた多数、例えば52個のV溝13
0が前記Y溝100と等ピッチで或いは異なるピッチで
形成されている。このV溝130の開口の幅L3は、例
えば前記Y溝100の開口の幅L1より約1.45mm
広く設定されている。一方、上記各回転軸92と各開閉
用中心軸110の端部には図6及び図7に示すようにこ
れら両軸の連結及び切り離しを行うためのクラッチ機構
132、134が設けられている。これら両クラッチ機
構は、図1に示すように略同様な構造になされている
が、図1中の右側のクラッチ機構132側の回転軸92
にはプーリ136が固設されると共にこのプーリ136
とモータ138の回転軸との間にはベルト140が介設
され(図2参照)、必要に応じて前記被処理体保持機構
52を回転し得るように構成されている。The two upper support members 84 are formed by press-fitting a round pipe 126 made of, for example, stainless steel into a Teflon pipe 128, like the lower support member 82. Is a large number of, for example, 52 V-grooves 13 having a V-shaped cross section for restricting the vertical inclination of the vertically arranged wafer W.
Zeros are formed at the same pitch as the Y grooves 100 or at a different pitch. The width L3 of the opening of the V groove 130 is, for example, about 1.45 mm from the width L1 of the opening of the Y groove 100.
Widely set. On the other hand, clutch mechanisms 132 and 134 for connecting and disconnecting the rotary shafts 92 and the open / close center shafts 110 are provided at the ends of the rotary shafts 92 and the open / close center shafts 110 as shown in FIGS. 6 and 7. Both of these clutch mechanisms have substantially the same structure as shown in FIG. 1, but the rotary shaft 92 on the side of the clutch mechanism 132 on the right side in FIG.
A pulley 136 is fixedly mounted on the pulley 136.
A belt 140 is interposed between the and the rotation shaft of the motor 138 (see FIG. 2), and is configured to rotate the object holding mechanism 52 as necessary.
【0020】他方のクラッチ機構134側は、このプー
リを設けていない点のみが異なり、このクラッチ機構1
34は図6に示される。以下クラッチ機構134を例に
とって説明する。回転軸92自体は軸受60により回転
可能に支持されると共にクラッチ機構134は基板93
上にスライド可能に支持されており、クラッチ水平シリ
ンダ142により水平方向へスライドされる。上記開閉
用中心軸110の端部にはクラッチ円板144が設けら
れると共に中空回転軸92の端部には、上記クラッチ円
板144に対向させて係合板146が設けられ、上記両
軸の端部にはベアリング150が介設されている。The other clutch mechanism 134 side is different only in that this pulley is not provided.
34 is shown in FIG. The clutch mechanism 134 will be described below as an example. The rotating shaft 92 itself is rotatably supported by the bearing 60, and the clutch mechanism 134 is connected to the base plate 93.
It is slidably supported above and horizontally slid by a clutch horizontal cylinder 142. A clutch disc 144 is provided at the end of the opening / closing center shaft 110, and an engaging plate 146 is provided at the end of the hollow rotary shaft 92 so as to face the clutch disc 144, and the ends of the both shafts are provided. A bearing 150 is provided in the portion.
【0021】上記クラッチ円板144には、クラッチア
ーム152の両端から水平方向へ突設されると共に先端
部がテーパ状になされた2本の係合ピン154を貫通さ
せる2つの貫通孔156が形成される。そして、この貫
通孔156に対応する上記係合板146には、上記係合
ピン154の先端部と係合するテーパ状の2つの係合孔
158が形成されており、上記係合ピン154の先端部
を上記係合孔158へ挿脱させることにより、上記クラ
ッチ円板144と係合板146との係合離脱を可能とし
ている。図6においては係合ピン154が左方向へ前進
されて両板144、146とが係合されてこれらが一体
的に回転する状態を示す。上記クラッチアーム152
は、前記クラッチ水平シリンダ142へ取り付けられた
図中逆L字状になされた取り付け板160にベアリング
162及びシャフト164を介して回転可能に取り付け
られている。The clutch disc 144 is formed with two through holes 156 through which two engaging pins 154, which project from both ends of the clutch arm 152 in the horizontal direction and have tapered tip portions, penetrate. To be done. The engagement plate 146 corresponding to the through hole 156 is formed with two tapered engagement holes 158 that engage with the tip end portion of the engagement pin 154. The tip end of the engagement pin 154 is formed. By inserting and removing the portion into and from the engaging hole 158, the clutch disc 144 and the engaging plate 146 can be engaged and disengaged. FIG. 6 shows a state in which the engagement pin 154 is advanced to the left and the two plates 144 and 146 are engaged with each other so that they rotate integrally. The clutch arm 152
Is rotatably attached to the clutch horizontal cylinder 142 via a bearing 162 and a shaft 164 on an attachment plate 160 having an inverted L shape in the drawing.
【0022】また、上記シャフト164には、上記クラ
ッチアーム152に対して略直交するように軸受金とし
て例えばブッシュ168を介して係合アーム166が回
転可能に取り付けられている。この係合アーム166の
両端部にはクラッチ円板144を越えて水平方向へ延在
された補助アーム170が設けられると共に各補助アー
ム170の先端部には軸心に向けて突出させた係合片1
72が設けられている。そして、上記クラッチ円板14
4の周辺部には上記係合片172と係合する係合溝17
4が設けられており、従って、係合ピン154を図6中
の左方向へ前進させてクラッチ円板144と係合板14
6とを一体固定した時には係合片172とクラッチ円板
144との係合は断たれ、逆に係合ピン154を右方向
へ後退させてクラッチ円板144と係合板146との係
合を断った時には係合片172はクラッチ円板144の
係合溝174内に入ってクラッチ円板144と係合アー
ム166とが係合することになる。そして、図7に示す
ように上記係合アーム166の一端部には上記取り付け
板160側に固定された係合アーム駆動シリンダ176
が連結されており、このシリンダ176を上下方向へ駆
動することにより上記係合アーム166を例えば90°
回転可能に構成している。すなわち、係合片146を係
合溝174へ係合させた状態(係合ピン154は係合孔
158から離脱している)で係合アーム166を90°
回転することにより、クラッチ円板144を介して開閉
用中心軸110のみを90°回転して前記上部支持部材
84を開閉し得るように構成されている。An engaging arm 166 is rotatably attached to the shaft 164 as a bearing metal so as to be substantially orthogonal to the clutch arm 152 via a bush 168. Auxiliary arms 170 that extend horizontally beyond the clutch disc 144 are provided at both ends of the engaging arms 166, and the tips of the auxiliary arms 170 are engaged so as to project toward the axial center. Piece 1
72 are provided. Then, the clutch disc 14
4, the engaging groove 17 that engages with the engaging piece 172 is provided in the peripheral portion of 4.
4 is provided, and therefore, the engagement pin 154 is moved to the left in FIG. 6 to move the clutch disc 144 and the engagement plate 14 together.
When 6 is integrally fixed, the engagement piece 172 and the clutch disc 144 are disengaged, and conversely, the engagement pin 154 is retracted to the right to engage the clutch disc 144 and the engagement plate 146. When disengaged, the engagement piece 172 enters into the engagement groove 174 of the clutch disc 144 so that the clutch disc 144 and the engagement arm 166 engage with each other. Then, as shown in FIG. 7, an engagement arm drive cylinder 176 fixed to the mounting plate 160 side is provided at one end of the engagement arm 166.
Are connected to each other, and by driving the cylinder 176 in the vertical direction, the engaging arm 166 is moved by 90 °, for example.
It is configured to be rotatable. That is, with the engagement piece 146 engaged with the engagement groove 174 (the engagement pin 154 is disengaged from the engagement hole 158), the engagement arm 166 is moved 90 °.
By rotating, the opening / closing central shaft 110 alone is rotated by 90 ° via the clutch disc 144 so that the upper support member 84 can be opened / closed.
【0023】尚、前記した構造のクラッチ機構132に
代えて、他の構造、例えば電磁式のクラッチ機構を設け
るようにしてもよい。一方、図10に示すように回転軸
92を支持するために以下に示すような軸受機構が構成
される。すなわち、前記取付板94にはそれぞれ例えば
適宜距離だけ離間させた2個の軸受60、60が固定さ
れており、これら両軸受60、60間には筺体50内を
シールすると共に図10中において右側の軸受60にて
発生する発塵が筺体50内へ侵入することを防止するた
めに磁性流体を用いた磁性流体シール部材176が設け
られている。更に、上記磁性流体シール部材176及び
軸受60の筺体内側には、ラビリンスシール178が設
けられると共にこの部分に狭い空間部、すなわちラビリ
ンス空間180を形成している。そして、このラビリン
ス空間180には、この空間に清浄気体、例えば不純物
のほとんど含まれていない窒素ガスを供給するガス供給
通路182が接続されると共に供給された窒素ガスの一
部を排出するためのガス排出通路184が接続されてお
り、図中の左側の軸受60にて発生した発塵をパージし
て筺体50内へ侵入することを防止している。また、上
記ガス排気通路184は、排気管186を介して筺体5
0の気体排気口側へ接続されている。尚、この場合にラ
ビリンスシール178に代えて或いはこれと共に取付板
94と筺体50との間に環状のリング材188(図1参
照)を介設して内部に狭い空間部を形成し、この空間部
に窒素ガスを給排させて発塵等をパージするように構成
してもよい。Instead of the clutch mechanism 132 having the above-mentioned structure, another structure, for example, an electromagnetic clutch mechanism may be provided. On the other hand, a bearing mechanism as described below is configured to support the rotary shaft 92 as shown in FIG. That is, two bearings 60, 60, which are spaced apart from each other by an appropriate distance, are fixed to the mounting plate 94, respectively. The inside of the housing 50 is sealed between these two bearings 60, 60, and the right side in FIG. A magnetic fluid seal member 176 using a magnetic fluid is provided to prevent dust generated in the bearing 60 from entering the housing 50. Further, a labyrinth seal 178 is provided inside the housing of the magnetic fluid seal member 176 and the bearing 60, and a narrow space portion, that is, a labyrinth space 180 is formed in this portion. The labyrinth space 180 is connected to a gas supply passage 182 for supplying a clean gas, for example, a nitrogen gas containing almost no impurities to the space, and for discharging a part of the supplied nitrogen gas. The gas discharge passage 184 is connected to prevent dust generated in the bearing 60 on the left side in the figure from being purged and from entering the housing 50. In addition, the gas exhaust passage 184 is connected to the housing 5 via an exhaust pipe 186.
0 is connected to the gas exhaust port side. In this case, instead of or in addition to the labyrinth seal 178, a ring-shaped ring member 188 (see FIG. 1) is provided between the mounting plate 94 and the housing 50 to form a narrow space inside the space. The part may be configured to supply and discharge nitrogen gas to purge dust and the like.
【0024】一方、前記被処理体保持機構52を収容す
る前記箱状の筺体50は、図1及び図2にも示すように
気体の流れ方向、すなわち下方向に対して直交する方
向、すなわち水平方向における筺体50の断面積が気体
の流れ方向に沿って順次縮小されており、気体が流下す
るに従ってその流速を次第に高めるようになっている。
この場合、回転するウエハから飛散する洗浄水が直接付
着する1対の壁面190が図2に示すように相互に接近
するように下向き傾斜されてその断面積が順次縮小され
ており、この壁面190に付着する水滴の流下排出を促
進している。この筺体50の上部の気体導入口54は、
前記フィルタ手段56の出口側面積と同一か、またはそ
れ以下に形成されており、水切りを良好にすると共に角
部をなくして気体の滞留が生ずることを防止している。
また、上記筺体50の両壁面190、190には、例え
ばアクリル窓(図示せず)を介してウエハに対して傾め
方向に取り付けた1対の例えば光センサ218、218
が設けられており、ウエハの存否を検出するようになっ
ている。On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, the box-shaped housing 50 accommodating the object holding mechanism 52 has a gas flow direction, that is, a direction orthogonal to the downward direction, that is, a horizontal direction. The cross-sectional area of the housing 50 in the direction is gradually reduced along the gas flow direction, and the flow velocity is gradually increased as the gas flows down.
In this case, a pair of wall surfaces 190 to which the cleaning water scattered from the rotating wafer directly adheres are inclined downward so as to approach each other as shown in FIG. It promotes the downward discharge of water droplets adhering to. The gas inlet 54 at the top of the housing 50 is
The area of the filter means 56 is equal to or smaller than the area of the outlet side of the filter means 56 to improve drainage and eliminate corners to prevent gas retention.
Further, a pair of, for example, optical sensors 218 and 218 mounted on the wall surfaces 190 and 190 of the housing 50 in a tilting direction with respect to the wafer through acrylic windows (not shown), for example.
Is provided, and the presence or absence of the wafer is detected.
【0025】上記筺体50の底部192は、前記壁面1
90よりも緩い傾斜面になされており、その中心部には
図11にも示すように矩形状の気体排気口194が形成
されていると共にこの排出口194は気体排気容器19
6に接続されている。この気体排気容器196は箱状に
成形され、この底部198は下方向へ突状に成形される
と共に一側に向けて下向き傾斜されており、最下端部に
トラップした水滴を集めるように構成されている。そし
て、この部分にはドレン抜き口200が形成されてお
り、集めた水を排出し得るように構成されている。The bottom portion 192 of the housing 50 is the wall surface 1
The inclined surface is gentler than 90, and a rectangular gas exhaust port 194 is formed in the center thereof as shown in FIG.
Connected to 6. The gas exhaust container 196 is formed in a box shape, and the bottom portion 198 is formed in a downward protruding shape and is inclined downward toward one side, and is configured to collect the water droplets trapped at the lowermost end portion. ing. Then, a drain outlet 200 is formed in this portion so that the collected water can be discharged.
【0026】上記気体排気容器196内には天井部より
途中まで垂下させた仕切板202が設けられており、内
部を2分割すると共にこの仕切板202の下端部には上
下動可能になされた流量調整板204が設けられ、この
下方に形成される流路206の断面積を調整し得るよう
に構成されている。また、気体排気容器196内の下流
側の部屋208の側壁210には排気穴212が形成さ
れると共にこの排気穴212には排気ケーシング214
を介して排気ファン216(図1参照)が接続されてお
り、筺体50内の気体をこれに含まれる水分をトラップ
しつつ排出し得るように構成されている。The gas exhaust container 196 is provided with a partition plate 202 which is suspended from the ceiling partway. The partition plate 202 is divided into two parts and the lower end part of the partition plate 202 is vertically movable. An adjusting plate 204 is provided, and is configured so that the cross-sectional area of the flow path 206 formed therebelow can be adjusted. Further, an exhaust hole 212 is formed in the side wall 210 of the chamber 208 on the downstream side in the gas exhaust container 196, and an exhaust casing 214 is formed in the exhaust hole 212.
An exhaust fan 216 (see FIG. 1) is connected to the exhaust fan 216 via the exhaust air outlet 216 so that the gas in the housing 50 can be exhausted while trapping the water contained therein.
【0027】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、図3に示すように入力バ
ッファ部22において、処理前のウエハW(図示せず)
の収容されたカセット20はカセット搬送アーム30に
より外部より受け入れられ、カセット貯蔵部28に一時
的に収容される。この貯蔵部28のカセット20は、ウ
エハの処理が進行するに従ってアーム30によりローダ
部32へ移載される。このローダ部32のカセット20
内の未処理のウエハWはウエハ搬送アーム36により適
宜搬送されて、チャック洗浄乾燥装置38、薬液処理装
置40、洗浄装置42、本発明に係るウエハ乾燥装置4
4にてそれぞれ処理が施され、処理後のウエハは再度カ
セットへ収容された後に出力バッファ部26から外部へ
搬出されることになる。上記薬液処理に使用される薬液
としては、例えばアンモニア水、過酸化水素水、塩酸、
フッ酸、硫酸等が用いられる。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. First, in the input buffer unit 22 as shown in FIG. 3, a wafer W before processing (not shown)
The cassette 20 accommodated in (1) is received from the outside by the cassette transfer arm 30 and is temporarily accommodated in the cassette storage unit 28. The cassette 20 in the storage unit 28 is transferred to the loader unit 32 by the arm 30 as the wafer processing progresses. The cassette 20 of the loader unit 32
The unprocessed wafer W therein is appropriately transferred by the wafer transfer arm 36, and the chuck cleaning / drying device 38, the chemical liquid processing device 40, the cleaning device 42, and the wafer drying device 4 according to the present invention.
The processed wafers are respectively processed in 4, and the processed wafers are again stored in the cassette and then carried out from the output buffer unit 26 to the outside. Examples of the chemical solution used for the chemical solution treatment include ammonia water, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid,
Hydrofluoric acid, sulfuric acid, etc. are used.
【0028】ここで上記ウエハ乾燥装置44における乾
燥操作について説明すると、図1及び図2に示すように
ウエハ搬送アーム220に保持した洗浄後の多数、例え
ば52枚のウエハWを、フィルタ手段56を有する蓋体
79を図1中の仮想線に示すように開状態にした状態で
降下させ、これを被処理体保持機構52に移載する。こ
の場合、この被処理体保持機構52の上部支持部材8
4、84を図4中の仮想線で示すように左右に展開して
開状態にしておく。このように上部支持部材84、84
を開状態とするためには、図6中の仮想線で示すように
クラッチ水平シリンダ142を駆動することにより、係
合アーム166及びクラッチアーム152を図中仮想線
で示すように右方向へ移動させて係合ピン154を係合
板146の係合孔158から引き抜いてこれらの係合を
断つと同時に係合アーム166の係合片146をクラッ
チ円板144の係合溝174に嵌合させてこれらを係合
する。The drying operation in the wafer drying device 44 will now be described. As shown in FIGS. 1 and 2, a large number of washed wafers W, for example, 52 wafers W held by the wafer transfer arm 220 are filtered by the filter means 56. As shown by the phantom line in FIG. 1, the cover 79 is lowered in the open state, and is transferred to the object holding mechanism 52. In this case, the upper support member 8 of the workpiece holding mechanism 52
4 and 84 are developed left and right as shown by the phantom line in FIG. 4 and left open. Thus, the upper support members 84, 84
6 is opened, the clutch horizontal cylinder 142 is driven to move the engagement arm 166 and the clutch arm 152 to the right as shown by phantom lines in FIG. Then, the engagement pin 154 is pulled out from the engagement hole 158 of the engagement plate 146 to interrupt these engagements, and at the same time, the engagement piece 146 of the engagement arm 166 is fitted into the engagement groove 174 of the clutch disc 144. Engage these.
【0029】そして、この状態で係合アーム166に取
り付けた係合アーム駆動シリンダ176を図7中の仮想
線で示す位置から実線で示す位置へ駆動することにより
係合アーム166を介してクラッチ円板144を約90
°開方向へ回転する。するとこのクラッチ円板144に
連結されている開閉用中心軸110のみ(回転軸92は
静止)が回転して、図4に示すように被処理体保持機構
52の円板112を矢印A方向へ約90°回転する。こ
の円板112の回転により連結アーム118、118及
び開閉アーム86、86を介して上述したように上部支
持部材84、84が開状態となる。Then, in this state, the engagement arm drive cylinder 176 attached to the engagement arm 166 is driven from the position shown by the phantom line in FIG. 7 to the position shown by the solid line, and the clutch circle is moved through the engagement arm 166. About 90 plates 144
° Rotate in the opening direction. Then, only the opening / closing center shaft 110 connected to the clutch disc 144 (the rotation shaft 92 is stationary) rotates, and the disc 112 of the object holding mechanism 52 moves in the direction of arrow A as shown in FIG. Rotate about 90 °. By the rotation of the disk 112, the upper support members 84, 84 are opened via the connecting arms 118, 118 and the opening / closing arms 86, 86 as described above.
【0030】前述のようにして被処理体保持機構52に
ウエハWの移載が完了したならば、前述したと逆の操作
を行って、上部支持部材84、84を閉状態として各ウ
エハWを上部支持部材84と下部支持部材82との間で
強固に保持する。すなわち、上部支持部材84を閉じる
ためには、係合アーム166に取り付けた係合アーム1
66を図7中の実線で示す位置から仮想線で示す位置へ
駆動することにより係合アーム166を介してクラッチ
円板144を約90°閉方向へ回転する。すると、開閉
用中心軸110のみが前述と逆方向に回転して被処理体
保持機構52の円板112を矢印B方向へ約90°回転
し、これにともなって上部支持部材84、84は図4中
の実線に示すように閉じられ、ウエハWをクランプす
る。When the transfer of the wafer W to the target object holding mechanism 52 is completed as described above, the reverse operation to the above is performed to close the upper support members 84, 84 and place each wafer W. It firmly holds between the upper support member 84 and the lower support member 82. That is, in order to close the upper support member 84, the engagement arm 1 attached to the engagement arm 166 is
By driving 66 from the position shown by the solid line in FIG. 7 to the position shown by the phantom line, the clutch disc 144 is rotated in the closing direction by about 90 ° via the engagement arm 166. Then, only the opening / closing central shaft 110 rotates in the opposite direction to the above direction to rotate the disk 112 of the object-to-be-processed holding mechanism 52 by about 90 ° in the direction of arrow B, and accordingly, the upper support members 84, 84 are The wafer W is clamped as shown by the solid line in FIG.
【0031】この時、図5に示すようにウエハWの下部
は3点で指示されると共に下部支持部材82の表面に形
成したY溝100の基部に入ってしまい、横方向の移動
が確実に規制される。また、ウエハWの上部のオリフラ
部分は上部支持部材84の表面に形成したV溝130に
より2点支持され、しかもウエハWがクランプ直前に僅
かに傾斜していた場合にはV溝130の溝面の作用によ
り傾きが規制されて、ウエハWはほぼ垂直状態にクラン
プされることになる。このように被処理体保持機構52
が各ウエハWを確実にクランプ乃至支持固定したなら
ば、筺体50の上部に設けた蓋体79を図1中の実線で
示すように閉めてウエハの回転乾燥操作に移行する。At this time, as shown in FIG. 5, the lower portion of the wafer W is pointed at three points and enters the base of the Y groove 100 formed on the surface of the lower supporting member 82, so that the lateral movement is surely performed. Regulated. Further, the orientation flat portion on the upper part of the wafer W is supported at two points by the V groove 130 formed on the surface of the upper support member 84, and when the wafer W is slightly inclined just before the clamping, the groove surface of the V groove 130. The inclination of the wafer W is regulated by the action of, and the wafer W is clamped in a substantially vertical state. In this way, the object holding mechanism 52
When the wafers W are securely clamped or supported and fixed, the lid 79 provided on the upper part of the housing 50 is closed as shown by the solid line in FIG.
【0032】そのために、まず、クラッチ水平シリンダ
142を駆動することにより図6中において係合アーム
166及びクラッチアーム152を左方向へスライドさ
せ、係合ピン154を係合板146の係合孔158内へ
挿入することによりこの係合ピン154を介して係合板
146とクラッチ円板144とを一体的に結合すると共
に、係合アーム166の係合片172をクラッチ円板1
44の係合溝174から離脱させることにより係合アー
ム166とクラッチ円板144との係合を断つ。従っ
て、この状態では中空回転軸92と開閉用中心軸110
とが係合板146、係合ピン154及びクラッチ円板1
44を介して一体的に回転可能になされている。尚、こ
の時、クラッチアーム152はベアリング162を介し
てシャフト164の回りを回転することになる。Therefore, first, the clutch horizontal cylinder 142 is driven to slide the engagement arm 166 and the clutch arm 152 to the left in FIG. 6, and the engagement pin 154 is inserted into the engagement hole 158 of the engagement plate 146. The engaging plate 146 and the clutch disc 144 are integrally coupled to each other via the engaging pin 154, and the engaging piece 172 of the engaging arm 166 is inserted into the clutch disc 1 by inserting the engaging pin 154 into the clutch disc 1.
The engagement between the engagement arm 166 and the clutch disc 144 is cut off by disengaging from the engagement groove 174 of 44. Therefore, in this state, the hollow rotary shaft 92 and the opening / closing center shaft 110 are
And the engaging plate 146, the engaging pin 154 and the clutch disc 1
It is made integrally rotatable via 44. At this time, the clutch arm 152 rotates around the shaft 164 via the bearing 162.
【0033】このようにしてクラッチ機構132による
連結が終了したならば、図1中に示すモータ138を駆
動することによりプーリ136を介して中空回転軸92
及び開閉用中心軸110を一体的に回転し、これにより
ウエハWを保持した被処理体保持機構52の全体を、所
定の回転で回転すると共に排気ファン216を駆動して
蓋体79に設けたフィルタ手段56を介して筺体50内
へ清浄気体、例えば清浄空気Gを導入する。清浄空気G
の流量は、例えば筺体50の大きさ580mm×550
mmに対して例えば17m3 /min程度にすると共に
筺体の内外圧力差を例えば50mmH2 O程度に設定
し、被処理体保持機構52の回転数を0から200rp
mまでまず立ち上げて200rpmの回転数で例えば6
0秒間程度維持し、これによりウエハWに付着している
大きな水滴を振り切る。その後、被処理体保持機構52
の回転数を例えば1500rpmまで上昇させて、この
回転数で2〜3分程度維持し、これによりウエハWに付
着している小さな水滴を振り切ると同時にウエハ表面の
乾燥を行う。その後、モータ138の駆動を停止してウ
エハWの乾燥を完成させるために例えば20秒程度かけ
て回転を停止する。When the connection by the clutch mechanism 132 is completed in this way, the hollow rotary shaft 92 is driven through the pulley 136 by driving the motor 138 shown in FIG.
Further, the central shaft 110 for opening and closing is integrally rotated, whereby the entire target object holding mechanism 52 holding the wafer W is rotated at a predetermined rotation and the exhaust fan 216 is driven to be provided on the lid 79. A clean gas, for example, clean air G, is introduced into the housing 50 through the filter means 56. Clean air G
Flow rate is, for example, the size of the housing 50 580 mm x 550
while, for example, 17m 3 / min approximately relative mm Set pressure difference between inside and outside of the housing for example to 50 mm H 2 O of about, 200Rp the rotational speed of the workpiece holding mechanism 52 from 0
First, start up to m, and at a rotation speed of 200 rpm, for example, 6
This is maintained for about 0 seconds, and thereby large water droplets adhering to the wafer W are shaken off. After that, the object holding mechanism 52
The rotation speed is increased to, for example, 1500 rpm and maintained at this rotation speed for about 2 to 3 minutes, whereby the small water droplets adhering to the wafer W are shaken off and the wafer surface is dried. Then, in order to complete the drying of the wafer W by stopping the driving of the motor 138, the rotation is stopped for about 20 seconds, for example.
【0034】このように、ウエハWの回転初期時におけ
る回転数を例えば約200rpmと低めに設定し、この
回転数における比較的大粒径(約5mm)の水滴が上方
へ飛散し得る最大の高さ以上に被液防止手段68とウエ
ハWとの間隔Hを設定しているので、フィルタ手段56
乃至被液防止手段68に水分が付着することがほとんど
ない。また、このフィルタ手段56の下部には、例えば
3枚のパンチング板70A、70B、70C、70D
(図8及び図9参照)よりなる被液防止手段68が設け
られているので、回転するウエハWより飛散する大きな
水滴或いは高速回転時の小さな水滴がこの被液防止手段
68に付着しても、パンチング板相互間の通気孔72が
互い違いに配列されているので水分は内部に侵入でき
ず、従ってフィルタ66の機能が水分により損なわれる
ことを確実に防止することができる。また、最下部のパ
ンチング板70Dの多数の通気孔72は面内に均等に設
けられているので、この通気孔72を流下する清浄気体
Gは偏流することがなく、整流されて層流状態で流下す
る。また、ウエハWの上部を支持する上部支持部材84
は開閉用中心軸110を介して確実に回転軸92側へ固
定されているので、高速回転時にこの上部支持部材84
に大きな負荷が加わっても、ウエハWを確実に保持固定
することが可能となる。In this way, the number of rotations of the wafer W at the initial stage of rotation is set to a low value, for example, about 200 rpm, and at this number of rotations, the maximum height at which water droplets having a relatively large particle size (about 5 mm) can be scattered upward Since the distance H between the liquid receiving means 68 and the wafer W is set more than that, the filter means 56
Therefore, almost no water adheres to the liquid receiving means 68. Further, below the filter means 56, for example, three punching plates 70A, 70B, 70C and 70D are provided.
(See FIGS. 8 and 9) Since the liquid immersion prevention means 68 is provided, even if large water droplets scattered from the rotating wafer W or small water drops during high speed rotation adhere to the liquid immersion prevention means 68. Since the vent holes 72 between the punching plates are arranged in a staggered manner, moisture cannot enter the inside, and thus the function of the filter 66 can be surely prevented from being impaired by moisture. Further, since the multiple vent holes 72 of the lowermost punching plate 70D are evenly provided in the plane, the clean gas G flowing down through the vent holes 72 does not flow unevenly and is rectified in a laminar flow state. Run down. Also, an upper support member 84 that supports the upper portion of the wafer W.
Is securely fixed to the rotary shaft 92 side through the opening / closing center shaft 110, so that the upper support member 84 can be rotated at high speed.
Even if a large load is applied to the wafer W, the wafer W can be reliably held and fixed.
【0035】尚、被液防止手段68としては、複数のパ
ンチング板に限定されず、通気性がありフィルタ66へ
の被水を防止し得る部材であればどのようなものを用い
てもよい。一方、フィルタ手段56を通過して特に清浄
化された気体Gは筺体50内を上方から下方に向けて流
下し、この時被処理体保持機構52に保持されて回転す
るウエハ表面と接触してこれを乾燥し、この気体は更に
流下して筺体50の下部に設けた気体排気口194を通
過し、更に気体排気容器196にて含有水分が除去乃至
トラップされた後に系外へ排出されることになる。The liquid preventing means 68 is not limited to a plurality of punching plates, and any member may be used as long as it is air permeable and can prevent the filter 66 from being exposed to water. On the other hand, the gas G that has passed through the filter means 56 and has been particularly cleaned flows down inside the housing 50 from the upper side to the lower side, and at this time, the gas G is held by the target object holding mechanism 52 and comes into contact with the rotating wafer surface. This is dried, and this gas further flows down and passes through the gas exhaust port 194 provided in the lower part of the housing 50, and further, after the water content is removed or trapped in the gas exhaust container 196, it is discharged to the outside of the system. become.
【0036】この場合、フィルタ手段56の出口側面積
と筺体50の上部の気体導入口54の面積とはほぼ同一
に設定されているので筺体の上部の角部において何ら気
体の滞留部分が発生せず、しかも乱流を生ずることなく
清浄気体は層流状態となってそのまま筺体50内を流下
する。この時、筺体50の断面積は、気体の流れ方向、
すなわち下方向に向かって次第に小さくなされているの
で気体の流速は次第に大きくなる。この時の気体の流速
は、例えば下部の気体排気口194において例えば1m
/sec程度である。従って、図2に示すように筺体5
0の側壁面190に衝突した水滴222が微細化されて
壁面190よりはね返っても、このはね返った水滴は流
速の大きくなった気体によって下方向へ効率良く排出さ
れてしまい、再度ウエハWに付着することはない。In this case, since the area on the outlet side of the filter means 56 and the area of the gas inlet 54 on the upper part of the housing 50 are set to be substantially the same, no gas retention portion is generated at the upper corner of the housing. In addition, the clean gas flows in the housing 50 as it is in a laminar flow state without generating turbulent flow. At this time, the cross-sectional area of the housing 50 is
That is, the flow velocity of the gas gradually increases because the flow velocity of the gas gradually decreases in the downward direction. The flow velocity of the gas at this time is, for example, 1 m at the lower gas exhaust port 194.
/ Sec. Therefore, as shown in FIG.
Even if the water droplet 222 colliding with the side wall surface 190 of 0 is made finer and bounces off the wall surface 190, the bounced water droplet is efficiently discharged downward due to the gas having a high flow velocity, and adheres to the wafer W again. There is no such thing.
【0037】また、傾斜壁面190に付着した水滴も、
上記したように流速の大きくなった気体により壁面19
0に沿って下方向への流下が促進される。このように、
筺体50の断面積を気体の流れ方向に沿って順次縮小す
るようにしたので、気体の流速が次第に早くなり、ウエ
ハWから飛散した細かな水滴及び壁面190よりはね返
った細かな水滴などの筺体50内に存在する水滴をすみ
やかに且つ迅速に排出することができる。特に、本実施
例においては清浄気体Gの流れ方向を従来装置のような
横方向ではなく下方向に向けているので、水滴は重力に
抗することなく効率的に排出され、その排出を促進する
ことができる。Also, water droplets attached to the inclined wall surface 190
As described above, the wall surface 19 is formed by the gas having a large flow velocity.
Downward flow is promoted along 0. in this way,
Since the cross-sectional area of the housing 50 is gradually reduced along the gas flow direction, the flow velocity of the gas is gradually increased, and the housing 50 such as fine water droplets scattered from the wafer W and fine water droplets bounced off the wall surface 190. The water droplets present therein can be promptly and quickly discharged. In particular, in the present embodiment, since the flow direction of the clean gas G is directed downward rather than the lateral direction as in the conventional device, the water droplets are efficiently discharged without resisting gravity and promote the discharge. be able to.
【0038】また、本実施例においては、筺体50内に
例えば従来装置において設けられたような突起物、例え
ばエアーシリンダが形成されていない。すなわち前述の
ようにウエハWを保持する上部支持部材84の開閉は中
空回転軸92内に同軸支持された開閉用中心軸110
(図5参照)の回転により行われるので筺体内の突起物
がなくなり、そのために筺体50内を流下する気体に乱
流が生ずることが少なく、水滴の排出を一層促進させる
ことが可能となる。そして、気体排気口194から排出
されて流下した水分の含有された気体は図11中の矢印
Dに示すように気体排気容器196の底部198に衝突
した後に水平方向に流れが変わり、流路調整板204の
下方の流路206を通過した後に部屋208の壁面に衝
突して更に真横に流れ方向が変えられ、その後、排気穴
212から系外へ排出される。従って、気体の流れ方向
が変えられる時に気体中に含まれる水分が効率的に除去
されることから上記気体排気容器196は水分の2段ト
ラップ構造になされており、気体中に含まれる水分を効
率的に除去することが可能となる。Further, in this embodiment, no protrusions such as those provided in the conventional apparatus, such as an air cylinder, are formed in the housing 50. That is, as described above, the upper support member 84 holding the wafer W is opened and closed by the opening / closing center shaft 110 coaxially supported in the hollow rotation shaft 92.
Since it is performed by the rotation (see FIG. 5), the protrusions in the housing are eliminated, so that turbulent flow does not occur in the gas flowing down in the housing 50, and the discharge of water droplets can be further promoted. The moisture-containing gas discharged from the gas exhaust port 194 and flowing down collides with the bottom portion 198 of the gas exhaust container 196 as shown by an arrow D in FIG. After passing through the flow path 206 below the plate 204, it collides with the wall surface of the chamber 208, the flow direction is further changed to the side, and then the gas is discharged from the exhaust hole 212 to the outside of the system. Therefore, since the water contained in the gas is efficiently removed when the flow direction of the gas is changed, the gas exhaust container 196 has a two-stage trap structure for the water, and the water contained in the gas is efficiently removed. Can be removed selectively.
【0039】また、気体排気容器196内の流量調整板
206を適宜上下動させて流路206の断面積を変える
ことにより、排出される気体流量を調整することができ
る。一方、前述のように被処理体保持機構52を回転し
つつ乾燥操作を行っている間にはこの両端を支持する軸
受け近傍には清浄気体としての窒素ガスが供給されてい
る。具体的には、図10に示すように、まず、回転軸9
2を支持する軸受60、60間には磁性流体シール部材
176が設けられており、筺体50内側をシールすると
共に2つの軸受のうち筺体50よりも遠く離れたところ
に位置する軸受60にて発生する発塵が磁性流体の作用
によって筺体50内に侵入することを確実に防止するこ
とが可能となる。The flow rate of the discharged gas can be adjusted by vertically moving the flow rate adjusting plate 206 in the gas exhaust container 196 to change the cross-sectional area of the flow path 206. On the other hand, as described above, while performing the drying operation while rotating the workpiece holding mechanism 52, nitrogen gas as a clean gas is supplied in the vicinity of the bearings supporting both ends thereof. Specifically, as shown in FIG. 10, first, the rotating shaft 9
A magnetic fluid seal member 176 is provided between the bearings 60, 60 for supporting the two, and seals the inside of the housing 50 and occurs in the bearing 60 located farther from the housing 50 among the two bearings. It is possible to reliably prevent the generated dust from entering the housing 50 due to the action of the magnetic fluid.
【0040】また、磁性流体シール部材176及び筺体
側の軸受60よりも筺体側にはラビリンスシール178
を設け、ここに形成されるラビリンス空間180にはガ
ス供給通路182を介して例えば窒素ガスが供給されて
パージがかけられているので、この窒素ガスは図中左右
に分離して軸受60方向と筺体50方向に流れ、一部の
ガスはガス排出通路184を介して筺体50の下部に排
気される。軸受60方向に向かう一部のパージガスは軸
受60にて発生する発塵及び磁性流体シール部材176
のゴミが筺体50内へ侵入することを防止し、また、筐
体50内へ向かうパージガスは、筺体50側から水分が
磁性流体シール部材176へ侵入することを防止でき、
従って、水分に弱い磁性流体シール部材176の機能を
損なうことがない。特に、軸受60側の被水を防止する
ためには、回転軸92の外周とこれを貫通する筺体50
との間の隙間224をできるだけ小さく設定するのが好
ましい。Further, a labyrinth seal 178 is provided closer to the housing than the magnetic fluid seal member 176 and the housing-side bearing 60.
Since the labyrinth space 180 formed here is supplied with, for example, nitrogen gas through the gas supply passage 182 to be purged, this nitrogen gas is separated into the left and right in the drawing and the direction toward the bearing 60. The gas flows in the direction of the housing 50, and a part of the gas is exhausted to the lower part of the housing 50 through the gas exhaust passage 184. Part of the purge gas toward the bearing 60 is dust generated in the bearing 60 and the magnetic fluid seal member 176.
Of the dust can be prevented from entering the housing 50, and the purge gas flowing into the housing 50 can prevent moisture from entering the magnetic fluid seal member 176 from the housing 50 side.
Therefore, the function of the magnetic fluid seal member 176, which is weak against moisture, is not impaired. In particular, in order to prevent the bearing 60 side from getting wet, the outer circumference of the rotary shaft 92 and the housing 50 that penetrates the outer circumference of the rotary shaft 92.
It is preferable to set the gap 224 between and as small as possible.
【0041】また、図5に示すように被処理体保持機構
52の開閉アーム86及び連結アームを回転可能に支持
する各ベアリング104、114、116等には高速回
転時に大きな荷重がかかり、しかもウエハWから飛散し
た水分により被水するが、これらの各ベアリングはステ
ンレスではなく耐摩耗性及び被水に対して強いセラミッ
クスにより構成されているので、発塵が少なく、しかも
サビも発生せず、保持機構52を安定的に高速回転させ
ることが可能となる。このように、本実施例によれば水
のごとき処理液の付着した被処理体としての半導体ウエ
ハWを、短時間で迅速に且つウエハ表面にパーティクル
等を付着させることなく乾燥させることができる。Further, as shown in FIG. 5, a large load is applied to each of the bearings 104, 114 and 116, which rotatably supports the opening / closing arm 86 and the connecting arm of the object holding mechanism 52, at the time of high speed rotation, and the wafer Although it is exposed to water splashed from W, these bearings are not made of stainless steel but are made of ceramics that are wear resistant and resistant to water, so there is little dust generation and no rusting occurs. The mechanism 52 can be stably rotated at a high speed. As described above, according to this embodiment, the semiconductor wafer W as the object to which the processing liquid such as water is attached can be dried quickly in a short time and without attaching particles or the like to the wafer surface.
【0042】また、ウエハWの乾燥時に蓋体50に設け
たイオナイザ76を駆動することによりウエハWの帯電
は防止され、ウエハ表面へのパーティクルの付着を一層
確実に阻止することが可能となる。尚、上記実施例にあ
っては、開閉用中心軸110と中央の回転軸92との係
合離脱を行うためのクラッチ機構134(図6参照)
は、補助アーム170や係合アーム166を用いて比較
的大がかりとなっているが、これを図12及び図13に
示すような電磁クラッチ等を用いて比較的簡単な構成と
してもよい。Further, when the wafer W is dried, the ionizer 76 provided on the lid 50 is driven to prevent the wafer W from being charged, and it is possible to more reliably prevent particles from adhering to the wafer surface. In the above embodiment, the clutch mechanism 134 (see FIG. 6) for engaging and disengaging the opening / closing central shaft 110 and the central rotating shaft 92.
Is relatively large using the auxiliary arm 170 and the engaging arm 166, but this may be relatively simple using an electromagnetic clutch or the like as shown in FIGS. 12 and 13.
【0043】すなわち、図6にも示す先の実施例におい
ては係合ピン154を有する円板状のクラッチアーム1
52は、シャフト164に対してベアリング162を介
して回転自在に設けたが、この実施例においては開閉用
の中心軸110の端部を更に延長させてこれをクラッチ
アーム152の中心孔300に遊嵌状態で接触しないよ
うに挿通させる。そして、このクラッチアーム152の
外周には、リング状のベアリング302を介して例えば
ステンレス製のリング状の補助リング304が回転可能
に設けられており、内側のクラッチアーム152に対し
て自由に回転し得るように構成されている。That is, in the previous embodiment shown in FIG. 6, the disc-shaped clutch arm 1 having the engaging pin 154 is provided.
52 is rotatably provided on the shaft 164 via a bearing 162, but in this embodiment, the end of the central shaft 110 for opening and closing is further extended to allow it to play in the central hole 300 of the clutch arm 152. Insert it so that it does not touch when it is fitted. A ring-shaped auxiliary ring 304 made of, for example, stainless steel is rotatably provided on the outer periphery of the clutch arm 152 via a ring-shaped bearing 302, and is freely rotatable with respect to the inner clutch arm 152. Is configured to get.
【0044】そして、この補助リング304の側面に
は、移動手段としてのクラッチ水平シリンダ142のア
ーム先端が図中水平方向から取り付け固定されており、
補助リング304とこれに回転自在に連結されるクラッ
チアーム152を中心軸110の軸長さ方向へ移動し得
るように構成されている。従って、この水平シリンダ1
42を伸縮駆動することによりクラッチアーム152に
設けてある係合ピン154が左右に移動し、開閉用の中
心軸110のクラッチ板144と中空の回転軸92の係
合板146との係合離脱を行い得ることになる。On the side surface of the auxiliary ring 304, the arm tip of a clutch horizontal cylinder 142 as a moving means is attached and fixed in the horizontal direction in the drawing,
The auxiliary ring 304 and the clutch arm 152 rotatably connected to the auxiliary ring 304 can be moved in the axial direction of the central shaft 110. Therefore, this horizontal cylinder 1
By driving 42 to extend and contract, the engaging pin 154 provided on the clutch arm 152 moves left and right, and the clutch plate 144 of the central shaft 110 for opening and closing and the engaging plate 146 of the hollow rotary shaft 92 are disengaged. You can do it.
【0045】一方、延長された上記開閉用の中心軸11
0の先端部には、開閉用の中心軸110の所定角度、例
えば90°回転を行うための駆動シリンダ176との連
結・切り離しを行う電磁クラッチ306が設けられてい
る。具体的には、この電磁クラッチ306は、内部に電
磁石308を備えて開閉用の中心軸110へ一体的に固
定された電磁石板310と、この電磁石板310と並設
されてベアリング312を介して中心軸110に回転可
能に支持された被吸着板314とにより構成されてお
り、この電磁石308をオン・オフすることにより電磁
石板310と被吸着板314との連結・切り離しを自由
に行い得るように構成されている。そして、上記被吸着
板314からは係合アーム166が延びており、この係
合アーム166の先端には、図中上下方向へ伸縮する駆
動源としての駆動シリンダ176のアーム316の先端
がピン318等により回動可能に設けられている。On the other hand, the extended central shaft 11 for opening and closing.
An electromagnetic clutch 306 for connecting / disconnecting with the drive cylinder 176 for rotating the opening / closing center shaft 110 by a predetermined angle, for example, 90 ° is provided at the tip of 0. Specifically, the electromagnetic clutch 306 has an electromagnet 308 inside and is integrally fixed to the opening / closing center shaft 110, and an electromagnet plate 310 is provided in parallel with the electromagnet plate 310 via a bearing 312. The attraction plate 314 is rotatably supported by the central shaft 110. By turning on and off the electromagnet 308, the electromagnet plate 310 and the attraction plate 314 can be freely connected / disconnected. Is configured. An engaging arm 166 extends from the attracted plate 314, and a tip of the engaging arm 166 has a pin 318 at which the tip of the arm 316 of a drive cylinder 176 as a drive source that expands and contracts in the vertical direction in the drawing. It is rotatably provided.
【0046】このような構成によれば、被処理体保持機
構52(図1参照)に収容してあるウエハWを、この下
部及び上部支持部材82、84を回動させて保持する場
合、或いは保持していたウエハWを開放する場合には、
まず、クラッチ水平シリンダ142を駆動させてアーム
を図中右方向へ伸ばすことによりクラッチアーム152
を右方向へ移動して係合ピン154を係合板146の係
合孔158から離脱させ、これにより係合板146とク
ラッチ板144との連結を断つ。従って、この状態では
中空の回転軸92は開閉用の中心軸110に対して回転
フリーの状態となっている。According to this structure, when the wafer W housed in the object holding mechanism 52 (see FIG. 1) is held by rotating the lower and upper support members 82 and 84, or When releasing the held wafer W,
First, the clutch horizontal cylinder 142 is driven to extend the arm in the right direction in the drawing, whereby the clutch arm 152
Is moved to the right to disengage the engagement pin 154 from the engagement hole 158 of the engagement plate 146, thereby disconnecting the engagement plate 146 from the clutch plate 144. Therefore, in this state, the hollow rotary shaft 92 is free from rotation with respect to the central shaft 110 for opening and closing.
【0047】次に、開閉用の中心軸110の端部に設け
た電磁クラッチ306の電磁石308に通電してこれを
駆動し、この電磁石板310と被吸着板314とを電磁
気力で結合する。この状態で駆動シリンダ176のアー
ム316を伸長或いは縮退させることによりその駆動力
は電磁クラッチ306を介して開閉用の中心軸110へ
伝達されて、これを所望の方向へ例えば約90°回転さ
せて開閉アーム86を開閉することになる。これにより
ウエハWは保持されたり或いは開放されたりする。一
方、ウエハWを保持した状態で、これを乾燥させるため
に高速回転する場合には、まず、前述のように駆動シリ
ンダ176を操作してウエハWを保持し、この状態で電
磁クラッチ306の電磁石308への通電を断って電磁
石板310と被吸着板314との切り離しを行うと共に
クラッチ水平シリンダ142のアームを図中左方向へ縮
退させてクラッチアーム152を図中左方向へ移動させ
る。これによりクラッチアーム152に設けてある係合
ピン154は係合板146の係合孔158へ挿入され、
この係合板146とクラッチ板144との結合が行われ
る。Next, the electromagnet 308 of the electromagnetic clutch 306 provided at the end of the opening / closing center shaft 110 is energized to drive it, and the electromagnet plate 310 and the attracted plate 314 are coupled by electromagnetic force. By extending or retracting the arm 316 of the drive cylinder 176 in this state, the drive force is transmitted to the opening / closing center shaft 110 via the electromagnetic clutch 306, and is rotated in a desired direction by, for example, about 90 °. The opening / closing arm 86 is opened and closed. As a result, the wafer W is held or released. On the other hand, when the wafer W is held and is rotated at a high speed to dry the wafer W, first, the drive cylinder 176 is operated to hold the wafer W, and the electromagnet of the electromagnetic clutch 306 is held in this state. The energization to 308 is cut off to disconnect the electromagnet plate 310 and the attracted plate 314, and the arm of the clutch horizontal cylinder 142 is retracted leftward in the drawing to move the clutch arm 152 leftward in the drawing. As a result, the engagement pin 154 provided on the clutch arm 152 is inserted into the engagement hole 158 of the engagement plate 146,
The engagement plate 146 and the clutch plate 144 are connected.
【0048】そして、この状態で中空の回転軸92を回
転駆動することにより、開閉用の中心軸110はロック
された状態で一体的に回転することになる。この時、円
板状のクラッチアーム152は同様に回転することにな
るが、この回転は、これと補助リング304との間に設
けたベアリング302の作用により許容されることにな
る。また、電磁クラッチ306の電磁石板310も同様
に回転することになるが、開閉用の中心軸110の回転
は、これと被吸着板314との間に設けたベアリング3
12の作用により許容されることになる。この構成によ
れば、図6に示す構造に対して比較的簡単な構造を採る
ことができ、部品点数が少なくて済む。By rotating the hollow rotating shaft 92 in this state, the central shaft 110 for opening and closing rotates integrally in the locked state. At this time, the disk-shaped clutch arm 152 also rotates, but this rotation is allowed by the action of the bearing 302 provided between this and the auxiliary ring 304. Further, the electromagnet plate 310 of the electromagnetic clutch 306 also rotates in the same manner, but the rotation of the central shaft 110 for opening and closing causes the rotation of the bearing 3 provided between this and the attracted plate 314.
It is allowed by the action of 12. With this structure, a relatively simple structure can be adopted as compared with the structure shown in FIG. 6, and the number of parts can be reduced.
【0049】この実施例にあっては、クラッチ水平シリ
ンダ142を2個設けた場合について記載されている
が、この数に限定されるものではない。尚、上記実施例
にあっては回転処理装置をウエハ乾燥装置に適用した場
合について説明したが、これに限定されず、例えば被処
理体としてLCD基板、プリント基板を乾燥させる場合
にも適用することができる。更には、本発明は、他の回
転処理装置、例えばレジスト塗布装置、現像液塗布装置
等にも適用し得るのは勿論である。In this embodiment, the case where two clutch horizontal cylinders 142 are provided has been described, but the number is not limited to this. In the above embodiment, the case where the rotation processing device is applied to the wafer drying device has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is also applicable to a case where an LCD substrate or a printed circuit board is dried as an object to be processed. You can Furthermore, it is needless to say that the present invention can be applied to other rotation processing devices such as a resist coating device and a developer coating device.
【0050】[0050]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の回転処理
装置によれば次のような優れた作用効果を発揮すること
ができる。被処理体を保持する上部支持部材の駆動系を
中空の回転軸内に収容するようにしたので、筐体内の突
起物がなくなり、清浄気体の流れに乱流や滞留が発生す
ることを阻止することができ、清浄気体及びパーティク
ルを円滑に且つ効率的に排出することが可能となる。ま
た、被処理体を上部支持部材と下部支持部材との間に確
実に保持することができる。更に、開閉用の中心軸をこ
の駆動源に接続するために電磁クラッチを用いることに
より、装置全体を小型化することができる。As described above, according to the rotation processing device of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. Since the drive system of the upper support member that holds the object to be processed is housed in the hollow rotating shaft, the protrusions in the housing are eliminated, and turbulent flow and retention in the clean gas flow are prevented. Therefore, the clean gas and particles can be discharged smoothly and efficiently. Further, the object to be processed can be reliably held between the upper support member and the lower support member. Further, by using the electromagnetic clutch to connect the central shaft for opening and closing to this drive source, the entire apparatus can be downsized.
【図1】本発明に係る回転処理装置の一実施例を示す概
略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a rotation processing device according to the present invention.
【図2】図1に示す装置の側面を示す概略側断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic side sectional view showing a side surface of the apparatus shown in FIG.
【図3】本発明に係る回転処理装置を組み込んだ化学処
理機構を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a chemical processing mechanism incorporating a rotation processing device according to the present invention.
【図4】回転処理装置内に設けられる被処理体保持機構
を示す拡大側面図である。FIG. 4 is an enlarged side view showing a target object holding mechanism provided in the rotation processing device.
【図5】図4に示す被処理体保持機構を示す要部拡大図
である。5 is an enlarged view of a main part of the target object holding mechanism shown in FIG.
【図6】回転処理装置に設けたクラッチ機構を示す拡大
断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a clutch mechanism provided in the rotation processing device.
【図7】図6に示すクラッチ機構の拡大側面図である。7 is an enlarged side view of the clutch mechanism shown in FIG.
【図8】回転処理装置に設けるフィルタ手段の組み付け
状態を説明するための説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining an assembled state of filter means provided in the rotation processing device.
【図9】図8に示すフィルタ手段の断面図である。9 is a cross-sectional view of the filter means shown in FIG.
【図10】回転処理装置の軸受機構を示す拡大断面図で
ある。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a bearing mechanism of the rotation processing device.
【図11】回転処理装置に設けた気体排気容器を示す一
部破断斜視図である。FIG. 11 is a partially cutaway perspective view showing a gas exhaust container provided in the rotation processing device.
【図12】本発明装置に用いるクラッチ機構の変形例を
示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modified example of the clutch mechanism used in the device of the present invention.
【図13】図12に示すクラッチ機構の側面を示す概略
図である。13 is a schematic view showing a side surface of the clutch mechanism shown in FIG.
【図14】従来の回転処理装置の一例を示す断面図であ
る。FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of a conventional rotation processing device.
【図15】図14に示す装置の側断面図である。FIG. 15 is a side sectional view of the device shown in FIG.
44 ウエハ乾燥装置(回転処理装置) 50 筺体 52 被処理体保持機構 54 気体導入口 56 フィルタ手段 60 軸受 62 磁性流体シール部材 66 フィルタ 68 被液防止手段 70A、70B、70C、70D パンチング板 82 下部支持部材 84 上部支持部材 86 開閉アーム 92 回転軸 110 開閉用中心軸 132、134 クラッチ機構 142 クラッチ水平シリンダ(移動手段) 176 駆動シリンダ(駆動源) 180 ラビリンス空間(狭い空間部) 196 気体排気容器 304 補助リング 306 電磁クラッチ 308 電磁石 310 電磁石板 314 被吸着板 W 半導体ウエハ(被処理体) G 清浄空気(清浄気体) 44 Wafer Drying Device (Rotation Processing Device) 50 Housing 52 Object-Holding Mechanism 54 Gas Inlet 56 Filter Means 60 Bearing 62 Magnetic Fluid Sealing Member 66 Filter 68 Liquid Preventing Means 70A, 70B, 70C, 70D Punching Plate 82 Lower Support Member 84 Upper support member 86 Opening / closing arm 92 Rotating shaft 110 Opening / closing center shafts 132, 134 Clutch mechanism 142 Clutch horizontal cylinder (moving means) 176 Driving cylinder (driving source) 180 Labyrinth space (narrow space portion) 196 Gas exhaust container 304 Auxiliary Ring 306 Electromagnetic clutch 308 Electromagnet 310 Electromagnet plate 314 Adsorbed plate W Semiconductor wafer (object to be processed) G Clean air (clean gas)
Claims (4)
を筺体内で回転させつつ前記被処理体を処理する回転処
理装置において、前記被処理体保持機構は、前記被処理
体の下部を支持する下部支持部材と、前記被処理体の上
部を支持する上部支持部材と、前記上部支持部材を開閉
する開閉アームとを有し、前記被処理体保持機構は、こ
れを回転可能とする中空の回転軸に連結されると共に前
記開閉アームはこれを駆動すべく前記中空の回転軸に挿
通された開閉用中心軸に連結されることを特徴とする回
転処理装置。1. A rotation processing apparatus for processing an object to be processed while rotating an object to be processed holding mechanism holding an object to be processed in a housing, wherein the object to be processed holding mechanism is a lower part of the object to be processed. And a lower support member that supports the upper part of the object to be processed, and an opening / closing arm that opens and closes the upper part support member, and the object holding mechanism allows the object to be rotated. The rotation processing device is characterized in that it is connected to a hollow rotating shaft, and the opening / closing arm is connected to an opening / closing center shaft inserted through the hollow rotating shaft to drive the opening / closing arm.
は、前記両軸の連結及び切り離しを行うためのクラッチ
機構が設けられていることを特徴とする請求項1記載の
回転処理装置。2. The rotating process according to claim 1, wherein a clutch mechanism for connecting and disconnecting the rotating shaft and the opening / closing center shaft is provided at ends of the rotating shaft and the opening / closing center shaft. apparatus.
に設けられる係合板と、前記開閉用の中心軸に設けられ
るクラッチ円板と、軸方向に移動して前記係合板と前記
クラッチ円板との係合離脱を行う係合ピンと、前記係合
ピンを軸方向へ移動させる移動手段とにより構成される
ことを特徴する請求項2記載の回転処理装置。3. The clutch mechanism includes an engagement plate provided on the hollow rotary shaft, a clutch disc provided on the central shaft for opening and closing, and the engagement plate and the clutch disc that move axially. The rotation processing device according to claim 2, wherein the rotation processing device is configured by an engagement pin that engages and disengages with and a moving unit that moves the engagement pin in the axial direction.
介して駆動源に接続されることを特徴とする請求項1乃
至3記載の回転処理装置。4. The rotation processing device according to claim 1, wherein the central shaft for opening and closing is connected to a drive source via an electromagnetic clutch.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27781192A JP2886396B2 (en) | 1992-04-16 | 1992-09-22 | Rotary processing equipment |
US08/046,986 US5339539A (en) | 1992-04-16 | 1993-04-16 | Spindrier |
KR1019930006453A KR0170421B1 (en) | 1992-04-16 | 1993-04-16 | Spindrier |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-122719 | 1992-04-16 | ||
JP12271992 | 1992-04-16 | ||
JP27781192A JP2886396B2 (en) | 1992-04-16 | 1992-09-22 | Rotary processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH05347292A true JPH05347292A (en) | 1993-12-27 |
JP2886396B2 JP2886396B2 (en) | 1999-04-26 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008190469A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Fuji Koki Corp | Drain pump |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27781192A patent/JP2886396B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008190469A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Fuji Koki Corp | Drain pump |
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Publication number | Publication date |
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JP2886396B2 (en) | 1999-04-26 |
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