JP2886396B2 - Rotary processing equipment - Google Patents

Rotary processing equipment

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JP2886396B2
JP2886396B2 JP27781192A JP27781192A JP2886396B2 JP 2886396 B2 JP2886396 B2 JP 2886396B2 JP 27781192 A JP27781192 A JP 27781192A JP 27781192 A JP27781192 A JP 27781192A JP 2886396 B2 JP2886396 B2 JP 2886396B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、回転処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotation processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体ウエハやガラス基板等に
各種の処理を施して半導体製品や液晶表示製品を製造す
る過程においては、半導体ウエハやガラス基板に各種の
薬液を作用させることから例えば薬液処理後にウエハに
残留する薬液を除去するために水洗が行われ、その後、
ウエハ等に付着する水分を除去して乾燥することが行わ
れている。この場合、迅速な乾燥を行って生産効率を高
めることができることから、ウエハ等を回転させて遠心
力により水滴を飛散させるようになした、例えば特開平
1−255227号公報に示されるような回転式の乾燥
処理装置が用いられている。
2. Description of the Related Art Generally, in the process of manufacturing semiconductor products and liquid crystal display products by applying various processes to a semiconductor wafer or a glass substrate, various chemicals act on the semiconductor wafer or the glass substrate. Water washing is performed later to remove the chemical solution remaining on the wafer, and thereafter,
2. Description of the Related Art Drying is performed by removing moisture adhering to a wafer or the like. In this case, since the production efficiency can be improved by performing quick drying, the wafer or the like is rotated so that water droplets are scattered by centrifugal force. For example, a rotation as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-255227 is disclosed. A drying apparatus of the type is used.

【0003】この乾燥処理装置は、図14及び図15に
示すように断面矩形の箱状のハウジング2内に両端が回
転軸3を介して軸受4により回転自在に支持されたロー
タ6を有しており、このロータ6内に複数の基板保持棒
8により保持させた複数の被処理体としてのウエハWが
等ピッチで設けられている。上記基板保持棒8の内で上
側の保持棒8は、ハウジング2の側壁に内部へ突出させ
て設けたエアーシリンダ10によりアーム12を介して
揺動可能になされており、上記上側の保持棒8を揺動さ
せることによりウエハWの保持及び解除を行うようにな
っている。
As shown in FIGS. 14 and 15, this drying apparatus has a rotor 6 rotatably supported by a bearing 4 via a rotary shaft 3 in a box-shaped housing 2 having a rectangular cross section. In the rotor 6, a plurality of wafers W as processing objects held by a plurality of substrate holding rods 8 are provided at equal pitches. The upper holding rod 8 of the substrate holding rod 8 is swingable via an arm 12 by an air cylinder 10 provided on the side wall of the housing 2 so as to protrude inside. The wafer W is held and released by swinging.

【0004】また、ハウジング2内の上方の角部には清
浄な気体を内部へ導入するためのフィルタ付きの吸気口
14が設けられると共に、この吸気口14が設けられる
壁面の反対側の壁面にはハウジング2内の気体を排出す
るための排気口16が設けられている。そして、このよ
うに構成された乾燥処理装置のモータ18を駆動してロ
ータ6を回転させた状態で上記吸気口14からハウジン
グ2内に清浄気体を流通させることにより、ウエハWに
付着している水分は回転による遠心力により飛散される
と共にウエハ表面に残存する水分は流通する清浄気体に
より蒸発除去される。
A suction port 14 with a filter for introducing a clean gas into the inside is provided at an upper corner in the housing 2, and a wall opposite to the wall on which the suction port 14 is provided is provided. Is provided with an exhaust port 16 for discharging gas from the housing 2. Then, the cleaning gas is adhered to the wafer W by flowing the clean gas from the intake port 14 into the housing 2 in a state where the motor 6 of the drying processing apparatus thus configured is driven to rotate the rotor 6. The water is scattered by the centrifugal force due to the rotation, and the water remaining on the wafer surface is evaporated and removed by the flowing clean gas.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理体で
ある半導体ウエハ等の処理工程においては、その歩留ま
り低下の原因となるパーティクル等をできるだけその処
理空間から排除する必要があるため、乾燥処理中におい
てはフィルタ付きの吸気口14からハウジング2内へ清
浄空気などの清浄気体を常に導入し、また、内部空気を
排気口16から外部へ排出している。しかしながら、前
述した従来装置にあっては、ハウジング内に清浄気体を
常に導入しているとは言え、ウエハWの上部を保持する
上側の保持棒8を駆動するエアーシリンダ10がハウジ
ング2内に突出させて設けられていることからこの部分
に気体の滞留が生じたり或いはこの突出部分に起因して
清浄気体に乱流が生じ、ハウジング内のパーティクルを
効率良く排出できないという改善点があった。
In the process of processing a semiconductor wafer or the like as an object to be processed, it is necessary to remove as much as possible particles and the like that cause a reduction in the yield from the processing space. In this case, a clean gas such as clean air is always introduced into the housing 2 from the intake port 14 with a filter, and the internal air is discharged from the exhaust port 16 to the outside. However, in the above-described conventional apparatus, although the clean gas is always introduced into the housing, the air cylinder 10 that drives the upper holding rod 8 that holds the upper part of the wafer W projects into the housing 2. Because of this arrangement, there is an improvement in that gas remains in this portion or turbulence occurs in the clean gas due to this protruding portion, and particles in the housing cannot be efficiently discharged.

【0006】また、高速回転するウエハWを支持固定す
る上記上側の基板保持棒8は、単にバネ等の弾発部材の
弾発力により保持されているだけなので高速回転時の大
きな負荷に対して上記弾発部材ではウエハを支持固定し
きれない場合が発生するという改善点があった。特に、
半導体ウエハの製造工程において、ウエハ径の大型化及
び微細化傾向の進んでいる今日において、上記した問題
点の解決が強く望まれている。本発明は、以上のような
問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたも
のである。本発明の目的は、被処理体を強固に保持する
と共に清浄気体の流れの乱れを抑制することができる回
転処理装置を提供することにある。
The upper substrate holding rod 8 for supporting and fixing the wafer W rotating at high speed is merely held by the elastic force of an elastic member such as a spring. There has been an improvement in that the above-described resilient member sometimes fails to support and fix the wafer. In particular,
In today's semiconductor wafer manufacturing process, where the diameter of the wafer is becoming larger and smaller, the solution of the above-mentioned problems is strongly desired. The present invention has been devised in view of the above problems and effectively solving them. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a rotary processing apparatus capable of holding a processing target firmly and suppressing a disturbance of a flow of a clean gas.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体が保持された被処理体保持機
構を筺体内で回転させつつ前記被処理体を処理する回転
処理装置において、前記被処理体保持機構は、前記被処
理体の下部を支持する下部支持部材と、前記被処理体の
上部を支持する上部支持部材と、前記上部支持部材を開
閉する開閉アームとを有し、前記被処理体保持機構は、
これを回転可能とする中空の回転軸に連結されると共に
前記開閉アームはこれを駆動すべく前記中空の回転軸に
挿通された開閉用中心軸に連結させるようにしたもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a rotating process for processing an object to be processed while rotating an object-holding mechanism holding an object to be processed within a housing. In the apparatus, the target object holding mechanism includes a lower support member that supports a lower part of the target object, an upper support member that supports an upper part of the target object, and an opening / closing arm that opens and closes the upper support member. The workpiece holding mechanism has
The opening / closing arm is connected to a hollow center shaft for opening / closing inserted into the hollow rotating shaft to drive the arm.

【0008】[0008]

【作用】本発明は、以上のように構成したので、被処理
体保持機構の下部支持部材は被処理体の下部を支持し、
上部支持部材は被処理体の上部を支持する。この上部支
持部材の開閉は開閉アームを介して連結された開閉用中
心軸を所定の角度だけ正逆回転させることにより行われ
る。この開閉用中心軸は、上記被処理体保持機構を支持
する中空の回転軸内に収容されており、回転処理時に筐
体内を流れる清浄気体の流れの乱れや滞留を生ぜしめる
ことがない。
According to the present invention, as described above, the lower support member of the processing object holding mechanism supports the lower part of the processing object,
The upper support member supports the upper part of the object to be processed. The opening and closing of the upper support member is performed by rotating the opening / closing center shaft connected via the opening / closing arm forward and backward by a predetermined angle. The opening / closing center shaft is accommodated in a hollow rotary shaft that supports the workpiece holding mechanism, and does not cause turbulence or stagnation of the flow of the clean gas flowing in the housing during the rotation process.

【0009】[0009]

【実施例】以下に、本発明に係る回転処理装置の一実施
例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る
回転処理装置の一実施例を示す正側図、図2は図1に示
す装置の側面図、図3は本発明に係る回転処理装置を組
み込んだ化学処理機構を示す斜視図である。本実施例に
おいては、本発明に係る回転処理装置を被処理体として
の半導体ウエハを乾燥させるウエハ乾燥装置に適用した
場合について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the rotation processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a front view showing an embodiment of the rotary processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a side view of the apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows a chemical processing mechanism incorporating the rotary processing apparatus according to the present invention. It is a perspective view. In the present embodiment, a case will be described in which the rotary processing apparatus according to the present invention is applied to a wafer drying apparatus for drying a semiconductor wafer as an object to be processed.

【0010】図3に示すようにこの化学処理機構は、処
理前の被処理体としての半導体ウエハを複数枚収容した
カセット20を外部より受け入れる入力バッファ部22
と、ウエハに各種の薬液処理及びこの洗浄処理を実際に
施すための処理本体部24と、処理済みのウエハをカセ
ット20内に収容して後段の処理のために受け渡しを待
つ出力バッファ部26とにより主に構成されている。上
記入力バッファ部22は、外部からのカセット20を受
け入れてこれをカセット貯蔵部28へ移載するカセット
搬送アーム30と、この貯蔵部28から上記アーム30
により搬送されたカセット20を処理本体部24に向け
て載置する回転可能なローダ部32とにより主に構成さ
れている。
As shown in FIG. 3, the chemical processing mechanism includes an input buffer unit 22 for receiving a cassette 20 containing a plurality of semiconductor wafers as objects to be processed before processing from the outside.
A processing main unit 24 for actually performing various chemical processing and cleaning processing on the wafer, and an output buffer unit 26 for accommodating the processed wafer in the cassette 20 and awaiting delivery for subsequent processing. It is mainly composed of The input buffer unit 22 receives a cassette 20 from the outside and transfers the cassette 20 to the cassette storage unit 28.
And a rotatable loader unit 32 for mounting the cassette 20 conveyed by the RP-A to the processing main unit 24.

【0011】上記処理本体部24は、その長手方向に沿
って搬送路34が形成されると共にこの搬送路34には
ウエハ搬送アーム36が移動可能に設けられており、処
理前或いは処理後のウエハを搬送し得るように構成され
ている。そして、この処理本体部24には、上記ウエハ
搬送アーム36のチャックを洗浄するチヤック洗浄乾燥
装置38、ウエハに各種の薬液処理を施すための薬液処
理装置40、薬液処理後のウエハを洗浄するための洗浄
装置42、処理後のウエハを最終的に乾燥させる本発明
に係る回転処理装置としてのウエハ乾燥装置44がそれ
ぞれ搬送路34に沿って適当数設けられている。また、
上記搬送路34に並行して空の或いは満杯のカセットを
搬送するカセットライナ46が設けられると共にこの処
理本体部24の端部には前記ローダ部32と同様な構造
の回転可能なアンローダ部48が設けられている。上記
出力バッファ部20は、処理済みのウエハを収容したカ
セットを多段に載置するカセット貯蔵部44と、この貯
蔵部44のカセット14を外部へ受け渡すためのカセッ
ト搬送アーム46とにより主に構成されている。
In the processing main body 24, a transfer path 34 is formed along the longitudinal direction, and a wafer transfer arm 36 is movably provided in the transfer path 34. Is configured to be transported. The processing body 24 includes a chuck cleaning and drying device 38 for cleaning the chuck of the wafer transfer arm 36, a chemical processing device 40 for performing various chemical processing on the wafer, and a cleaning device for cleaning the wafer after the chemical processing. An appropriate number of cleaning devices 42 and a wafer drying device 44 as a rotary processing device according to the present invention for finally drying a processed wafer are provided along the transfer path 34. Also,
A cassette liner 46 for transporting an empty or full cassette is provided in parallel with the transport path 34, and a rotatable unloader 48 having the same structure as the loader 32 is provided at an end of the processing main body 24. Is provided. The output buffer section 20 mainly includes a cassette storage section 44 in which cassettes accommodating processed wafers are loaded in multiple stages, and a cassette transfer arm 46 for transferring the cassette 14 in the storage section 44 to the outside. Have been.

【0012】このように構成された処理本体部24へ組
み込まれた本発明に係るウエハ乾燥装置44は、図1及
び図2に示すように乾燥すべき被処理体を収容する箱状
の例えばステンレスよりなる筺体50と、被処理体とし
ての例えば半導体ウエハWを例えば52枚並列に等ピッ
チで保持して回転させる被処理体保持機構52と、上記
筺体上部に形成された気体導入口54に取り付けられて
筺体内部に供給される清浄気体G、例えば空気を更に清
浄化するための例えばULPAフィルターよりなるフィ
ルタ手段56と、上記被処理体保持機構52に接続され
る回転軸58を回転可能に保持する軸受60と、筐体内
をシールするための磁性流体シール部材62とにより主
に構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a wafer drying apparatus 44 according to the present invention, which is incorporated in the processing main body 24 constructed as described above, has a box-like shape made of, for example, stainless steel for accommodating an object to be dried. A housing 50 formed of a plurality of semiconductor wafers W, for example, 52 wafers to be processed are held in parallel at an equal pitch and rotated, and a gas inlet 54 formed in an upper portion of the housing is attached to the housing 50. The filter means 56 composed of, for example, an ULPA filter for further purifying the clean gas G, which is supplied to the inside of the housing, for example, air, and the rotating shaft 58 connected to the workpiece holding mechanism 52 are rotatably held. And a magnetic fluid sealing member 62 for sealing the inside of the housing.

【0013】上記フィルタ手段56の外枠64は例えば
ステンレス等により矩形状に成形されており、外枠64
内の上段にフィルタ66を収容すると共にこのフィルタ
66の筺体内側にはウエハWから飛散する処理液、例え
ば洗浄後の純水がフィルタ66に付着することを防止す
るための被液防止手段68が設けられている。図8及び
図9に示すようにこの被液防止手段68は、フィルタ6
6の下部に等間隔でもって配設された複数、例えば3枚
のステンレス製のパンチング板70A、70B、70C
よりなり、各パンチング板には多数の通気孔72が形成
されている。そして、最上部のパンチング板70Aはフ
ィルタ66の下面に接して配置され、フィルタ66の重
量を支持するように構成されている。そして、各パンチ
ング板70A、70B、70Cは、その通気孔72が上
下方向において互い違いに位置ズレを生ずるように配置
されており、下方より上方に向けて飛散する水滴が上記
フィルタ66に直接接触しないように構成されている。
The outer frame 64 of the filter means 56 is formed in a rectangular shape by, for example, stainless steel or the like.
A filter 66 is accommodated in the upper part of the inside of the filter 66, and inside the housing of the filter 66, there is provided a liquid-preventing means 68 for preventing a processing liquid scattered from the wafer W, for example, pure water after cleaning from adhering to the filter 66. Is provided. As shown in FIG. 8 and FIG.
6, a plurality of, for example, three stainless steel punching plates 70A, 70B, 70C arranged at equal intervals below the
A large number of ventilation holes 72 are formed in each punching plate. The uppermost punching plate 70A is arranged in contact with the lower surface of the filter 66 and is configured to support the weight of the filter 66. Each of the punching plates 70A, 70B, and 70C is arranged such that the ventilation holes 72 are staggered in the vertical direction, so that water droplets scattered upward from below do not directly contact the filter 66. It is configured as follows.

【0014】また、最下部のパンチング板70Dの通気
孔72は全面に均等に形成されており、これより流下す
る清浄空気に整流作用を施すように構成されている。
尚、パンチング板の数は3枚に限定されず、必要に応じ
て増加してもよい。また、このフィルタ手段56の外枠
64の下部には所定の高さを有する補助枠74が連設さ
れており、筺体50内に収容されたウエハWの中心部と
最下部のパンチング板70Dとの間に所定の間隔Hを設
けるようになっている。この間隔Hは、例えば乾燥時に
おける所定の回転数のウエハから飛散する所定の粒径、
例えば5mmの水滴が届き得る最大値、例えば本実施例
においては300mmに設定されている。また、上記外
枠64には、内部に臨ませて着脱可能になされたイオナ
イザ76が設けられており、ウエハ乾燥時にプラス及び
マイナスイオンを発生して、ウエハに滞電している電気
を中和して除電し得るように構成されている。
The ventilation holes 72 of the lowermost punching plate 70D are uniformly formed over the entire surface, and are configured to rectify the clean air flowing down therefrom.
Note that the number of punching plates is not limited to three, and may be increased as necessary. An auxiliary frame 74 having a predetermined height is continuously provided below the outer frame 64 of the filter means 56. The auxiliary frame 74 has a predetermined height, and a center portion of the wafer W accommodated in the housing 50 and a lowermost punching plate 70D. A predetermined interval H is provided between them. The interval H is, for example, a predetermined particle size scattered from a wafer having a predetermined rotation speed during drying,
For example, the maximum value to which a 5 mm water droplet can reach, for example, 300 mm in this embodiment is set. Further, the outer frame 64 is provided with an ionizer 76 which is detachable so as to face the inside, and generates positive and negative ions when the wafer is dried, thereby neutralizing electricity stored in the wafer. It is configured so that static electricity can be removed.

【0015】そして、これら外枠64及び補助枠74を
含むフィルタ手段56の全体は、筺体50の気体導入口
54を開閉する蓋体79として構成されており、この補
助枠74に接続された蓋体アーム78を筺体側に取り付
けたヒンジ80を介して図示しないシリンダ等により回
転することにより上記蓋体79を90°以上開閉し得る
ようになっている。上記蓋体79の開状態においては、
蓋体79の重心の位置を考慮し、開閉機構の故障時にこ
の蓋体が倒れないように構成されている。また、気体導
入口54の周囲に沿って、例えばシリコンゴムよりなる
シール部材82が設けられており、上記蓋体79を気密
に筺体側と接触し得るように構成されている。尚、上記
ヒンジ80には、これを駆動するシリンダ(図示せず)
が設けられている。図4は上記被処理体保持機構を示す
側面図、図5は被処理体保持機構の要部を示す要部拡大
図である。本発明の特長とする上記被処理体保持機構5
2は、上記ウエハWの下部を支持するための下部支持部
材82と、上記ウエハWの上部を支持するための上部支
持部材84と、この上部支持部材84を開閉するための
開閉アーム86とにより主に構成されている。
The entire filter means 56 including the outer frame 64 and the auxiliary frame 74 is configured as a lid 79 for opening and closing the gas inlet 54 of the housing 50. The cover 79 can be opened and closed by 90 ° or more by rotating the body arm 78 by a cylinder (not shown) or the like via a hinge 80 attached to the housing side. In the open state of the lid 79,
Considering the position of the center of gravity of the lid 79, the lid is configured not to fall down when the opening / closing mechanism fails. A seal member 82 made of, for example, silicone rubber is provided along the periphery of the gas inlet 54, and is configured so that the lid 79 can be brought into airtight contact with the housing. The hinge 80 has a cylinder (not shown) for driving it.
Is provided. FIG. 4 is a side view showing the processing target holding mechanism, and FIG. 5 is an enlarged view of a main part showing a main part of the processing target holding mechanism. The object holding mechanism 5 as a feature of the present invention.
2 includes a lower support member 82 for supporting the lower portion of the wafer W, an upper support member 84 for supporting the upper portion of the wafer W, and an opening / closing arm 86 for opening and closing the upper support member 84. It is mainly composed.

【0016】上記下部支持部材82は、ウエハWの配列
方向に沿って延在された例えば3本の棒状部材よりな
り、立設されたウエハWの下部を3点支持し得るように
なされると共にその両端は中央部が鼓状にくびれた1対
のフライホイール板88にネジ90により取り付け固定
されている。図5においては一側のフライホイール板の
みを記しているが他側のフライホイール板も同様に構成
されている。各フライホイール板88は、中心部が中空
になされた回転軸92の端部に取り付けられると共にこ
れら回転軸92は、基板93上に立設された1対の取付
板94に軸受ユニット95の軸受60を介して回転可能
に取り付けられている。各下部支持部材82は、例えば
ステンレスよりなる丸パイプ96を例えばテフロンパイ
プ98に圧入して構成され、このテフロンパイプ98の
周辺部にはウエハWの下部を挿入して固定するための断
面Y字状になされた多数、例えば52個のY溝100が
等ピッチで或いは異なるピッチで形成されている。この
Y溝100の開口の幅L1は約4.3mmに設定される
と共に基部の幅L2は約0.85mmに設定され、約
0.725mmの厚さのウエハWを上部基部に挿入して
固定するように構成されている。
The lower support member 82 is formed of, for example, three rod-like members extending along the direction in which the wafers W are arranged. The lower support member 82 can support the lower portion of the vertically laid wafer W at three points. Both ends are fixed by screws 90 to a pair of flywheel plates 88 each having a central portion shaped like a drum. FIG. 5 shows only one flywheel plate, but the other flywheel plate is similarly configured. Each flywheel plate 88 is attached to the end of a rotating shaft 92 having a hollow center, and these rotating shafts 92 are mounted on a pair of mounting plates 94 erected on a substrate 93 by bearings of a bearing unit 95. It is rotatably mounted via 60. Each lower support member 82 is formed by press-fitting a round pipe 96 made of, for example, stainless steel into, for example, a Teflon pipe 98, and a Y-shaped cross section for inserting and fixing a lower portion of the wafer W around the Teflon pipe 98. Many, for example, 52 Y grooves 100 are formed at equal pitches or at different pitches. The width L1 of the opening of the Y groove 100 is set to about 4.3 mm, the width L2 of the base is set to about 0.85 mm, and a wafer W having a thickness of about 0.725 mm is inserted into the upper base and fixed. It is configured to be.

【0017】上記上部支持部材84は、前記下部支持部
材82と同様にウエハWの配列方向に沿って延在された
例えば2本の棒状部材よりなり、例えばウエハWの上部
オリフラ(オリエンテーションフラットと呼称される切
欠部分)102を2点支持し得るようになされると共に
これら上部支持部材84の両端部は、それぞれの端部に
2個ずつ設けられた合計4個の各開閉アーム86の先端
部に取り付けられている。各開閉アーム86は、円弧状
に成形されると共にそれらの基端部は、上記フライホイ
ール板88に例えばセラミック製のベアリング104及
び固定軸106を介して両方向へ開閉乃至回転可能に取
り付けられている(図4参照)。
The upper support member 84 is formed of, for example, two rod-like members extending along the arrangement direction of the wafers W in the same manner as the lower support member 82. For example, an upper orientation flat (orientation flat) of the wafer W is provided. Cutout portion 102 can be supported at two points, and both end portions of the upper support member 84 are provided at the distal end portions of a total of four opening / closing arms 86 provided two at each end portion. Installed. Each opening / closing arm 86 is formed in an arc shape, and the base end thereof is attached to the flywheel plate 88 so as to be able to open and close or rotate in both directions via a bearing 104 and a fixed shaft 106 made of ceramic, for example. (See FIG. 4).

【0018】この1対の開閉アーム86の内側には、前
記中空の回転軸92の中心部にベアリング108を介し
て同心状に回転自在に設けられた開閉用中心軸110の
端部に取り付け固定した小径の円板112が設けられて
いる。この円板112と上記1対の開閉アーム86、8
6の略中央部との間にはそれぞれ両端に例えばセラミッ
ク製のベアリング114、116を介して回転可能にな
された連結アーム118が円板112の回転中心に対し
て点対称に掛け渡されており、図4に示すようにこの円
板112を約90°往復回転することにより1対の開閉
アーム86、86を仮想線に示すように開閉し得るよう
に構成されている。従って、これら開閉アーム86、8
6が開状態になされている時に、上方からウエハWの搬
入・搬出が行われることになる。上記各開閉アーム8
6、86の途中には、強度を維持しつつこの重量を低減
するために適当数のバランス孔120が形成されると共
に、一方の上部支持部材84の取付部には、ウエハWの
微小な大きさの相異に対応させて上部支持部材84を上
下方向へ移動可能とするために長孔122が設けられて
おり、ボルト124の調整により上部支持部材84を上
下方向へ僅かに移動し得るように構成されている。
Inside the pair of opening / closing arms 86, it is attached and fixed to an end of an opening / closing center shaft 110 provided concentrically and rotatably via a bearing 108 at the center of the hollow rotary shaft 92. A small-diameter circular plate 112 is provided. The disk 112 and the pair of opening / closing arms 86, 8
6, a connecting arm 118 rotatably provided at both ends via, for example, ceramic bearings 114 and 116 is symmetrically wound around the center of rotation of the disk 112. As shown in FIG. 4, the pair of opening / closing arms 86 can be opened and closed as indicated by phantom lines by reciprocating the disc 112 about 90 °. Therefore, these open / close arms 86, 8
When the wafer 6 is in the open state, the loading / unloading of the wafer W is performed from above. Each open / close arm 8
An appropriate number of balance holes 120 are formed in the middle of 6, 86 in order to reduce the weight while maintaining the strength, and the mounting portion of one upper support member 84 has a minute size of the wafer W. A long hole 122 is provided to enable the upper support member 84 to move in the vertical direction corresponding to the difference in height, and the upper support member 84 can be slightly moved in the vertical direction by adjusting the bolt 124. Is configured.

【0019】また、上記2つの上部支持部材84は、前
記下部支持部材82と同様に、例えばステンレスよりな
る丸パイプ126を例えばテフロンパイプ128に圧入
して構成され、このテフロンパイプ128の周辺部に
は、立設したウエハWの垂直方向の傾斜を規制するため
の断面V字状になされた多数、例えば52個のV溝13
0が前記Y溝100と等ピッチで或いは異なるピッチで
形成されている。このV溝130の開口の幅L3は、例
えば前記Y溝100の開口の幅L1より約1.45mm
広く設定されている。一方、上記各回転軸92と各開閉
用中心軸110の端部には図6及び図7に示すようにこ
れら両軸の連結及び切り離しを行うためのクラッチ機構
132、134が設けられている。これら両クラッチ機
構は、図1に示すように略同様な構造になされている
が、図1中の右側のクラッチ機構132側の回転軸92
にはプーリ136が固設されると共にこのプーリ136
とモータ138の回転軸との間にはベルト140が介設
され(図2参照)、必要に応じて前記被処理体保持機構
52を回転し得るように構成されている。
Similarly to the lower support member 82, the two upper support members 84 are formed by press-fitting a round pipe 126 made of, for example, stainless steel into a Teflon pipe 128, for example. Are V-shaped sections, for example, 52 V-shaped grooves 13 formed in a V-shaped cross section for restricting the vertical inclination of the erected wafer W.
0 are formed at the same pitch as the Y groove 100 or at a different pitch. The width L3 of the opening of the V groove 130 is, for example, about 1.45 mm from the width L1 of the opening of the Y groove 100.
Widely set. On the other hand, clutch mechanisms 132 and 134 are provided at the ends of the rotary shafts 92 and the opening / closing center shafts 110 for connecting and disconnecting these two shafts as shown in FIGS. These two clutch mechanisms have substantially the same structure as shown in FIG. 1, but the rotation shaft 92 on the right clutch mechanism 132 side in FIG.
The pulley 136 is fixed to the
A belt 140 is interposed between the rotating shaft of the motor 138 and the rotating shaft of the motor 138 (see FIG. 2), so that the workpiece holding mechanism 52 can be rotated as necessary.

【0020】他方のクラッチ機構134側は、このプー
リを設けていない点のみが異なり、このクラッチ機構1
34は図6に示される。以下クラッチ機構134を例に
とって説明する。回転軸92自体は軸受60により回転
可能に支持されると共にクラッチ機構134は基板93
上にスライド可能に支持されており、クラッチ水平シリ
ンダ142により水平方向へスライドされる。上記開閉
用中心軸110の端部にはクラッチ円板144が設けら
れると共に中空回転軸92の端部には、上記クラッチ円
板144に対向させて係合板146が設けられ、上記両
軸の端部にはベアリング150が介設されている。
The other clutch mechanism 134 is different only in that the pulley is not provided.
34 is shown in FIG. Hereinafter, the clutch mechanism 134 will be described as an example. The rotating shaft 92 itself is rotatably supported by the bearing 60, and the clutch mechanism 134
It is slidably supported above and is slid horizontally by a clutch horizontal cylinder 142. A clutch disk 144 is provided at an end of the opening / closing center shaft 110, and an engagement plate 146 is provided at an end of the hollow rotary shaft 92 so as to face the clutch disk 144. A bearing 150 is interposed in the portion.

【0021】上記クラッチ円板144には、クラッチア
ーム152の両端から水平方向へ突設されると共に先端
部がテーパ状になされた2本の係合ピン154を貫通さ
せる2つの貫通孔156が形成される。そして、この貫
通孔156に対応する上記係合板146には、上記係合
ピン154の先端部と係合するテーパ状の2つの係合孔
158が形成されており、上記係合ピン154の先端部
を上記係合孔158へ挿脱させることにより、上記クラ
ッチ円板144と係合板146との係合離脱を可能とし
ている。図6においては係合ピン154が左方向へ前進
されて両板144、146とが係合されてこれらが一体
的に回転する状態を示す。上記クラッチアーム152
は、前記クラッチ水平シリンダ142へ取り付けられた
図中逆L字状になされた取り付け板160にベアリング
162及びシャフト164を介して回転可能に取り付け
られている。
The clutch disk 144 has two through holes 156 projecting from both ends of the clutch arm 152 in the horizontal direction and penetrating two engagement pins 154 each having a tapered tip. Is done. The engagement plate 146 corresponding to the through hole 156 is formed with two tapered engagement holes 158 that engage with the distal end of the engagement pin 154. The engagement and disengagement of the clutch disk 144 and the engagement plate 146 is enabled by inserting and removing the portion into and out of the engagement hole 158. FIG. 6 shows a state in which the engagement pin 154 is advanced to the left, the two plates 144 and 146 are engaged, and they rotate integrally. The clutch arm 152
Is rotatably mounted via a bearing 162 and a shaft 164 on a mounting plate 160 formed in an inverted L-shape in the figure and mounted on the clutch horizontal cylinder 142.

【0022】また、上記シャフト164には、上記クラ
ッチアーム152に対して略直交するように軸受金とし
て例えばブッシュ168を介して係合アーム166が回
転可能に取り付けられている。この係合アーム166の
両端部にはクラッチ円板144を越えて水平方向へ延在
された補助アーム170が設けられると共に各補助アー
ム170の先端部には軸心に向けて突出させた係合片1
72が設けられている。そして、上記クラッチ円板14
4の周辺部には上記係合片172と係合する係合溝17
4が設けられており、従って、係合ピン154を図6中
の左方向へ前進させてクラッチ円板144と係合板14
6とを一体固定した時には係合片172とクラッチ円板
144との係合は断たれ、逆に係合ピン154を右方向
へ後退させてクラッチ円板144と係合板146との係
合を断った時には係合片172はクラッチ円板144の
係合溝174内に入ってクラッチ円板144と係合アー
ム166とが係合することになる。そして、図7に示す
ように上記係合アーム166の一端部には上記取り付け
板160側に固定された係合アーム駆動シリンダ176
が連結されており、このシリンダ176を上下方向へ駆
動することにより上記係合アーム166を例えば90°
回転可能に構成している。すなわち、係合片146を係
合溝174へ係合させた状態(係合ピン154は係合孔
158から離脱している)で係合アーム166を90°
回転することにより、クラッチ円板144を介して開閉
用中心軸110のみを90°回転して前記上部支持部材
84を開閉し得るように構成されている。
An engaging arm 166 is rotatably mounted on the shaft 164 via a bush 168, for example, as a bearing so as to be substantially orthogonal to the clutch arm 152. Auxiliary arms 170 are provided at both ends of the engagement arms 166 and extend in the horizontal direction beyond the clutch disk 144. At the tip of each of the auxiliary arms 170, an engagement projecting toward the axis is provided. Piece 1
72 are provided. Then, the clutch disk 14
4 is provided with an engagement groove 17 for engaging with the engagement piece 172.
4 is provided, so that the engagement pin 154 is advanced to the left in FIG.
When the clutch disc 6 and the clutch disc 144 are integrally fixed, the engagement between the engagement piece 172 and the clutch disc 144 is released, and the engagement pin 154 is retracted rightward to conversely engage the clutch disc 144 with the engagement disc 146. When disengaged, the engagement piece 172 enters the engagement groove 174 of the clutch disk 144, and the clutch disk 144 and the engagement arm 166 are engaged. As shown in FIG. 7, one end of the engagement arm 166 has an engagement arm drive cylinder 176 fixed to the mounting plate 160 side.
Are connected to each other, and by driving the cylinder 176 in the vertical direction, the engagement arm 166 is moved by 90 °, for example.
It is configured to be rotatable. That is, in a state where the engagement piece 146 is engaged with the engagement groove 174 (the engagement pin 154 is separated from the engagement hole 158), the engagement arm 166 is turned by 90 °.
By rotating, only the opening / closing center shaft 110 is rotated by 90 ° via the clutch disk 144 to open and close the upper support member 84.

【0023】尚、前記した構造のクラッチ機構132に
代えて、他の構造、例えば電磁式のクラッチ機構を設け
るようにしてもよい。一方、図10に示すように回転軸
92を支持するために以下に示すような軸受機構が構成
される。すなわち、前記取付板94にはそれぞれ例えば
適宜距離だけ離間させた2個の軸受60、60が固定さ
れており、これら両軸受60、60間には筺体50内を
シールすると共に図10中において右側の軸受60にて
発生する発塵が筺体50内へ侵入することを防止するた
めに磁性流体を用いた磁性流体シール部材176が設け
られている。更に、上記磁性流体シール部材176及び
軸受60の筺体内側には、ラビリンスシール178が設
けられると共にこの部分に狭い空間部、すなわちラビリ
ンス空間180を形成している。そして、このラビリン
ス空間180には、この空間に清浄気体、例えば不純物
のほとんど含まれていない窒素ガスを供給するガス供給
通路182が接続されると共に供給された窒素ガスの一
部を排出するためのガス排出通路184が接続されてお
り、図中の左側の軸受60にて発生した発塵をパージし
て筺体50内へ侵入することを防止している。また、上
記ガス排気通路184は、排気管186を介して筺体5
0の気体排気口側へ接続されている。尚、この場合にラ
ビリンスシール178に代えて或いはこれと共に取付板
94と筺体50との間に環状のリング材188(図1参
照)を介設して内部に狭い空間部を形成し、この空間部
に窒素ガスを給排させて発塵等をパージするように構成
してもよい。
Note that, instead of the clutch mechanism 132 having the above-described structure, another structure, for example, an electromagnetic clutch mechanism may be provided. On the other hand, as shown in FIG. 10, a bearing mechanism as described below is configured to support the rotating shaft 92. That is, two bearings 60, 60, which are respectively separated from each other by an appropriate distance, for example, are fixed to the mounting plate 94. The inside of the housing 50 is sealed between the two bearings 60, 60, and the right side in FIG. A magnetic fluid seal member 176 using a magnetic fluid is provided in order to prevent dust generated in the bearing 60 from entering the housing 50. Further, a labyrinth seal 178 is provided inside the housing of the magnetic fluid seal member 176 and the bearing 60, and a narrow space portion, that is, a labyrinth space 180 is formed in this portion. The labyrinth space 180 is connected to a gas supply passage 182 for supplying a clean gas into the space, for example, a nitrogen gas containing almost no impurities, and for discharging a part of the supplied nitrogen gas. The gas discharge passage 184 is connected, and dust generated in the bearing 60 on the left side in the figure is purged to prevent the dust from entering the housing 50. Further, the gas exhaust passage 184 is connected to the housing 5 through an exhaust pipe 186.
0 is connected to the gas exhaust port side. In this case, an annular ring member 188 (see FIG. 1) is provided between the mounting plate 94 and the housing 50 instead of or together with the labyrinth seal 178 to form a narrow space inside. The section may be configured to supply and discharge nitrogen gas to purge dust and the like.

【0024】一方、前記被処理体保持機構52を収容す
る前記箱状の筺体50は、図1及び図2にも示すように
気体の流れ方向、すなわち下方向に対して直交する方
向、すなわち水平方向における筺体50の断面積が気体
の流れ方向に沿って順次縮小されており、気体が流下す
るに従ってその流速を次第に高めるようになっている。
この場合、回転するウエハから飛散する洗浄水が直接付
着する1対の壁面190が図2に示すように相互に接近
するように下向き傾斜されてその断面積が順次縮小され
ており、この壁面190に付着する水滴の流下排出を促
進している。この筺体50の上部の気体導入口54は、
前記フィルタ手段56の出口側面積と同一か、またはそ
れ以下に形成されており、水切りを良好にすると共に角
部をなくして気体の滞留が生ずることを防止している。
また、上記筺体50の両壁面190、190には、例え
ばアクリル窓(図示せず)を介してウエハに対して傾め
方向に取り付けた1対の例えば光センサ218、218
が設けられており、ウエハの存否を検出するようになっ
ている。
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, the box-shaped housing 50 for accommodating the object-to-be-processed holding mechanism 52 has a gas flow direction, that is, a direction perpendicular to the downward direction, that is, a horizontal direction. The cross-sectional area of the housing 50 in the direction is sequentially reduced along the flow direction of the gas, and the flow velocity gradually increases as the gas flows down.
In this case, a pair of wall surfaces 190 to which cleaning water scattered from the rotating wafer is directly attached are inclined downward so as to approach each other as shown in FIG. It promotes the drainage of water droplets adhering to the surface. The gas inlet 54 at the top of the housing 50 is
It is formed to be equal to or less than the area on the outlet side of the filter means 56, thereby improving drainage and eliminating corners to prevent gas from being retained.
In addition, a pair of optical sensors 218, 218 attached to the wafer in an inclined direction with respect to the wafer through, for example, an acrylic window (not shown) are provided on both wall surfaces 190, 190 of the housing 50.
Is provided to detect the presence or absence of a wafer.

【0025】上記筺体50の底部192は、前記壁面1
90よりも緩い傾斜面になされており、その中心部には
図11にも示すように矩形状の気体排気口194が形成
されていると共にこの排出口194は気体排気容器19
6に接続されている。この気体排気容器196は箱状に
成形され、この底部198は下方向へ突状に成形される
と共に一側に向けて下向き傾斜されており、最下端部に
トラップした水滴を集めるように構成されている。そし
て、この部分にはドレン抜き口200が形成されてお
り、集めた水を排出し得るように構成されている。
The bottom 192 of the casing 50 is
90, a rectangular gas exhaust port 194 is formed at the center thereof as shown in FIG.
6 is connected. The gas exhaust container 196 is formed in a box shape, and the bottom portion 198 is formed to project downward and is inclined downward toward one side, and is configured to collect water droplets trapped at the lowermost end. ing. A drain port 200 is formed in this portion, so that collected water can be discharged.

【0026】上記気体排気容器196内には天井部より
途中まで垂下させた仕切板202が設けられており、内
部を2分割すると共にこの仕切板202の下端部には上
下動可能になされた流量調整板204が設けられ、この
下方に形成される流路206の断面積を調整し得るよう
に構成されている。また、気体排気容器196内の下流
側の部屋208の側壁210には排気穴212が形成さ
れると共にこの排気穴212には排気ケーシング214
を介して排気ファン216(図1参照)が接続されてお
り、筺体50内の気体をこれに含まれる水分をトラップ
しつつ排出し得るように構成されている。
A partition plate 202 is provided in the gas exhaust container 196 so as to hang down from the ceiling partway. The inside of the gas exhaust container 196 is divided into two parts, and a lower end of the partition plate 202 is provided with a vertically movable flow rate. An adjusting plate 204 is provided, and is configured to adjust the cross-sectional area of the flow path 206 formed below the adjusting plate 204. An exhaust hole 212 is formed in the side wall 210 of the downstream room 208 in the gas exhaust container 196, and the exhaust hole 212 has an exhaust casing 214.
An exhaust fan 216 (refer to FIG. 1) is connected via a, so that the gas in the housing 50 can be exhausted while trapping moisture contained therein.

【0027】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、図3に示すように入力バ
ッファ部22において、処理前のウエハW(図示せず)
の収容されたカセット20はカセット搬送アーム30に
より外部より受け入れられ、カセット貯蔵部28に一時
的に収容される。この貯蔵部28のカセット20は、ウ
エハの処理が進行するに従ってアーム30によりローダ
部32へ移載される。このローダ部32のカセット20
内の未処理のウエハWはウエハ搬送アーム36により適
宜搬送されて、チャック洗浄乾燥装置38、薬液処理装
置40、洗浄装置42、本発明に係るウエハ乾燥装置4
4にてそれぞれ処理が施され、処理後のウエハは再度カ
セットへ収容された後に出力バッファ部26から外部へ
搬出されることになる。上記薬液処理に使用される薬液
としては、例えばアンモニア水、過酸化水素水、塩酸、
フッ酸、硫酸等が用いられる。
Next, the operation of the present embodiment configured as described above will be described. First, as shown in FIG. 3, in the input buffer unit 22, a wafer W (not shown) before processing is performed.
Is accommodated from outside by the cassette carrying arm 30 and temporarily accommodated in the cassette storage unit 28. The cassette 20 in the storage unit 28 is transferred to the loader unit 32 by the arm 30 as the processing of the wafer progresses. The cassette 20 of the loader unit 32
The unprocessed wafer W in the inside is appropriately transferred by the wafer transfer arm 36, and the chuck cleaning and drying device 38, the chemical solution processing device 40, the cleaning device 42, and the wafer drying device 4 according to the present invention
In step 4, the processed wafers are processed, and the processed wafers are again stored in the cassette and then unloaded from the output buffer unit 26 to the outside. Examples of the chemical used in the chemical treatment include, for example, aqueous ammonia, aqueous hydrogen peroxide, hydrochloric acid,
Hydrofluoric acid, sulfuric acid and the like are used.

【0028】ここで上記ウエハ乾燥装置44における乾
燥操作について説明すると、図1及び図2に示すように
ウエハ搬送アーム220に保持した洗浄後の多数、例え
ば52枚のウエハWを、フィルタ手段56を有する蓋体
79を図1中の仮想線に示すように開状態にした状態で
降下させ、これを被処理体保持機構52に移載する。こ
の場合、この被処理体保持機構52の上部支持部材8
4、84を図4中の仮想線で示すように左右に展開して
開状態にしておく。このように上部支持部材84、84
を開状態とするためには、図6中の仮想線で示すように
クラッチ水平シリンダ142を駆動することにより、係
合アーム166及びクラッチアーム152を図中仮想線
で示すように右方向へ移動させて係合ピン154を係合
板146の係合孔158から引き抜いてこれらの係合を
断つと同時に係合アーム166の係合片146をクラッ
チ円板144の係合溝174に嵌合させてこれらを係合
する。
Here, the drying operation in the wafer drying apparatus 44 will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, a large number of washed wafers W, for example, 52 wafers W held on the wafer transfer arm 220 are filtered by the filter means 56. The cover 79 having the cover 79 is lowered in an open state as shown by a phantom line in FIG. 1, and is transferred to the processing object holding mechanism 52. In this case, the upper support member 8 of the workpiece holding mechanism 52
4 and 84 are opened to the left and right as shown by virtual lines in FIG. Thus, the upper support members 84, 84
Is opened, the clutch horizontal cylinder 142 is driven as shown by the phantom line in FIG. 6 to move the engagement arm 166 and the clutch arm 152 rightward as shown by the phantom line in the figure. Then, the engagement pin 154 is pulled out from the engagement hole 158 of the engagement plate 146 to disconnect the engagement, and at the same time, the engagement piece 146 of the engagement arm 166 is fitted into the engagement groove 174 of the clutch disk 144. These are engaged.

【0029】そして、この状態で係合アーム166に取
り付けた係合アーム駆動シリンダ176を図7中の仮想
線で示す位置から実線で示す位置へ駆動することにより
係合アーム166を介してクラッチ円板144を約90
°開方向へ回転する。するとこのクラッチ円板144に
連結されている開閉用中心軸110のみ(回転軸92は
静止)が回転して、図4に示すように被処理体保持機構
52の円板112を矢印A方向へ約90°回転する。こ
の円板112の回転により連結アーム118、118及
び開閉アーム86、86を介して上述したように上部支
持部材84、84が開状態となる。
Then, in this state, the engagement arm drive cylinder 176 attached to the engagement arm 166 is driven from the position indicated by the imaginary line in FIG. Plate 144 is about 90
° Rotate in the opening direction. Then, only the opening / closing central shaft 110 (the rotating shaft 92 is stationary) connected to the clutch disk 144 rotates, and the disk 112 of the workpiece holding mechanism 52 is moved in the direction of arrow A as shown in FIG. Rotate about 90 °. By the rotation of the disk 112, the upper support members 84, 84 are opened as described above via the connecting arms 118, 118 and the opening / closing arms 86, 86.

【0030】前述のようにして被処理体保持機構52に
ウエハWの移載が完了したならば、前述したと逆の操作
を行って、上部支持部材84、84を閉状態として各ウ
エハWを上部支持部材84と下部支持部材82との間で
強固に保持する。すなわち、上部支持部材84を閉じる
ためには、係合アーム166に取り付けた係合アーム1
66を図7中の実線で示す位置から仮想線で示す位置へ
駆動することにより係合アーム166を介してクラッチ
円板144を約90°閉方向へ回転する。すると、開閉
用中心軸110のみが前述と逆方向に回転して被処理体
保持機構52の円板112を矢印B方向へ約90°回転
し、これにともなって上部支持部材84、84は図4中
の実線に示すように閉じられ、ウエハWをクランプす
る。
When the transfer of the wafer W to the processing object holding mechanism 52 is completed as described above, the operation reverse to that described above is performed so that the upper support members 84 and 84 are closed and each wafer W is removed. It is firmly held between the upper support member 84 and the lower support member 82. That is, in order to close the upper support member 84, the engagement arm 1 attached to the engagement arm 166 is required.
By driving 66 from the position shown by the solid line in FIG. 7 to the position shown by the imaginary line, the clutch disk 144 is rotated through the engagement arm 166 in the closing direction by about 90 °. Then, only the opening / closing center shaft 110 rotates in the opposite direction to that described above, and rotates the disk 112 of the workpiece holding mechanism 52 by about 90 ° in the direction of arrow B. With this, the upper support members 84, 84 4 is closed as shown by the solid line, and the wafer W is clamped.

【0031】この時、図5に示すようにウエハWの下部
は3点で指示されると共に下部支持部材82の表面に形
成したY溝100の基部に入ってしまい、横方向の移動
が確実に規制される。また、ウエハWの上部のオリフラ
部分は上部支持部材84の表面に形成したV溝130に
より2点支持され、しかもウエハWがクランプ直前に僅
かに傾斜していた場合にはV溝130の溝面の作用によ
り傾きが規制されて、ウエハWはほぼ垂直状態にクラン
プされることになる。このように被処理体保持機構52
が各ウエハWを確実にクランプ乃至支持固定したなら
ば、筺体50の上部に設けた蓋体79を図1中の実線で
示すように閉めてウエハの回転乾燥操作に移行する。
At this time, as shown in FIG. 5, the lower portion of the wafer W is indicated by three points and enters the base of the Y groove 100 formed on the surface of the lower support member 82, so that the lateral movement is ensured. Be regulated. Also, the upper orifice portion of the wafer W is supported at two points by V-grooves 130 formed on the surface of the upper support member 84, and when the wafer W is slightly inclined immediately before clamping, the groove surface of the V-groove 130 is formed. The wafer W is clamped in a substantially vertical state by controlling the inclination. As described above, the processing object holding mechanism 52
When the wafers W are securely clamped or supported and fixed, the lid 79 provided on the upper part of the housing 50 is closed as shown by a solid line in FIG.

【0032】そのために、まず、クラッチ水平シリンダ
142を駆動することにより図6中において係合アーム
166及びクラッチアーム152を左方向へスライドさ
せ、係合ピン154を係合板146の係合孔158内へ
挿入することによりこの係合ピン154を介して係合板
146とクラッチ円板144とを一体的に結合すると共
に、係合アーム166の係合片172をクラッチ円板1
44の係合溝174から離脱させることにより係合アー
ム166とクラッチ円板144との係合を断つ。従っ
て、この状態では中空回転軸92と開閉用中心軸110
とが係合板146、係合ピン154及びクラッチ円板1
44を介して一体的に回転可能になされている。尚、こ
の時、クラッチアーム152はベアリング162を介し
てシャフト164の回りを回転することになる。
For this purpose, first, the clutch arm 166 and the clutch arm 152 are slid to the left in FIG. 6 by driving the clutch horizontal cylinder 142, and the engagement pin 154 is inserted into the engagement hole 158 of the engagement plate 146. The engagement plate 146 and the clutch disk 144 are integrally connected via the engagement pin 154, and the engagement piece 172 of the engagement arm 166 is connected to the clutch disk 1 through the engagement pin 154.
The engagement between the engagement arm 166 and the clutch disk 144 is cut off by disengaging the engagement arm 166 from the engagement groove 174. Therefore, in this state, the hollow rotary shaft 92 and the opening / closing center shaft 110
Are the engagement plate 146, the engagement pin 154, and the clutch disk 1
It is made rotatable integrally via 44. At this time, the clutch arm 152 rotates around the shaft 164 via the bearing 162.

【0033】このようにしてクラッチ機構132による
連結が終了したならば、図1中に示すモータ138を駆
動することによりプーリ136を介して中空回転軸92
及び開閉用中心軸110を一体的に回転し、これにより
ウエハWを保持した被処理体保持機構52の全体を、所
定の回転で回転すると共に排気ファン216を駆動して
蓋体79に設けたフィルタ手段56を介して筺体50内
へ清浄気体、例えば清浄空気Gを導入する。清浄空気G
の流量は、例えば筺体50の大きさ580mm×550
mmに対して例えば17m3 /min程度にすると共に
筺体の内外圧力差を例えば50mmH2 O程度に設定
し、被処理体保持機構52の回転数を0から200rp
mまでまず立ち上げて200rpmの回転数で例えば6
0秒間程度維持し、これによりウエハWに付着している
大きな水滴を振り切る。その後、被処理体保持機構52
の回転数を例えば1500rpmまで上昇させて、この
回転数で2〜3分程度維持し、これによりウエハWに付
着している小さな水滴を振り切ると同時にウエハ表面の
乾燥を行う。その後、モータ138の駆動を停止してウ
エハWの乾燥を完成させるために例えば20秒程度かけ
て回転を停止する。
When the connection by the clutch mechanism 132 is completed in this manner, the hollow rotary shaft 92 is driven through the pulley 136 by driving the motor 138 shown in FIG.
And the opening / closing center shaft 110 is integrally rotated, whereby the entire workpiece holding mechanism 52 holding the wafer W is provided on the lid 79 by rotating at a predetermined rotation and driving the exhaust fan 216. A clean gas, for example, clean air G is introduced into the housing 50 through the filter means 56. Clean air G
Is, for example, the size of the housing 50 of 580 mm × 550.
while, for example, 17m 3 / min approximately relative mm Set pressure difference between inside and outside of the housing for example to 50 mm H 2 O of about, 200Rp the rotational speed of the workpiece holding mechanism 52 from 0
m and then at 200 rpm for example 6
It is maintained for about 0 seconds, and thereby a large water drop adhering to the wafer W is shaken off. Thereafter, the processing object holding mechanism 52
Is increased to, for example, 1500 rpm, and maintained at this rotational speed for about 2 to 3 minutes, whereby small water droplets adhering to the wafer W are shaken off and, at the same time, the wafer surface is dried. Thereafter, the rotation of the motor 138 is stopped, for example, for about 20 seconds in order to stop the driving of the motor 138 and complete the drying of the wafer W.

【0034】このように、ウエハWの回転初期時におけ
る回転数を例えば約200rpmと低めに設定し、この
回転数における比較的大粒径(約5mm)の水滴が上方
へ飛散し得る最大の高さ以上に被液防止手段68とウエ
ハWとの間隔Hを設定しているので、フィルタ手段56
乃至被液防止手段68に水分が付着することがほとんど
ない。また、このフィルタ手段56の下部には、例えば
3枚のパンチング板70A、70B、70C、70D
(図8及び図9参照)よりなる被液防止手段68が設け
られているので、回転するウエハWより飛散する大きな
水滴或いは高速回転時の小さな水滴がこの被液防止手段
68に付着しても、パンチング板相互間の通気孔72が
互い違いに配列されているので水分は内部に侵入でき
ず、従ってフィルタ66の機能が水分により損なわれる
ことを確実に防止することができる。また、最下部のパ
ンチング板70Dの多数の通気孔72は面内に均等に設
けられているので、この通気孔72を流下する清浄気体
Gは偏流することがなく、整流されて層流状態で流下す
る。また、ウエハWの上部を支持する上部支持部材84
は開閉用中心軸110を介して確実に回転軸92側へ固
定されているので、高速回転時にこの上部支持部材84
に大きな負荷が加わっても、ウエハWを確実に保持固定
することが可能となる。
As described above, the rotation speed at the initial rotation of the wafer W is set to a low value of, for example, about 200 rpm, and the maximum height at which the water droplet having a relatively large particle diameter (about 5 mm) at the rotation speed can scatter upward. Since the distance H between the liquid prevention unit 68 and the wafer W is set more than that, the filter unit 56
In addition, moisture hardly adheres to the liquid prevention means 68. Further, for example, three punching plates 70A, 70B, 70C, 70D
Since the liquid-preventing means 68 is provided (see FIGS. 8 and 9), even if large water droplets scattered from the rotating wafer W or small water droplets during high-speed rotation adhere to the liquid-preventing means 68. Since the ventilation holes 72 between the punching plates are alternately arranged, moisture cannot enter the inside, so that the function of the filter 66 can be reliably prevented from being impaired by the moisture. Further, since the large number of ventilation holes 72 of the lowermost punching plate 70D are uniformly provided in the plane, the clean gas G flowing down the ventilation holes 72 does not drift, but is rectified and laminar. Flow down. Further, an upper support member 84 for supporting the upper portion of the wafer W
Are securely fixed to the rotating shaft 92 through the opening / closing central shaft 110, so that the upper support
Even if a large load is applied to the wafer W, the wafer W can be reliably held and fixed.

【0035】尚、被液防止手段68としては、複数のパ
ンチング板に限定されず、通気性がありフィルタ66へ
の被水を防止し得る部材であればどのようなものを用い
てもよい。一方、フィルタ手段56を通過して特に清浄
化された気体Gは筺体50内を上方から下方に向けて流
下し、この時被処理体保持機構52に保持されて回転す
るウエハ表面と接触してこれを乾燥し、この気体は更に
流下して筺体50の下部に設けた気体排気口194を通
過し、更に気体排気容器196にて含有水分が除去乃至
トラップされた後に系外へ排出されることになる。
The means for preventing liquid 68 is not limited to a plurality of perforated plates, but may be any material having a gas permeability and capable of preventing the filter 66 from being wet. On the other hand, the gas G, which has been particularly purified after passing through the filter means 56, flows downward from above in the housing 50, and at this time, comes into contact with the rotating wafer surface held by the processing object holding mechanism 52. This gas is dried, and the gas further flows down, passes through a gas exhaust port 194 provided in the lower part of the housing 50, and is further discharged out of the system after the contained water is removed or trapped in the gas exhaust container 196. become.

【0036】この場合、フィルタ手段56の出口側面積
と筺体50の上部の気体導入口54の面積とはほぼ同一
に設定されているので筺体の上部の角部において何ら気
体の滞留部分が発生せず、しかも乱流を生ずることなく
清浄気体は層流状態となってそのまま筺体50内を流下
する。この時、筺体50の断面積は、気体の流れ方向、
すなわち下方向に向かって次第に小さくなされているの
で気体の流速は次第に大きくなる。この時の気体の流速
は、例えば下部の気体排気口194において例えば1m
/sec程度である。従って、図2に示すように筺体5
0の側壁面190に衝突した水滴222が微細化されて
壁面190よりはね返っても、このはね返った水滴は流
速の大きくなった気体によって下方向へ効率良く排出さ
れてしまい、再度ウエハWに付着することはない。
In this case, the area on the outlet side of the filter means 56 and the area of the gas inlet 54 on the upper part of the housing 50 are set to be substantially the same, so that any gas stagnation occurs at the upper corner of the housing. In addition, the clean gas flows in the housing 50 as it is in a laminar flow state without generating turbulence. At this time, the cross-sectional area of the housing 50 is
That is, since the flow rate of the gas is gradually reduced downward, the flow velocity of the gas gradually increases. The gas flow rate at this time is, for example, 1 m at the lower gas exhaust port 194.
/ Sec. Therefore, as shown in FIG.
Even if the water droplet 222 colliding with the 0 side wall surface 190 is miniaturized and rebounds from the wall surface 190, the repelled water droplet is efficiently discharged downward by the gas having the increased flow velocity and adheres to the wafer W again. Never.

【0037】また、傾斜壁面190に付着した水滴も、
上記したように流速の大きくなった気体により壁面19
0に沿って下方向への流下が促進される。このように、
筺体50の断面積を気体の流れ方向に沿って順次縮小す
るようにしたので、気体の流速が次第に早くなり、ウエ
ハWから飛散した細かな水滴及び壁面190よりはね返
った細かな水滴などの筺体50内に存在する水滴をすみ
やかに且つ迅速に排出することができる。特に、本実施
例においては清浄気体Gの流れ方向を従来装置のような
横方向ではなく下方向に向けているので、水滴は重力に
抗することなく効率的に排出され、その排出を促進する
ことができる。
Further, water droplets adhering to the inclined wall surface 190 also
As described above, the gas having the increased flow velocity causes the wall surface 19 to flow.
Downflow along zero is promoted. in this way,
Since the cross-sectional area of the housing 50 is sequentially reduced along the gas flow direction, the flow velocity of the gas is gradually increased, and fine water droplets scattered from the wafer W and fine water droplets rebounding from the wall surface 190 are formed. The water droplets existing inside can be quickly and quickly discharged. In particular, in this embodiment, since the flow direction of the clean gas G is directed downward instead of the horizontal direction as in the conventional apparatus, water droplets are efficiently discharged without resisting gravity, and the discharge is promoted. be able to.

【0038】また、本実施例においては、筺体50内に
例えば従来装置において設けられたような突起物、例え
ばエアーシリンダが形成されていない。すなわち前述の
ようにウエハWを保持する上部支持部材84の開閉は中
空回転軸92内に同軸支持された開閉用中心軸110
(図5参照)の回転により行われるので筺体内の突起物
がなくなり、そのために筺体50内を流下する気体に乱
流が生ずることが少なく、水滴の排出を一層促進させる
ことが可能となる。そして、気体排気口194から排出
されて流下した水分の含有された気体は図11中の矢印
Dに示すように気体排気容器196の底部198に衝突
した後に水平方向に流れが変わり、流路調整板204の
下方の流路206を通過した後に部屋208の壁面に衝
突して更に真横に流れ方向が変えられ、その後、排気穴
212から系外へ排出される。従って、気体の流れ方向
が変えられる時に気体中に含まれる水分が効率的に除去
されることから上記気体排気容器196は水分の2段ト
ラップ構造になされており、気体中に含まれる水分を効
率的に除去することが可能となる。
Further, in the present embodiment, a projection, such as an air cylinder, provided in a conventional apparatus, for example, is not formed in the housing 50. That is, as described above, the opening and closing of the upper support member 84 holding the wafer W is performed by the opening / closing center shaft 110 coaxially supported in the hollow rotary shaft 92.
Since the rotation is performed by the rotation of FIG. 5 (see FIG. 5), there are no protrusions in the housing, so that turbulence does not occur in the gas flowing down in the housing 50, and the discharge of water droplets can be further promoted. Then, the water-containing gas discharged from the gas exhaust port 194 and flowing down collides with the bottom 198 of the gas exhaust container 196 as shown by an arrow D in FIG. After passing through the flow path 206 below the plate 204, it collides with the wall surface of the room 208, and the flow direction is further changed to the side, and then discharged out of the system through the exhaust hole 212. Accordingly, since the moisture contained in the gas is efficiently removed when the flow direction of the gas is changed, the gas exhaust container 196 has a two-stage trap structure of moisture, and the moisture contained in the gas is efficiently removed. It becomes possible to remove it.

【0039】また、気体排気容器196内の流量調整板
206を適宜上下動させて流路206の断面積を変える
ことにより、排出される気体流量を調整することができ
る。一方、前述のように被処理体保持機構52を回転し
つつ乾燥操作を行っている間にはこの両端を支持する軸
受け近傍には清浄気体としての窒素ガスが供給されてい
る。具体的には、図10に示すように、まず、回転軸9
2を支持する軸受60、60間には磁性流体シール部材
176が設けられており、筺体50内側をシールすると
共に2つの軸受のうち筺体50よりも遠く離れたところ
に位置する軸受60にて発生する発塵が磁性流体の作用
によって筺体50内に侵入することを確実に防止するこ
とが可能となる。
The flow rate of the gas to be discharged can be adjusted by moving the flow rate adjusting plate 206 in the gas exhaust container 196 up and down as needed to change the cross-sectional area of the flow path 206. On the other hand, during the drying operation while rotating the processing object holding mechanism 52 as described above, nitrogen gas as a clean gas is supplied to the vicinity of the bearing supporting both ends. Specifically, as shown in FIG.
A magnetic fluid seal member 176 is provided between the bearings 60 that support the bearing 2, and seals the inside of the housing 50 and is generated by the bearing 60 that is located farther away from the housing 50 among the two bearings. It is possible to reliably prevent the generated dust from entering the housing 50 by the action of the magnetic fluid.

【0040】また、磁性流体シール部材176及び筺体
側の軸受60よりも筺体側にはラビリンスシール178
を設け、ここに形成されるラビリンス空間180にはガ
ス供給通路182を介して例えば窒素ガスが供給されて
パージがかけられているので、この窒素ガスは図中左右
に分離して軸受60方向と筺体50方向に流れ、一部の
ガスはガス排出通路184を介して筺体50の下部に排
気される。軸受60方向に向かう一部のパージガスは軸
受60にて発生する発塵及び磁性流体シール部材176
のゴミが筺体50内へ侵入することを防止し、また、筐
体50内へ向かうパージガスは、筺体50側から水分が
磁性流体シール部材176へ侵入することを防止でき、
従って、水分に弱い磁性流体シール部材176の機能を
損なうことがない。特に、軸受60側の被水を防止する
ためには、回転軸92の外周とこれを貫通する筺体50
との間の隙間224をできるだけ小さく設定するのが好
ましい。
The labyrinth seal 178 is provided on the housing side of the magnetic fluid sealing member 176 and the bearing 60 on the housing side.
The labyrinth space 180 formed here is supplied with, for example, nitrogen gas via a gas supply passage 182 and is purged. This nitrogen gas is separated to the left and right in FIG. A part of the gas flows toward the housing 50 and is exhausted to the lower part of the housing 50 through the gas discharge passage 184. A part of the purge gas toward the bearing 60 is generated by the dust generated in the bearing 60 and the magnetic fluid sealing member 176.
Dust can be prevented from entering the housing 50, and the purge gas flowing into the housing 50 can prevent moisture from entering the magnetic fluid seal member 176 from the housing 50 side,
Therefore, the function of the magnetic fluid seal member 176 that is weak to moisture is not impaired. In particular, in order to prevent the bearing 60 from being wet, the outer periphery of the rotary shaft 92 and the housing 50
Is preferably set as small as possible.

【0041】また、図5に示すように被処理体保持機構
52の開閉アーム86及び連結アームを回転可能に支持
する各ベアリング104、114、116等には高速回
転時に大きな荷重がかかり、しかもウエハWから飛散し
た水分により被水するが、これらの各ベアリングはステ
ンレスではなく耐摩耗性及び被水に対して強いセラミッ
クスにより構成されているので、発塵が少なく、しかも
サビも発生せず、保持機構52を安定的に高速回転させ
ることが可能となる。このように、本実施例によれば水
のごとき処理液の付着した被処理体としての半導体ウエ
ハWを、短時間で迅速に且つウエハ表面にパーティクル
等を付着させることなく乾燥させることができる。
As shown in FIG. 5, a large load is applied to the bearings 104, 114, 116, etc., which rotatably support the opening / closing arm 86 and the connecting arm of the workpiece holding mechanism 52 at the time of high speed rotation. These bearings are made of abrasion-resistant and water-resistant ceramics instead of stainless steel. The mechanism 52 can be stably rotated at a high speed. As described above, according to the present embodiment, the semiconductor wafer W to which the processing liquid such as water has adhered can be dried quickly and quickly without causing particles or the like to adhere to the wafer surface.

【0042】また、ウエハWの乾燥時に蓋体50に設け
たイオナイザ76を駆動することによりウエハWの帯電
は防止され、ウエハ表面へのパーティクルの付着を一層
確実に阻止することが可能となる。尚、上記実施例にあ
っては、開閉用中心軸110と中央の回転軸92との係
合離脱を行うためのクラッチ機構134(図6参照)
は、補助アーム170や係合アーム166を用いて比較
的大がかりとなっているが、これを図12及び図13に
示すような電磁クラッチ等を用いて比較的簡単な構成と
してもよい。
In addition, by driving the ionizer 76 provided on the lid 50 during the drying of the wafer W, the charging of the wafer W is prevented, and the adhesion of particles to the wafer surface can be more reliably prevented. In the above embodiment, the clutch mechanism 134 for engaging and disengaging the opening / closing center shaft 110 and the central rotating shaft 92 (see FIG. 6).
Is relatively large using the auxiliary arm 170 and the engagement arm 166, but may be relatively simple using an electromagnetic clutch or the like as shown in FIGS.

【0043】すなわち、図6にも示す先の実施例におい
ては係合ピン154を有する円板状のクラッチアーム1
52は、シャフト164に対してベアリング162を介
して回転自在に設けたが、この実施例においては開閉用
の中心軸110の端部を更に延長させてこれをクラッチ
アーム152の中心孔300に遊嵌状態で接触しないよ
うに挿通させる。そして、このクラッチアーム152の
外周には、リング状のベアリング302を介して例えば
ステンレス製のリング状の補助リング304が回転可能
に設けられており、内側のクラッチアーム152に対し
て自由に回転し得るように構成されている。
That is, in the previous embodiment also shown in FIG. 6, the disc-shaped clutch arm 1 having the engagement pin 154
The shaft 52 is provided rotatably with respect to the shaft 164 via a bearing 162. In this embodiment, the end of the opening / closing center shaft 110 is further extended to allow it to be inserted into the center hole 300 of the clutch arm 152. It is inserted so that it does not touch in the fitted state. A ring-shaped auxiliary ring 304 made of, for example, stainless steel is rotatably provided on the outer periphery of the clutch arm 152 via a ring-shaped bearing 302, and freely rotates with respect to the inner clutch arm 152. Is configured to obtain.

【0044】そして、この補助リング304の側面に
は、移動手段としてのクラッチ水平シリンダ142のア
ーム先端が図中水平方向から取り付け固定されており、
補助リング304とこれに回転自在に連結されるクラッ
チアーム152を中心軸110の軸長さ方向へ移動し得
るように構成されている。従って、この水平シリンダ1
42を伸縮駆動することによりクラッチアーム152に
設けてある係合ピン154が左右に移動し、開閉用の中
心軸110のクラッチ板144と中空の回転軸92の係
合板146との係合離脱を行い得ることになる。
An arm tip of a clutch horizontal cylinder 142 as a moving means is attached and fixed to the side surface of the auxiliary ring 304 from the horizontal direction in the figure.
The auxiliary ring 304 and the clutch arm 152 rotatably connected thereto are configured to be movable in the axial length direction of the central shaft 110. Therefore, this horizontal cylinder 1
When the clutch 42 is extended and retracted, the engagement pin 154 provided on the clutch arm 152 moves left and right, and the engagement and disengagement between the clutch plate 144 of the opening / closing center shaft 110 and the engagement plate 146 of the hollow rotary shaft 92 is released. Can do it.

【0045】一方、延長された上記開閉用の中心軸11
0の先端部には、開閉用の中心軸110の所定角度、例
えば90°回転を行うための駆動シリンダ176との連
結・切り離しを行う電磁クラッチ306が設けられてい
る。具体的には、この電磁クラッチ306は、内部に電
磁石308を備えて開閉用の中心軸110へ一体的に固
定された電磁石板310と、この電磁石板310と並設
されてベアリング312を介して中心軸110に回転可
能に支持された被吸着板314とにより構成されてお
り、この電磁石308をオン・オフすることにより電磁
石板310と被吸着板314との連結・切り離しを自由
に行い得るように構成されている。そして、上記被吸着
板314からは係合アーム166が延びており、この係
合アーム166の先端には、図中上下方向へ伸縮する駆
動源としての駆動シリンダ176のアーム316の先端
がピン318等により回動可能に設けられている。
On the other hand, the extended central shaft 11 for opening and closing is provided.
An electromagnetic clutch 306 for connecting / disconnecting to / from a drive cylinder 176 for rotating the central shaft 110 for opening and closing by a predetermined angle, for example, 90 °, is provided at the leading end of the zero. Specifically, the electromagnetic clutch 306 includes an electromagnet 308 therein and is integrally fixed to the opening / closing central shaft 110, and is provided in parallel with the electromagnet plate 310 via a bearing 312. The electromagnet 308 is turned on and off so that the electromagnet plate 310 can be freely connected and disconnected to and from the attracted plate 314 by turning the electromagnet 308 on and off. Is configured. An engaging arm 166 extends from the attracted plate 314, and a tip of the arm 316 of a driving cylinder 176 as a driving source that expands and contracts in the vertical direction in the drawing is provided at a tip of the engaging arm 166. It is provided so as to be rotatable by the above.

【0046】このような構成によれば、被処理体保持機
構52(図1参照)に収容してあるウエハWを、この下
部及び上部支持部材82、84を回動させて保持する場
合、或いは保持していたウエハWを開放する場合には、
まず、クラッチ水平シリンダ142を駆動させてアーム
を図中右方向へ伸ばすことによりクラッチアーム152
を右方向へ移動して係合ピン154を係合板146の係
合孔158から離脱させ、これにより係合板146とク
ラッチ板144との連結を断つ。従って、この状態では
中空の回転軸92は開閉用の中心軸110に対して回転
フリーの状態となっている。
According to such a configuration, the lower and upper supporting members 82 and 84 hold the wafer W accommodated in the processing object holding mechanism 52 (see FIG. 1), or When releasing the held wafer W,
First, the clutch arm 152 is driven by driving the clutch horizontal cylinder 142 to extend the arm to the right in the drawing.
Is moved rightward to disengage the engagement pin 154 from the engagement hole 158 of the engagement plate 146, thereby disconnecting the connection between the engagement plate 146 and the clutch plate 144. Therefore, in this state, the hollow rotary shaft 92 is free to rotate with respect to the opening / closing central shaft 110.

【0047】次に、開閉用の中心軸110の端部に設け
た電磁クラッチ306の電磁石308に通電してこれを
駆動し、この電磁石板310と被吸着板314とを電磁
気力で結合する。この状態で駆動シリンダ176のアー
ム316を伸長或いは縮退させることによりその駆動力
は電磁クラッチ306を介して開閉用の中心軸110へ
伝達されて、これを所望の方向へ例えば約90°回転さ
せて開閉アーム86を開閉することになる。これにより
ウエハWは保持されたり或いは開放されたりする。一
方、ウエハWを保持した状態で、これを乾燥させるため
に高速回転する場合には、まず、前述のように駆動シリ
ンダ176を操作してウエハWを保持し、この状態で電
磁クラッチ306の電磁石308への通電を断って電磁
石板310と被吸着板314との切り離しを行うと共に
クラッチ水平シリンダ142のアームを図中左方向へ縮
退させてクラッチアーム152を図中左方向へ移動させ
る。これによりクラッチアーム152に設けてある係合
ピン154は係合板146の係合孔158へ挿入され、
この係合板146とクラッチ板144との結合が行われ
る。
Next, the electromagnet 308 of the electromagnetic clutch 306 provided at the end of the opening / closing center shaft 110 is energized and driven to couple the electromagnet plate 310 and the plate 314 to be attracted by electromagnetic force. In this state, by extending or retracting the arm 316 of the drive cylinder 176, the driving force is transmitted to the opening / closing center shaft 110 via the electromagnetic clutch 306, and is rotated in a desired direction by, for example, about 90 °. The opening and closing arm 86 is opened and closed. As a result, the wafer W is held or released. On the other hand, in the case where the wafer W is rotated at a high speed for drying while being held, first, the drive cylinder 176 is operated to hold the wafer W as described above, and the electromagnet of the electromagnetic clutch 306 is held in this state. The power supply to 308 is cut off to separate the electromagnet plate 310 and the plate 314 to be attracted, and the arm of the clutch horizontal cylinder 142 is retracted leftward in the drawing to move the clutch arm 152 leftward in the drawing. As a result, the engagement pin 154 provided on the clutch arm 152 is inserted into the engagement hole 158 of the engagement plate 146,
The engagement between the engagement plate 146 and the clutch plate 144 is performed.

【0048】そして、この状態で中空の回転軸92を回
転駆動することにより、開閉用の中心軸110はロック
された状態で一体的に回転することになる。この時、円
板状のクラッチアーム152は同様に回転することにな
るが、この回転は、これと補助リング304との間に設
けたベアリング302の作用により許容されることにな
る。また、電磁クラッチ306の電磁石板310も同様
に回転することになるが、開閉用の中心軸110の回転
は、これと被吸着板314との間に設けたベアリング3
12の作用により許容されることになる。この構成によ
れば、図6に示す構造に対して比較的簡単な構造を採る
ことができ、部品点数が少なくて済む。
By rotating and driving the hollow rotary shaft 92 in this state, the central shaft 110 for opening and closing is integrally rotated in a locked state. At this time, the disc-shaped clutch arm 152 rotates similarly, but this rotation is permitted by the action of the bearing 302 provided between the clutch arm 152 and the auxiliary ring 304. The electromagnet plate 310 of the electromagnetic clutch 306 also rotates in the same manner, but the rotation of the opening / closing center shaft 110 is caused by the rotation of the bearing 3 provided between this and the plate 314 to be attracted.
12 will be allowed. According to this configuration, a relatively simple structure can be adopted with respect to the structure shown in FIG. 6, and the number of parts can be reduced.

【0049】この実施例にあっては、クラッチ水平シリ
ンダ142を2個設けた場合について記載されている
が、この数に限定されるものではない。尚、上記実施例
にあっては回転処理装置をウエハ乾燥装置に適用した場
合について説明したが、これに限定されず、例えば被処
理体としてLCD基板、プリント基板を乾燥させる場合
にも適用することができる。更には、本発明は、他の回
転処理装置、例えばレジスト塗布装置、現像液塗布装置
等にも適用し得るのは勿論である。
In this embodiment, the case where two clutch horizontal cylinders 142 are provided is described, but the number is not limited to this. In the above embodiment, the case where the rotary processing apparatus is applied to the wafer drying apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a case where an LCD substrate or a printed board is dried as a processing target. Can be. Furthermore, the present invention can of course be applied to other rotation processing apparatuses, for example, a resist coating apparatus, a developer coating apparatus, and the like.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回転処理
装置によれば次のような優れた作用効果を発揮すること
ができる。被処理体を保持する上部支持部材の駆動系を
中空の回転軸内に収容するようにしたので、筐体内の突
起物がなくなり、清浄気体の流れに乱流や滞留が発生す
ることを阻止することができ、清浄気体及びパーティク
ルを円滑に且つ効率的に排出することが可能となる。ま
た、被処理体を上部支持部材と下部支持部材との間に確
実に保持することができる。更に、開閉用の中心軸をこ
の駆動源に接続するために電磁クラッチを用いることに
より、装置全体を小型化することができる。
As described above, according to the rotation processing apparatus of the present invention, the following excellent functions and effects can be exhibited. Since the drive system of the upper support member that holds the object to be processed is accommodated in the hollow rotary shaft, there is no protrusion in the housing, and turbulence and stagnation in the flow of the clean gas are prevented. It is possible to discharge clean gas and particles smoothly and efficiently. Further, the object can be reliably held between the upper support member and the lower support member. Further, by using an electromagnetic clutch to connect the central shaft for opening and closing to this drive source, the entire device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る回転処理装置の一実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a rotation processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示す装置の側面を示す概略側断面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic side sectional view showing a side surface of the apparatus shown in FIG. 1;

【図3】本発明に係る回転処理装置を組み込んだ化学処
理機構を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a chemical treatment mechanism incorporating the rotation processing device according to the present invention.

【図4】回転処理装置内に設けられる被処理体保持機構
を示す拡大側面図である。
FIG. 4 is an enlarged side view showing a workpiece holding mechanism provided in the rotary processing apparatus.

【図5】図4に示す被処理体保持機構を示す要部拡大図
である。
FIG. 5 is an enlarged view of a main part showing the workpiece holding mechanism shown in FIG. 4;

【図6】回転処理装置に設けたクラッチ機構を示す拡大
断面図である。
FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a clutch mechanism provided in the rotation processing device.

【図7】図6に示すクラッチ機構の拡大側面図である。FIG. 7 is an enlarged side view of the clutch mechanism shown in FIG.

【図8】回転処理装置に設けるフィルタ手段の組み付け
状態を説明するための説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining an assembled state of a filter unit provided in the rotation processing device.

【図9】図8に示すフィルタ手段の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of the filter means shown in FIG.

【図10】回転処理装置の軸受機構を示す拡大断面図で
ある。
FIG. 10 is an enlarged sectional view showing a bearing mechanism of the rotation processing device.

【図11】回転処理装置に設けた気体排気容器を示す一
部破断斜視図である。
FIG. 11 is a partially cutaway perspective view showing a gas exhaust container provided in the rotation processing device.

【図12】本発明装置に用いるクラッチ機構の変形例を
示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a modified example of the clutch mechanism used in the device of the present invention.

【図13】図12に示すクラッチ機構の側面を示す概略
図である。
FIG. 13 is a schematic view showing a side surface of the clutch mechanism shown in FIG.

【図14】従来の回転処理装置の一例を示す断面図であ
る。
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional rotation processing device.

【図15】図14に示す装置の側断面図である。15 is a side sectional view of the apparatus shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

44 ウエハ乾燥装置(回転処理装置) 50 筺体 52 被処理体保持機構 54 気体導入口 56 フィルタ手段 60 軸受 62 磁性流体シール部材 66 フィルタ 68 被液防止手段 70A、70B、70C、70D パンチング板 82 下部支持部材 84 上部支持部材 86 開閉アーム 92 回転軸 110 開閉用中心軸 132、134 クラッチ機構 142 クラッチ水平シリンダ(移動手段) 176 駆動シリンダ(駆動源) 180 ラビリンス空間(狭い空間部) 196 気体排気容器 304 補助リング 306 電磁クラッチ 308 電磁石 310 電磁石板 314 被吸着板 W 半導体ウエハ(被処理体) G 清浄空気(清浄気体) 44 Wafer drying device (rotary processing device) 50 Housing 52 Workpiece holding mechanism 54 Gas inlet 56 Filter means 60 Bearing 62 Magnetic fluid seal member 66 Filter 68 Liquid receiving means 70A, 70B, 70C, 70D Punching plate 82 Lower support Member 84 Upper support member 86 Opening / closing arm 92 Rotating shaft 110 Opening / closing central shaft 132, 134 Clutch mechanism 142 Clutch horizontal cylinder (moving means) 176 Drive cylinder (drive source) 180 Labyrinth space (narrow space) 196 Gas exhaust container 304 Auxiliary Ring 306 Electromagnetic clutch 308 Electromagnet 310 Electromagnet plate 314 Plate to be attracted W Semiconductor wafer (object to be processed) G Clean air (clean gas)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体が保持された被処理体保持機構
を筺体内で回転させつつ前記被処理体を処理する回転処
理装置において、前記被処理体保持機構は、前記被処理
体の下部を支持する下部支持部材と、前記被処理体の上
部を支持する上部支持部材と、前記上部支持部材を開閉
する開閉アームとを有し、前記被処理体保持機構は、こ
れを回転可能とする中空の回転軸に連結されると共に前
記開閉アームはこれを駆動すべく前記中空の回転軸に挿
通された開閉用中心軸に連結されることを特徴とする回
転処理装置。
1. A rotary processing apparatus for processing an object to be processed while rotating an object-to-be-processed holding mechanism holding an object to be processed within a housing, wherein the object-to-be-processed holding mechanism includes a lower portion of the object to be processed. A support member for supporting the upper portion of the object to be processed, and an opening / closing arm for opening and closing the upper support member. The mechanism for holding the object to be processed can rotate the object. A rotation processing device, wherein the rotation processing device is connected to a hollow rotation shaft, and the opening / closing arm is connected to an opening / closing center shaft inserted through the hollow rotation shaft to drive the opening / closing arm.
【請求項2】 前記回転軸と前記開閉用中心軸の端部に
は、前記両軸の連結及び切り離しを行うためのクラッチ
機構が設けられていることを特徴とする請求項1記載の
回転処理装置。
2. The rotation process according to claim 1, wherein a clutch mechanism for connecting and disconnecting the two shafts is provided at an end of the rotation shaft and the opening / closing center shaft. apparatus.
【請求項3】 前記クラッチ機構は、前記中空の回転軸
に設けられる係合板と、前記開閉用の中心軸に設けられ
るクラッチ円板と、軸方向に移動して前記係合板と前記
クラッチ円板との係合離脱を行う係合ピンと、前記係合
ピンを軸方向へ移動させる移動手段とにより構成される
ことを特徴する請求項2記載の回転処理装置。
3. The clutch mechanism includes an engagement plate provided on the hollow rotary shaft, a clutch disk provided on the opening / closing central shaft, and an axially movable clutch plate and the clutch disk. 3. The rotation processing device according to claim 2, wherein the rotation processing device comprises an engagement pin for performing engagement and disengagement of the engagement pin, and moving means for moving the engagement pin in an axial direction.
【請求項4】 前記開閉用の中心軸は、電磁クラッチを
介して駆動源に接続されることを特徴とする請求項1乃
至3記載の回転処理装置。
4. The rotation processing device according to claim 1, wherein the central shaft for opening and closing is connected to a drive source via an electromagnetic clutch.
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