JPH05347205A - 電子部品及び電子部品製造方法 - Google Patents
電子部品及び電子部品製造方法Info
- Publication number
- JPH05347205A JPH05347205A JP4155018A JP15501892A JPH05347205A JP H05347205 A JPH05347205 A JP H05347205A JP 4155018 A JP4155018 A JP 4155018A JP 15501892 A JP15501892 A JP 15501892A JP H05347205 A JPH05347205 A JP H05347205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- protective film
- insulating protective
- thin film
- resistance
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶出物による汚染がなく、かつ精密な加工が
可能な電子部品及び電子部品製造方法を提供する。 【構成】抵抗値調整用抵抗パターンを含む薄膜抵抗体よ
りなる抵抗パターン線路が形成されている電子部品の抵
抗パターンを被覆する絶縁性保護膜をレーザビームに対
する透過性が高い材料で構成し、レーザビームにより絶
縁性保護膜の上から抵抗値調整用抵抗パターンの一部を
切断して抵抗値の調整を行う。
可能な電子部品及び電子部品製造方法を提供する。 【構成】抵抗値調整用抵抗パターンを含む薄膜抵抗体よ
りなる抵抗パターン線路が形成されている電子部品の抵
抗パターンを被覆する絶縁性保護膜をレーザビームに対
する透過性が高い材料で構成し、レーザビームにより絶
縁性保護膜の上から抵抗値調整用抵抗パターンの一部を
切断して抵抗値の調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品、特に薄膜抵
抗体を使用した電子部品、及び電子部品製造方法に係る
ものである。
抗体を使用した電子部品、及び電子部品製造方法に係る
ものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ抵抗器・精密抵抗器・ネットワー
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗体等の温度センサ及びハイブリッドＩＣとその複合モ
デュール製品等の電子部品には薄膜抵抗体、厚膜抵抗体
あるいは金属箔抵抗体を使用した抵抗素子が用いられて
いる。
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗体等の温度センサ及びハイブリッドＩＣとその複合モ
デュール製品等の電子部品には薄膜抵抗体、厚膜抵抗体
あるいは金属箔抵抗体を使用した抵抗素子が用いられて
いる。
【０００３】従来の薄膜抵抗器は、絶縁基板上に抵抗薄
膜が被着され、抵抗薄膜の所要個所に取出電極が設けら
れ、この取出電極にリード線の一端部が接続され、この
リード線の他端部が外部に導出されて自由端となり、こ
の自由端がプリント回路基板に挿入される。この従来の
薄膜抵抗器においては、抵抗薄膜に抵抗値を調整するた
めの切断個所が設けられるとともに、抵抗薄膜が絶縁性
保護膜によって覆われている。
膜が被着され、抵抗薄膜の所要個所に取出電極が設けら
れ、この取出電極にリード線の一端部が接続され、この
リード線の他端部が外部に導出されて自由端となり、こ
の自由端がプリント回路基板に挿入される。この従来の
薄膜抵抗器においては、抵抗薄膜に抵抗値を調整するた
めの切断個所が設けられるとともに、抵抗薄膜が絶縁性
保護膜によって覆われている。
【０００４】絶縁基板はセラミックで、抵抗薄膜はＮｉ
−ＣｒあるいはＴａＮ等の抵抗材料で、取出電極はＣｕ
あるいはＮｉで、リード線は線状材やリードフレーム等
で、絶縁性保護膜はエポキシ系樹脂あるいはポリイミド
系樹脂等の耐熱絶縁材料で構成されている。
−ＣｒあるいはＴａＮ等の抵抗材料で、取出電極はＣｕ
あるいはＮｉで、リード線は線状材やリードフレーム等
で、絶縁性保護膜はエポキシ系樹脂あるいはポリイミド
系樹脂等の耐熱絶縁材料で構成されている。
【０００５】抵抗薄膜を用いた電子部品の従来技術にお
ける製造方法を説明する。 絶縁基板上全面にＮｉ−ＣｒやＴａＮ等の薄膜抵抗材
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。 熱処理を行った後、外部接続電極を除く抵抗パターン
を絶縁性保護膜で被覆する。 絶縁性保護膜によって被覆された抵抗値調整用抵抗パ
ターンを、レーザビーム加工あるいはサンドブラスト加
工等により切断して抵抗パターンの抵抗値を調整する。 この抵抗値調整用パターンの切断は、絶縁性保護膜を被
覆する前に行う方法もあるが、一般には絶縁性保護膜層
を形成した後に行われる。
ける製造方法を説明する。 絶縁基板上全面にＮｉ−ＣｒやＴａＮ等の薄膜抵抗材
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。 熱処理を行った後、外部接続電極を除く抵抗パターン
を絶縁性保護膜で被覆する。 絶縁性保護膜によって被覆された抵抗値調整用抵抗パ
ターンを、レーザビーム加工あるいはサンドブラスト加
工等により切断して抵抗パターンの抵抗値を調整する。 この抵抗値調整用パターンの切断は、絶縁性保護膜を被
覆する前に行う方法もあるが、一般には絶縁性保護膜層
を形成した後に行われる。
【０００６】
【従来技術の問題点】このような従来技術において、絶
縁性保護膜層を形成した後にレーザビーム加工によって
抵抗値調整を行う方法の場合、抵抗値調整のためのレー
ザビーム加工の際に絶縁性保護膜の上からレーザビーム
を照射して抵抗薄膜を切断すると、抵抗薄膜を構成して
いる抵抗材料が蒸発する。
縁性保護膜層を形成した後にレーザビーム加工によって
抵抗値調整を行う方法の場合、抵抗値調整のためのレー
ザビーム加工の際に絶縁性保護膜の上からレーザビーム
を照射して抵抗薄膜を切断すると、抵抗薄膜を構成して
いる抵抗材料が蒸発する。
【０００７】この抵抗薄膜はエポキシ系樹脂あるいはポ
リイミド系樹脂からなる絶縁性保護膜により被覆されて
いるため、この絶縁性保護膜に抵抗薄膜材料からの金属
蒸発物を放出する経路を確保する必要があり、高出力の
レーザビームが必要になる。
リイミド系樹脂からなる絶縁性保護膜により被覆されて
いるため、この絶縁性保護膜に抵抗薄膜材料からの金属
蒸発物を放出する経路を確保する必要があり、高出力の
レーザビームが必要になる。
【０００８】また、絶縁性保護膜１３の材料や膜厚等に
よりレーザビームに対する透過、吸収率が変動するた
め、安定した加工を行うために必要以上の高出力レーザ
ビームが必要である。
よりレーザビームに対する透過、吸収率が変動するた
め、安定した加工を行うために必要以上の高出力レーザ
ビームが必要である。
【０００９】しかし、高出力のレーザビームによる加工
は、加工スポットが大きくなることが避けられないた
め、微細加工が困難である。また、高出力のレーザビー
ムによって加工を行うと、加工部周辺の抵抗薄膜の変
質、溶出物・飛散物による汚染、絶縁性保護膜の損傷、
変質、劣化、あるいは、材料間の熱膨張係数差による密
着界面の強度低下、剥離等の問題がある。
は、加工スポットが大きくなることが避けられないた
め、微細加工が困難である。また、高出力のレーザビー
ムによって加工を行うと、加工部周辺の抵抗薄膜の変
質、溶出物・飛散物による汚染、絶縁性保護膜の損傷、
変質、劣化、あるいは、材料間の熱膨張係数差による密
着界面の強度低下、剥離等の問題がある。
【００１０】一方、抵抗値調整を絶縁性保護膜１３を形
成する前に行う方法の場合は、絶縁性保護膜を形成した
後に行なう場合と比較して、低出力のレーザビームによ
って加工することが可能であるが、加工時に溶出物が周
辺に飛散するために、隣接抵抗パターンの汚染・損傷あ
るいは熱履歴による変質の問題がある。
成する前に行う方法の場合は、絶縁性保護膜を形成した
後に行なう場合と比較して、低出力のレーザビームによ
って加工することが可能であるが、加工時に溶出物が周
辺に飛散するために、隣接抵抗パターンの汚染・損傷あ
るいは熱履歴による変質の問題がある。
【００１１】また、サンドブラスト加工法は、アルミナ
粒子を噴射する機械的切削により加工するため、レーザ
ビーム加工が有する問題は生じないが、レーザビームよ
る加工のような精密な加工は不可能である。
粒子を噴射する機械的切削により加工するため、レーザ
ビーム加工が有する問題は生じないが、レーザビームよ
る加工のような精密な加工は不可能である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本願においては、溶出
物による汚染がなく、かつ精密な加工が可能な電子部品
及び電子部品製造方法を提供することを課題とする。
物による汚染がなく、かつ精密な加工が可能な電子部品
及び電子部品製造方法を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願においては薄膜抵抗パターンがレーザビームに
対する透過性の高い絶縁性保護膜で被覆された電子部品
すなわち「絶縁基板上に、抵抗値調整用抵抗パターンを
含む薄膜抵抗体よりなる抵抗パターンが形成されている
電子部品であって、抵抗パターンがレーザビームに対す
る透過性の高い絶縁性保護膜で被覆されている」ことを
特徴とする電子部品の発明、及び、抵抗パターンをレー
ザビームに対する透過性の高い絶縁性保護膜を形成した
後、抵抗値調整用抵抗パターンの一部をレーザビームに
より切断する電子部品製造方法、すなわち、「絶縁基板
上に、抵抗値調整用抵抗パターンを含む薄膜抵抗体より
なる抵抗パターンを形成し、抵抗値調整用抵抗パターン
を切断することにより抵抗値を調整する電子部品製造方
法であって、抵抗パターンをレーザビームに対する透過
性の高い絶縁性保護膜を形成した後、抵抗値調整用抵抗
パターンの一部をレーザビームにより切断」することを
特徴とする電子部品製造方法の発明を提供する。
に、本願においては薄膜抵抗パターンがレーザビームに
対する透過性の高い絶縁性保護膜で被覆された電子部品
すなわち「絶縁基板上に、抵抗値調整用抵抗パターンを
含む薄膜抵抗体よりなる抵抗パターンが形成されている
電子部品であって、抵抗パターンがレーザビームに対す
る透過性の高い絶縁性保護膜で被覆されている」ことを
特徴とする電子部品の発明、及び、抵抗パターンをレー
ザビームに対する透過性の高い絶縁性保護膜を形成した
後、抵抗値調整用抵抗パターンの一部をレーザビームに
より切断する電子部品製造方法、すなわち、「絶縁基板
上に、抵抗値調整用抵抗パターンを含む薄膜抵抗体より
なる抵抗パターンを形成し、抵抗値調整用抵抗パターン
を切断することにより抵抗値を調整する電子部品製造方
法であって、抵抗パターンをレーザビームに対する透過
性の高い絶縁性保護膜を形成した後、抵抗値調整用抵抗
パターンの一部をレーザビームにより切断」することを
特徴とする電子部品製造方法の発明を提供する。
【００１４】
【作用】上記構成を有する本願発明においては、レーザ
ビームが照射された抵抗薄膜が蒸発することにより切断
部が形成され、発生した金属蒸気により絶縁性保護膜の
上部が破裂し、その跡に抵抗薄膜の切断部及び絶縁性保
護膜の空洞部が形成される。
ビームが照射された抵抗薄膜が蒸発することにより切断
部が形成され、発生した金属蒸気により絶縁性保護膜の
上部が破裂し、その跡に抵抗薄膜の切断部及び絶縁性保
護膜の空洞部が形成される。
【００１５】
【実施例】図１、図２及び図３により本願発明に係る電
子部品及び電子部品の製造方法の実施例を説明する。図
１に示すのは本発明に係る電子部品の部分破断斜視図、
図２に示すのはその部分断面拡大図である。
子部品及び電子部品の製造方法の実施例を説明する。図
１に示すのは本発明に係る電子部品の部分破断斜視図、
図２に示すのはその部分断面拡大図である。
【００１６】この図において１は絶縁基板、２は抵抗薄
膜、３は絶縁性保護膜、４は抵抗薄膜の切断個所であ
る。この他に、抵抗薄膜２の所要個所に取出電極が設け
られ、この取出電極にリード線の一端部が接続され、こ
のリード線の他端部が基板１の外部に導出されて自由端
となっており、この自由端がプリント配線基板に挿入さ
れる。
膜、３は絶縁性保護膜、４は抵抗薄膜の切断個所であ
る。この他に、抵抗薄膜２の所要個所に取出電極が設け
られ、この取出電極にリード線の一端部が接続され、こ
のリード線の他端部が基板１の外部に導出されて自由端
となっており、この自由端がプリント配線基板に挿入さ
れる。
【００１７】絶縁基板１はセラミックで、抵抗薄膜２は
Ｎｉ−ＣｒあるいはＴａＮ等の抵抗材料で、取出電極は
ＣｕあるいはＮｉで構成され、リード線は線状材あるい
はリードフレーム等で構成されている点は従来技術と同
様であるが、従来技術における絶縁性保護膜がエポキシ
系樹脂あるいはポリイミド系樹脂等で構成されているの
に対し、本願発明における絶縁性保護膜３はレーザ光の
透過性の高い樹脂で構成されている。
Ｎｉ−ＣｒあるいはＴａＮ等の抵抗材料で、取出電極は
ＣｕあるいはＮｉで構成され、リード線は線状材あるい
はリードフレーム等で構成されている点は従来技術と同
様であるが、従来技術における絶縁性保護膜がエポキシ
系樹脂あるいはポリイミド系樹脂等で構成されているの
に対し、本願発明における絶縁性保護膜３はレーザ光の
透過性の高い樹脂で構成されている。
【００１８】この絶縁性保護膜３に用いるレーザ光の透
過性の高い樹脂として、具体的にはレーザビーム加工に
用いられる波長０. ５〜１. １μｍのレーザ光に対する
透過率が４０％以上であって、膜厚が２〜３０μｍであ
る透明又は半透明のシリコーン樹脂を用いることが望ま
しい。なお、この絶縁性保護膜３はスクリーン印刷法を
用いれば均一な膜を容易に形成することができる。
過性の高い樹脂として、具体的にはレーザビーム加工に
用いられる波長０. ５〜１. １μｍのレーザ光に対する
透過率が４０％以上であって、膜厚が２〜３０μｍであ
る透明又は半透明のシリコーン樹脂を用いることが望ま
しい。なお、この絶縁性保護膜３はスクリーン印刷法を
用いれば均一な膜を容易に形成することができる。
【００１９】本願発明の電子部品製造方法において、 絶縁基板上全面にＮｉ−ＣｒやＴａＮ等の薄膜抵抗材
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。ここまでの各工程は従来の電子部
品製造方法と同様である。
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。ここまでの各工程は従来の電子部
品製造方法と同様である。
【００２０】しかし、本願発明の電子部品に用いられる
絶縁性保護膜がレーザビームの透過性の高い樹脂で構成
されていることから、 熱処理を行った後、取出電極を除く抵抗パターンをレ
ーザビームの透過性の高い絶縁性保護膜で被覆する。 レーザビームの透過性の高い絶縁性保護膜によって被
覆された抵抗値調整用抵抗パターンを、レーザビーム加
工により切断して抵抗パターンの抵抗値を調整する。 の各工程で、従来の電子部品製造方法と異なっている。
絶縁性保護膜がレーザビームの透過性の高い樹脂で構成
されていることから、 熱処理を行った後、取出電極を除く抵抗パターンをレ
ーザビームの透過性の高い絶縁性保護膜で被覆する。 レーザビームの透過性の高い絶縁性保護膜によって被
覆された抵抗値調整用抵抗パターンを、レーザビーム加
工により切断して抵抗パターンの抵抗値を調整する。 の各工程で、従来の電子部品製造方法と異なっている。
【００２１】図３に、レーザビームの透過性の高い樹脂
を絶縁性保護膜として用いた本願発明の電子部品製造方
法における抵抗値調整工程の模式図を示す。
を絶縁性保護膜として用いた本願発明の電子部品製造方
法における抵抗値調整工程の模式図を示す。
【００２２】( ａ) 絶縁基板１上に生成された抵抗薄膜
２及び絶縁性保護膜３にレーザビームを照射すると、レ
ーザビームに対して透過率が高いシリコーン樹脂である
絶縁性保護膜３はレーザビームの吸収が少ないから、レ
ーザビームは抵抗薄膜２に容易に到達し、レーザビーム
が照射された抵抗薄膜２の温度が上昇する。
２及び絶縁性保護膜３にレーザビームを照射すると、レ
ーザビームに対して透過率が高いシリコーン樹脂である
絶縁性保護膜３はレーザビームの吸収が少ないから、レ
ーザビームは抵抗薄膜２に容易に到達し、レーザビーム
が照射された抵抗薄膜２の温度が上昇する。
【００２３】( ｂ) 温度が上昇した抵抗薄膜２が蒸発す
ることにより、抵抗薄膜２に切断部４が形成されるとと
もに、発生した金属蒸気が絶縁性保護膜３を押し上げ、
絶縁性保護膜３にバルーン５が形成される。ここで用い
るシリコーン系樹脂は、低硬度でありかつ弾力性に優れ
ているため、容易にバルーンになる。
ることにより、抵抗薄膜２に切断部４が形成されるとと
もに、発生した金属蒸気が絶縁性保護膜３を押し上げ、
絶縁性保護膜３にバルーン５が形成される。ここで用い
るシリコーン系樹脂は、低硬度でありかつ弾力性に優れ
ているため、容易にバルーンになる。
【００２４】( ｃ) さらに蒸気が発生することによりバ
ルーン５となった絶縁性保護膜３の上部が破裂して破裂
孔６が形成され、ここから発生した金属蒸気が抜け出
す。
ルーン５となった絶縁性保護膜３の上部が破裂して破裂
孔６が形成され、ここから発生した金属蒸気が抜け出
す。
【００２５】( ｄ) 金属蒸気が抜け出した後、シリコー
ン樹脂の有する復元力により絶縁性保護膜３が収縮し、
その跡に抵抗薄膜２に切断部４が、絶縁性保護膜３に空
洞部７が形成される。
ン樹脂の有する復元力により絶縁性保護膜３が収縮し、
その跡に抵抗薄膜２に切断部４が、絶縁性保護膜３に空
洞部７が形成される。
【００２６】絶縁性保護膜の厚さが２μｍ未満の場合
は、ピンホールが発生し易いとともに塗布表面の粗さに
より凹凸部のカバーレッジ性が悪くなるため、十分な保
護膜効果が得られず信頼性面で劣る。また、絶縁性保護
膜の厚さが３０μｍ以上の場合は、レーザビーム加工に
よって発生する蒸発物が残存し易くなる。そのため、絶
縁性保護膜の厚さは、２〜３０μｍであることが望まし
い、レーザビーム加工に用いられる波長０. ５〜１. １
μｍのレーザビームに対する絶縁性保護膜の透過率が４
０％以下になると絶縁性保護膜内での光吸収が増大し、
抵抗薄膜へ到達する光の量が不十分となり、レーザビー
ム加工が困難になる。また、高出力のレーザビームを用
いると加工スポットが大きくなり、微細加工が出来なく
なるため、工業的利用が困難になると同時に、絶縁性保
護膜、抵抗薄膜及び周辺部への損傷、変質等を招き、信
頼性面での問題が生じる。したがって、レーザビーム加
工に用いられる波長０. ５〜１. １μｍのレーザビーム
に対する絶縁性保護膜の透過率は４０％以上あることが
望ましい。
は、ピンホールが発生し易いとともに塗布表面の粗さに
より凹凸部のカバーレッジ性が悪くなるため、十分な保
護膜効果が得られず信頼性面で劣る。また、絶縁性保護
膜の厚さが３０μｍ以上の場合は、レーザビーム加工に
よって発生する蒸発物が残存し易くなる。そのため、絶
縁性保護膜の厚さは、２〜３０μｍであることが望まし
い、レーザビーム加工に用いられる波長０. ５〜１. １
μｍのレーザビームに対する絶縁性保護膜の透過率が４
０％以下になると絶縁性保護膜内での光吸収が増大し、
抵抗薄膜へ到達する光の量が不十分となり、レーザビー
ム加工が困難になる。また、高出力のレーザビームを用
いると加工スポットが大きくなり、微細加工が出来なく
なるため、工業的利用が困難になると同時に、絶縁性保
護膜、抵抗薄膜及び周辺部への損傷、変質等を招き、信
頼性面での問題が生じる。したがって、レーザビーム加
工に用いられる波長０. ５〜１. １μｍのレーザビーム
に対する絶縁性保護膜の透過率は４０％以上あることが
望ましい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本願各発明の構成
によれば、絶縁性保護膜の下に形成された抵抗薄膜を切
断して抵抗値の調整を行うことが低出力のレーザビーム
によって可能となる。また、絶縁性保護膜として、高弾
性・高復元力のシリコーン樹脂を用いることにより、加
工時におけるダメージを小さくすることができる。そし
て、本発明は低出力のレーザビームを用いて加工を行う
ことができるから、レーザビームの走査を行っても、絶
縁性保護膜を加熱することがなく、抵抗膜の必要な切断
部のみを切断することができるから、抵抗値の調整を容
易に行うことができる。
によれば、絶縁性保護膜の下に形成された抵抗薄膜を切
断して抵抗値の調整を行うことが低出力のレーザビーム
によって可能となる。また、絶縁性保護膜として、高弾
性・高復元力のシリコーン樹脂を用いることにより、加
工時におけるダメージを小さくすることができる。そし
て、本発明は低出力のレーザビームを用いて加工を行う
ことができるから、レーザビームの走査を行っても、絶
縁性保護膜を加熱することがなく、抵抗膜の必要な切断
部のみを切断することができるから、抵抗値の調整を容
易に行うことができる。
【図１】本発明に係る電子部品の部分破断斜視図
【図２】本発明に係る電子部品の部分断面拡大図
【図３】本願発明の電子部品製造方法における抵抗値調
整工程の模式図
整工程の模式図
１ 絶縁基板 ２ 抵抗薄膜 ３ 絶縁性保護膜 ４ 切断部 ５ バルーン ６ 破裂孔 ７ 空洞部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大須賀 一行 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐々木 勇 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 及川 泰伸 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上に、抵抗値調整用抵抗パター
ンを含む薄膜抵抗体よりなる抵抗パターンが形成されて
いる電子部品であって、前記抵抗パターンがレーザビー
ムに対する透過性の高い絶縁性保護膜で被覆されている
ことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 絶縁性保護膜が、波長０. ５〜１. １μ
ｍのレーザビームに対して４０％以上の透過率を有する
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 絶縁性保護膜が、２〜３０μｍの膜厚を
有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電
子部品。 - 【請求項４】 絶縁基板上に、抵抗値調整用抵抗パター
ンを含む薄膜抵抗体よりなる抵抗パターンを形成し、前
記抵抗値調整用抵抗パターンを切断することにより抵抗
値を調整する電子部品製造方法であって、前記抵抗パタ
ーンをレーザビームに対する透過性の高い絶縁性保護膜
を形成した後、前記抵抗値調整用抵抗パターンの一部を
レーザビームにより切断することを特徴とする電子部品
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155018A JPH05347205A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155018A JPH05347205A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347205A true JPH05347205A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15596878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155018A Withdrawn JPH05347205A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894025B1 (ko) * | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4155018A patent/JPH05347205A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894025B1 (ko) * | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |