JPH05343523A - Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit - Google Patents

Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit

Info

Publication number
JPH05343523A
JPH05343523A JP15226992A JP15226992A JPH05343523A JP H05343523 A JPH05343523 A JP H05343523A JP 15226992 A JP15226992 A JP 15226992A JP 15226992 A JP15226992 A JP 15226992A JP H05343523 A JPH05343523 A JP H05343523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
circuit
dynamic circuit
macro cell
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP15226992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Yamaguchi
和哉 山口
Masanori Haraguchi
政則 原口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP15226992A priority Critical patent/JPH05343523A/en
Publication of JPH05343523A publication Critical patent/JPH05343523A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent that an electrical signal held in a capacitor in a dynamic circuit is destroyed by inhibiting that an automatic wiring is passed on a pattern for the dynamic circuit formed in a macrocell. CONSTITUTION:First, many circuit patterns are registered in a library as macrocells 6a, 6b, 7. Then, an automatic wiring region 22 is registered in the library in such a way that an automatic wiring 1 is not passed on a pattern for a dynamic circuit inside the macrocell 7 which is provided with a dynamic circuit 5 in which an electrical signal is held in a capacitor when an integrated circuit is designed, patterns for various kinds of circuits are combined variously on the basis of data registered in the library, and a pattern for the semiconductor circuit is formed by using the automatic wiring inhibition region 22. In the semiconductor integrated circuit which is obtained by this method, the electrical signal which is held in the capacitor formed in the dynamic circuit 5 is not destroyed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、セミカスタム集積回
路におけるマクロセルの配線方法に関するものであり、
特にダイナミック回路を有するマクロセルの自動配線に
使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a macro cell wiring method in a semi-custom integrated circuit,
In particular, it is used for automatic wiring of a macro cell having a dynamic circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイナミック回路を含むマクロセルの従
来の自動配置、自動配線方法について図2乃至図7を参
照して説明する。図2は、コンデンサに電気信号を保持
するダイナミック回路を含むマクロセルを自動配置、自
動配線した状態を示すパターン平面図である。
2. Description of the Related Art A conventional automatic placement and wiring method for a macro cell including a dynamic circuit will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a pattern plan view showing a state in which macro cells including a dynamic circuit that holds an electric signal in a capacitor are automatically arranged and automatically wired.

【0003】図2の106a、106b、107はマク
ロセルである。マクロセル106aには入出力端子10
3a〜103cが配置され、マクロセル107には入出
力端子103d〜103fが配置され、マクロセル10
6bには入出力端子103g〜103jが配置されてい
る。各マクロセル106a、106b、107cに形成
された入出力端子103a〜103jは、所望の集積回
路を構成する為に自動配線101によって選択的に接続
される。自動配線101における横方向の配線部と縦方
向の配線部とがコンタクト102a〜102uにより接
続される。
Reference numerals 106a, 106b and 107 in FIG. 2 denote macro cells. The macro cell 106a has an input / output terminal 10
3a to 103c are arranged, input / output terminals 103d to 103f are arranged in the macro cell 107,
Input / output terminals 103g to 103j are arranged at 6b. The input / output terminals 103a to 103j formed in each macro cell 106a, 106b, 107c are selectively connected by the automatic wiring 101 to form a desired integrated circuit. The horizontal wiring portion and the vertical wiring portion of the automatic wiring 101 are connected by the contacts 102a to 102u.

【0004】また、マクロセル106aには自動配線が
パターン上を通過できるスルー配線領域104a、10
4bが形成され、マクロセル107にはスルー配線領域
104c〜104fが形成され、マクロセル106bに
はスルー配線領域104g、104hが形成されてい
る。
Further, in the macro cell 106a, through wiring regions 104a, 10a in which automatic wiring can pass over the pattern are provided.
4b is formed, through wiring regions 104c to 104f are formed in the macro cell 107, and through wiring regions 104g and 104h are formed in the macro cell 106b.

【0005】さらに、マクロセル107内には、後述す
るコンデンサに電気信号を保持するダイナミック回路1
05を有する。このマクロセル107に設計されたダイ
ナミック回路105のパターン上は上述のようにスルー
配線領域104c、104dになっているので、自動配
線101が通過している。
Further, in the macro cell 107, a dynamic circuit 1 for holding an electric signal in a capacitor described later is provided.
Have 05. Since the through wiring regions 104c and 104d are formed on the pattern of the dynamic circuit 105 designed in the macro cell 107 as described above, the automatic wiring 101 passes through.

【0006】図3は、図2のダイナミック回路105の
一部を拡大したパターン平面図であり、図4は図3のY
−Y´線に沿った断面図である。これらの図では、マク
ロセル内に形成されたダイナミック回路のパターン上に
自動配線101を配置した時の状態を示している。
FIG. 3 is an enlarged pattern plan view of a part of the dynamic circuit 105 shown in FIG. 2, and FIG.
It is a sectional view taken along the line -Y '. In these figures, the automatic wiring 101 is arranged on the pattern of the dynamic circuit formed in the macro cell.

【0007】図4の半導体基板114には、P+ 拡散領
域127、Pウェル拡散領域128が形成されている。
Pウェル拡散領域128には、N+ 拡散領域129が形
成されている。また、電源アルミ126aと配線アルミ
131間にはゲート電極130aが形成され、電源アル
ミ126bと配線アルミ131間にはゲート電極130
bが形成されている。
[0007] semiconductor substrate 114 in FIG. 4, P + A diffusion region 127 and a P well diffusion region 128 are formed.
In the P well diffusion region 128, N + A diffusion region 129 is formed. A gate electrode 130a is formed between the power supply aluminum 126a and the wiring aluminum 131, and a gate electrode 130 is formed between the power supply aluminum 126b and the wiring aluminum 131.
b is formed.

【0008】制御信号φ1、φ1 ̄(φ1 ̄はφ1の反
転信号を示す)、入力信号INは、図3の所定のゲート
電極に供給されており、また制御信号φ2、φ2 ̄は所
定のゲート電極に供給されており、出力信号OUTは後
述するクロックドインバータの出力端から出力される。
図4に示すように、配線アルミ131のA点と半導体基
板114間に形成されるコンデンサ115は電気信号を
保持する。また、図4に示すように自動配線101を配
線アルミ上に形成すると、配線アルミ131のA点と自
動配線101の間にコンデンサ119が形成される。
The control signals φ1, φ1 (φ1 — represents an inverted signal of φ1) and the input signal IN are supplied to predetermined gate electrodes in FIG. 3, and the control signals φ2, φ2 — are predetermined gates. The output signal OUT, which is supplied to the electrodes, is output from the output terminal of a clocked inverter described later.
As shown in FIG. 4, the capacitor 115 formed between the point A of the wiring aluminum 131 and the semiconductor substrate 114 holds an electric signal. When the automatic wiring 101 is formed on the wiring aluminum as shown in FIG. 4, a capacitor 119 is formed between the point A of the wiring aluminum 131 and the automatic wiring 101.

【0009】図5は、図3に示すダイナミック回路の具
体的な構成例を示すものであり、信号線Aによって縦続
接続されるクロックドインバータ123a、123bか
ら構成されている。
FIG. 5 shows a specific example of the configuration of the dynamic circuit shown in FIG. 3, which is composed of clocked inverters 123a and 123b which are cascaded by a signal line A.

【0010】図6は、図5に示すクロックドインバータ
123a、123bの具体的な構成例を示したものであ
る。図6に示すように、クロックドインバータ123a
はPチャネルMOSFET124a、NチャネルMOS
FET125b、制御用のPチャネルMOSFET12
4b、制御用のNチャネルMOSFET125aから構
成されている。制御用のPチャネルMOSFET124
bのゲート電極には制御信号φ1 ̄、制御用のNチャネ
ルMOSFET125aのゲート電極には制御信号φ1
が供給されている。
FIG. 6 shows a concrete configuration example of the clocked inverters 123a and 123b shown in FIG. As shown in FIG. 6, the clocked inverter 123a
Is a P-channel MOSFET 124a, N-channel MOS
FET 125b, P-channel MOSFET 12 for control
4b, an N-channel MOSFET 125a for control. P-channel MOSFET 124 for control
The control signal φ1 is applied to the gate electrode of b and the control signal φ1 is applied to the gate electrode of the control N-channel MOSFET 125a.
Is being supplied.

【0011】クロックドインバータ123bは、Pチャ
ネルMOSFET124c、NチャネルMOSFET1
25d、制御用のPチャネルMOSFET124d、制
御用のNチャネルMOSFET125cから構成されて
いる。制御用のPチャネルMOSFET124dのゲー
ト電極には制御信号φ2 ̄、制御用のNチャネルMOS
FET125cのゲート電極には制御信号φ2が供給さ
れている。
The clocked inverter 123b includes a P-channel MOSFET 124c and an N-channel MOSFET 1
25d, a control P-channel MOSFET 124d, and a control N-channel MOSFET 125c. The gate electrode of the control P-channel MOSFET 124d has a control signal φ2 and a control N-channel MOS.
The control signal φ2 is supplied to the gate electrode of the FET 125c.

【0012】尚、図6に示す制御信号φ1、φ1 ̄、φ
2、φ2 ̄、入力信号IN、出力信号OUTは図3に示
す制御信号φ1、φ1 ̄、φ2、φ2 ̄、入力信号I
N、出力信号OUTに対応している。
The control signals φ1, φ1 and φ shown in FIG.
2, φ2 — input signal IN, output signal OUT are control signals φ1, φ1 — φ2, φ2 — input signal I shown in FIG.
N, corresponding to the output signal OUT.

【0013】図7(a)はクロックドインバータ123
aに供給される制御信号φ1、図7(b)はクロックド
インバータ123bに供給される制御信号φ2、図7
(c)は図5に示す入力信号IN、図7(d)は自動配
線に供給される信号のレベルを示している。
FIG. 7A shows a clocked inverter 123.
7A is a control signal φ1 supplied to a, and FIG. 7B is a control signal φ2 supplied to the clocked inverter 123b.
7C shows the input signal IN shown in FIG. 5, and FIG. 7D shows the level of the signal supplied to the automatic wiring.

【0014】自動配線がダイナミック回路のコンデンサ
上に形成され、図7(a)〜(c)に示す信号がダイナ
ミック回路に供給されると、図7(e)の接続線Aは図
7(d)に示す自動配線の信号のレベルの影響を受け
る。即ち、図5、6に示す接続線Aの電位は、図7
(e)に示すように一時的にハイ(一点鎖線121)か
ら一時的にロウレベル(120)に立ち下がる。
When the automatic wiring is formed on the capacitor of the dynamic circuit and the signals shown in FIGS. 7A to 7C are supplied to the dynamic circuit, the connection line A of FIG. ) Affected by the signal level of the automatic wiring. That is, the potential of the connection line A shown in FIGS.
As shown in (e), it temporarily falls from high (dotted line 121) to low level (120).

【0015】さらに、接続線Aの電位の変化(120)
を受けて、出力信号OUTは図7(f)に示すように、
ロウ(一点鎖線121)から一時的にハイレベルに立ち
上がる。
Further, the change in the potential of the connecting line A (120)
In response to this, the output signal OUT is, as shown in FIG.
A low level (dashed-dotted line 121) temporarily rises to a high level.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、マク
ロセルのダイナミック回路のパターン上に自動配線が通
過すると、ダイナミック回路内のコンデンサに保持され
た電気信号が破壊されてしまうという問題がある。
As described above, when the automatic wiring passes over the pattern of the dynamic circuit of the macrocell, there is a problem that the electric signal held in the capacitor in the dynamic circuit is destroyed.

【0017】この発明は、上記実情に鑑みなされたもの
で、コンデンサに電気信号を保持するダイナミック回路
を含むマクロセルの、そのダイナミック回路のパターン
上を自動配線の通過を禁止することによって、コンデン
サに保持されている電気信号の破壊を防止するセミカス
タム集積回路におけるマクロセルの配線方法を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and holds a capacitor in a capacitor by prohibiting passage of automatic wiring on the pattern of the dynamic circuit of a macro cell including a dynamic circuit for holding an electric signal in the capacitor. It is an object of the present invention to provide a wiring method of a macro cell in a semi-custom integrated circuit that prevents the destruction of the electric signal being used.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明に係るセミカス
タム集積回路におけるマクロセルの配線方法は、集積回
路の設計前に、各種の回路パターンをマクロセルとして
ライブラリに登録する第1の工程と、集積回路の設計前
にコンデンサに電気信号を保持するダイナミック回路を
有するマクロセルのパターン上を自動配線禁止領域に指
定し、ライブラリに登録する第2の工程と、上記第1、
第2の工程でライブラリに登録したデータに基づいて自
動配置、自動配線を行うことにより、所望の集積回路を
形成する第3の工程とを具備し、マクロセルのダイナミ
ック回路のパターン上を避けて自動配線することを特徴
とする。
A macrocell wiring method in a semi-custom integrated circuit according to the present invention comprises a first step of registering various circuit patterns as a macrocell in a library before designing the integrated circuit, and an integrated circuit. Prior to designing, a second step of designating a macrocell pattern having a dynamic circuit for holding an electric signal in a capacitor as an automatic wiring prohibited area and registering it in a library;
It has a third step of forming a desired integrated circuit by automatically arranging and wiring based on the data registered in the library in the second step, and automatically avoiding the pattern of the dynamic circuit of the macrocell. It is characterized by wiring.

【0019】[0019]

【作用】第1、第2の工程で、ライブラリに登録したデ
ータに基づいて自動配置、自動配線を行い、第3の工程
によって所望の集積回路が形成されるので、マクロセル
のダイナミック回路のパターン上を避けて自動配線した
セミカスタム集積回路が得られる。このセミカスタム集
積回路によって、ダイナミック回路のコンデンサに保持
される電気信号の破壊を防止できる。
In the first and second steps, automatic placement and wiring are performed based on the data registered in the library, and a desired integrated circuit is formed by the third step. A semi-custom integrated circuit with automatic wiring avoiding is obtained. With this semi-custom integrated circuit, it is possible to prevent the electric signal held in the capacitor of the dynamic circuit from being destroyed.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
係るセミカスタム集積回路におけるマクロセルの配線方
法(以下、マクロセル配線方法)について説明する。図
1は、この発明の一実施例に係るコンデンサに電気信号
を保持するダイナミック回路を含むマクロセルの自動配
置、自動配線の状態を示すパターン平面図である。尚、
ダイナミック回路(例えば、DRAM)は信号を一時記
憶する機能を有する回路のことである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A macrocell wiring method (hereinafter referred to as macrocell wiring method) in a semi-custom integrated circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a pattern plan view showing a state of automatic placement and automatic wiring of macro cells including a dynamic circuit for holding an electric signal in a capacitor according to an embodiment of the present invention. still,
A dynamic circuit (eg, DRAM) is a circuit having a function of temporarily storing a signal.

【0021】図1の6a、6b、7はマクロセルであ
る。マクロセル6aには入出力端子3a〜3cが配置さ
れ、マクロセル7には入出力端子3d〜3fが配置さ
れ、マクロセル6bには入出力端子3g〜3jが配置さ
れている。各マクロセル6a、7、6bに形成された入
出力端子3a〜3jは、所望の集積回路を構成する為に
自動配線1によって選択的に接続される。自動配線1に
おける横方向の配線部と縦方向の配線部とがコンタクト
2a〜2qにより接続される。
Reference numerals 6a, 6b and 7 in FIG. 1 denote macro cells. Input / output terminals 3a to 3c are arranged in the macro cell 6a, input / output terminals 3d to 3f are arranged in the macro cell 7, and input / output terminals 3g to 3j are arranged in the macro cell 6b. The input / output terminals 3a to 3j formed in each of the macro cells 6a, 7 and 6b are selectively connected by the automatic wiring 1 to form a desired integrated circuit. The horizontal wiring portion and the vertical wiring portion of the automatic wiring 1 are connected by the contacts 2a to 2q.

【0022】また、マクロセル6aには自動配線がパタ
ーン上を通過できるスルー配線領域4a、4bが形成さ
れ、マクロセル7にはスルー配線領域4cが形成され、
マクロセル6bにはスルー配線領域4d、4eが形成さ
れている。スルー配線領域4a、4c、4eには、自動
配線1が配置されている。
Further, the macro cell 6a is formed with through wiring regions 4a and 4b through which automatic wiring can pass on the pattern, and the macro cell 7 is formed with a through wiring region 4c.
Through wiring regions 4d and 4e are formed in the macro cell 6b. The automatic wiring 1 is arranged in the through wiring regions 4a, 4c, 4e.

【0023】さらに、マクロセル7は、コンデンサに電
気信号を保持するダイナミック回路5を有する。このマ
クロセル7に設計されたダイナミック回路5のパターン
上には自動配線禁止領域22に形成されている。次に、
マクロセル配線方法によるセミカスタム集積回路の設計
について説明する。
Further, the macro cell 7 has a dynamic circuit 5 for holding an electric signal in a capacitor. An automatic wiring prohibited area 22 is formed on the pattern of the dynamic circuit 5 designed in the macro cell 7. next,
The design of a semi-custom integrated circuit by the macro cell wiring method will be described.

【0024】まず、セミカスタム集積回路の設計前に、
多数の組合せ回路、あるいは順序回路をマクロセルとし
て準備しておく。上記の組合せ回路は、現在の入力信号
で直ちに出力を決定する論理回路のことであり、例え
ば、インバータ、オアゲート、アンドゲートなどを組み
合わせたもののことである。また、順序回路とは、入力
信号を一時記憶する機能を持つ論理回路であり、例えば
ラッチ回路、メモリ等のことである。
First, before designing the semi-custom integrated circuit,
A large number of combinational circuits or sequential circuits are prepared as macrocells. The combination circuit is a logic circuit that immediately determines the output based on the current input signal, and is, for example, a combination of an inverter, an OR gate, and an AND gate. Further, the sequential circuit is a logic circuit having a function of temporarily storing an input signal and is, for example, a latch circuit, a memory, or the like.

【0025】即ち、各種の回路のパターンを基本パター
ンとしてライブラリ化して図示せぬ計算機のメモリに蓄
えておく。また、マクロセルのダイナミック回路のパタ
ーン上を自動配線禁止領域として指定し、ライブラリ化
して計算機のメモリに蓄えておく。
That is, the patterns of various circuits are made into a library as a basic pattern and stored in a memory of a computer (not shown). In addition, the pattern of the dynamic circuit of the macro cell is designated as an automatic wiring prohibited area, which is made into a library and stored in the memory of the computer.

【0026】設計にあたっては、このライブラリに蓄え
られた各種の回路のパターンをCAD法により種々組み
合わせ、配線禁止領域を使用してセミカスタム集積回路
を設計する。
In designing, the patterns of various circuits stored in this library are variously combined by the CAD method, and the semi-custom integrated circuit is designed using the wiring prohibited area.

【0027】上記実施例により、図1に示すような、ダ
イナミック回路上に自動配線禁止領域22が形成された
マクロセル7を得る。ダイナミック回路のパターン上に
自動配線禁止領域22が形成される為、得られたマクロ
セルは、そのダイナミック回路の配線アルミ内に形成さ
れたコンデンサ上に自動配線されない。よって、配線ア
ルミと自動配線間にコンデンサは形成されず、自動配線
に供給される信号のレベルの影響を受けないので、配線
アルミ内に形成されたコンデンサに保持された電気信号
は破壊されない。
According to the above embodiment, the macro cell 7 having the automatic wiring prohibited area 22 formed on the dynamic circuit as shown in FIG. 1 is obtained. Since the automatic wiring prohibited area 22 is formed on the pattern of the dynamic circuit, the obtained macro cell is not automatically wired on the capacitor formed in the wiring aluminum of the dynamic circuit. Therefore, a capacitor is not formed between the wiring aluminum and the automatic wiring and is not affected by the level of the signal supplied to the automatic wiring, so that the electric signal held by the capacitor formed in the wiring aluminum is not destroyed.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
マクロセルに形成されるダイナミック回路のパターン上
の自動配線の通過を禁止するので、コンデンサに保持さ
れている電気信号の破壊を防止するセミカスタム集積回
路におけるマクロセルの配線方法を提供することができ
る。
As described above, according to the present invention,
Since the passage of the automatic wiring on the pattern of the dynamic circuit formed in the macro cell is prohibited, it is possible to provide the wiring method of the macro cell in the semi-custom integrated circuit which prevents the electric signal held in the capacitor from being destroyed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例に係るダイナミック回路を
含むマクロセルの自動配置、自動配線のパターン平面
図。
FIG. 1 is a pattern plan view of automatic placement and automatic wiring of macro cells including a dynamic circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のダイナミック回路を含むマクロセルの自
動配置、自動配線を示すパターン平面図。
FIG. 2 is a pattern plan view showing automatic placement and automatic wiring of macro cells including a conventional dynamic circuit.

【図3】ダイナミック回路のパターン平面図。FIG. 3 is a plan view of a pattern of a dynamic circuit.

【図4】ダイナミック回路の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a dynamic circuit.

【図5】ダイナミック回路の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of a dynamic circuit.

【図6】ダイナミック回路を構成するクロックドインバ
ータの詳細を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing details of a clocked inverter forming a dynamic circuit.

【図7】ダイナミック回路の動作を示すタイミングチャ
ート。
FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the dynamic circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…自動配線、2a〜2q…自動配線コンタクト、3a
〜3j…入出力端子、4a〜4e…スルー配線領域、5
…ダイナミック回路、6a、6b、7…マクロセル、2
2…自動配線禁止領域。
1 ... Automatic wiring, 2a-2q ... Automatic wiring contact, 3a
~ 3j ... I / O terminals, 4a-4e ... Through wiring area, 5
... Dynamic circuit, 6a, 6b, 7 ... Macro cell, 2
2 ... Automatic wiring prohibited area.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路の設計前に、各種の回路パター
ンをマクロセルとしてライブラリに登録する第1の工程
と、 集積回路の設計前にコンデンサに電気信号を保持するダ
イナミック回路を有するマクロセルのパターン上を自動
配線禁止領域に指定し、ライブラリに登録する第2の工
程と、 上記第1、第2の工程でライブラリに登録したデータに
基づいて自動配置、自動配線を行うことにより、所望の
集積回路を形成する第3の工程とを具備し、 マクロセルのダイナミック回路のパターン上を避けて自
動配線することを特徴とするセミカスタム集積回路にお
けるマクロセルの配線方法。
1. A first step of registering various circuit patterns in a library as a macro cell before designing an integrated circuit, and a macro cell pattern having a dynamic circuit for holding an electric signal in a capacitor before designing the integrated circuit. Is designated as an automatic wiring prohibited area and registered in the library, and a desired integrated circuit is obtained by performing automatic placement and automatic wiring based on the data registered in the library in the first and second steps. And a third step of forming a macro cell, wherein the wiring is performed automatically while avoiding the pattern of the dynamic circuit of the macro cell.
JP15226992A 1992-06-11 1992-06-11 Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit Withdrawn JPH05343523A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15226992A JPH05343523A (en) 1992-06-11 1992-06-11 Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15226992A JPH05343523A (en) 1992-06-11 1992-06-11 Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05343523A true JPH05343523A (en) 1993-12-24

Family

ID=15536808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15226992A Withdrawn JPH05343523A (en) 1992-06-11 1992-06-11 Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05343523A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6275784B1 (en) 1998-01-26 2001-08-14 Nec Corporation Design method of routing signal lines between circuit blocks for equalizing characteristics of circuit blocks and semiconductor integrated circuit device designed therethrough

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6275784B1 (en) 1998-01-26 2001-08-14 Nec Corporation Design method of routing signal lines between circuit blocks for equalizing characteristics of circuit blocks and semiconductor integrated circuit device designed therethrough

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3847147B2 (en) Multi-threshold voltage MIS integrated circuit device and circuit design method thereof
US20010005153A1 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2682397B2 (en) Cell-based design semiconductor integrated circuit device
US6121644A (en) Semiconductor integrated circuit device and method of arranging and wiring cells
JPH05343523A (en) Method of macrocell wiring in semicustom integrated circuit
US4766476A (en) C-MOS technology base cell
US5434436A (en) Master-slice type semiconductor integrated circuit device having multi-power supply voltage
JPH02268467A (en) Semiconductor integrated circuit
JP3644138B2 (en) Semiconductor integrated circuit and placement and routing method thereof
JP3439410B2 (en) Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated
JPS5836507B2 (en) Semiconductor voltage distribution system
JPS6388855A (en) Integrated circuit device
JPH05299508A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH11204766A (en) Semiconductor integrated circuit and its design method
JPH03266462A (en) Semiconductor memory device
JPH11260925A (en) Semiconductor integrated circuit device and method for automatic arranging and wiring method
JPS60119773A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit
JPS61191047A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0727981B2 (en) Semiconductor device
JPS5830678B2 (en) Fixed memory circuit
JPH0575073A (en) Field-effect semiconductor integrated circuit device
JPH0345552B2 (en)
JPH0297121A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH11265998A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPH01235371A (en) Semiconductor integrated circuit device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990831