JPH05343289A - 露光処理方法 - Google Patents
露光処理方法Info
- Publication number
- JPH05343289A JPH05343289A JP4149624A JP14962492A JPH05343289A JP H05343289 A JPH05343289 A JP H05343289A JP 4149624 A JP4149624 A JP 4149624A JP 14962492 A JP14962492 A JP 14962492A JP H05343289 A JPH05343289 A JP H05343289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask pattern
- pattern
- exposure
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地パターンとマスクパターンの重ね合わせ
を正確に行え、位置合わせ精度の向上を図ることができ
る露光処理方法を提供する。 【構成】 粗合わせ用Ｘ方向位置マーク３、Ｙ方向位置
マーク４および微調整用Ｘ方向位置マーク７、Ｙ方向位
置マーク８により下地パターンとマスクパターンの位置
合わせを行い、その後ウェーハ２上の数箇所のショット
１４に露光を行い、いったんウェーハステージ１および
ウェーハ２を熱膨張させておき、この露光後に露光を行
ったショット１４内に形成された微調整用Ｘ方向位置マ
ーク７、Ｙ方向位置マーク８により再度下地パターンと
マスクパターンの位置合わせを行い、ウェーハの熱膨張
による位置合わせのずれを補正した後にウェーハの未露
光部分を露光する。
を正確に行え、位置合わせ精度の向上を図ることができ
る露光処理方法を提供する。 【構成】 粗合わせ用Ｘ方向位置マーク３、Ｙ方向位置
マーク４および微調整用Ｘ方向位置マーク７、Ｙ方向位
置マーク８により下地パターンとマスクパターンの位置
合わせを行い、その後ウェーハ２上の数箇所のショット
１４に露光を行い、いったんウェーハステージ１および
ウェーハ２を熱膨張させておき、この露光後に露光を行
ったショット１４内に形成された微調整用Ｘ方向位置マ
ーク７、Ｙ方向位置マーク８により再度下地パターンと
マスクパターンの位置合わせを行い、ウェーハの熱膨張
による位置合わせのずれを補正した後にウェーハの未露
光部分を露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハ製造
工程における露光処理方法に関するものである。
工程における露光処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】あるパターンがすでに形成された半導体
ウェーハ上に、マスクパターンを重ね合わせて露光処理
する方法としては、ウェーハ上に形成された粗調整用位
置合わせマークによりＸ方向、Ｙ方向の位置合わせを行
い、さらにウェーハ上の各ショット上の数箇所に形成し
た微調整用位置合わせマークによりＸ方向、Ｙ方向の位
置合わせを行って露光する方法が良く知られている。近
年、半導体装置の微細化に伴いマスクパターンの位置合
わせ精度の向上を図った露光処理方法が求めらている。
ウェーハ上に、マスクパターンを重ね合わせて露光処理
する方法としては、ウェーハ上に形成された粗調整用位
置合わせマークによりＸ方向、Ｙ方向の位置合わせを行
い、さらにウェーハ上の各ショット上の数箇所に形成し
た微調整用位置合わせマークによりＸ方向、Ｙ方向の位
置合わせを行って露光する方法が良く知られている。近
年、半導体装置の微細化に伴いマスクパターンの位置合
わせ精度の向上を図った露光処理方法が求めらている。
【０００３】以下、図３の工程図に基づいて従来の露光
処理方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、半導体ウェーハ３２の一主面上にあらかじめ形成
された粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３３、Ｙ方向
位置合わせマーク３４をヘリウム・ネオンレーザ等で走
査し（図中、３５の矢印は粗合わせ用Ｘ方向走査、３６
の矢印は粗合わせ用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方
向の粗合わせを行う。３１は露光装置のウェーハステー
ジである。
処理方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、半導体ウェーハ３２の一主面上にあらかじめ形成
された粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３３、Ｙ方向
位置合わせマーク３４をヘリウム・ネオンレーザ等で走
査し（図中、３５の矢印は粗合わせ用Ｘ方向走査、３６
の矢印は粗合わせ用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方
向の粗合わせを行う。３１は露光装置のウェーハステー
ジである。
【０００４】次に、同図（ｂ）に示すように、各ショッ
ト内にあらかじめ形成された微調整用Ｘ方向位置合わせ
マーク３７、Ｙ方向位置合わせマーク３８の数箇所をヘ
リウム・ネオンレーザ等で走査し、（図中、３９の矢印
は微調整用Ｘ方向走査、４０の矢印は微調整用Ｙ方向走
査を示す）Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの微調整を行
う。
ト内にあらかじめ形成された微調整用Ｘ方向位置合わせ
マーク３７、Ｙ方向位置合わせマーク３８の数箇所をヘ
リウム・ネオンレーザ等で走査し、（図中、３９の矢印
は微調整用Ｘ方向走査、４０の矢印は微調整用Ｙ方向走
査を示す）Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの微調整を行
う。
【０００５】このようにしてマスクパターンの位置合わ
せを行って後、同図（ｃ）に示すように、各ショットに
紫外光、例えばｇ線４１を照射し、同図（ｄ）に示すよ
うに、所望のマスクパターン４２を形成する。
せを行って後、同図（ｃ）に示すように、各ショットに
紫外光、例えばｇ線４１を照射し、同図（ｄ）に示すよ
うに、所望のマスクパターン４２を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の露光処理方法で
は、上記したように、紫外光を照射する前に重ね合わせ
の測定を行うようにしている。しかしながら、紫外光照
射に伴う熱により露光装置のステージが熱膨張する。こ
のため、ステージの熱膨張によって半導体ウェーハも膨
張し、マスクパターンの位置合わせ精度が悪くなり、歩
留りが低下するという問題点があった。
は、上記したように、紫外光を照射する前に重ね合わせ
の測定を行うようにしている。しかしながら、紫外光照
射に伴う熱により露光装置のステージが熱膨張する。こ
のため、ステージの熱膨張によって半導体ウェーハも膨
張し、マスクパターンの位置合わせ精度が悪くなり、歩
留りが低下するという問題点があった。
【０００７】したがって、この発明の目的は、上記課題
を解決するために、下地パターンとマスクパターンの重
ね合わせを正確に行え、位置合わせ精度の向上を図るこ
とができる露光処理方法を提供することである。
を解決するために、下地パターンとマスクパターンの重
ね合わせを正確に行え、位置合わせ精度の向上を図るこ
とができる露光処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の露光処理
方法は、ウェーハ上に形成された位置合わせマークによ
って下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後ウェーハ上の数箇所のショットに露光を行
い、この露光処理後に露光を行ったショット内に形成さ
れた位置合わせマークにより再度下地パターンとマスク
パターンの位置合わせを行い、その後ウェーハの未露光
部分に露光を行ってウェーハ上にマスクパターンを形成
するようにしている。
方法は、ウェーハ上に形成された位置合わせマークによ
って下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後ウェーハ上の数箇所のショットに露光を行
い、この露光処理後に露光を行ったショット内に形成さ
れた位置合わせマークにより再度下地パターンとマスク
パターンの位置合わせを行い、その後ウェーハの未露光
部分に露光を行ってウェーハ上にマスクパターンを形成
するようにしている。
【０００９】請求項２記載の露光処理方法は、ウェーハ
上に形成された位置合わせマークによって下地パターン
とマスクパターンの位置合わせを行い、その後ウェーハ
を載置するウェーハステージに形成した露光領域に露光
を行い、この露光処理後に前記位置合わせマークにより
再度下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後ウェーハ全面に露光を行ってウェーハ上にマ
スクパターンを形成するようにしている。
上に形成された位置合わせマークによって下地パターン
とマスクパターンの位置合わせを行い、その後ウェーハ
を載置するウェーハステージに形成した露光領域に露光
を行い、この露光処理後に前記位置合わせマークにより
再度下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後ウェーハ全面に露光を行ってウェーハ上にマ
スクパターンを形成するようにしている。
【００１０】
【作用】請求項１の構成によれば、いったんウェーハ上
に形成された位置合わせマークによって下地パターンと
マスクパターンの位置合わせを行っておき、その後ウェ
ーハ上の数箇所のショットに露光が行われる。この露光
処理によりステージおよびウェーハを熱膨張させてお
き、この露光処理を行ったショット内に形成された位置
合わせマークにより再度下地パターンとマスクパターン
の位置合わせを行った後に、ウェーハの未露光部分に露
光を行ってウェーハ上にマスクパターンを形成するよう
にしているので、ステージおよびウェーハの熱膨張によ
る下地パターンとマスクパターンとの重ね合わせのずれ
を補正して露光処理を行うことができる。
に形成された位置合わせマークによって下地パターンと
マスクパターンの位置合わせを行っておき、その後ウェ
ーハ上の数箇所のショットに露光が行われる。この露光
処理によりステージおよびウェーハを熱膨張させてお
き、この露光処理を行ったショット内に形成された位置
合わせマークにより再度下地パターンとマスクパターン
の位置合わせを行った後に、ウェーハの未露光部分に露
光を行ってウェーハ上にマスクパターンを形成するよう
にしているので、ステージおよびウェーハの熱膨張によ
る下地パターンとマスクパターンとの重ね合わせのずれ
を補正して露光処理を行うことができる。
【００１１】請求項２の構成によれば、いったんウェー
ハ上に形成された位置合わせマークによって下地パター
ンとマスクパターンの位置合わせを行っておき、その後
ウェーハを載置するウェーハステージに形成した露光領
域に露光が行われる。この露光処理によってステージを
熱膨張させておき、この露光処理後に位置合わせマーク
により再度下地パターンとマスクパターンの位置合わせ
を行った後に、ウェーハ全面に露光を行ってウェーハ上
にマスクパターンを形成するようにしているので、ステ
ージおよびウェーハの熱膨張による下地パターンとマス
クパターンとの重ね合わせのずれを補正して露光処理を
行うことができる。
ハ上に形成された位置合わせマークによって下地パター
ンとマスクパターンの位置合わせを行っておき、その後
ウェーハを載置するウェーハステージに形成した露光領
域に露光が行われる。この露光処理によってステージを
熱膨張させておき、この露光処理後に位置合わせマーク
により再度下地パターンとマスクパターンの位置合わせ
を行った後に、ウェーハ全面に露光を行ってウェーハ上
にマスクパターンを形成するようにしているので、ステ
ージおよびウェーハの熱膨張による下地パターンとマス
クパターンとの重ね合わせのずれを補正して露光処理を
行うことができる。
【００１２】
〔第１の実施例〕以下、この発明の第１の実施例につい
て図１の工程図に基づいて説明する。まず、図１（ａ）
に示すように、あらかじめ粗合わせ用Ｘ方向位置合わせ
マーク３、Ｙ方向位置合わせマーク４が形成され、露光
装置のウェーハステージ１上に載置された半導体ウェー
ハ２の一主面上にフォトレジストが塗布される。
て図１の工程図に基づいて説明する。まず、図１（ａ）
に示すように、あらかじめ粗合わせ用Ｘ方向位置合わせ
マーク３、Ｙ方向位置合わせマーク４が形成され、露光
装置のウェーハステージ１上に載置された半導体ウェー
ハ２の一主面上にフォトレジストが塗布される。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ
２上の粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ方向位
置合わせマーク４をヘリウム・ネオンレーザ等で走査し
（図中、５の矢印は粗合わせ用Ｘ方向走査、６の矢印は
粗合わせ用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方向の粗合
わせを行う。次に、図１（ｃ）に示すように、各ショッ
ト内にあらかじめ形成された重ね合わせ合わせの微調整
用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマーク
８の数カ所をヘリウム・ネオンレーザ等で走査し（図
中、９の矢印は微調整用Ｘ方向走査、１０の矢印は微調
整用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせ
の微調整を行う。
２上の粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ方向位
置合わせマーク４をヘリウム・ネオンレーザ等で走査し
（図中、５の矢印は粗合わせ用Ｘ方向走査、６の矢印は
粗合わせ用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方向の粗合
わせを行う。次に、図１（ｃ）に示すように、各ショッ
ト内にあらかじめ形成された重ね合わせ合わせの微調整
用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマーク
８の数カ所をヘリウム・ネオンレーザ等で走査し（図
中、９の矢印は微調整用Ｘ方向走査、１０の矢印は微調
整用Ｙ方向走査を示す）、Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせ
の微調整を行う。
【００１４】次に、図１（ｄ）に示すように、主面上の
ショットの数箇所を紫外光、例えばｇ線１１で照射し、
そのショット内に含まれる微調整用Ｘ方向位置合わせマ
ーク７、Ｙ方向位置合わせマーク８をヘリウム・ネオン
レーザ等で走査し（図中、１２の矢印は再微調整用Ｘ方
向走査、１３の矢印は再微調整用Ｙ方向走査を示す）、
Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの測定を行う。
ショットの数箇所を紫外光、例えばｇ線１１で照射し、
そのショット内に含まれる微調整用Ｘ方向位置合わせマ
ーク７、Ｙ方向位置合わせマーク８をヘリウム・ネオン
レーザ等で走査し（図中、１２の矢印は再微調整用Ｘ方
向走査、１３の矢印は再微調整用Ｙ方向走査を示す）、
Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの測定を行う。
【００１５】次に、図１（ｅ）に示すように、まだ照射
されていないショットに紫外光、例えばｇ線１１を照射
する。１４は露光済みのショットを示す。次に、図１
（ｆ）に示すように、ウェーハ２の主面上を現像して所
望のマスクパターン１５を形成する。上記したように、
第１の実施例によれば、ウェーハ２の下地パターンとマ
スクパターンの位置合わせを行い、その後ウェーハ２の
数箇所のショット１４に露光を行って、いったんウェー
ハステージ１およびウェーハ２を熱膨張させておき、こ
の露光後に露光を行ったショット１４内に形成された微
調整用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマ
ーク８により再度下地パターンとマスクパターンの位置
合わせを行い、その後にウェーハ２の未露光部分に露光
を行ってウェーハ２上に所望のマスクパターンを形成す
るようにしているので、ステージ１およびウェーハ２の
熱膨張による下地パターンとマスクパターンとの重ね合
わせのずれを補正した上で露光処理が行われる。このた
め、マスクパターンの位置合わせ精度の向上と歩留りの
向上が図られることになる。 〔第２の実施例〕以下、この発明の第２の実施例につい
て図２の工程順に基づいて説明する。
されていないショットに紫外光、例えばｇ線１１を照射
する。１４は露光済みのショットを示す。次に、図１
（ｆ）に示すように、ウェーハ２の主面上を現像して所
望のマスクパターン１５を形成する。上記したように、
第１の実施例によれば、ウェーハ２の下地パターンとマ
スクパターンの位置合わせを行い、その後ウェーハ２の
数箇所のショット１４に露光を行って、いったんウェー
ハステージ１およびウェーハ２を熱膨張させておき、こ
の露光後に露光を行ったショット１４内に形成された微
調整用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマ
ーク８により再度下地パターンとマスクパターンの位置
合わせを行い、その後にウェーハ２の未露光部分に露光
を行ってウェーハ２上に所望のマスクパターンを形成す
るようにしているので、ステージ１およびウェーハ２の
熱膨張による下地パターンとマスクパターンとの重ね合
わせのずれを補正した上で露光処理が行われる。このた
め、マスクパターンの位置合わせ精度の向上と歩留りの
向上が図られることになる。 〔第２の実施例〕以下、この発明の第２の実施例につい
て図２の工程順に基づいて説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、露光装置
のウェーハステージ２１上に載置された半導体ウェーハ
２の一主面上にフォトレジストが塗布される。ウェーハ
２上には、上記第１の実施例と同様に、あらかじめ形成
された粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ方向位
置合わせマーク４および微調整用Ｘ方向位置合わせマー
ク７、Ｙ方向位置合わせマーク８が形成されている。
のウェーハステージ２１上に載置された半導体ウェーハ
２の一主面上にフォトレジストが塗布される。ウェーハ
２上には、上記第１の実施例と同様に、あらかじめ形成
された粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ方向位
置合わせマーク４および微調整用Ｘ方向位置合わせマー
ク７、Ｙ方向位置合わせマーク８が形成されている。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、ウェーハ
２の主面上の粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ
方向位置合わせマーク４をヘリウム・ネオンレーザ等で
走査５、６を行い、Ｘ方向、Ｙ方向の粗合わせを行う。
次に、図２（ｃ）に示すように、ステージ２１の露出さ
れた部分のステージ露光領域２２に柴外光、例えばｇ線
１１を数回照射する。
２の主面上の粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク３、Ｙ
方向位置合わせマーク４をヘリウム・ネオンレーザ等で
走査５、６を行い、Ｘ方向、Ｙ方向の粗合わせを行う。
次に、図２（ｃ）に示すように、ステージ２１の露出さ
れた部分のステージ露光領域２２に柴外光、例えばｇ線
１１を数回照射する。
【００１８】次に、図２（ｄ）に示すように、各ショッ
ト内にあらかじめ形成された重ね合わせ合わせ微調整用
Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマーク８
の数カ所をヘリウム・ネオンレーザ等で走査９、１０を
行い、Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの微調整を行う。次
に、図２（ｅ）に示すように、各ショットに紫外光、例
えばｇ線１１を照射して露光を行う。次に、図２（ｆ）
に示すように、ウェーハ２上を現像して所望のマスクパ
ターン２５を形成する。
ト内にあらかじめ形成された重ね合わせ合わせ微調整用
Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向位置合わせマーク８
の数カ所をヘリウム・ネオンレーザ等で走査９、１０を
行い、Ｘ方向、Ｙ方向の重ね合わせの微調整を行う。次
に、図２（ｅ）に示すように、各ショットに紫外光、例
えばｇ線１１を照射して露光を行う。次に、図２（ｆ）
に示すように、ウェーハ２上を現像して所望のマスクパ
ターン２５を形成する。
【００１９】上記したように、第２の実施例によれば、
ウェーハ２の下地パターンとマスクパターンの位置合わ
せを行い、その後ウェーハ２を載置するウェーハステー
ジ２１に形成した露光領域２２を露光し、この露光処理
によってウェーハステージ２１を熱膨張させておき、こ
の露光後に微調整用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向
位置合わせマーク８により再度下地パターンとマスクパ
ターンの位置合わせを行い、その後にウェーハ２に露光
を行ってウェーハ２上に所望のマスクパターンを形成す
るようにしているので、ステージ１およびウェーハ２の
熱膨張による下地パターンとマスクパターンとの重ね合
わせのずれを補正した上で露光処理が行われる。このた
め、マスクパターンの位置合わせ精度の向上と歩留りの
向上が図られることになる。
ウェーハ２の下地パターンとマスクパターンの位置合わ
せを行い、その後ウェーハ２を載置するウェーハステー
ジ２１に形成した露光領域２２を露光し、この露光処理
によってウェーハステージ２１を熱膨張させておき、こ
の露光後に微調整用Ｘ方向位置合わせマーク７、Ｙ方向
位置合わせマーク８により再度下地パターンとマスクパ
ターンの位置合わせを行い、その後にウェーハ２に露光
を行ってウェーハ２上に所望のマスクパターンを形成す
るようにしているので、ステージ１およびウェーハ２の
熱膨張による下地パターンとマスクパターンとの重ね合
わせのずれを補正した上で露光処理が行われる。このた
め、マスクパターンの位置合わせ精度の向上と歩留りの
向上が図られることになる。
【００２０】
【発明の効果】この発明の露光処理方法は、ウェーハ上
に形成された下地パターンとマスクパターンの位置合わ
せを行い、ウェーハの一部またはウェーハを載置するス
テージに露光を行っていったんステージおよびウェーハ
に熱膨張を起こさせ、その後に再度下地パターンとマス
クパターンの位置合わせを行い、その後に露光処理を行
うようにしているので、紫外光照射に伴う熱によって露
光装置のステージや半導体ウェーハが膨張して生じる下
地パターンとマスクパターンのずれを補正することがで
きる。このため、位置合わせの精度を高めて歩留りの向
上を図ることができる。
に形成された下地パターンとマスクパターンの位置合わ
せを行い、ウェーハの一部またはウェーハを載置するス
テージに露光を行っていったんステージおよびウェーハ
に熱膨張を起こさせ、その後に再度下地パターンとマス
クパターンの位置合わせを行い、その後に露光処理を行
うようにしているので、紫外光照射に伴う熱によって露
光装置のステージや半導体ウェーハが膨張して生じる下
地パターンとマスクパターンのずれを補正することがで
きる。このため、位置合わせの精度を高めて歩留りの向
上を図ることができる。
【図１】この発明の第１の実施例である露光処理方法の
手順を示す工程図である。
手順を示す工程図である。
【図２】第２の実施例である露光処理方法の手順を示す
工程図である。
工程図である。
【図３】従来の露光処理方法の手順を示す工程図であ
る。
る。
１ 露光装置のウェーハステージ ２ ウェーハ ３ 粗合わせ用Ｘ方向位置合わせマーク ４ 粗合わせ用Ｙ方向位置合わせマーク ７ 微調整用Ｘ方向位置合わせマーク ８ 微調整用Ｙ方向位置合わせマーク 11 ｇ線（露光用紫外線） 14 露光済みショット 15 所望のマスクパターン 21 露光装置のウェーハステージ 22 ステージの露光領域
Claims (2)
- 【請求項１】 下地パターンが形成されたウェーハ上に
位置合わせマークを複数箇所形成しておき、これらの位
置合わせマークによって下地パターンにマスクパターン
を重ね合わせて露光を行う露光処理方法であって、 前記ウェーハ上に形成された位置合わせマークによって
前記下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後前記ウェーハ上の数箇所のショットに露光を
行い、この露光処理後に露光を行ったショット内に形成
された前記位置合わせマークにより再度前記下地パター
ンとマスクパターンの位置合わせを行い、その後ウェー
ハの未露光部分に露光を行ってウェーハ上にマスクパタ
ーンを形成することを特徴とする露光処理方法。 - 【請求項２】 下地パターンが形成されたウェーハ上に
位置合わせマークを複数箇所形成しておき、これらの位
置合わせマークによって下地パターンにマスクパターン
を重ね合わせるマスクパターンの位置合わせ方法であっ
て、 前記ウェーハ上に形成された位置合わせマークによって
前記下地パターンとマスクパターンの位置合わせを行
い、その後前記ウェーハを載置するウェーハステージに
形成した露光領域に露光を行い、この露光処理後に前記
位置合わせマークにより再度前記下地パターンとマスク
パターンの位置合わせを行い、その後ウェーハに露光を
行ってウェーハ上にマスクパターンを形成することを特
徴とする露光処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149624A JPH05343289A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 露光処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149624A JPH05343289A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 露光処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343289A true JPH05343289A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15479292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4149624A Pending JPH05343289A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 露光処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343289A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146946A2 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for producing device |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP4149624A patent/JPH05343289A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146946A2 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for producing device |
| JP2009004771A (ja) * | 2007-05-29 | 2009-01-08 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2008146946A3 (en) * | 2007-05-29 | 2009-04-30 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and apparatus, and method for producing device |
| US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
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