JPH05341729A - Driving method for active matrix type thin film transistor liquid crystal panel - Google Patents

Driving method for active matrix type thin film transistor liquid crystal panel

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JPH05341729A
JPH05341729A JP14465492A JP14465492A JPH05341729A JP H05341729 A JPH05341729 A JP H05341729A JP 14465492 A JP14465492 A JP 14465492A JP 14465492 A JP14465492 A JP 14465492A JP H05341729 A JPH05341729 A JP H05341729A
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voltage
bus line
liquid crystal
gate bus
thin film
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JP14465492A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Toyama
広 遠山
Mio Chiba
巳生 千葉
Yuuji Teronai
雄二 手呂内
Hiroshi Hamano
広 濱野
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a driving method for an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel which attains low withstanding voltage for a switching driver of a drain bus line. CONSTITUTION:A counter electrodes is subdivided same as for gate bus lines 11, a circuit which switches VCOM voltage supplied to each counter electrode 15 is provided, and each counter electrode 15 is arranged facing with all picture element electrodes 14 connected to the corresponding gate bus lines 11 via a thin film transistor 13. Voltage data which varies synchronizing with writing timing of the corresponding gate bus lines 11 and includes polarity data, offset voltage of liquid crystal cells, and compensation voltage of effective voltage is supplied, also polarity of voltage data supplied to a drain bus line 12 is reversed so that picture element electrodes 14 connected to the adjacent gate bus lines 11 have different polarity each other, and voltage data of positive polarity and negative polarity are supplied as reversed information each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
テレビジョン学会誌 Vol.42,No.1,P.1
0〜16及びP.23〜29に記載されるものがあっ
た。従来、アクティブマトリクス型液晶パネル、特に薄
膜トランジスタを利用したもの(TFT−LCD)の駆
動方法は、その交流化方法の違いにより数種類の異なっ
た手法が用いられているが、電圧供給方法の概念は同様
のものである。そこで代表的な例として、走査周期毎に
交流化を行なう駆動方法(以後フレームモードという)
について説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
Journal of Television Society Vol. 42, No. 1, P. 1
0-16 and P.I. 23-29. Conventionally, as a driving method of an active matrix type liquid crystal panel, especially a method using a thin film transistor (TFT-LCD), several different methods are used depending on the difference in the alternating current method, but the concept of the voltage supply method is the same. belongs to. Therefore, as a typical example, a driving method in which alternating current is performed at each scanning cycle (hereinafter referred to as frame mode)
Will be described.

【0003】図9はかかる従来のアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの構成図、図10はその
アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの
駆動タイミングチャートを示す。図に示すように、アク
ティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルは、一
般に背面基板上にゲートバスライン51とドレインバス
ライン52を直交配置して、その交点に各画素電極に対
応したスイッチング素子として薄膜トランジスタ(TF
Tという)53を設け、前面基板上に透明な対向電極5
4を設け、両基板の表面に適当な方向に配向処理された
配向膜を設け、両基板の配向膜を液晶層を介して対向配
置させて貼り合わせ、かつ前面基板と背面基板の背面
に、互いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光
膜を貼り付けた構成にし、TFT53を介して供給され
る画素電極の電圧と対向電極の電圧との電位差により、
両電極に挟まれた部分の液晶55をスイッチングするも
のである。
FIG. 9 is a block diagram of such a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, and FIG. 10 is a drive timing chart of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel. As shown in the figure, in an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, a gate bus line 51 and a drain bus line 52 are generally arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor (TF) as a switching element corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection thereof.
A transparent counter electrode 5 is provided on the front substrate by providing 53).
4 is provided, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of both substrates, and the alignment films of both substrates are opposed to each other with a liquid crystal layer in between and bonded to each other, and on the back surfaces of the front substrate and the back substrate, Polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other, and due to the potential difference between the voltage of the pixel electrode and the voltage of the counter electrode supplied via the TFT 53,
The liquid crystal 55 in the portion sandwiched by both electrodes is switched.

【0004】また、TFT53のスイッチング手段とし
て、ゲートバスライン51には走査回路60が、ドレイ
ンバスライン52にはデータ回路70がそれぞれ接続さ
れ、TFT53のゲート選択信号として、走査回路60
からON電圧VG(+),OFF電圧VG(-)が、TFT53
のドレイン選択及び輝度データ信号として、データ回路
70から正極性の書き込み電圧VD(+),負極性の書き込
み電圧VD(-)が供給される。
A scanning circuit 60 is connected to the gate bus line 51 and a data circuit 70 is connected to the drain bus line 52 as switching means of the TFT 53, and the scanning circuit 60 is used as a gate selection signal of the TFT 53.
ON voltage V G (+) and OFF voltage V G (-) from TFT 53
The positive polarity write voltage V D (+) and the negative polarity write voltage V D (-) are supplied from the data circuit 70 as the drain selection and luminance data signals.

【0005】更に、TFT53により書き込まれた画素
電極の電圧VS は、図10に示すように、その電圧保持
状態において、2度の電圧変動を起こす。第1にTFT
53のゲート選択信号がON状態からOFF状態に変化
する際に、前記選択信号が供給されるTFT53に接続
される画素電極の電圧VS は該TFTの寄生容量CgS
より、ΔV1 だけ変動する。
Further, as shown in FIG. 10, the voltage V S of the pixel electrode written by the TFT 53 causes a voltage fluctuation twice in the voltage holding state. First, TFT
When the gate selection signal of 53 changes from the ON state to the OFF state, the voltage V S of the pixel electrode connected to the TFT 53 to which the selection signal is supplied changes by ΔV 1 due to the parasitic capacitance C gS of the TFT. ..

【0006】第2にデータ信号が書き込み時の極性と反
対の極性に変化する時に、画素電極とドレインバスライ
ン52との間の電界効果によってΔV2 だけ変動する。
このために、画素電極と対向電極との間の電位差が画素
電極の電圧VS の変動に対して、正極性の書き込み時と
負極性の書き込み時とで均等になるように対向電極に対
して電圧VCOM が供給される。
Secondly, when the data signal changes to the polarity opposite to the polarity at the time of writing, it changes by ΔV 2 due to the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line 52.
For this reason, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode is made uniform with respect to the variation of the voltage V S of the pixel electrode with respect to the counter electrode during writing of positive polarity and during writing of negative polarity. The voltage V COM is supplied.

【0007】図11に2枚の偏光膜の偏光軸を平行にな
るように貼り付けた構成にした場合のTN液晶セルの電
気−光学特性を示す。アクティブマトリクス型薄膜トラ
ンジスタ液晶パネルに使用されるTN液晶セルは、画素
電極と対向電極との電位差に対して、光透過率が急激に
増加する閾値電圧VTHと、光透過率の変動が少なくなる
飽和電圧VSAT が存在しVTH〜VSATの電圧範囲ΔVに
おいては、電圧変動が光透過率の変化を示す。このた
め、完全なON状態を達成するには、正極性においては
SAT <VS −VCOM 、負極性においてはVSAT <V
COM −VS の電圧条件に設定し、完全なOFF状態を達
成するには、正極性においてはVTH>VS −VCOM 、負
極性においてはVTH>VCOM−VS の電圧条件に設定す
ることにより、液晶セルのスイッチングができる。
FIG. 11 shows the electro-optical characteristics of a TN liquid crystal cell in the case where two polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel to each other. The TN liquid crystal cell used in the active matrix thin film transistor liquid crystal panel has a threshold voltage V TH at which the light transmittance sharply increases with respect to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a saturation at which the fluctuation of the light transmittance decreases. In the voltage range ΔV in which the voltage V SAT is present and V TH to V SAT , the voltage fluctuation shows the change of the light transmittance. Therefore, in order to achieve a complete ON state, V SAT <V S −V COM in the positive polarity and V SAT <V in the negative polarity.
To set a voltage condition of COM- V S and achieve a complete OFF state, a voltage condition of V TH > V S −V COM in the positive polarity and a voltage condition of V TH > V COM −V S in the negative polarity. By setting, the liquid crystal cell can be switched.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べたアクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法にお
いては、画素電極にデータ信号が書き込まれてから、ド
レインバスラインの電圧極性が反転するまでの時間が異
なる場合、例えば、走査回路によって選択される第1の
ゲートバスラインと、第Nのゲートバスラインにそれぞ
れTFTを介して接続される画素電極の電圧VS を比較
すると、画素電極とドレインバスラインとの間の電界効
果によって、ΔV2 だけ電圧が変動する期間が異なるた
め、液晶層にかかる走査周期毎の平均実効電圧が異な
り、光透過率の相違が発生する。
However, in the driving method of the active matrix type liquid crystal panel described above, the time from the writing of the data signal to the pixel electrode to the reversal of the voltage polarity of the drain bus line is different. In this case, for example, comparing the first gate bus line selected by the scanning circuit and the voltage V S of the pixel electrode connected to the Nth gate bus line via the TFT, respectively, the pixel electrode and the drain bus line are compared. Due to the electric field effect between the two , the period in which the voltage changes by ΔV 2 is different, so that the average effective voltage applied to the liquid crystal layer in each scanning cycle is different, and the light transmittance is different.

【0009】また、液晶層のスイッチングには、画素電
極と対向電極との間にΔVの電圧変動を発生させるだけ
で充分であるが、対向電極の電圧を固定し、画素電極の
電圧を正極性と負極性に変動させるため、ドレインバス
ラインのドライバにVSAT ×2〔(VTH+ΔV)×2に
相当〕のスイッチング電圧が必要となり、ΔV+VTH×
2の電圧分だけ余分なスイッチング電圧が必要となり、
ドライバの低耐圧化の障害となっていた。
For the switching of the liquid crystal layer, it is sufficient to generate a voltage fluctuation of ΔV between the pixel electrode and the counter electrode, but the voltage of the counter electrode is fixed and the voltage of the pixel electrode is positive. In order to change to a negative polarity, the driver of the drain bus line requires a switching voltage of V SAT × 2 [corresponding to (V TH + ΔV) × 2], and ΔV + V TH ×
An extra switching voltage is required for the voltage of 2,
This has been an obstacle to lowering the withstand voltage of the driver.

【0010】本発明は、以上述べた液晶層にかかる走査
周期毎の平均実効電圧のばらつきを交流化手法の変更に
より低減し、かつドレインバスラインにかかる余分なス
イッチング電圧VTH×2+ΔVを減少あるいは無くすた
めに、対向電極をゲートバスラインと同数に分割し、各
対向電極が、対応するゲートバスラインにTFTを介し
て接続される画素電極群と対向して配置させる構成に
し、各対向電極に各ゲートバスラインの選択周期に同期
させスイッチングして、全ての対向電極において、同等
の電圧レベルの2値の電圧を交互に供給し、かつ、ドレ
インバスラインに供給される正極性と負極性のデータが
互いに反転された情報として供給されるデータ構成に
し、VCOM 電圧の変動により、ドレインバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成する優れたアク
ティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動
方法を提供することを目的とする。
The present invention reduces the above-mentioned variation in the average effective voltage applied to the liquid crystal layer for each scanning period by changing the AC method and reduces the extra switching voltage V TH × 2 + ΔV applied to the drain bus line. In order to eliminate it, the counter electrodes are divided into the same number as the gate bus lines, and each counter electrode is arranged to face the pixel electrode group connected to the corresponding gate bus line via the TFT. By switching in synchronization with the selection cycle of each gate bus line, binary voltages of equal voltage levels are alternately supplied to all counter electrodes, and positive and negative polarities are supplied to the drain bus line. the data structure in which data is supplied as information which is inverted from each other, the variation of the V COM voltage, the switching driver drain bus line low And to provide an excellent method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel to achieve voltage.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板に透明な対向電極
を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向に
配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を、
液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記背面
基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に
おいて、前記対向電極をゲートバスラインと同数に分割
し、該対向電極を対応するゲートバスラインに薄膜トラ
ンジスタを介して接続されるすべての画素電極と対向配
置させ、各対向電極に該対向電極と対応するゲートバス
ラインの書き込みタイミングに同期して電圧変動させる
ためのスイッチング素子を設け、各ドレインバスライン
に供給される電圧データが隣接するゲートバスラインに
接続される画素電極同士が互いに異なる極性になるデー
タであり、かつ正極性と負極性の電圧データが互いに反
転された電圧として供給され、各対向電極に供給される
電圧データに、極性データ、液晶の閾値電圧に相当する
オフセット電圧を供給し、各ゲートバスラインに選択信
号を供給することにより動作させるようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a gate bus line and a drain bus line which are arranged orthogonally on a back substrate, and which is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line. A thin film transistor is provided corresponding to each pixel electrode, a transparent counter electrode is provided on the front substrate, alignment films that have been subjected to an alignment treatment in appropriate directions are provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are arranged together. ,
In a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which the opposite electrodes are arranged and bonded via a liquid crystal layer, and a polarizing film is adhered to the back surfaces of the back substrate and the front substrate, the counter electrodes are divided into the same number as the gate bus lines. , The counter electrode is arranged so as to face all the pixel electrodes connected to the corresponding gate bus line via the thin film transistor, and the voltage is changed in each counter electrode in synchronization with the write timing of the gate bus line corresponding to the counter electrode. A switching element is provided for each of the drain bus lines, and the voltage data supplied to each drain bus line is data in which the pixel electrodes connected to the adjacent gate bus lines have polarities different from each other, and the positive and negative voltage data are The voltage data that is supplied as voltages that are inverted from each other and that is supplied to each counter electrode Data, and supplies the offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, in which so as to operate by supplying a selection signal to each gate bus line.

【0012】[0012]

【作用】本発明によれば、上記したように、アクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に
おいて、対向電極をゲートバスラインと同数に分割し、
各対向電極に供給されるVCOM 電圧をスイッチングする
回路を設け、各対向電極を対応するゲートバスラインに
薄膜トランジスタを介して接続される全ての画素電極と
対向して配置させ、対応するゲートバスラインの書き込
みタイミングに同期して変動し、極性データ及び液晶セ
ルのオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧デ
ータとして供給し、かつドレインバスラインに供給され
る電圧データが隣接するゲートバスラインに接続される
画素電極同士が互いに異なる極性になるように極性を反
転し、正極性と負極性の電圧データが互いに反転された
情報として供給されるようにする。
According to the present invention, as described above, in the method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, the counter electrodes are divided into the same number as the gate bus lines,
A circuit for switching the V COM voltage supplied to each counter electrode is provided, and each counter electrode is arranged to face each pixel electrode connected to the corresponding gate bus line via the thin film transistor. The voltage data, which fluctuates in synchronism with the write timing, is supplied as the voltage data including the polarity data, the offset voltage of the liquid crystal cell and the effective voltage correction voltage, and the voltage data supplied to the drain bus line is connected to the adjacent gate bus line. The polarity is inverted so that the pixel electrodes having different polarities are different from each other, and the positive polarity and negative polarity voltage data are supplied as mutually inverted information.

【0013】したがって、液晶セルの平均印加電圧の均
一化と、ゲートバスライン及びドレインバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。また、この駆動方法は、ドレインバスラインにアナ
ログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得られるた
め、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの階調駆動にも十分適用できる。
Therefore, it is possible to make the average applied voltage of the liquid crystal cell uniform and to reduce the withstand voltage of the switching driver of the gate bus line and the drain bus line. Further, this driving method can obtain the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and thus can be sufficiently applied to the gradation driving of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示すア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概
略斜視図を示す。この図に示すように、透明な背面基板
上に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12
とを直交して配置し、その交点に薄膜トランジスタ(T
FT)13を設け、個別の表示セルに対応する透明な画
素電極14に接続し、更に適当な方向に配向処理された
配向膜を設ける。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are formed on a transparent rear substrate.
And are orthogonally arranged, and a thin film transistor (T
FT) 13 is provided, connected to the transparent pixel electrode 14 corresponding to an individual display cell, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided.

【0015】一方、透明な前面基板上にゲートバスライ
ン11と同数に分割された透明な対向電極15を設け、
適当な方向に配向処理された配向膜を設け、両基板の配
向膜同士を向かい合わせ、各対向電極が対応するゲート
バスライン11にTFT13を介して接続される全ての
画素電極14と対向し、かつ、該画素電極14以外の画
素電極14と対向しないように位置合せし、両基板間に
適当なギャップを設け、液晶を注入、封止し、両基板の
露出面に互いの偏光軸が、平行あるいは垂直になるよう
に偏光膜を貼り付けたものである。なお、15aは画素
電極14と対向する部分を示している。
On the other hand, transparent counter electrodes 15 are provided on the transparent front substrate, the transparent counter electrodes 15 being divided into the same number as the gate bus lines 11.
An alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided, the alignment films of both substrates are made to face each other, and each counter electrode faces all the pixel electrodes 14 connected to the corresponding gate bus line 11 via the TFT 13, In addition, it is aligned so as not to face the pixel electrodes 14 other than the pixel electrode 14, an appropriate gap is provided between both substrates, liquid crystal is injected and sealed, and the polarization axes of the two are aligned on the exposed surfaces of both substrates. A polarizing film is attached so as to be parallel or vertical. Reference numeral 15a indicates a portion facing the pixel electrode 14.

【0016】図2は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図、
図3は本発明の実施例を示すデータ回路の概略ブロック
図、図4は本発明の実施例を示すドレインバスラインに
供給される電圧データの波形図、図5は本発明の実施例
を示すコモン変動回路の概略ブロック図、図6は本発明
の実施例を示すコモン変動回路のタイミングチャートを
示している。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention,
3 is a schematic block diagram of a data circuit showing an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a waveform diagram of voltage data supplied to a drain bus line showing an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an embodiment of the present invention. 6 is a schematic block diagram of the common variation circuit, and FIG. 6 is a timing chart of the common variation circuit showing an embodiment of the present invention.

【0017】これらの図に示すように、ゲートバスライ
ン11に走査回路20を接続し、第1のゲートバスライ
ンから順番に時間順次にON電圧を供給し、対向電極1
5にシフトレジスタ部41と電圧増幅部42とドライバ
部43とから構成されるコモン変動回路40を接続し、
個々の対向電極15に液晶層を介して電気的に接続され
る全ての画素電極14(図1参照)がTFT13を介し
て接続されるゲートバスライン11のON電圧印加の立
ち上がりに同期して変動し、各ゲートバス選択時の極性
データ及び液晶セルのオフセット電圧を含む個別の電圧
データVCOM1′,VCOM2′…VCOMf′を対応する対向電
極15に供給し、ドレインバス12にデータ発生部3
1、データ反転部32、データ出力部33から構成され
るデータ回路30を接続し、データ回路30内のデータ
発生部31から出力される画像データ1を、データ反転
部32によりゲートバス1ライン毎に反転し、かつ、同
じゲートバス11に書き込み周期毎に異なる極性データ
を交互に与える交流化信号と演算し、データ2を作成
し、データ出力部33から各ドレインバス12に対して
正極性と負極性の電圧データが互いに反転された情報と
して供給する。
As shown in these figures, the scanning circuit 20 is connected to the gate bus line 11, and the ON voltage is sequentially supplied from the first gate bus line in a time-sequential manner.
5 is connected to a common variable circuit 40 including a shift register section 41, a voltage amplification section 42, and a driver section 43,
All the pixel electrodes 14 (see FIG. 1) electrically connected to the individual counter electrodes 15 via the liquid crystal layer change in synchronization with the rising of the ON voltage application to the gate bus line 11 connected via the TFT 13. Then, individual voltage data V COM1 ′, V COM2 ′ ... V COMf ′ including the polarity data and the offset voltage of the liquid crystal cell when each gate bus is selected is supplied to the corresponding counter electrode 15, and the drain bus 12 is provided with a data generator. Three
1. A data circuit 30 including a data inversion unit 32 and a data output unit 33 is connected, and image data 1 output from a data generation unit 31 in the data circuit 30 is output by the data inversion unit 32 to each gate bus line. In addition, the data 2 is created by operating with the alternating signal which alternately inverts to the same gate bus 11 with different polarity data for each writing cycle, and the data output unit 33 outputs positive polarity to each drain bus 12. The negative voltage data is supplied as information that is inverted from each other.

【0018】また、この場合、図4に示されるように、
データ回路30から出力される各ドレインバス12の電
圧データは、正極性においてON電圧VD (+) ′,OF
F電圧VD (-) ′が、負極性においてON電圧
D (-) ′,OFF電圧VD (+) ′が出力される。ま
た、電圧振幅ΔVD は、図11で示されるΔVと同等に
設置され、ΔVD =VD (+) ′−VD (-) ′=VSAT
TH=ΔVの条件で与えられるため、ドレイン電圧の振
幅は、図10の従来例と比較して、VTH×2+ΔV分だ
け小さくなる。同様に、ドレイン電圧の振幅が小さくな
った分、ゲート電圧の振幅も同程度小さくすることがで
きる。
Further, in this case, as shown in FIG.
The voltage data of each drain bus 12 output from the data circuit 30 is ON voltage V D (+) ′, OF in the positive polarity.
The F voltage V D (- ) 'is output as the ON voltage V D (-) ' and the OFF voltage V D (+) 'in the negative polarity. The voltage amplitude ΔV D is set to be equal to ΔV shown in FIG. 11, and ΔV D = V D (+) V D (−) ′ = V SAT
Since it is given under the condition of V TH = ΔV, the amplitude of the drain voltage is reduced by V TH × 2 + ΔV as compared with the conventional example of FIG. Similarly, the amplitude of the gate voltage can be reduced to the same extent as the amplitude of the drain voltage is reduced.

【0019】一方、コモン変動回路40から出力される
各対向電極の電圧データは、以下のように構成される。
第1ゲートバスのON電圧印加直前に変動し、かつ第1
ゲートバス選択時の書き込み極性データを有する信号D
Fと、ゲートバスのON電圧印加の立ち上がり時に同期
し、かつton時間の周期を有するクロック信号φC とを
シフトレジスタ部に供給して、1クロック分ずつ遅れた
出力波形D1 ,D2 ,…Df を作成し、これを電圧増幅
部に供給し、オペアンプと抵抗R1 とR2 により、R2
/R1 倍に反転増幅し、オフセット電圧分とゲートバス
選択時の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有する
電圧信号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部を介して
COM1′を第1ゲートバスに対応する対向電極に、V
COM2′を第2ゲートバスに対応する対向電極に、
COMf′を最終ゲートバスに対応する対向電極にそれぞ
れ供給する。
On the other hand, the voltage data of each counter electrode output from the common variation circuit 40 is constructed as follows.
It changes immediately before the ON voltage of the first gate bus is applied, and
A signal D having write polarity data when the gate bus is selected
F and a clock signal φ C which is synchronized with the rising of the ON voltage application to the gate bus and has a period of t on time are supplied to the shift register unit, and output waveforms D 1 and D 2 delayed by one clock. , Df is created, and this is supplied to the voltage amplification section, and R 2 is set by the operational amplifier and the resistors R 1 and R 2.
/ R 1 times reverse amplification is performed to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude including the offset voltage and the polarity correction voltage when the gate bus is selected, and V COM1 ′ is supplied via the protection resistor R 3 and the driver unit. To the counter electrode corresponding to the first gate bus, V
COM2 'to the counter electrode corresponding to the second gate bus,
V COMf 'is supplied to the counter electrodes corresponding to the final gate bus, respectively.

【0020】また、ここで出力されるVCOM1′,
COM2′…VCOMf′は、同等の電圧振幅を有するため、
マルチ駆動用のドレインドライバを使用することもでき
る。図7は本発明の実施例を示す液晶セルの等価回路
図、図8は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動タイミングを示す
図である。
Further, V COM1 ′ output here,
Since V COM2 ′ ... V COMf ′ have the same voltage amplitude,
A drain driver for multiple driving can also be used. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell showing an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram showing drive timing of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.

【0021】図8において、Tは、各ゲートバスライン
11における書き込み周期を示し、tonは各ゲートバス
におけるON電圧印加時間を示し、全てのゲートバスラ
インにおけるT及びtonの長さが等しく決定される。ま
た、液晶セルの電荷保持状態における画素電極の電位変
動は、対応するTFTのスイッチング時にTFTの寄生
容量Cgsにより、ΔV1 ′=〔Cgs/(Cgs+CLC)〕
×(VG (+) ′−VG (-) ′)と、書き込み時のドレイ
ンバスの電圧がΔVD ′だけ変動した時に画素電極を挟
む2本のドレインバスと画素電極との間の容量CDP1
DP2 により、 ΔV2 ′=〔(CDP1 +CDP2 )/CLC〕×ΔVD ′が
存在する。
In FIG. 8, T represents a write cycle in each gate bus line 11, t on represents an ON voltage application time in each gate bus, and T and t on in all gate bus lines have the same length. It is determined. Further, the potential fluctuation of the pixel electrode in the charge holding state of the liquid crystal cell is ΔV 1 ′ = [C gs / (C gs + C LC )] due to the parasitic capacitance C gs of the TFT at the time of switching the corresponding TFT.
× (V G (+) ' -V G (-)') and the capacity between the two drain bus and the pixel electrodes sandwiching the pixel electrode when the voltage of the drain bus during write is varied by [Delta] V D ' Due to C DP1 and C DP2 , there exists ΔV 2 ′ = [(C DP1 + C DP2 ) / C LC ] × ΔV D ′.

【0022】電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極におい
て同等のTFTが形成されていれば、書き込み電圧及び
パネル内の位置に関係なく、同極性、同電位の変動であ
るため、ΔV1 ′分だけズラして対向電極の電位を決定
することにより、全ての画素電極と対向電極の間で同等
の電圧を保持させることができる。しかし、電位変動Δ
2 ′は、画素電極を挟む2本のドレインバスの電位
が、書き込み時の電位から変動している期間で発生して
いるため、変動期間が短い場合と長い場合で、画素電極
と対向電極の間の平均実効電圧が変わり、パネル内の位
置による輝度ムラの原因となる。
[0022] 'be formed equivalent TFT in every pixel electrode, regardless of the position of the write voltage and the panel, for the same polarity, a variation of the same potential, [Delta] V 1' potential variation [Delta] V 1 min By shifting only and determining the potential of the counter electrode, the same voltage can be held between all the pixel electrodes and the counter electrode. However, the potential fluctuation Δ
V 2 ′ is generated during the period in which the potentials of the two drain buses sandwiching the pixel electrode fluctuate from the potential at the time of writing, so that the variation period is short and long, and the pixel electrode and the counter electrode The average effective voltage between the two changes, which causes uneven brightness depending on the position in the panel.

【0023】本実施例においては、ライン単位にドレイ
ンバスラインの極性を反転しているため、走査ライン数
をNで、T=N×tonとすると、図8の全てのゲートバ
スライン11の駆動波形において、T×(N/2)の期
間ΔV2 ′が発生し、平均実効電圧はΔV2 ′×〔(N
/2)/(N−1)〕だけ減少するが、すべての画素電
極と対向電極の間の平均実効電圧は均一となる。
In the present embodiment, since the polarity of the drain bus line is inverted line by line, if the number of scanning lines is N and T = N × t on , all the gate bus lines 11 in FIG. In the drive waveform, a period ΔV 2 ′ of T × (N / 2) occurs, and the average effective voltage is ΔV 2 ′ × [(N
/ 2) / (N-1)], but the average effective voltage between all the pixel electrodes and the counter electrode becomes uniform.

【0024】また、VCOM1′,VCOM2′…VCOMf′に供
給される電圧波形は、ΔV1 ′,ΔV2 ′,極性及びV
THを考慮して正極性の時、VD (+) ′−ΔV−VTH−Δ
1′−ΔV2 ′×〔(N/2)/(N−1)〕に、負
極性の時、VD (-) ′+ΔV+VTH−ΔV1 ′+Δ
2 ′×〔(N/2)/(N−1)〕に設定された、Δ
V+2VTH+ΔV2 ′×〔N/(N−1)〕の変動振幅
を有する電圧信号で、実効電圧補正電圧ΔV2 ′×〔N
/(N−1)〕を電圧振幅に付加することにより、すべ
ての画素に平均印加電圧をΔV+VTHを保持させてい
る。このため、データ回路より出力される電圧データの
振幅が、VTH×2+ΔVだけ小さくなっても、液晶セル
に均一で十分な印加電圧を供給できる。
The voltage waveforms supplied to V COM1 ′, V COM2 ′ ... V COMf ′ are ΔV 1 ′, ΔV 2 ′, polarity and V
When TH is considered positive, V D (+) '-ΔV-V TH
V 1 ′ −ΔV 2 ′ × [(N / 2) / (N−1)] has a negative polarity, V D (−) ′ + ΔV + V TH −ΔV 1 ′ + Δ
V 2 ′ × [(N / 2) / (N-1)], Δ
A voltage signal having a fluctuation amplitude of V + 2V TH + ΔV 2 ′ × [N / (N−1)] and an effective voltage correction voltage ΔV 2 ′ × [N
/ (N-1)] is added to the voltage amplitude to hold the average applied voltage ΔV + V TH in all pixels. Therefore, even if the amplitude of the voltage data output from the data circuit is reduced by V TH × 2 + ΔV, a uniform and sufficient applied voltage can be supplied to the liquid crystal cell.

【0025】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、対向電極をゲートバスラインと同様に分割し、
各対向電極に供給されるVCOM 電圧をスイッチングする
回路を設け、各対向電極を対応するゲートバスラインに
TFTを介して接続される全ての画素電極と対向して配
置させ、対応するゲートバスラインの書き込みタイミン
グに同期して変動し、極性データ、液晶セルのオフセッ
ト電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧データとして供
給し、かつドレインバスラインに供給される電圧データ
が、隣接するゲートバスラインに接続される画素電極同
士が互いに異なる極性になるように極性を反転し、正極
性と負極性の電圧データが互いに反転された情報として
供給することにより、液晶セルの平均印加電圧の均一化
とゲートバスライン及びドレインバスラインのスイッチ
ングドライバの低耐電圧化を達成することができる。
As described above in detail, according to the present invention, the counter electrode is divided in the same manner as the gate bus line,
A circuit for switching the V COM voltage supplied to each counter electrode is provided, and each counter electrode is arranged to face each pixel electrode connected to the corresponding gate bus line via the TFT, and the corresponding gate bus line is provided. The voltage data that fluctuates in synchronization with the write timing and is supplied as voltage data including polarity data, liquid crystal cell offset voltage and effective voltage correction voltage, and that is supplied to the drain bus line is connected to the adjacent gate bus line. By reversing the polarities so that the pixel electrodes have different polarities from each other and supplying the voltage data of the positive polarity and the voltage of the negative polarity as mutually inverted information, the average applied voltage of the liquid crystal cells is made uniform and the gate bus is made uniform. It is possible to reduce the withstand voltage of the switching driver for the line and the drain bus line.

【0027】また、この駆動方法は、ドレインバスライ
ンにアナログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得
られるため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの階調駆動にも十分適用できる。更に、この
駆動方法においては、各表示セルの電荷保持期間におけ
る対向電極の電圧変動が起きないため、この電圧変動に
よって生ずる画素電極の変動ΔV3=Cgs×〔(R2
1 )×Vin〕/(Cgs+CLC)が無い、理想的な低電
圧駆動である。
Further, this driving method can obtain the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and is therefore sufficiently applicable to gradation driving of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel. Further, in this driving method, since the voltage variation of the counter electrode does not occur during the charge retention period of each display cell, the variation of the pixel electrode caused by this voltage variation ΔV 3 = C gs × [(R 2 /
It is an ideal low voltage drive without R 1 ) × V in ] / (C gs + C LC ).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例を示すデータ回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit showing an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を示すドレインバスラインに供
給される電圧データの波形図である。
FIG. 4 is a waveform diagram of voltage data supplied to the drain bus line according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例を示すコモン変動回路の概略ブ
ロック図を示している。
FIG. 5 shows a schematic block diagram of a common fluctuation circuit showing an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例を示すコモン変動回路のタイミ
ングチャートを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a timing chart of a common variation circuit showing an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例を示す液晶セルの等価回路図で
ある。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell showing an example of the present invention.

【図8】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動タイミングを示す図
である。
FIG. 8 is a diagram showing drive timing of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図9】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【図10】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動タイミングチャートを示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a drive timing chart of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【図11】従来の2枚の偏光膜の偏光軸を平行になるよ
うに貼り付けた構成にした場合のTN液晶セルの電気−
光学特性を示す図である。
FIG. 11 is an electrical diagram of a TN liquid crystal cell in the case where two conventional polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel to each other.
It is a figure which shows an optical characteristic.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ゲートバスライン 12 ドレインバスライン 13 薄膜トランジスタ(TFT) 14 画素電極 15 対向電極 20 走査回路 30 データ回路 31 データ発生部 32 データ反転部 33 データ出力部 40 コモン変動回路 41 シフトレジスタ部 42 電圧増幅部 43 ドライバ部 11 Gate Bus Line 12 Drain Bus Line 13 Thin Film Transistor (TFT) 14 Pixel Electrode 15 Counter Electrode 20 Scanning Circuit 30 Data Circuit 31 Data Generation Section 32 Data Inversion Section 33 Data Output Section 40 Common Fluctuation Circuit 41 Shift Register Section 42 Voltage Amplification Section 43 Driver

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 濱野 広 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Hiroshi Hamano 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板に透明な対向電極
を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向に
配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を、
液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ前記背
面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法
において、 前記対向電極をゲートバスラインと同数に分割し、該対
向電極を対応するゲートバスラインに薄膜トランジスタ
を介して接続されるすべての画素電極と対向配置させ、
各対向電極に該対向電極と対応するゲートバスラインの
書き込みタイミングに同期して電圧変動させるためのス
イッチング素子を設け、各ドレインバスラインに供給さ
れる電圧データが隣接するゲートバスラインに接続され
る画素電極同士が互いに異なる極性になるデータであ
り、かつ正極性と負極性の電圧データが互いに反転され
た電圧として供給され、各対向電極に供給される電圧デ
ータに、極性データ、液晶の閾値電圧に相当するオフセ
ット電圧を供給し、各ゲートバスラインに選択信号を供
給することにより動作させることを特徴とするアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法。
1. A gate bus line and a drain bus line are arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line corresponding to each pixel electrode. An opposing electrode is provided, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate.
In a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, which is arranged so as to be opposed to each other via a liquid crystal layer and is adhered, and a polarizing film is adhered to the back surfaces of the back substrate and the front substrate, the counter electrodes are divided into the same number as the gate bus lines. Then, the counter electrodes are arranged to face all the pixel electrodes connected to the corresponding gate bus lines via the thin film transistors,
Each counter electrode is provided with a switching element for changing the voltage in synchronization with the write timing of the gate bus line corresponding to the counter electrode, and the voltage data supplied to each drain bus line is connected to the adjacent gate bus line. Data in which the pixel electrodes have polarities different from each other and positive and negative voltage data are supplied as voltages inverted from each other, and the polarity data and the threshold voltage of the liquid crystal are included in the voltage data supplied to each counter electrode. A method for driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel, which comprises operating by supplying an offset voltage corresponding to the above, and supplying a selection signal to each gate bus line.
【請求項2】 前記ドレインバスラインに供給される電
圧データの極性反転により変動する画素電極の平均変動
電圧分を対応する対向電極に補正電圧として供給するこ
とを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
2. The active component according to claim 1, wherein an average fluctuating voltage of a pixel electrode, which fluctuates due to polarity inversion of voltage data supplied to the drain bus line, is supplied to a corresponding counter electrode as a correction voltage. Matrix type thin film transistor liquid crystal panel driving method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2736733A1 (en) * 1995-07-12 1997-01-17 Lg Electronics Inc LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE METHOD OF USING SUCH A DEVICE
KR20220018171A (en) * 2020-08-06 2022-02-15 주식회사 셀코스 Automatic correction device for analog deviation of LCoS drive board

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