JPH05341333A - 導波路型非線形光学素子 - Google Patents
導波路型非線形光学素子Info
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- JPH05341333A JPH05341333A JP14704492A JP14704492A JPH05341333A JP H05341333 A JPH05341333 A JP H05341333A JP 14704492 A JP14704492 A JP 14704492A JP 14704492 A JP14704492 A JP 14704492A JP H05341333 A JPH05341333 A JP H05341333A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】非線形光学素子において、制御光の吸収により
引き起こされるバンドフィリング効果を利用した光制御
を高速化する。 【構成】制御光パルスが制御光吸収層４で吸収され、電
子の正孔が生成される。電極１０，１１の間には逆バイ
アス電圧が印加されている。正孔は基板側のｐ+層に向
かって流れ、電子だけが被制御光導波層６を通って表面
側のｎ+ 層に向かって流れる。被制御光導波層６では、
電子が注入されている間だけ、バンドフィリング効果に
よって非線形屈折率変化が起こる。被制御光導波層６を
導波する被制御光は、この非線形屈折率変化によって変
調を受ける。電子だけが被制御光導波層６に注入される
ため、非線形屈折率変化の回復に要する時間は、ドリフ
ト速度の大きい電子の走行時間だけで制限される。した
がって、ドリフト速度の小さい正孔の走行時間によって
制限されない高速の光制御が行われる。
引き起こされるバンドフィリング効果を利用した光制御
を高速化する。 【構成】制御光パルスが制御光吸収層４で吸収され、電
子の正孔が生成される。電極１０，１１の間には逆バイ
アス電圧が印加されている。正孔は基板側のｐ+層に向
かって流れ、電子だけが被制御光導波層６を通って表面
側のｎ+ 層に向かって流れる。被制御光導波層６では、
電子が注入されている間だけ、バンドフィリング効果に
よって非線形屈折率変化が起こる。被制御光導波層６を
導波する被制御光は、この非線形屈折率変化によって変
調を受ける。電子だけが被制御光導波層６に注入される
ため、非線形屈折率変化の回復に要する時間は、ドリフ
ト速度の大きい電子の走行時間だけで制限される。した
がって、ドリフト速度の小さい正孔の走行時間によって
制限されない高速の光制御が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学素子に関し、
特に光ファイバ通信や光情報処理等の分野で光制御素子
として用いられる非線形光学素子に関する。
特に光ファイバ通信や光情報処理等の分野で光制御素子
として用いられる非線形光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システムや光情報処理シ
ステムの高速化には、光制御を行う素子の動作の高速化
が必要不可欠である。従来、光制御素子としては、電気
信号により光制御を行う電気−光制御方式がとられてき
たが、ＣＲ時定数による制限がなく高速動作が期待され
る方式として、光信号により光制御を行う光−光制御方
式が注目されている。
ステムの高速化には、光制御を行う素子の動作の高速化
が必要不可欠である。従来、光制御素子としては、電気
信号により光制御を行う電気−光制御方式がとられてき
たが、ＣＲ時定数による制限がなく高速動作が期待され
る方式として、光信号により光制御を行う光−光制御方
式が注目されている。
【０００３】例えば、特願平２−１０４９４３には、光
吸収により非線形屈折率変化を示す光導波部に静電界を
印加する構造を有する非線形光学素子が記載されてい
る。この素子では、光吸収によりキャリアを励起するこ
とによってバンドフィリング効果が引き起こされ、非線
形屈折率変化が引き起こされる。そして、この非線形屈
折率変化により、素子を透過している被制御光が位相変
調される。すなわち、バンドフィリング効果を利用する
ことで、低エネルギーでの光制御が可能になる。そし
て、被制御光の導波部に静電界を印加し励起されたキャ
リアを掃引することによって、バンドフィリング効果は
消失し、非線形屈折率変化が回復する。これにより、動
作速度がキャリアのバンド間緩和時間で制限されたい高
速の光制御が可能になる。
吸収により非線形屈折率変化を示す光導波部に静電界を
印加する構造を有する非線形光学素子が記載されてい
る。この素子では、光吸収によりキャリアを励起するこ
とによってバンドフィリング効果が引き起こされ、非線
形屈折率変化が引き起こされる。そして、この非線形屈
折率変化により、素子を透過している被制御光が位相変
調される。すなわち、バンドフィリング効果を利用する
ことで、低エネルギーでの光制御が可能になる。そし
て、被制御光の導波部に静電界を印加し励起されたキャ
リアを掃引することによって、バンドフィリング効果は
消失し、非線形屈折率変化が回復する。これにより、動
作速度がキャリアのバンド間緩和時間で制限されたい高
速の光制御が可能になる。
【０００４】図３は、上記の特徴を有する非線形光学素
子の一例を示す断面図である。Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドー
ピングしたＧａＡｓ基板１３上にＳｉを１０18ｃｍ-3ド
ーピングした厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層１４とノンドーピングで厚さ０．２μｍの
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１５とで下部ク
ラッドが形成されている。その上に、ノンドーピングで
厚さ０．５μｍのＧａＡｓ層１６がコアとして形成され
ている。さらにその上に、ノンドーピングで厚さ０．２
μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１７とＢ
ｅを１０18ｃｍ-3ドーピングした厚さ０．６μｍのＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１８とＢｅを１０18
ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層１９とで上部クラッド
が形成されている。上部クラッドは高さ０．９μｍ、幅
４μｍのリブ構造となっていて、リブのない部分の厚さ
は０．１μｍである。ＧａＡｓ基板１３とＧａＡｓ層１
９の表面にはそれぞれ電極２０、２１が設けられてい
る。
子の一例を示す断面図である。Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドー
ピングしたＧａＡｓ基板１３上にＳｉを１０18ｃｍ-3ド
ーピングした厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層１４とノンドーピングで厚さ０．２μｍの
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１５とで下部ク
ラッドが形成されている。その上に、ノンドーピングで
厚さ０．５μｍのＧａＡｓ層１６がコアとして形成され
ている。さらにその上に、ノンドーピングで厚さ０．２
μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１７とＢ
ｅを１０18ｃｍ-3ドーピングした厚さ０．６μｍのＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層１８とＢｅを１０18
ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層１９とで上部クラッド
が形成されている。上部クラッドは高さ０．９μｍ、幅
４μｍのリブ構造となっていて、リブのない部分の厚さ
は０．１μｍである。ＧａＡｓ基板１３とＧａＡｓ層１
９の表面にはそれぞれ電極２０、２１が設けられてい
る。
【０００５】図３の非線形光学素子においては、制御光
パルスがコアのＧａＡｓ層１６で吸収されることによっ
て非線形屈折率変化が起こり、コアのＧａＡｓ層１６を
導波する被制御光の位相変調が行われる。電極２０、２
１間に逆バイアス電圧を印加することによって、コアに
電界がかかり、制御光パルスの吸収によってコアに生成
された電子および正孔はそれぞれ下部クラッドまたは上
部クラッドへ流れ出る。その結果、バンドフィリング効
果による非線形屈折率変化を利用することで低エネルギ
ー制御光パルスによる動作が可能で、かつ、キャリアの
バンド間緩和時間で制限されず高速動作が可能な光制御
素子が実現できる。
パルスがコアのＧａＡｓ層１６で吸収されることによっ
て非線形屈折率変化が起こり、コアのＧａＡｓ層１６を
導波する被制御光の位相変調が行われる。電極２０、２
１間に逆バイアス電圧を印加することによって、コアに
電界がかかり、制御光パルスの吸収によってコアに生成
された電子および正孔はそれぞれ下部クラッドまたは上
部クラッドへ流れ出る。その結果、バンドフィリング効
果による非線形屈折率変化を利用することで低エネルギ
ー制御光パルスによる動作が可能で、かつ、キャリアの
バンド間緩和時間で制限されず高速動作が可能な光制御
素子が実現できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の非線形光学素子
においては、光吸収によってコアに生成されたキャリア
がクラッドへ流れ出すことによって非線形屈折率変化が
回復する。したがって、高速動作を制限する要因は、励
起されたキャリアがコアからクラッドへ流れ出す時間、
すなわちキャリアの走行時間である。
においては、光吸収によってコアに生成されたキャリア
がクラッドへ流れ出すことによって非線形屈折率変化が
回復する。したがって、高速動作を制限する要因は、励
起されたキャリアがコアからクラッドへ流れ出す時間、
すなわちキャリアの走行時間である。
【０００７】不純物濃度の低い室温下のＧａＡｓの場
合、強電界下の電子のドリフト速度は、フィジクス オ
ブ セミコンダクター デバイシズ 第２版、１９８１
年、ジョン ウィリー アンド サンズ、４６ページ
（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓ）の図によれば、電界強度１０5 Ｖ／
ｃｍでは７．５×１０6 ｃｍ／ｓ程度、電界強度３×１
０3 Ｖ／ｃｍでピーク値をとり２×１０7 ｃｍ／ｓであ
る。一方、正孔のドリフト速度は、アプライド フィジ
クス レターズ、第５０巻、第１８号、１２６１ページ
（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）の
図によれば、電界強度１０5 Ｖ／ｃｍでは５．５×１０
6 ｃｍ／ｓ程度である。また低電界下では、電子および
正孔のドリフト速度は電界強度に比例するが、その比例
係数すなわち移動度は、電子の場合１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・
ｓ程度、正孔の場合５×１０2 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ程度であ
る（前出のフィジクス オブ セミコンダクター デバ
イシズ ２９ページ）。
合、強電界下の電子のドリフト速度は、フィジクス オ
ブ セミコンダクター デバイシズ 第２版、１９８１
年、ジョン ウィリー アンド サンズ、４６ページ
（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓ）の図によれば、電界強度１０5 Ｖ／
ｃｍでは７．５×１０6 ｃｍ／ｓ程度、電界強度３×１
０3 Ｖ／ｃｍでピーク値をとり２×１０7 ｃｍ／ｓであ
る。一方、正孔のドリフト速度は、アプライド フィジ
クス レターズ、第５０巻、第１８号、１２６１ページ
（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）の
図によれば、電界強度１０5 Ｖ／ｃｍでは５．５×１０
6 ｃｍ／ｓ程度である。また低電界下では、電子および
正孔のドリフト速度は電界強度に比例するが、その比例
係数すなわち移動度は、電子の場合１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・
ｓ程度、正孔の場合５×１０2 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ程度であ
る（前出のフィジクス オブ セミコンダクター デバ
イシズ ２９ページ）。
【０００８】以上のように、不純物濃度の低い室温下の
ＧａＡｓでは、同じ電界強度の下では、電子のドリフト
速度の方が正孔のドリフト速度よりも常に大きく、電界
強度によっては１桁以上も相違のある場合もある。した
がって、図２に示した非線形光学素子では、その高速動
作はドリフト速度の小さい正孔の走行時間で制限される
ことになる。
ＧａＡｓでは、同じ電界強度の下では、電子のドリフト
速度の方が正孔のドリフト速度よりも常に大きく、電界
強度によっては１桁以上も相違のある場合もある。した
がって、図２に示した非線形光学素子では、その高速動
作はドリフト速度の小さい正孔の走行時間で制限される
ことになる。
【０００９】本発明は、非線形屈折率変化の起こる被制
御光の導波部には、制御光の吸収によって生成された電
子および正孔のうち、ドリフト速度の大きなキャリアだ
けが注入されることによって、ドリフト速度の小さいキ
ャリアの走行時間によって高速動作が制限されない光制
御を可能にすることを目的とする。
御光の導波部には、制御光の吸収によって生成された電
子および正孔のうち、ドリフト速度の大きなキャリアだ
けが注入されることによって、ドリフト速度の小さいキ
ャリアの走行時間によって高速動作が制限されない光制
御を可能にすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、制御光の吸収
により被制御光の変調を行う導波路型非線線形光学素子
において、一方のコアを制御光吸収層、もう一方のコア
を被制御光導波層とする２つのコア層を有し、前記２つ
のコア層を含むノンドーピング層をｐ+ 層とｎ+ 層とで
はさんたＰＩＮ層構造でなり、さらに逆バイアス電圧を
かける電極が形成されていることを特徴とする導波路型
非線形光学素子である。
により被制御光の変調を行う導波路型非線線形光学素子
において、一方のコアを制御光吸収層、もう一方のコア
を被制御光導波層とする２つのコア層を有し、前記２つ
のコア層を含むノンドーピング層をｐ+ 層とｎ+ 層とで
はさんたＰＩＮ層構造でなり、さらに逆バイアス電圧を
かける電極が形成されていることを特徴とする導波路型
非線形光学素子である。
【００１１】
【作用】本発明の非線形光学素子では、２つのコア層の
うちの一方の制御光吸収層において、制御光パルスの吸
収によって電子および正孔が生成され、ノンドーピング
層にかかる電界によって、それぞれｎ+ 層またはｐ+ 層
へ向かってドリフトする。そして、電子または正孔のう
ちドリフト速度の大きいキャリアだけが非制御光を導波
させるコア層を通り抜ける。非制御光導波層ではドリフ
ト速度の大きいキャリアが注入されている間だけ非線形
屈折率変化が生ずる。非線形屈折率変化はそのキャリア
が通り抜けた後では消失するため、消失に要する時間は
ドリフト速度の大きいキャリアの走行時間だけで制限さ
れることになる。すなわち、ドリフト速度の小さいキャ
リアの走行時間によって高速動作が制限されない光制御
が可能になる。
うちの一方の制御光吸収層において、制御光パルスの吸
収によって電子および正孔が生成され、ノンドーピング
層にかかる電界によって、それぞれｎ+ 層またはｐ+ 層
へ向かってドリフトする。そして、電子または正孔のう
ちドリフト速度の大きいキャリアだけが非制御光を導波
させるコア層を通り抜ける。非制御光導波層ではドリフ
ト速度の大きいキャリアが注入されている間だけ非線形
屈折率変化が生ずる。非線形屈折率変化はそのキャリア
が通り抜けた後では消失するため、消失に要する時間は
ドリフト速度の大きいキャリアの走行時間だけで制限さ
れることになる。すなわち、ドリフト速度の小さいキャ
リアの走行時間によって高速動作が制限されない光制御
が可能になる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明による非線形光学素子の一実
施例の素子構造を示す断面図である。Ｚｎを１０18ｃｍ
-3ドーピングしたＧａＡｓ基板１上にＢｅを１０18ｃｍ
-3ドーピングした厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ
＝０．０７）層２ととノンドーピングで厚さ０．２μｍ
のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層３とでクラッ
ドが形成されている。その上に、ノンドーピングで厚さ
０．５μｍのＧａＡｓ層４、ノンドーピング層で厚さ４
μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層５、ノン
ドーピングで厚さ０．５μｍのＧａＡｓ層６が、それぞ
れ、制御光吸収層のコア、２つのコアを分離するクラッ
ド、被制御光導波層のコアとして形成されている。さら
にその上に、ノンドーピングで厚さ０．２μｍのＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層７とＳｉを１０18ｃｍ
-3ドーピングした厚さ０．６μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ
（ｘ＝０．０７）層８とＳｉを１０18ｃｍ-3ドーピング
したＧａＡｓ層９とで上部クラッドが形成されている。
上部クラッドは高さ０．９μｍ、幅４μｍのリブ構造と
なっていて、リブのない部分の厚さは０．１μｍであ
る。ＧａＡｓ基板１とＧａＡｓ層９の表面にはそれぞれ
電極１０、１１が設けられている。
施例の素子構造を示す断面図である。Ｚｎを１０18ｃｍ
-3ドーピングしたＧａＡｓ基板１上にＢｅを１０18ｃｍ
-3ドーピングした厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ
＝０．０７）層２ととノンドーピングで厚さ０．２μｍ
のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層３とでクラッ
ドが形成されている。その上に、ノンドーピングで厚さ
０．５μｍのＧａＡｓ層４、ノンドーピング層で厚さ４
μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層５、ノン
ドーピングで厚さ０．５μｍのＧａＡｓ層６が、それぞ
れ、制御光吸収層のコア、２つのコアを分離するクラッ
ド、被制御光導波層のコアとして形成されている。さら
にその上に、ノンドーピングで厚さ０．２μｍのＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層７とＳｉを１０18ｃｍ
-3ドーピングした厚さ０．６μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ
（ｘ＝０．０７）層８とＳｉを１０18ｃｍ-3ドーピング
したＧａＡｓ層９とで上部クラッドが形成されている。
上部クラッドは高さ０．９μｍ、幅４μｍのリブ構造と
なっていて、リブのない部分の厚さは０．１μｍであ
る。ＧａＡｓ基板１とＧａＡｓ層９の表面にはそれぞれ
電極１０、１１が設けられている。
【００１３】図１の非線形光学素子に用いる被制御光の
波長は、ＧａＡｓを透過する波長である。制御光吸収層
４と被制御光導波層６は近接しているが、素子長を十分
短くすれば、被制御光が被制御光導波層６から制御光吸
収層４に移ることはない。
波長は、ＧａＡｓを透過する波長である。制御光吸収層
４と被制御光導波層６は近接しているが、素子長を十分
短くすれば、被制御光が被制御光導波層６から制御光吸
収層４に移ることはない。
【００１４】制御光パルスは制御光吸収層４で吸収さ
れ、電子および正孔が生成される。電極９、１０間に逆
バイアス電圧をかけることによって、ノンドーピングの
部分には電界が印加され、電子はｎ+ 層に向かって、正
孔はｐ+ 層へ向かってドリフトする。したがって、ドリ
フト速度の大きい電子だけが被制御光導波層６を通り抜
ける。被制御光導波層６では電子が注入されている間だ
け非線形屈折率変化が生じ、キャリアが通り抜けた後で
は消失する。消失に要する時間はドリフト速度の大きい
電子の走行時間だけで制限されることになる。したがっ
て、ドリフト速度の小さい正孔の走行時間によって高速
動作が制限されない光制御が可能になる。
れ、電子および正孔が生成される。電極９、１０間に逆
バイアス電圧をかけることによって、ノンドーピングの
部分には電界が印加され、電子はｎ+ 層に向かって、正
孔はｐ+ 層へ向かってドリフトする。したがって、ドリ
フト速度の大きい電子だけが被制御光導波層６を通り抜
ける。被制御光導波層６では電子が注入されている間だ
け非線形屈折率変化が生じ、キャリアが通り抜けた後で
は消失する。消失に要する時間はドリフト速度の大きい
電子の走行時間だけで制限されることになる。したがっ
て、ドリフト速度の小さい正孔の走行時間によって高速
動作が制限されない光制御が可能になる。
【００１５】図２は、本発明による非線形光学素子の別
の一実施例の素子構造を示す断面図である。積層構造は
図１に示した素子と同一である。リブの両端には、Ｚｎ
を拡散させたｐドーピング部分１２が形成されている。
この部分が図１と異る点である。
の一実施例の素子構造を示す断面図である。積層構造は
図１に示した素子と同一である。リブの両端には、Ｚｎ
を拡散させたｐドーピング部分１２が形成されている。
この部分が図１と異る点である。
【００１６】図２の非線形光学素子においては、制御光
パルスの吸収によって制御光吸収層４に生成された電子
および正孔は、ｎ+ 層またはｐ+ 層へ向かってドリフト
するが、リブの両端にはｐドーピング部分が形成されて
いるため、電子は層に平行な方向に拡散されることなく
リブのｎ+ 層に向かって走行する。したがって、制御光
吸収層４で生成された電子が、高効率で被制御光導波層
６に注入され、スイッチングエネルギーの低減を実現で
きる。
パルスの吸収によって制御光吸収層４に生成された電子
および正孔は、ｎ+ 層またはｐ+ 層へ向かってドリフト
するが、リブの両端にはｐドーピング部分が形成されて
いるため、電子は層に平行な方向に拡散されることなく
リブのｎ+ 層に向かって走行する。したがって、制御光
吸収層４で生成された電子が、高効率で被制御光導波層
６に注入され、スイッチングエネルギーの低減を実現で
きる。
【００１７】以上、ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系材料を用
いた導波路型非線形光学素子を例にとって説明したが、
本発明は、他の半導体材料を用いた場合においても、同
様に、ドリフト速度の小さいキャリアの走行時間によっ
て高速動作が制限されない光制御が可能である。
いた導波路型非線形光学素子を例にとって説明したが、
本発明は、他の半導体材料を用いた場合においても、同
様に、ドリフト速度の小さいキャリアの走行時間によっ
て高速動作が制限されない光制御が可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の非線形光
学素子によれば、ドリフト速度の小さいキャリアの走行
時間によって高速動作が制限されず、高速の光制御が可
能である。
学素子によれば、ドリフト速度の小さいキャリアの走行
時間によって高速動作が制限されず、高速の光制御が可
能である。
【図１】本発明による非線形光学素子の実施例の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明による非線形光学素子の実施例の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来例の断面図である。
１ Ｚｎを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ基板 ２ Ｂｅを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 ３ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ４ ノンドーピングのＧａＡｓ層（制御光吸収層） ５ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ６ ノンドーピングのＧａＡｓ層（被制御光吸収層） ７ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ８ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 ９ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層 １０ 電極 １１ 電極 １２ ｐドーピング部分 １３ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ基
板 １４ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 １５ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層 １６ ノンドーピングのＧａＡｓ層 １７ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層 １８ Ｂｅを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 １９ Ｂｅを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層 ２０ 電極 ２１ 電極
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 ３ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ４ ノンドーピングのＧａＡｓ層（制御光吸収層） ５ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ６ ノンドーピングのＧａＡｓ層（被制御光吸収層） ７ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝０．
０７）層 ８ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 ９ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層 １０ 電極 １１ 電極 １２ ｐドーピング部分 １３ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ基
板 １４ Ｓｉを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 １５ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層 １６ ノンドーピングのＧａＡｓ層 １７ ノンドーピングのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ＝
０．０７）層 １８ Ｂｅを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ（ｘ＝０．０７）層 １９ Ｂｅを１０18ｃｍ-3ドーピングしたＧａＡｓ層 ２０ 電極 ２１ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 制御光の吸収により被制御光の変調を行
う導波路型光学素子において、２つのコア層を有し、一
方のコアを制御光吸収層、もう一方のコアを被制御光導
波層とし、前記２つのコア層を含むノンドーピング層を
ｐ+ 層とｎ+層とではさんたＰＩＮ層構造でなり、さら
に逆バイアス電圧をかける電極が形成されていることを
特徴とする導波路型非線形光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704492A JPH05341333A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 導波路型非線形光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704492A JPH05341333A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 導波路型非線形光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05341333A true JPH05341333A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15421246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14704492A Withdrawn JPH05341333A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 導波路型非線形光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05341333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687938A2 (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-20 | Nec Corporation | Semiconductor optical device utilizing nonlinear optical effect |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP14704492A patent/JPH05341333A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687938A2 (en) * | 1994-06-14 | 1995-12-20 | Nec Corporation | Semiconductor optical device utilizing nonlinear optical effect |
| EP0687938A3 (en) * | 1994-06-14 | 1997-01-15 | Nec Corp | Nonlinear semiconductor optical device |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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