JPH05335176A - 積層セラミック磁器素子及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミック磁器素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05335176A JPH05335176A JP14130292A JP14130292A JPH05335176A JP H05335176 A JPH05335176 A JP H05335176A JP 14130292 A JP14130292 A JP 14130292A JP 14130292 A JP14130292 A JP 14130292A JP H05335176 A JPH05335176 A JP H05335176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic porcelain
- laminated ceramic
- porcelain element
- ions
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子機器などで発生するノイズ、パルス、静
電気などの異常高電圧からＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素
子および電子機器などの回路を保護するために使用され
る積層セラミック磁器素子及びその製造方法に関し、実
用化が可能で比較的容易な製造方法で積層セラミック磁
器素子を得ることを目的とするものである。 【構成】 積層セラミック磁器素子の外部電極３部分に
メッキ後、同素子を大気圧下または減圧下で活性度の高
い水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置する
ことにより、イオンを素子の外部に排除してフリーの状
態のイオン濃度を低くすることができる。またコーティ
ング膜を通ってイオンが侵入した場合でも同素子を大気
圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置し、さ
らにイオン交換水中で放置することにより、イオンを素
子の外部に排除して湿中負荷試験などで残留イオンが特
性を劣化させるのを抑制することができる。
電気などの異常高電圧からＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素
子および電子機器などの回路を保護するために使用され
る積層セラミック磁器素子及びその製造方法に関し、実
用化が可能で比較的容易な製造方法で積層セラミック磁
器素子を得ることを目的とするものである。 【構成】 積層セラミック磁器素子の外部電極３部分に
メッキ後、同素子を大気圧下または減圧下で活性度の高
い水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置する
ことにより、イオンを素子の外部に排除してフリーの状
態のイオン濃度を低くすることができる。またコーティ
ング膜を通ってイオンが侵入した場合でも同素子を大気
圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置し、さ
らにイオン交換水中で放置することにより、イオンを素
子の外部に排除して湿中負荷試験などで残留イオンが特
性を劣化させるのを抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野行】本発明は、電子機器や電気機器
で発生するノイズ、パルス、静電気などの異常高電圧か
らＩＣ，、ＬＳＩなどの半導体素子および電子機器や電
気機器の回路を保護する積層セラミック磁器素子及びそ
の製造方法に関するものである。
で発生するノイズ、パルス、静電気などの異常高電圧か
らＩＣ，、ＬＳＩなどの半導体素子および電子機器や電
気機器の回路を保護する積層セラミック磁器素子及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年電子機器や電気機器は小型化、多機
能化を実現するためにＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子が
広く用いられ、それに伴って電子機器や電気機器のノイ
ズ、パルス、静電気などの異常高電圧の影響を受けやす
くなっている。
能化を実現するためにＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子が
広く用いられ、それに伴って電子機器や電気機器のノイ
ズ、パルス、静電気などの異常高電圧の影響を受けやす
くなっている。
【０００３】そこで、これら電子機器や電気機器のノイ
ズ、パルス、静電気などの異常高電圧を抑制するために
フィルムコンデンサ、電解コンデンサ、半導体セラミッ
クコンデンサ、積層セラミックコンデンサなどが用いら
れているが、これらは電圧の比較的低いノイズや高周波
ノイズの吸収、抑制には優れた特性を示すが、高い電圧
のパルスや静電気に対してはその効果を示さず、半導体
素子の誤動作や破壊を引き起こすことがある。
ズ、パルス、静電気などの異常高電圧を抑制するために
フィルムコンデンサ、電解コンデンサ、半導体セラミッ
クコンデンサ、積層セラミックコンデンサなどが用いら
れているが、これらは電圧の比較的低いノイズや高周波
ノイズの吸収、抑制には優れた特性を示すが、高い電圧
のパルスや静電気に対してはその効果を示さず、半導体
素子の誤動作や破壊を引き起こすことがある。
【０００４】一方高い電圧のパルスや静電気を吸収、抑
制するためにはＳｉＣ、ＺｎＯ系バリスタが用いられて
いるが、これらは電圧の比較的低いノイズや高周波ノイ
ズの吸収、抑制にはその効果を示さず半導体素子の誤動
作を引き起こすことがある。
制するためにはＳｉＣ、ＺｎＯ系バリスタが用いられて
いるが、これらは電圧の比較的低いノイズや高周波ノイ
ズの吸収、抑制にはその効果を示さず半導体素子の誤動
作を引き起こすことがある。
【０００５】これら両者の欠点を補完するものとして特
開昭５７−２７００１号公報、特開昭５７−３５３０３
号公報に示されているようにＳｒＴｉＯ3系バリスタが
実用化され使用されている。
開昭５７−２７００１号公報、特開昭５７−３５３０３
号公報に示されているようにＳｒＴｉＯ3系バリスタが
実用化され使用されている。
【０００６】一方電子部品の分野においては、機器の小
型化に対応して軽薄短小化、高性能化がますます進み、
面実装可能なチップ部品の開発が必要不可欠になってき
ている。これらに対応して特開昭５４−５３２４８号公
報、特開昭５４−５３２５０号公報などに開示された内
容を応用した例や、特開昭５９−２１５７０１号公報、
特開昭６３−２１９１１５号公報に開示された例がある
が、これらの方法はプロセス的に複雑であったり、得ら
れた特性が目的を達成するのに不十分であったりして未
だに実用化の段階に達していない。そこで我々発明者は
特願平１−８６２４３号に新しい組成及び製造方法によ
り実用化可能な方法を示した。
型化に対応して軽薄短小化、高性能化がますます進み、
面実装可能なチップ部品の開発が必要不可欠になってき
ている。これらに対応して特開昭５４−５３２４８号公
報、特開昭５４−５３２５０号公報などに開示された内
容を応用した例や、特開昭５９−２１５７０１号公報、
特開昭６３−２１９１１５号公報に開示された例がある
が、これらの方法はプロセス的に複雑であったり、得ら
れた特性が目的を達成するのに不十分であったりして未
だに実用化の段階に達していない。そこで我々発明者は
特願平１−８６２４３号に新しい組成及び製造方法によ
り実用化可能な方法を示した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、積層型ＳｒＴｉ
Ｏ3バリスタに関しては前記従来例で示したように様々
な材料組成、製造方法が開発されてきたが、いずれの場
合もプロセスが複雑であったり得られた特性が目的を達
成するのに不十分であったりして未だに実用化の段階に
達していない。また、前記我々発明者が開示した新しい
方法にはメッキ後で特性が不安定になるという問題点を
有していた。
Ｏ3バリスタに関しては前記従来例で示したように様々
な材料組成、製造方法が開発されてきたが、いずれの場
合もプロセスが複雑であったり得られた特性が目的を達
成するのに不十分であったりして未だに実用化の段階に
達していない。また、前記我々発明者が開示した新しい
方法にはメッキ後で特性が不安定になるという問題点を
有していた。
【０００８】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、実用化が可能で、かつ比較的容易な製造方法で積層
セラミック磁器素子を得ることができる積層セラミック
磁器素子及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
で、実用化が可能で、かつ比較的容易な製造方法で積層
セラミック磁器素子を得ることができる積層セラミック
磁器素子及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明では、一方が端縁まで至る内部電極層がセラミ
ック層を介して交互に配置されるようにそれぞれ複数雑
層積層し、かつ前記内部電極の両端縁に外部電極を設け
てなる積層セラミック磁器素子の前記外部電極部分にメ
ッキを施した後、減圧下及び大気圧下で活性度の高い水
溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置する製造
方法とするものである。
に本発明では、一方が端縁まで至る内部電極層がセラミ
ック層を介して交互に配置されるようにそれぞれ複数雑
層積層し、かつ前記内部電極の両端縁に外部電極を設け
てなる積層セラミック磁器素子の前記外部電極部分にメ
ッキを施した後、減圧下及び大気圧下で活性度の高い水
溶液中で放置し、さらにイオン交換水中で放置する製造
方法とするものである。
【００１０】
【作用】この製造方法により、積層セラミック磁器素子
の外部及び内部に付着、侵入した陽イオンあるいは陰イ
オンを積層セラミック磁器素子部の外部に排除し、信頼
性試験などで残留イオンが特性を劣化させることを抑制
することができる。
の外部及び内部に付着、侵入した陽イオンあるいは陰イ
オンを積層セラミック磁器素子部の外部に排除し、信頼
性試験などで残留イオンが特性を劣化させることを抑制
することができる。
【００１１】
（実施例１）以下に実施例を挙げて具体的に説明する。
【００１２】まずＳｒＴｉＯ3，ＣａＣＯ3，ＢａＣ
Ｏ3，ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を下記の（表１）および（表
２）の１から７に示すように組成比を種々変えて秤量
し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合する。次に、乾燥し
た後１１００℃で４Ｈｒ焼成し、再びボールミルなどで
７５Ｈｒ粉砕した後乾燥し第１成分とする。
Ｏ3，ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を下記の（表１）および（表
２）の１から７に示すように組成比を種々変えて秤量
し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合する。次に、乾燥し
た後１１００℃で４Ｈｒ焼成し、再びボールミルなどで
７５Ｈｒ粉砕した後乾燥し第１成分とする。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】次に、第１成分、第２成分、第３成分を上
記の（表１）および（表２）の１から７に示した組成比
になるように秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合し
た後乾燥し、ブチラール系の樹脂および酢酸ブチルなど
の有機溶剤と混合し、ドクターブレード法などにより５
０μｍの厚みにシート成形、乾燥し、所定の大きさに切
断した。
記の（表１）および（表２）の１から７に示した組成比
になるように秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合し
た後乾燥し、ブチラール系の樹脂および酢酸ブチルなど
の有機溶剤と混合し、ドクターブレード法などにより５
０μｍの厚みにシート成形、乾燥し、所定の大きさに切
断した。
【００１６】その後、図２に示すように所定の大きさに
切断されたセラミックシート１の最上層および最下層に
は内部電極２を形成せず、その他の層となるセラミック
シート１にＡｇ−Ｐｄなどからなる内部電極２を一方が
端縁まで至るようにスクリーン印刷などにより形成し、
これらを相対向する内部電極２が交互に端縁に至るよう
に例えば３０層積層し、加圧、圧着し、所定の大きさに
切断する。次に、空気中で６００℃で脱脂し、さらに空
気中で１２００℃で仮焼した後、例えばＮ2：Ｈ2＝１
０：１の還元性雰囲気中で１２５０℃で４Ｈｒ焼成した
のち空気中で９００℃で２Ｈｒ再酸化する。その後、内
部電極２を露出させた両端面にＡｇなどからなる外部電
極ペーストを塗布し、空気中で８５０℃で１０分間焼成
し積層セラミック磁器素子を得た。次に例えば電解法に
よりＮｉメッキをしさらに半田メッキを施す。このよう
にして得られた積層セラミック磁器素子を図１に一部切
欠斜視図で示す。
切断されたセラミックシート１の最上層および最下層に
は内部電極２を形成せず、その他の層となるセラミック
シート１にＡｇ−Ｐｄなどからなる内部電極２を一方が
端縁まで至るようにスクリーン印刷などにより形成し、
これらを相対向する内部電極２が交互に端縁に至るよう
に例えば３０層積層し、加圧、圧着し、所定の大きさに
切断する。次に、空気中で６００℃で脱脂し、さらに空
気中で１２００℃で仮焼した後、例えばＮ2：Ｈ2＝１
０：１の還元性雰囲気中で１２５０℃で４Ｈｒ焼成した
のち空気中で９００℃で２Ｈｒ再酸化する。その後、内
部電極２を露出させた両端面にＡｇなどからなる外部電
極ペーストを塗布し、空気中で８５０℃で１０分間焼成
し積層セラミック磁器素子を得た。次に例えば電解法に
よりＮｉメッキをしさらに半田メッキを施す。このよう
にして得られた積層セラミック磁器素子を図１に一部切
欠斜視図で示す。
【００１７】この積層セラミック磁器素子を活性度の高
い水溶液、すなわち純水の表面張力より小さい、例えば
アルキルベンゼンスルホン酸などの水溶液中で放置した
後イオン交換水中に浸漬し、１０mmＨｇの圧力下で３０
分放置した後１２０℃で３Ｈｒ乾燥し、このようにして
得られた積層セラミック磁器素子の特性および湿中負荷
試験の結果を（表３）および（表４）の試料番号１から
７に示す。
い水溶液、すなわち純水の表面張力より小さい、例えば
アルキルベンゼンスルホン酸などの水溶液中で放置した
後イオン交換水中に浸漬し、１０mmＨｇの圧力下で３０
分放置した後１２０℃で３Ｈｒ乾燥し、このようにして
得られた積層セラミック磁器素子の特性および湿中負荷
試験の結果を（表３）および（表４）の試料番号１から
７に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】（実施例２）まずＳｒＴｉＯ3，ＣａＣ
Ｏ3，ＢａＣＯ3，ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を上記の（表１）
および（表２）の試料番号８から１６に示すように組成
比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合
する。次に、乾燥した後１１００℃で４Ｈｒ焼成し、再
びボールミルなどで７５Ｈｒ粉砕した後乾燥し第１成分
とする。
Ｏ3，ＢａＣＯ3，ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を上記の（表１）
および（表２）の試料番号８から１６に示すように組成
比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０Ｈｒ混合
する。次に、乾燥した後１１００℃で４Ｈｒ焼成し、再
びボールミルなどで７５Ｈｒ粉砕した後乾燥し第１成分
とする。
【００２１】次に、第１成分、第２成分、第３成分を上
記の（表１）および（表２）の試料番号８から１６に示
した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで２０
Ｈｒ混合した後乾燥し、ブチラール系の樹脂および酢酸
ブチルなどの有機溶剤と混合し、ドクターブレード法な
どにより５０μｍの厚みにシート成形、乾燥し、所定の
大きさに切断した。
記の（表１）および（表２）の試料番号８から１６に示
した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで２０
Ｈｒ混合した後乾燥し、ブチラール系の樹脂および酢酸
ブチルなどの有機溶剤と混合し、ドクターブレード法な
どにより５０μｍの厚みにシート成形、乾燥し、所定の
大きさに切断した。
【００２２】その後、図２に示すように所定の大きさに
切断されたセラミックシート１の最上層および最下層に
は内部電極２を形成せず、その他の層となるセラミック
シート１にＮｉ−Ｐｄからなる内部電極２を一方が端縁
まで至るようにスクリーン印刷などにより形成し、これ
らを相対向する内部電極２が交互に端縁に至るようにた
とえば３０層積層し、加圧、圧着し、所定の大きさに切
断する。次に、空気中で７００℃で脱脂し、さらに空気
中で１１５０℃で仮焼した後、内部電極２を露出させた
両端面にＮｉなどからなる外部電極ペーストを塗布し、
例えばＮ2：Ｈ2＝１０：１の還元性雰囲気中で１２７０
℃で３Ｈｒ焼成したのち空気中で９００℃で２Ｈｒ再酸
化する。その後、内部電極２を露出させた両端面にＡｇ
などからなる外部電極ペーストを塗布し、空気中で８５
０℃で１０分間焼成し積層セラミック磁器素子を得た。
このようにして得られた積層セラミック磁器素子を図１
に一部切欠斜視図で示す。次に、ｐＨ＝４の酸性に耐え
る耐酸性のある例えばＳｉＯ2から成るコーティング材
を例えばディップなどの方法により塗布し、４００℃で
３０分間焼成する。
切断されたセラミックシート１の最上層および最下層に
は内部電極２を形成せず、その他の層となるセラミック
シート１にＮｉ−Ｐｄからなる内部電極２を一方が端縁
まで至るようにスクリーン印刷などにより形成し、これ
らを相対向する内部電極２が交互に端縁に至るようにた
とえば３０層積層し、加圧、圧着し、所定の大きさに切
断する。次に、空気中で７００℃で脱脂し、さらに空気
中で１１５０℃で仮焼した後、内部電極２を露出させた
両端面にＮｉなどからなる外部電極ペーストを塗布し、
例えばＮ2：Ｈ2＝１０：１の還元性雰囲気中で１２７０
℃で３Ｈｒ焼成したのち空気中で９００℃で２Ｈｒ再酸
化する。その後、内部電極２を露出させた両端面にＡｇ
などからなる外部電極ペーストを塗布し、空気中で８５
０℃で１０分間焼成し積層セラミック磁器素子を得た。
このようにして得られた積層セラミック磁器素子を図１
に一部切欠斜視図で示す。次に、ｐＨ＝４の酸性に耐え
る耐酸性のある例えばＳｉＯ2から成るコーティング材
を例えばディップなどの方法により塗布し、４００℃で
３０分間焼成する。
【００２３】この積層セラミック磁器素子を２５mmＨｇ
の圧力下で５０分間、界面活性剤、例えばアルキルベン
ゼンスルホン酸などの水溶液中に浸漬し、その後イオン
交換水中に浸漬した後１２０℃で３Ｈｒ乾燥し、その後
例えば電解法によるＮｉメッキをしさらに半田メッキを
施す。このようにして得られた積層セラミック磁器素子
の特性および湿中負荷試験の結果を（表３）および（表
４）の試料番号８から１６に示す。
の圧力下で５０分間、界面活性剤、例えばアルキルベン
ゼンスルホン酸などの水溶液中に浸漬し、その後イオン
交換水中に浸漬した後１２０℃で３Ｈｒ乾燥し、その後
例えば電解法によるＮｉメッキをしさらに半田メッキを
施す。このようにして得られた積層セラミック磁器素子
の特性および湿中負荷試験の結果を（表３）および（表
４）の試料番号８から１６に示す。
【００２４】なお、本実施例で示した水中放置に用いた
イオン交換水の導電率は０．５μＳ／cmであったが、２
００μＳ／cm以下であれば同様の効果があることを確認
した。また本実施例では大気圧下での水中放置について
は示さなかったが、大気圧下でも水中放置時間を長くす
れば同様の効果があることを確認した。さらに減圧水中
放置の場合の減圧の程度は大気圧に近い程効果が得られ
るまでに時間がかかり、減圧すればする程短時間で効果
が得られるだけであることから、減圧の程度はとくに限
定する必要はない。
イオン交換水の導電率は０．５μＳ／cmであったが、２
００μＳ／cm以下であれば同様の効果があることを確認
した。また本実施例では大気圧下での水中放置について
は示さなかったが、大気圧下でも水中放置時間を長くす
れば同様の効果があることを確認した。さらに減圧水中
放置の場合の減圧の程度は大気圧に近い程効果が得られ
るまでに時間がかかり、減圧すればする程短時間で効果
が得られるだけであることから、減圧の程度はとくに限
定する必要はない。
【００２５】また、水中放置前に用いたコーティング剤
については、ｐＨ＝４の酸性に耐える耐酸性のある、例
えばＳｉＯ2から成るコーティング材についてのみ示し
たが、メッキ液のｐＨに耐えるだけの耐酸性、耐アルカ
リ性および半田付けの際の温度に耐えるだけの耐熱性を
有するコーティング剤であればどのようなものであって
もかまわない。なお、Ｖ0.1mAは０．１ｍＡの直流電流
を流した時に積層セラミック磁器素子の両端にかかる電
圧である。また本実施例で示した積層セラミック磁器素
子の形状は、通常１，３タイプと呼ばれる大きさのもの
である。
については、ｐＨ＝４の酸性に耐える耐酸性のある、例
えばＳｉＯ2から成るコーティング材についてのみ示し
たが、メッキ液のｐＨに耐えるだけの耐酸性、耐アルカ
リ性および半田付けの際の温度に耐えるだけの耐熱性を
有するコーティング剤であればどのようなものであって
もかまわない。なお、Ｖ0.1mAは０．１ｍＡの直流電流
を流した時に積層セラミック磁器素子の両端にかかる電
圧である。また本実施例で示した積層セラミック磁器素
子の形状は、通常１，３タイプと呼ばれる大きさのもの
である。
【００２６】また、メッキの種類については一部につい
てのみ示したがどのような金属のメッキであってもかま
わないものであり、酸性メッキでも塩基性メッキでも、
また電解メッキでも無電解メッキでもかまわない。また
活性度の高い水溶液の種類については一部についてのみ
示したが界面の自由エネルギーを低下させる作用を持ち
純水より表面張力の小さいものでその後の洗浄で容易に
除去できるものであればどのようなものであってもかま
わない。
てのみ示したがどのような金属のメッキであってもかま
わないものであり、酸性メッキでも塩基性メッキでも、
また電解メッキでも無電解メッキでもかまわない。また
活性度の高い水溶液の種類については一部についてのみ
示したが界面の自由エネルギーを低下させる作用を持ち
純水より表面張力の小さいものでその後の洗浄で容易に
除去できるものであればどのようなものであってもかま
わない。
【００２７】
【発明の効果】以上に示したように本発明によれば、メ
ッキを施した後に大気圧下で活性度の高い水溶液中で放
置し、さらにイオン交換水中で放置することにより、積
層セラミック磁器素子の内部に侵入した陽イオン及び陰
イオンを同素子の外部に排除することにより、フリーの
状態のイオン濃度を低くすることができる。また、さら
に減圧下で同素子を活性度の高いすなわち純水の表面張
力より小さい水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中
で放置し、同素子の内部に水を強制的に含侵させること
により同素子の内部の表面から離れた部分でもフリーの
状態のイオン濃度を低くするのに特に有効である。
ッキを施した後に大気圧下で活性度の高い水溶液中で放
置し、さらにイオン交換水中で放置することにより、積
層セラミック磁器素子の内部に侵入した陽イオン及び陰
イオンを同素子の外部に排除することにより、フリーの
状態のイオン濃度を低くすることができる。また、さら
に減圧下で同素子を活性度の高いすなわち純水の表面張
力より小さい水溶液中で放置し、さらにイオン交換水中
で放置し、同素子の内部に水を強制的に含侵させること
により同素子の内部の表面から離れた部分でもフリーの
状態のイオン濃度を低くするのに特に有効である。
【００２８】このようにして得られた積層セラミック磁
器素子の湿中負荷試験の結果、メッキを施した後に大気
圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置しイオ
ン交換水中で放置することにより初期特性、とくにｔａ
ｎδを小さくすることができるとともに、バリスタ電圧
および静電容量の変化率を著しく小さくすることができ
る。またコーティング膜を通って微量のイオンが素子内
部に侵入した場合でも、同素子の内部に侵入した陽イオ
ン及び陰イオンを同素子の外部に排除することができ、
信頼性試験、特に湿中負荷試験などでイオンが特性を劣
化させるのを抑制することができる。
器素子の湿中負荷試験の結果、メッキを施した後に大気
圧下または減圧下で活性度の高い水溶液中で放置しイオ
ン交換水中で放置することにより初期特性、とくにｔａ
ｎδを小さくすることができるとともに、バリスタ電圧
および静電容量の変化率を著しく小さくすることができ
る。またコーティング膜を通って微量のイオンが素子内
部に侵入した場合でも、同素子の内部に侵入した陽イオ
ン及び陰イオンを同素子の外部に排除することができ、
信頼性試験、特に湿中負荷試験などでイオンが特性を劣
化させるのを抑制することができる。
【００２９】以上に示したように本発明はプロセス的に
も容易で、実用化が可能な比較的容易な製造方法で積層
セラミック磁器素子を得ることができ、実用上の効果は
極めて大きいものである。
も容易で、実用化が可能な比較的容易な製造方法で積層
セラミック磁器素子を得ることができ、実用上の効果は
極めて大きいものである。
【図１】本発明の一実施例による積層セラミック磁器素
子の構成を示す一部切欠斜視図
子の構成を示す一部切欠斜視図
【図２】同実施例による製造方法を説明する要部分解斜
視図
視図
１ セラミックシート ２ 内部電極層 ３ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】セラミック層の主成分がＳｒＴｉＯ3また
はＳｒの一部をｃａ，Ｍｇ，Ｂａで置換したもの及びこ
れらの混合物であり、内部電極および外部電極の主成分
がＡｇ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｎａ，
ｋ，Ｌｉ，のうち少なくとも一種類以上の金属またはそ
れらの合金あるいは混合物である積層セラミック磁器素
子。 - 【請求項２】一方が端縁まで至る内部電極層がセラミッ
ク層を介して交互に配置されるようにそれぞれ複数層積
層し、かつ前記内部電極の両端縁に外部電極を設けてな
る積層セラミック磁器素子の前記外部電極部分にメッキ
を施した後、大気圧下または減圧下で活性度の高い水溶
液中に放置し、さらにイオン交換水中に放置する請求項
１記載の積層セラミック磁器素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4141302A JP3064668B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 積層セラミック磁器素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4141302A JP3064668B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 積層セラミック磁器素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335176A true JPH05335176A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3064668B2 JP3064668B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=15288729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4141302A Expired - Fee Related JP3064668B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 積層セラミック磁器素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064668B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10726994B2 (en) | 2016-06-06 | 2020-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP4141302A patent/JP3064668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10726994B2 (en) | 2016-06-06 | 2020-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064668B2 (ja) | 2000-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8894836B2 (en) | Electronic device and method for manufacturing the same | |
| US5561587A (en) | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor | |
| KR100498682B1 (ko) | 칩형 전자 부품 | |
| EP0255072A2 (en) | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic capacitor | |
| TWI811380B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| US11664164B2 (en) | Multilayer electronic component | |
| JP3494115B2 (ja) | 導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| KR20220090988A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 실장 기판 | |
| JP3152065B2 (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPH05299286A (ja) | 積層型セラミック素子およびその製造方法 | |
| JPH056805A (ja) | チツプ型バリスタ | |
| JP3064668B2 (ja) | 積層セラミック磁器素子の製造方法 | |
| JPH04293214A (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JP2618019B2 (ja) | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 | |
| JP3070238B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JP2003272906A (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JP2003059337A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いたチップ型電子部品 | |
| EP0610516B1 (en) | Method of producing ceramic component | |
| JP3253028B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 | |
| JPH05291074A (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JP3064676B2 (ja) | 積層セラミック磁器素子 | |
| JP2946865B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH09162452A (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JP2000260654A (ja) | 極小チップ型電子部品 | |
| JP4470463B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |