JPH05334179A - Memory integrated circuit - Google Patents

Memory integrated circuit

Info

Publication number
JPH05334179A
JPH05334179A JP4163905A JP16390592A JPH05334179A JP H05334179 A JPH05334179 A JP H05334179A JP 4163905 A JP4163905 A JP 4163905A JP 16390592 A JP16390592 A JP 16390592A JP H05334179 A JPH05334179 A JP H05334179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address value
weight
address
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4163905A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Tsuchida
良憲 土田
Akira Nakamura
彰 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4163905A priority Critical patent/JPH05334179A/en
Publication of JPH05334179A publication Critical patent/JPH05334179A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a memory integrated circuit provided with a bit weight reversion control means for converting output data into a data format corresponding to each processor to be used in a processor using plural different processors. CONSTITUTION:The memory integrated circuit is constituted of a memory cell array 3 for storing data, the 1st address buffer 1 for inputting a row address value, a row decoder 2 for decoding a row address value inputted from the buffer 1, the 2nd address buffer 8 for inputting a column address value. Furthermore, the same is constituted of a column decoder 6 for decoding the column address value inputted from the buffer 8, a sense switch 5 for reading out data from the array 3 in accordance with the address values obtained from both the decoders 2, 6, and an output data weight reversing circuit 7 for controlling the reversion of bit weight of data obtained from the switch 5 by a weight inversion signal S and outputting the controlled data to a data bus.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、メモリ集積回路に係
り、とくに複数の異なるプロセッサを使用する処理装置
に好適なメモリ集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory integrated circuit, and more particularly to a memory integrated circuit suitable for a processing device using a plurality of different processors.

【0002】[0002]

【従来の技術】イメージ処理等で複数の異なるプロセッ
サを使用する場合、データ形式がプロセッサによってL
SB(Least Significant Bit)
ファーストのものとMSB(Most Signifi
cant Bit)ファーストのものがあり、データの
やりとりをする際に必要に応じてビットの重みを反転す
る必要がある。従来のメモリ集積回路においては、ビッ
トの重みを反転する場合には、図3に示されるようにメ
モリ集積回路12の外部に重み反転信号Sに基づいて入
出力データの重みを反転させる重み反転回路11が具備
されていた。 (1)データ書き込み時: .重み反転回路11は、方向制御信号DIRに基づき
データの出力方向をメモリ集積回路12側にする。 .また重み反転回路11は、重み反転信号Sに基づき
データの重みを反転するかしないかを選択する。 ここで、重み反転信号Sが反転指示の場合は、重み反転
回路11は、入力データI/O1〜I/O8を反転させメ
モリ集積回路12に出力する。一方、重み反転信号Sが
非反転指示の場合は、重み反転回路11は、入力データ
I/O1〜I/O8を反転させずにメモリ集積回路12に
出力する。 .メモリ集積回路12は重み反転回路11からの入力
データを書き込む。 (2)データ読み出し時: .重み反転回路11は、方向制御信号DIRに基づき
データの出力方向を外部データバス側にする。 .また重み反転回路11は、重み反転信号Sに基づき
データの重みを反転するかしないかを選択する。 ここで、重み反転信号Sが反転指示の場合は、重み反転
回路11は、メモリ集積回路12からの出力信号を反転
させデータI/O1〜I/O8として外部データバスに出
力する。一方、重み反転信号Sが非反転指示の場合は、
重み反転回路11は、メモリ集積回路12からの出力信
号を反転させずデータI/O1〜I/O8として外部デー
タバスに出力する。
2. Description of the Related Art When a plurality of different processors are used for image processing, the data format depends on the processor.
SB (Least Significant Bit)
First thing and MSB (Most Signifi
There is a cant bit) first type, and it is necessary to invert the bit weight when necessary when exchanging data. In the conventional memory integrated circuit, when inverting the bit weight, as shown in FIG. 3, a weight inverting circuit for inverting the weight of input / output data based on the weight inversion signal S is provided outside the memory integrated circuit 12. 11 were equipped. (1) When writing data: The weight inversion circuit 11 sets the data output direction to the memory integrated circuit 12 side based on the direction control signal DIR. . The weight inversion circuit 11 selects whether or not to invert the data weight based on the weight inversion signal S. Here, when the weight inversion signal S is an inversion instruction, the weight inversion circuit 11 inverts the input data I / O1 to I / O8 and outputs it to the memory integrated circuit 12. On the other hand, when the weight inversion signal S is a non-inversion instruction, the weight inversion circuit 11 outputs the input data I / O1 to I / O8 to the memory integrated circuit 12 without inverting them. . The memory integrated circuit 12 writes the input data from the weight inverting circuit 11. (2) When reading data :. The weight inverting circuit 11 sets the data output direction to the external data bus side based on the direction control signal DIR. . The weight inversion circuit 11 selects whether or not to invert the data weight based on the weight inversion signal S. Here, when the weight inversion signal S is an inversion instruction, the weight inversion circuit 11 inverts the output signal from the memory integrated circuit 12 and outputs it as data I / O1 to I / O8 to the external data bus. On the other hand, when the weight inversion signal S is a non-inversion instruction,
The weight inverting circuit 11 outputs the output signal from the memory integrated circuit 12 to the external data bus as data I / O1 to I / O8 without inverting it.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、ビットの重み反転制御用の重み反転回
路を外付けとしているために、回路が複雑になるととも
に部品点数が多く、省電力化や小型化が困難であるとい
う不都合があった。
However, in the above-mentioned conventional example, since the weight inversion circuit for bit weight inversion control is externally attached, the circuit is complicated and the number of parts is large, so that power saving and There is an inconvenience that miniaturization is difficult.

【0004】[0004]

【発明の目的】本発明の目的は、かかる従来例の有する
不都合を改善し、とくに複数の異なるプロセッサを使用
する処理装置において、使用する各プロセッサに対応し
たデータ形式に出力データを変換するビットの重み反転
制御手段を具備するメモリ集積回路を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art, and in particular, in a processing device using a plurality of different processors, to convert the output data into a data format corresponding to each processor used. Another object of the present invention is to provide a memory integrated circuit having a weight inversion control means.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、デ
ータを記憶するメモリセルアレイと、ローアドレス値を
入力する第1のアドレスバッファと、この第1のアドレ
スバッファからのローアドレス値をデコードするローデ
コーダと、カラムアドレス値を入力する第2のアドレス
バッファと、この第2のアドレスバッファからのカラム
アドレス値をデコードするカラムデコーダと、ローデコ
ーダとカラムデコーダからのアドレス値に従ってメモリ
セルアレイからデータの読み出しを行うセンススイッチ
とを備えている。そして、外部から入力される重み反転
信号によりセンススイッチからのデータのビットの重み
反転を制御しデータバスに出力する出力データ重み反転
回路とを具備するという構成を採っている。これによっ
て前述した目的を達成しようとするものである。
Therefore, in the present invention, a memory cell array for storing data, a first address buffer for inputting a row address value, and a row address value from the first address buffer are decoded. A row decoder, a second address buffer for inputting a column address value, a column decoder for decoding a column address value from this second address buffer, and a data array from the memory cell array according to the address values from the row decoder and the column decoder. And a sense switch for reading. Then, an output data weight reversal circuit for controlling the weight reversal of the bits of the data from the sense switch by the weight reversal signal inputted from the outside and outputting it to the data bus is adopted. This is intended to achieve the above-mentioned object.

【0006】[0006]

【作用】読み出しアドレス値のうちローアドレス値は第
1のアドレスバッファに入力され、カラムアドレス値を
第2のアドレスバッファに入力される。CS(Chip
Select:チップ選択信号)とOE(Outpu
t Enable:読み出し信号)が「ローレベル」に
なると、第1のアドレスバッファに格納されたローアド
レス値は、ローデコーダに送られデコードされ、一方第
2のアドレスバッファに格納されたカラムアドレス値
は、カラムデコーダに送られデコードされる。センスス
イッチは、ローデコーダとカラムデコーダからの読み出
しアドレス値によりメモリセルアレイの中の読み出すべ
きメモリセルを選択し、当該メモリセルからデータを読
み出す。このメモリセルアレイから読み出されたデータ
はセンススイッチを介して出力データ重み反転回路に出
力される。出力データ重み反転回路は、重み反転信号が
反転指示であれば、センススイッチからのデータの重み
を反転し、データバスに出力する。一方、重み反転信号
が非反転指示であれば、出力データ重み反転回路はセン
ススイッチからのデータの重みを反転せずそのままデー
タバスに出力する。
The row address value of the read address values is input to the first address buffer, and the column address value is input to the second address buffer. CS (Chip
Select: Chip selection signal) and OE (Output)
t Enable (read signal) becomes “low level”, the row address value stored in the first address buffer is sent to the row decoder and decoded, while the column address value stored in the second address buffer becomes , Sent to the column decoder and decoded. The sense switch selects a memory cell to be read in the memory cell array according to the read address value from the row decoder and the column decoder, and reads data from the memory cell. The data read from the memory cell array is output to the output data weight inverting circuit via the sense switch. The output data weight inversion circuit inverts the weight of the data from the sense switch and outputs it to the data bus if the weight inversion signal is an inversion instruction. On the other hand, if the weight inversion signal is a non-inversion instruction, the output data weight inversion circuit outputs the data weight from the sense switch to the data bus without inverting it.

【0007】[0007]

【発明の実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし
図2に基づいて説明する。第1の実施例は、図1に示さ
れるように、データを記憶するメモリセルアレイ3と、
ローアドレス値ARを入力する第1のアドレスバッファ
1と、第1のアドレスバッファ1からのローアドレス値
ARをデコードするローデコーダ2と、カラムアドレス
値ACを入力する第2のアドレスバッファ8と、第2の
アドレスバッファ8からのカラムアドレス値ACをデコ
ードするカラムデコーダ6と、入出力データバスI/O
1〜I/O8上のデータを入力する入力データコントロー
ル4と、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からのアド
レス値に従って入力データコントロール4からの入力デ
ータをメモリセルアレイ3に格納するとともに、メモリ
セルアレイ3からデータの読み出しを行うセンススイッ
チ5と、重み反転信号Sによりセンススイッチ5からの
データのビットの重み反転を制御し入出力データバスI
/O1〜I/O8に出力する出力データ重み反転回路7と
から構成される。ここで、第1のアドレスバッファ1
は、CS(Chip Select:チップ選択信号)
が「ローレベル」になるとアドレスバス上のローアドレ
ス値ARを取り込む。入力データコントロール4は、C
S(Chip Select:チップ選択信号)とWE
(Wright Enable:書き込み信号)がとも
に、「ローレベル」になると入出力データバスI/O1
〜I/O8上のデータを取り込む。出力データ重み反転
回路7は、CS(Chip Select:チップ選択
信号)とOE(Output Enable:読み出し
信号)がともに「ローレベル」で、かつWE(Wrig
ht Enable:書き込み信号)が「ハイレベル」
になると動作する。次に、本実施例の動作について説明
する。 (1)データ書き込み時: .書き込みアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。書き込みアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とWE(WrightEnable:書き込み信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .入力データコントロール4は、入出力データバスI
/O1〜I/O8上のデータ[a,b,c,d,e,f,
g,h]を取り込み、センススイッチ5に出力する。 .センススイッチ5は、入力データコントロール4か
らの入力データ[a,b,c,d,e,f,g,h]
を、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からの書き込み
アドレス値に従いメモリセルアレイ3の当該アドレス位
置のメモリセルに書き込む。 (2)データの読み出し時: .読み出しアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。 読み出しアドレス値のうちカラムアドレス値ACを第2
のアドレスバッファ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とOE(OutputEnable:読み出し信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .センススイッチ5は、ローデコーダ2とカラムデコ
ーダ6からの読み出しアドレス値によりメモリセルアレ
イ3の中の読み出すべきメモリセルを選択し、当該メモ
リセルから8ビットのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を読み出す。 .メモリセルアレイ3から読み出されたデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]は、センススイッチ5を
介して出力データ重み反転回路7に出力される。 .出力データ重み反転回路7は、重み反転信号Sが反
転指示であれば、センススイッチ5からのデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]の重みを反転し、[h,
g,f,e,d,c,b,a]というデータに変換して
データバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出力する。 一方、重み反転信号Sが非反転指示であれば、出力デー
タ重み反転回路7はセンススイッチ5からのデータ
[a,b,c,d,e,f,g,h]の重みを反転せ
ず、そのままデータバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出
力する。第2の実施例は、図2に示されるように、デー
タを記憶するメモリセルアレイ3と、ローアドレス値A
Rを入力する第1のアドレスバッファ1と、第1のアド
レスバッファ1からのローアドレス値ARをデコードす
るローデコーダ2と、カラムアドレス値ACを入力する
第2のアドレスバッファ8と、第2のアドレスバッファ
8からのカラムアドレス値ACをデコードするカラムデ
コーダ6と、入出力データバスI/O1〜I/O8上のデ
ータを入力する入力データコントロール4と、ローデコ
ーダ2とカラムデコーダ6からのアドレス値に従って入
力データコントロール4からのデータをメモリセルアレ
イ3に格納するとともにメモリセルアレイ3からデータ
の読み出しを行うセンススイッチ5と、重み反転信号S
と分割信号Wによりセンススイッチ5からのデータのビ
ットの重み反転を制御し入出力データバスI/O1〜I
/O8に出力する出力データ分割・重み反転回路10と
から構成される。ここで、第1のアドレスバッファ1
は、CS(Chip Select:チップ選択信号)
が「ローレベル」になるとアドレスバス上のローアドレ
ス値ARを取り込む。入力データコントロール4は、C
S(Chip Select:チップ選択信号)とWE
(Wright Enable:書き込み信号)がとも
に、「ローレベル」になると入出力データバスI/O1
〜I/O8上のデータを取り込む。出力データ分割・重
み反転回路10は、CS(Chip Select:チ
ップ選択信号)とOE(Output Enable:
読み出し信号)がともに「ローレベル」で、かつWE
(Wright Enable:書き込み信号)が「ハ
イレベル」になると動作する。次に、本実施例の動作に
ついて説明する。 (1)データ書き込み時: .書き込みアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。書き込みアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とWE(WrightEnable:書き込み信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .入力データコントロール4は、入出力データバスI
/O1〜I/O8上のデータ[a,b,c,d,e,f,
g,h]を取り込み、センススイッチ5に出力する。 .センススイッチ5は、入力データコントロール4か
らの入力データ[a,b,c,d,e,f,g,h]
を、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からの書き込み
アドレス値に従いメモリセルアレイ3の当該アドレス位
置のメモリセルに書き込む。 (2)データの読み出し時: .読み出しアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。読み出しアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とOE(OutputEnable:読み出し信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .センススイッチ5は、ローデコーダ2とカラムデコ
ーダ6からの読み出しアドレス値によりメモリセルアレ
イ3の中の読み出すべきメモリセルを選択し、当該メモ
リセルから8ビットのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を読み出す。 .メモリセルアレイ3から読み出されたデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]はセンススイッチ5を介
して出力データ分割・重み反転回路10に出力される。 .出力データ分割・重み反転回路10は、重み反転信
号Sが非反転に選択されていれば、データの重みを反転
せず、センススイッチ5からのデータ[a,b,c,
d,e,f,g,h]をそのままデータバスI/O1〜
I/O8にそれぞれ出力する。 また、重み反転信号Sが反転に選択されており、かつ分
割信号Wが分割に選択されていれば、出力データ分割・
重み反転回路10はセンススイッチ5からのデータ
[a,b,c,d,e,f,g,h]を4ビットずつに
分割して重みを反転し、[d,c,b,a,h,g,
f,e]というデータに変換してデータバスI/O1〜
I/O8にそれぞれ出力する。あるいは重み反転信号S
が反転に選択されており、かつ分割信号Wが非分割に選
択されていれば、出力データ分割・重み反転回路10は
センススイッチ5からのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を分割せずに重みを反転し、[h,g,
f,e,d,c,b,a]というデータに変換してデー
タバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出力する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, a memory cell array 3 for storing data,
A first address buffer 1 for inputting a row address value AR, a row decoder 2 for decoding a row address value AR from the first address buffer 1, a second address buffer 8 for inputting a column address value AC, A column decoder 6 for decoding the column address value AC from the second address buffer 8 and an input / output data bus I / O
Input data control 4 for inputting data on 1 to I / O8 and input data from the input data control 4 according to the address values from the row decoder 2 and the column decoder 6 are stored in the memory cell array 3 and at the same time from the memory cell array 3 The sense switch 5 for reading data and the weight inversion signal S are used to control the weight inversion of the bits of the data from the sense switch 5 to control the input / output data bus I.
/ O1 to I / O8. Here, the first address buffer 1
Is CS (Chip Select: Chip selection signal)
Goes to "low level", the row address value AR on the address bus is taken in. Input data control 4 is C
S (Chip Select: Chip Select Signal) and WE
When both (Write Enable: write signal) become "low level", the input / output data bus I / O1
~ Capture data on I / O8. The output data weight inverting circuit 7 has a CS (Chip Select: chip select signal) and an OE (Output Enable: read signal) both at a “low level” and a WE (Wrig.
ht Enable: write signal) is "high level"
Will work. Next, the operation of this embodiment will be described. (1) When writing data: The row address value AR of the write address value is input to the first address buffer 1. The column address value AC of the write address value is input to the second address buffer 8. . CS (Chip Select: Chip selection signal)
And WE (WrightEnable: write signal) are set to "low level". . The row address value AR stored in the first address buffer 1 is sent to the row decoder 2 and decoded.
The column address value AC stored in the second address buffer 8 is sent to the column decoder 6 and decoded. . The input data control 4 is the input / output data bus I
Data on / O1 to I / O8 [a, b, c, d, e, f,
g, h] is taken in and output to the sense switch 5. . The sense switch 5 inputs the input data [a, b, c, d, e, f, g, h] from the input data control 4.
According to the write address values from the row decoder 2 and the column decoder 6 are written in the memory cells at the corresponding address positions in the memory cell array 3. (2) When reading data: The row address value AR of the read address value is input to the first address buffer 1. The second column address value AC among the read address values
Input to the address buffer 8. . CS (Chip Select: Chip selection signal)
And OE (Output Enable: read signal) are set to "low level". . The row address value AR stored in the first address buffer 1 is sent to the row decoder 2 and decoded.
The column address value AC stored in the second address buffer 8 is sent to the column decoder 6 and decoded. . The sense switch 5 selects a memory cell in the memory cell array 3 to be read according to the read address value from the row decoder 2 and the column decoder 6, and the 8-bit data [a, b, c, d, e from the memory cell is selected. ,
f, g, h] are read. . Data read from the memory cell array 3 [a,
b, c, d, e, f, g, h] are output to the output data weight inverting circuit 7 via the sense switch 5. . The output data weight reversing circuit 7 receives the data [a,
b, c, d, e, f, g, h] are inverted and [h,
g, f, e, d, c, b, a] and output to the data buses I / O1 to I / O8, respectively. On the other hand, if the weight inversion signal S is a non-inversion instruction, the output data weight inversion circuit 7 does not invert the weight of the data [a, b, c, d, e, f, g, h] from the sense switch 5. , And output to the data buses I / O1 to I / O8 as they are. In the second embodiment, as shown in FIG. 2, a memory cell array 3 for storing data and a row address value A
A first address buffer 1 for inputting R, a row decoder 2 for decoding a row address value AR from the first address buffer 1, a second address buffer 8 for inputting a column address value AC, a second A column decoder 6 for decoding the column address value AC from the address buffer 8, an input data control 4 for inputting data on the input / output data buses I / O1 to I / O8, an address from the row decoder 2 and the column decoder 6 A sense switch 5 for storing the data from the input data control 4 in the memory cell array 3 according to the value and reading the data from the memory cell array 3, and a weight inversion signal S.
And the division signal W to control the bit weight inversion of the data from the sense switch 5 to control the input / output data buses I / O1 to I / I.
It is composed of an output data division / weight inversion circuit 10 for outputting to / O8. Here, the first address buffer 1
Is CS (Chip Select: Chip selection signal)
Goes to "low level", the row address value AR on the address bus is taken in. Input data control 4 is C
S (Chip Select: Chip Select Signal) and WE
When both (Write Enable: write signal) become "low level", the input / output data bus I / O1
~ Capture data on I / O8. The output data division / weight inversion circuit 10 includes a CS (Chip Select: chip select signal) and an OE (Output Enable).
Both read signals are "low level" and WE
It operates when (Write Enable: write signal) becomes “high level”. Next, the operation of this embodiment will be described. (1) When writing data: The row address value AR of the write address value is input to the first address buffer 1. The column address value AC of the write address value is input to the second address buffer 8. . CS (Chip Select: Chip selection signal)
And WE (WrightEnable: write signal) are set to "low level". . The row address value AR stored in the first address buffer 1 is sent to the row decoder 2 and decoded.
The column address value AC stored in the second address buffer 8 is sent to the column decoder 6 and decoded. . The input data control 4 is the input / output data bus I
Data on / O1 to I / O8 [a, b, c, d, e, f,
g, h] is taken in and output to the sense switch 5. . The sense switch 5 inputs the input data [a, b, c, d, e, f, g, h] from the input data control 4.
According to the write address values from the row decoder 2 and the column decoder 6 are written in the memory cells at the corresponding address positions in the memory cell array 3. (2) When reading data: The row address value AR of the read address value is input to the first address buffer 1. The column address value AC of the read address value is input to the second address buffer 8. . CS (Chip Select: Chip selection signal)
And OE (Output Enable: read signal) are set to "low level". . The row address value AR stored in the first address buffer 1 is sent to the row decoder 2 and decoded.
The column address value AC stored in the second address buffer 8 is sent to the column decoder 6 and decoded. . The sense switch 5 selects a memory cell in the memory cell array 3 to be read according to the read address value from the row decoder 2 and the column decoder 6, and the 8-bit data [a, b, c, d, e from the memory cell is selected. ,
f, g, h] are read. . Data read from the memory cell array 3 [a,
b, c, d, e, f, g, h] are output to the output data division / weight inversion circuit 10 via the sense switch 5. . The output data division / weight inversion circuit 10 does not invert the data weight if the weight inversion signal S is selected to be non-inverted, and outputs the data [a, b, c,
d, e, f, g, h] as they are to the data bus I / O 1 ...
Output to I / O8 respectively. If the weight inversion signal S is selected for inversion and the division signal W is selected for division, output data division /
The weight inverting circuit 10 divides the data [a, b, c, d, e, f, g, h] from the sense switch 5 into 4 bits each and inverts the weights, [d, c, b, a, h, g,
data bus I / O1 to
Output to I / O8 respectively. Alternatively, the weight inversion signal S
Is selected for inversion and the division signal W is selected for non-division, the output data division / weight inversion circuit 10 causes the data [a, b, c, d, e,
f, g, h] are not divided and the weights are inverted, [h, g, h
f, e, d, c, b, a] and output to the data buses I / O1 to I / O8, respectively.

【0008】[0008]

【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、複数の異なるプロセッサを使用す
る処理装置において、使用する各プロセッサに対応した
データ形式に出力データを変換するためのビットの重み
反転制御用の重み反転回路を外付けすることなく出力デ
ータのビットの重みを反転制御することができ、これが
ため、回路構成が簡単になり、部品点数を減らすことが
できるとともに、装置の小型化、信頼性および経済性の
向上を図ることができるという従来にない優れたメモリ
集積回路を提供することができる。
Since the present invention is constructed and functions as described above, according to the present invention, in a processing device using a plurality of different processors, it is possible to convert output data into a data format corresponding to each processor to be used. The bit weight of output data can be controlled to be inverted without externally attaching a weight inversion circuit for controlling the weight inversion of bits, which simplifies the circuit configuration and reduces the number of parts, and the device It is possible to provide an unprecedented excellent memory integrated circuit which can achieve miniaturization, improvement in reliability and economy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のアドレスバッファ 2 ローデコーダ 3 メモリセルアレイ 4 入力データコントロール 5 センススイッチ 6 カラムデコーダ 7 出力データ重み反転回路 8 第2のアドレスバッファ 9 出力データ分割・重み反転回路 S 重み反転信号 W 分割信号 1 First Address Buffer 2 Row Decoder 3 Memory Cell Array 4 Input Data Control 5 Sense Switch 6 Column Decoder 7 Output Data Weight Inversion Circuit 8 Second Address Buffer 9 Output Data Division / Weight Inversion Circuit S Weight Inversion Signal W Division Signal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データを記憶するメモリセルアレイと、
ローアドレス値を入力する第1のアドレスバッファと、
この第1のアドレスバッファからのローアドレス値をデ
コードするローデコーダと、カラムアドレス値を入力す
る第2のアドレスバッファと、この第2のアドレスバッ
ファからのカラムアドレス値をデコードするカラムデコ
ーダと、前記ローデコーダと前記カラムデコーダからの
アドレス値に従って前記メモリセルアレイからデータの
読み出しを行うセンススイッチとを備え、外部から入力
される重み反転信号により前記センススイッチからのデ
ータのビットの重み反転を制御しデータバスに出力する
出力データ重み反転回路を装備したことを特徴とするメ
モリ集積回路。
1. A memory cell array for storing data,
A first address buffer for inputting a row address value,
A row decoder for decoding a row address value from the first address buffer, a second address buffer for inputting a column address value, a column decoder for decoding a column address value from the second address buffer, and A row decoder and a sense switch for reading data from the memory cell array in accordance with an address value from the column decoder are provided, and a weight inversion signal externally input controls the bit weight inversion of the data from the sense switch to control the data. A memory integrated circuit having an output data weight inversion circuit for outputting to a bus.
【請求項2】 データを記憶するメモリセルアレイと、
ローアドレス値を入力する第1のアドレスバッファと、
この第1のアドレスバッファからのローアドレス値をデ
コードするローデコーダと、カラムアドレス値を入力す
る第2のアドレスバッファと、この第2のアドレスバッ
ファからのカラムアドレス値をデコードするカラムデコ
ーダと、前記ローデコーダと前記カラムデコーダからの
アドレス値に従って前記メモリセルアレイからデータの
読み出しを行うセンススイッチとを備え、外部から入力
された重み反転信号と分割信号により前記センススイッ
チからのデータのビットの重み反転を制御しデータバス
に出力する出力データ分割・重み反転回路を装備したこ
とを特徴とするメモリ集積回路。
2. A memory cell array for storing data,
A first address buffer for inputting a row address value,
A row decoder for decoding a row address value from the first address buffer, a second address buffer for inputting a column address value, a column decoder for decoding a column address value from the second address buffer, and A sense switch for reading data from the memory cell array according to an address value from the row decoder and the column decoder is provided, and bit weight inversion of the data from the sense switch is performed by a weight inversion signal and a division signal input from the outside. A memory integrated circuit having an output data division / weight inversion circuit for controlling and outputting to a data bus.
JP4163905A 1992-05-29 1992-05-29 Memory integrated circuit Withdrawn JPH05334179A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4163905A JPH05334179A (en) 1992-05-29 1992-05-29 Memory integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4163905A JPH05334179A (en) 1992-05-29 1992-05-29 Memory integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05334179A true JPH05334179A (en) 1993-12-17

Family

ID=15783058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4163905A Withdrawn JPH05334179A (en) 1992-05-29 1992-05-29 Memory integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05334179A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013542529A (en) * 2010-11-02 2013-11-21 マイクロン テクノロジー, インク. Data signal mirroring

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013542529A (en) * 2010-11-02 2013-11-21 マイクロン テクノロジー, インク. Data signal mirroring
US10108684B2 (en) 2010-11-02 2018-10-23 Micron Technology, Inc. Data signal mirroring

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2823767B2 (en) Register file
JP3676411B2 (en) Register file device and register file access method
JP2001052479A (en) Memory device
JPH05334179A (en) Memory integrated circuit
JPH0612608B2 (en) Semiconductor memory device
JP3102754B2 (en) Information utilization circuit
JPH07226079A (en) Semiconductor memory
JP2517126B2 (en) Semiconductor memory device
JPH0810443B2 (en) Memory control circuit
JPH05189304A (en) Semiconductor storage device
JPH0520173A (en) Cache memory circuit
JPH03191450A (en) Defective chip substituting circuit for memory card
JP3091522B2 (en) Memory circuit
JPH05289938A (en) Memory access device
JPH04263332A (en) Information processor containing multi-port type random access memory
JPH0798695A (en) Microcomputer
JPS63208142A (en) Information processor
JPS62298990A (en) High speed memory device
JPS6121541A (en) Storage circuit
JPS58146081A (en) Memory input-output circuit
JP2000003588A (en) Semiconductor memory
JPH11162171A (en) Semiconductor memory and semiconductor integrated circuit device
JP2002328803A (en) Device and method for converting data
JPS59191184A (en) Memory device
JPH06275079A (en) Semiconductor storage

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803