JPH0533014Y2 - - Google Patents

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JPH0533014Y2
JPH0533014Y2 JP1986202813U JP20281386U JPH0533014Y2 JP H0533014 Y2 JPH0533014 Y2 JP H0533014Y2 JP 1986202813 U JP1986202813 U JP 1986202813U JP 20281386 U JP20281386 U JP 20281386U JP H0533014 Y2 JPH0533014 Y2 JP H0533014Y2
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wafer
support
groove
width
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は高温雰囲気中において使用される支持
治具に関し、特に電子工業用の半導体素子を製造
するために高温炉内に収納されて、シリコン等を
材料とするウエハーの支持台として使用される支
持治具に関するものである。
[Detailed description of the invention] (Field of industrial application) The present invention relates to a support jig used in a high-temperature atmosphere, and in particular, a support jig that is housed in a high-temperature furnace to manufacture semiconductor devices for the electronic industry. The present invention relates to a support jig used as a support for wafers made of materials such as the following.

(従来の技術) 従来、ウエハーを支持するために使用されるこ
の種の支持治具は、例えば石英質のもの、炭素・
炭化珪素複合体あるいは炭化珪素成形体に金属シ
リコンを充填させた複合体から形成したもの等が
知られているが、これらのある物は耐熱性に劣つ
たり、非常に高価なものとなつたりして、実際上
の治具としてはそぐわないものである。そこで、
炭化珪素からなり三次元網目状の骨格内に金属シ
リコンを充填したものも提案されている。
(Prior art) Conventionally, this type of support jig used to support a wafer has been made of quartz, carbon, etc.
Silicon carbide composites or composites made of silicon carbide molded bodies filled with metallic silicon are known, but some of these products have poor heat resistance or are very expensive. Therefore, it is not suitable as a practical jig. Therefore,
A structure in which a three-dimensional mesh-like skeleton made of silicon carbide is filled with metallic silicon has also been proposed.

しかしながら、上記いずれの材料を使用してこ
の種の支持治具を形成するにしろ、当該支持治具
は高温雰囲気中において使用されるものであるか
ら、その熱膨張を充分考慮しなければならないの
に、従来既に提案されてきているこの種の支持治
具においてはこの熱膨張による形態変化には充分
な考慮が払われていないものであつた。特に、近
年のウエハー用支持治具にあつては、ウエハーの
大量生産を目指して大型化してきており、上記の
熱膨張は無視することができない現象になつてき
ているのである。
However, no matter which material is used to form this type of support jig, since the support jig is used in a high-temperature atmosphere, its thermal expansion must be fully considered. Furthermore, in the supporting jigs of this kind that have been proposed in the past, sufficient consideration has not been given to this change in shape due to thermal expansion. In particular, in recent years, wafer support jigs have become larger with the aim of mass-producing wafers, and the above-mentioned thermal expansion has become a phenomenon that cannot be ignored.

例えば、近年製造されつつあるこの種の支持治
具としては、その長さが1000mm以上にも及ぶもの
が用いられるようになつてきている。この種の支
持治具が挿入される炉内の温度は1000℃を超える
ものであり、また例えば熱膨張率の比較的少ない
炭化珪素であつても、線熱膨張率のオーダーが
10-6/℃程度であることから、結果としてこの支
持治具は全体として数mm程度の伸びが認められる
ことになる。
For example, in recent years, support jigs of this type that are being manufactured have a length of 1000 mm or more. The temperature inside the furnace where this type of support jig is inserted exceeds 1000℃, and even if silicon carbide has a relatively low coefficient of thermal expansion, the coefficient of linear thermal expansion is on the order of the order of magnitude.
Since the temperature is approximately 10 -6 /°C, as a result, this support jig as a whole is observed to elongate by several mm.

一般に、従来既に提案されてきている支持治具
20は、通常次のような構造を有している。すな
わち、第5図に示すように、半導体素子の材料と
なるウエハー30が支持される凹溝23を多数形
成した複数の支持棒材21,22を、各凹溝23
が内方に向くように支持台24を介して連結する
ことにより、各ウエハー30を凹溝23にて支持
するようにしているのである。従来のこの種の支
持治具20の、特にその下側支持棒材22に形成
した凹溝23について検討して見ると、通常凹溝
23の巾はウエハー30の巾と略同じにしてあ
り、かつその側面部は略平行に形成されている。
また、上側支持棒材21の各凹溝23について
も、下側支持棒材22側の凹溝23と略同じ巾の
ものとして形成してある。
Generally, the support jig 20 that has been proposed in the past usually has the following structure. That is, as shown in FIG. 5, a plurality of support rods 21 and 22 each having a large number of grooves 23 in which a wafer 30, which is a material for a semiconductor element, is supported is inserted into each groove 23.
By connecting the wafers 30 via the support stand 24 so that the wafers face inward, each wafer 30 is supported by the groove 23. When considering the conventional support jig 20 of this type, especially the groove 23 formed in the lower support bar 22, it is found that the width of the groove 23 is usually approximately the same as the width of the wafer 30. Moreover, the side portions thereof are formed substantially parallel.
Further, each groove 23 of the upper support bar 21 is also formed to have approximately the same width as the groove 23 on the lower support bar 22 side.

支持治具20がこのような構造であると、上側
支持棒材21及び下側支持棒材22間に熱膨張の
差が生じた場合に、上側支持棒材21及び下側支
持棒材22の各凹溝23の位置が相対的にズレる
ことになり、これらの凹溝23内に支持されてい
たウエハー30がその支持部の位置ズレによつて
言わばこじられる状態になる。こうなると、ウエ
ハー30は曲折され、場合によつてはこのウエハ
ー30が薄いものであるから破損するといつたこ
とが生じるのである。特に、支持治具自体の長さ
が長ければ長いほど、この現象が端的に現れるの
である。このようになるのは、とりもなおさず各
凹溝23が互いに平行な面によつて構成されてお
り、各ウエハー30はこの面によつて支持されて
いるからであると考えられる。
If the support jig 20 has such a structure, when a difference in thermal expansion occurs between the upper support rod 21 and the lower support rod 22, the difference between the upper support rod 21 and the lower support rod 22 The positions of the respective grooves 23 are shifted relative to each other, and the wafer 30 supported within these grooves 23 is, so to speak, forced due to the positional shift of the support portions. In this case, the wafer 30 is bent, and in some cases, the wafer 30 is thin and may be damaged. In particular, the longer the length of the support jig itself, the more clearly this phenomenon appears. This is presumably because each of the grooves 23 is formed by surfaces parallel to each other, and each wafer 30 is supported by these surfaces.

上側支持棒材及び下側支持棒材間に熱膨張の差
が生じる場合とは、加熱された支持治具を炉の外
に取り出したとき、その支持台を介して机の上等
に載置されるのであるが、これにより下側支持棒
材が上側支持棒材より早く冷却される場合であ
る。また、当該支持治具を炉内に収納する場合に
は下側支持棒材に出し入れ用治具を接触させた状
態で入れられるが、当該支持治具の下方の熱容量
が上方より高くなつて温度差を生じ、これによつ
ても上側支持棒材及び下側支持棒材間に熱膨張の
差が生じるのである。
A case where a difference in thermal expansion occurs between the upper support bar and the lower support bar means that when the heated support jig is taken out of the furnace, it is placed on a desk etc. via the support stand. This is the case when the lower support bar is cooled faster than the upper support bar. In addition, when storing the support jig in the furnace, the jig for loading and unloading is placed in contact with the lower support bar, but the heat capacity of the lower part of the support jig is higher than that of the upper part, causing the temperature to rise. This also causes a difference in thermal expansion between the upper and lower support bars.

しかも、上述のように、各凹溝23の巾を大き
くすると、各ウエハー30を支持した支持治具4
0の搬送時等において、各凹溝23内にてウエハ
ー30がガタつくことになつて、ウエハ30を損
傷してしまう原因ともなり得るのである。
Moreover, as described above, when the width of each groove 23 is increased, the support jig 4 supporting each wafer 30
When the wafer 30 is being transported, the wafer 30 may shake inside each groove 23, which may cause damage to the wafer 30.

上側支持棒材21及び下側支持棒材22に形成
した凹溝23が第5図に示したような形状である
と、上記のようにウエハー30に対して悪影響を
与えるが、これを解決するために、第6図に示し
たように各凹溝23の大きさを大きくすることも
考えられる。しかしながら、このように各凹溝2
3の巾を大きく形成すると、一つの支持治具40
に対して多くのウエハー30を支持できなくなる
ばかりでなく、各ウエハー30同士が互いに接触
した状態で焼成されることになつて高品質のウエ
ハー30とすることができなくなるのである。
If the grooves 23 formed in the upper support rod 21 and the lower support rod 22 have the shapes shown in FIG. 5, they will have an adverse effect on the wafer 30 as described above, but this problem can be solved. Therefore, it is conceivable to increase the size of each groove 23 as shown in FIG. However, in this way, each groove 2
If the width of 3 is made larger, one support jig 40
Not only is it impossible to support a large number of wafers 30, but also the wafers 30 are fired in contact with each other, making it impossible to obtain high-quality wafers 30.

(考案が解決しようとする問題点) 本考案は以上のような実状に鑑みてなされたも
ので、その解決しようとする問題点は、支持治具
の上方と下方間に生じた熱膨張の差、及び凹溝が
大きくなりすぎたときのガタつきによりウエハー
に与えられる悪影響である。
(Problem to be solved by the invention) The invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and the problem to be solved is the difference in thermal expansion between the upper and lower parts of the support jig. , and the adverse effects on the wafer due to rattling when the groove becomes too large.

そして、本考案の目的とするところは、例え支
持治具の上方と下方に熱膨張による差が生じて
も、この差による悪影響を受けることなく、しか
もガタつくことなくウエハーを支持することので
きる支持治具を簡単な構成によつて提供すること
にある。
The purpose of this invention is to be able to support the wafer without being adversely affected by this difference and without wobbling, even if there is a difference between the upper and lower parts of the support jig due to thermal expansion. An object of the present invention is to provide a support jig with a simple structure.

(問題点を解決するための手段) 以上の問題点を解決するために、本考案が採つ
た手段は、実施例に対応する第1図〜第4図を参
照して説明すると、 「半導体素子の材料となるウエハー30を支持
する凹溝が多数形成された複数の支持棒材が、各
凹溝が内方に向くように支持台を介して連結され
てなるウエハーの支持治具であつて、 下方側に位置する支持棒材12の各凹溝13の
底面部13aはウエハー30の端面の巾程度の巾
を有し、かつ各凹溝13の側面部13cはこの底
面部13aより大きな開口を有するように構成さ
れているとともに、 上方側に位置する支持棒材11の各凹溝13の
側面部13bの巾が、ウエハー30の挿入方向ま
たはその反対方向のいずれか少ないとも一方側に
拡がり、その最小巾部分において凹溝13内に挿
入されたウエハー30表面と点又は線で接触する
支承部を形成して成ることを特徴とするウエハー
30の支持治具10」である。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the means adopted by the present invention are explained with reference to FIGS. 1 to 4 corresponding to the embodiments. A wafer support jig comprising a plurality of support rods each having a large number of grooves for supporting a wafer 30, which is a material of The bottom surface 13a of each groove 13 of the support bar 12 located on the lower side has a width approximately equal to the width of the end surface of the wafer 30, and the side surface 13c of each groove 13 has an opening larger than this bottom surface 13a. In addition, the width of the side surface portion 13b of each groove 13 of the support bar 11 located on the upper side expands in the insertion direction of the wafer 30 or the opposite direction, whichever is at least one side. , a support jig 10 for a wafer 30, which is formed with a support portion that makes point or line contact with the surface of the wafer 30 inserted into the groove 13 at its minimum width portion.

すなわち、この支持治具10は、下方支持棒材
12の各凹溝13の底面部13aがウエハー30
の端面の巾程度の巾を有し、かつ各凹溝13の側
面部13cはこの底面部13aより大きな開口を
有するように構成され、しかも上方支持棒材11
の各凹溝13の側面部13bの巾を、ウエハー3
0の挿入方向またはその反対方向のいずれか少な
くとも一方側に拡がり、その最小巾部分において
凹溝13内に挿入されたウエハー30表面と点又
は線で接触する支承部を形成して成ることによ
り、上方支持棒材11と下方支持棒材12間に熱
膨張による差が生じてこれらに形成した各凹溝1
3の相対位置がズレたとしても、側面部13bの
巾の拡がりによつて各凹溝13の位置ズレ変化を
吸収するとともに、ウエハー30表面と点又は線
で接触する支承部にて各ウエハー30を確実に支
持し得るようにしたものである。
That is, in this support jig 10, the bottom surface portion 13a of each groove 13 of the lower support bar 12 is connected to the wafer 30.
The side surface portion 13c of each groove 13 is configured to have a larger opening than the bottom surface portion 13a, and the upper support bar 11
The width of the side surface portion 13b of each groove 13 of the wafer 3 is
By forming a support part that extends in at least one side of either the insertion direction of 0 or the opposite direction, and makes point or line contact with the surface of the wafer 30 inserted into the groove 13 at its minimum width, Recessed grooves 1 are formed between the upper support bar 11 and the lower support bar 12 due to a difference in thermal expansion between them.
Even if the relative positions of the wafers 3 and 3 are shifted, the expansion of the width of the side surface portion 13b absorbs the change in the positional shift of each groove 13, and the support portion that contacts the surface of the wafer 30 at a point or line It is designed to ensure support for the

(考案の作用及び使用の態様) 本考案に係る支持治具10が以上のような構成
を有することによつて、以下のような作用があ
る。すなわち、通常状態、換言すれば上方支持棒
材11と下方支持棒材12間に熱膨張による差が
なくて位置ズレ変化がない場合には、第2図〜第
4図に示すように、各凹溝13は各ウエハー30
を垂直状態で支持する。またこの場合、各ウエハ
ー30は、特にその上部を支持している上方支持
棒材11の各凹溝13内において、この凹溝13
を構成している側面部13bの支承部により点ま
たは線で接触している。これは、上方支持棒材1
1の各凹溝13を、ウエハー30の挿入方向また
はその反対方向のいずれか少なくとも一方側に拡
大させて形成したからである。従つて、各ウエハ
ー30はその支持されている凹溝13内でガタつ
くことはない。
(Aspects of operation and use of the invention) Since the support jig 10 according to the invention has the above configuration, it has the following effects. That is, in a normal state, in other words, when there is no difference due to thermal expansion between the upper support bar 11 and the lower support bar 12, and there is no change in positional deviation, each The concave groove 13 is connected to each wafer 30.
is supported in a vertical position. Further, in this case, each wafer 30 has a groove 13 inside each groove 13 of the upper support bar 11 that supports the upper part of the wafer 30.
The support portion of the side surface portion 13b makes contact at a point or a line. This is the upper support bar 1
This is because each groove 13 of No. 1 is enlarged in at least one direction, either in the insertion direction of the wafer 30 or in the opposite direction. Therefore, each wafer 30 does not wobble within the groove 13 in which it is supported.

このように、各ウエハー30を支持している凹
溝13が、上方支持棒材11及び下方支持棒材1
2間に生じる熱膨張変化でその相対位置がズレた
としても、各ウエハー30は、第2図及び第3図
に示した例の場合、それまで接触していた部分を
変えることなく垂直状態から斜め状態になる。こ
の場合、特に下方支持棒材12の各凹溝13を、
ウエハー30の端面の巾程度の巾を有する底面部
13aと、この底面部13aより拡がつた形状を
有する側面部13cとにより構成してあるから、
ウエハー30の下端部は、各凹溝13の底面部1
3aにてその角度については多少変化した状態で
支持されるが、支持位置についてはこれを変える
ことなく支持される。
In this way, the groove 13 supporting each wafer 30 is connected to the upper support bar 11 and the lower support bar 1.
Even if the relative positions of the wafers 30 shift due to thermal expansion changes occurring between the wafers 30 and 2, in the examples shown in FIGS. Becomes slanted. In this case, in particular, each groove 13 of the lower support bar 12 is
Since it is composed of a bottom surface portion 13a having a width approximately equal to the width of the end surface of the wafer 30, and a side surface portion 13c having a shape wider than this bottom surface portion 13a,
The lower end of the wafer 30 is connected to the bottom surface 1 of each groove 13.
3a, it is supported with the angle slightly changed, but the support position remains unchanged.

一方、各ウエハー30が斜め状態になつても、
上方支持棒材11にあつては、その各凹溝13の
側面部13bの巾がウエハー30の挿入方向また
はその反対方向のいずれか少なくとも一方側に拡
がり、その最小巾部分において前記凹溝内に挿入
されたウエハー表面と点又は線で接触する支承部
を形成して成るから、各凹溝13はウエハー30
の位置変化を逃しながら当該ウエハー30を支承
部にて確実に支持するのである。また、第4図に
示した例の場合は、各ウエハー30の凹溝13に
対する接触部分は変化するが、各凹溝13がウエ
ハー30の位置変化を逃しながら当該ウエハー3
0を支持することには変りはない。
On the other hand, even if each wafer 30 is in an inclined state,
In the upper support bar 11, the width of the side surface 13b of each of the grooves 13 expands in at least one direction, either in the insertion direction of the wafer 30 or in the opposite direction, and the minimum width portion thereof extends into the groove. Each groove 13 forms a support portion that contacts the surface of the inserted wafer at a point or a line, so that each groove 13
The wafer 30 is reliably supported by the support while avoiding any positional changes. Further, in the case of the example shown in FIG. 4, although the contact portion of each wafer 30 with the groove 13 changes, each groove 13 misses the change in the position of the wafer 30, and the wafer 30
There is no change in supporting 0.

従つて、本考案に係る支持治具10にあつて
は、上方支持棒材11及び下方支持棒材12間に
生じる熱膨張変化でその相対位置がズレたとして
も、各凹溝13はウエハー30に悪影響を与える
ことなく、換言すれば不必要な力をウエハー30
に加えることなく支持するのである。
Therefore, in the support jig 10 according to the present invention, even if the relative positions of the upper support rod 11 and the lower support rod 12 are shifted due to thermal expansion changes, each groove 13 is aligned with the wafer 30. In other words, unnecessary force is applied to the wafer 30 without adversely affecting the wafer 30.
It supports it without adding to it.

(実施例) 以下に、本考案を、図面に示した実施例に従つ
て詳細に説明する。
(Example) The present invention will be described in detail below according to an example shown in the drawings.

第1図には本考案に係る支持治具10の全体斜
視図が示してあり、この支持治具10は半導体素
子の材料となるウエハー30を支持する凹溝13
が多数形成された複数の支持棒材11,12が、
各凹溝13が内方に向くように支持台14を介し
て連結することにより、各ウエハー30を凹溝に
て支持するようにしたものである。本実施例にお
いては、これらの上方支持棒材11、下方支持棒
材12及び支持台14は、炭化珪素からなり三次
元網目状の骨格内に金属シリコンを充填したもの
で形成し、これにより当該支持治具10が耐熱性
に優れたものとなるようにしてある。
FIG. 1 shows an overall perspective view of a support jig 10 according to the present invention.
A plurality of support bars 11 and 12 each having a large number of
Each wafer 30 is supported by the grooves by connecting them via the support base 14 so that the grooves 13 face inward. In this embodiment, the upper support rod 11, the lower support rod 12, and the support stand 14 are made of silicon carbide, and are formed by filling a three-dimensional mesh skeleton with metal silicon. The support jig 10 is designed to have excellent heat resistance.

上方支持棒材11にあつては、これに形成した
各凹溝13の側面部13bの巾を、ウエハー30
の挿入方向またはその反対方向のいずれか少なく
とも一方側に拡大させたものとして形成してあ
る。すなわち、第2図に示した支持治具10にあ
つては、各凹溝13側面部13bの巾を上方に拡
大して形成したものであり、また第3図に示した
支持治具10にあつては、各凹溝13の側面部1
3b巾を下方に拡大して形成したものである。ま
た、第4図に示した支持治具10にあつては、そ
の各凹溝13の側面部13bの巾を外側に膨張す
る円弧状に形成することによつて、上下両方に拡
大して形成したものである。
In the case of the upper support bar 11, the width of the side surface portion 13b of each groove 13 formed therein is determined by the width of the wafer 30.
It is formed so as to be enlarged in at least one side of the insertion direction or the opposite direction. That is, in the support jig 10 shown in FIG. 2, the width of the side surface portion 13b of each groove 13 is expanded upward, and in the support jig 10 shown in FIG. In the case, the side surface 1 of each groove 13
3b width expanded downward. In addition, in the case of the support jig 10 shown in FIG. 4, the width of the side surface portion 13b of each groove 13 is formed into an arc shape that expands outward, thereby expanding both upward and downward. This is what I did.

すなわち、第7図にて示すように、各凹溝13
の側面部13bの巾は上方支持棒材11の長さ方
向とは直交する方向のいずれかに拡大されている
ものである。これにより、当該凹溝13内にウエ
ハー30を挿入するとき、その操作は凹溝13の
巾の広い側から無理なく行われるのであり、また
凹溝13の巾の狭い側にてウエハー30の支持が
ガタつくことなくなされるのである。
That is, as shown in FIG.
The width of the side surface portion 13b is increased in any direction perpendicular to the length direction of the upper support bar 11. As a result, when inserting the wafer 30 into the groove 13, the operation can be performed from the wider side of the groove 13 without any difficulty, and the wafer 30 can be supported on the narrower side of the groove 13. is done without any wobbling.

一方、各下方支持棒材12にあつては、第2図
〜第4図に示したように、その各凹溝13をウエ
ハー30の端面の巾程度の巾を有する底面部13
aと、この底面部13aより大きな開口を形成す
る側面部13cとにより構成してある。底面部1
3aの巾の形状をウエハー30の端面の巾程度に
したのは、当該底面部13aにウエハー30の端
部を位置ズレしないように当接させるためであ
る。
On the other hand, as shown in FIG. 2 to FIG.
a, and a side surface portion 13c forming an opening larger than the bottom surface portion 13a. Bottom part 1
The reason why the width of the wafer 3a is approximately the width of the end surface of the wafer 30 is to allow the end of the wafer 30 to abut against the bottom surface portion 13a without being displaced.

(考案の効果) 以上説明したように、本考案に係る支持治具1
0によれば、上記実施例にて例示した如く、 「下方支持棒材12の各凹溝13をウエハー3
0の端面の巾程度の巾を有する底面部13aと、
この底面部13aより大きな開口を形成する側面
部13cとにより構成するとともに、 上方支持棒材11の各凹溝13の側面部13b
の巾を、ウエハー30の挿入方向またはその反対
方向のいずれか少なくとも一方側に拡がり、その
最小巾部分において凹溝13内に挿入されたウエ
ハー30表面と点又は線で接触する支承部を形成
して成ること」 にその特徴があり、これにより、例え支持治具の
上方と下方に熱膨張による差が生じても、この差
による悪影響を受けることなくウエハー30を支
持することのできる支持治具10を簡単な構成に
よつて提供することができるのである。
(Effect of the invention) As explained above, the support jig 1 according to the invention
0, as exemplified in the above embodiment, "each concave groove 13 of the lower support bar 12 is connected to the wafer 3".
a bottom surface portion 13a having a width approximately equal to the width of the end surface of 0;
and a side surface portion 13c forming an opening larger than this bottom surface portion 13a, and a side surface portion 13b of each groove 13 of the upper support bar 11.
The width of the supporting portion expands in the insertion direction of the wafer 30 or the opposite direction thereof, and forms a supporting portion that contacts the surface of the wafer 30 inserted into the groove 13 at a point or a line at its minimum width portion. The support jig is characterized by the fact that, even if there is a difference between the upper and lower sides of the support jig due to thermal expansion, the support jig can support the wafer 30 without being adversely affected by this difference. 10 can be provided with a simple configuration.

すなわち、本考案に係る支持治具10は、上方
支持棒材11の各凹溝13の側面部13bの巾を
ウエハー30の挿入方向またはその反対方向のい
ずれか少なくとも一方側に拡大させたことによつ
て、各凹溝13によつてウエハー30の位置変化
を逃しながら当該ウエハー30を支持することが
できるのである。また、この支持治具10にあつ
ては、下方支持棒材12の各凹溝13をウエハー
30の端面の巾程度の巾を有する底面部13a
と、この底面部13aより大きな開口を形成する
側面部13cとにより構成したから、ウエハー3
0の下端部を、各凹溝13の底面部13aにてそ
の角度については多少変化した状態で支持するこ
とができ、支持位置についてはこれを変えること
なく支持することができるのである。従つて、当
該支持治具10は、各上方支持棒材11及び下方
支持棒材12間に熱膨張による相対位置のズレが
生じても、各ウエハー30に悪影響を与えること
なく支持することができるのである。
That is, in the support jig 10 according to the present invention, the width of the side surface portion 13b of each groove 13 of the upper support bar 11 is expanded in at least one of the insertion direction of the wafer 30 and the opposite direction. Therefore, each groove 13 can support the wafer 30 while avoiding changes in the position of the wafer 30. In addition, in this support jig 10, each groove 13 of the lower support bar 12 is formed in a bottom surface portion 13a having a width approximately equal to the width of the end surface of the wafer 30.
and a side surface portion 13c forming a larger opening than the bottom surface portion 13a, the wafer 3
0 can be supported by the bottom surface 13a of each groove 13 with the angle slightly changed, and the support position can be supported without changing this. Therefore, the support jig 10 can support each wafer 30 without adversely affecting each wafer 30 even if a relative positional shift occurs between each upper support rod 11 and lower support rod 12 due to thermal expansion. It is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案に係る支持治具の斜視図、第2
図は第1図の−に沿つて見た部分拡大縦断面
図、第3図及び第4図は本考案の他の実施例を示
す第2図に対応した部分拡大縦断面図、第5図及
び第6図は従来の支持治具を示す第2図に対応し
た部分拡大縦断面図、第7図は第1図に示した支
持治具の各支持棒材に形成した凹溝の状態を概略
的に示した部分拡大平面図である。 符号の説明、10……支持治具、11……上方
支持棒材、12……下方支持棒材、13……凹
溝、13a……底面部、13b,13c……側面
部、14……支持台、20,40……(従来の)
支持治具、30……ウエハー。
Fig. 1 is a perspective view of the support jig according to the present invention;
The figure is a partially enlarged vertical cross-sectional view taken along - in Fig. 1, Figs. 3 and 4 are partially enlarged longitudinal cross-sectional views corresponding to Fig. 2 showing other embodiments of the present invention, and Fig. 5. 6 is a partial enlarged vertical sectional view corresponding to FIG. 2 showing a conventional support jig, and FIG. 7 shows the state of the grooves formed in each support bar of the support jig shown in FIG. FIG. 3 is a schematic partially enlarged plan view. Explanation of symbols, 10... Support jig, 11... Upper support bar, 12... Lower support bar, 13... Concave groove, 13a... Bottom part, 13b, 13c... Side part, 14... Support stand, 20, 40... (conventional)
Support jig, 30...wafer.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子の材料となるウエハーを支持する凹
溝が多数形成された複数の支持棒材が、前記各凹
溝が内方に向くように支持台を介して連結されて
なるウエハーの支持治具であつて、 下方側に位置する前記支持棒材の各凹溝の底面
部は前記ウエハーの端面の巾程度の巾を有し、か
つ前記各凹溝の側面部は前記底面部より大きな開
口を形成するように構成されているとともに、 上方側に位置する前記支持棒材の各凹溝の側面
部の巾が、前記ウエハーの挿入方向またはその反
対方向のいずれか少なくとも一方側に拡がり、そ
の最小巾部分において前記凹溝内に挿入されたウ
エハー表面と点又は線で接触する支承部を形成し
て成ることを特徴とするウエハーの支持治具。
[Claims for Utility Model Registration] A plurality of support rods each having a large number of grooves for supporting a wafer that is a material for a semiconductor device are connected via a support base so that each of the grooves faces inward. A wafer support jig consisting of a wafer support jig, wherein a bottom surface portion of each groove of the support bar located on the lower side has a width approximately equal to the width of an end surface of the wafer, and a side surface portion of each groove has a width approximately equal to the width of an end surface of the wafer. The opening is configured to be larger than the bottom surface portion, and the width of the side surface portion of each concave groove of the support bar located on the upper side is at least equal to the width of the wafer insertion direction or the opposite direction thereof. A wafer support jig, characterized in that it is formed with a support part that extends to one side and makes point or line contact with the surface of the wafer inserted into the groove at its minimum width part.
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Citations (1)

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JPS61251144A (en) * 1985-04-30 1986-11-08 Toshiba Corp Wafer loading boat

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