JPH05327303A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH05327303A JPH05327303A JP4083800A JP8380092A JPH05327303A JP H05327303 A JPH05327303 A JP H05327303A JP 4083800 A JP4083800 A JP 4083800A JP 8380092 A JP8380092 A JP 8380092A JP H05327303 A JPH05327303 A JP H05327303A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- integrated circuit
- microwave integrated
- microwave
- mic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】少なくとも２個のマイクロ波集積回路基板を接
続する場合に使用する接続リボンが原因となるリアクタ
ンスを、地導体側でサセプタンス整合を行ない高周波数
帯での伝送特性を改良する。 【構成】接続リボン６でＭＩＣ基板２，３の主線路導体
５等を接続している場合に、２個のマイクロ波集積回路
の端部におけるＭＩＣ基板２，３の地導体７，８を約１
／８波長切り取り、さらにＭＩＣ基板取付用サブキャリ
ア９，１０をも接続部で約１／８波長切り取り接続リボ
ン６のリアクタンスを打消すようにインピーダンス変換
部を設ける。
続する場合に使用する接続リボンが原因となるリアクタ
ンスを、地導体側でサセプタンス整合を行ない高周波数
帯での伝送特性を改良する。 【構成】接続リボン６でＭＩＣ基板２，３の主線路導体
５等を接続している場合に、２個のマイクロ波集積回路
の端部におけるＭＩＣ基板２，３の地導体７，８を約１
／８波長切り取り、さらにＭＩＣ基板取付用サブキャリ
ア９，１０をも接続部で約１／８波長切り取り接続リボ
ン６のリアクタンスを打消すようにインピーダンス変換
部を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波及びミリ波周
波数帯で使用される集積回路基板に構成された伝送回路
の接続損失を改良したマイクロ波集積回路に関する。
波数帯で使用される集積回路基板に構成された伝送回路
の接続損失を改良したマイクロ波集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣ
という）が少なくとも２ブロックからなり、リボン等に
より縦続接続される場合に図４に示す様に、各ブロック
はＭＩＣ基板２，３と主導体４，５と、地導体７Ａ，７
Ｂと、金属材のサブキャリア１１，１２とケース１とか
らなり、この２ブロックの間を接続リボン６で接続して
いる。この電気的接続インピーダンスは図５に示すよう
に、ＭＩＣ基板２の部分のソースインピーダンスＺ０
（例えば５０オーム）、リボン６の部分のインピーダン
スＺＲ（例えば２００オーム）、ＭＩＣ基板３の部分の
ロードインピーダンスＺＬ（例えば５０オーム）とする
と、図５（ｂ）に示すようにＺ１＝Ｚ０，ＺＲ＝４×Ｚ
０，ＺＬ＝Ｚ０となり、電気波長で表すと誘電率１０と
してＬＥ１＝５ｍｍ，ＬＥ２＝０．８ｍｍ，ＬＥ３＝５
ｍｍとなる。前述のように、ＭＩＣ基板間２，３の距離
が電気長０．８ｍｍとし、接続リボン６の特性インピー
ダンスＺＲが２００Ωの場合には、接続したＭＩＣ基板
２，３の入力インピーダンスを反射減衰量で示すと図６
の特性となる。反射減衰量の規格が−１５ｄＢ以下と規
定すると、使用可能周波数帯域は５．５ＧＨｚまでであ
った。この欠点を改善するために、ＭＩＣ基板の主導体
の形状を変更しても、期待通りの特性改善が得られなか
った。
という）が少なくとも２ブロックからなり、リボン等に
より縦続接続される場合に図４に示す様に、各ブロック
はＭＩＣ基板２，３と主導体４，５と、地導体７Ａ，７
Ｂと、金属材のサブキャリア１１，１２とケース１とか
らなり、この２ブロックの間を接続リボン６で接続して
いる。この電気的接続インピーダンスは図５に示すよう
に、ＭＩＣ基板２の部分のソースインピーダンスＺ０
（例えば５０オーム）、リボン６の部分のインピーダン
スＺＲ（例えば２００オーム）、ＭＩＣ基板３の部分の
ロードインピーダンスＺＬ（例えば５０オーム）とする
と、図５（ｂ）に示すようにＺ１＝Ｚ０，ＺＲ＝４×Ｚ
０，ＺＬ＝Ｚ０となり、電気波長で表すと誘電率１０と
してＬＥ１＝５ｍｍ，ＬＥ２＝０．８ｍｍ，ＬＥ３＝５
ｍｍとなる。前述のように、ＭＩＣ基板間２，３の距離
が電気長０．８ｍｍとし、接続リボン６の特性インピー
ダンスＺＲが２００Ωの場合には、接続したＭＩＣ基板
２，３の入力インピーダンスを反射減衰量で示すと図６
の特性となる。反射減衰量の規格が−１５ｄＢ以下と規
定すると、使用可能周波数帯域は５．５ＧＨｚまでであ
った。この欠点を改善するために、ＭＩＣ基板の主導体
の形状を変更しても、期待通りの特性改善が得られなか
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の集積回路の
サブキャリアは主導体の形状のみを変更して特性改善を
はかっているので、このようなインピーダンスの不連続
を補償できなかった。
サブキャリアは主導体の形状のみを変更して特性改善を
はかっているので、このようなインピーダンスの不連続
を補償できなかった。
【０００４】本発明の目的は、地導体とサブキャリアの
構成を変えることによりインピーダンスを段階的に変換
して広帯域に反射減衰量の特性を改善できるマイクロ波
集積回路を提供することにある。
構成を変えることによりインピーダンスを段階的に変換
して広帯域に反射減衰量の特性を改善できるマイクロ波
集積回路を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波集積
回路は接続リボンで少なくとも２個マイクロ波ＩＣ基板
のストリップラインである主導体を接続したマイクロ波
集積回路において、前記マイクロ波ＩＣ基板同士の対向
する側の地導体及びサブキャリアを使用周波数の約１／
８波長切り取る。
回路は接続リボンで少なくとも２個マイクロ波ＩＣ基板
のストリップラインである主導体を接続したマイクロ波
集積回路において、前記マイクロ波ＩＣ基板同士の対向
する側の地導体及びサブキャリアを使用周波数の約１／
８波長切り取る。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。図２
は本実施例の要部の説明図、図３は本実施例が示す特性
図である。すなわち、図１および図２において、ＭＩＣ
基板３の地導体７，８、サブキャリア８Ａ，９Ａを図２
（ａ）に示すように機械的長さＬＭ（例えば２．５ｍ
ｍ）を切り取った形状となっている。なお、このＬＭの
電気的波長は機械長ＬＭの２倍となるので、寸法は１／
８波長に対応している。今ソースインピーダンスＺ０を
５０オームとし、リボン部のインピーダンスＺＲを２０
０オームとすると、ソースインピーダンスＺ０とリボン
部のインピーダンスＺＲとの間に変換部のインピーダン
スＺＩ、すなわちサブキャリア切欠き部のインピーダン
スＺＩはルートＺ０・ＺＲとなり、電気波長として１／
４波長をとり、インピーダンス変換している。
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。図２
は本実施例の要部の説明図、図３は本実施例が示す特性
図である。すなわち、図１および図２において、ＭＩＣ
基板３の地導体７，８、サブキャリア８Ａ，９Ａを図２
（ａ）に示すように機械的長さＬＭ（例えば２．５ｍ
ｍ）を切り取った形状となっている。なお、このＬＭの
電気的波長は機械長ＬＭの２倍となるので、寸法は１／
８波長に対応している。今ソースインピーダンスＺ０を
５０オームとし、リボン部のインピーダンスＺＲを２０
０オームとすると、ソースインピーダンスＺ０とリボン
部のインピーダンスＺＲとの間に変換部のインピーダン
スＺＩ、すなわちサブキャリア切欠き部のインピーダン
スＺＩはルートＺ０・ＺＲとなり、電気波長として１／
４波長をとり、インピーダンス変換している。
【０００７】以上説明した如く、本発明は、接続リボン
のリアクタンスをＭＩＣ基板のサブキャリアと地導体の
切欠き部で軽減し、より高い周波数で使用可能としたも
のであり、ＭＩＣ基板の周波数使用限界を大幅に上昇さ
せたものである。この接続方法を用いれば、ＭＩＣ基板
に構成される回路が互いに伝送損失なく直列又は並列に
接続出来、しかも広帯域特性が得られる。実施例の説明
では、主導体は１本であったが、複数の主導体が接続さ
れても、同様の効果を生ずる。又使用周波数帯を１５Ｇ
Ｈｚよりも低くする場合には、電気長ＬＥを長くすれば
良く、１５ＧＨｚより高くする場合には電気長ＬＥを短
くすれば良い。この時サブキャリアインピーダンスを変
えないで周波数の設定が出来る。又、反射減衰量の規格
を厳しくし、−２５ｄＢ以下とした場合は、Ｚｓ＝０．
７５×√（Ｚ０×ＺＲ）の関係により、サブキャリアイ
ンピーダンスＺｓを求めることが出来る。すなわち、Ｚ
ｓ＝Ｋ×√Ｚ０×ＺＲにおいて、Ｋ＞０．８とすれば、
反射減衰量は−１５ｄＢ以上の値となり、Ｋ＜０．８と
すれば反射減衰量は−１５ｄＢ以下の値となる。しかし
ながら反射減衰量が減少すれば、周波数帯域幅は狭くな
り、増大すれば、広くなる。ＭＩＣ基板の間の間隔を
０．８ｍｍとして説明したが、これにより長くなれば、
リアクタンスは少し増加し、イピーダンス特性は少し劣
化する。短くなれば、インピーダンス特性は少し良くな
る。接続リボンを細くするとインピーダンス特性は少し
劣化し、太くすると少し改善する。しかしながら、大幅
な変化とはならない。ＭＩＣ基板の誘電率Ｅを１０と設
定したが、Ｅが１０より大きいとリアクタンス量は増加
し、１０より小さいとリアクタンス量は減少する。尚サ
ブキャリア、ＭＩＣサブキャリアは良導体である。図３
に本実施例により広帯域な特性を得た特性図を示す。
のリアクタンスをＭＩＣ基板のサブキャリアと地導体の
切欠き部で軽減し、より高い周波数で使用可能としたも
のであり、ＭＩＣ基板の周波数使用限界を大幅に上昇さ
せたものである。この接続方法を用いれば、ＭＩＣ基板
に構成される回路が互いに伝送損失なく直列又は並列に
接続出来、しかも広帯域特性が得られる。実施例の説明
では、主導体は１本であったが、複数の主導体が接続さ
れても、同様の効果を生ずる。又使用周波数帯を１５Ｇ
Ｈｚよりも低くする場合には、電気長ＬＥを長くすれば
良く、１５ＧＨｚより高くする場合には電気長ＬＥを短
くすれば良い。この時サブキャリアインピーダンスを変
えないで周波数の設定が出来る。又、反射減衰量の規格
を厳しくし、−２５ｄＢ以下とした場合は、Ｚｓ＝０．
７５×√（Ｚ０×ＺＲ）の関係により、サブキャリアイ
ンピーダンスＺｓを求めることが出来る。すなわち、Ｚ
ｓ＝Ｋ×√Ｚ０×ＺＲにおいて、Ｋ＞０．８とすれば、
反射減衰量は−１５ｄＢ以上の値となり、Ｋ＜０．８と
すれば反射減衰量は−１５ｄＢ以下の値となる。しかし
ながら反射減衰量が減少すれば、周波数帯域幅は狭くな
り、増大すれば、広くなる。ＭＩＣ基板の間の間隔を
０．８ｍｍとして説明したが、これにより長くなれば、
リアクタンスは少し増加し、イピーダンス特性は少し劣
化する。短くなれば、インピーダンス特性は少し良くな
る。接続リボンを細くするとインピーダンス特性は少し
劣化し、太くすると少し改善する。しかしながら、大幅
な変化とはならない。ＭＩＣ基板の誘電率Ｅを１０と設
定したが、Ｅが１０より大きいとリアクタンス量は増加
し、１０より小さいとリアクタンス量は減少する。尚サ
ブキャリア、ＭＩＣサブキャリアは良導体である。図３
に本実施例により広帯域な特性を得た特性図を示す。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、接続リボ
ンのリアクタンスを、サブキャリアと地導体によるイン
ピーダンス変換部により軽減させることにより、より高
いマイクロ波周波数帯の１０ＧＨｚにわたって広帯域に
した接続回路を実現できる。マイクロ波及びミリ波周波
数帯でＭＩＣ基板に構成された回路を有効に接続出来る
効果を有している。
ンのリアクタンスを、サブキャリアと地導体によるイン
ピーダンス変換部により軽減させることにより、より高
いマイクロ波周波数帯の１０ＧＨｚにわたって広帯域に
した接続回路を実現できる。マイクロ波及びミリ波周波
数帯でＭＩＣ基板に構成された回路を有効に接続出来る
効果を有している。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】本実施例の説明図である。
【図３】本実施例の特性図である。
【図４】従来のマイクロ波集積回路の斜視図である。
【図５】従来例の説明図である。
【図６】従来例の特性図である。
１ ケース ２，３ ＭＩＣ基板 ４，５ 主導体 ６ 接続リボン ７，８ ＭＩＣ基板の地導体 ９，１０，１１，１２ サブキャリア
Claims (2)
- 【請求項１】 接続リボンで少なくとも２個マイクロ波
ＩＣ基板のストリップラインである主導体を接続したマ
イクロ波集積回路において、前記マイクロ波ＩＣ基板同
士の対向する側の地導体及びサブキャリアを使用周波数
の約１／８波長切り取ることを特徴とするマイクロ波集
積回路。 - 【請求項２】 前記地導体及びサブキャリアを切り取っ
た部分のインピーダンスをＺｓとし、マイクロ波ＩＣ基
板のインピーダンスをＺｏとし、リボン部のインピーダ
ンスをＺｒとすると、このリボン部によるインピーダン
ス不整合を示す反射減衰量の要求値により、Ｚｓ＝Ｋ・
√（Ｚｏ×Ｚｒ）におけるＫの値を選択することを特徴
とする請求項１記載のマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083800A JPH05327303A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083800A JPH05327303A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327303A true JPH05327303A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=13812738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083800A Pending JPH05327303A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017041722A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 伝送線路変換器 |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP4083800A patent/JPH05327303A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017041722A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 伝送線路変換器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990406 |