JPH05326755A - 樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用いたリードフレーム - Google Patents
樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用いたリードフレームInfo
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リフロー工程などの高温作業工程において、
半導体素子周辺から発生する水蒸気を封止樹脂の外側に
放出し、封止樹脂にクラックが発生するのを防止するも
のである。 【構成】 リードフレーム１２のアイランド１３の裏面
からリードフレーム１２の裏面に接着固定した樹脂部材
１６が、樹脂封止後、その封止樹脂６の外面に露出する
ように構成したものである。
半導体素子周辺から発生する水蒸気を封止樹脂の外側に
放出し、封止樹脂にクラックが発生するのを防止するも
のである。 【構成】 リードフレーム１２のアイランド１３の裏面
からリードフレーム１２の裏面に接着固定した樹脂部材
１６が、樹脂封止後、その封止樹脂６の外面に露出する
ように構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温作業工程において
も信頼性が高く、しかも薄形化することができる樹脂封
止半導体装置とその製造方法、並びにそれに用いるリー
ドフレームに関するものである。
も信頼性が高く、しかも薄形化することができる樹脂封
止半導体装置とその製造方法、並びにそれに用いるリー
ドフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止半導体装置は、
例えば特開昭６３−２９６２５１号公報、および特開昭
５８−６８９４１号公報に開示されている。前者の構成
を図９に示す。図において、中央に素子載置部を有する
鉄・ニッケル合金、または銅合金等からなるアイランド
１の前記素子載置部に半導体チップ２を、金属細線４に
より電気的に接続する。そして、アイランド１および内
部リードの裏面に、共通に厚さ０．１５〜０．２５ｍｍ
のガラス繊維入り樹脂板５を、エポキシ系接着剤等によ
り貼付する。そして、トランスファモールド法により、
アイランド１、半導体チップ２、内部リード３、金属細
線４、樹脂板５をエポキシ系樹脂により封止して、封止
樹脂６を形成し、内部リード３に接続された外部リード
７を外部へ導出して、樹脂封止半導体装置を構成するも
のである。
例えば特開昭６３−２９６２５１号公報、および特開昭
５８−６８９４１号公報に開示されている。前者の構成
を図９に示す。図において、中央に素子載置部を有する
鉄・ニッケル合金、または銅合金等からなるアイランド
１の前記素子載置部に半導体チップ２を、金属細線４に
より電気的に接続する。そして、アイランド１および内
部リードの裏面に、共通に厚さ０．１５〜０．２５ｍｍ
のガラス繊維入り樹脂板５を、エポキシ系接着剤等によ
り貼付する。そして、トランスファモールド法により、
アイランド１、半導体チップ２、内部リード３、金属細
線４、樹脂板５をエポキシ系樹脂により封止して、封止
樹脂６を形成し、内部リード３に接続された外部リード
７を外部へ導出して、樹脂封止半導体装置を構成するも
のである。
【０００３】また、後者の構成を図１０に示す。図にお
いて、半導体チップ２の裏面にＡｌ膜８を、例えば蒸着
により厚さ１μｍに形成する。一方、アイランド１の表
面にＡｌ膜９を、例えばクラッド法により厚さ１０μｍ
に形成し、その上にＺｎ箔１０を厚さ１０μｍ塗布す
る。そして、Ｎ2 雰囲気中で、例えば４３０℃に加熱
し、アイランド１に対して半導体チップ２をこすりつけ
ることにより、ボンディングを行なう。このとき、Ｚｎ
とＡｌの共晶温度は３８２℃であるから、ＺｎとＡｌを
４３０℃以上で加熱接触し、さらにこすり合わせること
により、ＡｌとＺｎの表面の酸化膜が破れて、溶融接合
する。このＮ2 雰囲気は、ＺｎとＡｌの酸化を防止し、
欠陥の少ない接合を得ることができる。そして、トラン
スファモールドにより、エポキシ系樹脂により封止して
封止樹脂６を形成し、内部リード３と接続して、外部リ
ード７を外部へ導出して樹脂封止半導体装置を構成す
る。
いて、半導体チップ２の裏面にＡｌ膜８を、例えば蒸着
により厚さ１μｍに形成する。一方、アイランド１の表
面にＡｌ膜９を、例えばクラッド法により厚さ１０μｍ
に形成し、その上にＺｎ箔１０を厚さ１０μｍ塗布す
る。そして、Ｎ2 雰囲気中で、例えば４３０℃に加熱
し、アイランド１に対して半導体チップ２をこすりつけ
ることにより、ボンディングを行なう。このとき、Ｚｎ
とＡｌの共晶温度は３８２℃であるから、ＺｎとＡｌを
４３０℃以上で加熱接触し、さらにこすり合わせること
により、ＡｌとＺｎの表面の酸化膜が破れて、溶融接合
する。このＮ2 雰囲気は、ＺｎとＡｌの酸化を防止し、
欠陥の少ない接合を得ることができる。そして、トラン
スファモールドにより、エポキシ系樹脂により封止して
封止樹脂６を形成し、内部リード３と接続して、外部リ
ード７を外部へ導出して樹脂封止半導体装置を構成す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の装置、特に前者の樹脂封止半導体装置では、プリン
ト配線板等に半導体素子を搭載するにあたり、ハンダを
加熱溶融する工程において、半導体素子の周辺に吸着さ
れた水分が加熱によって水蒸気化し、高圧化され、封止
樹脂にクラックが発生し、また、発生した水蒸気を容易
に導出することができない。
成の装置、特に前者の樹脂封止半導体装置では、プリン
ト配線板等に半導体素子を搭載するにあたり、ハンダを
加熱溶融する工程において、半導体素子の周辺に吸着さ
れた水分が加熱によって水蒸気化し、高圧化され、封止
樹脂にクラックが発生し、また、発生した水蒸気を容易
に導出することができない。
【０００５】また、後者の樹脂封止半導体装置では、半
導体素子裏面に金属膜を形成して固着しなければならな
い。しかも、固着時に高温作業工程が必要になるので、
大形化した半導体素子の場合、リードフレームのインナ
ーリードの内方端を耐熱テープ等で固定するため、この
耐熱テープ等の強度の劣化による次工程のワイヤーボン
ド時のインナーリードの固定化手段の不安定化によっ
て、ワイヤーボンド強度等に不具合が生じやすくなると
いう問題点があった。
導体素子裏面に金属膜を形成して固着しなければならな
い。しかも、固着時に高温作業工程が必要になるので、
大形化した半導体素子の場合、リードフレームのインナ
ーリードの内方端を耐熱テープ等で固定するため、この
耐熱テープ等の強度の劣化による次工程のワイヤーボン
ド時のインナーリードの固定化手段の不安定化によっ
て、ワイヤーボンド強度等に不具合が生じやすくなると
いう問題点があった。
【０００６】本発明は、以上述べた半導体素子の周辺部
で発生する水蒸気化した水分により封止樹脂にクラック
が発生するという問題点を除去するため、この水蒸気化
した水分を樹脂部材により封止樹脂の外面に放出できる
ようにした、耐熱性の優れた樹脂封止半導体装置を提供
することを目的とする。
で発生する水蒸気化した水分により封止樹脂にクラック
が発生するという問題点を除去するため、この水蒸気化
した水分を樹脂部材により封止樹脂の外面に放出できる
ようにした、耐熱性の優れた樹脂封止半導体装置を提供
することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、以上述べた金属膜の形成
工程、およびダイスボンド工程の高温作業条件による、
工数の増加、部材のコストの増加、およびインナーリー
ド固定力の劣化という問題点を除去するため、絶縁テー
プ部材で、半導体素子およびリードフレームを固着する
ことにより、経済的に優れた薄形の樹脂封止半導体装置
を提供することを目的とする。
工程、およびダイスボンド工程の高温作業条件による、
工数の増加、部材のコストの増加、およびインナーリー
ド固定力の劣化という問題点を除去するため、絶縁テー
プ部材で、半導体素子およびリードフレームを固着する
ことにより、経済的に優れた薄形の樹脂封止半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止半
導体装置は、リードフレームのアイランドの裏面からリ
ードフレームの裏面に接着形成した樹脂部材が、樹脂封
止後、その外面に露出するように形成したものである。
導体装置は、リードフレームのアイランドの裏面からリ
ードフレームの裏面に接着形成した樹脂部材が、樹脂封
止後、その外面に露出するように形成したものである。
【０００９】また、本発明に係るリードフレームは、樹
脂部材を、アイランドの裏面からリードフレーム枠の裏
面に接着固定したものである。
脂部材を、アイランドの裏面からリードフレーム枠の裏
面に接着固定したものである。
【００１０】また、本発明に係る樹脂封止半導体装置の
製造方法は、アイランドの裏面からリードフレームの裏
面に樹脂部材を接着固定する第１の工程と、半導体素子
およびその周辺部を封止樹脂で封止する第２の工程と、
前記樹脂部材の一端が封止樹脂の外面に露出するよう
に、封止ラインにそって封止樹脂および樹脂部材を切断
する第３の工程とを備えたものである。
製造方法は、アイランドの裏面からリードフレームの裏
面に樹脂部材を接着固定する第１の工程と、半導体素子
およびその周辺部を封止樹脂で封止する第２の工程と、
前記樹脂部材の一端が封止樹脂の外面に露出するよう
に、封止ラインにそって封止樹脂および樹脂部材を切断
する第３の工程とを備えたものである。
【００１１】
【作用】本発明は、半導体素子周辺から発生する水蒸気
を確実に外部に放出することができるので、封止樹脂に
クラックが発生するのを防止することができる。また、
アイランドを削除した収容部に、半導体素子を設け、そ
の主表面とリードフレームの先端部内を絶縁テープ部材
で粘着固定することにより、厚さを低減することができ
る。
を確実に外部に放出することができるので、封止樹脂に
クラックが発生するのを防止することができる。また、
アイランドを削除した収容部に、半導体素子を設け、そ
の主表面とリードフレームの先端部内を絶縁テープ部材
で粘着固定することにより、厚さを低減することができ
る。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止半導体装置の一
実施例を示す断面図であり、図２はその平面図である。
なお、図２におけるＡ１−Ａ２断面が図１である。図に
おいて、半導体素子１１はリードフレーム１２のアイラ
ンド１３に銀ペースト等の固着手段１５によって固着搭
載される。一方、樹脂部材１６は、リードフレーム１２
の一方の枠１２ａからアイランド１３の裏面を通してリ
ードフレーム１２の他方の枠１２ｂに接着形成する。
実施例を示す断面図であり、図２はその平面図である。
なお、図２におけるＡ１−Ａ２断面が図１である。図に
おいて、半導体素子１１はリードフレーム１２のアイラ
ンド１３に銀ペースト等の固着手段１５によって固着搭
載される。一方、樹脂部材１６は、リードフレーム１２
の一方の枠１２ａからアイランド１３の裏面を通してリ
ードフレーム１２の他方の枠１２ｂに接着形成する。
【００１３】なお、この樹脂部材１６は、テープ状に形
成されており、テフロンまたはポリイミドなどの材料で
作られ、封止樹脂６に対しては密着性が劣るが、水蒸気
を外部に放出する導水路として機能する。
成されており、テフロンまたはポリイミドなどの材料で
作られ、封止樹脂６に対しては密着性が劣るが、水蒸気
を外部に放出する導水路として機能する。
【００１４】また、このリードフレーム１２は、そのイ
ンナーリード１４がアイランド１３の短辺側に配置され
たＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）用である。
ンナーリード１４がアイランド１３の短辺側に配置され
たＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）用である。
【００１５】この構成による樹脂封止半導体装置は、テ
ープ状の樹脂部材１６をリードフレーム１２の一方の枠
１２ａの裏面からアイランド１３の裏面をへてリードフ
レーム１２の他方の枠１２ｂの裏面に接着形成する。そ
して、半導体素子１１を銀ペースト等の固着手段１５に
よって固着搭載し、金属細線（図示せず）で各電極を電
気的に配線接続する。
ープ状の樹脂部材１６をリードフレーム１２の一方の枠
１２ａの裏面からアイランド１３の裏面をへてリードフ
レーム１２の他方の枠１２ｂの裏面に接着形成する。そ
して、半導体素子１１を銀ペースト等の固着手段１５に
よって固着搭載し、金属細線（図示せず）で各電極を電
気的に配線接続する。
【００１６】これらの組立工程ののち、一般的な半導体
装置の樹脂封止技術であるトランスファ成形によって、
封止樹脂６を形成し、ダイバー１８をプレス等の方法で
切断、曲げ加工を行なうにあたり、封止樹脂支持部１９
も封止ライン１７上で切断される。
装置の樹脂封止技術であるトランスファ成形によって、
封止樹脂６を形成し、ダイバー１８をプレス等の方法で
切断、曲げ加工を行なうにあたり、封止樹脂支持部１９
も封止ライン１７上で切断される。
【００１７】このように構成した半導体装置を、プリン
ト基板等に搭載するとき、リードのハンダ付工程での加
熱工程で、半導体装置の全体が加熱され、半導体素子周
辺の水分が加熱によって水蒸気化し、加圧化した水分
を、樹脂部材１６によって外部に導出することができ、
封止樹脂にクラックが発生するのを防止することができ
る。
ト基板等に搭載するとき、リードのハンダ付工程での加
熱工程で、半導体装置の全体が加熱され、半導体素子周
辺の水分が加熱によって水蒸気化し、加圧化した水分
を、樹脂部材１６によって外部に導出することができ、
封止樹脂にクラックが発生するのを防止することができ
る。
【００１８】なお、上記樹脂部材１６は、テープ状に形
成したが、これに限定せず、種々の形状、例えばアイラ
ンド１３とリードフレーム１２の枠１２ａ、１２ｂとの
間に、三角形状の樹脂部材としてもよく、また、その厚
さ、材質等について限定するものではない。
成したが、これに限定せず、種々の形状、例えばアイラ
ンド１３とリードフレーム１２の枠１２ａ、１２ｂとの
間に、三角形状の樹脂部材としてもよく、また、その厚
さ、材質等について限定するものではない。
【００１９】また、上記封止樹脂支持部１９は、リード
フレーム１２の枠１２ａ、１２ｂから封止ライン１７内
に収納される程度の大きさと、図２に示す形状以外に、
種々の形状で形成することができ、その位置あるいは取
付け個数も限定されず、しかも、条件によって変形でき
ることはもちろんである。
フレーム１２の枠１２ａ、１２ｂから封止ライン１７内
に収納される程度の大きさと、図２に示す形状以外に、
種々の形状で形成することができ、その位置あるいは取
付け個数も限定されず、しかも、条件によって変形でき
ることはもちろんである。
【００２０】この封止樹脂支持部１９は、電気的な特
性、機能はないが、図２に示すように、封止樹脂６を形
成したのち、この封止樹脂の収縮によって、リードフレ
ーム１２の枠が、図示したように変形することを防止す
る機能がある。
性、機能はないが、図２に示すように、封止樹脂６を形
成したのち、この封止樹脂の収縮によって、リードフレ
ーム１２の枠が、図示したように変形することを防止す
る機能がある。
【００２１】また、この封止樹脂支持部１９の機能は、
樹脂部材１６によって代用することも可能であり、切断
時の金型の消耗の低減化も期待することができる。
樹脂部材１６によって代用することも可能であり、切断
時の金型の消耗の低減化も期待することができる。
【００２２】また、上述の工程時に、略封止ライン１７
に沿って、樹脂部材１６を切断除去してもよいし、リー
ドフレーム１２の枠１２ａ、１２ｂを除去する時に、こ
の樹脂部材１６も一緒に切断除去してもよいことはもち
ろんである。
に沿って、樹脂部材１６を切断除去してもよいし、リー
ドフレーム１２の枠１２ａ、１２ｂを除去する時に、こ
の樹脂部材１６も一緒に切断除去してもよいことはもち
ろんである。
【００２３】また、この樹脂部材１６の切断面は、封止
樹脂６の側面に露出させるか、あるいはテープ状の端面
を露出させてもよいことはもちろんである。
樹脂６の側面に露出させるか、あるいはテープ状の端面
を露出させてもよいことはもちろんである。
【００２４】また、アイランド１３とフレーム枠１２
ａ、１２ｂを樹脂部材１６で固定したので、製造時の取
り扱いが容易になり、金属細線（図示せず）等の断線な
どの不具合を低減することができる。
ａ、１２ｂを樹脂部材１６で固定したので、製造時の取
り扱いが容易になり、金属細線（図示せず）等の断線な
どの不具合を低減することができる。
【００２５】図３は本発明に係る樹脂封止半導体装置の
他の実施例を示す断面図であり、図４はその平面図であ
る。
他の実施例を示す断面図であり、図４はその平面図であ
る。
【００２６】なお、図４におけるＡ３−Ａ４断面が図３
であり、樹脂部材１６を分割して接着形成した場合を示
す。図において、半導体素子１１は、リードフレーム２
０のアイランド２１に、銀ペースト等の固定手段１５に
よって固着搭載される。そして、一方の樹脂部材１６ａ
は、アイランド２１の裏面とリードフレーム２０の一本
のインナーリードの裏面に接着形成し、他方の樹脂部材
１６ｂは、アイランド２１の裏面とリードフレーム２０
の一本のインナーリードの裏面に接着形成し、それぞれ
水蒸気を外部に放出する導水路として機能する。そし
て、この半導体素子１１の外部接続電極（図示せず）と
リードフレーム２０のインナーリード２２の内方端とを
金属細線２３によって電気的に導通配線する。そして、
トランスファ成形技術によって、エポキシ樹脂などから
なる封止樹脂６を封止し、樹脂封止半導体装置を形成す
ることができる。
であり、樹脂部材１６を分割して接着形成した場合を示
す。図において、半導体素子１１は、リードフレーム２
０のアイランド２１に、銀ペースト等の固定手段１５に
よって固着搭載される。そして、一方の樹脂部材１６ａ
は、アイランド２１の裏面とリードフレーム２０の一本
のインナーリードの裏面に接着形成し、他方の樹脂部材
１６ｂは、アイランド２１の裏面とリードフレーム２０
の一本のインナーリードの裏面に接着形成し、それぞれ
水蒸気を外部に放出する導水路として機能する。そし
て、この半導体素子１１の外部接続電極（図示せず）と
リードフレーム２０のインナーリード２２の内方端とを
金属細線２３によって電気的に導通配線する。そして、
トランスファ成形技術によって、エポキシ樹脂などから
なる封止樹脂６を封止し、樹脂封止半導体装置を形成す
ることができる。
【００２７】なお、近時、市場の要求によって、高密
度、薄形化された電子機器の開発が進められ、半導体装
置も薄形化に向けて開発が進められている。特に、１ｍ
ｍ以下の厚さで、外形的に長方形のＩＳＯＰ等におい
て、このＩＳＯＰをプリント基板に搭載するにあたり、
ハンダリフロー、赤外線リフロー等によって、ハンダを
溶融させて、半導体装置のリードをプリント基板に固定
化搭載するハンダ付工程において、ＩＳＯＰ全面がこの
リフロー工程によって加熱され、封止樹脂および半導体
素子の周辺に吸湿された水分が急激に加熱されることに
よって、水蒸気化され、高圧化した水蒸気をこの樹脂部
材１６によって、容易に外部に放出することができる。
度、薄形化された電子機器の開発が進められ、半導体装
置も薄形化に向けて開発が進められている。特に、１ｍ
ｍ以下の厚さで、外形的に長方形のＩＳＯＰ等におい
て、このＩＳＯＰをプリント基板に搭載するにあたり、
ハンダリフロー、赤外線リフロー等によって、ハンダを
溶融させて、半導体装置のリードをプリント基板に固定
化搭載するハンダ付工程において、ＩＳＯＰ全面がこの
リフロー工程によって加熱され、封止樹脂および半導体
素子の周辺に吸湿された水分が急激に加熱されることに
よって、水蒸気化され、高圧化した水蒸気をこの樹脂部
材１６によって、容易に外部に放出することができる。
【００２８】なお、上記樹脂部材１６はその一端が一本
のインナーリードに接着形成したが、これに限定せず、
幅広に形成し、複数本のインナーリードに接着形成して
もよく、また、アイランド裏面全面に接着形成してもよ
いことはもちろんである。また、この樹脂部材１６の他
端は、封止エリア２４に限りなく近いか、封止樹脂６か
ら露出する程度か、または、この封止エリア２４から一
定の寸法だけ後退して設定してもよく、外部からの不純
物等の侵入による信頼性を考えて設定するものである。
さらに、樹脂部材１６は、その厚さ、テープ状または板
状、一層または多層でもよいことはもちろんである。
のインナーリードに接着形成したが、これに限定せず、
幅広に形成し、複数本のインナーリードに接着形成して
もよく、また、アイランド裏面全面に接着形成してもよ
いことはもちろんである。また、この樹脂部材１６の他
端は、封止エリア２４に限りなく近いか、封止樹脂６か
ら露出する程度か、または、この封止エリア２４から一
定の寸法だけ後退して設定してもよく、外部からの不純
物等の侵入による信頼性を考えて設定するものである。
さらに、樹脂部材１６は、その厚さ、テープ状または板
状、一層または多層でもよいことはもちろんである。
【００２９】また、樹脂部材１６の接着形成位置は、一
対の対向した場所に限定せず、任意の場所でよいことは
もちろんである。また、テープ状の樹脂部材１６をロー
ル状に巻き、その一端を、所定の場所に貼付し、所定の
長さに繰り出して切断し、その接着部を加圧押圧して固
定してもよいことはもちろんである。
対の対向した場所に限定せず、任意の場所でよいことは
もちろんである。また、テープ状の樹脂部材１６をロー
ル状に巻き、その一端を、所定の場所に貼付し、所定の
長さに繰り出して切断し、その接着部を加圧押圧して固
定してもよいことはもちろんである。
【００３０】図５および図６は、それぞれ本発明に係る
樹脂封止半導体装置の更に他の実施例を示す断面図であ
り、その平面図を図７に示す。図において、２５は粘着
剤２６が塗布された、例えばポリイミドテープなどの耐
熱性の絶縁テープ部材、２７はインナーリード、２８は
先端部２８ａが上方に曲げ加工されたリードフレーム、
２９は先端部２９ａがフラットなリードフレームであ
る。
樹脂封止半導体装置の更に他の実施例を示す断面図であ
り、その平面図を図７に示す。図において、２５は粘着
剤２６が塗布された、例えばポリイミドテープなどの耐
熱性の絶縁テープ部材、２７はインナーリード、２８は
先端部２８ａが上方に曲げ加工されたリードフレーム、
２９は先端部２９ａがフラットなリードフレームであ
る。
【００３１】この樹脂封止半導体装置は、絶縁テープ部
材２５をリードフレーム２８あるいは２９の一方の先端
部２８ａあるいは２９ａより半導体素子１１の主表面を
へて、リードフレーム２８あるいは２９の他方の先端部
２８ａあるいは２９ａに粘着保持する。
材２５をリードフレーム２８あるいは２９の一方の先端
部２８ａあるいは２９ａより半導体素子１１の主表面を
へて、リードフレーム２８あるいは２９の他方の先端部
２８ａあるいは２９ａに粘着保持する。
【００３２】この構成により、半導体素子は絶縁テープ
部材２５によりリードフレームに固着することができ、
薄形化することができるので、半導体素子の裏面に金属
膜を固着する高温作業工程を不要にすることができる。
部材２５によりリードフレームに固着することができ、
薄形化することができるので、半導体素子の裏面に金属
膜を固着する高温作業工程を不要にすることができる。
【００３３】次に、この絶縁テープ部材２５をリードフ
レームの先端および半導体素子の主表面に粘着保持する
製造工程について、図８を参照して説明する。図におい
て、３０は半導体素子１１を固定保持する収納部３１を
備えた支持台であり、半導体素子１１は図示せぬ吸着機
構により、矢印３２の方向に吸引して、収納部３１に吸
着する。３３は絶縁テープ部材２５を仮止め状態で支持
する支持部材、３４は例えばシリコンラバーやポリウレ
タンなどの柔軟性のある樹脂材からなる押圧部３５を備
えた押圧機構である。
レームの先端および半導体素子の主表面に粘着保持する
製造工程について、図８を参照して説明する。図におい
て、３０は半導体素子１１を固定保持する収納部３１を
備えた支持台であり、半導体素子１１は図示せぬ吸着機
構により、矢印３２の方向に吸引して、収納部３１に吸
着する。３３は絶縁テープ部材２５を仮止め状態で支持
する支持部材、３４は例えばシリコンラバーやポリウレ
タンなどの柔軟性のある樹脂材からなる押圧部３５を備
えた押圧機構である。
【００３４】この製造工程の動作について説明すると、
半導体素子１１を収納部３１に収納し、吸着機構（図示
せず）により、この半導体素子１１を吸着固定する。そ
して、リードフレーム２８のフレーム枠（図示せず）に
設けた位置出し穴（図示せず）を、支持台３０の位置出
しピン（図示せず）に挿入してリードフレームを固定す
る。そして、支持部材３３によって仮止め状態の絶縁テ
ープ部材２５を、押圧機構３４により、リードフレーム
２８の一方の先端部２８、半導体素子１１の主表面、リ
ードフレーム２８の他方の先端部２８に加圧して粘着保
持する。
半導体素子１１を収納部３１に収納し、吸着機構（図示
せず）により、この半導体素子１１を吸着固定する。そ
して、リードフレーム２８のフレーム枠（図示せず）に
設けた位置出し穴（図示せず）を、支持台３０の位置出
しピン（図示せず）に挿入してリードフレームを固定す
る。そして、支持部材３３によって仮止め状態の絶縁テ
ープ部材２５を、押圧機構３４により、リードフレーム
２８の一方の先端部２８、半導体素子１１の主表面、リ
ードフレーム２８の他方の先端部２８に加圧して粘着保
持する。
【００３５】ここで、絶縁テープ部材２５は、ロール巻
きされた支持テープ部材３３を、繰出し機構（図示せ
ず）によって順次繰り出すことによって、押圧機構３４
に供給される。
きされた支持テープ部材３３を、繰出し機構（図示せ
ず）によって順次繰り出すことによって、押圧機構３４
に供給される。
【００３６】また、この押圧機構３４は、ピストン状に
上下に移動する構成としたが、これに限定せず、左右に
回転しながら移動させてもよいことはもちろんである。
上下に移動する構成としたが、これに限定せず、左右に
回転しながら移動させてもよいことはもちろんである。
【００３７】また、絶縁テープ部材２５を所定の長さに
切断し、リードフレームの一方の先端部と半導体素子の
主表面の間、半導体素子の主表面とリードフレームの他
方の先端部との間に、粘着固定してもよいことはもちろ
んである。
切断し、リードフレームの一方の先端部と半導体素子の
主表面の間、半導体素子の主表面とリードフレームの他
方の先端部との間に、粘着固定してもよいことはもちろ
んである。
【００３８】また、絶縁テープ部材２５を、リードフレ
ームの先端部と半導体素子の主表面に粘着固定したの
ち、必要により、柔軟性を有する回転ローラ、スタンプ
等により、更に押圧してもよいことはもちろんである。
ームの先端部と半導体素子の主表面に粘着固定したの
ち、必要により、柔軟性を有する回転ローラ、スタンプ
等により、更に押圧してもよいことはもちろんである。
【００３９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用い
たリードフレームによれば、（Ａ）アイランド裏面から
インナーリードを含むリードフレームの裏面に、封止樹
脂と密着性が劣る樹脂部材を形成したので、この樹脂封
止半導体装置をプリント基板等に固定搭載するリフロー
工程などの高温作業工程等において、半導体素子周辺か
ら発生する水蒸気を封止樹脂の外側に放出することがで
き、封止樹脂にクラックが発生するのを防止することが
できること、（Ｂ）半導体素子の主表面からリードフレ
ームに、粘着剤が塗布され、耐熱性の絶縁テープ部材を
形成したので、ダイスボンド工程で、高温作業がなくな
るので、リードフレームのインナーリードを固定するテ
ープの熱劣化を低減することができ、しかも、樹脂封止
半導体装置の厚さを低くすることができること、などの
効果がある。
る樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用い
たリードフレームによれば、（Ａ）アイランド裏面から
インナーリードを含むリードフレームの裏面に、封止樹
脂と密着性が劣る樹脂部材を形成したので、この樹脂封
止半導体装置をプリント基板等に固定搭載するリフロー
工程などの高温作業工程等において、半導体素子周辺か
ら発生する水蒸気を封止樹脂の外側に放出することがで
き、封止樹脂にクラックが発生するのを防止することが
できること、（Ｂ）半導体素子の主表面からリードフレ
ームに、粘着剤が塗布され、耐熱性の絶縁テープ部材を
形成したので、ダイスボンド工程で、高温作業がなくな
るので、リードフレームのインナーリードを固定するテ
ープの熱劣化を低減することができ、しかも、樹脂封止
半導体装置の厚さを低くすることができること、などの
効果がある。
【図１】本発明に係る樹脂封止半導体装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明に係る樹脂封止半導体装置の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】図３の平面図である。
【図５】本発明に係る樹脂封止半導体装置の更に他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る樹脂封止半導体装置の更に他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図７】図６のリードフレームを示す平面図である。
【図８】図５に示す樹脂封止半導体装置の製造方法を示
す図である。
す図である。
【図９】従来の樹脂封止半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】従来の他の樹脂封止半導体装置を示す断面図
である。
である。
１１ 半導体素子 １２ リードフレーム １３ アイランド １６ 樹脂部材 １９ 封止樹脂支持部 ２０ リードフレーム ２５ 絶縁テープ部材 ２８，２９ リードフレーム ３０ 支持台 ３１ 収納部 ３３ 支持部材 ３４ 押圧機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ 23/50 Ｇ 9272−4Ｍ Ｙ 9272−4Ｍ
Claims (11)
- 【請求項１】 リードフレームのアイランドに半導体素
子を搭載固定する樹脂封止半導体装置において、 前記アイランドの裏面からリードフレームの裏面に接着
固定した樹脂部材が、樹脂封止後、その外面に露出する
ように形成したことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 前記樹脂部材は、封止樹脂に対して密着
性が劣る部材であることを特徴とする請求項１の樹脂封
止半導体装置。 - 【請求項３】 アイランドの短辺側にインナーリードが
偏在し、アイランドの長辺側にリードフレーム枠が有す
るリードフレームにおいて、樹脂部材を、アイランドの
裏面からリードフレーム枠の裏面に接着固定することを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 アイランドの短辺側にインナーリードが
偏在し、アイランドの長辺側にリードフレーム枠を有す
るリードフレームにおいて、樹脂部材を、アイランドの
裏面からインナーリードの裏面に接着固定することを特
徴とするリードフレーム。 - 【請求項５】 アイランドの短辺側にインナーリードが
偏在し、アイランドの長辺側にリードフレーム枠が有す
るリードフレームにおいて、 前記リードフレーム枠に、封止樹脂を固定する封止樹脂
支持部を備えたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項６】 リードフレームのアイランドに半導体素
子を搭載固定し、このアイランドの短辺側にインナーリ
ードが偏在し、このアイランドの長辺側にリードフレー
ム枠を有するリードフレームを備えた樹脂封止半導体装
置の製造方法において、 前記アイランドの裏面からリードフレームの裏面に樹脂
部材を接着固定する第１の工程と、前記半導体素子およ
びその周辺部を封止樹脂で封止する第２の工程と、 前記樹脂部材の一端が封止樹脂の外面に露出するように
封止ラインにそって封止樹脂および樹脂部材を切断する
第３の工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 リードフレームのアイランドに半導体素
子を搭載固定する樹脂封止半導体装置において、 前記アイランドの裏面からインナーリードの裏面に接着
固定した樹脂部材と、この樹脂部材の一端が、封止樹脂
の外面に露出するように封止することを特徴とする樹脂
封止半導体装置。 - 【請求項８】 金属の薄板を所定のパターンに加工した
リードフレームのアイランドの裏面とインナーリードの
裏面とを樹脂部材で連結したことを特徴とするリードフ
レーム。 - 【請求項９】 リードフレームを用いた樹脂封止半導体
装置において、リードフレームのアイランドを削除して
半導体素子の収容部とし、この収容部に対向したリード
フレームの先端部間、および収容部に収容した半導体素
子の主表面を、絶縁テープ部材で粘着固定し、封止樹脂
で封止したことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項１０】 前記絶縁テープ部材は、耐熱性である
ことを特徴とする請求項９記載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項１１】 絶縁テープ部材が仮粘着された支持部
材をロール状に巻き、この支持部材を所定の間隔で順次
搬送する手段と、リードフレームのアイランドを削除し
た収容部に対向したリードフレームの先端部を位置決め
する手段と、この位置決めされたリードフレームの収容
部に半導体素子をセットする手段と、支持部材に仮粘着
した絶縁テープ部材を、リードフレームの先端部間、お
よび、半導体素子の主表面に粘着固定する手段とを備え
たことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125006A JPH05326755A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用いたリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125006A JPH05326755A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用いたリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326755A true JPH05326755A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14899543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4125006A Pending JPH05326755A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法並びにそれを用いたリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101927669A (zh) * | 2010-09-19 | 2010-12-29 | 广东省粤晶高科股份有限公司 | 一种轮胎压力监测装置的封装工艺 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP4125006A patent/JPH05326755A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101927669A (zh) * | 2010-09-19 | 2010-12-29 | 广东省粤晶高科股份有限公司 | 一种轮胎压力监测装置的封装工艺 |
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