JPH05326647A - 積層導体 - Google Patents
積層導体Info
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- JPH05326647A JPH05326647A JP4235211A JP23521192A JPH05326647A JP H05326647 A JPH05326647 A JP H05326647A JP 4235211 A JP4235211 A JP 4235211A JP 23521192 A JP23521192 A JP 23521192A JP H05326647 A JPH05326647 A JP H05326647A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な特性を有し信頼性の高いフレキシブル
なプリント配線基板やテープキャリヤパッケージの構成
に適する積層導体の提供を目的とする。 【構成】 絶縁性テープ本体と、前記絶縁性テープ本体
の少なくとも一方の主面に一体的に支持された導電体層
とを具備し、前記導電体層が重量比でCr：0.01〜1.5
％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ば
れたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部が
Cuおよび不可避的な不純物から成る合金であることを特
徴とする。すなわち、本発明は導電体層を、Cr：0.01〜
1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で
選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残
部がCuおよび不可避的な不純物から成る合金、好ましく
はCr：0.1 〜0.3 ％、Zr：0.05〜0.1 ％、Ti：0.2 〜0.
7 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１
種、残部がCuおよび不可避的な不純物から成る合金で形
成したことを骨子とする。
なプリント配線基板やテープキャリヤパッケージの構成
に適する積層導体の提供を目的とする。 【構成】 絶縁性テープ本体と、前記絶縁性テープ本体
の少なくとも一方の主面に一体的に支持された導電体層
とを具備し、前記導電体層が重量比でCr：0.01〜1.5
％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ば
れたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部が
Cuおよび不可避的な不純物から成る合金であることを特
徴とする。すなわち、本発明は導電体層を、Cr：0.01〜
1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で
選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残
部がCuおよび不可避的な不純物から成る合金、好ましく
はCr：0.1 〜0.3 ％、Zr：0.05〜0.1 ％、Ti：0.2 〜0.
7 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１
種、残部がCuおよび不可避的な不純物から成る合金で形
成したことを骨子とする。
Description
【０００１】
【０００１】
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばフレキシブル
なプリント配線基板の形成用、あるいはＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding) 用に適する積層導体に係り、特に微
細な導体パターンの形成に適するテープ型の積層導体に
関する。
なプリント配線基板の形成用、あるいはＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding) 用に適する積層導体に係り、特に微
細な導体パターンの形成に適するテープ型の積層導体に
関する。
【０００３】
【０００２】
【０００４】
【従来の技術】たとえば、電子回路の構成において、屈
曲可動を要求される配線部の構成に、いわゆるフレキシ
ブルプリント配線基板が、一般に使用されている。ま
た、たとえばパーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ、あるいはテレビジョンにおいて表示機能を果たす液
晶表示装置の駆動回路部品、または電子手帳や関数電卓
の回路構成などの広い分野で、半導体素子のテープキャ
リヤパッケージが、ASIC用多ピンパッケージとして使用
されつつある。そして、前記テープキャリヤパッケージ
ないしＴＡＢ型の半導体素子（装置）は、所要のリード
パターンを所定の間隔で形成して成るいわゆるキャリヤ
テープを連続的に搬送させながら、順次所定の半導体素
子をボンディング（装着）することによって、量産的に
製造ないし構成し得るという利点と相俟って、多くの関
心が寄せられるとともに、その実用化も推進されてい
る。
曲可動を要求される配線部の構成に、いわゆるフレキシ
ブルプリント配線基板が、一般に使用されている。ま
た、たとえばパーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ、あるいはテレビジョンにおいて表示機能を果たす液
晶表示装置の駆動回路部品、または電子手帳や関数電卓
の回路構成などの広い分野で、半導体素子のテープキャ
リヤパッケージが、ASIC用多ピンパッケージとして使用
されつつある。そして、前記テープキャリヤパッケージ
ないしＴＡＢ型の半導体素子（装置）は、所要のリード
パターンを所定の間隔で形成して成るいわゆるキャリヤ
テープを連続的に搬送させながら、順次所定の半導体素
子をボンディング（装着）することによって、量産的に
製造ないし構成し得るという利点と相俟って、多くの関
心が寄せられるとともに、その実用化も推進されてい
る。
【０００５】
【０００３】ところで、前記フレキシブルプリント配線
基板、もしくはキャリヤテープは、たとえばポリイミド
樹脂フィルムなど、柔軟性を有する絶縁性フイルム（絶
縁性基体）面に、銅箔を張り合わせ一体化して成る積層
導体を素材として形成されている。すなわち、前記構成
の銅箔張りテープ（積層導体）の銅箔を、たとえば選択
的にホトエッチングして、所要の配線パターン群など形
成することにより、またはインナリードおよびアウトリ
ードから成るリードパターンを互いに離隔して形成する
ことによって製造している。
基板、もしくはキャリヤテープは、たとえばポリイミド
樹脂フィルムなど、柔軟性を有する絶縁性フイルム（絶
縁性基体）面に、銅箔を張り合わせ一体化して成る積層
導体を素材として形成されている。すなわち、前記構成
の銅箔張りテープ（積層導体）の銅箔を、たとえば選択
的にホトエッチングして、所要の配線パターン群など形
成することにより、またはインナリードおよびアウトリ
ードから成るリードパターンを互いに離隔して形成する
ことによって製造している。
【０００６】
【０００４】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の銅箔を張り合わせ一体化して成る銅箔張りテープ
（積層導体）の場合は、実用上次のような問題がある。
すなわち、前記張り合わせられている銅箔は、機械的強
度や絶縁性フイルムとの接着強度が劣り、また結晶粒も
比較的大きいので、ミクロンオーダーのエッチングに対
して異方性を伴うため、ファインパターン化（微細パタ
ーン化）が困難であるという問題がある。つまり、配線
パターン化、もしくはリードパターン化に当たって、銅
箔のエッチング性が劣るので、配線パターンやリードパ
ターンの微細化、換言する狭ピッチに幅の狭い配線パタ
ーンやリードパターンを互いに絶縁・離隔して形成する
ことが非常に困難である。そして、配線パターンの高密
度化、もしくはテープキャリヤパッケージのコンパクト
化ないし多ピン型大容量化などに、十分に対応し得ない
ことになる。この配線パターンやリードパターンの微細
化に対しては、銅箔の厚さを薄くする手段もあるが、形
成したリードパターンの強度ないし硬度が低下するた
め、折れ曲がり時に変形もしくは切断を起こし易くなっ
て、信頼性が損なわれるという問題がある。特に、前記
リードパターンの硬度不足などは、リードパターンの型
崩れなど生じ易く自動実装の場合、信頼性の点で問題を
起こす恐れが多分ある。さらに、前記絶縁性フイルム面
に対する接着強度の低さは、エッチングによる配線パタ
ーン化やリードパターン化の作業の困難さを招来すると
ともに、パターンが微細化した場合など容易に剥離する
などして、所要の機能を果たし得ないという問題があ
る。さらに、上記接着性の問題は、たとえばキャリヤテ
ープに所要の半導体素子を搭載・ボンディングした後、
樹脂モールドした場合など、気密ないし液密な封じ性を
呈し得ないという不都合もある。
成の銅箔を張り合わせ一体化して成る銅箔張りテープ
（積層導体）の場合は、実用上次のような問題がある。
すなわち、前記張り合わせられている銅箔は、機械的強
度や絶縁性フイルムとの接着強度が劣り、また結晶粒も
比較的大きいので、ミクロンオーダーのエッチングに対
して異方性を伴うため、ファインパターン化（微細パタ
ーン化）が困難であるという問題がある。つまり、配線
パターン化、もしくはリードパターン化に当たって、銅
箔のエッチング性が劣るので、配線パターンやリードパ
ターンの微細化、換言する狭ピッチに幅の狭い配線パタ
ーンやリードパターンを互いに絶縁・離隔して形成する
ことが非常に困難である。そして、配線パターンの高密
度化、もしくはテープキャリヤパッケージのコンパクト
化ないし多ピン型大容量化などに、十分に対応し得ない
ことになる。この配線パターンやリードパターンの微細
化に対しては、銅箔の厚さを薄くする手段もあるが、形
成したリードパターンの強度ないし硬度が低下するた
め、折れ曲がり時に変形もしくは切断を起こし易くなっ
て、信頼性が損なわれるという問題がある。特に、前記
リードパターンの硬度不足などは、リードパターンの型
崩れなど生じ易く自動実装の場合、信頼性の点で問題を
起こす恐れが多分ある。さらに、前記絶縁性フイルム面
に対する接着強度の低さは、エッチングによる配線パタ
ーン化やリードパターン化の作業の困難さを招来すると
ともに、パターンが微細化した場合など容易に剥離する
などして、所要の機能を果たし得ないという問題があ
る。さらに、上記接着性の問題は、たとえばキャリヤテ
ープに所要の半導体素子を搭載・ボンディングした後、
樹脂モールドした場合など、気密ないし液密な封じ性を
呈し得ないという不都合もある。
【０００８】
【０００５】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、良好な機械的強度や接合性を有し信頼性の高いファ
インパターンを高精度に、かつ再現性よく形成すること
が可能な積層導体の提供を目的とする。
で、良好な機械的強度や接合性を有し信頼性の高いファ
インパターンを高精度に、かつ再現性よく形成すること
が可能な積層導体の提供を目的とする。
【０００９】
【０００６】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層導体
は、絶縁性テープ本体と、前記絶縁性テープ本体の少な
くとも一方の主面に一体的に支持された導電体層とを具
備し、前記導電体層が重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：
0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Z
r,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部はCuおよび
不可避的な不純物から成る合金であることを特徴とす
る。
は、絶縁性テープ本体と、前記絶縁性テープ本体の少な
くとも一方の主面に一体的に支持された導電体層とを具
備し、前記導電体層が重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：
0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Z
r,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部はCuおよび
不可避的な不純物から成る合金であることを特徴とす
る。
【００１１】
【０００７】すなわち、本発明は導電体層を形成する合
金成分を、Cr：0.01〜1.5 ％好ましくは0.1 〜0.3 ％、
Zr：0.01〜1.0 ％好ましくは0.05〜0.1 ％、Ti：0.01〜
7.0％好ましくは0.2 〜0.7 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,T
iの少なくともいずれか１種の元素を含有し、残部がCu
および不可避的な不純物から成る合金であることを骨子
とする。ここで、添加元素（Cr,Zr,Ti）の組成比がいず
れも0.01％未満では硬度が不足し、またいずれも前記上
限値（Cr：1.5 ％、Zr：1.0 ％、Ti：7.0 ％）を超える
と所要の導電性を呈しないので、前記の範囲内に選択さ
れる。
金成分を、Cr：0.01〜1.5 ％好ましくは0.1 〜0.3 ％、
Zr：0.01〜1.0 ％好ましくは0.05〜0.1 ％、Ti：0.01〜
7.0％好ましくは0.2 〜0.7 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,T
iの少なくともいずれか１種の元素を含有し、残部がCu
および不可避的な不純物から成る合金であることを骨子
とする。ここで、添加元素（Cr,Zr,Ti）の組成比がいず
れも0.01％未満では硬度が不足し、またいずれも前記上
限値（Cr：1.5 ％、Zr：1.0 ％、Ti：7.0 ％）を超える
と所要の導電性を呈しないので、前記の範囲内に選択さ
れる。
【００１２】
【０００８】その他、圧延加工性や導電性の改善のた
め、たとえば0.001 〜1.5wt ％程度のSi,Mn,Niなどを、
あるいは強度のアップや絶縁体に対する密着性などの改
善のため、たとえば0.001 〜 0.5wt％程度（好ましくは
0.05〜0.1wt ％）のAl, Y,Bi,Ce,Mg,Caを0.001 〜 1wt
％程度（好ましくは 0.005〜0.1wt ％）の Zn, V, W,N
b,Mo 、もしくはこれらの炭化物，酸化物，窒化物など
をさらに添加してもよい。すなわち、前記Si,Al,Mn,Ni,
Mg,Y,Bi,Ce,Ca,Zn, V, W,Nb,Moなどの添加物成分を、前
記選択・設定された範囲内で添加することにより、所要
の導電性を損なうことなく、それらの成分のCu中への固
溶／析出、もしくは炭化物，酸化物，窒化物などの析出
に伴う強度の向上に寄与したり、金属箔表面の酸化物生
成のための供給源として作用して、絶縁性テープに対す
る密着性の改善などが図られる。さらに、不可避的な不
純物としては、たとえば Fe,P,Snなどが挙げられ、これ
らの成分もその成分比が 1wt％以内であれば、導電性や
強度などを損なう恐れはない。
め、たとえば0.001 〜1.5wt ％程度のSi,Mn,Niなどを、
あるいは強度のアップや絶縁体に対する密着性などの改
善のため、たとえば0.001 〜 0.5wt％程度（好ましくは
0.05〜0.1wt ％）のAl, Y,Bi,Ce,Mg,Caを0.001 〜 1wt
％程度（好ましくは 0.005〜0.1wt ％）の Zn, V, W,N
b,Mo 、もしくはこれらの炭化物，酸化物，窒化物など
をさらに添加してもよい。すなわち、前記Si,Al,Mn,Ni,
Mg,Y,Bi,Ce,Ca,Zn, V, W,Nb,Moなどの添加物成分を、前
記選択・設定された範囲内で添加することにより、所要
の導電性を損なうことなく、それらの成分のCu中への固
溶／析出、もしくは炭化物，酸化物，窒化物などの析出
に伴う強度の向上に寄与したり、金属箔表面の酸化物生
成のための供給源として作用して、絶縁性テープに対す
る密着性の改善などが図られる。さらに、不可避的な不
純物としては、たとえば Fe,P,Snなどが挙げられ、これ
らの成分もその成分比が 1wt％以内であれば、導電性や
強度などを損なう恐れはない。
【００１３】
【０００９】そして、絶縁体に対する密着性など考慮し
た場合、前記積層導体の導電体層は、所要の密着強度
（耐剥離性）1.7 kg／cm2 以上を得るため、その表面を
厚さ 1nm〜 1μm 程度の酸化物層としておくことが好ま
しく、前記Cr,Zn,Ti,Al,Y,Bi,Mg,Ce,Ca,Siなどを添加含
有させた場合は、酸化物層を生成し易いので望ましい。
また、この酸化物層の形成は、たとえば前記合金箔を大
気中、水素雰囲気中、窒素雰囲気中あるいは他の還元性
雰囲気中で熱処理して、前記酸化性金属を表面側に析出
させて酸化させることにより達成し得る。ここで、前記
酸化性金属を表面側に析出させた時点で、この析出した
金属成分をエッチング処理などにより除去した後（合金
箔表面は純度の高いCuで被覆された形態を採ってい
る）、酸化させることにより厚さ数nmのCu2 O 膜を生成
し得るので、さらに熱処理してCu2 O の厚膜化を図って
もよいし、あるいは合金箔表面に密着性の良好な酸化物
層を塗布形成してもよい。
た場合、前記積層導体の導電体層は、所要の密着強度
（耐剥離性）1.7 kg／cm2 以上を得るため、その表面を
厚さ 1nm〜 1μm 程度の酸化物層としておくことが好ま
しく、前記Cr,Zn,Ti,Al,Y,Bi,Mg,Ce,Ca,Siなどを添加含
有させた場合は、酸化物層を生成し易いので望ましい。
また、この酸化物層の形成は、たとえば前記合金箔を大
気中、水素雰囲気中、窒素雰囲気中あるいは他の還元性
雰囲気中で熱処理して、前記酸化性金属を表面側に析出
させて酸化させることにより達成し得る。ここで、前記
酸化性金属を表面側に析出させた時点で、この析出した
金属成分をエッチング処理などにより除去した後（合金
箔表面は純度の高いCuで被覆された形態を採ってい
る）、酸化させることにより厚さ数nmのCu2 O 膜を生成
し得るので、さらに熱処理してCu2 O の厚膜化を図って
もよいし、あるいは合金箔表面に密着性の良好な酸化物
層を塗布形成してもよい。
【００１４】
【００１０】なお、前記酸化物の被着・形成により絶縁
性基体（絶縁性フイルム）、たとえばポリイミド樹脂テ
ープに対する良好な接着性に寄与し、信頼性の高い積層
導体を構成・保持することが可能となる。そして、被接
合面に幅50nm〜10μm （好ましくは 0.2μm 〜 5μm
）、深さ50nm〜 5μm （好ましくは 0.2μm 〜 2μm
）溝を、全面積の 3％以上（望ましくは20〜80％程
度）有していることが、さらに良好な密着強度（耐剥離
性）2.0 kg／cm2 を得る上で好ましい。このように、密
着強度の向上にさらに寄与する微細な溝の形成・形設
は、たとえば 0.1〜 5 NのHClや H2 SO4 による選択的
なエッチング処理、もしくは紙やすりや研磨粉による研
磨処理なとで容易に達成し得る。
性基体（絶縁性フイルム）、たとえばポリイミド樹脂テ
ープに対する良好な接着性に寄与し、信頼性の高い積層
導体を構成・保持することが可能となる。そして、被接
合面に幅50nm〜10μm （好ましくは 0.2μm 〜 5μm
）、深さ50nm〜 5μm （好ましくは 0.2μm 〜 2μm
）溝を、全面積の 3％以上（望ましくは20〜80％程
度）有していることが、さらに良好な密着強度（耐剥離
性）2.0 kg／cm2 を得る上で好ましい。このように、密
着強度の向上にさらに寄与する微細な溝の形成・形設
は、たとえば 0.1〜 5 NのHClや H2 SO4 による選択的
なエッチング処理、もしくは紙やすりや研磨粉による研
磨処理なとで容易に達成し得る。
【００１５】
【００１１】
【００１６】
【作用】本発明に係る積層導体においては、導電体層を
形成するCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の所定量の
元素、残部がCuおよび不可避的な不純物、さらに要すれ
ば他の添加成分を所要量含有して成る合金が、適度の硬
度およびエッチング性を有すし、また絶縁性テープ本対
面に対し良好な密着性を呈する。つまり、前記導電体層
は、すぐれた機械的な強度および導電性を有するととも
に、支持基体としての絶縁性テープ本対とも強固に、か
つ密着一体化している一方、微細なエッチングも可能な
ため、信頼性の高いフレキシブルなプリント配線基板や
キャリヤテープパッケージの構成も容易に成し得る。特
に、導電体層の被接合面に微細な溝を形成・形設してお
いた場合は、密着一体性の向上が図られる。
形成するCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の所定量の
元素、残部がCuおよび不可避的な不純物、さらに要すれ
ば他の添加成分を所要量含有して成る合金が、適度の硬
度およびエッチング性を有すし、また絶縁性テープ本対
面に対し良好な密着性を呈する。つまり、前記導電体層
は、すぐれた機械的な強度および導電性を有するととも
に、支持基体としての絶縁性テープ本対とも強固に、か
つ密着一体化している一方、微細なエッチングも可能な
ため、信頼性の高いフレキシブルなプリント配線基板や
キャリヤテープパッケージの構成も容易に成し得る。特
に、導電体層の被接合面に微細な溝を形成・形設してお
いた場合は、密着一体性の向上が図られる。
【００１７】
【００１２】
【００１８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１９】
【００１３】実施例１ 図１は本発明に係る積層導体の構成例を断面的に示した
もので、１は絶縁性テープ本体、たとえば厚さ75μm 程
度で、かつ所要の開口部が設けられたポリイミド樹脂フ
ィルム、２は前記ポリイミド樹脂フィルム１の主面に接
着剤層３を介して一体的に支持された導電体層、すなわ
ち、重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、T
i：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくと
もいずれか１種の元素、残部がCuおよび不可避的な不純
物から成る厚さ70μm 程度のCu系金属箔（金属層）であ
る。
もので、１は絶縁性テープ本体、たとえば厚さ75μm 程
度で、かつ所要の開口部が設けられたポリイミド樹脂フ
ィルム、２は前記ポリイミド樹脂フィルム１の主面に接
着剤層３を介して一体的に支持された導電体層、すなわ
ち、重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、T
i：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくと
もいずれか１種の元素、残部がCuおよび不可避的な不純
物から成る厚さ70μm 程度のCu系金属箔（金属層）であ
る。
【００２０】
【００１４】そして、このような積層導体は、次のごと
くして製造し得る。
くして製造し得る。
【００２１】
【００１５】先ず、純度99.9wt％のCu、純度99.9wt％の
Cr、純度99.9wt％のZrおよび純度99.9wt％のTi、その他
Al,Y,Bi,Mg,Ce,Ca,Zn, V, W,Nb,Mo,Si,C,N,Oなどなど
を、表−１に示すような組成比（wt％）に選択し、高周
波溶解して14種のCu合金インゴットを作成した。その
後、これらのCu合金インゴットを鍛造してから、 900℃
で1時間加熱、熱間圧延を施して 2mm厚の金属板をそれ
ぞれ作成した。この金属板について、表面の酸化物を除
去してから、冷間圧延により 1mm厚の金属板とし、850
℃で熱処理を行った後、さらに冷間圧延を施して35mm
幅、35μm 厚の金属箔とした。これらの金属箔につい
て、その硬さ（Hv）をそれぞれ測定した結果を表−１に
併せて示した。
Cr、純度99.9wt％のZrおよび純度99.9wt％のTi、その他
Al,Y,Bi,Mg,Ce,Ca,Zn, V, W,Nb,Mo,Si,C,N,Oなどなど
を、表−１に示すような組成比（wt％）に選択し、高周
波溶解して14種のCu合金インゴットを作成した。その
後、これらのCu合金インゴットを鍛造してから、 900℃
で1時間加熱、熱間圧延を施して 2mm厚の金属板をそれ
ぞれ作成した。この金属板について、表面の酸化物を除
去してから、冷間圧延により 1mm厚の金属板とし、850
℃で熱処理を行った後、さらに冷間圧延を施して35mm
幅、35μm 厚の金属箔とした。これらの金属箔につい
て、その硬さ（Hv）をそれぞれ測定した結果を表−１に
併せて示した。
【００２２】
【００１６】
【００２３】
【表１】次に、前記各金属箔について、大気中で熱処理
を施し、表面に一体化した酸化物層を生成（形成）させ
た後、 0.1〜 5 Nの HClや H2 SO4 による選択的なエッ
チング処理して、微細な溝を形設した。図２は 0.5 Nの
HCl溶液でエッチング処理した実施例14の金属箔表面組
織の状態を示す走査型電子顕微鏡写真であり、黒線で示
された部分が微細な溝である。
を施し、表面に一体化した酸化物層を生成（形成）させ
た後、 0.1〜 5 Nの HClや H2 SO4 による選択的なエッ
チング処理して、微細な溝を形設した。図２は 0.5 Nの
HCl溶液でエッチング処理した実施例14の金属箔表面組
織の状態を示す走査型電子顕微鏡写真であり、黒線で示
された部分が微細な溝である。
【００２４】
【００１７】前記エッチング処理した各金属箔（幅35m
m）を、バーホレーション、キャラクターホールのパン
チングを行なった絶縁テープ、たとえばポリイミド樹脂
フイルム面にそれぞれ接着剤層（たとえばエポキシ樹脂
系の接着剤）を介して張り合わせ積層導体を作成した。
なお、この積層導体の作成において、接着剤層を介さず
に直接、接着・一体化してもよい。
m）を、バーホレーション、キャラクターホールのパン
チングを行なった絶縁テープ、たとえばポリイミド樹脂
フイルム面にそれぞれ接着剤層（たとえばエポキシ樹脂
系の接着剤）を介して張り合わせ積層導体を作成した。
なお、この積層導体の作成において、接着剤層を介さず
に直接、接着・一体化してもよい。
【００２５】
【００１８】上記でそれぞれ得た積層導体について、張
り合わせた金属箔とポリイミド樹脂フイルムとの引き剥
がし強度（ピール強度）をそれぞれ測定した結果を、前
記金属箔の酸化処理、エッチング処理条件、表面状態な
どとともに、表−２に併せて示す。
り合わせた金属箔とポリイミド樹脂フイルムとの引き剥
がし強度（ピール強度）をそれぞれ測定した結果を、前
記金属箔の酸化処理、エッチング処理条件、表面状態な
どとともに、表−２に併せて示す。
【００２６】
【００１９】
【００２７】
【表２】なお、これら積層導体におけるCu系導体層（Cu
合金箔）の電気抵抗をそれぞれ測定したところ、いずれ
も幅60μm 程度の微細パターン化したときでも、要求さ
れる導電性を有しており、前記良好な耐剥離性などと相
俟って、フレキシブルなプリント配線基板やＴＡＢパッ
ケージの製造に好適するものであった。
合金箔）の電気抵抗をそれぞれ測定したところ、いずれ
も幅60μm 程度の微細パターン化したときでも、要求さ
れる導電性を有しており、前記良好な耐剥離性などと相
俟って、フレキシブルなプリント配線基板やＴＡＢパッ
ケージの製造に好適するものであった。
【００２８】
【００２０】実施例２ 先ず、主面にたとえばエポキシ樹脂系の接着剤を塗布し
て、所要の接着剤層を形成・具備させた厚さ75μm 程度
のポリイミド樹脂フィルムを用意し、次いでこのポリイ
ミド樹脂フィルムを所定の幅、たとえば35mm幅の長尺テ
ープにカッティングし、前記カッティングして得た長尺
テープに、所要のパンチング処理を施して半導体素子装
着部およびアウタリードのカッティング領域を開口（一
部の切除）する。その後、重量比でCr：0.01〜1.5 ％、
Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれた
Cr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部がCuお
よび不可避的な不純物から成るたとえば厚さ70μm 程度
の合金箔を張り合わせ一体化することによって、目的と
するＴＡＢ用テープを得た。
て、所要の接着剤層を形成・具備させた厚さ75μm 程度
のポリイミド樹脂フィルムを用意し、次いでこのポリイ
ミド樹脂フィルムを所定の幅、たとえば35mm幅の長尺テ
ープにカッティングし、前記カッティングして得た長尺
テープに、所要のパンチング処理を施して半導体素子装
着部およびアウタリードのカッティング領域を開口（一
部の切除）する。その後、重量比でCr：0.01〜1.5 ％、
Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ばれた
Cr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部がCuお
よび不可避的な不純物から成るたとえば厚さ70μm 程度
の合金箔を張り合わせ一体化することによって、目的と
するＴＡＢ用テープを得た。
【００２９】
【００２１】次に、上記のように構成されたＴＡＢ用テ
ープを、キャリヤテープ化して各種特性を評価した結果
について説明する。先ず、前記合金箔の組成をいろいろ
に変えた構成のＴＡＢ用テープを11種類を用意し、それ
らＴＡＢ用テープの合金箔（導電性層）の硬さおよび導
電率の評価を行った。一方それらＴＡＢ用テープの合金
箔ついて、それぞれホトエッチング処理を施し、合金箔
をピッチ30μm で所要のリードパターンを形成してか
ら、そのリードパターン化面上に、AuやSnの薄いめっき
層を被着形成してキャリヤテープを得、前記合金箔（導
電性層）の硬さおよび導電率の評価を加味し、ＴＡＢ用
テープとしての総合評価を行った。この一連の評価結果
を表−３に示す。（以下余白）
ープを、キャリヤテープ化して各種特性を評価した結果
について説明する。先ず、前記合金箔の組成をいろいろ
に変えた構成のＴＡＢ用テープを11種類を用意し、それ
らＴＡＢ用テープの合金箔（導電性層）の硬さおよび導
電率の評価を行った。一方それらＴＡＢ用テープの合金
箔ついて、それぞれホトエッチング処理を施し、合金箔
をピッチ30μm で所要のリードパターンを形成してか
ら、そのリードパターン化面上に、AuやSnの薄いめっき
層を被着形成してキャリヤテープを得、前記合金箔（導
電性層）の硬さおよび導電率の評価を加味し、ＴＡＢ用
テープとしての総合評価を行った。この一連の評価結果
を表−３に示す。（以下余白）
【００３０】 表−３ 試料 合金箔中添加成分(Wt%) 硬さ 導電率 総合評価 Cr Zr Ti 比較例１ 0.005 87 98 不合格 ２ 0.004 90 99 不合格 ３ 0.007 91 99 不合格 ４ 0.001 0.003 0.009 95 97 不合格 実施例15 0.2 102 95 合格 16 0.1 105 93 合格 17 2.0 115 90 合格 18 0.2 0.05 150 78 合格 19 0.2 2.0 178 72 合格 20 0.05 2.0 165 81 合格 21 0.2 0.05 1.0 190 63 合格 比較例５ 2.0 − − 不合格 ６ 1.5 − − 不合格 ７ 7.5 − − 不合格 なお、上記各評価は、硬さ：ビッカースHv、導電率：I.
A.C.S.% でそれぞれ行った。また、比較例５，６，７の
場合はいずれも偏析が多く箔の製造が不可能であった。
A.C.S.% でそれぞれ行った。また、比較例５，６，７の
場合はいずれも偏析が多く箔の製造が不可能であった。
【００３１】
【００２２】上記評価結果からも分かるように、本発明
に係る積層導体は、たとえばＴＡＢ用テープとした場
合、キャリヤテープとして要求される各特性、つまり微
細なリードパターン化した場合でも折れ曲がりなどの変
形を起こさない高強度など兼備しているといえる。
に係る積層導体は、たとえばＴＡＢ用テープとした場
合、キャリヤテープとして要求される各特性、つまり微
細なリードパターン化した場合でも折れ曲がりなどの変
形を起こさない高強度など兼備しているといえる。
【００３２】
【００２３】上記では、絶縁性テープ本体として厚さ75
μm のポリイミド樹脂フィルムを例示したが、その厚さ
は前記例示に限定されるものでなく、また素材もたとえ
ばポリエステル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポ
リアクリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミ
ド系樹脂、もしくは酸化物、ガラスなど、ポリイミド樹
脂以外のものであってもよい。さらに、導電体層を成す
重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.
01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいず
れか１種の元素、残部がCuおよび不可避的な不純物から
成る合金箔の厚さも、前記例示に限定されないことは勿
論である。
μm のポリイミド樹脂フィルムを例示したが、その厚さ
は前記例示に限定されるものでなく、また素材もたとえ
ばポリエステル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポ
リアクリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミ
ド系樹脂、もしくは酸化物、ガラスなど、ポリイミド樹
脂以外のものであってもよい。さらに、導電体層を成す
重量比でCr：0.01〜1.5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.
01〜7.0 ％の範囲で選ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいず
れか１種の元素、残部がCuおよび不可避的な不純物から
成る合金箔の厚さも、前記例示に限定されないことは勿
論である。
【００３３】
【００２４】
【００３４】
【発明の効果】上記説明したように、本発明に係る積層
導体によれば、導電体層を成す重量比でCr：0.01〜1.5
％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ば
れたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部が
Cuおよび不可避的な不純物から成る合金層が、良好な機
械的な特性および導電性を備えているため、微細にパタ
ーンニングされた形においても、変形などおこし難いの
で、信頼性の高いフレキシブルなプリント配線基板やキ
ャリヤテープパッケージの構成に適するものといえる。
導体によれば、導電体層を成す重量比でCr：0.01〜1.5
％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選ば
れたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部が
Cuおよび不可避的な不純物から成る合金層が、良好な機
械的な特性および導電性を備えているため、微細にパタ
ーンニングされた形においても、変形などおこし難いの
で、信頼性の高いフレキシブルなプリント配線基板やキ
ャリヤテープパッケージの構成に適するものといえる。
【図１】本発明に係る積層導体の構成例を示す断面図。
【図２】本発明に係る積層導体の構成に用いたCu系箔
（膜）の表面組織状態を示す走査型電子顕微鏡写真。
（膜）の表面組織状態を示す走査型電子顕微鏡写真。
１………絶縁性テープ本体 ２………導電体層 ３………接着剤層
【表−１】
【表−２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 新一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 石丸 曜子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 福田 正幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 吉木 昌彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 加賀見 英世 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 森田 正明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 遠藤 博 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 芝リサーチ コンサルディング株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性テープ本体と、前記絶縁性テープ
本体の少なくとも一方の主面に一体的に支持された導電
体層とを具備し、前記導電体層が重量比でCr：0.01〜1.
5 ％、Zr：0.01〜1.0 ％、Ti：0.01〜7.0 ％の範囲で選
ばれたCr,Zr,Tiの少なくともいずれか１種の元素、残部
はCuおよび不可避的な不純物から成る合金であることを
特徴とする積層導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235211A JPH05326647A (ja) | 1991-09-20 | 1992-08-11 | 積層導体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24130491A JPH0582589A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Ｔａｂ用テープ |
| JP3-241304 | 1991-09-20 | ||
| JP4235211A JPH05326647A (ja) | 1991-09-20 | 1992-08-11 | 積層導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326647A true JPH05326647A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=17072293
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24130491A Pending JPH0582589A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Ｔａｂ用テープ |
| JP4235211A Pending JPH05326647A (ja) | 1991-09-20 | 1992-08-11 | 積層導体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24130491A Pending JPH0582589A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Ｔａｂ用テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0582589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050605A (ko) * | 1999-01-12 | 2000-08-05 | 박천주 | 적층 전도체 배선 패널 압착에 의한 솔더리스 와이어리스 소켓형 회로 기판 |
| EP1180917A3 (en) * | 2000-08-17 | 2005-12-14 | Nikko Metal Manufacturing Co., Ltd | Copper-alloy foil to be used for laminate sheet |
| JP2007194592A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Tdk Corp | 誘電体素子とその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24130491A patent/JPH0582589A/ja active Pending
-
1992
- 1992-08-11 JP JP4235211A patent/JPH05326647A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050605A (ko) * | 1999-01-12 | 2000-08-05 | 박천주 | 적층 전도체 배선 패널 압착에 의한 솔더리스 와이어리스 소켓형 회로 기판 |
| EP1180917A3 (en) * | 2000-08-17 | 2005-12-14 | Nikko Metal Manufacturing Co., Ltd | Copper-alloy foil to be used for laminate sheet |
| JP2007194592A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Tdk Corp | 誘電体素子とその製造方法 |
| US8468693B2 (en) | 2005-12-20 | 2013-06-25 | Tdk Corporation | Dielectric device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582589A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011127 |