JPH05326524A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- JPH05326524A JPH05326524A JP4133901A JP13390192A JPH05326524A JP H05326524 A JPH05326524 A JP H05326524A JP 4133901 A JP4133901 A JP 4133901A JP 13390192 A JP13390192 A JP 13390192A JP H05326524 A JPH05326524 A JP H05326524A
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- JP
- Japan
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- solder
- particles
- paste
- barrier layer
- solder particles
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半田バンプ形成方法に関し、半田バ
ンプの形成能率の向上を図ることを目的とする。 【構成】 半田粒３８を含有するパラフィン炭化水素３
７を使用する。これをマスク３１上から塗布して、各バ
リア層４上に盛り部３６を形成する。次いで、加熱し
て、パラフィン炭化水素を気化させて除去すると共に、
半田粒を溶かして半田バンプ３９とするよう構成する。
ンプの形成能率の向上を図ることを目的とする。 【構成】 半田粒３８を含有するパラフィン炭化水素３
７を使用する。これをマスク３１上から塗布して、各バ
リア層４上に盛り部３６を形成する。次いで、加熱し
て、パラフィン炭化水素を気化させて除去すると共に、
半田粒を溶かして半田バンプ３９とするよう構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半田バンプ形成方法に関
する。
する。
【０００２】ＬＳＩを高密度実装するに適した実装方法
として、フリップチップ実装方法がある。
として、フリップチップ実装方法がある。
【０００３】フリップチップ実装を行うには、図１２に
示すように、ＬＳＩチップ１に、予め半田バンプ２を形
成する必要がある。半田バンプ２は、Ａｌ電極３上に、
Ｎｉ製のＮｉ層（バリア層）４を介して形成してある。
半田バンプ２の厚さｔ1 は約１００μｍである。
示すように、ＬＳＩチップ１に、予め半田バンプ２を形
成する必要がある。半田バンプ２は、Ａｌ電極３上に、
Ｎｉ製のＮｉ層（バリア層）４を介して形成してある。
半田バンプ２の厚さｔ1 は約１００μｍである。
【０００４】半田バンプ２は、生産性良く形成できるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
【０００５】
【従来の技術】従来は、図１３に示すように、ＬＳＩウ
ェハ１０を金属マスク１１で覆って蒸着槽１２内にセッ
トし、最初にＮｉを蒸着し、次いでＰｂ−Ｓｎを蒸着し
て、半田バンプを形成していた。
ェハ１０を金属マスク１１で覆って蒸着槽１２内にセッ
トし、最初にＮｉを蒸着し、次いでＰｂ−Ｓｎを蒸着し
て、半田バンプを形成していた。
【０００６】蒸着の進行は遅く、半田バンプの形成には
約６時間もの長い時間が必要であり、生産性が良くなか
った。
約６時間もの長い時間が必要であり、生産性が良くなか
った。
【０００７】そこで、本発明は生産性の向上を可能とし
た半田バンプ形成方法を提供することを目的とする。
た半田バンプ形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体ウェハの電極上にバリア層を介して半田バンプを形成
する半田バンプ形成方法において、半田粒を加熱によっ
て除去しうるペーストに含有した半田粒含有ペースト
を、開口を上記バリア層に一致させて配設したマスクの
上から印刷して、各バリア層上に半田粒含有ペースト盛
り部を形成する印刷工程と、上記半田粒含有ペースト盛
り部内の半田粒を溶融すると共に上記ペーストを除去す
べく加熱する加熱工程とよりなる構成としたものであ
る。
体ウェハの電極上にバリア層を介して半田バンプを形成
する半田バンプ形成方法において、半田粒を加熱によっ
て除去しうるペーストに含有した半田粒含有ペースト
を、開口を上記バリア層に一致させて配設したマスクの
上から印刷して、各バリア層上に半田粒含有ペースト盛
り部を形成する印刷工程と、上記半田粒含有ペースト盛
り部内の半田粒を溶融すると共に上記ペーストを除去す
べく加熱する加熱工程とよりなる構成としたものであ
る。
【００１０】請求項２の発明は、半導体ウェハの電極上
にバリア層を介してハンダバンプを形成する半田バンプ
形成方法において、半田粒を感光性樹脂に含有した半田
粒含有感光性樹脂を、上記バリア層が形成してある半導
体ウェハの全面に塗布して半田粒含有感光性樹脂層を形
成する塗布工程と、上記形成された半田粒含有感光性樹
脂層のうち上記バリア層に対向する部分を残すべく、露
光、現像する工程とよりなる構成としたものである。
にバリア層を介してハンダバンプを形成する半田バンプ
形成方法において、半田粒を感光性樹脂に含有した半田
粒含有感光性樹脂を、上記バリア層が形成してある半導
体ウェハの全面に塗布して半田粒含有感光性樹脂層を形
成する塗布工程と、上記形成された半田粒含有感光性樹
脂層のうち上記バリア層に対向する部分を残すべく、露
光、現像する工程とよりなる構成としたものである。
【００１１】
【作用】請求項１の印刷工程及び加熱工程は、半田バン
プを形成する能率を高めるように作用する。
プを形成する能率を高めるように作用する。
【００１２】請求項２の塗布工程及び露光、現像工程
は、半田バンプを形成する能率を高めるように作用す
る。
は、半田バンプを形成する能率を高めるように作用す
る。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の半田バンプ形成方法の第１実
施例について、図１乃至図４を参照して説明する。
施例について、図１乃至図４を参照して説明する。
【００１４】まず、図１中、Ｎｉ蒸着工程２０を行う。
【００１５】この工程は従来と同じであり、Ａｌ電極が
形成されているＬＳＩウェハを蒸着槽内にセットし、金
属マスクをセットして、ＮｉをＡｌ電極上に蒸着させ
る。形成すべきＮｉ層の厚さは１，０００Å程度と極薄
いため、蒸着は１分間程度の短い時間で完了する。
形成されているＬＳＩウェハを蒸着槽内にセットし、金
属マスクをセットして、ＮｉをＡｌ電極上に蒸着させ
る。形成すべきＮｉ層の厚さは１，０００Å程度と極薄
いため、蒸着は１分間程度の短い時間で完了する。
【００１６】次いで、半田印刷工程２１を行う。
【００１７】この工程２１は、図２に示す如くに行う。
【００１８】まず、同図（Ａ）に示すように、半田印刷
装置のテーブル３０上にＬＳＩウェハ１０を載置する。
ＬＳＩウェハ１０はＡｌ電極３を有し、且つＡｌ電極３
上にＮｉ層４が形成してある。
装置のテーブル３０上にＬＳＩウェハ１０を載置する。
ＬＳＩウェハ１０はＡｌ電極３を有し、且つＡｌ電極３
上にＮｉ層４が形成してある。
【００１９】また、金属製のマスク３１を、その開口３
２を上記Ｎｉ層４（Ａｌ電極３）に一致させて、ＬＳＩ
ウェハ１０を覆うようにセットする。
２を上記Ｎｉ層４（Ａｌ電極３）に一致させて、ＬＳＩ
ウェハ１０を覆うようにセットする。
【００２０】このマスク３１上に半田粒含有ペースト３
３を盛り、ステージ３４を矢印３５方向に動かして、ペ
ースト３を拡げて、同図（Ｂ）に示すように、各開口３
２内に埋める。
３を盛り、ステージ３４を矢印３５方向に動かして、ペ
ースト３を拡げて、同図（Ｂ）に示すように、各開口３
２内に埋める。
【００２１】この後、マスク３１を剥離する。これによ
り、同図（Ｃ）に示すように、ペースト盛り部３６がＮ
ｉ層４上に形成される。ペースト盛り部３６の厚さｔ2
は、前記のｔ1 より若干厚い。
り、同図（Ｃ）に示すように、ペースト盛り部３６がＮ
ｉ層４上に形成される。ペースト盛り部３６の厚さｔ2
は、前記のｔ1 より若干厚い。
【００２２】ここで、ペースト３３について説明する。
【００２３】ペースト３３は、ペースト状であるパラフ
ィン炭化水素３７内に粒径が２０μｍ程度の半田粒３８
を分散させたものであり、ペースト状をなしている。
ィン炭化水素３７内に粒径が２０μｍ程度の半田粒３８
を分散させたものであり、ペースト状をなしている。
【００２４】パラフィン炭化水素３７は、Ｃn Ｈ2n+2で
表わされ、例えばＣ23Ｈ48の場合は、２３４℃で気化す
る。
表わされ、例えばＣ23Ｈ48の場合は、２３４℃で気化す
る。
【００２５】半田粒３８粒径は、電極幅Ｗの１／５以下
であり、同図（Ｂ）に示すように開口３２内に円滑に入
り込む。
であり、同図（Ｂ）に示すように開口３２内に円滑に入
り込む。
【００２６】次に、加熱工程２２を行ない、ＬＳＩウェ
ハ１０を１８０℃より若干高い温度に加熱する。
ハ１０を１８０℃より若干高い温度に加熱する。
【００２７】これにより、各半田盛り部３６において、
パラフィン炭化水素３７が気化すると共に半田粒３８が
溶融し、半田盛り部３６は、図３に示す如くになる。
パラフィン炭化水素３７が気化すると共に半田粒３８が
溶融し、半田盛り部３６は、図３に示す如くになる。
【００２８】同図中、３９は塊状半田であり、これが半
田バンプを構成する。４０はパラフィン炭化水素の残渣
である。
田バンプを構成する。４０はパラフィン炭化水素の残渣
である。
【００２９】最後に、洗浄工程２３を行い、ＬＳＩウェ
ハ１０を有機溶剤で洗浄する。
ハ１０を有機溶剤で洗浄する。
【００３０】これにより、図３中の残渣３８が除去さ
れ、図４に示す半田バンプ３７が形成される。
れ、図４に示す半田バンプ３７が形成される。
【００３１】本実施例によれば、各工程２０〜２３が短
時間で完了し、１時間当り６０個ものＬＳＩウェハ１０
に半田バンプを形成できる。
時間で完了し、１時間当り６０個ものＬＳＩウェハ１０
に半田バンプを形成できる。
【００３２】なお、前記のパラフィン炭化水素に代えて
所謂クリーム半田に使用されているロジンを使用した場
合には、ロジンの残渣が除去できず、半田ハンプは不良
となってしまう。従って、ロジンを使用することは出来
ない。
所謂クリーム半田に使用されているロジンを使用した場
合には、ロジンの残渣が除去できず、半田ハンプは不良
となってしまう。従って、ロジンを使用することは出来
ない。
【００３３】次に、本発明の半田バンプ形成方法の第２
実施例について、図５乃至図１０を参照して説明する。
実施例について、図５乃至図１０を参照して説明する。
【００３４】まず、前記の実施例の場合と同じく、Ｎｉ
蒸着工程２０を行う。
蒸着工程２０を行う。
【００３５】次に、塗布工程５０を行う。
【００３６】ここでは、半田粒を感光性エポキシ樹脂内
に３０体積％分散された、半田粒含有感光性エポキシ樹
脂をＬＳＩウェハ１０の全面に、図６に示すように塗布
する。
に３０体積％分散された、半田粒含有感光性エポキシ樹
脂をＬＳＩウェハ１０の全面に、図６に示すように塗布
する。
【００３７】図６中、６０は半田粒３０体積％含有感光
性エポキシ樹脂層であり、厚さｔ3は前記のｔ1 より若
干厚い。
性エポキシ樹脂層であり、厚さｔ3は前記のｔ1 より若
干厚い。
【００３８】６１は半田粒であり、６２は感光性エポキ
シ樹脂であり、。半田粒６１が３０体積％含有してあ
る。
シ樹脂であり、。半田粒６１が３０体積％含有してあ
る。
【００３９】ここで、半田粒６１の含有率を３０体積％
とした理由について説明する。
とした理由について説明する。
【００４０】本発明者は、感光性エポキシ樹脂への半田
粒の含有率を変えて、感光性及び電気抵抗について調べ
たところ、図７に線Ｉで示す結果を得た。
粒の含有率を変えて、感光性及び電気抵抗について調べ
たところ、図７に線Ｉで示す結果を得た。
【００４１】線Ｉで示すように、半田粒の体積％が１０
〜５０％の間では、半田粒含有感光性エポキシ樹脂の電
気抵抗が略比例的に変化する。
〜５０％の間では、半田粒含有感光性エポキシ樹脂の電
気抵抗が略比例的に変化する。
【００４２】半田粒の体積％が１０％より少なくなる
と、電気抵抗値は急激に増え、導通性が無くなる。
と、電気抵抗値は急激に増え、導通性が無くなる。
【００４３】また半田粒の体積％が５０％を越えると、
感光性が低下し、露光、現像が出来なくなる。
感光性が低下し、露光、現像が出来なくなる。
【００４４】本実施例では、半田粒の体積％が３０％で
あるため、導通性を有し、且つ感光性を有している。
あるため、導通性を有し、且つ感光性を有している。
【００４５】半田粒の体積％を３０％としたのは、導通
性を有し且つ感光性を有するようにするためである。
性を有し且つ感光性を有するようにするためである。
【００４６】次に、図５中、露光工程５１を行う。
【００４７】ここでは、図８に示すようにＡｌ電極３の
パターンに対応したパターンの光透過部６３ａと光遮蔽
部６３ｂとを有するマスク６３を使用し、このマスク６
３を、その光透過部６３ａをＡｌ電極３に合わせて設置
し、この状態で光６４を照射して露光を行う。
パターンに対応したパターンの光透過部６３ａと光遮蔽
部６３ｂとを有するマスク６３を使用し、このマスク６
３を、その光透過部６３ａをＡｌ電極３に合わせて設置
し、この状態で光６４を照射して露光を行う。
【００４８】これにより、前記の層６０のうち、各Ａｌ
電極３に対応する部分６０ａが感光される。
電極３に対応する部分６０ａが感光される。
【００４９】続いて、図５中、現像工程５２を行う。
【００５０】ここでは、図９に示すように、図８の層６
０のうち未感光部分６０ｂが除去され、感光された部分
６０ａだけが残り、半田バンプ６５が残置形成される。
０のうち未感光部分６０ｂが除去され、感光された部分
６０ａだけが残り、半田バンプ６５が残置形成される。
【００５１】半田バンプ６５を拡大して示すと、図１０
に示すように、感光されたエポキシ樹脂６６内に半田粒
６１が分散した状態となっている。
に示すように、感光されたエポキシ樹脂６６内に半田粒
６１が分散した状態となっている。
【００５２】上記より分かるように、本実施例によって
も、半田バンプ６５は生産性良く形成される。
も、半田バンプ６５は生産性良く形成される。
【００５３】なお、上記の感光性エポキシ樹脂に代え
て、感光性ポリイミド樹脂及び感光性アクリル樹脂を使
用してもよい。
て、感光性ポリイミド樹脂及び感光性アクリル樹脂を使
用してもよい。
【００５４】また、感光性エポキシ樹脂への半田粒の含
有体積％は、３０％に限らず、１０％から５０％の範囲
内であればよい。
有体積％は、３０％に限らず、１０％から５０％の範囲
内であればよい。
【００５５】なお、上記の半田バンプ６５にあっては、
半田粒６１が溶融しても感光されたエポキシ樹脂６６が
溶けずに残っている関係上、半田バンプ６５が形成され
たＬＳＩチップ７０は、図１１に示すようにクランパ７
１によって押え板７２を介してプリント基板７３上に押
し付けられた状態で実装される。
半田粒６１が溶融しても感光されたエポキシ樹脂６６が
溶けずに残っている関係上、半田バンプ６５が形成され
たＬＳＩチップ７０は、図１１に示すようにクランパ７
１によって押え板７２を介してプリント基板７３上に押
し付けられた状態で実装される。
【００５６】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、半田バンプを従来に比べて生産性良く形成するこ
とが出来る。
れば、半田バンプを従来に比べて生産性良く形成するこ
とが出来る。
【００５７】請求項２の発明によれば、半田バンプを従
来に比べて生産性良く形成することが出来る。
来に比べて生産性良く形成することが出来る。
【図１】本発明の半田バンプ形成方法の第１実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】図１中、半田印刷工程を説明する図である。
【図３】図１中、加熱工程後の状態を示す図である。
【図４】図１中、洗浄工程後の状態を示す図である。
【図５】本発明の半田バンプ形成方法の第２実施例を示
す図である。
す図である。
【図６】図５中、塗布工程後の状態を示す図である。
【図７】半田粒の含有量と電気抵抗値及び感光性との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図８】図５中の露光工程を示す図である。
【図９】図５中、現像工程後の状態を示す図である。
【図１０】図９中、一の半田バンプを拡大して示す図で
ある。
ある。
【図１１】図５の方法で形成した半田バンプを有するＬ
ＳＩチップの実装状態を示す図である。
ＳＩチップの実装状態を示す図である。
【図１２】半田バンプを説明する図である。
【図１３】従来の半田バンプ形成方法を示す図である。
３ Ａｌ電極 ４ Ｎｉ層（バリア層） ２０ Ｎｉ蒸着工程 ２１ 半田印刷工程 ２２ 加熱工程 ２３ 洗浄工程 ３１ 金属製のマスク ３２ 開口 ３３ 半田粒含有ペースト ３６ 半田粒含有ペースト盛り部 ３７ パラフィン炭化水素 ３８ 半田粒 ３９ 塊状半田（半田バンプ） ４０ パラフィン炭化水素の残渣 ５０ 塗布工程 ５１ 露光工程 ５２ 現像工程 ６０ 半田粒３０体積％と含有感光性エポキシ樹脂層 ６０ａ 感光部分 ６０ｂ 未感光部分 ６１ 半田粒 ６２ 感光性エポキシ樹脂 ６３ マスク ６３ａ 光透過部 ６３ｂ 光遮蔽部 ６４ 光 ６５ 半田バンプ ６６ 感光されたエポキシ樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハの電極上にバリア層を介し
て半田バンプを形成する半田バンプ形成方法において、 半田粒を加熱によって除去しうるペーストに含有した半
田粒含有ペースト（３７）を、開口（３２）を上記バリ
ア層に一致させて配設したマスク（３１）の上から印刷
して、各バリア層上に半田粒含有ペースト盛り部を形成
する印刷工程（２１）と、 上記半田粒含有ペースト盛り部内の半田粒を溶融すると
共に上記ペーストを除去すべく加熱する加熱工程（２
２）とよりなる構成としたことを特徴とする半田バンプ
形成方法。 - 【請求項２】 半導体ウェハの電極上にバリア層を介し
てハンダバンプを形成する半田バンプ形成方法におい
て、 半田粒を感光性樹脂に含有した半田粒含有感光性樹脂
を、上記バリア層が形成してある半導体ウェハの全面に
塗布して半田粒含有感光性樹脂層（６０）を形成する塗
布工程（５０）と、 上記形成された半田粒含有感光性樹脂層のうち上記バリ
ア層に対向する部分を残すべく、露光、現像する工程
（５１，５２）とよりなる構成としたことを特徴とする
半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133901A JPH05326524A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133901A JPH05326524A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326524A true JPH05326524A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15115752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4133901A Withdrawn JPH05326524A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326524A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359343B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-03-19 | Conexant Systems, Inc. | Temperature stabilization in flip chip technology |
| JP2004296943A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | Ｉｃウエハ及びそれを用いたフリップチップ型ｉｃの製造方法 |
| US8120188B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-02-21 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting structure and method for manufacturing the same |
| US8575751B2 (en) | 2007-03-23 | 2013-11-05 | Panasonic Corporation | Conductive bump, method for producing the same, and electronic component mounted structure |
| DE102022108571A1 (de) | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Ams-Osram International Gmbh | Zusammensetzung, verfahren zum verbinden eines trägers und einer elektronischen komponente und elektronisches bauelement |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4133901A patent/JPH05326524A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359343B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-03-19 | Conexant Systems, Inc. | Temperature stabilization in flip chip technology |
| JP2004296943A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | Ｉｃウエハ及びそれを用いたフリップチップ型ｉｃの製造方法 |
| US8120188B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-02-21 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting structure and method for manufacturing the same |
| US8575751B2 (en) | 2007-03-23 | 2013-11-05 | Panasonic Corporation | Conductive bump, method for producing the same, and electronic component mounted structure |
| DE102022108571A1 (de) | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Ams-Osram International Gmbh | Zusammensetzung, verfahren zum verbinden eines trägers und einer elektronischen komponente und elektronisches bauelement |
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