JPH0531798Y2 - - Google Patents
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- JPH0531798Y2 JPH0531798Y2 JP19997387U JP19997387U JPH0531798Y2 JP H0531798 Y2 JPH0531798 Y2 JP H0531798Y2 JP 19997387 U JP19997387 U JP 19997387U JP 19997387 U JP19997387 U JP 19997387U JP H0531798 Y2 JPH0531798 Y2 JP H0531798Y2
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- arc chamber
- front plate
- ion beam
- ion
- beam extraction
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 17
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は、イオン注入装置等に用いられるイオ
ン源のアークチヤンバに関する。
ン源のアークチヤンバに関する。
考案の構成
半導体では、不純物のドーピングにより特性を
制御することが一般に行われている。不純物のド
ーピング方法としては、熱拡散法、イオン注入法
などが知られているが、不純物量が正確に制御
できること、低温でドーピングが可能なこと、
不純物の深さ方向分布の制御が容易なことなど
の点で、イオン注入法が優れている。
制御することが一般に行われている。不純物のド
ーピング方法としては、熱拡散法、イオン注入法
などが知られているが、不純物量が正確に制御
できること、低温でドーピングが可能なこと、
不純物の深さ方向分布の制御が容易なことなど
の点で、イオン注入法が優れている。
イオン注入法は、リン、ボロンなどのガスイオ
ンを発生せしめ、これを加速して高速で基板に打
ち込む方式であり、イオン源のイオン発生装置と
してアークチヤンバが用いられている。
ンを発生せしめ、これを加速して高速で基板に打
ち込む方式であり、イオン源のイオン発生装置と
してアークチヤンバが用いられている。
第7図は、従来のフリーマン型のイオン源のア
ークチヤンバ近傍を示す断面図である。アークチ
ヤンバ11にはガス導入口35およびイオンビー
ム引出しスリツト15が設けられており、アーク
チヤンバ11内には、これと電気的に絶縁してフ
イラメント51が配置されている。53は絶縁
体、55は電極57は供給電極を示す。アークチ
ヤンバ11は、四角筒状のアークチヤンバ本体1
6とサイドプレート12,12とから構成されて
おり、支持杆61にネジ止めで固定されている。
ークチヤンバ近傍を示す断面図である。アークチ
ヤンバ11にはガス導入口35およびイオンビー
ム引出しスリツト15が設けられており、アーク
チヤンバ11内には、これと電気的に絶縁してフ
イラメント51が配置されている。53は絶縁
体、55は電極57は供給電極を示す。アークチ
ヤンバ11は、四角筒状のアークチヤンバ本体1
6とサイドプレート12,12とから構成されて
おり、支持杆61にネジ止めで固定されている。
ガス供給管63から、アルシン(AsH3)、ホ
スフイン(PH3)、三塩化ホウ素(BCl3)などの
イオン注入用ガスをアークチヤンバ11内に導
き、電極53によりフイラメント51に電圧を印
加すると、アークチヤンバ11内で放電が起こ
り、プラズマが発生する。イオンビーム引出しス
リツト15の前方(図中右側)近傍に設けられた
引出し電極(図示せず)により、イオンビーム引
出しスリツト15からイオンビームが引出され、
加速されてイオン注入が行われる。
スフイン(PH3)、三塩化ホウ素(BCl3)などの
イオン注入用ガスをアークチヤンバ11内に導
き、電極53によりフイラメント51に電圧を印
加すると、アークチヤンバ11内で放電が起こ
り、プラズマが発生する。イオンビーム引出しス
リツト15の前方(図中右側)近傍に設けられた
引出し電極(図示せず)により、イオンビーム引
出しスリツト15からイオンビームが引出され、
加速されてイオン注入が行われる。
イオン注入を続けていくと、スパツタリングに
よりイオンビーム引出しスリツト15の形状が変
化してしまい、初期の設定条件でイオンビームの
引出しが行えなくなる。そこで、イオンビーム引
出しスリツトの形状が変化した場合は、アークチ
ヤンバ11を交換していた。
よりイオンビーム引出しスリツト15の形状が変
化してしまい、初期の設定条件でイオンビームの
引出しが行えなくなる。そこで、イオンビーム引
出しスリツトの形状が変化した場合は、アークチ
ヤンバ11を交換していた。
しかし、アークチヤンバ11は放電時高温に曝
されることから、モリブデンのような高融点材料
を使用しているため高価であり、ランニングコス
トが高くなる。そこで、イオンビーム引出しスリ
ツト15が形成されたフロントプレート部16a
をアークチヤンバ本体16とは別体で形成し、ネ
ジ止めすることが考えられる。しかしながら、ア
ークチヤンバ11が高温に曝されるため、ネジが
焼け付いてしまうことも珍しくなく、フロントプ
レート部16aが交換不能となつたり、非常に交
換に手間取る。
されることから、モリブデンのような高融点材料
を使用しているため高価であり、ランニングコス
トが高くなる。そこで、イオンビーム引出しスリ
ツト15が形成されたフロントプレート部16a
をアークチヤンバ本体16とは別体で形成し、ネ
ジ止めすることが考えられる。しかしながら、ア
ークチヤンバ11が高温に曝されるため、ネジが
焼け付いてしまうことも珍しくなく、フロントプ
レート部16aが交換不能となつたり、非常に交
換に手間取る。
また、イオンを安定に生成し、引出すために
は、アークチヤンバを清浄に保つことが要求され
る。そのため、簡単に分解でき、清掃が容易に行
えるアークチヤンバが望まれていた。イオン注入
においては、アルシン、ホスフインなどの毒性の
高いガスが用いらることからもこの点は重要であ
る。
は、アークチヤンバを清浄に保つことが要求され
る。そのため、簡単に分解でき、清掃が容易に行
えるアークチヤンバが望まれていた。イオン注入
においては、アルシン、ホスフインなどの毒性の
高いガスが用いらることからもこの点は重要であ
る。
なお、以上イオン注入装置を例に挙げて説明し
たが、他のに用いられるイオン源についても、事
情はほぼ同じである。
たが、他のに用いられるイオン源についても、事
情はほぼ同じである。
考案の目的
本考案は、簡単に分解でき、メンテナンスが容
易なアークチヤンバを提供するものである。
易なアークチヤンバを提供するものである。
考案の構成
本考案のイオン源のアークチヤンバは、ガス導
入口およびイオンビーム引出しスリツトが設けら
れ、フイラメントが電気的に絶縁して配置された
イオン源のアークチヤンバにおいて、前方イオン
ビーム引出しスリツトを形成したフロントプレー
トをアークチヤンバ本体と別体とし、該フロント
プレートをアークチヤンバ本体に対して板バネに
より挾圧して固定したことを特徴とする。
入口およびイオンビーム引出しスリツトが設けら
れ、フイラメントが電気的に絶縁して配置された
イオン源のアークチヤンバにおいて、前方イオン
ビーム引出しスリツトを形成したフロントプレー
トをアークチヤンバ本体と別体とし、該フロント
プレートをアークチヤンバ本体に対して板バネに
より挾圧して固定したことを特徴とする。
以下、添付図面に沿つて本考案をさらに詳細に
説明する。
説明する。
第1図は、本考案のアークチヤンバの実施例を
示す分解斜視図であり、第2図はその線A−Aに
沿つた組立体の断面図、第3図は線B−Bに沿つ
た同様の断面図である。
示す分解斜視図であり、第2図はその線A−Aに
沿つた組立体の断面図、第3図は線B−Bに沿つ
た同様の断面図である。
アークチヤンバ11は、アークチヤンバ本体2
1、フロントプレート13およびバツクプレート
31から構成されている。フロントプレート13
およびバツクプレート31は、その内面側にそれ
ぞれ嵌口用凸部19,35が設けられている。ま
た、フロントプレート13の長手方向の対向辺の
縁部にはそれぞれ挾圧用切込部17,17が設け
られている。この挾圧用切込部17,17は、イ
オンビーム引出しスリツト15から極力離して隅
部に設けることが望ましい。これはイオンビーム
の引出し特性に悪影響を与えないためである。バ
ツクプレート31にも、フロントプレート13の
それと対応する位置に、挾圧用切込部37,37
が設けられている。
1、フロントプレート13およびバツクプレート
31から構成されている。フロントプレート13
およびバツクプレート31は、その内面側にそれ
ぞれ嵌口用凸部19,35が設けられている。ま
た、フロントプレート13の長手方向の対向辺の
縁部にはそれぞれ挾圧用切込部17,17が設け
られている。この挾圧用切込部17,17は、イ
オンビーム引出しスリツト15から極力離して隅
部に設けることが望ましい。これはイオンビーム
の引出し特性に悪影響を与えないためである。バ
ツクプレート31にも、フロントプレート13の
それと対応する位置に、挾圧用切込部37,37
が設けられている。
第2図および第3図に示したように、アークチ
ヤンバ本体21、フロントプレート13およびバ
ツクプレート31を組み立て、挾圧用切込部1
7,17,37,37を利用して、板バネ41,
43により、フロントプレート13とバツクプレ
ート31を挾み込むことにより、本体21、フロ
ントプレート13およびバツクプレート31が一
体となつて、アークチヤンバ11が構成される。
第7図にも示したように、イオン注入装置におい
ては、横方向あるいは前方を下方に傾けて使用さ
れることが多いが、このような場合に、3者をし
つかりと挾圧、保持することができる。板バネ4
1,43は、タングステンなどを用いることがで
きる。
ヤンバ本体21、フロントプレート13およびバ
ツクプレート31を組み立て、挾圧用切込部1
7,17,37,37を利用して、板バネ41,
43により、フロントプレート13とバツクプレ
ート31を挾み込むことにより、本体21、フロ
ントプレート13およびバツクプレート31が一
体となつて、アークチヤンバ11が構成される。
第7図にも示したように、イオン注入装置におい
ては、横方向あるいは前方を下方に傾けて使用さ
れることが多いが、このような場合に、3者をし
つかりと挾圧、保持することができる。板バネ4
1,43は、タングステンなどを用いることがで
きる。
第4図にも示すように、挾圧用切込部17は、
前方向(図中右側方向)を深く切り込むようにす
ることにより(αが正の角度となる)、板バネ4
3による挾持をよりいつそう確実にすることがで
きる。挾圧用切込部37の場合にも同様である。
また、フロントプレート13のイオンビーム引出
しスリツト15の先端部13aよりも、板バネ4
3の先端部43aが引つ込むようにすることが望
ましい。これは、図示していないが、イオンビー
ム引出しスリツト15の前方近傍には電圧が印加
された引出し電極が設けられているので、これと
の間の異常放電等の悪影響を防止するためであ
る。第1図中、35はガス導入口、39,39は
アークチヤンバ11を支持杆51(第7図参照)
に取付けるためのネジ穴である。
前方向(図中右側方向)を深く切り込むようにす
ることにより(αが正の角度となる)、板バネ4
3による挾持をよりいつそう確実にすることがで
きる。挾圧用切込部37の場合にも同様である。
また、フロントプレート13のイオンビーム引出
しスリツト15の先端部13aよりも、板バネ4
3の先端部43aが引つ込むようにすることが望
ましい。これは、図示していないが、イオンビー
ム引出しスリツト15の前方近傍には電圧が印加
された引出し電極が設けられているので、これと
の間の異常放電等の悪影響を防止するためであ
る。第1図中、35はガス導入口、39,39は
アークチヤンバ11を支持杆51(第7図参照)
に取付けるためのネジ穴である。
第5図はフロントプレート13の変形例を示す
斜視図であり、第6図はこれを用いたアークチヤ
ンバの断面図である。このように、イオンビーム
の引出しに悪影響がない範囲で、挾圧用切込部1
8,18,38,38をアークチヤンバの中央部
の縁部に設けることもできる。
斜視図であり、第6図はこれを用いたアークチヤ
ンバの断面図である。このように、イオンビーム
の引出しに悪影響がない範囲で、挾圧用切込部1
8,18,38,38をアークチヤンバの中央部
の縁部に設けることもできる。
考案の効果
本考案によれば、アークチヤンバの清掃あるい
はフロントプレートの交換に際しては、板バネを
取り外すだけで簡単に分解できるので、交換およ
び清掃が極めて容易であり、ランニングコストを
下げ、簡単なメンテナンスでイオンビームを引出
すことができる。
はフロントプレートの交換に際しては、板バネを
取り外すだけで簡単に分解できるので、交換およ
び清掃が極めて容易であり、ランニングコストを
下げ、簡単なメンテナンスでイオンビームを引出
すことができる。
第1図は、本考案のアークチヤンバの実施例を
示す分解斜視図である。第2図は第1図の線A−
Aに沿つた組立断面図、第3図は同様に線B−B
に沿つた断面図である。第4図は、挾圧用切込近
傍を示す拡大説明図である。第5図は、フロント
プレートの他の構成例を示す斜視図、第6図はそ
れを用いたアークチヤンバの断面図である。第7
図は、従来のアークチヤンバを示す断面図であ
る。 11……アークチヤンバ、13……フロントプ
レート、15……イオンビーム引出しスリツト、
17……挾圧用切込部、19……嵌合凸部、21
……アークチヤンバ本体、23……電極用穴、3
1……バツクプレート、33……嵌合凸部、35
……ガス導入口、37……挾圧用切込部、41,
43……板バネ、51……フイラメント、55…
…電極、61……支持杆、63……ガス導入管。
示す分解斜視図である。第2図は第1図の線A−
Aに沿つた組立断面図、第3図は同様に線B−B
に沿つた断面図である。第4図は、挾圧用切込近
傍を示す拡大説明図である。第5図は、フロント
プレートの他の構成例を示す斜視図、第6図はそ
れを用いたアークチヤンバの断面図である。第7
図は、従来のアークチヤンバを示す断面図であ
る。 11……アークチヤンバ、13……フロントプ
レート、15……イオンビーム引出しスリツト、
17……挾圧用切込部、19……嵌合凸部、21
……アークチヤンバ本体、23……電極用穴、3
1……バツクプレート、33……嵌合凸部、35
……ガス導入口、37……挾圧用切込部、41,
43……板バネ、51……フイラメント、55…
…電極、61……支持杆、63……ガス導入管。
Claims (1)
- ガス導入口およびイオンビーム引出しスリツト
が設けられ、フイラメントが電気的に絶縁して配
置されたイオン源のアークチヤンバにおいて、前
記イオンビーム引出しスリツトを形成したフロン
トプレートをアークチヤンバ本体と別体とし、該
フロントプレートをアークチヤンバ本体に対して
板バネにより挾圧して固定したことを特徴とする
アークチヤンバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19997387U JPH0531798Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19997387U JPH0531798Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01103248U JPH01103248U (ja) | 1989-07-12 |
JPH0531798Y2 true JPH0531798Y2 (ja) | 1993-08-16 |
Family
ID=31490402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19997387U Expired - Lifetime JPH0531798Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0531798Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2791911B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1998-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン源 |
JP3399608B2 (ja) * | 1993-11-26 | 2003-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
US10347457B1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-07-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dynamic temperature control of an ion source |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP19997387U patent/JPH0531798Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01103248U (ja) | 1989-07-12 |
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