JPH05315694A - 光増幅回路 - Google Patents
光増幅回路Info
- Publication number
- JPH05315694A JPH05315694A JP14362492A JP14362492A JPH05315694A JP H05315694 A JPH05315694 A JP H05315694A JP 14362492 A JP14362492 A JP 14362492A JP 14362492 A JP14362492 A JP 14362492A JP H05315694 A JPH05315694 A JP H05315694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical amplifier
- power
- semiconductor optical
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体光アンプで増幅される出力光のパワー
を安定させる。 【構成】 半導体光アンプの出射光Ａの一部を分岐して
モニタし、そのパワーが一定になるようにフィードバッ
ク回路４により半導体光アンプ１に流す電流を制御す
る。
を安定させる。 【構成】 半導体光アンプの出射光Ａの一部を分岐して
モニタし、そのパワーが一定になるようにフィードバッ
ク回路４により半導体光アンプ１に流す電流を制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の光増幅回路は半導体光ア
ンプの増幅率を一定にするのに適用されるものである。
ンプの増幅率を一定にするのに適用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体光アンプは偏波依存性があ
るため、ＴＥ波とＴＭ波のように偏波状態の異なる光で
は増幅率が異なるという性質がある。
るため、ＴＥ波とＴＭ波のように偏波状態の異なる光で
は増幅率が異なるという性質がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、半導体光アン
プは入射する入射光のパワーが一定でも偏波状態が変化
すれば増幅率が変わり、出射光のパワーが変動するとい
う問題があった。
プは入射する入射光のパワーが一定でも偏波状態が変化
すれば増幅率が変わり、出射光のパワーが変動するとい
う問題があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は偏波状態が変化しても出
射光のパワーが安定する光増幅回路を提供することにあ
る。
射光のパワーが安定する光増幅回路を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光増幅回路は図
１〜図３のように、半導体光アンプ１の出射側に分岐部
２を設け、その分岐部２において同半導体光アンプ１か
らの出射光Ａの１部を分岐して受光素子３で検出し、フ
ィードバック回路４において出射光Ａのパワーをモニタ
ーして、そのパワーが一定となるように半導体光アンプ
１への電流供給を制御するものである。
１〜図３のように、半導体光アンプ１の出射側に分岐部
２を設け、その分岐部２において同半導体光アンプ１か
らの出射光Ａの１部を分岐して受光素子３で検出し、フ
ィードバック回路４において出射光Ａのパワーをモニタ
ーして、そのパワーが一定となるように半導体光アンプ
１への電流供給を制御するものである。
【０００６】
【作用】本発明の光増幅回路では図１〜図３のように半
導体光アンプ１の出射光Ａの一部を取り出して、フィー
ドバック回路４においてその取り出した出力パワーが一
定になるように半導体光アンプ１に流す電流を制御する
ので、同半導体光アンプ１の出力パワーが一定になる。
導体光アンプ１の出射光Ａの一部を取り出して、フィー
ドバック回路４においてその取り出した出力パワーが一
定になるように半導体光アンプ１に流す電流を制御する
ので、同半導体光アンプ１の出力パワーが一定になる。
【０００７】
【実施例１】本発明の光増幅回路の第１の実施例を図１
に示す。図１において１は半導体光アンプであり、これ
には既存のものや本発明用に改良したもの等が使用され
る。２は半導体光アンプ１の出射側に設けられた出射側
の分岐部である。３は分岐部２から分岐された出射光Ａ
を電気信号に変換して出力する出射側のフォトダイオー
ド、４はフォトダイオード３の出力が一定になるよう
に、前記半導体光アンプ１に流す電流を制御するフィー
ドバック回路である。これらの分岐部２、フォトダイオ
ード３は、モノリシックに半導体光アンプ１と共に一つ
の基板５に集積化されている。
に示す。図１において１は半導体光アンプであり、これ
には既存のものや本発明用に改良したもの等が使用され
る。２は半導体光アンプ１の出射側に設けられた出射側
の分岐部である。３は分岐部２から分岐された出射光Ａ
を電気信号に変換して出力する出射側のフォトダイオー
ド、４はフォトダイオード３の出力が一定になるよう
に、前記半導体光アンプ１に流す電流を制御するフィー
ドバック回路である。これらの分岐部２、フォトダイオ
ード３は、モノリシックに半導体光アンプ１と共に一つ
の基板５に集積化されている。
【０００８】図１の実施例に使用された半導体光アンプ
１は入射側の導波路６から入射した入射光Ｂを同半導体
光アンプ１にて増幅して、出射側の導波路７に出射する
ものである。また、出射側の分岐部２にはＹ分岐導波路
が使用されており、それらは出射光Ａの一部を取出して
前記フォトダイオード３に伝送するものである。
１は入射側の導波路６から入射した入射光Ｂを同半導体
光アンプ１にて増幅して、出射側の導波路７に出射する
ものである。また、出射側の分岐部２にはＹ分岐導波路
が使用されており、それらは出射光Ａの一部を取出して
前記フォトダイオード３に伝送するものである。
【０００９】
【実施例２】本発明の光増幅回路の第２の実施例は、図
２に示すように前記分岐部２を半導体光アンプ１と共に
一つの基板５に集積化し、出射側のフォトダイオード３
を同基板５の外に設けたものである。この実施例に使用
された半導体光アンプ１は実施例１に使用されたものと
同様のものである。また、出射側の分岐部２にはＹ分岐
導波路が使用されており、同Ｙ分岐導波路により取出さ
れた出射光Ａの一部が出射側の導波路７を通ってフォト
ダイオード３に伝送されるようにしてある。
２に示すように前記分岐部２を半導体光アンプ１と共に
一つの基板５に集積化し、出射側のフォトダイオード３
を同基板５の外に設けたものである。この実施例に使用
された半導体光アンプ１は実施例１に使用されたものと
同様のものである。また、出射側の分岐部２にはＹ分岐
導波路が使用されており、同Ｙ分岐導波路により取出さ
れた出射光Ａの一部が出射側の導波路７を通ってフォト
ダイオード３に伝送されるようにしてある。
【００１０】
【実施例３】本発明の光増幅回路の第３の実施例は、図
３に示すように前記分岐部２にファイバ型カップラーを
用い、そのファイバ型カップラーに半導体光アンプ１、
出射側のフォトダイオード３を接続して、半導体光アン
プ１の出射光Ａの一部が同ファイバ型カップラーにより
取出されて、フォトダイオード３に伝送されるようにし
てある。
３に示すように前記分岐部２にファイバ型カップラーを
用い、そのファイバ型カップラーに半導体光アンプ１、
出射側のフォトダイオード３を接続して、半導体光アン
プ１の出射光Ａの一部が同ファイバ型カップラーにより
取出されて、フォトダイオード３に伝送されるようにし
てある。
【００１１】本発明の光増幅回路に使用される光部品に
は、前記のもの以外のものを使用してもよく、例えば前
記出射側の分岐部２には図４に示すような方向性結合器
型導波路９を使用してもよい。
は、前記のもの以外のものを使用してもよく、例えば前
記出射側の分岐部２には図４に示すような方向性結合器
型導波路９を使用してもよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明の光増幅回路では半導体光アンプ
１の出射光Ａの出力が一定になるように自動的に制御さ
れるので、半導体光アンプ１に入射される入射光Ｂの偏
波状態が変化しても出射光Ａのパワーが安定する。
１の出射光Ａの出力が一定になるように自動的に制御さ
れるので、半導体光アンプ１に入射される入射光Ｂの偏
波状態が変化しても出射光Ａのパワーが安定する。
【図１】本発明の光増幅回路の第１の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】本発明の光増幅回路の第２の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】本発明の光増幅回路の第３の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】分岐部に使用される方向性結合器型導波路の説
明図である。
明図である。
１ 半導体光アンプ ２ 分岐部 ３ 受光素子 ４ フィードバック回路 Ａ 出射光
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体光アンプ１の出射側に分岐部２を
設け、その分岐部２において同半導体光アンプ１からの
出射光Ａの１部を分岐して受光素子３で検出し、フィー
ドバック回路４において出射光Ａのパワーをモニターし
て、そのパワーが一定となるように半導体光アンプ１へ
の電流供給を制御することを特徴とする光増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362492A JPH05315694A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362492A JPH05315694A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315694A true JPH05315694A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15343085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14362492A Pending JPH05315694A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774486A (en) * | 1996-04-30 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Waveguide power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP14362492A patent/JPH05315694A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774486A (en) * | 1996-04-30 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Waveguide power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers |
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