JPH05313221A - 強誘電体結晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子 - Google Patents
強誘電体結晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子Info
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- JPH05313221A JPH05313221A JP14475892A JP14475892A JPH05313221A JP H05313221 A JPH05313221 A JP H05313221A JP 14475892 A JP14475892 A JP 14475892A JP 14475892 A JP14475892 A JP 14475892A JP H05313221 A JPH05313221 A JP H05313221A
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- crystal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザデポジション法を用いて任意の形状の
強誘電体結晶に煩雑なプロセスを用いずに容易に、精度
よく、高分解能の分極反転構造を形成できる強誘電体結
晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子を提供す
る。 【構成】 強誘電体結晶上にドーピング元素を含む反応
性ガスを用い、レーザデポジション法により前記ドーピ
ング元素の薄膜を形成し、これを所定温度で所定時間熱
処理を施して前記強誘電体結晶上に部分的分極反転構造
を形成する。
強誘電体結晶に煩雑なプロセスを用いずに容易に、精度
よく、高分解能の分極反転構造を形成できる強誘電体結
晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子を提供す
る。 【構成】 強誘電体結晶上にドーピング元素を含む反応
性ガスを用い、レーザデポジション法により前記ドーピ
ング元素の薄膜を形成し、これを所定温度で所定時間熱
処理を施して前記強誘電体結晶上に部分的分極反転構造
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は部分的分極反転構造を有
する強誘電体結晶素子およびそれを用いた第二高調波発
生素子（ＳＨＧ素子）に関する。
する強誘電体結晶素子およびそれを用いた第二高調波発
生素子（ＳＨＧ素子）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、周期的分極反転強誘電体結晶素子
およびこれを用いた疑似位相整合により第二高調波発生
などの非線形な相互作用に関してその効率を改善する多
くの方法が報告されている。それらの方法のうちで、例
えば、第二高調波出力がコヒーレンス長（非線形分極波
と光波との間の可干渉距離）ごとに極大極小を繰り返す
ことに着目して分極波の符号を交互に反転して、すなわ
ち見かけの位相整合（疑似位相整合）をとり、第二高調
波出力（ＳＨＧ）を増加させる方法、すなわち周期的分
極反転構造によるＳＨＧ増強の方法がある。これは例え
ば、伊藤，光学，19, 373 (1990)、栗村他，第３８回春
季応物連合講演会, 28a-SF-4 (1990) 、山本他，同上,
28a-SF-11 (1990)、竹重他，同上, 28a-SF-12 (1990)に
示されている。
およびこれを用いた疑似位相整合により第二高調波発生
などの非線形な相互作用に関してその効率を改善する多
くの方法が報告されている。それらの方法のうちで、例
えば、第二高調波出力がコヒーレンス長（非線形分極波
と光波との間の可干渉距離）ごとに極大極小を繰り返す
ことに着目して分極波の符号を交互に反転して、すなわ
ち見かけの位相整合（疑似位相整合）をとり、第二高調
波出力（ＳＨＧ）を増加させる方法、すなわち周期的分
極反転構造によるＳＨＧ増強の方法がある。これは例え
ば、伊藤，光学，19, 373 (1990)、栗村他，第３８回春
季応物連合講演会, 28a-SF-4 (1990) 、山本他，同上,
28a-SF-11 (1990)、竹重他，同上, 28a-SF-12 (1990)に
示されている。
【０００３】特に、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）
やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）などの強誘電体
結晶に分極反転構造を形成する多くの方法が知られてい
る。このような強誘電体結晶では電場と熱（キュリー点
以下）を用いて分極反転を行なうことができるが、その
他光導波路に関連して有効な方法として次のようなもの
がある。 ニオブ酸リチウム結晶にＴｉをドープすることにより
分極を反転させる方法。これは例えば、S. Miyazawa,
J. Appl. Phys., 50, 4599 (1979) に示されている。
また、ニオブ酸リチウム結晶にＳｉＯ2 を堆積し、加
熱処理する方法として、例えば、J. Webjorn et al., C
LEO '89 PD10や藤村他，第３８回春季応物連合講演会，
28a-SF-14 (1990)などが知られており、プロトン交換
によりニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウム結晶
上に分極反転構造を形成する方法として、例えば、K. N
akamura et al., Appl. Phys. Lett., 56, 1535 (199
0) や水内他，第３８回春季応物連合講演会，28a-SF-13
(1990)が知られており、さらにレーザ加熱ペデスタ
ル成長法によりニオブ酸リチウム単結晶ファイバーに周
期的分極反転構造を形成するものとして、例えば、Y.
S. Luh et al., J. Cryst., Growth, 85, 264 (1987)
やR. L. Byer, Laser Focus World, March, 77 (1989)
、M. M. Fejer et al., SPIE 1148 Nonlinear Optical
Properties of Materials, 213 (1989) が知られてい
る。
やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）などの強誘電体
結晶に分極反転構造を形成する多くの方法が知られてい
る。このような強誘電体結晶では電場と熱（キュリー点
以下）を用いて分極反転を行なうことができるが、その
他光導波路に関連して有効な方法として次のようなもの
がある。 ニオブ酸リチウム結晶にＴｉをドープすることにより
分極を反転させる方法。これは例えば、S. Miyazawa,
J. Appl. Phys., 50, 4599 (1979) に示されている。
また、ニオブ酸リチウム結晶にＳｉＯ2 を堆積し、加
熱処理する方法として、例えば、J. Webjorn et al., C
LEO '89 PD10や藤村他，第３８回春季応物連合講演会，
28a-SF-14 (1990)などが知られており、プロトン交換
によりニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウム結晶
上に分極反転構造を形成する方法として、例えば、K. N
akamura et al., Appl. Phys. Lett., 56, 1535 (199
0) や水内他，第３８回春季応物連合講演会，28a-SF-13
(1990)が知られており、さらにレーザ加熱ペデスタ
ル成長法によりニオブ酸リチウム単結晶ファイバーに周
期的分極反転構造を形成するものとして、例えば、Y.
S. Luh et al., J. Cryst., Growth, 85, 264 (1987)
やR. L. Byer, Laser Focus World, March, 77 (1989)
、M. M. Fejer et al., SPIE 1148 Nonlinear Optical
Properties of Materials, 213 (1989) が知られてい
る。
【０００４】さらに、レーザデポジション法に関して、
例えば、オプトロニクスNo. ８乃至No. 11に「半導体製
造プロセスにおける光技術」(1985)やD. J. Ehrlich et
al., J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 969 (1983)に総説
が示してある。また、周期的分極反転構造を用いたＳＨ
Ｇ素子に関して、例えば、上記R. L.Byer及びM. M. Fej
er et al.の他に伊藤，光学，19, 373 (1990)や、栗村
他，第３８回春季応物連合講演会，28a-SF-4 (1990) 、
山本他，同上，28a-SF-11 (1990)、竹重他，同上，28a-
SF-12 (1990)などが知られている。
例えば、オプトロニクスNo. ８乃至No. 11に「半導体製
造プロセスにおける光技術」(1985)やD. J. Ehrlich et
al., J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 969 (1983)に総説
が示してある。また、周期的分極反転構造を用いたＳＨ
Ｇ素子に関して、例えば、上記R. L.Byer及びM. M. Fej
er et al.の他に伊藤，光学，19, 373 (1990)や、栗村
他，第３８回春季応物連合講演会，28a-SF-4 (1990) 、
山本他，同上，28a-SF-11 (1990)、竹重他，同上，28a-
SF-12 (1990)などが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上に
示した従来の非線形素子の改良に関する従来の方法には
次のような問題点がある。 上記電場を印加する方法では電極を設ける必要があ
り、その場合μｍオーダの部分に多数の分極反転領域を
形成することが非常に難しく、さらにその後不要な電極
を除去しなければならず、困難であり煩雑である。 例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）にＴｉを
ドープする方法の場合、Ｔｉ薄膜をリフトオフ法などの
リソグラフィー的手法により形成するため結晶が平板形
に限られ、光ファイバーや三次元的広がりを有する結晶
には適用できない。 レーザ加熱ペデスタル成長法により単結晶ファイバー
に周期的分極反転構造を形成する場合、周期パターンの
精度が（加熱法のため）出にくく、ファイバー径５０μ
ｍ（以上）、周期２μｍ（以上）が限界とされている。
さらに、この方法はファイバー以外への適用が困難とい
う問題点がある。 ニオブ酸リチウム（ＬＮ）やタンタル酸リチウム（Ｌ
Ｔ）をプロトン交換法で分極反転する場合も使用するマ
スク（金属マスクが多い）はリソグラフィー的手法によ
り作製されることから、ファイバーなどに対する適用は
困難である。さらに、 リソグラフィー的手法は、例えばＴｉのリフトオフを
例にとっても、レジスト塗布→露光→現像→Ｔｉデポジ
ション→剥離のプロセスには煩雑なプロセスが必要とい
う問題点がある。
示した従来の非線形素子の改良に関する従来の方法には
次のような問題点がある。 上記電場を印加する方法では電極を設ける必要があ
り、その場合μｍオーダの部分に多数の分極反転領域を
形成することが非常に難しく、さらにその後不要な電極
を除去しなければならず、困難であり煩雑である。 例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）にＴｉを
ドープする方法の場合、Ｔｉ薄膜をリフトオフ法などの
リソグラフィー的手法により形成するため結晶が平板形
に限られ、光ファイバーや三次元的広がりを有する結晶
には適用できない。 レーザ加熱ペデスタル成長法により単結晶ファイバー
に周期的分極反転構造を形成する場合、周期パターンの
精度が（加熱法のため）出にくく、ファイバー径５０μ
ｍ（以上）、周期２μｍ（以上）が限界とされている。
さらに、この方法はファイバー以外への適用が困難とい
う問題点がある。 ニオブ酸リチウム（ＬＮ）やタンタル酸リチウム（Ｌ
Ｔ）をプロトン交換法で分極反転する場合も使用するマ
スク（金属マスクが多い）はリソグラフィー的手法によ
り作製されることから、ファイバーなどに対する適用は
困難である。さらに、 リソグラフィー的手法は、例えばＴｉのリフトオフを
例にとっても、レジスト塗布→露光→現像→Ｔｉデポジ
ション→剥離のプロセスには煩雑なプロセスが必要とい
う問題点がある。
【０００６】以上に示した従来の方法の問題点に鑑み、
本発明は、レーザデポジション法を用いることにより任
意の形状の結晶に煩雑なプロセスを用いずに、容易に精
度よく高分解能の分極反転構造を形成できる強誘電体結
晶素子を提供することを目的とする。
本発明は、レーザデポジション法を用いることにより任
意の形状の結晶に煩雑なプロセスを用いずに、容易に精
度よく高分解能の分極反転構造を形成できる強誘電体結
晶素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による強誘電体結晶素子は、強誘電体結晶上
にドーピング元素を含む反応性ガスを用い、レーザデポ
ジジョン法により前記ドーピング元素の薄膜を形成し、
この薄膜を含む強誘電体結晶に対して所定温度で所定時
間熱処理を施して当該強誘電体結晶上に部分的分極反転
構造を形成したものである。
に、本発明による強誘電体結晶素子は、強誘電体結晶上
にドーピング元素を含む反応性ガスを用い、レーザデポ
ジジョン法により前記ドーピング元素の薄膜を形成し、
この薄膜を含む強誘電体結晶に対して所定温度で所定時
間熱処理を施して当該強誘電体結晶上に部分的分極反転
構造を形成したものである。
【０００８】さらに、本発明による強誘電体結晶素子
は、導波路構造を有し、この導波路構造がファイバー型
または平面型をなすものである。
は、導波路構造を有し、この導波路構造がファイバー型
または平面型をなすものである。
【０００９】さらに、本発明による強誘電体結晶素子
は、前記強誘電体結晶がニオブ酸リチウム（ＬＮ）とし
て与えられるものである。また、タンタル酸リチウム
（ＬＴ）として与えられるものである。
は、前記強誘電体結晶がニオブ酸リチウム（ＬＮ）とし
て与えられるものである。また、タンタル酸リチウム
（ＬＴ）として与えられるものである。
【００１０】さらに、本発明による第二高調波発生素子
は上記の部分的分極反転構造を有する導波路型強誘電体
結晶を用いたものである。
は上記の部分的分極反転構造を有する導波路型強誘電体
結晶を用いたものである。
【００１１】
【作用】上記のように構成された本発明による強誘電体
結晶素子においては、レーザデポジション法を用いるこ
とにより煩雑なプロセスを必要とせずに任意の形状の強
誘電体結晶上に容易にかつ高精度、高分解能（回折限界
以下まで可能）に分極反転構造を形成することができ
る。
結晶素子においては、レーザデポジション法を用いるこ
とにより煩雑なプロセスを必要とせずに任意の形状の強
誘電体結晶上に容易にかつ高精度、高分解能（回折限界
以下まで可能）に分極反転構造を形成することができ
る。
【００１２】さらに、本発明による強誘電体結晶素子は
ファイバー型導波路の形成に特に好適である。
ファイバー型導波路の形成に特に好適である。
【００１３】さらに、本発明による強誘電体結晶素子に
おいては、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）の場合、従来Ｔｉ
ドーピングが困難であったファイバー型にまでＴｉドー
プ分極反転を拡張することができる。また、タンタル酸
リチウム（ＬＴ）の場合、適切なマスクをデポジション
により形成することにより高分解、高精度、高品質の周
期的分極反転を比較的容易に実現することができる。
おいては、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）の場合、従来Ｔｉ
ドーピングが困難であったファイバー型にまでＴｉドー
プ分極反転を拡張することができる。また、タンタル酸
リチウム（ＬＴ）の場合、適切なマスクをデポジション
により形成することにより高分解、高精度、高品質の周
期的分極反転を比較的容易に実現することができる。
【００１４】さらに、本発明による強誘電体結晶素子の
周期的分極反転構造を用いることにより疑似位相整合
（ＱＰＭ：Quasi Phase Matching）による第二高調波発
生素子（ＳＨＧ素子）を形成することができる。
周期的分極反転構造を用いることにより疑似位相整合
（ＱＰＭ：Quasi Phase Matching）による第二高調波発
生素子（ＳＨＧ素子）を形成することができる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明による周期的分極反転強誘電体
結晶素子の実施例について説明する。 実施例１ 図１は本発明が用いるレーザデポジション法を実施する
装置を示す概略断面図である。図において、１はレーザ
デポジションのためのレーザ装置で、本実施例の場合は
２４８ｎｍ、最大パルスエネルギー１００ｍＪ（５Ｈ
ｚ）のＫｒＦエキサイマーレーザ、２はこのエキサイマ
ーレーザ１からのレーザ光を後述の試料に照射する顕微
鏡、３はその対物レンズ、４は反応室、５はこの反応室
にドーピング元素を含有する反応性ガスを導入するガス
導入口、６は前記反応室４を図示しないポンプにより真
空にする真空排気口、７は本発明による強誘電体結晶を
形成するための単結晶ファイバー、８はこの単結晶ファ
イバー７上に本発明により形成された堆積Ｔｉ、９は前
記単結晶ファイバー７を移動させる精密Ｘステージであ
る。上記のように構成されたレーザデポジション装置に
おいて、１０μｍφＬＮ単結晶ファイバー７を反応室４
中の回転自在精密Ｘステージ９に固定する。次に、Ｋｒ
Ｆエキサイマーレーザ１からのレーザ光を紫外顕微鏡２
の対物レンズ３を介してＬＮ単結晶ファイバー７に照射
した。このときのＬＮ単結晶ファイバー７上でのレーザ
光のスポット径は約６μｍであった。ドーピング元素Ｔ
ｉを与える反応性ガスとしてはＴｉＣｌ4 （０．３Ｔｏ
ｒｒ）を用い、ＬＮ単結晶ファイバー７の＋Ｃ軸を上向
き（レーザ光側）にし、３ｎＪ／パルスエネルギーのレ
ーザ光を２００パルス照射し、その後１２μｍだけ精密
Ｘステージ９を移動させ、再度レーザ光を２００パルス
照射し、これを反復する。この結果、１２μｍ間隔で６
μｍ幅の＋Ｃ方向Ｔｉ堆積ＬＮファイバー７が得られ
た。このＬＮファイバー７を１０５０℃で５時間熱処理
することにより１２μｍの周期を有する分極反転が形成
されたＬＮファイバー７が得られた。
結晶素子の実施例について説明する。 実施例１ 図１は本発明が用いるレーザデポジション法を実施する
装置を示す概略断面図である。図において、１はレーザ
デポジションのためのレーザ装置で、本実施例の場合は
２４８ｎｍ、最大パルスエネルギー１００ｍＪ（５Ｈ
ｚ）のＫｒＦエキサイマーレーザ、２はこのエキサイマ
ーレーザ１からのレーザ光を後述の試料に照射する顕微
鏡、３はその対物レンズ、４は反応室、５はこの反応室
にドーピング元素を含有する反応性ガスを導入するガス
導入口、６は前記反応室４を図示しないポンプにより真
空にする真空排気口、７は本発明による強誘電体結晶を
形成するための単結晶ファイバー、８はこの単結晶ファ
イバー７上に本発明により形成された堆積Ｔｉ、９は前
記単結晶ファイバー７を移動させる精密Ｘステージであ
る。上記のように構成されたレーザデポジション装置に
おいて、１０μｍφＬＮ単結晶ファイバー７を反応室４
中の回転自在精密Ｘステージ９に固定する。次に、Ｋｒ
Ｆエキサイマーレーザ１からのレーザ光を紫外顕微鏡２
の対物レンズ３を介してＬＮ単結晶ファイバー７に照射
した。このときのＬＮ単結晶ファイバー７上でのレーザ
光のスポット径は約６μｍであった。ドーピング元素Ｔ
ｉを与える反応性ガスとしてはＴｉＣｌ4 （０．３Ｔｏ
ｒｒ）を用い、ＬＮ単結晶ファイバー７の＋Ｃ軸を上向
き（レーザ光側）にし、３ｎＪ／パルスエネルギーのレ
ーザ光を２００パルス照射し、その後１２μｍだけ精密
Ｘステージ９を移動させ、再度レーザ光を２００パルス
照射し、これを反復する。この結果、１２μｍ間隔で６
μｍ幅の＋Ｃ方向Ｔｉ堆積ＬＮファイバー７が得られ
た。このＬＮファイバー７を１０５０℃で５時間熱処理
することにより１２μｍの周期を有する分極反転が形成
されたＬＮファイバー７が得られた。
【００１６】実施例２ 実施例１と同じ装置において、Ｚ−カット５００μｍ厚
のＬＴ基板１０を反応室４に設定し、反応性ガスとして
ＴａＣｌ5 を、レーザ光源としてＸｅＣｌエキサイマー
レーザ１１あるいは３６６ｎｍ水銀ＬＴを用い照射光強
度と照射時間、ＬＴ基板１０の移動速度を調節して幅３
μｍ、ピッチ６μｍ、厚さ２００ÅのＴａ薄膜１２が得
られた。さらに、このＴａ薄膜１２をマスクとしてピロ
リン酸中で２６０℃，１５分間プロトン交換した後、５
９０℃，１時間の熱処理を施すことにより周期的分極反
転パターンのＬＴ平面結晶が得られた。
のＬＴ基板１０を反応室４に設定し、反応性ガスとして
ＴａＣｌ5 を、レーザ光源としてＸｅＣｌエキサイマー
レーザ１１あるいは３６６ｎｍ水銀ＬＴを用い照射光強
度と照射時間、ＬＴ基板１０の移動速度を調節して幅３
μｍ、ピッチ６μｍ、厚さ２００ÅのＴａ薄膜１２が得
られた。さらに、このＴａ薄膜１２をマスクとしてピロ
リン酸中で２６０℃，１５分間プロトン交換した後、５
９０℃，１時間の熱処理を施すことにより周期的分極反
転パターンのＬＴ平面結晶が得られた。
【００１７】実施例３ 実施例１で得られたＬＮファイバー７（１０ｎｍ長）に
１．３２μｍのレーザ光を入射させるとその出力端で
０．６６μｍの赤色レーザ光が観察された。さらに、実
施例２で得られたＬＴ平面結晶にさらにプロトン交換法
により導波路を形成し、プリズムカップラーを通して
０．８４μｍのレーザ光を入射させると、その端面から
０．４２μｍの青色レーザ光が得られた。
１．３２μｍのレーザ光を入射させるとその出力端で
０．６６μｍの赤色レーザ光が観察された。さらに、実
施例２で得られたＬＴ平面結晶にさらにプロトン交換法
により導波路を形成し、プリズムカップラーを通して
０．８４μｍのレーザ光を入射させると、その端面から
０．４２μｍの青色レーザ光が得られた。
【００１８】
【発明の効果】以上示したように、本発明によれば、レ
ーザデポジション法を用いて強誘電体結晶にドーピング
元素の薄膜を堆積させて熱処理を施すことにより、任意
形状の強誘電体結晶に煩雑なプロセスを必要とせずに分
極反転構造を容易に、精度よく、かつ高分解能（回折限
界以下まで可能）で形成できる効果があり、またファイ
バー型導波路の形成に好適に用いることができる効果が
ある。また、強誘電体結晶としてニオブ酸リチウム（Ｌ
Ｎ）を用いることにより、従来Ｔｉドーピングが困難で
あったファイバー型にまでＴｉドープ分極反転を拡張で
き、また、タンタル酸リチウム（ＬＴ）を用い適切なマ
スクをデポジションとすることにより、高分解能、高精
度、高品質の周期的分極反転を比較的容易に実現できる
効果がある。さらに、本発明による周期的分極反転構造
を用い疑似位相整合を利用することにより、容易かつ安
定に第二高調波発生（ＳＨＧ）素子を得ることができる
効果がある。
ーザデポジション法を用いて強誘電体結晶にドーピング
元素の薄膜を堆積させて熱処理を施すことにより、任意
形状の強誘電体結晶に煩雑なプロセスを必要とせずに分
極反転構造を容易に、精度よく、かつ高分解能（回折限
界以下まで可能）で形成できる効果があり、またファイ
バー型導波路の形成に好適に用いることができる効果が
ある。また、強誘電体結晶としてニオブ酸リチウム（Ｌ
Ｎ）を用いることにより、従来Ｔｉドーピングが困難で
あったファイバー型にまでＴｉドープ分極反転を拡張で
き、また、タンタル酸リチウム（ＬＴ）を用い適切なマ
スクをデポジションとすることにより、高分解能、高精
度、高品質の周期的分極反転を比較的容易に実現できる
効果がある。さらに、本発明による周期的分極反転構造
を用い疑似位相整合を利用することにより、容易かつ安
定に第二高調波発生（ＳＨＧ）素子を得ることができる
効果がある。
【図１】本発明において用いられるレーザデポジション
法を実施する装置を示す概略断面図である。
法を実施する装置を示す概略断面図である。
１，１１ レーザ ２ 顕微鏡 ３ 対物レンズ ４ 反応室 ５ ガス導入口 ６ 真空排気口 ７ 単結晶ファイバー ８ 堆積Ｔｉ ９ 精密Ｘステージ １０ ＬＴ基板 １２ Ｔａ薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】 強誘電体結晶上にドーピング元素を含む
反応性ガスを用い、レーザデポジション法により前記ド
ーピング元素の薄膜を形成し、この薄膜を形成された強
誘電体結晶に対して所定温度で所定時間熱処理を施して
前記強誘電体結晶上に部分的分極反転構造を形成したこ
とを特徴とする強誘電体結晶素子。 - 【請求項２】 強誘電体結晶素子が導波路構造を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の強誘電体結晶素子。 - 【請求項３】 導波路がファイバー型または平面型であ
ることを特徴とする請求項１記載の強誘電体結晶素子。 - 【請求項４】 前記強誘電体結晶素子はニオブ酸リチウ
ムまたはタンタル酸リチウムであることを特徴とする請
求項１記載の強誘電体結晶素子。 - 【請求項５】 請求項１，２記載の部分的反転構造を有
する導波路型の強誘電体結晶素子を用いた第二高調波発
生素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475892A JPH05313221A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 強誘電体結晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475892A JPH05313221A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 強誘電体結晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313221A true JPH05313221A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15369717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14475892A Pending JPH05313221A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 強誘電体結晶素子及びそれを用いた第二高調波発生素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313221A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491431B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-02-17 | Nanogram Corporation | Dense coating formation by reactive deposition |
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
| US9163308B2 (en) | 2000-10-17 | 2015-10-20 | Nanogram Corporation | Apparatus for coating formation by light reactive deposition |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP14475892A patent/JPH05313221A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
| US9163308B2 (en) | 2000-10-17 | 2015-10-20 | Nanogram Corporation | Apparatus for coating formation by light reactive deposition |
| US7491431B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-02-17 | Nanogram Corporation | Dense coating formation by reactive deposition |
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