JPH05308049A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH05308049A JPH05308049A JP4075948A JP7594892A JPH05308049A JP H05308049 A JPH05308049 A JP H05308049A JP 4075948 A JP4075948 A JP 4075948A JP 7594892 A JP7594892 A JP 7594892A JP H05308049 A JPH05308049 A JP H05308049A
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Abstract
形成方法に関し、露光光としてi線やKrFエキシマレ
ーザを使用する場合に、露光光の被加工体の表面からの
反射を防止して、精度よく容易にパターニングを行うこ
とができるパターン形成方法を提供する。 【構成】 被加工体1の上に、例えば、アセチレンガス
を原料とするCVDによって厚さ100Å〜1000Å
の非晶質カーボン膜2を形成し、その上に感光性膜(フ
ォトレジスト膜)3を形成し、この感光性膜3をi線や
KrFエキシマレーザを光源とし露光マスクを用いて選
択的に露光し、現像して、耐エッチング性のレジストパ
ターンを形成し、このレジストパターンをマスクにし
て、非晶質カーボン膜2を選択的にエッチングし、この
耐エッチング性のレジストパターンと非晶質カーボン膜
をマスクにして被加工体を選択的にエッチングする。
Description
ォトリソグラフィー技術を用いるパターン形成方法に関
する。
い、サブハーフミクロンあるいはクォーターミクロンと
いった微細なパターニングが要求されている。この要求
に応えるものとして、従来から集積回路装置を製造する
ために使用されていたg線(436nm)ステッパに代
わって、より短波長のi線(365nm)ステッパやK
rFエキシマレーザ(248nm)ステッパが有望視さ
れている。
際、被加工体であるタングステンシリサイド(WSi)
膜,ポリシリコン膜,アルミニウム膜等の表面から露光
光が反射されると、この反射光によってフォトレジスト
膜が露光されて、レジストパターンを精度よく形成する
ことができないという問題があり、この問題を解決する
ためには、被加工体の表面からの反射される露光光を吸
収するか、被加工体の表面からの反射を低減することが
必要である。
たパターン形成方法においては、被加工体の表面で反射
する露光光としてのg線を吸収するために、染料を入れ
たフォトレジストを用いたり、多層レジスト法を用いて
被加工体の表面からの露光光の反射による干渉効果を防
いでいた。
フォトレジスト膜を用いると、フォトレジスト膜の解像
度が低下し、また、露光光がフォトレジスト膜を透過す
る途中で吸収されるため、フォトレジスト膜を露光し現
像した後のレジストパターンの垂直方向の断面形状が悪
化し台形になるという問題を生じる。
ジスト膜を形成し、その上にエッチングレートが異な
る、例えばSOG膜を形成し、さらにその上にフォトレ
ジスト膜を形成して、最上層のフォトレジスト膜を、S
OG膜を反射防止膜として露光し現像してパターニング
し、このパターンをマスクにしてSOG膜をエッチング
し、このSOG膜をマスクにして下層の耐エッチング性
のレジスト膜をO2 のRIEによってエッチングし、こ
のSOG膜をHFによってエッチング除去してパターン
を形成する多層レジスト法(この場合は3層レジスト
法)によると、工程が複雑化しコストの上昇を招くため
量産に不向きであるという問題を生じる。
ォトレジスト膜の下にa−Si膜やTiN膜を反射防止
膜として形成することが提案され実用に供されていた。
(E)は、従来のパターン形成方法の説明図である。こ
のパターン形成方法においては、露光光としてg線を用
い、このg線に対する反射防止膜としてTiN膜やa−
Si膜が用いられている。
工体、32aは被加工体パターン、33は反射防止膜、
33aは反射防止膜パターン、34はフォトレジスト
膜、34aはレジストパターン、35は露光マスク、3
6は露光光である。
体32の上に、TiN膜やa−Si膜からなる反射防止
膜33を形成した後、この反射防止膜33の上に、フォ
トレジスト膜34を形成する。続いて露光マスク35に
よってフォトレジスト膜34にg線である露光光36を
選択的に照射する。このとき、TiN膜あるいはa−S
i膜からなる反射防止膜33はフォトレジスト膜34を
通過して反射防止膜33に達したg線である露光光36
の反射を有効に防止する。
のレジストパターン34aを形成する。このように、露
光光36の被加工体の表面からの反射が防止されるた
め、フォトレジスト膜34には必要な領域のみ露光光3
6が照射され、これを現像することによって精度が高い
レジストパターン34aが形成される。
択的に反射防止膜33をエッチングし除去して反射防止
膜パターン33aを形成する。
ーン33aをマスクにして選択的に被加工体32をエッ
チングし除去する。
ーン33aを除去すると、被加工体32,パターン32
aが形成される。
a−Si膜を反射防止膜として用いると、被加工体のパ
ターンの微細化を行うため、露光光としてg線よりも波
長が短いi線やKrFエキシマレーザ等を用いると、そ
の物質自身のもつ光学定数によって、反射防止膜の反射
防止効果が低下する。そのため、さらに微細で、かつ精
度の高いレジストパターン、ひいては微細で、かつ精度
の高い被加工体パターンが形成できないという問題があ
る。
されたもので、露光光としてi線(365nm)やKr
Fエキシマレーザ(248nm)を使用する場合に、露
光光の被加工体からの反射を防止して、精度よく容易に
パターン形成を行うことができるパターン形成方法を提
供することを目的とする。
に非晶質(アモルファス)カーボン(a−C)膜を形成
し、この非晶質カーボン膜の上に感光性膜を形成し、こ
の感光性膜を選択的に露光し現像して耐エッチング性の
レジストパターンを形成し、この耐エッチング性のレジ
ストパターンをマスクにして非晶質カーボン膜を選択的
にエッチングし、この耐エッチング性のレジストパター
ンと非晶質カーボン膜のパターンをマスクにして被加工
体を選択的にエッチングすることによって解決される。
としてメタンガス,エチレンガス,アセチレンガスまた
はそれらの混合ガスを用いてCVD法によって形成する
と、被加工体の表面に凹凸があっても、均一な厚さの非
晶質カーボン膜を形成することができる。
〜1000Åの範囲にすると、充分な反射防止効果を得
ることができ、レジストパターンを形成した後に容易に
除去することができる。
方法の原理説明図である。この図において、1は被加工
体、2はa−C反射防止膜、3はフォトレジスト膜、4
はi線,KrFエキシマレーザ等の露光光である。図1
(A)は、WSi,ポリシリコン,Alの被加工体1の
上に直接フォトレジスト膜3を形成し、このフォトレジ
スト膜3に露光マスクを通したi線またはKrFエキシ
マレーザの露光光4を照射する従来のパターン形成方法
であり、露光光4は被加工体1の表面で乱反射されてフ
ォトレジスト膜3を照射するため、解像度の高いパター
ンを形成することができない。
l等の被加工体1の上にa−C反射防止膜2を形成し、
その上にフォトレジスト膜3を形成し、このフォトレジ
スト膜3に露光マスクを通したi線またはKrFエキシ
マレーザの露光光4を照射する本発明のパターン形成方
法であり、露光光4はa−C反射防止膜2と被加工体1
の表面で僅かに乱反射されるが、このa−C反射防止膜
2によって吸収されるため、反射光強度を実質上無視で
きる程度に弱くすることができる。
上にa−C反射防止膜を形成することにより露光光の反
射を低減するから、被加工体の材料の光学的性質に関わ
らず微細なレジストパターンを形成することができる。
の消衰係数kとその厚さを調節することによって露光フ
ォーカス深度を深くすることができる。さらに、a−C
反射防止膜の膜厚がそれほど厚くなくても反射防止効果
があり、a−C反射防止膜が有機被膜であるため、レジ
ストパターンを形成した後に不要な領域のa−C反射防
止膜を簡単にエッチングまたは剥離して除去することが
できる。
は、シミュレーションによる現像後のレジストパターン
の断面図である。図2(A)〜(C)は露光光として波
長365nmのi線を用いた場合、図2(A)〜(C)
は露光光として波長248nmのKrFエキシマレーザ
を用いた場合を示している。
体の上に膜厚400Åのa−C反射防止膜を介してフォ
トレジスト膜を形成した場合(WSi膜/a−C膜),
膜厚400ÅのTiN反射防止膜を介してフォトレジス
ト膜を形成した場合(WSi膜/TiN膜),反射防止
膜を介さないでフォトレジスト膜を形成した場合(WS
i膜)に、ネガ型のフォトレジスト膜の中央部に選択的
に帯状の露光光を照射し、現像して形成されるレジスト
パターンの断面形状を示している。
インは露光光のエネルギーの違いによる形状の差を示
し、露光光のエネルギーが強い程断面形状の立ち上がり
がよいことを示している。
発明のWSi膜/a−C膜の断面の側壁の形状は、WS
i膜/TiN膜,WSi膜の場合の側壁の凹凸に比較す
ると滑らかで、露光光の被加工体表面上での反射がa−
C反射防止膜によって低減されて定在波による光の干渉
が少ないことがわかる。
と屈折率と反射防止膜の界面での反射率の相関関係図で
ある。図4は露光光の波長が365nmのi線の場合、
図5は露光光の波長が248nmのKrFエキシマレー
ザの場合を示している。いずれの場合も、反射防止膜を
持たないWSi被加工体からの反射率が大きく、TiN
反射防止膜を形成したときの反射率はそれに比較して著
しく小さく、a−C反射防止膜を形成したときの反射率
はさらに小さいことが示されている。
長の露光光を吸収してフォトレジスト膜側には殆ど反射
しないから、フォトレジスト膜を通過してa−C反射防
止膜に達した露光光の反射を有効に防止することができ
る。
は、露光光の波長と屈折率および消衰係数との相関関係
図である。図6(A),(B)は反射防止膜としてa−
C膜を用いた場合、図7(A),(B)はTiN膜を用
いた場合を示している。この図に見られるように、露光
光として波長365nmのi線を用いた場合は、a−C
膜の屈折率はTiN膜より若干小さい程度であるが、波
長248nmのKrFエキシマレーザを用いた場合は著
しく小さいこと、露光光として波長365nmのi線を
用いた場合も波長248nmのKrFエキシマレーザを
用いた場合も、a−C膜の消衰係数はTiN膜より著し
く小さいことが分かる。
5nm(i線),248nm(KrFエキシマレーザ)
の場合におけるa−C反射防止膜,TiN反射防止膜、
およびWSi膜,フォトレジスト膜の屈折率(n)およ
び消衰係数(k)を示したものであるが、a−C反射防
止膜は、従来反射防止膜として使用されていたTiN膜
等に比較して消衰係数(k)が小さく、i線およびKr
Fエキシマレーザの露光光に対して、反射防止効果が大
きいことがわかる。
よると、露光光の波長が365nm(i線),248n
m(KrFエキシマレーザ)と短くなる場合に、露光光
の反射を有効に防止することができ、その結果、定在波
の発生を低減して形状のよいレジストパターン、ひいて
は、精度の高い被加工体パターンを形成することができ
る。
来のような多層レジスト法を用いる必要がなく、被加工
体とフォトレジスト膜との間に単にa−C反射防止膜を
介在させるだけであるから、精度の高いレジストパター
ンを容易に形成することができる。さらに、a−C反射
防止膜は100Å〜1000Åと薄い膜厚で反射防止効
果があるため、a−C反射防止膜を薄く形成することに
より、精度の高い加工を容易に行うことができる。
(E)は、第1実施例のパターン形成方法の説明図であ
る。この図において、11は基板、12は被加工体、1
2aは被加工体パターン、13はa−C反射防止膜、1
3aはa−C反射防止膜パターン、14はフォトレジス
ト膜、14aはレジストパターン、15は露光マスク、
16はi線またはKrFエキシマレーザ等の露光光であ
る。この説明図によってこの実施例のパターン形成方法
を説明する。
スをグロー放電してプラズマ化するCVD法により、ガ
ス圧約0.1Torr,直流電圧2kV,電流密度6m
A/cm2 の条件で、基板11の上に形成された、例え
ば膜厚約2000ÅのWSi膜からなる被加工体12の
上に、膜厚約400Åのa−C反射防止膜13を形成
し、その上に、膜厚約8000Åのフォトレジスト膜1
4を形成する。次いで、露光マスク15を通して、フォ
トレジスト膜14に選択的に、i線(λ=365nm)
またはKrFエキシマレーザ(λ=248nm)の露光
光16を照射する。
aを形成する。第2工程の露光において、露光光16の
被加工体の表面における反射がa−C反射防止膜によっ
て有効に防止されるので、フォトレジスト膜14には必
要な領域のみに露光光16が照射されるため、現像によ
り形成されるレジストパターン14aは精度のよいもの
となる。
−C反射防止膜13をO2 ガスを用いた反応性イオンエ
ッチング(RIE)によってエッチングして除去してa
−C反射防止膜パターン13aを形成する。このとき、
a−C反射防止膜13は400Å程度と薄いため、短時
間で精度のよい加工を容易に行うことができる。
よってレジストパターン14aおよびa−C反射防止膜
パターン13aをマスクにして選択的に被加工体12を
エッチングして除去して被加工体パターン12aを形成
する。
−C反射防止膜パターン13aを同時に除去すると、目
的とする被加工体パターン12aの形成が完了する。
ンプルウェハの構成図である。この図において、21は
シリコン基板、22はLOCOS酸化膜、23はポリシ
リコン膜、24はWSi膜、25はa−C反射防止膜、
26はネガ型化学増幅型レジスト膜である。
基板21の表面を選択的に酸化して厚さの8000Åの
LOCOS酸化膜22を形成して段差を作り、その上に
厚さ400Åのポリシリコン膜23を形成し、その上に
厚さ600ÅのWSi膜24を形成し、その上に厚さ3
50Åのa−C反射防止膜25を形成し、その上にネガ
型化学増幅型レジスト膜26を形成している。
断面のSEM写真である。この図は、図10のサンプル
ウェハの構成図において破線の矩形で示した部分の断面
を示す操作型電子顕微鏡写真(SEM写真)であるが、
この写真に示されているように、厚膜部分と薄膜部分に
ほぼ一様な厚さで(コンフォーマル)a−C反射防止膜
(白い層状の部分)が形成されている。
C反射防止膜25の、a−Cには水素(H)が添加され
る(a−C:H)。
膜条件は下記のとおりであった。 1.プラズマCVD法 2.基板温度:300℃ 3.導入ガス:アセチレン 4.流量:100ml/min 5.供給電力周波数:200kHz 6.平行平板電極間距離:50mm 7.チャンバー圧力:0.3Torr 8.蒸着時間:70秒
係数kを分光エリプソで測定した結果は下記の表2,表
3のとおりであった。最初の一連の実験は、平行板電極
の間隔を50mmに固定し、供給電力の周波数を13.
56MHz、電力を25Wにし、原料ガスとその供給量
を変化して測定した。表2は基板を加熱しない場合につ
いて測定した結果を示しており、広い範囲の成長条件に
わたって殆ど透明で、屈折率nがほぼ1.65で消衰係
数kがほぼ0.05のa−C反射防止膜が形成されるこ
とを示している。次の一連の実験は、原料ガスとしてア
セチレンを加え、供給電力の周波数と基板温度を変化し
て実験した。その結果は、表3に示されているが、周波
数を13.56MHzから200KHzに低下すると、
屈折率nと消衰係数kが大きく変化することを示し、原
料ガスをメタンから不飽和エチレンやエチレンガスに変
え、基板の温度を100℃,200℃,300℃と変え
た場合、消衰係数kが増大することを示している。
基板上のレジストパターンのライン幅の測定結果を示す
図である。図12(A)は平坦なシリコン基板の上にa
−C反射防止膜を形成した上にフォトレジスト膜を形成
した場合、図12(B)は平坦なシリコン基板の上に直
接フォトレジスト膜を形成した場合に、0.35μmラ
インアンドスペースパターンの露光を行い、現像した後
のライン幅を測定した結果を示している。
ーク後、テトラメチルアンモニウム水酸化物のアルカリ
水溶液(TMAH)によって現像された。
にa−C反射防止膜を形成した上にフォトレジスト膜を
形成した場合(図12(A))は、露光光強度を選択す
ると(この場合50.40mJ/cm2 )、フォーカス
点(0.0μm)からずれてもライン幅をほぼ一定に保
つことができるが、平坦なシリコン基板の上にa−C反
射防止膜を形成しないで直接フォトレジスト膜を形成し
た場合(図12(B))は、フォーカス点(0.0μ
m)からずれると、露光光強度を選択してもフォーカス
がぼけてライン幅が太くなることを示している。
上にフォトレジスト膜を形成した場合は、露光光強度が
50.40mJ/cm2 のとき、−0.6から+0.6
までの1.2μmにわたってライン幅は0.35μm±
5%であり、a−C反射防止膜を形成しないで直接フォ
トレジスト膜を形成した場合は、露光光強度が42.0
0mJ/cm2 のとき、−0.6から−0.0までの
0.6μmにわたってライン幅は0.35μm±5%で
あるから、a−C反射防止膜を介在させることによって
フォーカス深度を2倍程度に広くすることができる。
周波数を200KHzとし、基板温度を300℃として
CVD成長したa−C反射防止膜の理想条件下でのO2
RIEによるエッチングレートは2000Å/minで
あった。このエッチングにおいて50%オーバーエッチ
ングすると0.35μmのラインが約0.03μm細く
なる。
ジストパターンのSEM写真(1)である。この図は、
0.35μmのラインアンドスペースとホールを有し、
横方向に延びる2条の高さ0.4μmの段差部分を横切
って形成されているレジストパターンのSEM写真であ
る。いずれも、KrFエキシマステッパ(NA=0.4
5,σ=0.5)を用いて露光している。
射防止膜を形成しなかった場合であるが、LOCOS酸
化膜がない部分でフォトレジスト膜が厚くなり、基板か
らの反射によって、また、レジスト膜厚の変動によって
感度の違いが生じるためライン幅が広くなり、隣接する
ラインの間隔が狭くなっている状態が観察される。そし
て、ホールパターンをみると、ホールの直径がフォトレ
ジスト膜が厚い部分で縮小し、部分的に消失している状
態が観察される。
射防止膜が形成されている場合であるが、厚膜部分にお
いてもライン幅に変化がなく直線状のラインアンドスペ
ースパターンが形成されている状態が観察される。ま
た、ホールパターンをみても、ホールの直径が完全に同
一である状態が観察される。
ジストパターンのSEM写真(2)である。この図は、
0.25μmのラインアンドスペースを有し、横方向に
延びる1条の高さ0.4μmの段差部分を横切って形成
されているレジストパターンのSEM写真である。いず
れも、KrFエキシマステッパ(NA=0.45,σ=
0.5)を用いて露光している。
射防止膜を形成しなかった場合で、フォトレジスト膜の
厚膜部分において、ライン幅が広くなって隣接ラインと
接近している状態が観察される。
射防止膜が形成されている場合で、フォトレジスト膜の
厚膜部分においてもライン幅に変化がなく直線状のライ
ンアンドスペースが形成されている状態が観察される。
なお、ライン幅がスペース幅より広いように観察される
が、レジストパターンが逆テーパー型にエッチングされ
るため、レジストパターンの被加工体に接する部分で
は、ライン幅とスペース幅は等間隔になっている。
ジストパターン形成工程を示すSEM写真である。図1
5(A)は、0.35μmのラインアンドスペースのレ
ジストパターニング後の断面のSEM写真である。レジ
ストパターンの断面形状が若干逆テーパになっているこ
とがわかる。
チング除去した後の断面のSEM写真である。この場
合、レジストパターンが若干逆テーパになっているた
め、a−C反射防止膜の幅はレジストパターンの最も広
い部分で転写されている。
0ÅのWSi膜と厚さ400Åのポリシリコン膜をエッ
チング除去した後の断面のSEM写真である。この場
合、被加工体であるWSi膜とポリシリコン膜の幅は、
a−C反射防止膜の幅で転写されている。
で酸素プラズマを用いてa−C反射防止膜をレジスト膜
とともに除去することができた。
布図である。この図において、横軸はフォトレジスト膜
の深さを示し、縦軸は光強度を示している。そして、こ
の図の光強度の最大値(Imax )と最小値(Imin )の
差が定在波振幅である。
止膜の消衰係数と定在波振幅の関係図である。図17は
a−C反射防止膜/WSi構造、図18はa−C反射防
止膜/Si構造、図19はa−C反射防止膜/Al構造
について、a−C反射防止膜の消衰係数(k)と定在波
振幅の関係を、a−C反射防止膜の膜厚を変えて示して
いる。
(k)を1.8、厚さを0.69μm、a−C反射防止
膜の消衰係数(k)を1.8と仮定している。その結果
は、a−C反射防止膜の厚さが100Åであると、消衰
係数(k)をどのような値にしても定在波振幅を低減す
る上で特に有効でないこと、および、a−C反射防止膜
の厚さが300Å以上あると最も有効な消衰係数(k)
の値を発見できること、a−C反射防止膜の厚さが30
0Åより大きくてもa−C反射防止膜の反射防止効果は
顕著に増大しないことを示している。
図17と同様な結果を示しているが、諸数値は、ほぼW
Si基板の場合と同様であった。図19は、Al基板を
用いた場合の、図17と同様な結果を示しているが、A
l基板に対しては、a−C反射防止膜の厚さが300Å
のとき最適の消衰係数(k)の値が発見できる。このよ
うに、膜の厚さが300Å以上のa−C反射防止膜はす
べての基板に対して充分な反射防止効果を奏することが
示されている。
係図である。この図は、被加工体の上に直接レジスト膜
を形成した場合と、WSi被加工体の上に厚さ300Å
と400Åのa−C反射防止膜を形成した場合のレジス
ト膜厚と定在波振幅の関係を示している。被加工体の上
に直接レジスト膜を形成した場合は、レジスト膜厚が変
わると定在波振幅が大きく変化し、かつ、その値が大き
いが、被加工体の上に厚さ300Åまたは400Åのa
−C反射防止膜を形成した場合は、レジスト膜厚が変わ
っても定在波振幅が殆ど変化せず、かつ、その値が著し
く小さいことが示されている。
方法によれば、露光光の波長が365nm(i線)から
248nm(KrFエキシマレーザ)と短くなる場合に
露光光の反射を有効に防止することができ、そのため、
定在波の発生を低減して断面形状のよいレジストパター
ン、ひいては精度の良い被加工体のパターンを形成する
ことができる。
来技術の一例のような多層レジスト法を用いる必要がな
く、被加工体とフォトレジスト膜との間に単に薄いa−
C反射防止膜を介在させるだけであるから、精度の良い
パターン形成を容易に行うことができる。
膜厚を400Åとしているが、反射防止効果を考慮して
100Å以上にすることが望ましく、また、膜厚の上限
は、形成工程および除去工程を考慮して1000Å以下
にすることが望ましい。
000Åと薄い膜厚で反射防止効果があるため、a−C
反射防止膜を薄く形成することにより、精度のよい加工
を容易に行うことができる。
形成方法によれば、露光光の波長が365nm(i
線),248nm(KrFエキシマレーザ)と小さくな
る場合でも被加工体表面からの露光光の反射を有効に防
止することができ、これにより定在波を低減して断面形
状のよいレジストパターンの形成が可能となり、ひいて
は精度の良い被加工体のパターンを形成することができ
る。
来のような多層レジスト法を用いる必要がなく、被加工
体と感光性膜との間に単にa−C膜を介在させればよい
ので、精度の良いパターン形成を容易に行うことができ
る。
と薄い膜厚で反射防止効果があるため、a−C膜の膜厚
を薄く形成することにより、反射防止膜の形成、そのエ
ッチングおよびアッシング等が精度よく容易に行うこと
ができるため、高集積回路の製造技術分野において寄与
するところが大きい。
原理説明図である。
後のレジストパターンの断面図(1)である。
後のレジストパターンの断面図(2)である。
界面での反射率の相関関係図(1)である。
界面での反射率の相関関係図(2)である。
消衰係数との相関関係図(1)である。
消衰係数との相関関係図(2)である。
法の説明図(1)である。
法の説明図(2)である。
る。
写真である。
ジストパターンのライン幅の測定結果を示す図である。
ーンのSEM写真(1)である。
ーンのSEM写真(2)である。
ーン形成工程を示すSEM写真である。
関係図(1)である。
関係図(2)である。
関係図(3)である。
説明図(1)である。
説明図(2)である。
断面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。
の上に形成された微細なレジストパターンの走査型電子
顕微鏡(SEM)写真(1)である。
の上に形成された微細なレジストパターンの走査型電子
顕微鏡(SEM)写真(2)である。
の上に形成された微細なレジストパターンの断面の走査
型電子顕微鏡(SEM)写真である。
Claims (3)
- 【請求項1】 被加工体上に非晶質カーボン膜を形成す
る工程と、該非晶質カーボン膜の上に感光性膜を形成す
る工程と、該感光性膜を選択的に露光し現像して耐エッ
チング性のレジストパターンを形成する工程と、該耐エ
ッチング性のレジストパターンをマスクにして該非晶質
カーボン膜を選択的にエッチングする工程と、該耐エッ
チング性のレジストパターンと非晶質カーボン膜のパタ
ーンをマスクにして該被加工体を選択的にエッチングす
る工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項2】 非晶質カーボン膜を、原料ガスとしてメ
タンガス,エチレンガス,アセチレンガスまたはそれら
の混合ガスを用いるCVD法によって形成することを特
徴とする請求項1に記載されたパターン形成方法。 - 【請求項3】 非晶質カーボン膜を100Å〜1000
Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1または請
求項2に記載されたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4075948A JPH0758684B2 (ja) | 1991-11-07 | 1992-02-28 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29168691 | 1991-11-07 | ||
JP3-291686 | 1991-11-07 | ||
JP4075948A JPH0758684B2 (ja) | 1991-11-07 | 1992-02-28 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05308049A true JPH05308049A (ja) | 1993-11-19 |
JPH0758684B2 JPH0758684B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=26417099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4075948A Expired - Lifetime JPH0758684B2 (ja) | 1991-11-07 | 1992-02-28 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758684B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458516B1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-10-01 | Applied Materials Inc. | Method of etching dielectric layers using a removable hardmask |
US7332262B2 (en) | 2000-02-17 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Photolithography scheme using a silicon containing resist |
KR100841495B1 (ko) * | 2000-02-17 | 2008-06-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 디바이스 형성 방법 |
JP2010021428A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 潜像強度分布の評価方法及び潜像強度分布の評価プログラム |
JP2015015277A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4075948A patent/JPH0758684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458516B1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-10-01 | Applied Materials Inc. | Method of etching dielectric layers using a removable hardmask |
US7332262B2 (en) | 2000-02-17 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Photolithography scheme using a silicon containing resist |
KR100841495B1 (ko) * | 2000-02-17 | 2008-06-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 디바이스 형성 방법 |
JP2010021428A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 潜像強度分布の評価方法及び潜像強度分布の評価プログラム |
JP2015015277A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0758684B2 (ja) | 1995-06-21 |
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