JPH05298882A - Refreshment control system for dynamic ram - Google Patents

Refreshment control system for dynamic ram

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JPH05298882A
JPH05298882A JP4101290A JP10129092A JPH05298882A JP H05298882 A JPH05298882 A JP H05298882A JP 4101290 A JP4101290 A JP 4101290A JP 10129092 A JP10129092 A JP 10129092A JP H05298882 A JPH05298882 A JP H05298882A
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JP
Japan
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refresh
signal
dynamic ram
output
gates
Prior art date
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Pending
Application number
JP4101290A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Nakada
昌弘 中田
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PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the capacitance of an auxiliary power unit by restricting the peak current consumption of dynamic RAM refreshment. CONSTITUTION:When a refreshment requesting signal is inputted in a refreshment signal generating means 1a at the time of backing-up, the refreshment signal generating means 1a generates plural refreshment signals within a refreshing cycle. The plural refreshment signals are distributed to the respective memory blocks of dynamic RAM in a refreshment signal distributing means 1b and the respective memory blocks of dynamic RAM are divided and refreshed. At the normal time, the refreshment signal generating means 1a generates one refreshment signal within the refreshing cycle and the respective memory blocks of dynamic RAM are refreshed in a batch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はダイナミックRAM(以
下、DRAMという)のリフレッシュ制御方式に関し、
特に、DRAMのピーク消費電流を抑制するダイナミッ
クRAMのリフレッシュ制御方式に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a refresh control system for a dynamic RAM (hereinafter referred to as DRAM),
In particular, the present invention relates to a dynamic RAM refresh control method for suppressing the peak current consumption of the DRAM.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11は従来のリフレッシュ制御方式を
示す図であり、同図(a)は回路構成を示し、(b)は
そのタイムチャートを示す。同図(a)において、10
1はリフレッシュ制御回路、101aはタイミング制御
回路、101b〜101eはノアゲート、102a〜1
02dはDRAMのメモリ・ブロック、RRASはリフ
レッシュ信号、*RAS0〜*RAS3は各メモリ・ブ
ロツクへのリフレッシュ信号、TRAS0〜TRAS3
はメモリ・ブロツクへのアクセス・タイミング信号を示
す。
2. Description of the Related Art FIG. 11 is a diagram showing a conventional refresh control system. FIG. 11A shows a circuit configuration and FIG. 11B shows a time chart thereof. In FIG.
1 is a refresh control circuit, 101a is a timing control circuit, 101b to 101e are NOR gates, and 102a to 1
02d is a memory block of DRAM, RRAS is a refresh signal, * RAS0 to * RAS3 are refresh signals to each memory block, and TRAS0 to TRAS3.
Indicates an access timing signal to the memory block.

【0003】また、同図(b)において、はタイミン
グ制御回路の入力信号であるREF要求信号「REF要
求」、はタイミング制御回路の出力であるリフレッシ
ュ信号「RRAS」、〜は各メモリ・ブロツク10
2a〜102dへ入力されるリフレッシュ信号*RAS
0〜*RAS3を示す(なお、「*」は否定信号を表
し、メモリ・ブロツクは*RAS0〜*RAS3がロー
レベルのとき、リフレッシュされる)。
Further, in FIG. 1B, REF request signal "REF request" which is an input signal of the timing control circuit, refresh signal "RRAS" which is an output of the timing control circuit, and ~ are the memory blocks 10 respectively.
Refresh signal * RAS input to 2a to 102d
0 to * RAS3 (note that "*" indicates a negative signal, and the memory block is refreshed when * RAS0 to * RAS3 are at a low level).

【0004】図11において、図示しないタイマからタ
イミング制御回路101aにREF要求信号「REF要
求」が加わると、タイミング制御回路101aはリフレ
ッシュ信号RRASを出力する。リフレッシュ信号RR
ASは、ノアゲート101bないし101eに与えら
れ、ノアゲート101bないし101eは同図(b)に
示すように、各メモリ・ブロツク102a〜102dへ
同一のタイミングでリフレッシュ信号*RAS0〜*R
AS3を出力する。
In FIG. 11, when a REF request signal "REF request" is applied to the timing control circuit 101a from a timer (not shown), the timing control circuit 101a outputs a refresh signal RRAS. Refresh signal RR
AS is given to the NOR gates 101b to 101e, and the NOR gates 101b to 101e send the refresh signals * RAS0 to * R to the memory blocks 102a to 102d at the same timing as shown in FIG.
Output AS3.

【0005】メモリ・ブロツク102a〜102dはこ
のリフレッシュ信号*RAS0〜*RAS3を受けて、
同時にリフレッシュ動作を行う。
The memory blocks 102a to 102d receive the refresh signals * RAS0 to * RAS3,
At the same time, the refresh operation is performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来のリフレッシュ制御方式においては、リフレッシュ要
求信号に対してメモリ・ブロツク102a〜102dを
一括してリフレッシュするため、リフレッシュ時のピー
ク消費電流が大きくなる。このため、DRAMをバック
アップする予備電源として大容量のものを必要とした。
In the conventional refresh control method described above, the memory blocks 102a to 102d are collectively refreshed in response to the refresh request signal, so that the peak current consumption at the time of refresh becomes large. .. Therefore, a large-capacity backup power supply for the DRAM is required.

【0007】本発明は上記した従来技術の欠点を改善す
るためになされたものであって、予備電源によるDRA
Mのバックアップ時、DRAMリフレッシュのピーク消
費電流を抑制することにより、予備電源の容量を小さく
することを可能としたDRAMのリフレッシュ制御方式
を提供することを目的とする。
The present invention has been made to remedy the above-mentioned drawbacks of the prior art.
An object of the present invention is to provide a DRAM refresh control system capable of reducing the capacity of a standby power supply by suppressing the peak current consumption of DRAM refresh during backup of M.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理ブロ
ック図である。上記課題を解決するため、本発明の請求
項1の発明は、複数のメモリブロックからなるダイナミ
ックRAM2と、所定のリフレッシュ周期でダイナミッ
クRAM2をリフレッシュするリフレッシュ手段1を備
えたダイナミックRAMのリフレッシュ制御方式におい
て、上記リフレッシュ手段1を、リフレッシュ要求信号
が入力されたときバックアップ信号の有無に応じてリフ
レッシュ周期内に複数個もしくは1個のリフレッシュ信
号を発生するリフレッシュ信号出力手段1aと、複数個
のリフレッシュ信号をダイナミックRAM2の各メモリ
・ブロックへ分配して出力するリフレッシュ信号分配手
段1bとから構成したものである。
FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention. In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 of the present invention provides a dynamic RAM refresh control system comprising a dynamic RAM 2 comprising a plurality of memory blocks and a refresh means 1 for refreshing the dynamic RAM 2 at a predetermined refresh cycle. The refresh means 1 includes a refresh signal output means 1a for generating a plurality of refresh signals or one refresh signal within a refresh cycle according to the presence or absence of a backup signal when a refresh request signal is input, and a plurality of refresh signals. The refresh signal distributing means 1b distributes and outputs to each memory block of the dynamic RAM 2.

【0009】そして、予備電源によるダイナミックRA
M2のバックアップ時には、リフレッシュ信号出力手段
1aがリフレッシュ周期内に複数個のリフレッシュ信号
を発生し、リフレッシュ信号分配手段1bが、リフレッ
シュ信号出力手段1aが発生する複数個のリフレッシュ
信号をダイナミックRAM2の各メモリ・ブロックへ分
配して出力することにより、ダイナミックRAM2の複
数のメモリブロックを分割してリフレッシュし、通常時
には、リフレッシュ信号出力手段1aがリフレッシュ周
期内に1個のリフレッシュ信号を発生して、ダイナミッ
クRAM2の複数のメモリブロックを一括してリフレッ
シュすることにより、予備電源によるダイナミックRA
M2のバックアップ時のピーク消費電流を抑制するよう
にしたものである。
Then, the dynamic RA by the standby power source
At the time of backing up M2, the refresh signal output means 1a generates a plurality of refresh signals within the refresh cycle, and the refresh signal distribution means 1b outputs the plurality of refresh signals generated by the refresh signal output means 1a to each memory of the dynamic RAM 2. The plurality of memory blocks of the dynamic RAM 2 are divided and refreshed by dividing and outputting to the blocks, and normally, the refresh signal output means 1a generates one refresh signal within the refresh cycle, and the dynamic RAM 2 Dynamic RA by the standby power supply by collectively refreshing a plurality of memory blocks
The peak current consumption at the time of backing up M2 is suppressed.

【0010】本発明の請求項2の発明は、請求項1の発
明において、リフレッシュ信号分配手段1bを、リフレ
ッシュ信号出力手段1aが発生する複数個のリフレッシ
ュ信号をカウントするバイナリ・カウンタと、バイナリ
・カウンタの出力をデコードするデコーダとより構成
し、デコーダの出力により、ダイナミックRAM2の複
数のメモリブロックを分割してリフレッシュするように
したものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the refresh signal distribution means 1b includes a binary counter for counting a plurality of refresh signals generated by the refresh signal output means 1a, and a binary counter. It is configured by a decoder for decoding the output of the counter, and a plurality of memory blocks of the dynamic RAM 2 are divided and refreshed by the output of the decoder.

【0011】本発明の請求項3の発明は、請求項1の発
明において、リフレッシュ信号分配手段1bを、リフレ
ッシュ信号出力手段1aが発生する複数個のリフレッシ
ュ信号応じてシフトパルスを発生するシフトレジスタよ
り構成し、シフトレジスタの出力により、ダイナミック
RAM2の複数のメモリブロックを分割してリフレッシ
ュするようにしたものである。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the refresh signal distributing means 1b is a shift register for generating shift pulses according to a plurality of refresh signals generated by the refresh signal outputting means 1a. A plurality of memory blocks of the dynamic RAM 2 are divided and refreshed by the output of the shift register.

【0012】[0012]

【作用】バックアップ信号BKUPが入力されるバック
アップ時、リフレッシュ要求信号がリフレッシュ信号発
生手段1aに入力されると、リフレッシュ信号発生手段
1aはリフレッシュ周期内に複数個のリフレッシュ信号
を発生する。この複数個のリフレッシュ信号はリフレッ
シュ信号分配手段1bに与えられ、リフレッシュ信号分
配手段1bは複数個のリフレッシュ信号をダイナミック
RAMの各メモリ・ブロックへ分配して出力することに
より、ダイナミックRAMの各メモリ・ブロックをリフ
レッシュ周期内に分割してリフレッシュする。
When the refresh request signal is input to the refresh signal generating means 1a during backup when the backup signal BKUP is input, the refresh signal generating means 1a generates a plurality of refresh signals within the refresh cycle. The plurality of refresh signals are supplied to the refresh signal distribution means 1b, and the refresh signal distribution means 1b distributes the plurality of refresh signals to the respective memory blocks of the dynamic RAM and outputs the refresh signals. The block is divided into refresh cycles and refreshed.

【0013】通常制御時には、リフレッシュ要求信号が
リフレッシュ信号発生手段1aに入力されると、リフレ
ッシュ信号発生手段1aはリフレッシュ周期内に1個の
リフレッシュ信号を発生する。このリフレッシュ信号は
ダイナミックRAMの各メモリ・ブロックへ出力され、
ダイナミックRAMの各メモリ・ブロックを一括してリ
フレッシュする。
In the normal control, when the refresh request signal is input to the refresh signal generating means 1a, the refresh signal generating means 1a generates one refresh signal within the refresh cycle. This refresh signal is output to each memory block of the dynamic RAM,
The memory blocks of the dynamic RAM are collectively refreshed.

【0014】バックアップ時には、ダイナミックRAM
の各メモリ・ブロックを分割してリフレッシュし、ま
た、通常時には、ダイナミックRAMの各メモリ・ブロ
ックを一括してリフレッシュするので、バックアップ時
におけるバックアップ電源のピーク消費電流を抑えるこ
とができ、また、通常時におけるリフレッシュによるメ
モリの占有時間の増加を抑えることができる。
During backup, the dynamic RAM
Each memory block is refreshed by dividing it, and at the time of normal operation, each memory block of the dynamic RAM is refreshed collectively, so that the peak current consumption of the backup power supply at the time of backup can be suppressed. It is possible to suppress an increase in the occupied time of the memory due to the refreshing.

【0015】また、請求項3の発明のように、リフレッ
シュ信号分配手段1bとしてシフトレジスタを用いるこ
とにより、メモリブロックの数に増減があっても、シフ
トレジスタの段数を変えるだけて容易に対応することが
できる。
Further, by using a shift register as the refresh signal distribution means 1b as in the third aspect of the invention, even if the number of memory blocks is increased or decreased, it is possible to easily cope with it by changing the number of stages of the shift register. be able to.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、メモリ・ブロック数が4の場合の実
施例を示す。図2は本発明の第1の実施例を示す図であ
り、同図において、21はリフレッシュ制御回路、21
aはタイミング制御回路、21bは4進バイナリ・カウ
ンタ、21cは4分周回路、21dはセレクタ、21e
はデコーダ、21f−0〜21f−3はオアゲート、2
1g−0〜21g−3はアンドゲート、21h−0〜2
1h−3はノアゲート、22a〜22dはDRAMのメ
モリ・ブロックである。
EXAMPLE An example in which the number of memory blocks is 4 will be described below. FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 2, 21 is a refresh control circuit and 21 is a refresh control circuit.
a is a timing control circuit, 21b is a quaternary binary counter, 21c is a divide-by-4 circuit, 21d is a selector, and 21e.
Is a decoder, 21f-0 to 21f-3 are OR gates, 2
1g-0 to 21g-3 is an AND gate, 21h-0 to 2
1h-3 is a NOR gate, and 22a to 22d are DRAM memory blocks.

【0017】同図において、タイミング制御回路21a
はリフレッシュ要求信号「REF要求」を受けてリフレ
ッシュ信号RRASを出力する手段であり、その出力は
アンドゲート21g−0〜21g3に与えられる。4進
バイナリ・カウンタ21bはリフレッシュ要求信号「R
EF要求」をカウントする手段であり、4個のリフレッ
シュ要求信号「REF要求」をカウントすると零復帰
し、つぎに入力されるリフレッシュ要求信号「REF要
求」を再びカウントする。また、4進バイナリ・カウン
タ21bはタイミング制御回路21aの出力により初期
クリアされる。
In the figure, the timing control circuit 21a
Is means for receiving the refresh request signal "REF request" and outputting the refresh signal RRAS, and its output is given to the AND gates 21g-0 to 21g3. The quaternary binary counter 21b receives the refresh request signal "R
It is a means for counting the "EF request" and returns to zero when the four refresh request signals "REF request" are counted, and the refresh input signal "REF request" to be input next is counted again. The quaternary binary counter 21b is initially cleared by the output of the timing control circuit 21a.

【0018】デコーダ21eは4進バイナリ・カウンタ
21bの出力をデコードする手段であり、その出力はオ
アゲート21f−0〜21f−3に与えられる。4分周
回路21cは図示しないタイマより入力されるリフレッ
シュ周期の1/4周期のパルス信号を1/4に分周する
手段であり、その出力はセレクタ21dに与えられる。
The decoder 21e is means for decoding the output of the quaternary binary counter 21b, and its output is given to the OR gates 21f-0 to 21f-3. The divide-by-4 circuit 21c is a means for dividing the pulse signal of 1/4 cycle of the refresh cycle inputted from a timer (not shown) into 1/4, and the output thereof is given to the selector 21d.

【0019】セレクタ21dはバックアップ信号*BK
UP(*BKUPはバックアップ信号BKUPの否定信
号を表し、DRAMのバックアップ時にローレベルとな
る。なお、以下の説明においては、*BKUP信号をバ
ックアップ信号という)に応じて図示しないタイマの出
力パルス信号と4分周回路21cの出力信号のいずれか
を選択して出力する手段であり、バックアップ信号*B
KUPがハイレベルのとき、すなわち通常時、4分周回
路21cの出力を選択し、バックアップ信号がローレベ
ルのとき、すなわちバックアップ時、図示しないタイマ
の出力を選択する。
The selector 21d has a backup signal * BK
UP (* BKUP represents a negative signal of the backup signal BKUP and becomes a low level when the DRAM is backed up. In the following description, the * BKUP signal is referred to as a backup signal) and an output pulse signal of a timer not shown. It is a means for selecting and outputting any of the output signals of the divide-by-4 circuit 21c, and a backup signal * B
When KUP is at a high level, that is, in normal time, the output of the divide-by-4 circuit 21c is selected, and when the backup signal is at low level, that is, in backup, the output of a timer (not shown) is selected.

【0020】セレクタ21dの出力はタイミング制御回
路21aおよび4進バイナリ・カウンタ21bに与えら
れる。オアゲート21f−0〜21f−3はデコーダ2
1eおよびバックアップ信号*BKUPのいずれか一方
がハイレベルのとき、ハイレベルの信号を出力する手段
であり、その出力はアンドゲート21g−0〜21g−
3に与えられる。
The output of the selector 21d is given to the timing control circuit 21a and the quaternary binary counter 21b. The OR gates 21f-0 to 21f-3 are the decoder 2
1e and a backup signal * BKUP are means for outputting a high level signal when one of them is at a high level, and its output is AND gates 21g-0 to 21g-.
Given to 3.

【0021】アンドゲート21g−0〜21g−3の他
方の入力にはタイミング制御回路21aが出力するリフ
レッシュ信号RRASが入力される。アンドゲート21
g−0〜21g−3はその両方の入力信号がハイレベル
になると出力がハイレベルとなる。アンドゲート21g
−0〜21g−3の出力はノアゲート21h−0〜21
h−3に入力され、ノアゲート21h−0〜21h−3
の他方の入力にはアクセス・タイミング信号TRAS0
〜TRAS3が入力される。
The refresh signal RRAS output from the timing control circuit 21a is input to the other inputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3. And gate 21
The outputs of g-0 to 21g-3 become high level when both input signals thereof become high level. AND gate 21g
The output of -0 to 21g-3 is NOR gate 21h-0 to 21
It is input to h-3 and NOR gates 21h-0 to 21h-3.
The other input of the access timing signal TRAS0
~ TRAS3 is input.

【0022】ノアゲート21h−0〜21h−3はその
いずれかの入力がハイレベルになるとその出力がローレ
ベルとなり、その出力はメモリ・ブロック22a〜22
dに与えられる。図3は図2に示す第1の実施例の動作
を示すタイムチャートであり、同図において、はリフ
レッシュ要求信号、はバックアップ信号、はタイミ
ング制御回路21aが出力するリフレッシュ信号、-1
〜-4はオアゲート21f−0〜21f−3の出力、
-1〜-4はノアゲート21h−0〜21h−3が出力す
るリフレッシュ信号である。また、同図において、
「T」はリフレッシュ周期を示す。
When any one of the inputs of the NOR gates 21h-0 to 21h-3 goes high, its output goes low and its output goes to the memory blocks 22a-22.
given to d. FIG. 3 is a time chart showing the operation of the first embodiment shown in FIG. 2. In FIG. 3, is a refresh request signal, is a backup signal, is a refresh signal output from the timing control circuit 21a, and is -1.
~ -4 are outputs of OR gates 21f-0 to 21f-3,
-1 to -4 are refresh signals output from the NOR gates 21h-0 to 21h-3. Also, in the figure,
“T” indicates a refresh cycle.

【0023】次に図3を参照して図2の第1の実施例に
ついて説明する。バックアップ時、図3のに示すよう
にバックアップ信号*BKUPはローレベルであり、図
2のセレクタ21dは図示しないタイマの出力を選択し
ている。図示しないタイマはリフレッシュ周期Tの1/
4周期のパルス信号を出力しており(図3の参照)、
この信号はセレクタ21dを介してタイミング制御回路
21aに与えらる。
Next, the first embodiment of FIG. 2 will be described with reference to FIG. At the time of backup, the backup signal * BKUP is at the low level as shown in FIG. 3, and the selector 21d in FIG. 2 selects the output of the timer (not shown). The timer (not shown) is 1 / th of the refresh cycle T.
It outputs a pulse signal of 4 cycles (see Fig. 3),
This signal is given to the timing control circuit 21a via the selector 21d.

【0024】タイミング制御回路21aはこの信号を受
け、図3のに示すリフレッシュ信号RRASを出力す
る。一方、リフレッシュ要求信号「REF要求」は4進
バイナリ・カウンタ21bに与えられてカウントされ、
4進バイナリ・カウンタ21bはリフレッシュ要求信号
「REF要求」を4パルスだけカウントすると零復帰
し、次のリフレッシュ要求信号「REF要求」を再びカ
ウントする。
The timing control circuit 21a receives this signal and outputs the refresh signal RRAS shown in FIG. On the other hand, the refresh request signal “REF request” is given to the quaternary binary counter 21b and counted,
The quaternary binary counter 21b returns to zero after counting 4 pulses of the refresh request signal "REF request", and counts the next refresh request signal "REF request" again.

【0025】デコーダ21eは4進バイナリ・カウンタ
21eの出力をデコードし、オアゲート21f−0〜2
1f−3に与える。オアゲート21f−0〜21f−3
の他方の入力端には、バックアップ信号*BKUPが与
えられており、バックアップ信号*BKUPは前記した
ようにバックアップ時にはローレベルなので、オアゲー
ト21f−0〜21f−3の出力端にはデコーダ21e
の出力がそのまま出力され、図3の-1〜-4に示す信
号を出力する。
The decoder 21e decodes the output of the quaternary binary counter 21e and outputs OR gates 21f-0 to 2-2.
Give to 1f-3. OR gate 21f-0 to 21f-3
The backup signal * BKUP is applied to the other input end of the OR gates 21f-0 to 21f-3, and the decoder 21e is connected to the output ends of the OR gates 21f-0 to 21f-3.
Is output as it is, and the signals shown in -1 to -4 of FIG. 3 are output.

【0026】オアゲート21f−0〜21f−3の出力
はアンドゲート21g−0〜21g−3に与えられ、タ
イミング制御回路21aが出力するリフレッシュ信号R
RAS(図3の参照)とアンドが取られ、ノアゲート
21h−0〜21h−3に与えられる。ノアゲート21
h−0〜21h−3はアンドゲート21g−0〜21g
−3の出力を反転し、図3の-1〜-4に示すように、
リフレッシュ周期内に4回に分割したリフレッシュ信号
*RAS0〜*RAS3を出力してメモリ・ブロック2
2aないし22dをリフレッシュする。
The outputs of the OR gates 21f-0 to 21f-3 are given to the AND gates 21g-0 to 21g-3, and the refresh signal R output from the timing control circuit 21a.
RAS (see FIG. 3) and AND are taken and applied to NOR gates 21h-0 to 21h-3. NOR Gate 21
h-0 to 21h-3 are AND gates 21g-0 to 21g
-3 output is inverted, and as shown in -1 to -4 of FIG.
The memory block 2 outputs the refresh signals * RAS0 to * RAS3 divided into four within the refresh cycle.
Refresh 2a through 22d.

【0027】次に、通常時には、バックアップ信号*B
KUPは図3のに示すようにハイレベルであり、図2
のセレクタ21dは4分周回路21cの出力を選択して
いる。このため、リフレッシュ要求信号「REF要求」
は図3のに示すように、リフレッシュ周期T内に1回
発生する。タイミング制御回路21aはこのリフレッシ
ュ要求信号「REF要求」を受けて、図3のに示すよ
うなリフレッシュ信号RRASを出力する。
Next, during normal operation, the backup signal * B
KUP is at a high level as shown in FIG.
The selector 21d selects the output of the divide-by-4 circuit 21c. Therefore, the refresh request signal "REF request"
Occurs once within the refresh cycle T, as shown in FIG. The timing control circuit 21a receives the refresh request signal "REF request" and outputs the refresh signal RRAS as shown in FIG.

【0028】一方、図2のオアゲート21f−0〜21
f−3の出力は、バックアップ信号*BKUPが図3の
に示すようにハイレベルのため、図3の-1〜-4に
示すようにハイレベルである。このため、アンドゲート
21g−0〜21g−3はリフレッシュ信号RRASが
ハイレベルのとき出力を発生し、この出力はノアゲート
21h−0〜21h−3に与えられる。
On the other hand, the OR gates 21f-0 to 21f of FIG.
The output of f-3 is at a high level as shown at -1 to -4 in FIG. 3 because the backup signal * BKUP is at a high level as shown in FIG. Therefore, the AND gates 21g-0 to 21g-3 generate an output when the refresh signal RRAS is at a high level, and this output is given to the NOR gates 21h-0 to 21h-3.

【0029】ノアゲート21h−0〜21h−3はアン
ドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転し、図3
の-1〜-4に示すように、リフレッシュ周期T内に1
回だけ一括したリフレッシュ信号*RAS0〜*RAS
3を発生し、メモリ・ブロック22aないし22dをリ
フレッシュする。以上のように、本実施例によれば、バ
ックアップ時には、リフレッシュ信号*RAS0〜*R
AS3をリフレッシュ周期T内に4回に分割して出力
し、また、通常時には、リフレッシュ信号*RAS0〜
*RAS3をリフレッシュ周期T内に1回だけ一括して
出力するので、バックアップ時におけるバックアップ電
源のピーク消費電流を抑えることができ、また、通常時
におけるリフレッシュによるメモリの占有時間を減少さ
せることができる。
The NOR gates 21h-0 to 21h-3 invert the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3, and FIG.
1 within the refresh cycle T as shown in -1 to -4
Refresh signal * RAS0 to * RAS that is batched only once
3 to refresh memory blocks 22a through 22d. As described above, according to this embodiment, at the time of backup, the refresh signals * RAS0 to * R are used.
AS3 is divided into four times and output within the refresh cycle T, and the refresh signals * RAS0 to RAS0
* Since RAS3 is collectively output only once within the refresh cycle T, the peak current consumption of the backup power supply during backup can be suppressed, and the memory occupancy time due to refresh during normal times can be reduced. ..

【0030】なお、基本的にバックアップ時には、メモ
リ・アクセスがないか、あるいは、少ないので、本実施
例のように、分割してDRAMをリフレッシュし、メモ
リの占有時間が増加しても支障は生じない。図4は本発
明の第2の実施例を示す図である。同図において、図2
の第1の実施例と同一のものには同一の符号付されてお
り、本実施例においては、第1の実施例に対して、セレ
クタ21dが除去されており、また、4進バイナリ・カ
ウンタ21bへの入力信号がタイミン制御回路21aが
出力するリフレッシュ信号RRASである点で相違して
おり、その余の構成は第1の実施例のものと同じであ
る。
Basically, since there is little or no memory access at the time of backup, there is no problem even if the DRAM is divided and refreshed to increase the occupied time of the memory as in this embodiment. Absent. FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. In FIG.
The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals. In this embodiment, the selector 21d is removed from the first embodiment, and the quaternary binary counter is used. The difference is that the input signal to 21b is the refresh signal RRAS output by the timing control circuit 21a, and the rest of the configuration is the same as that of the first embodiment.

【0031】図5は本実施例の動作を示すタイムチャー
トであり、図3のタイムチャートと同一の信号には同一
の番号が付されている。次に図5を参照して図4の第2
の実施例の動作について説明する。図4において、図示
しないタイマはリフレッシュ周期Tの1/4周期のパル
ス信号を発生しており、この信号は4分周回路21cに
より分周され、タイミング制御回路21aには、図5の
に示すリフレッシュ要求信号「REF要求」が加わ
る。
FIG. 5 is a time chart showing the operation of this embodiment, and the same signals as those in the time chart of FIG. 3 are assigned the same numbers. Next, referring to FIG. 5, the second of FIG.
The operation of this embodiment will be described. In FIG. 4, a timer (not shown) generates a pulse signal having a 1/4 cycle of the refresh cycle T, and this signal is divided by the divide-by-4 circuit 21c. A refresh request signal "REF request" is added.

【0032】バックアップ時、図5のに示すようにバ
ックアップ信号*BKUPはローレベルであり、タイミ
ング制御回路21aはリフレッシュ要求信号「REF要
求」を受けると、図5のに示すリフレッシュ信号RR
ASを出力する。このリフレッシュ信号RRASは4進
バイナリ・カウンタ21bに与えられてカウントされ
る。
During backup, the backup signal * BKUP is at a low level as shown in FIG. 5, and when the timing control circuit 21a receives the refresh request signal "REF request", the refresh signal RR shown in FIG.
Output AS. The refresh signal RRAS is given to the quaternary binary counter 21b and counted.

【0033】デコーダ21eは4進バイナリ・カウンタ
21eの出力をデコードし、オアゲート21f−0〜2
1f−3に与える。オアゲート21f−0〜21f−3
の他方の入力端には、バックアップ信号*BKUPが与
えられており、バックアップ信号*BKUPは前記した
ようにバックアップ時にはローレベルなので、オアゲー
ト21f−0〜21f−3の出力端にはデコーダ21e
の出力がそのまま出力され、図5の-1〜-4に示す信
号を出力する。
The decoder 21e decodes the output of the quaternary binary counter 21e and outputs OR gates 21f-0 to 2-2.
Give to 1f-3. OR gate 21f-0 to 21f-3
The backup signal * BKUP is applied to the other input end of the OR gates 21f-0 to 21f-3, and the decoder 21e is connected to the output ends of the OR gates 21f-0 to 21f-3.
Is output as it is, and the signals shown in -1 to -4 of FIG. 5 are output.

【0034】オアゲート21f−0〜21f−3の出力
はアンドゲート21g−0〜21g−3に与えられ、タ
イミング制御回路21aが出力するリフレッシュ信号R
RAS(図5の参照)とアンドが取られ、ノアゲート
21h−0〜21h−3に与えられる。ノアゲート21
h−0〜21h−3はアンドゲート21g−0〜21g
−3の出力を反転し、図5の-1〜-4に示すように、
リフレッシュ周期内に4回に分割したリフレッシュ信号
*RAS0〜*RAS3を出力してメモリ・ブロック2
2aないし22dをリフレッシュする。
The outputs of the OR gates 21f-0 to 21f-3 are given to the AND gates 21g-0 to 21g-3, and the refresh signal R output from the timing control circuit 21a.
RAS (see FIG. 5) and AND are taken and applied to NOR gates 21h-0 to 21h-3. NOR Gate 21
h-0 to 21h-3 are AND gates 21g-0 to 21g
The output of -3 is inverted, and as shown in -1 to -4 of FIG.
The memory block 2 outputs the refresh signals * RAS0 to * RAS3 divided into four within the refresh cycle.
Refresh 2a through 22d.

【0035】次に、通常時には、バックアップ信号*B
KUPは図5のに示すようにハイレベルであり、タイ
ミング制御回路21aはリフレッシュ要求信号「REF
要求」を受けて、図5のに示すようなリフレッシュ信
号RRASを出力する。一方、図4のオアゲート21f
−0〜21f−3の出力は、バックアップ信号*BKU
Pが図5のに示すようにハイレベルのため、図5の
-1〜-4に示すようにハイレベルである。
Next, during normal operation, the backup signal * B
KUP is at a high level as shown in FIG. 5, and the timing control circuit 21a causes the refresh request signal "REF".
In response to the "request", a refresh signal RRAS as shown in FIG. 5 is output. On the other hand, the OR gate 21f in FIG.
The output of -0 to 21f-3 is the backup signal * BKU
Since P is at a high level as shown in of FIG.
It is at a high level as shown in -1 to -4.

【0036】このため、アンドゲート21g−0〜21
g−3はリフレッシュ信号RRASがハイレベルのとき
出力を発生し、この出力はノアゲート21h−0〜21
h−3に与えられる。ノアゲート21h−0〜21h−
3はアンドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転
し、図5の-1〜-4に示すように、リフレッシュ周期
T内に1回だけ一括したリフレッシュ信号*RAS0〜
*RAS3を発生し、メモリ・ブロック22aないしメ
モリ・ブロック22dをリフレッシュする。
Therefore, the AND gates 21g-0 to 21
g-3 generates an output when the refresh signal RRAS is at a high level, and this output is NOR gates 21h-0 to 21h.
given to h-3. NOR gate 21h-0 to 21h-
3 inverts the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3, and as shown by -1 to -4 in FIG. 5, the refresh signals * RAS0 to RAS0 collectively batched only once within the refresh cycle T.
* RAS3 is generated and the memory block 22a to the memory block 22d are refreshed.

【0037】以上のように、本実施例によれば、第1の
実施例と同様、バックアップ時には、リフレッシュ信号
*RAS0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に4回
に分割して出力し、また、通常時には、リフレッシュ信
号*RAS0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に1
回だけ一括して出力するので、バックアップ時における
バックアップ電源のピーク消費電流を抑えることがで
き、また、通常時におけるリフレッシュによるメモリの
占有時間の増加を抑えることができる。
As described above, according to the present embodiment, as in the first embodiment, the refresh signals * RAS0 to * RAS3 are divided into four within the refresh cycle T and output during backup, and Normally, the refresh signals * RAS0 to * RAS3 are set to 1 within the refresh cycle T.
Since the data is output collectively only once, it is possible to suppress the peak current consumption of the backup power supply at the time of backup, and it is possible to suppress the increase in the occupied time of the memory due to the refresh at the normal time.

【0038】図6は本発明の第3の実施例を示す図であ
り、同図において、図2の第1の実施例と同一のものに
は同一の符号付されており、本実施例においては、第1
の実施例に対して、4分周回路21c、セレクタ21d
が除去されており、また、4進バイナリ・カウンタ21
bとデコーダ21eに換え、シフト・レジスタ21j、
アンドゲート21k、ナンドゲート21mが設けられて
いる点で相違しており、その余の構成は第1の実施例の
ものと同じである。
FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same parts as those in the first embodiment of FIG. 2 are designated by the same reference numerals. Is the first
With respect to the embodiment of FIG.
Have been removed, and the quaternary binary counter 21
b and the decoder 21e instead of the shift register 21j,
The difference is that an AND gate 21k and a NAND gate 21m are provided, and the rest of the configuration is the same as that of the first embodiment.

【0039】図7は図6に示すシフト・レジスタ21j
の構成を示す図であり、本実施例のシフト・レジスタ2
1jは同図に示すように、その出力を次段のフリップフ
ロップに順次接続した、4個のフリップフロップから構
成されている。そして、データインDAの入力がハイレ
ベルのとき、クロック端子CLKよりクロック入力が与
えられると、QAがハイレベルとなり、以下、クロック
が入力されるごとに、その出力QA〜QDに順次、ハイ
レベルの出力が発生する。
FIG. 7 shows the shift register 21j shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the shift register 2 of the present embodiment.
1j is composed of four flip-flops whose outputs are sequentially connected to the next-stage flip-flops as shown in FIG. Then, when the input of the data-in DA is at the high level, QA becomes the high level when the clock input is given from the clock terminal CLK, and thereafter, every time the clock is input, the outputs QA to QD are sequentially set to the high level. Output occurs.

【0040】図8は本実施例の動作を示すタイムチャー
トであり、第1の実施例の図3のタイムチャートと同一
の信号には同一の番号が付されており、図8において
は、図3ののバックアップ信号*BKUPに換え、図
6のナンドゲート21mの出力REFEが示されてい
る。また、図8のタイムチャートにおいては、バックア
ップ時のタイムチャートのみが示されており、通常時の
タイムチャートは図3のもとのほぼ同じなので省略され
ている。
FIG. 8 is a time chart showing the operation of this embodiment. The same signals as those in the time chart of FIG. 3 of the first embodiment are designated by the same reference numerals. The output REFE of the NAND gate 21m of FIG. 6 is shown in place of the backup signal * BKUP of FIG. Also, in the time chart of FIG. 8, only the time chart at the time of backup is shown, and the time chart at the time of normal operation is omitted because it is almost the same as the original time chart of FIG.

【0041】次に図8を参照して図6の第3の実施例の
動作について説明する。図6において、図示しないタイ
マはリフレッシュ周期Tの1/4周期のパルス信号を発
生しており、このリフレッシュ要求信号「REF要求」
(図8の参照)はタイミング制御回路21aに加わ
る。バックアップ時、タイミング制御回路21aはリフ
レッシュ要求信号「REF要求」を受けると、図8の
に示すリフレッシュ信号RRASを出力する。
The operation of the third embodiment shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. In FIG. 6, a timer (not shown) generates a pulse signal having a 1/4 cycle of the refresh cycle T. This refresh request signal "REF request"
(See FIG. 8) is added to the timing control circuit 21a. Upon backup, the timing control circuit 21a outputs the refresh signal RRAS shown in FIG. 8 when receiving the refresh request signal "REF request".

【0042】このリフレッシュ信号RRASはシフトレ
ジスタ21jのクロック端子に与えられる。一方、この
とき、シフトレジスタ21jの出力はローレベルなの
で、ナンドゲート21mの出力REFE(図8参照)
はハイレベルであり、アンドゲート21kは開いてお
り、アンドゲート21kを介してリフレッシュ要求信号
「REF要求」がシフトレジスタ21jのデータイン端
子に与えられている。このため、シフトレジスタ21j
のクロック端子にリフレッシュ信号RRASが入力され
ると、シフトレジスタ21jの出力QAがハイレベルと
なる。
The refresh signal RRAS is applied to the clock terminal of the shift register 21j. On the other hand, at this time, since the output of the shift register 21j is low level, the output REFE of the NAND gate 21m (see FIG. 8).
Is at a high level, the AND gate 21k is open, and the refresh request signal "REF request" is applied to the data-in terminal of the shift register 21j via the AND gate 21k. Therefore, the shift register 21j
When the refresh signal RRAS is input to the clock terminal of, the output QA of the shift register 21j becomes high level.

【0043】次にシフトレジスタ21jのクロック端子
にRRASが加わると、ナンドゲート21mの出力RE
FE(図8参照)はローレベルになつているが、図7
に示すように、シフトレジスタ21jの出力QAが次の
入力端子DBに加わっているので、シフトレジスタ21
jの出力QBがハイレベルとなる。上記のように、シフ
トレジスタ21jの出力QA〜QDは、クロック端子に
RRASが加わるごとに、順次ハイレベルとなり、この
信号はオアゲート21f−0〜21f−3に加わる。
Next, when RRAS is applied to the clock terminal of the shift register 21j, the output RE of the NAND gate 21m is output.
FE (see FIG. 8) is at low level, but FIG.
Since the output QA of the shift register 21j is added to the next input terminal DB as shown in FIG.
The output QB of j becomes high level. As described above, the outputs QA to QD of the shift register 21j sequentially become high level each time RRAS is applied to the clock terminal, and this signal is applied to the OR gates 21f-0 to 21f-3.

【0044】また、バックアップ時には、パックアップ
信号*BKUPはローレベルのため、オアゲート21f
−0〜21f−3の他方の入力はローレベルであり、オ
アゲート21f−0〜21f−3は図8の-1〜-3に
示す出力を発生する。オアゲート21f−0〜21f−
3の出力はアンドゲート21g−0〜21g−3に与え
られ、タイミング制御回路21aが出力するリフレッシ
ュ信号RRAS(図8の参照)とアンドが取られ、ノ
アゲート21h−0〜21h−3に与えられる。
At the time of backup, since the packup signal * BKUP is at low level, the OR gate 21f
The other input of -0 to 21f-3 is low level, and the OR gates 21f-0 to 21f-3 generate outputs shown in -1 to -3 of FIG. OR gate 21f-0 to 21f-
The output of 3 is given to AND gates 21g-0 to 21g-3, ANDed with the refresh signal RRAS (see FIG. 8) output from the timing control circuit 21a, and given to NOR gates 21h-0 to 21h-3. ..

【0045】ノアゲート21h−0〜21h−3はアン
ドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転し、図8
の-1〜-4に示すように、リフレッシュ周期内に4回
に分割したリフレッシュ信号*RAS0〜*RAS3を
出力してメモリ・ブロック22aないし22dをリフレ
ッシュする。次に、通常時には、バックアップ信号*B
KUPはハイレベルであり、タイミング制御回路21a
はリフレッシュ要求信号「REF要求」を受けて、第2
の実施例の図5のに示すようにリフレッシュ周期T内
に1回のリフレッシュ信号RRASを出力する。
The NOR gates 21h-0 to 21h-3 invert the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3, as shown in FIG.
, -1 to -4, refresh signals * RAS0 to * RAS3 divided into four times are output within the refresh cycle to refresh the memory blocks 22a to 22d. Next, during normal operation, the backup signal * B
KUP is at high level, and the timing control circuit 21a
Receives the refresh request signal "REF request"
5, the refresh signal RRAS is output once within the refresh cycle T.

【0046】一方、図6のオアゲート21f−0〜21
f−3の出力は、バックアップ信号*BKUPがハイレ
ベルのため、ハイレベルである。このため、アンドゲー
ト21g−0〜21g−3はリフレッシュ信号RRAS
がハイレベルのとき出力を発生し、この出力はノアゲー
ト21h−0〜21h−3に与えられる。
On the other hand, OR gates 21f-0 to 21 of FIG.
The output of f-3 is at high level because the backup signal * BKUP is at high level. Therefore, the AND gates 21g-0 to 21g-3 have the refresh signal RRAS.
Is high level, an output is generated, and this output is given to the NOR gates 21h-0 to 21h-3.

【0047】ノアゲート21h−0〜21h−3はアン
ドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転し、リフ
レッシュ周期T内に1回だけ一括したリフレッシュ信号
*RAS0〜*RAS3を発生し、メモリ・ブロック2
2aないしメモリ・ブロック22dをリフレッシュす
る。以上のように、本実施例によれば、第1の実施例と
同様、バックアップ時には、リフレッシュ信号*RAS
0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に4回に分割し
て出力し、また、通常時には、リフレッシュ信号*RA
S0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に1回だけ一
括して出力するので、バックアップ時におけるバックア
ップ電源のピーク消費電流を抑えることができ、また、
通常時におけるリフレッシュによるメモリの占有時間の
増加を抑えることができる。
The NOR gates 21h-0 to 21h-3 invert the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3 and generate the refresh signals * RAS0 to * RAS3 collectively at one time within the refresh cycle T, and the memory. Block 2
2a or memory block 22d is refreshed. As described above, according to the present embodiment, as in the first embodiment, at the time of backup, the refresh signal * RAS
0 to * RAS3 are divided into four times and output within the refresh cycle T, and the refresh signal * RA is normally provided.
Since S0 to * RAS3 are collectively output only once within the refresh cycle T, the peak current consumption of the backup power supply during backup can be suppressed, and
It is possible to suppress an increase in the occupied time of the memory due to the refresh in the normal time.

【0048】また、本実施例においては、シフトレジス
タを用いてリフレッシュ信号を出力しているので、メモ
リブロックの数に増減があっても、シフトレジスタの段
数を変えるだけて容易に対応することができる。図9は
本発明の第4の実施例を示す図であり、同図において、
図6の第3の実施例と同一のものには同一の符号付され
ており、本実施例においては、第3の実施例に対して、
アンドゲート21k、ナンドゲート21mが除去され、
代わりにフリップフロップ21n、アンドゲート21p
が設けられている点で相違しており、その余の構成は第
3の実施例のものと同じである。
Further, in this embodiment, since the refresh signal is output by using the shift register, even if the number of memory blocks is increased or decreased, it is possible to easily cope with it by changing the number of stages of the shift register. it can. FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. In FIG.
The same parts as those in the third embodiment of FIG. 6 are designated by the same reference numerals, and in the present embodiment, compared with the third embodiment,
AND gate 21k and NAND gate 21m are removed,
Instead, a flip-flop 21n and an AND gate 21p
Is provided, and the rest of the configuration is the same as that of the third embodiment.

【0049】なお、フリップフロップ21n、アンドゲ
ート21pはシフトレジスタ21jのデータイン入力を
制御するために設けられたものであって、後述するよう
に、リフレッシュ要求信号「REF要求」がハイレベル
になってから、所定時間だけ、シフトレジスタ21jの
データイン入力をハイレベルに保つ。図10は本実施例
の動作を示すタイムチャートであり、第3の実施例の図
8のタイムチャートと同一の信号には同一の番号が付さ
れており、図10においては、図8ののナンドゲート
21mの出力REFEの代わりに、にフリップフロッ
プ21nの出力REFEが示されている。
The flip-flop 21n and the AND gate 21p are provided for controlling the data-in input of the shift register 21j, and the refresh request signal "REF request" becomes high level as described later. Then, the data-in input of the shift register 21j is kept at the high level for a predetermined time. FIG. 10 is a time chart showing the operation of this embodiment. The same signals as those in the time chart of FIG. 8 of the third embodiment are designated by the same reference numerals, and in FIG. Instead of the output REFE of the NAND gate 21m, the output REFE of the flip-flop 21n is shown at.

【0050】また、図10のにシフトレジスタ21j
のデータイン端子に入力される信号が示されている。な
お、図10のタイムチャートには、図8の場合と同様、
バックアップ時のタイムチャートのみが示されており、
通常時のタイムチャートは図3のもとのほぼ同じなので
省略されている。次に図10を参照して図9の第4の実
施例の動作について説明する。
The shift register 21j shown in FIG.
The signal input to the data-in terminal of is shown. In the time chart of FIG. 10, as in the case of FIG.
Only the time chart at the time of backup is shown,
The normal time chart is omitted because it is almost the same as the original time chart of FIG. Next, the operation of the fourth embodiment of FIG. 9 will be described with reference to FIG.

【0051】図9において、図示しないタイマはリフレ
ッシュ周期T毎に1回のパルス信号を発生しており、こ
のパルス信号はリフレッシュ要求信号「REF要求」
(図10の参照)として、タイミング制御回路21a
に加わる。バックアップ時、タイミング制御回路21a
はリフレッシュ要求信号「REF要求」を受けると、図
10のに示す4個のパルスからなるリフレッシュ信号
RRASを出力する。
In FIG. 9, a timer (not shown) generates a pulse signal once every refresh cycle T, and this pulse signal is a refresh request signal "REF request".
(See FIG. 10) As a timing control circuit 21a
Join in. Timing control circuit 21a during backup
When receiving the refresh request signal "REF request", outputs a refresh signal RRAS consisting of four pulses shown in FIG.

【0052】このリフレッシュ信号RRASはシフトレ
ジスタ21jのクロック端子に与えられる。一方、この
とき、フリップフロップ21nの出力XQ(反転出力)
はハイレベルであるので、アンドゲート21pを介して
リフレッシュ要求信号「REF要求」がシフトレジスタ
21jのデータイン端子に入力され、シフトレジスタ2
1jの出力QAがハイレベルとなる。
The refresh signal RRAS is applied to the clock terminal of the shift register 21j. On the other hand, at this time, the output XQ (inverted output) of the flip-flop 21n
Is high level, the refresh request signal "REF request" is input to the data-in terminal of the shift register 21j through the AND gate 21p, and the shift register 2
The output QA of 1j becomes high level.

【0053】次にフリップフロップ21nのクロック端
子(反転入力)に加わるリフレッシュ信号RRASがロ
ーレベルになると、フリップフロップ21nは反転し
(フリップフロップ21nのクロック入力端子CLKが
反転入力端子のため)、その出力REFEはローレベル
になる(図10の参照)。このため、アンドゲート2
1pの出力はローレベルとなるが(図10の参照)、
第3の実施例において説明したのと同様、シフトレジス
タ21jの出力QA〜QDは、クロック端子にRRAS
が加わるごとに、順次ハイレベルとなり、この信号はオ
アゲート21f−0〜21f−3に加わる。
Next, when the refresh signal RRAS applied to the clock terminal (inverting input) of the flip-flop 21n becomes low level, the flip-flop 21n is inverted (because the clock input terminal CLK of the flip-flop 21n is an inverting input terminal), The output REFE becomes low level (see FIG. 10). Therefore, AND gate 2
The output of 1p becomes low level (see FIG. 10),
As described in the third embodiment, the outputs QA to QD of the shift register 21j are supplied to the clock terminal RRAS.
Every time is added, the signal sequentially becomes high level, and this signal is added to the OR gates 21f-0 to 21f-3.

【0054】また、バックアップ時には、バックアップ
信号*BKUPはローレベルのため、オアゲート21f
−0〜21f−3の他方の入力はローレベルであり、オ
アゲート21f−0〜21f−3は図10の-1〜-3
に示す出力を発生する。オアゲート21f−0〜21f
−3の出力はアンドゲート21g−0〜21g−3に与
えられ、タイミング制御回路21aが出力するリフレッ
シュ信号RRAS(図10の参照)とアンドが取ら
れ、ノアゲート21h−0〜21h−3に与えられる。
At the time of backup, since the backup signal * BKUP is at low level, the OR gate 21f
The other input of −0 to 21f-3 is low level, and the OR gates 21f-0 to 21f-3 are −1 to −3 in FIG.
Produces the output shown in. OR gate 21f-0 to 21f
-3 is applied to AND gates 21g-0 to 21g-3, ANDed with the refresh signal RRAS (see FIG. 10) output from the timing control circuit 21a, and applied to NOR gates 21h-0 to 21h-3. Be done.

【0055】ノアゲート21h−0〜21h−3はアン
ドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転し、図1
0の-1〜-4に示すように、リフレッシュ周期内に4
回に分割したリフレッシュ信号*RAS0〜*RAS3
を出力してメモリ・ブロック22aないし22dをリフ
レッシュする。ついで、リフレッシュ要求信号「REF
要求」がローレベルになりフリップフロップ21nのク
リア端子CLK(反転入力)に加わると、フリップフロ
ップ21nは再び反転して、その出力XQ(反転出力)
は再びハイレベルとなる。
The NOR gates 21h-0 to 21h-3 invert the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3, and FIG.
0 within the refresh period, as shown in -1 to -4
Refresh signals divided into times * RAS0 to * RAS3
To refresh the memory blocks 22a to 22d. Then, the refresh request signal "REF
When "request" becomes low level and is applied to the clear terminal CLK (inverted input) of the flip-flop 21n, the flip-flop 21n is inverted again and its output XQ (inverted output)
Goes high again.

【0056】そして、次のリフレッシュ要求信号「RE
F要求」がハイレベルになると、上記した動作を繰り返
す。次に、通常時には、バックアップ信号*BKUPは
ハイレベルであり、タイミング制御回路21aはリフレ
ッシュ要求信号「REF要求」を受けて、第2の実施例
の図5のに示すようにリフレッシュ周期T内に1回の
リフレッシュ信号RRASを出力する。
Then, the next refresh request signal "RE
When the "F request" becomes high level, the above operation is repeated. Next, at a normal time, the backup signal * BKUP is at a high level, and the timing control circuit 21a receives the refresh request signal "REF request", and within the refresh cycle T as shown in FIG. 5 of the second embodiment. The refresh signal RRAS is output once.

【0057】一方、図9のオアゲート21f−0〜21
f−3の出力は、バックアップ信号*BKUPがハイレ
ベルのため、ハイレベルである。このため、アンドゲー
ト21g−0〜21g−3はリフレッシュ信号RRAS
がハイレベルのとき出力を発生し、この出力はノアゲー
ト21h−0〜21h−3に与えられる。
On the other hand, OR gates 21f-0 to 21 of FIG.
The output of f-3 is at high level because the backup signal * BKUP is at high level. Therefore, the AND gates 21g-0 to 21g-3 have the refresh signal RRAS.
Is high level, an output is generated, and this output is given to the NOR gates 21h-0 to 21h-3.

【0058】ノアゲート21h−0〜21h−3はアン
ドゲート21g−0〜21g−3の出力を反転し、リフ
レッシュ周期T内に1回だけ一括したリフレッシュ信号
*RAS0〜*RAS3を発生し、メモリ・ブロック2
2aないしメモリ・ブロック22dをリフレッシュす
る。以上のように、本実施例によれば、第1の実施例と
同様、バックアップ時には、リフレッシュ信号*RAS
0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に4回に分割し
て出力し、また、通常時には、リフレッシュ信号*RA
S0〜*RAS3をリフレッシュ周期T内に1回だけ一
括して出力するので、バックアップ時におけるバックア
ップ電源のピーク消費電流を抑えることができ、また、
通常時におけるリフレッシュによるメモリの占有時間の
増加を抑えることができる。
The NOR gates 21h-0 to 21h-3 invert the outputs of the AND gates 21g-0 to 21g-3, generate the refresh signals * RAS0 to * RAS3 collectively at one time within the refresh cycle T, and execute the memory. Block 2
2a or memory block 22d is refreshed. As described above, according to the present embodiment, as in the first embodiment, at the time of backup, the refresh signal * RAS
0 to * RAS3 are divided into four times and output within the refresh cycle T, and the refresh signal * RA is normally provided.
Since S0 to * RAS3 are collectively output only once within the refresh cycle T, the peak current consumption of the backup power supply during backup can be suppressed, and
It is possible to suppress an increase in the occupied time of the memory due to the refresh in the normal time.

【0059】また、本実施例においても第3の実施例と
同様、シフトレジスタを用いてリフレッシュ信号を出力
しているので、メモリブロックの数に増減があっても、
シフトレジスタの段数を変えるだけて容易に対応するこ
とができる。
Also in this embodiment, as in the third embodiment, since the refresh signal is output using the shift register, even if the number of memory blocks increases or decreases,
This can be easily handled by changing the number of stages of the shift register.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明においては、予備電源によるDRAMのバックア
ップ時、DRAMのメモリ・ブロックのリフレッシュを
分割して行い、通常時には、一括して行っているので、
通常時におけるリフレッシュのためのメモリ占有時間を
増大させることなく、DRAMをバックアップする予備
電源の容量を小さくすることができる。
As is clear from the above description,
In the present invention, when the DRAM is backed up by the standby power supply, the refreshing of the memory block of the DRAM is performed in a divided manner, and in the normal state, it is performed collectively.
It is possible to reduce the capacity of the backup power supply that backs up the DRAM without increasing the memory occupation time for refreshing in normal times.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明原理図である。FIG. 1 is a principle view of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図3】第1の実施例のタイムチャートである。FIG. 3 is a time chart of the first embodiment.

【図4】本発明の第2の実施例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】第2の実施例のタイムチャートである。FIG. 5 is a time chart of the second embodiment.

【図6】本発明の第3の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図7】シフトレジスタの構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a shift register.

【図8】第2の実施例のタイムチャートである。FIG. 8 is a time chart of the second embodiment.

【図9】本発明の第4の実施例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図10】第4の実施例のタイムチャートである。FIG. 10 is a time chart of the fourth embodiment.

【図11】従来例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リフレッシュ手段 1a リフレッシュ信号出力手段 1b リフレッシュ信号分配手段 2 ダイナミックRAM 21 リフレッシュ制御回路 21a タイミング制御回路 21b 4進バイナリ・カウンタ 21c 4分周回路 21d セレクタ 21e デコーダ 21f−0,21f−3,21f−3,21f−3
オアゲート 21g−0,21g−3 21g−3,21g−3,
アンドゲート 21k,21p
アンドゲート 21h−0,21h−3 ノアゲート 22a〜22d メモリ・ブロック 21j シフト・レジスタ 21m ナンドゲート 21n フリップフロップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 refresh means 1a refresh signal output means 1b refresh signal distribution means 2 dynamic RAM 21 refresh control circuit 21a timing control circuit 21b quaternary binary counter 21c 4 frequency divider circuit 21d selector 21e decoder 21f-0, 21f-3, 21f-3 , 21f-3
OR gate 21g-0, 21g-3 21g-3, 21g-3,
AND gate 21k, 21p
AND gate 21h-0, 21h-3 NOR gate 22a to 22d Memory block 21j Shift register 21m NAND gate 21n Flip-flop

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のメモリブロックからなるダイナミ
ックRAM(2) と、所定のリフレッシュ周期でダイナミ
ックRAM(2) をリフレッシュするリフレッシュ手段
(1) を備えたダイナミックRAMのリフレッシュ制御方
式において、 上記リフレッシュ手段(1) は、リフレッシュ要求信号が
入力されたとき、バックアップ信号の有無に応じて、リ
フレッシュ周期内に複数個もしくは1個のリフレッシュ
信号を発生するリフレッシュ信号出力手段(1a)と、 複数個のリフレッシュ信号をダイナミックRAM(2) の
各メモリ・ブロックへ分配して出力するリフレッシュ信
号分配手段(1b)とを備えており、 予備電源によるダイナミックRAM(2) のバックアップ
時には、リフレッシュ信号出力手段(1a)がリフレッシュ
周期内に複数個のリフレッシュ信号を発生し、 リフレッシュ信号分配手段(1b)が、リフレッシュ信号出
力手段(1a)が発生する複数個のリフレッシュ信号をダイ
ナミックRAM(2) の各メモリ・ブロックへ分配して出
力することにより、 ダイナミックRAM(2) の複数のメモリブロックを分割
してリフレッシュし、 通常時には、リフレッシュ信号出力手段(1a)がリフレッ
シュ周期内に1個のリフレッシュ信号を発生して、ダイ
ナミックRAM(2) の複数のメモリブロックを一括して
リフレッシュすることにより、 予備電源によるダイナミックRAM(2) のバックアップ
時のピーク消費電流を抑制することを特徴とするダイナ
ミックRAMのリフレッシュ制御方式。
1. A dynamic RAM (2) comprising a plurality of memory blocks, and refresh means for refreshing the dynamic RAM (2) at a predetermined refresh cycle.
In the dynamic RAM refresh control system including (1), the refresh means (1) refreshes a plurality or one within a refresh cycle according to the presence / absence of a backup signal when a refresh request signal is input. A refresh signal output means (1a) for generating a signal and a refresh signal distribution means (1b) for distributing and outputting a plurality of refresh signals to each memory block of the dynamic RAM (2) are provided. When the dynamic RAM (2) is backed up by the refresh signal output means (1a) generates a plurality of refresh signals within the refresh cycle, the refresh signal distribution means (1b) generates the refresh signal output means (1a). Distributes multiple refresh signals to each memory block of dynamic RAM (2). By outputting, the plurality of memory blocks of the dynamic RAM (2) are divided and refreshed, and normally, the refresh signal output means (1a) generates one refresh signal within the refresh cycle, and the dynamic RAM (2) is generated. A refresh control method for the dynamic RAM, characterized in that the peak current consumption during backup of the dynamic RAM (2) by the standby power supply is suppressed by collectively refreshing the multiple memory blocks of 2).
【請求項2】 リフレッシュ信号分配手段(1b)が、リフ
レッシュ信号出力手段(1a)が発生する複数個のリフレッ
シュ信号をカウントするバイナリ・カウンタと、バイナ
リ・カウンタの出力をデコードするデコーダとを備え、
デコーダの出力により、ダイナミックRAM(2) の複数
のメモリブロックを分割してリフレッシュすることを特
徴とする請求項1のダイナミックRAMのリフレッシュ
制御方式。
2. The refresh signal distribution means (1b) comprises a binary counter for counting a plurality of refresh signals generated by the refresh signal output means (1a), and a decoder for decoding the output of the binary counter.
2. A refresh control system for a dynamic RAM according to claim 1, wherein a plurality of memory blocks of the dynamic RAM (2) are divided and refreshed by the output of the decoder.
【請求項3】 リフレッシュ信号分配手段(1b)が、リフ
レッシュ信号出力手段(1a)が発生する複数個のリフレッ
シュ信号応じてシフトパルスを発生するシフトレジスタ
を備え、シフトレジスタの出力により、ダイナミックR
AM(2) の複数のメモリブロックを分割してリフレッシ
ュすることを特徴とする請求項1のダイナミックRAM
のリフレッシュ制御方式。
3. The refresh signal distribution means (1b) comprises a shift register for generating a shift pulse according to a plurality of refresh signals generated by the refresh signal output means (1a), and the dynamic R is provided by the output of the shift register.
2. The dynamic RAM according to claim 1, wherein a plurality of memory blocks of AM (2) are divided and refreshed.
Refresh control method.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006085752A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit
JP2007188635A (en) * 2007-04-16 2007-07-26 Elpida Memory Inc Semiconductor storage device
JP2007310960A (en) * 2006-05-18 2007-11-29 Fujitsu Ltd Semiconductor memory
JP2011081881A (en) * 2009-10-09 2011-04-21 Elpida Memory Inc Semiconductor memory device and data processing system
JP2011165306A (en) * 2010-02-11 2011-08-25 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor memory device using internal high power supply voltage in self-refresh operation mode and high power supply voltage application method of the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006085752A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit
JP2007310960A (en) * 2006-05-18 2007-11-29 Fujitsu Ltd Semiconductor memory
JP2007188635A (en) * 2007-04-16 2007-07-26 Elpida Memory Inc Semiconductor storage device
JP2011081881A (en) * 2009-10-09 2011-04-21 Elpida Memory Inc Semiconductor memory device and data processing system
JP2011165306A (en) * 2010-02-11 2011-08-25 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor memory device using internal high power supply voltage in self-refresh operation mode and high power supply voltage application method of the same

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