JPH05296927A - ガス中の微量水分測定装置 - Google Patents
ガス中の微量水分測定装置Info
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- JPH05296927A JPH05296927A JP3357406A JP35740691A JPH05296927A JP H05296927 A JPH05296927 A JP H05296927A JP 3357406 A JP3357406 A JP 3357406A JP 35740691 A JP35740691 A JP 35740691A JP H05296927 A JPH05296927 A JP H05296927A
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- gas
- reflecting mirror
- temperature
- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は予め冷却をしない被測定ガスを、冷
却されている反射鏡に直接接触させて、反射鏡上に露ま
たは霜を発生させて、それの後、昇華点、積層凝固点を
測定することによって、露点、霜点を、ガス中の水分を
測定する。 【構成】 熱伝導性の良い材料から構成されているA室
と少なくとも1部が熱伝導性の良くない材料から構成さ
れているB室からなる、A室とB室との境界壁に穴が形
成され、B室内にその穴に被さるように反射鏡が設置さ
れている。被測定ガスはヒーターによって、常温に近い
適当な温度に制御されたA室に入り、反射鏡に接触し、
B室の出口から排出されるが、測定ガスが、A室とB室
の間に設置された反射鏡面に十分に接触し、平衡に近い
状態で露及び/又は霜の変化を正確に検知される。
却されている反射鏡に直接接触させて、反射鏡上に露ま
たは霜を発生させて、それの後、昇華点、積層凝固点を
測定することによって、露点、霜点を、ガス中の水分を
測定する。 【構成】 熱伝導性の良い材料から構成されているA室
と少なくとも1部が熱伝導性の良くない材料から構成さ
れているB室からなる、A室とB室との境界壁に穴が形
成され、B室内にその穴に被さるように反射鏡が設置さ
れている。被測定ガスはヒーターによって、常温に近い
適当な温度に制御されたA室に入り、反射鏡に接触し、
B室の出口から排出されるが、測定ガスが、A室とB室
の間に設置された反射鏡面に十分に接触し、平衡に近い
状態で露及び/又は霜の変化を正確に検知される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、−80℃以下の低温度
の霜点をもつ非凝縮性微量水分含有ガスの水分量測定装
置に関する。近年、技術のめざましい発展にともなっ
て、微量水分量0.5ppm以下(露点−80℃以下)
のようなN2、Ar、H2、Heなどの不活性ガスの利用
が増加している。特に半導体工業におけるエピタキシャ
ル成長やCVDの材料ガス、キャリアガスは、超高純度
が要求されており、−80℃以下の露点を正確に測定す
ることが要求されるようになった。
の霜点をもつ非凝縮性微量水分含有ガスの水分量測定装
置に関する。近年、技術のめざましい発展にともなっ
て、微量水分量0.5ppm以下(露点−80℃以下)
のようなN2、Ar、H2、Heなどの不活性ガスの利用
が増加している。特に半導体工業におけるエピタキシャ
ル成長やCVDの材料ガス、キャリアガスは、超高純度
が要求されており、−80℃以下の露点を正確に測定す
ることが要求されるようになった。
【従来の技術】特開昭63−309846号には、常温
から液体窒素温度までの温度を変えることが可能な反射
鏡、その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノ
ズル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に放射
される集光光線又はレーザー光発射装置、散乱光の急激
な増加を検知する検知装置からなる露点計又は露点計を
使用し、その方法は、(a) 被測定ガスを反射鏡の温
度近くまで冷却する工程、(b) 前記反射鏡に向けて
前記ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c) そ
の反射鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点に
できる限り集光させた光線又はレーザー光を反射させる
工程、および(d) 散乱光の急激な増加を検出するこ
とにより、−80℃以下液体窒素温度までの露点および
/または霜点を測定することからなるガス中の微量水分
測定方法が開示されている。しかし特開昭63−309
846号記載の発明において、被測定ガスを反射鏡に吹
きつける前にかなり低温にまで冷却することを特徴とし
ている。
から液体窒素温度までの温度を変えることが可能な反射
鏡、その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノ
ズル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に放射
される集光光線又はレーザー光発射装置、散乱光の急激
な増加を検知する検知装置からなる露点計又は露点計を
使用し、その方法は、(a) 被測定ガスを反射鏡の温
度近くまで冷却する工程、(b) 前記反射鏡に向けて
前記ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c) そ
の反射鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点に
できる限り集光させた光線又はレーザー光を反射させる
工程、および(d) 散乱光の急激な増加を検出するこ
とにより、−80℃以下液体窒素温度までの露点および
/または霜点を測定することからなるガス中の微量水分
測定方法が開示されている。しかし特開昭63−309
846号記載の発明において、被測定ガスを反射鏡に吹
きつける前にかなり低温にまで冷却することを特徴とし
ている。
【課題を解決するための手段】本発明は、被測定ガスが
反射鏡に接触する前に特にその被測定ガスが有する霜点
の近くにまで冷却しないことを特徴としている。本発明
は、−80℃以下のガス中の特に、霜点を測定する装置
であり、その装置は下記を含む: (i) 熱伝導性が良い材料から構成されているA室、(i
i) 被測定ガス用入口がA室に設けられ、(iii) A室の
温度を調節するためのヒータと、温度センサーがA室に
設けられ、(iv) A室に隣接してB室が設けられ、B室
の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料から構成さ
れ、(v) A室とB室との境界の面部に穴又はノズルが
設けられ、(vi) B室にその穴又はノズルに被さるよう
に温度センサーを有する反射鏡が設けられ、その反射鏡
は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の変動が可
能なように、冷凍源に熱的に接続されており、(vii) B
室にはガス出口が設けられ、(viii) その穴又はノズル
とその反射鏡との間にわずかな隙間が形成されており、
(ix) 反射鏡面上に放射される集光光線又はレーザ光
線発射装置、(x) 反射鏡面上に形成された霜に向け
て、集光光線又はレーザ光線を投射することにより散乱
された光線の急激な変化を検知する受光装置、および、
(xi) 反射鏡面上に形成される霜が発生した温度を判
断する検知装置に関する。本発明の装置を図面によって
説明する。その実施態様の1つを示した第1図について
説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ、
3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば金、
銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はクロム
等からなる熱伝導の良い材料で構成されている。5はガ
ラスなどの透光性材料製の窓である。6は被測定ガス用
の入口である。7はB室であり、A室4とB室7との境
界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被さるよう
に熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられている。こ
の熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝導の良い
材料で構成されている。11は反射鏡10と面部8との
間の隙間である。隙間11は小さい方が良いが、あまり
小さく設計すると製造上の少しのミスで反射鏡10と面
部8とが接触してしまう可能性がある。そのためその隙
間は0.1〜2.0mmであることが好ましい。B室7
の少なくとも1部はステンレス、銅−ニッケル合金、ガ
ラス、セラミックス、プラスチック(フッ素樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱伝導度の低い材
料から構成されている。これは冷凍面3によりA室を、
できるだけ冷却させないためである。余り極度にA室が
冷却する場合には、A室内で水分が吸着し、水分の全て
が鏡面に凝縮しないで低い水分量を示すこともあり、1
室の場合には、真空断熱の不良などで、セル全体が冷却
する結果、セル内の材料の選択によっては、加熱時に、
鏡面よりも低い部分に水分が凝固する結果、必ずしも再
現性のよい値が得られにくい。12はガス出口である。
13は集光レンズであり、14は光源であって、例えば
発光ダイオード等が用いられる。15は集光レンズであ
り、16は光検知装置である。17、18は光ファイバ
ーである。19と19′とは熱電対又は抵抗温度計で、
反射鏡とA室の温度をそれぞれ測定するために挿入され
ている。本発明の装置を用いてガス中の水分を測定する
には、まず被測定ガスを入口6よりヒータ2′と温度セ
ンサー19′とにより一定温度に制御されたA室4に導
入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触し、ガス中
に含まれている微量の水分は反射鏡10上に露又は霜を
形成する。そのガスは隙間11を通ってB室7の出口1
2から放出される。隙間11の隙間を小さくしたのでガ
スがA室4からB室7に穴を通って移動する際必ずガス
は反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された露又は霜に
対して、光源14と集光レンズ13によって光をできる
だけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜による散乱光
の急激な変化を集光レンズ15及び検知装置16で測定
し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度セン
サー19により測定する。その後、冷凍機を停止し、ヒ
ーター2により反射鏡10を加熱する。一般に冷凍発生
部はヘリウム冷凍機(図示せず)で行うが、液体窒素の
冷凍源を利用することも可能である。第2図は本発明の
別の実施例である。101は冷凍発生部である。102
と102′はヒータである。103は冷凍面である。1
04はA室であり、A室は、第1図の例と同様な熱伝導
の良い材料で構成されている。106は被測定ガスの入
口である。107はB室であり、A室104とB室10
7との境界の面部108に穴109が設けられている。
穴109に被さるように熱伝導体120の上に反射鏡1
10が設けられている。111は反射鏡110と面部1
08との間の隙間である。この隙間111及びB室10
7の材料は第1図の実施例と同様である。112はガス
出口である。119と119′とは熱電対又は抵抗温度
計で、反射鏡とA室の温度をそれぞれ測定し、別個に機
能させるために挿入されている。即ち、第1図の実施例
と同様に、温度センサー119は、霜点を測定するのが
主な目的であるが、その他に、ヘリウム冷凍機の作動
や、ヒータ102の作動を制御し、温度センサー11
9′は、ヒータ102′の作動によってA室の温度を自
由に制御するためのものである。第1図と異なる点は、
A室には透光性の窓がなく、A室内に設けられた集光レ
ンズ付の発光ダイオードのような光源114と、散乱光
を受光するための集光レンズ付の検知装置116によっ
て反射光上に形成された露や霜への光の投射及び、それ
によって生ずる散乱光が受光され、露点計のセル外に
は、118,117の電気配線及び受発信のための電気
回路119がある点だけが異なっている。さらに、第3
図は本発明のもう一つ別の実施例を述べるためのもので
ある。201は冷凍発生部であり、200にヘリウム冷
凍機が示されている。202と202′とはヒータであ
る。203は冷凍面である。204はA室であり、20
6は被測定ガスの入口である。207はB室であり、A
室204とB室との境界は、穴でなく209のようなゆ
るやかなノズルが設けられている。ノズル209に被さ
るように熱伝導体220の上に反射鏡210が設けられ
ている。211はノズル209と反射鏡210との隙間
である。A室の材料208及びB室の材料の1部221
には、第1図と同様に熱伝導率の良い材料と、不良の材
料が用いられており、212はガス出口である。219
と219′とは熱電対又は抵抗温度計であり、202と
202′はヒータである。230はケーシングであり、
配管231を用いて、真空ポンプ(図示せず)を用いて
232へケーシング230内の空気は真空断熱のため排
気される。205と205′は透光性の良いガラス窓で
あって、発光ダイオードなどの光源から、光ファイバー
217を通って、集光レンズ213で集光され、反射鏡
211に投射され、鏡面上で散乱された光は、集光レン
ズ215を通り、光ファイバー218を経て光検知器
(図示せず)に伝送される。図1に示された第一の実施
例との差は、A室とB室との間にノズルを用いている点
だけであって、その他の作用については、何等異なる点
はないので説明は省略する。一般に上記装置においてA
室の空間は0.5〜5mlであることが好ましい。又A
室の平面形状は、任意である。上記図面において本発明
の装置はA室が上にB室が下に図示されている。しか
し、B室が上でA室が下であっても良い。又A室及びB
室が並んで水平な状態であっても良い。第4図は本発明
の一実施例を示し、この装置においては、露点又は霜点
の測定がコンピューターで処理されている。反射鏡表面
10は、ヘリウム冷凍機111によって冷却される。こ
の装置においては、発光ダイオード101からの光は光
ファイバ102を介して集光レンズ103に伝送され該
集光レンズ103によって集束された後反射鏡表面10
に集光されるように照射される。反射鏡表面10に照射
された光は反射鏡表面によって反射されるが、ごく一部
は散乱光となって集光レンズ108及び光ファイバー1
02′を介して光検出器117によって検出される。測
定ガスがガス入口6よりA室4から反射鏡表面10に接
触され該ガス中の微量水分が反射鏡表面10上で結露す
ると、ミラー表面10上の散乱光が急激に増加する。ガ
スは出口12より放出される。該増加した散乱光は集光
レンズ108によって集光され、光ファイバー102′
を介して搬送されて光検出器117によって検知され
る。光検出器117の出力レベルは特に露点が比較的低
い場合においては検出器の出力は極めて低いので、光検
出器の出力は増幅器141に導入されて増幅される。該
アンプ出力はインターフェース142を介してCPU1
43に供給される。発光ダイオード101がノイズを有
すると、ノイズも又アンプ141によって増幅され、こ
れは信号の見誤りを生ずる。そこで、ノイズ除去のため
に光検出器117′、アンプ141′及びノイズエリミ
ネータ100からなるフイードパック回路が設けてあ
る。すなわち、発光ダイオード101の光エネルギーの
一部を光検出器117と同等の光検出器117′に供給
する。光検出器117′の出力は更にアンプ141と同
等のアンプ141′に供給されて増幅され、該増幅出力
はノイズエリミネータ100に供給される。ノイズエリ
ミネータ100はノイズに対応する出力を発光ダイオー
ド101にフイードバックすることによつて発光ダイオ
ード101からノイズを除去する。この結果、散乱によ
る出力のみを正確に取出すことができ、露点の検出限界
を下げることができる。反射鏡表面10の温度は温度セ
ンサー10.9によって検出されサーモメータ109′
及びインターフェース142を介してCPU143に供
給される。CPU143は温度センサ109からのミラ
ー表面温度信号と光検出器117からの出力を計算し、
デジタル指示器147、プリンタ148、アナグロデイ
スプレイ150及びデイスプレイ149に、それぞれの
表示手段に合った信号を供給する。コントローラ144
は測定装置の各エレメントを制御する。例えば、露点の
測定が終了するとコントローラ144からの信号によっ
てヘリウム冷却機111を停止すると共にヒータ106
を作動させて反射鏡表面10の露や霜を消失させる。ま
た、コントローラ111は露点測定終了の際に警報装置
151に信号を送り警報を発することもできる。好まし
くは、反射鏡の表面はシリコンウェハーから構成され
る。シリコンウェハーは、反射鏡としては表面の平滑さ
に於て優れているが、光の吸収率が大きい。この欠点を
解消するために行ったのが、シリコンウェハー上へのア
ルミニウムの蒸着或はスパッタリングすることである。
しかし、アルミニウム膜を形成したシリコンウェハー反
射鏡では、短時間で反射率が低下する可能性がある。こ
れは、ノイズから吹付けられるガス中に含まれる硬度の
高い微細なアルミナやシリカ並びに配管から出て来るF
e、Fi、Cr、Cuなどの酸化物パーテイクルや、氷
の微細な結晶に対して、アルミニウムのような柔らかい
金属では平滑性を失うからである。この問題を解決する
ためには、アルミ薄膜上を透明で硬度の高い窒化アルミ
ニウムで覆うことである。この場合、LEDの633n
mの波長では、アルミニウム薄膜の98%程度、又半導
体レーザーを光源とした場合の780nmの波長でも9
3%程度と、アルミニウム薄膜よりは多少は低下するも
のゝ、充分に大きいSN比をとることが出来、しかも、
10,000時間以上の連続使用に耐えることを確認し
た。アルミニウム薄膜上に窒化アルミニウム薄膜を積層
するには、シリコン結晶のへきかい面の111面か10
0面を充分に研磨したシリコンウエハー表面に真空中で
アルミニウムを蒸着させるか、又は、減圧アルゴン中
で、スパッタリングによって被覆させたアルミニウム薄
膜上に、さらにN2中でアルミニウムのスパッタリング
を行うことにより製作することが出来る。このようにし
て作成した反射鏡の表面は、窒化アルミニウム薄膜の硬
度が高く、しかも透明度が優れていることから、理想的
な反射鏡表面の保護膜としての性能を示した。−80℃
以下の露点をもった非常に微量の水分を露点で測定する
のに有効な方法としては、集光された光を該鏡面の、被
測定ガスがノズルで吹付けられる箇所に向けて照射する
ことが絶対条件であり、考案者等の実験によれば、光の
入射角について種々の条件に於て測定した結果、該鏡面
に垂直に近い程、散乱光の急激な変化を読みとるのに感
度がよいことがわかった。光源に発光ダイオードを用い
た結果では、該鏡面に垂直に近い程よく、このことは、
垂直に近い程、該鏡面上に、よりよく集光されて照射さ
れている結果であることを示している。本発明では被測
定ガスを反射鏡に接触する前に低温の接ガス表面に接触
することにより、ガス中の水分が吸着あるいは相変化
し、それによって低い目の露点、霜点を測定することの
ないことが特徴である。それがため本発明ではガス中の
水分を正確に測定できるように、ガスの温度を自由に制
御できる。
反射鏡に接触する前に特にその被測定ガスが有する霜点
の近くにまで冷却しないことを特徴としている。本発明
は、−80℃以下のガス中の特に、霜点を測定する装置
であり、その装置は下記を含む: (i) 熱伝導性が良い材料から構成されているA室、(i
i) 被測定ガス用入口がA室に設けられ、(iii) A室の
温度を調節するためのヒータと、温度センサーがA室に
設けられ、(iv) A室に隣接してB室が設けられ、B室
の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料から構成さ
れ、(v) A室とB室との境界の面部に穴又はノズルが
設けられ、(vi) B室にその穴又はノズルに被さるよう
に温度センサーを有する反射鏡が設けられ、その反射鏡
は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の変動が可
能なように、冷凍源に熱的に接続されており、(vii) B
室にはガス出口が設けられ、(viii) その穴又はノズル
とその反射鏡との間にわずかな隙間が形成されており、
(ix) 反射鏡面上に放射される集光光線又はレーザ光
線発射装置、(x) 反射鏡面上に形成された霜に向け
て、集光光線又はレーザ光線を投射することにより散乱
された光線の急激な変化を検知する受光装置、および、
(xi) 反射鏡面上に形成される霜が発生した温度を判
断する検知装置に関する。本発明の装置を図面によって
説明する。その実施態様の1つを示した第1図について
説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ、
3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば金、
銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はクロム
等からなる熱伝導の良い材料で構成されている。5はガ
ラスなどの透光性材料製の窓である。6は被測定ガス用
の入口である。7はB室であり、A室4とB室7との境
界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被さるよう
に熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられている。こ
の熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝導の良い
材料で構成されている。11は反射鏡10と面部8との
間の隙間である。隙間11は小さい方が良いが、あまり
小さく設計すると製造上の少しのミスで反射鏡10と面
部8とが接触してしまう可能性がある。そのためその隙
間は0.1〜2.0mmであることが好ましい。B室7
の少なくとも1部はステンレス、銅−ニッケル合金、ガ
ラス、セラミックス、プラスチック(フッ素樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱伝導度の低い材
料から構成されている。これは冷凍面3によりA室を、
できるだけ冷却させないためである。余り極度にA室が
冷却する場合には、A室内で水分が吸着し、水分の全て
が鏡面に凝縮しないで低い水分量を示すこともあり、1
室の場合には、真空断熱の不良などで、セル全体が冷却
する結果、セル内の材料の選択によっては、加熱時に、
鏡面よりも低い部分に水分が凝固する結果、必ずしも再
現性のよい値が得られにくい。12はガス出口である。
13は集光レンズであり、14は光源であって、例えば
発光ダイオード等が用いられる。15は集光レンズであ
り、16は光検知装置である。17、18は光ファイバ
ーである。19と19′とは熱電対又は抵抗温度計で、
反射鏡とA室の温度をそれぞれ測定するために挿入され
ている。本発明の装置を用いてガス中の水分を測定する
には、まず被測定ガスを入口6よりヒータ2′と温度セ
ンサー19′とにより一定温度に制御されたA室4に導
入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触し、ガス中
に含まれている微量の水分は反射鏡10上に露又は霜を
形成する。そのガスは隙間11を通ってB室7の出口1
2から放出される。隙間11の隙間を小さくしたのでガ
スがA室4からB室7に穴を通って移動する際必ずガス
は反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された露又は霜に
対して、光源14と集光レンズ13によって光をできる
だけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜による散乱光
の急激な変化を集光レンズ15及び検知装置16で測定
し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度セン
サー19により測定する。その後、冷凍機を停止し、ヒ
ーター2により反射鏡10を加熱する。一般に冷凍発生
部はヘリウム冷凍機(図示せず)で行うが、液体窒素の
冷凍源を利用することも可能である。第2図は本発明の
別の実施例である。101は冷凍発生部である。102
と102′はヒータである。103は冷凍面である。1
04はA室であり、A室は、第1図の例と同様な熱伝導
の良い材料で構成されている。106は被測定ガスの入
口である。107はB室であり、A室104とB室10
7との境界の面部108に穴109が設けられている。
穴109に被さるように熱伝導体120の上に反射鏡1
10が設けられている。111は反射鏡110と面部1
08との間の隙間である。この隙間111及びB室10
7の材料は第1図の実施例と同様である。112はガス
出口である。119と119′とは熱電対又は抵抗温度
計で、反射鏡とA室の温度をそれぞれ測定し、別個に機
能させるために挿入されている。即ち、第1図の実施例
と同様に、温度センサー119は、霜点を測定するのが
主な目的であるが、その他に、ヘリウム冷凍機の作動
や、ヒータ102の作動を制御し、温度センサー11
9′は、ヒータ102′の作動によってA室の温度を自
由に制御するためのものである。第1図と異なる点は、
A室には透光性の窓がなく、A室内に設けられた集光レ
ンズ付の発光ダイオードのような光源114と、散乱光
を受光するための集光レンズ付の検知装置116によっ
て反射光上に形成された露や霜への光の投射及び、それ
によって生ずる散乱光が受光され、露点計のセル外に
は、118,117の電気配線及び受発信のための電気
回路119がある点だけが異なっている。さらに、第3
図は本発明のもう一つ別の実施例を述べるためのもので
ある。201は冷凍発生部であり、200にヘリウム冷
凍機が示されている。202と202′とはヒータであ
る。203は冷凍面である。204はA室であり、20
6は被測定ガスの入口である。207はB室であり、A
室204とB室との境界は、穴でなく209のようなゆ
るやかなノズルが設けられている。ノズル209に被さ
るように熱伝導体220の上に反射鏡210が設けられ
ている。211はノズル209と反射鏡210との隙間
である。A室の材料208及びB室の材料の1部221
には、第1図と同様に熱伝導率の良い材料と、不良の材
料が用いられており、212はガス出口である。219
と219′とは熱電対又は抵抗温度計であり、202と
202′はヒータである。230はケーシングであり、
配管231を用いて、真空ポンプ(図示せず)を用いて
232へケーシング230内の空気は真空断熱のため排
気される。205と205′は透光性の良いガラス窓で
あって、発光ダイオードなどの光源から、光ファイバー
217を通って、集光レンズ213で集光され、反射鏡
211に投射され、鏡面上で散乱された光は、集光レン
ズ215を通り、光ファイバー218を経て光検知器
(図示せず)に伝送される。図1に示された第一の実施
例との差は、A室とB室との間にノズルを用いている点
だけであって、その他の作用については、何等異なる点
はないので説明は省略する。一般に上記装置においてA
室の空間は0.5〜5mlであることが好ましい。又A
室の平面形状は、任意である。上記図面において本発明
の装置はA室が上にB室が下に図示されている。しか
し、B室が上でA室が下であっても良い。又A室及びB
室が並んで水平な状態であっても良い。第4図は本発明
の一実施例を示し、この装置においては、露点又は霜点
の測定がコンピューターで処理されている。反射鏡表面
10は、ヘリウム冷凍機111によって冷却される。こ
の装置においては、発光ダイオード101からの光は光
ファイバ102を介して集光レンズ103に伝送され該
集光レンズ103によって集束された後反射鏡表面10
に集光されるように照射される。反射鏡表面10に照射
された光は反射鏡表面によって反射されるが、ごく一部
は散乱光となって集光レンズ108及び光ファイバー1
02′を介して光検出器117によって検出される。測
定ガスがガス入口6よりA室4から反射鏡表面10に接
触され該ガス中の微量水分が反射鏡表面10上で結露す
ると、ミラー表面10上の散乱光が急激に増加する。ガ
スは出口12より放出される。該増加した散乱光は集光
レンズ108によって集光され、光ファイバー102′
を介して搬送されて光検出器117によって検知され
る。光検出器117の出力レベルは特に露点が比較的低
い場合においては検出器の出力は極めて低いので、光検
出器の出力は増幅器141に導入されて増幅される。該
アンプ出力はインターフェース142を介してCPU1
43に供給される。発光ダイオード101がノイズを有
すると、ノイズも又アンプ141によって増幅され、こ
れは信号の見誤りを生ずる。そこで、ノイズ除去のため
に光検出器117′、アンプ141′及びノイズエリミ
ネータ100からなるフイードパック回路が設けてあ
る。すなわち、発光ダイオード101の光エネルギーの
一部を光検出器117と同等の光検出器117′に供給
する。光検出器117′の出力は更にアンプ141と同
等のアンプ141′に供給されて増幅され、該増幅出力
はノイズエリミネータ100に供給される。ノイズエリ
ミネータ100はノイズに対応する出力を発光ダイオー
ド101にフイードバックすることによつて発光ダイオ
ード101からノイズを除去する。この結果、散乱によ
る出力のみを正確に取出すことができ、露点の検出限界
を下げることができる。反射鏡表面10の温度は温度セ
ンサー10.9によって検出されサーモメータ109′
及びインターフェース142を介してCPU143に供
給される。CPU143は温度センサ109からのミラ
ー表面温度信号と光検出器117からの出力を計算し、
デジタル指示器147、プリンタ148、アナグロデイ
スプレイ150及びデイスプレイ149に、それぞれの
表示手段に合った信号を供給する。コントローラ144
は測定装置の各エレメントを制御する。例えば、露点の
測定が終了するとコントローラ144からの信号によっ
てヘリウム冷却機111を停止すると共にヒータ106
を作動させて反射鏡表面10の露や霜を消失させる。ま
た、コントローラ111は露点測定終了の際に警報装置
151に信号を送り警報を発することもできる。好まし
くは、反射鏡の表面はシリコンウェハーから構成され
る。シリコンウェハーは、反射鏡としては表面の平滑さ
に於て優れているが、光の吸収率が大きい。この欠点を
解消するために行ったのが、シリコンウェハー上へのア
ルミニウムの蒸着或はスパッタリングすることである。
しかし、アルミニウム膜を形成したシリコンウェハー反
射鏡では、短時間で反射率が低下する可能性がある。こ
れは、ノイズから吹付けられるガス中に含まれる硬度の
高い微細なアルミナやシリカ並びに配管から出て来るF
e、Fi、Cr、Cuなどの酸化物パーテイクルや、氷
の微細な結晶に対して、アルミニウムのような柔らかい
金属では平滑性を失うからである。この問題を解決する
ためには、アルミ薄膜上を透明で硬度の高い窒化アルミ
ニウムで覆うことである。この場合、LEDの633n
mの波長では、アルミニウム薄膜の98%程度、又半導
体レーザーを光源とした場合の780nmの波長でも9
3%程度と、アルミニウム薄膜よりは多少は低下するも
のゝ、充分に大きいSN比をとることが出来、しかも、
10,000時間以上の連続使用に耐えることを確認し
た。アルミニウム薄膜上に窒化アルミニウム薄膜を積層
するには、シリコン結晶のへきかい面の111面か10
0面を充分に研磨したシリコンウエハー表面に真空中で
アルミニウムを蒸着させるか、又は、減圧アルゴン中
で、スパッタリングによって被覆させたアルミニウム薄
膜上に、さらにN2中でアルミニウムのスパッタリング
を行うことにより製作することが出来る。このようにし
て作成した反射鏡の表面は、窒化アルミニウム薄膜の硬
度が高く、しかも透明度が優れていることから、理想的
な反射鏡表面の保護膜としての性能を示した。−80℃
以下の露点をもった非常に微量の水分を露点で測定する
のに有効な方法としては、集光された光を該鏡面の、被
測定ガスがノズルで吹付けられる箇所に向けて照射する
ことが絶対条件であり、考案者等の実験によれば、光の
入射角について種々の条件に於て測定した結果、該鏡面
に垂直に近い程、散乱光の急激な変化を読みとるのに感
度がよいことがわかった。光源に発光ダイオードを用い
た結果では、該鏡面に垂直に近い程よく、このことは、
垂直に近い程、該鏡面上に、よりよく集光されて照射さ
れている結果であることを示している。本発明では被測
定ガスを反射鏡に接触する前に低温の接ガス表面に接触
することにより、ガス中の水分が吸着あるいは相変化
し、それによって低い目の露点、霜点を測定することの
ないことが特徴である。それがため本発明ではガス中の
水分を正確に測定できるように、ガスの温度を自由に制
御できる。
【実施例−1】セル(A室)の温度を20℃とした場合
(本発明)とセルの温度を−100℃とした場合(従来
法)の露点の比較を行なった、その結果を以下に示す。
セルの温度を0℃ならびに、30℃で実験した結果は、
何れも下記の20℃での結果と殆んど差は見られなかっ
た。 測定サンプル 1 2 3 4 従来 −107.4℃ −108.3℃ −119.8℃ 検知せず 本発明 新 −98.6℃ −99.7℃- −111.2℃ −119.7℃ ────────────────────────────────── ─ 差 8.5℃ 8.6℃ 8.6℃
(本発明)とセルの温度を−100℃とした場合(従来
法)の露点の比較を行なった、その結果を以下に示す。
セルの温度を0℃ならびに、30℃で実験した結果は、
何れも下記の20℃での結果と殆んど差は見られなかっ
た。 測定サンプル 1 2 3 4 従来 −107.4℃ −108.3℃ −119.8℃ 検知せず 本発明 新 −98.6℃ −99.7℃- −111.2℃ −119.7℃ ────────────────────────────────── ─ 差 8.5℃ 8.6℃ 8.6℃
【実施例−2】セルA室の温度を20℃とした場合と、
−50℃とした場合とを比較すると、夫々、−112.
5℃と−110.5℃を示し、−50℃の場合が2℃高
い値を示した。このことは、A室の温度を−50℃程度
にした場合がもっとも露点(核形成露点)は高い値を示
すことが見られた。
−50℃とした場合とを比較すると、夫々、−112.
5℃と−110.5℃を示し、−50℃の場合が2℃高
い値を示した。このことは、A室の温度を−50℃程度
にした場合がもっとも露点(核形成露点)は高い値を示
すことが見られた。
【実施例−3】セルA室の温度20℃、−10℃、−5
0℃で、昇華点測定を行なった結果、夫々−105.0
℃、−104.3℃、−104.7℃を示したので、昇
華点或は、積層凝固には殆んどA室の影響はないことが
わかった。
0℃で、昇華点測定を行なった結果、夫々−105.0
℃、−104.3℃、−104.7℃を示したので、昇
華点或は、積層凝固には殆んどA室の影響はないことが
わかった。
【本発明の実施の態様】温度を変えることができる反射
鏡、前記反射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反
射鏡に集光光線及び/又はレーザー光を放射する手段、
その反射鏡上に形成された露及び/霜に基づく散乱光及
び/又は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点
計を使用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触
させ、そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線
又はレーザー光を放射し、その反射鏡とそのガスとを接
触前又はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその
反射鏡の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び
/又は霜を形成させ、結露点及び/又は結霜点付近で反
射鏡の温度を徐々に加熱しそして冷却する操作を少なく
とも1回繰返し、それによって散乱光及び/又は反射光
の強さの最大となる温度及び散乱光及び/又は反射光の
強さが最小となる温度を検出し、その最大温度及びその
最小温度をそのガスの露点及び/又は霜点とすることを
含む微量水分を含むガスの露点又は霜点を決定する方法
に関する。前記反射鏡の温度を徐々に加熱又は冷却は式 R(T)=R(To)[P′(T)/P′(To)]n ・・・・・ (1) 描かれた曲線に概略沿って間歇式又は連続式に加熱又は
冷却速度を させながら行なわれる請求項1の方法: 式 Tは反射鏡の温度(K) Toは室温から液体窒素の温度までの任意に選べる特定
な温度(K) R(T)はその反射鏡の温度(K)での冷却及び/又は
加熱速度 P′(T)は温度(T)を変数として求められる氷の飽
和蒸気圧の値 P′(To)は特定の温度Toでの水の飽和蒸気圧の
値、及び nは固定した温度インターバル△Tにわたっての反射光
及び/又は散乱光の変化の測定のため2以上の実質上一
定の信号対ノイズを得るための選ばれた値である。今こ
の原理を第5図によって説明する。図5において反射鏡
の温度を低下させる。イ点で結露または結霜が生じる。
しかし過冷却となっているので、この点は正確な露点又
は霜点ではない。さらに温度を低下させロ点から温度を
上昇させる。当然この状態では過冷却になっているの
で、氷は成長し続ける。散乱光及び/又は反射光の強さ
が最大となった点を昇華点とする。この時の反射鏡の温
度をTsとする。次いで反射鏡を加熱する。そこで氷は
溶け初め、次いで反射鏡を冷却するとホの点で散乱光及
び/又は反射光の強さは最小となる。この時の温度はT
sとなる。この場合Tsがそのガスの正しい露点又は霜
点ということができる。さらに反射鏡を加熱又は冷却を
続けると散乱光及び/又は反射光のカーブも又放物線を
描いて変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
この時の冷却温度及び加熱温度のプロフィール1例は次
の通りである。
鏡、前記反射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反
射鏡に集光光線及び/又はレーザー光を放射する手段、
その反射鏡上に形成された露及び/霜に基づく散乱光及
び/又は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点
計を使用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触
させ、そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線
又はレーザー光を放射し、その反射鏡とそのガスとを接
触前又はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその
反射鏡の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び
/又は霜を形成させ、結露点及び/又は結霜点付近で反
射鏡の温度を徐々に加熱しそして冷却する操作を少なく
とも1回繰返し、それによって散乱光及び/又は反射光
の強さの最大となる温度及び散乱光及び/又は反射光の
強さが最小となる温度を検出し、その最大温度及びその
最小温度をそのガスの露点及び/又は霜点とすることを
含む微量水分を含むガスの露点又は霜点を決定する方法
に関する。前記反射鏡の温度を徐々に加熱又は冷却は式 R(T)=R(To)[P′(T)/P′(To)]n ・・・・・ (1) 描かれた曲線に概略沿って間歇式又は連続式に加熱又は
冷却速度を させながら行なわれる請求項1の方法: 式 Tは反射鏡の温度(K) Toは室温から液体窒素の温度までの任意に選べる特定
な温度(K) R(T)はその反射鏡の温度(K)での冷却及び/又は
加熱速度 P′(T)は温度(T)を変数として求められる氷の飽
和蒸気圧の値 P′(To)は特定の温度Toでの水の飽和蒸気圧の
値、及び nは固定した温度インターバル△Tにわたっての反射光
及び/又は散乱光の変化の測定のため2以上の実質上一
定の信号対ノイズを得るための選ばれた値である。今こ
の原理を第5図によって説明する。図5において反射鏡
の温度を低下させる。イ点で結露または結霜が生じる。
しかし過冷却となっているので、この点は正確な露点又
は霜点ではない。さらに温度を低下させロ点から温度を
上昇させる。当然この状態では過冷却になっているの
で、氷は成長し続ける。散乱光及び/又は反射光の強さ
が最大となった点を昇華点とする。この時の反射鏡の温
度をTsとする。次いで反射鏡を加熱する。そこで氷は
溶け初め、次いで反射鏡を冷却するとホの点で散乱光及
び/又は反射光の強さは最小となる。この時の温度はT
sとなる。この場合Tsがそのガスの正しい露点又は霜
点ということができる。さらに反射鏡を加熱又は冷却を
続けると散乱光及び/又は反射光のカーブも又放物線を
描いて変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
この時の冷却温度及び加熱温度のプロフィール1例は次
の通りである。
【表1】
【表2】 上記式(1)は曲線となる。加熱及び冷却速度は低温に
なる程速度は速くなる。例えば20℃から−70℃の冷
却速度は上記の例では10.0℃/分であるのに対し、
−130℃から−135℃までの冷却速度は0.016
℃/分である。上記(1)の曲線に従って冷却又は加熱
を行なうと仮定すると、低温になる程度加熱又は冷却速
度を遅くしなければならず、これを実施するために完全
なコンピューター制御を行なわなければならない。しか
しこれは経済的ではない。上記の表に示すように間歇的
に温度を下げていくのが一般的である。例えば5℃ごと
に冷却又は加熱速度を変化させるのである。上述の式
(1)で描かれた曲線に概略沿って間歇的に加熱又は冷
却速度を変化させるとは、上述に表に示されるようなこ
とを述べている。図6は同様な実験について反射鏡の温
度と散乱光及び/又は反射光との関係をグラフにしたも
のである。反射鏡の加熱及び冷却の操作を繰返すと、図
6に示されるように散乱光及び/又は反射光の強さは、
放物線を描いて、環状に変化する。図7は具体的なガス
について霜の蒸気圧と散乱光の変化の割合を示すグラフ
である。図6において、反射鏡の温度を変化させると散
乱光及び/又は反射光の強さはチ、リ、ヌとカーブを描
いて変化する。チ、リ、ヌのカーブを微分して直線とし
て表わしたのが、図7である。図7においてチ′、リ′
及びヌ′は図6におけるチ、リ及びヌに対応する。この
ガスの水分含有量は1.30ppbであるということが
できる。この場合の実験条件は次の通りである。 To=−90℃ R(Ts)=約4℃/分 n=約0.67 △T=約0.4℃ 2秒間に1回のサンプル測定 さらに本発明の特徴は一般にこのような測定にノイズは
必ず生ずる。散乱光及び/又は反射光の強度の上昇点を
結露又は結霜点とするとノイズのため正確な点を読むこ
とができない場合がある。しかしながら、本発明のよう
に山型の頂点および谷型の頂点から結露又は結霜点を見
つける場合、たとえノイズが発生していても、実際の点
を外挿することが容易であり、頂点である結露又は結霜
点を容易に見つけることができる。図8は従来の方法に
おける結露又は結霜の形成点(NO)から散乱光及び/
又は反射光の強さが最大となる点(S)とSから結露又
は結霜が消える点である。従来の方法では長時間かか
る。図9は本発明の昇華点(S1,S2)と積層凝固点
(A)との関係を示す本発明ではその時間が非常に短縮
されることは明白である。アプリケーション 低温光学露点計を用いて、いくつかの測定例を以下に示
した。チューブのクリーンアップ現象 大気に放置された1/4インチのEPチューブにゲッター
精製器で精製されたN2ガスを流通した時のチューブの
クリーンアップ現象を測定した。結露点(N1)と平衡点
を測定するための3点(S2,N3,S4)の温度を時間の経
過とともに測定したものを(図 Vo1)に示した。これ
は、平衡点は水分温度に換算したもの、結露点は便宜的
に氷の蒸気圧曲線より換算した値をプロットしたもので
ある。これによると平衡点は、ほぼリニアに減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象をう
まくとらえている。それに対し、結露点は平衡点に比べ
て、低い値を示す。O2 バッシベーション処理の効果 前述のO2 バッシベーション処理したチューブと処理を
施していないチューブとの比較を実施した。
に測定を実施した系を示したが、測定には LN2を蒸発さ
せた超低露点N2 ガスを用いた。このガスを MFCで流量
制御し、測定対象チューブに流通して、クリーンアップ
の速度を測定したものである。測定対象チューブは外径
3/8インチのものと1インチのものを用いた。また、外
径 3/8インチのチューブについては、O2 バッシベーシ
ョン処理を施した時の、温度の異なったチューブについ
ても測定を実施した。これによると、クリーンアップの
速度は、処理を施していないEPチューブが最も遅く、
400−500℃で処理したものが最も良いことがわか
る。また処理温度の違いにより、チューブ内面よりの放
出水分の挙動が異なり、逆に、最適処理温度が放出水分
の挙動から決定できることがわかる。露点と水分濃度について 露点と水分濃度が互いに換算可能であることは、よく知
られた事実であり、現に水分量の表示方法として〔℃〕
や〔ppm〕等の単位が混在して用いられている。そこ
で、ここでは、その換算について述べる。水分計は、そ
の性質より水分量を測定し、露点に換算する。一方、露
点計は露点を測定して水分量に換算している。これらの
換算は、水の飽和蒸気圧を用いて、分圧と全圧の比でも
って実施する。又、飽和蒸気圧は、温度の関数であるの
で、ある程度における分圧と全圧の比を求めれば、簡単
に露点と水分濃度の関数を求めることができる。そこで
一般的には、露点は大気圧における相変化点、すなわち
結露(結霜)点であるので、全圧は大気圧をとる。しか
し、この方法を用いる場合、いくつかの注意する点があ
るので、以下に示す。 水の飽和蒸気圧曲線は多数報告されており、各々、
少しづづ異なっている点 飽和蒸気圧を用いるため、完全に平衡、すなわち飽
和となった状態を測定した場合のみ換算が可能という点 これらの留意点を考慮した上で、露点と水分濃度の換算
が可能となる。JIS KO512 (水素)の中には、−100
℃までの露点と水分濃度の換算表が示されているが、−
100℃以下の換算表を規定したものはない。そこで、
前述のように水の飽和蒸気圧曲線の外挿線を用いて、換
算することになる。現在、最も信頼できる式としては、
以下の式がある。 log10PH2O = -2445.5646/T+8.2312 log10T -0.01677006T+1.20514×10-5T2-6.757169 C = PH2O/760・109 T : 絶対温度〔K〕(露点) PH2O : 水の飽和蒸気圧〔mmHg〕 C : 水分濃度〔ppb〕 この式を用いることにより、〔ppb〕から〔ppt〕レベル
のような非常に低い露点域においても、換算が可能とな
る。図12は標準ガス(水分含有量が知られている)の
霜点と本発明に従って測定された平衡点(℃)の関係を
示し、そして図13は標準ガスの水分と現実にEP(平
衡点)測定水分との関係を示す。図12及び13から本
発明の方法では非常にガス中の水分を正確に測定できる
ことが明白である。
なる程速度は速くなる。例えば20℃から−70℃の冷
却速度は上記の例では10.0℃/分であるのに対し、
−130℃から−135℃までの冷却速度は0.016
℃/分である。上記(1)の曲線に従って冷却又は加熱
を行なうと仮定すると、低温になる程度加熱又は冷却速
度を遅くしなければならず、これを実施するために完全
なコンピューター制御を行なわなければならない。しか
しこれは経済的ではない。上記の表に示すように間歇的
に温度を下げていくのが一般的である。例えば5℃ごと
に冷却又は加熱速度を変化させるのである。上述の式
(1)で描かれた曲線に概略沿って間歇的に加熱又は冷
却速度を変化させるとは、上述に表に示されるようなこ
とを述べている。図6は同様な実験について反射鏡の温
度と散乱光及び/又は反射光との関係をグラフにしたも
のである。反射鏡の加熱及び冷却の操作を繰返すと、図
6に示されるように散乱光及び/又は反射光の強さは、
放物線を描いて、環状に変化する。図7は具体的なガス
について霜の蒸気圧と散乱光の変化の割合を示すグラフ
である。図6において、反射鏡の温度を変化させると散
乱光及び/又は反射光の強さはチ、リ、ヌとカーブを描
いて変化する。チ、リ、ヌのカーブを微分して直線とし
て表わしたのが、図7である。図7においてチ′、リ′
及びヌ′は図6におけるチ、リ及びヌに対応する。この
ガスの水分含有量は1.30ppbであるということが
できる。この場合の実験条件は次の通りである。 To=−90℃ R(Ts)=約4℃/分 n=約0.67 △T=約0.4℃ 2秒間に1回のサンプル測定 さらに本発明の特徴は一般にこのような測定にノイズは
必ず生ずる。散乱光及び/又は反射光の強度の上昇点を
結露又は結霜点とするとノイズのため正確な点を読むこ
とができない場合がある。しかしながら、本発明のよう
に山型の頂点および谷型の頂点から結露又は結霜点を見
つける場合、たとえノイズが発生していても、実際の点
を外挿することが容易であり、頂点である結露又は結霜
点を容易に見つけることができる。図8は従来の方法に
おける結露又は結霜の形成点(NO)から散乱光及び/
又は反射光の強さが最大となる点(S)とSから結露又
は結霜が消える点である。従来の方法では長時間かか
る。図9は本発明の昇華点(S1,S2)と積層凝固点
(A)との関係を示す本発明ではその時間が非常に短縮
されることは明白である。アプリケーション 低温光学露点計を用いて、いくつかの測定例を以下に示
した。チューブのクリーンアップ現象 大気に放置された1/4インチのEPチューブにゲッター
精製器で精製されたN2ガスを流通した時のチューブの
クリーンアップ現象を測定した。結露点(N1)と平衡点
を測定するための3点(S2,N3,S4)の温度を時間の経
過とともに測定したものを(図 Vo1)に示した。これ
は、平衡点は水分温度に換算したもの、結露点は便宜的
に氷の蒸気圧曲線より換算した値をプロットしたもので
ある。これによると平衡点は、ほぼリニアに減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象をう
まくとらえている。それに対し、結露点は平衡点に比べ
て、低い値を示す。O2 バッシベーション処理の効果 前述のO2 バッシベーション処理したチューブと処理を
施していないチューブとの比較を実施した。
に測定を実施した系を示したが、測定には LN2を蒸発さ
せた超低露点N2 ガスを用いた。このガスを MFCで流量
制御し、測定対象チューブに流通して、クリーンアップ
の速度を測定したものである。測定対象チューブは外径
3/8インチのものと1インチのものを用いた。また、外
径 3/8インチのチューブについては、O2 バッシベーシ
ョン処理を施した時の、温度の異なったチューブについ
ても測定を実施した。これによると、クリーンアップの
速度は、処理を施していないEPチューブが最も遅く、
400−500℃で処理したものが最も良いことがわか
る。また処理温度の違いにより、チューブ内面よりの放
出水分の挙動が異なり、逆に、最適処理温度が放出水分
の挙動から決定できることがわかる。露点と水分濃度について 露点と水分濃度が互いに換算可能であることは、よく知
られた事実であり、現に水分量の表示方法として〔℃〕
や〔ppm〕等の単位が混在して用いられている。そこ
で、ここでは、その換算について述べる。水分計は、そ
の性質より水分量を測定し、露点に換算する。一方、露
点計は露点を測定して水分量に換算している。これらの
換算は、水の飽和蒸気圧を用いて、分圧と全圧の比でも
って実施する。又、飽和蒸気圧は、温度の関数であるの
で、ある程度における分圧と全圧の比を求めれば、簡単
に露点と水分濃度の関数を求めることができる。そこで
一般的には、露点は大気圧における相変化点、すなわち
結露(結霜)点であるので、全圧は大気圧をとる。しか
し、この方法を用いる場合、いくつかの注意する点があ
るので、以下に示す。 水の飽和蒸気圧曲線は多数報告されており、各々、
少しづづ異なっている点 飽和蒸気圧を用いるため、完全に平衡、すなわち飽
和となった状態を測定した場合のみ換算が可能という点 これらの留意点を考慮した上で、露点と水分濃度の換算
が可能となる。JIS KO512 (水素)の中には、−100
℃までの露点と水分濃度の換算表が示されているが、−
100℃以下の換算表を規定したものはない。そこで、
前述のように水の飽和蒸気圧曲線の外挿線を用いて、換
算することになる。現在、最も信頼できる式としては、
以下の式がある。 log10PH2O = -2445.5646/T+8.2312 log10T -0.01677006T+1.20514×10-5T2-6.757169 C = PH2O/760・109 T : 絶対温度〔K〕(露点) PH2O : 水の飽和蒸気圧〔mmHg〕 C : 水分濃度〔ppb〕 この式を用いることにより、〔ppb〕から〔ppt〕レベル
のような非常に低い露点域においても、換算が可能とな
る。図12は標準ガス(水分含有量が知られている)の
霜点と本発明に従って測定された平衡点(℃)の関係を
示し、そして図13は標準ガスの水分と現実にEP(平
衡点)測定水分との関係を示す。図12及び13から本
発明の方法では非常にガス中の水分を正確に測定できる
ことが明白である。
【図1】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図2】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図3】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図4】光検知器の回路を示す。
【図5】反射鏡の温度と散乱光及び/又は反射光の強さ
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
【図6】図1と関連して反射光の強さと散乱光及び/又
は反射光の強さの関係を示すグラフ。
は反射光の強さの関係を示すグラフ。
【図7】図2の関係を微分して直線化したグラフ。
【図8】核形成−昇華サイクル時間とタイムインターバ
ルの関係(従来技術)を示すグラフ。
ルの関係(従来技術)を示すグラフ。
【図9】昇華−積層凝固点サイクル時間を示すグラフ
(本発明)。
(本発明)。
【図10】チューブのクリーンアップ現象のグラフ。
【図11】チューブクリーンアップ速度の測定系。
【図12】標準ガスの霜点と測定された平衡点の関係を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図13】標準ガス水分とEP測定水分との関係を示す
グラフ。
グラフ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年1月24日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ガス中の微量水分測定装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、−80℃以下の低温度の露点を
もつ非凝縮性微量水分含有ガスの水分測定装置に関す
る。
もつ非凝縮性微量水分含有ガスの水分測定装置に関す
る。
【0002】近年、技術のめざましい発展にともなっ
て、微量水分量0.5ppm以下(露点−80℃以下)
のようなN2、Ar、H2、Heなどの不活性ガスの利
用が増加している。特に半導体工業におけるエピタキシ
ャル成長やCVDの材料ガス、キャリアガスは、超高純
度が要求されており、−80℃以下の露点を正確に測定
することが要求されるようになった。
て、微量水分量0.5ppm以下(露点−80℃以下)
のようなN2、Ar、H2、Heなどの不活性ガスの利
用が増加している。特に半導体工業におけるエピタキシ
ャル成長やCVDの材料ガス、キャリアガスは、超高純
度が要求されており、−80℃以下の露点を正確に測定
することが要求されるようになった。
【0003】
【従来技術】特開昭63−309846号には、従来か
ら液体窒素温度まで温度を変えることが可能な反射鏡、
その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノズ
ル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に放射さ
れる集光光線又はレーザー光線発射装置、散乱光の急激
な増加を検知する検知装置からなる露点計又は霜点計を
使用し、その方法は、(a)被測定ガスを反射鏡の温度
近くまで冷却する工程、(b)前記反射鏡に向けて前記
ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c)その反射
鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点にできる
限り集光させた光線又はレーザー光を発射させる工程、
および(d)散乱光の急激な増加を検出することによ
り、−80℃以下液体窒素温度までの露点および/また
は霜点を測定することからなるガス中の微量水分測定方
法が開示されている。
ら液体窒素温度まで温度を変えることが可能な反射鏡、
その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノズ
ル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に放射さ
れる集光光線又はレーザー光線発射装置、散乱光の急激
な増加を検知する検知装置からなる露点計又は霜点計を
使用し、その方法は、(a)被測定ガスを反射鏡の温度
近くまで冷却する工程、(b)前記反射鏡に向けて前記
ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c)その反射
鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点にできる
限り集光させた光線又はレーザー光を発射させる工程、
および(d)散乱光の急激な増加を検出することによ
り、−80℃以下液体窒素温度までの露点および/また
は霜点を測定することからなるガス中の微量水分測定方
法が開示されている。
【0004】しかし特開昭63−309846号記載の
発明において、被測定ガスを反射鏡に吹きつける前にか
なり低温にまで冷却することを特徴としている。
発明において、被測定ガスを反射鏡に吹きつける前にか
なり低温にまで冷却することを特徴としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、被測定ガスが
反射鏡に接触する前に特にその被測定ガスが有する霜点
の近くにまで冷却しないことを特徴としている。
反射鏡に接触する前に特にその被測定ガスが有する霜点
の近くにまで冷却しないことを特徴としている。
【0006】本発明は、 −80℃以下のガス中の特
に、露点又は霜点を測定する装置であり、その装置は下
記を含む: (i)熱伝導性が良い材料から構成されているA室、
(ii)被測定ガス用入口がA室に設けられ、(ii
i)A室の温度を調節するためのヒータと、温度センサ
ーが設けられ、(iv)A室に隣接してB室が設けら
れ、B室の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料か
ら構成され、(v)A室とB室との境界の面部に穴又は
ノズルが設けられ、(vi)B室に穴またはノズルに被
さるように温度センサーを有する反射鏡が設けられ、そ
の反射鏡は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の
変動が可能なように、冷凍源に熱的に接続されており、
(vii)B室にはガス出口が設けられ、(viii)
その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわずかな隙間
が形成されており、(ix)反射鏡面上に放射される集
光光線又はレーザー光発射装置、(x)反射鏡面上に形
成された霜に向けて、集光光線又はレーザー光線を投射
することにより、散乱された光線の変化を検知する受光
装置、及び、(xi)反射鏡上に形成される霜が発生し
た温度を判断する検知装置に関する。
に、露点又は霜点を測定する装置であり、その装置は下
記を含む: (i)熱伝導性が良い材料から構成されているA室、
(ii)被測定ガス用入口がA室に設けられ、(ii
i)A室の温度を調節するためのヒータと、温度センサ
ーが設けられ、(iv)A室に隣接してB室が設けら
れ、B室の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料か
ら構成され、(v)A室とB室との境界の面部に穴又は
ノズルが設けられ、(vi)B室に穴またはノズルに被
さるように温度センサーを有する反射鏡が設けられ、そ
の反射鏡は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の
変動が可能なように、冷凍源に熱的に接続されており、
(vii)B室にはガス出口が設けられ、(viii)
その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわずかな隙間
が形成されており、(ix)反射鏡面上に放射される集
光光線又はレーザー光発射装置、(x)反射鏡面上に形
成された霜に向けて、集光光線又はレーザー光線を投射
することにより、散乱された光線の変化を検知する受光
装置、及び、(xi)反射鏡上に形成される霜が発生し
た温度を判断する検知装置に関する。
【0007】本発明の装置を図面によって説明する。
【0008】その実施態様の1つを示した第1図につい
て説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ
ー、3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば
金、銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はク
ロム等からなる熱伝導の良い材料で構成されている。5
はガラスなどの透光性材料製の窓である。6は被測定ガ
ス用入口である。7はB室であり、A室4とB室7との
境界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被さるよ
うに熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられている。
この熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝導の良
い材料で構成されている。11は反射鏡10と面部8と
の間の隙間である。隙間11は小さい方が良いが、あま
り小さく設計すると製造上の少しのミスで反射鏡10と
面部8とが接触してしまう可能性がある。そのため隙間
は0.1〜2.0mmであることが好ましい。B室7の
少なくとも1部はステンレス、銅−ニッケル合金、ガラ
ス、セラミックス、プラスチックス(フッ素樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱伝導度の低い材
料から構成されている。これは冷凍面3によりA室を、
できるだけ冷却させないためである。余り極度にA室が
冷却される場合には、A室内で水分が吸着し、水分の全
てが鏡面に凝縮しないで低い水分量を示すこともあり、
1室の場合には、セル全体が冷却される結果、セル内の
材料の選択によっては、鏡面よりも低い部分が存在し、
その部分に水分が凝固する結果、必ずしも再現性のよい
値が得られにくいことも起りうる。
て説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ
ー、3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば
金、銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はク
ロム等からなる熱伝導の良い材料で構成されている。5
はガラスなどの透光性材料製の窓である。6は被測定ガ
ス用入口である。7はB室であり、A室4とB室7との
境界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被さるよ
うに熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられている。
この熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝導の良
い材料で構成されている。11は反射鏡10と面部8と
の間の隙間である。隙間11は小さい方が良いが、あま
り小さく設計すると製造上の少しのミスで反射鏡10と
面部8とが接触してしまう可能性がある。そのため隙間
は0.1〜2.0mmであることが好ましい。B室7の
少なくとも1部はステンレス、銅−ニッケル合金、ガラ
ス、セラミックス、プラスチックス(フッ素樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱伝導度の低い材
料から構成されている。これは冷凍面3によりA室を、
できるだけ冷却させないためである。余り極度にA室が
冷却される場合には、A室内で水分が吸着し、水分の全
てが鏡面に凝縮しないで低い水分量を示すこともあり、
1室の場合には、セル全体が冷却される結果、セル内の
材料の選択によっては、鏡面よりも低い部分が存在し、
その部分に水分が凝固する結果、必ずしも再現性のよい
値が得られにくいことも起りうる。
【0009】12はガス出口である。13は集光レンズ
であり、14は光源であって、例えば発光ダイオード等
が用いられる。15は集光レンズであり、16は光検知
装置である。17、18は光ファイバーである。19と
19′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室の温
度をそれぞれ測定するために挿入されている。
であり、14は光源であって、例えば発光ダイオード等
が用いられる。15は集光レンズであり、16は光検知
装置である。17、18は光ファイバーである。19と
19′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室の温
度をそれぞれ測定するために挿入されている。
【0010】本発明の装置を用いてガス中の水分を測定
するには、まず被測定ガスを入口6より、ヒーター2′
と温度センサー19′とにより一定温度に制御されたA
室4に導入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触
し、ガス中に含まれている微量の水分は反射鏡10上に
露又は霜を形成する。そのガスは隙間11を通ってB室
7の出口12から放出される。隙間11の間隔を小さく
したのでガスがA室4からB室7に穴を通って移動する
際必ずガスは反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された
露又は霜に対して、光源14と集光レンズ13によって
光をできるだけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜に
よる散乱光の変化を集光レンズ15及び検知装置16で
測定し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度
センサー19により測定する。又、反射鏡10の温度の
冷却や加熱の速度は、ヒーター2と温度センサー19と
によって、何のようにも制御することが出来る。
するには、まず被測定ガスを入口6より、ヒーター2′
と温度センサー19′とにより一定温度に制御されたA
室4に導入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触
し、ガス中に含まれている微量の水分は反射鏡10上に
露又は霜を形成する。そのガスは隙間11を通ってB室
7の出口12から放出される。隙間11の間隔を小さく
したのでガスがA室4からB室7に穴を通って移動する
際必ずガスは反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された
露又は霜に対して、光源14と集光レンズ13によって
光をできるだけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜に
よる散乱光の変化を集光レンズ15及び検知装置16で
測定し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度
センサー19により測定する。又、反射鏡10の温度の
冷却や加熱の速度は、ヒーター2と温度センサー19と
によって、何のようにも制御することが出来る。
【0011】一般に冷凍発生部はヘリウム冷凍機(図示
せず)で行うが、液体窒素の冷凍源を利用することも可
能である。
せず)で行うが、液体窒素の冷凍源を利用することも可
能である。
【0012】なお、実施例を示す図1Aには、散乱光の
変化を集光レンズ15及び検知装置16で測定するため
の態様を示したが、図2には、投射光のレンズ13を、
反射鏡10の斜め上から投射し、その反射光軸上に集光
レンズ15を設置した実施例を示した。即ち、本発明
は、散乱光、反射光の変化の測定の何れにも対応出来る
ものである。
変化を集光レンズ15及び検知装置16で測定するため
の態様を示したが、図2には、投射光のレンズ13を、
反射鏡10の斜め上から投射し、その反射光軸上に集光
レンズ15を設置した実施例を示した。即ち、本発明
は、散乱光、反射光の変化の測定の何れにも対応出来る
ものである。
【0013】第3図は本発明の別の実施例である。10
1は冷凍発生部である。102と102′はヒータであ
る。103は冷凍面である。104はA室であり、A室
は、第1図の例と同様な熱伝導の良い材料で構成されて
いる。106は被測定ガスの入口である。107はB室
であり、A室104とB室107との境界の面部108
に穴109が設けられている。穴109に被さるように
熱伝導体120の上に反射鏡110が設けられている。
111は反射鏡110と面部108との間の隙間であ
る。この隙間111及びB室107の材料は第1図の実
施例と同様である。112はガス出口である。119と
119′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室の
温度をそれぞれ測定し、別個に機能させるために挿入さ
れている。即ち、第1図の実施例と同時に、温度センサ
ー119は、霜点を測定するのが主な目的であるが、そ
の他に、ヘリウム冷凍機の作動や、ヒータ102の作動
を制御し、反射鏡面110の温度を自由に変動できる目
的にも使用され、温度センサー119′は、ヒータ10
2′の作動によってA室の温度を自由に制御するための
ものである。第1図と異なる点は、A室には透光性の窓
がなく、A室内に設けられた集光レンズ付の発光ダイオ
ードのような光源114と、散乱光を受光するための集
光レンズ付の検知装置116によって反射光上に形成さ
れた露や霜への光の投射及びそれによって生ずる散乱光
が受光され、露点計のセル外には、118、117の電
気配線及び受発信のための電気回路119がある点だけ
が異なっている。さらに、図4には、光源114の反射
鏡110面上での反射光を集光レンズ付検知装置で検知
し、反射光の変化を受光する場合を示している。
1は冷凍発生部である。102と102′はヒータであ
る。103は冷凍面である。104はA室であり、A室
は、第1図の例と同様な熱伝導の良い材料で構成されて
いる。106は被測定ガスの入口である。107はB室
であり、A室104とB室107との境界の面部108
に穴109が設けられている。穴109に被さるように
熱伝導体120の上に反射鏡110が設けられている。
111は反射鏡110と面部108との間の隙間であ
る。この隙間111及びB室107の材料は第1図の実
施例と同様である。112はガス出口である。119と
119′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室の
温度をそれぞれ測定し、別個に機能させるために挿入さ
れている。即ち、第1図の実施例と同時に、温度センサ
ー119は、霜点を測定するのが主な目的であるが、そ
の他に、ヘリウム冷凍機の作動や、ヒータ102の作動
を制御し、反射鏡面110の温度を自由に変動できる目
的にも使用され、温度センサー119′は、ヒータ10
2′の作動によってA室の温度を自由に制御するための
ものである。第1図と異なる点は、A室には透光性の窓
がなく、A室内に設けられた集光レンズ付の発光ダイオ
ードのような光源114と、散乱光を受光するための集
光レンズ付の検知装置116によって反射光上に形成さ
れた露や霜への光の投射及びそれによって生ずる散乱光
が受光され、露点計のセル外には、118、117の電
気配線及び受発信のための電気回路119がある点だけ
が異なっている。さらに、図4には、光源114の反射
鏡110面上での反射光を集光レンズ付検知装置で検知
し、反射光の変化を受光する場合を示している。
【0014】さらに、第5図は本発明のもう一つ別の実
施例を述べるためのものである。201は冷凍発生部で
あり、200にヘリウム冷凍機が示されている。202
と202′とはヒータである。203は冷凍面である。
204はA室であり、206は被測定ガスの入口であ
る。207はB室であり、A室204とB室との境界
は、穴でなく209のようなゆるやかなノズルが設けら
れている。ノズル209に被さるように熱伝導体220
の上に反射鏡210が設けられている。211はノズル
209と反射鏡210との隙間である。A室の材料20
8及び、B室の材料の1部221には、第1図と同様に
熱伝導率の良い材料と、不良の材料が用いられており、
212はガスの出口である。219と219′とは熱電
対又は抵抗温度計であり、202と202′はヒータで
ある。230はケーシングであり、配管231を用い
て、真空ポンプ(図示せず)を用いて232へケーシン
グ230内の空気は真空断熱のため排気される。205
と205′は、透光性の良いガラス窓であって、発光ダ
イオードなどの光源から、光ファイバー217を通っ
て、集光レンズ213で集光され、反射鏡211に投射
され、鏡面上で散乱された光は、集光レンズ215を通
り、光ファイバー218を経て光検知器(図示せず)に
伝送される。
施例を述べるためのものである。201は冷凍発生部で
あり、200にヘリウム冷凍機が示されている。202
と202′とはヒータである。203は冷凍面である。
204はA室であり、206は被測定ガスの入口であ
る。207はB室であり、A室204とB室との境界
は、穴でなく209のようなゆるやかなノズルが設けら
れている。ノズル209に被さるように熱伝導体220
の上に反射鏡210が設けられている。211はノズル
209と反射鏡210との隙間である。A室の材料20
8及び、B室の材料の1部221には、第1図と同様に
熱伝導率の良い材料と、不良の材料が用いられており、
212はガスの出口である。219と219′とは熱電
対又は抵抗温度計であり、202と202′はヒータで
ある。230はケーシングであり、配管231を用い
て、真空ポンプ(図示せず)を用いて232へケーシン
グ230内の空気は真空断熱のため排気される。205
と205′は、透光性の良いガラス窓であって、発光ダ
イオードなどの光源から、光ファイバー217を通っ
て、集光レンズ213で集光され、反射鏡211に投射
され、鏡面上で散乱された光は、集光レンズ215を通
り、光ファイバー218を経て光検知器(図示せず)に
伝送される。
【0015】図1及び2に示された第一の実施例との差
は、A室とB室との間にノズルを用いている点だけであ
って、その他の作用については、何等異なる点はないの
で説明は省略する。さらに、図6には、集光レンズ21
3で集光され、反射鏡211に投射され、鏡面上で反射
された光が、その反射光軸上に設置された集光レンズ2
15を通り、光ファイバー218を経てその受光強度の
変化を検知する方式のものが示されている。
は、A室とB室との間にノズルを用いている点だけであ
って、その他の作用については、何等異なる点はないの
で説明は省略する。さらに、図6には、集光レンズ21
3で集光され、反射鏡211に投射され、鏡面上で反射
された光が、その反射光軸上に設置された集光レンズ2
15を通り、光ファイバー218を経てその受光強度の
変化を検知する方式のものが示されている。
【0016】一般に上記装置においてA室の空間は0.
5〜5mlであることが好ましい。又A室の平面形状
は、任意である。
5〜5mlであることが好ましい。又A室の平面形状
は、任意である。
【0017】上記図面において本発明の装置はA室が上
にB室が下に図示されている。しかしB室が上でA室が
下であっても良い。又A室及びB室が並んで垂直な状態
であっても良い。
にB室が下に図示されている。しかしB室が上でA室が
下であっても良い。又A室及びB室が並んで垂直な状態
であっても良い。
【0018】第7図は本発明の一実施例を示し、この装
置においては、露点又は霜点の測定がコンピューターで
処理されている。反射鏡表面10は、ヘリウム冷凍機1
11によって冷却される。この装置においては、発光ダ
イオード101からの光は光ファイバ102を介して集
光レンズ103に伝送され該集光レンズ103によって
集束された後反射鏡表面10に集光されるように照射さ
れる。反射鏡表面10に照射された光は反射鏡表面によ
って反射されるが、ごく一部は散乱光となって集光レン
ズ108及び光ファイバー102′を介して光検出器1
17によって検出される。
置においては、露点又は霜点の測定がコンピューターで
処理されている。反射鏡表面10は、ヘリウム冷凍機1
11によって冷却される。この装置においては、発光ダ
イオード101からの光は光ファイバ102を介して集
光レンズ103に伝送され該集光レンズ103によって
集束された後反射鏡表面10に集光されるように照射さ
れる。反射鏡表面10に照射された光は反射鏡表面によ
って反射されるが、ごく一部は散乱光となって集光レン
ズ108及び光ファイバー102′を介して光検出器1
17によって検出される。
【0019】測定ガスがガス入口6よりヒーター10
6′とA室壁に設置された温度センサー109′、温度
コントローラー145とによって、温度制御されたA室
4から反射鏡表面10に接触され該ガス中の微量水分が
反射鏡表面10上で結露すると、ミラー表面10上の散
乱光は増加する。ガスは出口12より放出される。該増
加した散乱光は集光レンズ108によって集光され、光
ファイバー102′を介して搬送されて光検出器117
によって検知される。光検出器117の出力レベルは特
に露点が比較的低い場合においては検出器の出口は極め
て低いので、光検出器の出力は増幅器141に導入され
て増幅される。該アンプ出力はインターフェース142
を介してCPU143に供給される。発光ダイオード1
01がノイズを有すると、ノイズも又アンプ141によ
って増幅され、これは信号の見誤りを生ずる。そこで、
ノイズ除去のために光検出器117′、アンプ141′
及びノイズエリミネータ100からなるフイードバック
回路が設けてある。すなわち、発光ダイオード101の
光エネルギーの一部を光検出器117と同等の光検出器
117′に供給する。光検出器117′の出力は更にア
ンプ141と同等のアンプ141′に供給されて増幅さ
れ、該増幅出力はノイズエリミネータ100に供給され
る。ノイズエリミネータ100はノイズに対応する出力
を発光ダイオード101にフイードバックすることによ
って発光ダイオード101からノイズを除去する。この
結果、散乱による出力のみを正確に取出すことができ、
露点の検出限界を下げることができる。反射鏡表面10
の温度は温度センサー109によって検出されサーモメ
ータ109及びインテーフェース142を介してCPU
143に供給される。CPU143は温度センサ109
からのミラー表面温度信号と光検出器117からの出力
を計算し、デジタル指示器147、プリンタ148、ア
ナログデイスプレイ150及びデイスプレイ149に、
それぞれ表示手段に合った信号を供給する。コントロー
ラ144は測定装置の各エレメントを制御する。例え
ば、露点の測定が終了するとコントローラ144からの
信号によってヒーター106の加熱のための電流を増加
させ、或る定められた加熱速度で反射鏡面10の露や霜
を徐々に気化させたり、逆にヒーター106の電流を減
少させて、反射鏡面10上の露や霜の積層凝固を徐々に
行わせたりする。また、コントローラ111は露点測定
終了の際にアラーム装置151に信号を送り音声等を発
することもできる。
6′とA室壁に設置された温度センサー109′、温度
コントローラー145とによって、温度制御されたA室
4から反射鏡表面10に接触され該ガス中の微量水分が
反射鏡表面10上で結露すると、ミラー表面10上の散
乱光は増加する。ガスは出口12より放出される。該増
加した散乱光は集光レンズ108によって集光され、光
ファイバー102′を介して搬送されて光検出器117
によって検知される。光検出器117の出力レベルは特
に露点が比較的低い場合においては検出器の出口は極め
て低いので、光検出器の出力は増幅器141に導入され
て増幅される。該アンプ出力はインターフェース142
を介してCPU143に供給される。発光ダイオード1
01がノイズを有すると、ノイズも又アンプ141によ
って増幅され、これは信号の見誤りを生ずる。そこで、
ノイズ除去のために光検出器117′、アンプ141′
及びノイズエリミネータ100からなるフイードバック
回路が設けてある。すなわち、発光ダイオード101の
光エネルギーの一部を光検出器117と同等の光検出器
117′に供給する。光検出器117′の出力は更にア
ンプ141と同等のアンプ141′に供給されて増幅さ
れ、該増幅出力はノイズエリミネータ100に供給され
る。ノイズエリミネータ100はノイズに対応する出力
を発光ダイオード101にフイードバックすることによ
って発光ダイオード101からノイズを除去する。この
結果、散乱による出力のみを正確に取出すことができ、
露点の検出限界を下げることができる。反射鏡表面10
の温度は温度センサー109によって検出されサーモメ
ータ109及びインテーフェース142を介してCPU
143に供給される。CPU143は温度センサ109
からのミラー表面温度信号と光検出器117からの出力
を計算し、デジタル指示器147、プリンタ148、ア
ナログデイスプレイ150及びデイスプレイ149に、
それぞれ表示手段に合った信号を供給する。コントロー
ラ144は測定装置の各エレメントを制御する。例え
ば、露点の測定が終了するとコントローラ144からの
信号によってヒーター106の加熱のための電流を増加
させ、或る定められた加熱速度で反射鏡面10の露や霜
を徐々に気化させたり、逆にヒーター106の電流を減
少させて、反射鏡面10上の露や霜の積層凝固を徐々に
行わせたりする。また、コントローラ111は露点測定
終了の際にアラーム装置151に信号を送り音声等を発
することもできる。
【0020】好ましくは、反射鏡の表面はシリコンウェ
ハーから構成される。
ハーから構成される。
【0021】シリコンウェハーは、反射鏡としては表面
の平滑さに於て優れているが、光の吸収率が大きい。こ
の欠点を解消するために行ったのが、シリコンウェハー
上へのアルミニウムの蒸着或はスパッタリングをするこ
とである。しかし、アルミニウム膜を形成したシリコン
ウェハー反射鏡では、短時間で反射率が低下する可能性
がある。これは、穴やノズルから吹付けられるガス中に
含まれる硬度の高い微細なアルミナやシリカ並びに配管
から出て来るFe、Ni、Cr、Cuなどの酸化物パー
テイクルや、氷の微細な結晶に対して、アルミニウムの
ような柔らかい金属ではその表面の平滑性を維持するこ
とは困難であるからである。
の平滑さに於て優れているが、光の吸収率が大きい。こ
の欠点を解消するために行ったのが、シリコンウェハー
上へのアルミニウムの蒸着或はスパッタリングをするこ
とである。しかし、アルミニウム膜を形成したシリコン
ウェハー反射鏡では、短時間で反射率が低下する可能性
がある。これは、穴やノズルから吹付けられるガス中に
含まれる硬度の高い微細なアルミナやシリカ並びに配管
から出て来るFe、Ni、Cr、Cuなどの酸化物パー
テイクルや、氷の微細な結晶に対して、アルミニウムの
ような柔らかい金属ではその表面の平滑性を維持するこ
とは困難であるからである。
【0022】この問題を解決するためには、アルミ薄膜
上を透明で硬度の高い窒化アルミニウムで覆うことであ
る。この場合、LEDの633nmの波長では、アルミ
ニウム薄膜の98%程度、又半導体レーザーを光源とし
た場合の780nmの波長でも93%程度と、アルミニ
ウム薄膜よりは多少は低下するものの、充分に大きいS
N比をとることが出来、しかも、10,000時間以上
の連続使用に耐えることを確認した。アルミニウム薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を積層するにはシリコン結晶
のへきかい面の111面か100面を充分に研磨したシ
リコンウエハー表面に真空中でアルミニウムを蒸着させ
るか、又は、減圧アルゴン中で、スパッタリングによっ
て被膜させたアルミニウム薄膜上に、さらにN2中でア
ルミニウムのスパッタリングを行うことにより製作する
ことが出来る。このようにして作成した反射鏡の表面
は、窒化アルミニウム薄膜の硬度が高く、しかも透明度
が優れていることから、理想的な反射鏡表面の保護膜と
しての性能を示した。−80℃以下の露点をもった非常
に微量の水分を霜点で測定するのに有効な方法として
は、集光された光を該鏡面の、被測定ガスが吹付けられ
る箇所に向けて照射することが絶対条件である。
上を透明で硬度の高い窒化アルミニウムで覆うことであ
る。この場合、LEDの633nmの波長では、アルミ
ニウム薄膜の98%程度、又半導体レーザーを光源とし
た場合の780nmの波長でも93%程度と、アルミニ
ウム薄膜よりは多少は低下するものの、充分に大きいS
N比をとることが出来、しかも、10,000時間以上
の連続使用に耐えることを確認した。アルミニウム薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を積層するにはシリコン結晶
のへきかい面の111面か100面を充分に研磨したシ
リコンウエハー表面に真空中でアルミニウムを蒸着させ
るか、又は、減圧アルゴン中で、スパッタリングによっ
て被膜させたアルミニウム薄膜上に、さらにN2中でア
ルミニウムのスパッタリングを行うことにより製作する
ことが出来る。このようにして作成した反射鏡の表面
は、窒化アルミニウム薄膜の硬度が高く、しかも透明度
が優れていることから、理想的な反射鏡表面の保護膜と
しての性能を示した。−80℃以下の露点をもった非常
に微量の水分を霜点で測定するのに有効な方法として
は、集光された光を該鏡面の、被測定ガスが吹付けられ
る箇所に向けて照射することが絶対条件である。
【0023】本発明では被測定ガスを反射鏡に接触する
前に極度に低い接ガス表面に接触することにより、ガス
中の水分が吸着あるいは相変化し、それによって低い目
の露点、霜点を測定することのないことが特徴である。
それがため本発明ではガス中の水分を正確に測定できる
ように、ガスの温度を自由に制御できる。
前に極度に低い接ガス表面に接触することにより、ガス
中の水分が吸着あるいは相変化し、それによって低い目
の露点、霜点を測定することのないことが特徴である。
それがため本発明ではガス中の水分を正確に測定できる
ように、ガスの温度を自由に制御できる。
【0024】
【実施例−1】セルA室の温度を20℃とした場合(本
発明)とセルの温度を−100℃とした場合(従来法)
の核形成を示す露点の比較を行った、その結果を以下に
示す。セルの温度を0℃ならびに、30℃で実験した結
果は、何れも下記の20℃での結果と殆んど差は見られ
なかった。この結果から、−100℃のような温度のA
室の冷却は、A室内での水分の吸着によって、過冷却を
生ずる原因となることが示された。
発明)とセルの温度を−100℃とした場合(従来法)
の核形成を示す露点の比較を行った、その結果を以下に
示す。セルの温度を0℃ならびに、30℃で実験した結
果は、何れも下記の20℃での結果と殆んど差は見られ
なかった。この結果から、−100℃のような温度のA
室の冷却は、A室内での水分の吸着によって、過冷却を
生ずる原因となることが示された。
【0025】 測定サンプル 1 2 3 4 従来 −107.4℃ −108.3℃ −119.8℃ 検知せず 本発明 新 −98.6℃ −99.7℃ −111.2℃ −119.7℃ 差 8.5℃ 8.6℃ 8.6℃
【0026】
【実施例−2】セルA室の温度を20℃とした場合と、
−50℃とした場合の核形成を示す霜点測定値とを比較
すると、夫々、−112.5℃と−110.5℃を示
し、−50℃の場合の方が2℃高い値を示した。このこ
とは、A室の温度を−50℃程度に予冷した方ががもっ
とも露点(核形成霜点)は高い値を示すことが見られ
た。
−50℃とした場合の核形成を示す霜点測定値とを比較
すると、夫々、−112.5℃と−110.5℃を示
し、−50℃の場合の方が2℃高い値を示した。このこ
とは、A室の温度を−50℃程度に予冷した方ががもっ
とも露点(核形成霜点)は高い値を示すことが見られ
た。
【0027】
【実施例−3】セルA室の温度20℃、−10℃、−5
0℃で、昇華点測定を行った結果、夫々−105.0
℃、−104.3℃、−104.7℃を示したので、昇
華点或は、積層凝固点には殆んどA室の温度の影響はな
いことがわかった。
0℃で、昇華点測定を行った結果、夫々−105.0
℃、−104.3℃、−104.7℃を示したので、昇
華点或は、積層凝固点には殆んどA室の温度の影響はな
いことがわかった。
【0028】上記実施例1、2に記るした核形成霜点測
定法と、昇華点及び/又は積層凝固点測定法について下
記に説明する。
定法と、昇華点及び/又は積層凝固点測定法について下
記に説明する。
【0029】温度を変えることができる反射鏡、前記反
射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反射鏡に集光
光線及び/又はレーザー光を放射する手段、その反射鏡
上に形成された露及び/又は霜に基づく散乱光及び/又
は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点計を使
用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触させ、
そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線又はレ
ーザー光を放射し、その反射鏡とそのガスとを接触前又
はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその反射鏡
の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び/又は
霜を形成させ、結露点及び/又は結露点付近で露及び/
又は霜を鏡面上から完全に昇華させない程度に反射鏡の
温度を徐々に加熱し、それによって散乱光の強さの極大
となる温度及び/又は反射光の強さが極小となる温度、
或は再び反射鏡を冷却させて散乱光の強さが極小となる
温度及び/又は反射鏡の強さが極大となる温度を検出
し、その極大温度及びその極小温度をそのガスの露点及
び/又は霜点とすることを含む微量水分を含むガスの露
点又は霜点を決定する方法に関する。
射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反射鏡に集光
光線及び/又はレーザー光を放射する手段、その反射鏡
上に形成された露及び/又は霜に基づく散乱光及び/又
は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点計を使
用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触させ、
そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線又はレ
ーザー光を放射し、その反射鏡とそのガスとを接触前又
はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその反射鏡
の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び/又は
霜を形成させ、結露点及び/又は結露点付近で露及び/
又は霜を鏡面上から完全に昇華させない程度に反射鏡の
温度を徐々に加熱し、それによって散乱光の強さの極大
となる温度及び/又は反射光の強さが極小となる温度、
或は再び反射鏡を冷却させて散乱光の強さが極小となる
温度及び/又は反射鏡の強さが極大となる温度を検出
し、その極大温度及びその極小温度をそのガスの露点及
び/又は霜点とすることを含む微量水分を含むガスの露
点又は霜点を決定する方法に関する。
【0030】前記反射鏡の温度を徐々に冷却又は加熱さ
せる速度は R(T)=R(T0)[P′(T)/P′(T0)]n (1) で描かれた曲線に概略沿って階段式又は連続式に冷却又
は加熱速度を変化させながら行われることがのぞまし
い。
せる速度は R(T)=R(T0)[P′(T)/P′(T0)]n (1) で描かれた曲線に概略沿って階段式又は連続式に冷却又
は加熱速度を変化させながら行われることがのぞまし
い。
【0031】式中、 Tは反射鏡の温度(K) T0は室温から液体窒素の温度までの任意に選べる特定
な温度(K) R(T)はその反射鏡の温度(K)での冷却及び/又は
加熱速度(K/min)、 P′(T)は温度(T)を変数として求められる氷の飽
和蒸気圧の誘導関数、 P′(T0)は特定の温度T0での水の飽和蒸気圧の
値、及び nは固定した温度インターバル△Tにわたっての反射光
及び/又は散乱光の変化の測定において、実質上一定の
信号対ノイズの比が2以上になるように選ばれた値であ
る。
な温度(K) R(T)はその反射鏡の温度(K)での冷却及び/又は
加熱速度(K/min)、 P′(T)は温度(T)を変数として求められる氷の飽
和蒸気圧の誘導関数、 P′(T0)は特定の温度T0での水の飽和蒸気圧の
値、及び nは固定した温度インターバル△Tにわたっての反射光
及び/又は散乱光の変化の測定において、実質上一定の
信号対ノイズの比が2以上になるように選ばれた値であ
る。
【0032】今この原理を第8図によって説明する。こ
の測定原理は、必ずしも散乱光に限定されるものではな
く、反射光によっても測定は可能であるが、ここでは散
乱光の場合について説明する。反射光の増減は、散乱光
の増減と全く逆に強度が変化するだけであるので、省略
する。図8において反射鏡の温度を低下させる。イ点で
結露又は結霜が生じる。しかし過冷却にとなりやすいの
で、この点は正確な露点又は霜点ではない。さらに温度
を低下させ、核形成点であると判断出来ればロ点から温
度を上昇させる。当然のこの状態では過冷却になってい
るので、氷は成長し続ける。散乱光の強さが極大となっ
た点、ハ点を昇華点とする。この時の反射鏡の温度をT
Sとする。次いで昇華点と判断しうる点、ニ点まで反射
鏡を加熱する。そこで氷は気化し初め、ニ点からは反射
鏡の温度を再び冷却し始め、ホの点で散乱光の強さは極
小となる。この時の温度、積層凝固点もTSとなる。こ
のように受光量の極大値の昇華点と、次に生ずる積層凝
固点とが、同じ含水分量ガスに対して、一致することが
確認されたので、その結果このTSがそのガスの正しい
露点又は霜点ということができる。さらに反射鏡を加熱
又は冷却を繰り返すと散乱光のカーブもまた放物線を描
いて変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
の測定原理は、必ずしも散乱光に限定されるものではな
く、反射光によっても測定は可能であるが、ここでは散
乱光の場合について説明する。反射光の増減は、散乱光
の増減と全く逆に強度が変化するだけであるので、省略
する。図8において反射鏡の温度を低下させる。イ点で
結露又は結霜が生じる。しかし過冷却にとなりやすいの
で、この点は正確な露点又は霜点ではない。さらに温度
を低下させ、核形成点であると判断出来ればロ点から温
度を上昇させる。当然のこの状態では過冷却になってい
るので、氷は成長し続ける。散乱光の強さが極大となっ
た点、ハ点を昇華点とする。この時の反射鏡の温度をT
Sとする。次いで昇華点と判断しうる点、ニ点まで反射
鏡を加熱する。そこで氷は気化し初め、ニ点からは反射
鏡の温度を再び冷却し始め、ホの点で散乱光の強さは極
小となる。この時の温度、積層凝固点もTSとなる。こ
のように受光量の極大値の昇華点と、次に生ずる積層凝
固点とが、同じ含水分量ガスに対して、一致することが
確認されたので、その結果このTSがそのガスの正しい
露点又は霜点ということができる。さらに反射鏡を加熱
又は冷却を繰り返すと散乱光のカーブもまた放物線を描
いて変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
【0033】この時の冷却速度及び加熱速度のプロフィ
ールの1例は次の通りである。
ールの1例は次の通りである。
【0034】 表 1 冷 却 速 度 温 度 範 囲 冷却速度 (℃)→ (℃) (℃/min) 20 −70 10.0 −70 −90 4.0 −90 −100 2.0 −100 −105 1.0 −105 −110 0.50 −110 −115 0.25 −115 −120 0.13 −120 −125 0.063 −125 −130 0.031 −130 −135 0.016 表 2 冷 却 速 度 温 度 範 囲 冷却速度 (℃)→ (℃) (℃/min) −135 −130 0.016 −130 −125 0.031 −125 −120 0.063 −120 −115 0.13 −115 −110 0.25 −110 −105 0.50 −105 −100 1.0 −100 −90 2.0 −90 −70 4.0 −70 30 10.0 上記式(1)は曲線の式である。加熱及び冷却速度は低
温になる程遅くなる。
温になる程遅くなる。
【0035】例えば20℃から−70℃までの冷却速度
は上記の例では10.0℃/分であるのに対し、−13
0℃から−135℃までの冷却速度は0.016℃/分
である。
は上記の例では10.0℃/分であるのに対し、−13
0℃から−135℃までの冷却速度は0.016℃/分
である。
【0036】上記(1)の曲線に従って冷却又は加熱を
行うと仮定すると、低温になる程度冷却又は加熱速度を
遅くしなければならず、これを実施するために完全なコ
ンピューター制御を行うのが理想的であるが、しかしこ
れは経済的ではない。
行うと仮定すると、低温になる程度冷却又は加熱速度を
遅くしなければならず、これを実施するために完全なコ
ンピューター制御を行うのが理想的であるが、しかしこ
れは経済的ではない。
【0037】上記の表に示すように階段的に冷却速度を
下げていくのが一般的である。例えば−100℃以下で
は5℃ごとに冷却又は加熱速度を変化させるのである。
下げていくのが一般的である。例えば−100℃以下で
は5℃ごとに冷却又は加熱速度を変化させるのである。
【0038】図6は同様な実験について反射鏡の温度と
散乱光の強さとの関係をグラフにしたものである。
散乱光の強さとの関係をグラフにしたものである。
【0039】反射鏡の加熱及び冷却の操作を結霜点の付
近で繰返すと、図9に示されるように散乱光の強さは、
放物線を描いて、環状に変化する。
近で繰返すと、図9に示されるように散乱光の強さは、
放物線を描いて、環状に変化する。
【0040】図10は具体的なガスについてガス中の水
分量と散乱光の変化の速度を示すグラフである。図9に
おいて、反射鏡の温度を変化させると散乱光の強さは
チ.リ.ヌとカーブを描いて変化する。チ.リ.ヌのカ
ーブを二次曲線と仮定し微分して直線として表したの
が、図10である。図10においてチ′、リ′及びヌ′
は図9におけるチ.リ及びヌに対応する。横軸のガス中
の水分量は氷の蒸気圧の式から求めた値である。
分量と散乱光の変化の速度を示すグラフである。図9に
おいて、反射鏡の温度を変化させると散乱光の強さは
チ.リ.ヌとカーブを描いて変化する。チ.リ.ヌのカ
ーブを二次曲線と仮定し微分して直線として表したの
が、図10である。図10においてチ′、リ′及びヌ′
は図9におけるチ.リ及びヌに対応する。横軸のガス中
の水分量は氷の蒸気圧の式から求めた値である。
【0041】このガスの水分含有量は1.30ppbで
あるということができる。この場合の実験条件は次の通
りである。
あるということができる。この場合の実験条件は次の通
りである。
【0042】T0=−90℃ R(TS)=約4℃/分 n=約0.67 △T=約0.4℃ 2秒間に1回のサンプル測定 さらにこの測定法の特徴は一般にこのような測定におけ
るノイズは必ず生じ、これによる誤差の対策である。散
乱光の強度の上昇点を結露又は結霜点とするとノイズの
ため正確な点を読むことは非常にむつかしい。しかしな
がら、本発明のように山型の頂点および谷型の底点から
結露又は結霜点を見つける場合、たとえ、ノイズが発生
していても、実際の測定点を2次曲線を微分した直線に
プロットし、最小二重法により得た直線から、頂点とな
る昇華点又は底点となる積層凝固点を求めることは、非
常に正確で安定した値が得られる。
るノイズは必ず生じ、これによる誤差の対策である。散
乱光の強度の上昇点を結露又は結霜点とするとノイズの
ため正確な点を読むことは非常にむつかしい。しかしな
がら、本発明のように山型の頂点および谷型の底点から
結露又は結霜点を見つける場合、たとえ、ノイズが発生
していても、実際の測定点を2次曲線を微分した直線に
プロットし、最小二重法により得た直線から、頂点とな
る昇華点又は底点となる積層凝固点を求めることは、非
常に正確で安定した値が得られる。
【0043】大気に放置されたSUS316Lステンレ
ス・スチールの1/4インチの径で内面を電解研磨した
チューブにSAES GETTER社製のジルコニウム
・ゲッター精製器で精製したN2ガスを流通した時のチ
ューブのクリーンアップ現象を測定した。従来の結露点
(N1)と平衡点を測定するための3点(S1,A,S
2)の温度を時間の経過とともに測定したものを(図1
1)に示した。これは、平衡点(昇華点及び積層凝固
点)も核形成結露点も便宜的に氷の蒸気圧曲線より換算
した値をプロットしたものである。これによると平衡点
S1、A、S2は、ほぼ同じ曲線上に沿って減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象がほ
ぼ正しく表現されている。それに対し、核形成点は平衡
点に比べて、低く、しかも不安定な傾向を示している。
ス・スチールの1/4インチの径で内面を電解研磨した
チューブにSAES GETTER社製のジルコニウム
・ゲッター精製器で精製したN2ガスを流通した時のチ
ューブのクリーンアップ現象を測定した。従来の結露点
(N1)と平衡点を測定するための3点(S1,A,S
2)の温度を時間の経過とともに測定したものを(図1
1)に示した。これは、平衡点(昇華点及び積層凝固
点)も核形成結露点も便宜的に氷の蒸気圧曲線より換算
した値をプロットしたものである。これによると平衡点
S1、A、S2は、ほぼ同じ曲線上に沿って減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象がほ
ぼ正しく表現されている。それに対し、核形成点は平衡
点に比べて、低く、しかも不安定な傾向を示している。
【0044】露点と水分濃度が互いに換算可能であるこ
とは、よく知られた事実であり、現に水分量の表示方法
として[℃]や[ppm]等の単位が混在して用いられ
ている。
とは、よく知られた事実であり、現に水分量の表示方法
として[℃]や[ppm]等の単位が混在して用いられ
ている。
【0045】KO512(水素)の中には、−100℃
までの露点と水分濃度の換算表が示されているが、−1
00℃以下の換算表を規定したものはない。−100℃
以下の場合には水の飽和蒸気圧曲線の外挿線を用いて、
換算するしか方法はない。現在、最も信頼できる式とし
ては以下の式がある。
までの露点と水分濃度の換算表が示されているが、−1
00℃以下の換算表を規定したものはない。−100℃
以下の場合には水の飽和蒸気圧曲線の外挿線を用いて、
換算するしか方法はない。現在、最も信頼できる式とし
ては以下の式がある。
【0046】 C:水分温度[ppb] これは、INTERNATIONAL CRITICA
L TABLES OF NUMERICAL DAT
A,PHYSICS,CHEMISTRY AND T
ECHNOLOGY, VOLUMEIII,P21
0,NATIONAL RESERACH COUNC
IL OF USA(1928)に示された式で、第9
図、第10図の水分量は、測定された昇華点、積層凝固
点より換算されたものである。
L TABLES OF NUMERICAL DAT
A,PHYSICS,CHEMISTRY AND T
ECHNOLOGY, VOLUMEIII,P21
0,NATIONAL RESERACH COUNC
IL OF USA(1928)に示された式で、第9
図、第10図の水分量は、測定された昇華点、積層凝固
点より換算されたものである。
【0047】図12には、日立東京エレクトロニクス株
式会社製の、30ppmの標準水分発生装置を2段に希
釈して発生させる、標準水分量含有ガス発生装置を示し
ている。これを用いれば、水分量は、重量でチェックで
きるのでほぼ正確に計算できる。この発生ガスを用いて
実験した結果を図11、12に示す。
式会社製の、30ppmの標準水分発生装置を2段に希
釈して発生させる、標準水分量含有ガス発生装置を示し
ている。これを用いれば、水分量は、重量でチェックで
きるのでほぼ正確に計算できる。この発生ガスを用いて
実験した結果を図11、12に示す。
【0048】図13は標準ガス(水分含有量が知られて
いる)の霜点換算値と本発明に従って測定された平衡点
(℃)の関係を示し、そして図12は標準ガスの水分と
現実に測定された平衡点から換算された水分量との関係
を示す。図11及び図12から本装置を用いて平衡点を
測定する方法では非常にガス中の水分を正確に測定でき
ることは明白である。
いる)の霜点換算値と本発明に従って測定された平衡点
(℃)の関係を示し、そして図12は標準ガスの水分と
現実に測定された平衡点から換算された水分量との関係
を示す。図11及び図12から本装置を用いて平衡点を
測定する方法では非常にガス中の水分を正確に測定でき
ることは明白である。
【0049】さらに、このように昇華点や積層凝固点の
測定方法には、このほかにも利点がある。例えば、核形
成凝固点を測定するには、−100℃、−110℃、−
115℃の露点のガスで、約1時間、2時間、6時間を
要する。しかし、一度反射鏡面上に霜を形成させ、昇華
点、積層凝固点を繰り返し測定する場合には、10分、
20分、60分程度毎に間歇的ではあるが、測定出来る
ので、充分に工業的に利用範囲が広い。
測定方法には、このほかにも利点がある。例えば、核形
成凝固点を測定するには、−100℃、−110℃、−
115℃の露点のガスで、約1時間、2時間、6時間を
要する。しかし、一度反射鏡面上に霜を形成させ、昇華
点、積層凝固点を繰り返し測定する場合には、10分、
20分、60分程度毎に間歇的ではあるが、測定出来る
ので、充分に工業的に利用範囲が広い。
【0050】さらに、この測定装置の場合には、A室を
低温に断熱保持する必要がなく、断熱すべき部分には、
極めて限られた冷凍発生、熱伝達部分に限定されるの
で、装置の製作上のコストの面でも有利となる。
低温に断熱保持する必要がなく、断熱すべき部分には、
極めて限られた冷凍発生、熱伝達部分に限定されるの
で、装置の製作上のコストの面でも有利となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図2】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図3】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図4】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図5】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図6】本発明の好ましい装置のフローシートである。
【図7】光検知器の回路を示す。
【図8】反射鏡の温度と散乱光の強さに対し核形成点と
昇華点や積層凝固点との関係を示すグラフ。
昇華点や積層凝固点との関係を示すグラフ。
【図9】図8と関連して昇華点、積層凝固点などの平衡
点のみ繰り返し測定する方法を示すグラフ。
点のみ繰り返し測定する方法を示すグラフ。
【図10】図8、9の関係を2次曲線と見なして微分し
て直線化し、その値が0となる点から極大点を求め、昇
華点を正確に求める方法を示したグラフ。
て直線化し、その値が0となる点から極大点を求め、昇
華点を正確に求める方法を示したグラフ。
【図11】チューブのクリーンアップ現象から、核形成
点よりも、平衡点測定が正しいことを示すグラフ。
点よりも、平衡点測定が正しいことを示すグラフ。
【図12】標準水分発生装置のフローシートを示す。
【図13】昇華点、積層凝固点と標準ガス水分量の霜点
換算値との関係を示すグラフ。
換算値との関係を示すグラフ。
【図14】昇華点、積層凝固点より換算した水分量と、
標準ガス水分量との関係を示すグラフ。
標準ガス水分量との関係を示すグラフ。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】
【手続補正9】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】
【手続補正10】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図8
【補正方法】変更
【補正内容】
【図8】
【手続補正11】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
【手続補正12】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図10
【補正方法】変更
【補正内容】
【図10】
【手続補正13】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図11
【補正方法】変更
【補正内容】
【図11】
【手続補正14】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図12
【補正方法】変更
【補正内容】
【図12】
【手続補正15】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図13
【補正方法】変更
【補正内容】
【図13】
【手続補正16】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図14
【補正方法】追加
【補正内容】
【図14】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年4月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】
【従来の技術】特開昭63−309846号には、従来
から液体窒素温度まで温度を変えることが可能な反射
鏡、その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノ
ズル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に投射
される集光光線又はレーザー光線発射装置、散乱光の急
激な増加を検知する検知装置からなる露点計又は霜点計
を使用し、その方法は、(a)被測定ガスを反射鏡の温
度近くまで冷却する工程、(b)前記反射鏡に向けて前
記ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c)その反
射鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点にでき
る限り集光させた光線又はレーザー光を投射させる工
程、および(d)散乱光の急激な増加を検出することに
より、−80℃以下液体窒素温度までの露点および/ま
たは霜点を測定することからなるガス中の微量水分測定
方法が開示されている。
から液体窒素温度まで温度を変えることが可能な反射
鏡、その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノ
ズル、鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に投射
される集光光線又はレーザー光線発射装置、散乱光の急
激な増加を検知する検知装置からなる露点計又は霜点計
を使用し、その方法は、(a)被測定ガスを反射鏡の温
度近くまで冷却する工程、(b)前記反射鏡に向けて前
記ノズルからそのガスを吹きつける工程、(c)その反
射鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点にでき
る限り集光させた光線又はレーザー光を投射させる工
程、および(d)散乱光の急激な増加を検出することに
より、−80℃以下液体窒素温度までの露点および/ま
たは霜点を測定することからなるガス中の微量水分測定
方法が開示されている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】本発明は、−80℃以下のガス中の特に、
露点または霜点を測定する装置であり、その装置は下記
を含む: (i)熱伝導性が良い材料から構成されているA室、
(ii)被測定ガス用入口がA室に設けられ、(ii
i)A室の温度を調節するためのヒータと、温度センサ
ーが設けられ、(iv)A室に隣接してB室が設けら
れ、B室の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料か
ら構成され、(v)A室とB室との境界の面部に穴又は
ノズルが設けられ、(vi)B室に穴またはノズルに被
さるように温度センサーを有する反射鏡が設けられ、そ
の反射鏡は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の
変動が可能なように、冷凍源に熱的に接続されており、
(vii)B室にはガス出口が設けられ、(viii)
その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわずかな隙間
が形成されており、(ix)反射鏡面上に投射される集
光光線又はレーザー光投射装置、(x)反射鏡面上に形
成された霜に向けて、集光光線又はレーザー光線を投射
することにより、散乱された光線の変化を検知する受光
装置、及び、(xi)反射鏡上に形成される霜が発生し
た温度を判断する検知装置に関する。
露点または霜点を測定する装置であり、その装置は下記
を含む: (i)熱伝導性が良い材料から構成されているA室、
(ii)被測定ガス用入口がA室に設けられ、(ii
i)A室の温度を調節するためのヒータと、温度センサ
ーが設けられ、(iv)A室に隣接してB室が設けら
れ、B室の少なくとも1部は熱伝導性のよくない材料か
ら構成され、(v)A室とB室との境界の面部に穴又は
ノズルが設けられ、(vi)B室に穴またはノズルに被
さるように温度センサーを有する反射鏡が設けられ、そ
の反射鏡は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の
変動が可能なように、冷凍源に熱的に接続されており、
(vii)B室にはガス出口が設けられ、(viii)
その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわずかな隙間
が形成されており、(ix)反射鏡面上に投射される集
光光線又はレーザー光投射装置、(x)反射鏡面上に形
成された霜に向けて、集光光線又はレーザー光線を投射
することにより、散乱された光線の変化を検知する受光
装置、及び、(xi)反射鏡上に形成される霜が発生し
た温度を判断する検知装置に関する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】本発明の装置を図面によって説明する。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】その実態態様の1つを示した第1図につい
て説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ
ー、3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば
金、銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はク
ロム等からなる熱伝導性の良い材料で構成されている。
5はガラスなどの透光性材料からなる窓である。6は被
測定ガス用入口である。7はB室であり、A室4とB室
7との境界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被
さるように熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられて
いる。この熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝
導性の良い材料で構成されている。11は反射鏡10と
面部8との間の隙間である。隙間11は小さい方が良い
が、あまり小さく設計すると製造上の少しのミスで反射
鏡10と面部8とが接触してしまう可能性がある。その
ため隙間0.1〜2.0mmであることが好ましい。B
室7の少なくとも1部はステンレススチール、銅−ニッ
ケル合金、ガラス、セラミックス、プラスチックス(フ
ッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱
伝導度性の悪い材料から構成されている。これは冷凍面
3によりA室を、できるだけ冷却させないためである。
余り極度にA室が冷却される場合には、A室内で水分が
吸着し、水分の全てが鏡面に凝縮しないで低い水分量を
示すこともあり、1室の場合には、セル全体が冷却され
る結果、セル内の材料の選択によっては、鏡面よりも低
い部分が存在し、その部分に水分が凝縮又は凝固する結
果、必ずしも再現性のよい値が得られにくいことも起こ
りうる。
て説明する。1は冷凍発生部である。2と2′はヒータ
ー、3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば
金、銀、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はク
ロム等からなる熱伝導性の良い材料で構成されている。
5はガラスなどの透光性材料からなる窓である。6は被
測定ガス用入口である。7はB室であり、A室4とB室
7との境界の面部8に穴9が設けられている。穴9に被
さるように熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられて
いる。この熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝
導性の良い材料で構成されている。11は反射鏡10と
面部8との間の隙間である。隙間11は小さい方が良い
が、あまり小さく設計すると製造上の少しのミスで反射
鏡10と面部8とが接触してしまう可能性がある。その
ため隙間0.1〜2.0mmであることが好ましい。B
室7の少なくとも1部はステンレススチール、銅−ニッ
ケル合金、ガラス、セラミックス、プラスチックス(フ
ッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂)のような熱
伝導度性の悪い材料から構成されている。これは冷凍面
3によりA室を、できるだけ冷却させないためである。
余り極度にA室が冷却される場合には、A室内で水分が
吸着し、水分の全てが鏡面に凝縮しないで低い水分量を
示すこともあり、1室の場合には、セル全体が冷却され
る結果、セル内の材料の選択によっては、鏡面よりも低
い部分が存在し、その部分に水分が凝縮又は凝固する結
果、必ずしも再現性のよい値が得られにくいことも起こ
りうる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】本発明の装置を用いてガス中の水分を測定
するには、まず被測定ガスを入口6より、ヒーター2′
と温度センサー19′とにより一定温度に制御されたA
室4に導入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触
し、ガス中に含まれている微量の水分は反射鏡10上に
露又は霜を形成する。そのガスは隙間11を通ってB室
7の出口12から放出される。隙間11の間隔を小さく
したのでガスがA室4からB室7に穴を通って移動する
際必ずガスは反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された
露又は霜に対して、光源14と集光レンズ13によって
光をできるだけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜に
よる散乱光の変化を集光レンズ15及び検知装置16で
測定し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度
センサー19により測定する。又、反射鏡10の温度の
冷却や加熱の速度は、ヒーター2と温度センサー19と
によって、自由に制御することが出来る。
するには、まず被測定ガスを入口6より、ヒーター2′
と温度センサー19′とにより一定温度に制御されたA
室4に導入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触
し、ガス中に含まれている微量の水分は反射鏡10上に
露又は霜を形成する。そのガスは隙間11を通ってB室
7の出口12から放出される。隙間11の間隔を小さく
したのでガスがA室4からB室7に穴を通って移動する
際必ずガスは反射鏡と接触する。反射鏡上に形成された
露又は霜に対して、光源14と集光レンズ13によって
光をできるだけ反射鏡10面上に集光させ、露又は霜に
よる散乱光の変化を集光レンズ15及び検知装置16で
測定し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度
センサー19により測定する。又、反射鏡10の温度の
冷却や加熱の速度は、ヒーター2と温度センサー19と
によって、自由に制御することが出来る。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】なお、実施例を示す図1には、散乱光の変
化を集光レンズ15及び検知装置16で測定するための
態様を示したが、図2には、投射光のレンズ13を、反
射鏡10の斜め上から投射し、その反射光軸上に集光レ
ンズ15を設置した実施例を示した。即ち、本発明は、
散乱光、反射光の変化の測定の何れにも対応出来るもの
である。
化を集光レンズ15及び検知装置16で測定するための
態様を示したが、図2には、投射光のレンズ13を、反
射鏡10の斜め上から投射し、その反射光軸上に集光レ
ンズ15を設置した実施例を示した。即ち、本発明は、
散乱光、反射光の変化の測定の何れにも対応出来るもの
である。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】第3図は本発明の別の実施例である。10
1は冷凍発生部である。102と102′はヒータであ
る。103は冷凍面である。104はA室であり、A室
は、第1図の例と同様な熱伝導性の良い材料で構成され
ている。106は被測定ガスの入口である。107はB
室であり、A室104とB室107との境界の面部10
8に穴109が設けられている。穴109に被さるよう
に熱伝導体120の上に反射鏡110が設けられてい
る。111は反射鏡110と面部108との間の隙間で
ある。この隙間111及びB室107の材料は第1図の
実施例と同様である。112はガス出口である。119
と119′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室
の温度をそれぞれ測定し、別個に機能させるために挿入
されている。即ち、第1図の実施例と同様に、温度セン
サー119は、霜点を測定するのが主な目的であるが、
その他に、ヘリウム冷凍機の作動や、ヒータ102の作
動を制御し、反射鏡面110の温度を自由に変動できる
目的にも使用され、温度センサー119′は、ヒータ1
02′の作動によってA室の温度を自由に制御するため
のものである。第1図と異なる点は、A室には透光性の
窓がなく、A室内に設けられた集光レンズ付の発光ダイ
オードのような光源114と、散乱光を受光するための
集光レンズ付の検知装置116によって反射光上に形成
された露や霜への光の投射及びそれによって生ずる散乱
光が受光され、露点計のセル外には、118、117の
電気配線及び受発信のための電気回路119がある点だ
けが異なっている。さらに、図4は、光源114の反射
鏡110面上での反射光を集光レンズ付検知装置で検知
し、反射光の変化を受光する場合を示している。
1は冷凍発生部である。102と102′はヒータであ
る。103は冷凍面である。104はA室であり、A室
は、第1図の例と同様な熱伝導性の良い材料で構成され
ている。106は被測定ガスの入口である。107はB
室であり、A室104とB室107との境界の面部10
8に穴109が設けられている。穴109に被さるよう
に熱伝導体120の上に反射鏡110が設けられてい
る。111は反射鏡110と面部108との間の隙間で
ある。この隙間111及びB室107の材料は第1図の
実施例と同様である。112はガス出口である。119
と119′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室
の温度をそれぞれ測定し、別個に機能させるために挿入
されている。即ち、第1図の実施例と同様に、温度セン
サー119は、霜点を測定するのが主な目的であるが、
その他に、ヘリウム冷凍機の作動や、ヒータ102の作
動を制御し、反射鏡面110の温度を自由に変動できる
目的にも使用され、温度センサー119′は、ヒータ1
02′の作動によってA室の温度を自由に制御するため
のものである。第1図と異なる点は、A室には透光性の
窓がなく、A室内に設けられた集光レンズ付の発光ダイ
オードのような光源114と、散乱光を受光するための
集光レンズ付の検知装置116によって反射光上に形成
された露や霜への光の投射及びそれによって生ずる散乱
光が受光され、露点計のセル外には、118、117の
電気配線及び受発信のための電気回路119がある点だ
けが異なっている。さらに、図4は、光源114の反射
鏡110面上での反射光を集光レンズ付検知装置で検知
し、反射光の変化を受光する場合を示している。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】さらに、第5図は本発明のもう一つ別の実
施例を述べるためのものである。201は冷凍発生部で
あり、200にヘリウム冷凍機が示されている。202
と202′とはヒータである。203は冷凍面である。
204はA室であり、206は被測定ガスの入口であ
る。207はB室であり、A室204とB室との境界
は、穴でなく209のようなゆるやかなノズルが設けら
れている。ノズル209に被さるように熱伝導体220
の上に反射鏡210が設けられている。211はノズル
209と反射鏡210との隙間である。A室の材料20
8及び、B室の材料の1部221には、第1図と同様に
熱伝導性の良い材料と、良くない材料が用いられてお
り、212はガスの出口である。219と219′とは
熱電対又は抵抗温度計であり、202と202′はヒー
タである。230はケーシングであり、配管231を用
いて、真空ポンプ(図示せず)を用いて232へケーシ
ング230内の空気は真空断熱のため排気される。20
5と205′は、透光性の良いガラス窓であって、発光
ダイオードなどの光源から、光ファイバー217を通っ
て、集光レンズ213で集光され、反射鏡211に投射
され、鏡面上で散乱された光は、集光レンズ215を通
り、光ファイバー218を経て光検知器(図示せず)に
伝送される。
施例を述べるためのものである。201は冷凍発生部で
あり、200にヘリウム冷凍機が示されている。202
と202′とはヒータである。203は冷凍面である。
204はA室であり、206は被測定ガスの入口であ
る。207はB室であり、A室204とB室との境界
は、穴でなく209のようなゆるやかなノズルが設けら
れている。ノズル209に被さるように熱伝導体220
の上に反射鏡210が設けられている。211はノズル
209と反射鏡210との隙間である。A室の材料20
8及び、B室の材料の1部221には、第1図と同様に
熱伝導性の良い材料と、良くない材料が用いられてお
り、212はガスの出口である。219と219′とは
熱電対又は抵抗温度計であり、202と202′はヒー
タである。230はケーシングであり、配管231を用
いて、真空ポンプ(図示せず)を用いて232へケーシ
ング230内の空気は真空断熱のため排気される。20
5と205′は、透光性の良いガラス窓であって、発光
ダイオードなどの光源から、光ファイバー217を通っ
て、集光レンズ213で集光され、反射鏡211に投射
され、鏡面上で散乱された光は、集光レンズ215を通
り、光ファイバー218を経て光検知器(図示せず)に
伝送される。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】図1及び2に示された第一の実施例との差
は、A室とB室との間にノズルを用いている点だけであ
って、その他の作用については、何等異なる点はないの
で説明は省略する。さらに、図6には、集光レンズ21
3で集光され、反射鏡210に投射され、鏡面上で反射
された光が、その反射光軸上に設置された集光レンズ2
15を通り、光ファイバー218を経てその受光強度の
変化を検知する方式のものが示されている。
は、A室とB室との間にノズルを用いている点だけであ
って、その他の作用については、何等異なる点はないの
で説明は省略する。さらに、図6には、集光レンズ21
3で集光され、反射鏡210に投射され、鏡面上で反射
された光が、その反射光軸上に設置された集光レンズ2
15を通り、光ファイバー218を経てその受光強度の
変化を検知する方式のものが示されている。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】上記図面において本発明の装置はA室が上
にB室が下に図示されている。しかしB室が上でA室が
下であっても良い。又A室及びB室が並んで水平な状態
であっても良い。
にB室が下に図示されている。しかしB室が上でA室が
下であっても良い。又A室及びB室が並んで水平な状態
であっても良い。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】第7図は本発明の一実施例を示し、この装
置においては、露点又は霜点の測定がコンピューターで
処理されている。反射鏡表面10は、ヘリウム冷凍機1
11によって冷却される。この装置においては、発光ダ
イオード101からの光は光ファイバー102を介して
集光レンズ103に伝送され該集光レンズ103によっ
て集束された後反射鏡表面10に集光されるように照射
される。反射鏡表面10に投射された光は反射鏡表面に
よって反射されるが、ごく一部は散乱光となって集光レ
ンズ108及び光ファイバー102′を介して光検出器
117によって検出される。
置においては、露点又は霜点の測定がコンピューターで
処理されている。反射鏡表面10は、ヘリウム冷凍機1
11によって冷却される。この装置においては、発光ダ
イオード101からの光は光ファイバー102を介して
集光レンズ103に伝送され該集光レンズ103によっ
て集束された後反射鏡表面10に集光されるように照射
される。反射鏡表面10に投射された光は反射鏡表面に
よって反射されるが、ごく一部は散乱光となって集光レ
ンズ108及び光ファイバー102′を介して光検出器
117によって検出される。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】測定ガスがガス入口6よりヒーター10
6′とA室壁に設置された温度センサー109′、温度
コントローラー145とによって、温度制御されたA室
4から反射鏡表面10に接触され該ガス中の微量水分が
反射鏡表面10上で結露すると、ミラー表面10上の散
乱光は増加する。ガスは出口12より放出される。該増
加した散乱光は集光レンズ108によって集光され、光
ファイバー102′を介して搬送されて光検出器117
によって検知される。光検出器117の出力レベルは特
に露点が比較的低い場合においては検出器の出口は極め
て低いので、光検出器の出力は増幅器141に導入され
て増幅される。該アンプ出力はインターフェース142
を介してCPU143に供給される。発光ダイオード1
01がノイズを有すると、ノイズも又アンプ141によ
って増幅され、これは信号の見誤りを生ずる。そこで、
ノイズ除去のために光検出器117′、アンプ141′
及びノイズエリミネータ100からなるフィードバック
回路が設けてある。すなわち、発光ダイオード101の
光エネルギーの一部を光検出器117と同等の光検出器
117′に供給する。光検出器117′の出力は更にア
ンプ141と同等のアンプ141′に供給されて増幅さ
れ、該増幅出力はノイズエリミネータ100に供給され
る。ノイズエリミネータ100はノイズに対応する出力
を発光ダイオード101にフィードバックすることによ
って発光ダイオード101からノイズを除去する。この
結果、散乱による出力のみを正確に取出すことができ、
露点の検出限界を下げることができる。反射鏡表面10
の温度は温度センサー109によって検出されサーモメ
ータ109及びインターフェース142を介してCPU
143に供給される。CPU143は温度センサ109
からのミラー表面温度信号と光検出器117からの出力
を計算し、デジタル指示器147、プリンタ148、ア
ナログディスプレイ150及びディスプレイ149に、
それぞれ表示手段に合った信号を供給する。コントロー
ラ144は測定装置の各エレメントを制御する。例え
ば、露点の測定が終了するとコントローラ144からの
信号によってヒーター106の加熱のための電流を増加
させ、或る定められた加熱速度で反射鏡面10の露や霜
を徐々に気化させたり、逆にヒーター106の電流を減
少させて、反射鏡面10上の露や霜の積層凝固を徐々に
行わせたりする。また、コントローラ111は露点測定
終了の際にアラーム装置151に信号を送り音声等を発
することもできる。
6′とA室壁に設置された温度センサー109′、温度
コントローラー145とによって、温度制御されたA室
4から反射鏡表面10に接触され該ガス中の微量水分が
反射鏡表面10上で結露すると、ミラー表面10上の散
乱光は増加する。ガスは出口12より放出される。該増
加した散乱光は集光レンズ108によって集光され、光
ファイバー102′を介して搬送されて光検出器117
によって検知される。光検出器117の出力レベルは特
に露点が比較的低い場合においては検出器の出口は極め
て低いので、光検出器の出力は増幅器141に導入され
て増幅される。該アンプ出力はインターフェース142
を介してCPU143に供給される。発光ダイオード1
01がノイズを有すると、ノイズも又アンプ141によ
って増幅され、これは信号の見誤りを生ずる。そこで、
ノイズ除去のために光検出器117′、アンプ141′
及びノイズエリミネータ100からなるフィードバック
回路が設けてある。すなわち、発光ダイオード101の
光エネルギーの一部を光検出器117と同等の光検出器
117′に供給する。光検出器117′の出力は更にア
ンプ141と同等のアンプ141′に供給されて増幅さ
れ、該増幅出力はノイズエリミネータ100に供給され
る。ノイズエリミネータ100はノイズに対応する出力
を発光ダイオード101にフィードバックすることによ
って発光ダイオード101からノイズを除去する。この
結果、散乱による出力のみを正確に取出すことができ、
露点の検出限界を下げることができる。反射鏡表面10
の温度は温度センサー109によって検出されサーモメ
ータ109及びインターフェース142を介してCPU
143に供給される。CPU143は温度センサ109
からのミラー表面温度信号と光検出器117からの出力
を計算し、デジタル指示器147、プリンタ148、ア
ナログディスプレイ150及びディスプレイ149に、
それぞれ表示手段に合った信号を供給する。コントロー
ラ144は測定装置の各エレメントを制御する。例え
ば、露点の測定が終了するとコントローラ144からの
信号によってヒーター106の加熱のための電流を増加
させ、或る定められた加熱速度で反射鏡面10の露や霜
を徐々に気化させたり、逆にヒーター106の電流を減
少させて、反射鏡面10上の露や霜の積層凝固を徐々に
行わせたりする。また、コントローラ111は露点測定
終了の際にアラーム装置151に信号を送り音声等を発
することもできる。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】好ましくは、反射鏡の表面はシリコンウエ
ハーから構成される。
ハーから構成される。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】シリコンウエハーは、反射鏡としては表面
の平滑さに於いて優れているが、光の吸収率が大きい。
この欠点を解消するために行ったのが、シリコンウエハ
ー上へのアルミニウムの蒸着或いはスパッタリングをす
ることである。しかし、アルミニウム膜を形成したシリ
コンウエハー反射鏡では、短時間で反射率が低下する可
能性がある。これは、穴やノズルから吹付けられるガス
中に含まれる硬度の高い微細なアルミナやシリカ並びに
配管から出て来るFe、Ni、Cr、Cuなどの酸化物
パーティクルや、氷の微細な結晶に対して、アルミニウ
ムのような柔らかい金属ではその表面の平滑性を維持す
ることは困難であるからである。
の平滑さに於いて優れているが、光の吸収率が大きい。
この欠点を解消するために行ったのが、シリコンウエハ
ー上へのアルミニウムの蒸着或いはスパッタリングをす
ることである。しかし、アルミニウム膜を形成したシリ
コンウエハー反射鏡では、短時間で反射率が低下する可
能性がある。これは、穴やノズルから吹付けられるガス
中に含まれる硬度の高い微細なアルミナやシリカ並びに
配管から出て来るFe、Ni、Cr、Cuなどの酸化物
パーティクルや、氷の微細な結晶に対して、アルミニウ
ムのような柔らかい金属ではその表面の平滑性を維持す
ることは困難であるからである。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】この問題を解決するためには、アルミ薄膜
上を透明で硬度の高い窒化アルミニウムで覆うことであ
る。この場合、LEDの633nmの波長では、アルミ
ニウム薄膜の98%程度、又半導体レーザーを光源とし
た場合の780nmの波長でも93%程度と、アルミニ
ウム薄膜よりは多少は低下するものの、充分に大きいS
N比をとることが出来、しかも、10,000時間以上
の連続使用に耐えることを確認した。アルミニウム薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を積層するにはシリコン結晶
のへきかい面の111面か100面を充分に研磨したシ
リコンウエハー表面に真空中でアルミニウムを蒸着させ
るか、又は、減圧アルゴン中で、スパッタリングによっ
て被膜させたアルミニウム薄膜上に、さらにN2 中でア
ルミニウムのスパッタリングを行うことにより製作する
ことが出来る。このようにして作成した反射鏡の表面
は、窒化アルミニウム薄膜の硬度が高く、しかも透明度
が優れていることから、理想的な反射鏡表面の保護膜と
しての性能を示した。−80℃以下の露点をもった非常
に微量の水分を霜点で測定するのに有効な方法として
は、集光された光を該鏡面の、被測定ガスが吹付けられ
る箇所に向けて投射することが絶対条件である。
上を透明で硬度の高い窒化アルミニウムで覆うことであ
る。この場合、LEDの633nmの波長では、アルミ
ニウム薄膜の98%程度、又半導体レーザーを光源とし
た場合の780nmの波長でも93%程度と、アルミニ
ウム薄膜よりは多少は低下するものの、充分に大きいS
N比をとることが出来、しかも、10,000時間以上
の連続使用に耐えることを確認した。アルミニウム薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を積層するにはシリコン結晶
のへきかい面の111面か100面を充分に研磨したシ
リコンウエハー表面に真空中でアルミニウムを蒸着させ
るか、又は、減圧アルゴン中で、スパッタリングによっ
て被膜させたアルミニウム薄膜上に、さらにN2 中でア
ルミニウムのスパッタリングを行うことにより製作する
ことが出来る。このようにして作成した反射鏡の表面
は、窒化アルミニウム薄膜の硬度が高く、しかも透明度
が優れていることから、理想的な反射鏡表面の保護膜と
しての性能を示した。−80℃以下の露点をもった非常
に微量の水分を霜点で測定するのに有効な方法として
は、集光された光を該鏡面の、被測定ガスが吹付けられ
る箇所に向けて投射することが絶対条件である。
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】本発明では被測定ガスを反射鏡に接触する
前に極度に低い接ガス表面に接触することにより、ガス
中の水分が吸着あるいは相変化し、それによって低い目
の露点、霜点を測定しないことが特徴である。それがた
め本発明ではガス中の水分を正確に測定できるように、
ガスの温度を自由に制御できる。
前に極度に低い接ガス表面に接触することにより、ガス
中の水分が吸着あるいは相変化し、それによって低い目
の露点、霜点を測定しないことが特徴である。それがた
め本発明ではガス中の水分を正確に測定できるように、
ガスの温度を自由に制御できる。
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】
【実施例−2】セルA室の温度を20℃とした場合と、
−50℃とした場合の核形成を示す霜点測定値とを比較
すると、各々、−112、5℃と−110、5℃を示
し、−50℃の場合の方が2℃高い値を示した。このこ
とは、A室の温度を−50℃程度に予冷した方がもっと
も露点(核形成霜点)は高い値を示すことが見られた。
−50℃とした場合の核形成を示す霜点測定値とを比較
すると、各々、−112、5℃と−110、5℃を示
し、−50℃の場合の方が2℃高い値を示した。このこ
とは、A室の温度を−50℃程度に予冷した方がもっと
も露点(核形成霜点)は高い値を示すことが見られた。
【手続補正19】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】上記実施例1、2に記した核形成霜点測定
法と、昇華点及び/又は積層凝固点測定法について下記
に説明する。
法と、昇華点及び/又は積層凝固点測定法について下記
に説明する。
【手続補正20】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】温度を変えることができる反射鏡、前記反
射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反射鏡に集光
光線及び/又はレーザー光を投射する手段、その反射鏡
上に形成された露及び/又は霜に基づく散乱光及び/又
は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点計を使
用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触させ、
そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線又はレ
ーザー光を投射し、その反射鏡とそのガスとを接触前又
はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその反射鏡
の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び/又は
霜を形成させ、結露点及び/又は結露点付近で露及び/
又は霜を鏡面上から完全に昇華させない程度に反射鏡の
温度を徐々に加熱し、それによって散乱光の強さの極大
となる温度及び/又は反射光の強さが極小となる温度、
或いは再び反射鏡を冷却させて散乱光の強さが極小とな
る温度及び/又は反射鏡の強さが極大となる温度を検出
し、その極大温度及びその極小温度をそのガスの露点及
び/又は露点とすることを含む微量水分を含むガスの露
点又は霜点を決定する方法に関する。
射鏡に被測定ガスを接触させる手段、前記反射鏡に集光
光線及び/又はレーザー光を投射する手段、その反射鏡
上に形成された露及び/又は霜に基づく散乱光及び/又
は反射光の変化を検知する手段を含む光学式露点計を使
用し、その方法は前記反射鏡に被測定ガスを接触させ、
そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線又はレ
ーザー光を投射し、その反射鏡とそのガスとを接触前又
はその反射鏡とそのガスとを接触させながらその反射鏡
の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び/又は
霜を形成させ、結露点及び/又は結露点付近で露及び/
又は霜を鏡面上から完全に昇華させない程度に反射鏡の
温度を徐々に加熱し、それによって散乱光の強さの極大
となる温度及び/又は反射光の強さが極小となる温度、
或いは再び反射鏡を冷却させて散乱光の強さが極小とな
る温度及び/又は反射鏡の強さが極大となる温度を検出
し、その極大温度及びその極小温度をそのガスの露点及
び/又は露点とすることを含む微量水分を含むガスの露
点又は霜点を決定する方法に関する。
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0032
【補正方法】変更
【補正内容】
【0032】今この原理を第8図によって説明する。こ
の測定原理は、必ずしも散乱光に限定されるものではな
く、反射光によっても測定は可能であるが、ここでは散
乱光の場合について説明する。反射光の増減は、散乱光
の増減と全く逆に強度が変化するだけであるので、省略
する。図8において反射鏡の温度を低下させる。イ点で
結露又は結霜が生じる。しかし過冷却となりやすいの
で、この点は正確な露点又は霜点ではない。さらに温度
を低下させ、核形成点であると判断出来ればロ点から温
度を上昇させる。当然この状態では過冷却になっている
ので、氷は成長し続ける。散乱光の強さが極大となった
点、ハ点を昇華点とする。この時の反射鏡の温度をTS
とする。次いで昇華点と判断しうる点、二点まで反射鏡
を加熱する。そこで氷は気化し始め、ニ点からは反射鏡
の温度を再び冷却し初め、ホの点で散乱光の強さは極小
となる。この時の温度、積層凝固点もTS となる。この
ように受光量の極大値の昇華点と、次に生ずる積層凝固
点とが、同じ含水分量ガスに対して、一致することが確
認されたので、その結果このTS がそのガスの正しい露
点又は霜点ということができる。さらに反射鏡を加熱又
は冷却を繰り返すと散乱光のカーブもまた放物線を描い
て変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
の測定原理は、必ずしも散乱光に限定されるものではな
く、反射光によっても測定は可能であるが、ここでは散
乱光の場合について説明する。反射光の増減は、散乱光
の増減と全く逆に強度が変化するだけであるので、省略
する。図8において反射鏡の温度を低下させる。イ点で
結露又は結霜が生じる。しかし過冷却となりやすいの
で、この点は正確な露点又は霜点ではない。さらに温度
を低下させ、核形成点であると判断出来ればロ点から温
度を上昇させる。当然この状態では過冷却になっている
ので、氷は成長し続ける。散乱光の強さが極大となった
点、ハ点を昇華点とする。この時の反射鏡の温度をTS
とする。次いで昇華点と判断しうる点、二点まで反射鏡
を加熱する。そこで氷は気化し始め、ニ点からは反射鏡
の温度を再び冷却し初め、ホの点で散乱光の強さは極小
となる。この時の温度、積層凝固点もTS となる。この
ように受光量の極大値の昇華点と、次に生ずる積層凝固
点とが、同じ含水分量ガスに対して、一致することが確
認されたので、その結果このTS がそのガスの正しい露
点又は霜点ということができる。さらに反射鏡を加熱又
は冷却を繰り返すと散乱光のカーブもまた放物線を描い
て変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
【手続補正22】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】 表 1 冷 却 速 度 温 度 範 囲 冷 却 速 度 (℃)→ (℃) (℃/min) 20 −70 10.0 −70 −90 4.0 −90 −100 2.0 −100 −105 1.0 −105 −110 0.50 −110 −115 0.25 −115 −120 0.13 −120 −125 0.063 −125 −130 0.031 −130 −135 0.016 表 2 加 熱 速 度 温 度 範 囲 冷 却 速 度 (℃)→ (℃) (℃/min) −135 −130 0.016 −130 −125 0.031 −125 −120 0.063 −120 −115 0.13 −115 −110 0.25 −110 −105 0.50 −105 −100 1.0 −100 −90 2.0 −90 −70 4.0 −70 30 10.0 上記式(1)は曲線の式である。加熱及び冷却速度は低
温になる程遅くなる。
温になる程遅くなる。
【手続補正23】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】上記(1)の曲線に従って冷却及び加熱を
行うと仮定すると、低温になる程、冷却及び加熱速度を
遅くしなければならず、これを実施するために完全なコ
ンピューター制御を行うのが理想であるが、しかしこれ
は経済的ではない。
行うと仮定すると、低温になる程、冷却及び加熱速度を
遅くしなければならず、これを実施するために完全なコ
ンピューター制御を行うのが理想であるが、しかしこれ
は経済的ではない。
【手続補正24】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0037
【補正方法】変更
【補正内容】
【0037】上記の表に示すように階段的に冷却速度を
下げていくのが一般的である。例えば−100℃以下で
は5℃ごとに冷却及び加熱速度を変化させるのである。
下げていくのが一般的である。例えば−100℃以下で
は5℃ごとに冷却及び加熱速度を変化させるのである。
【手続補正25】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】図9は同様な実験について反射鏡の温度と
散乱光の強さとの関係をグラフにしたものである。
散乱光の強さとの関係をグラフにしたものである。
【手続補正26】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正内容】
【0040】図10は具体的なガスについてガス中の水
分量と散乱光の変化の割合を示すグラフである。図9に
おいて、反射鏡の温度を変化させると散乱光の強さは
チ、リ、ヌとカーブを描いて変化する。チ、リ、ヌのカ
ーブを二次曲線と仮定し微分して直線として表したの
が、図10である。図10においてチ′、リ′及びヌ′
は図9におけるチ、リ及びヌに対応する。横軸のガス中
の水分量は氷の蒸気圧の式から求めた値である。
分量と散乱光の変化の割合を示すグラフである。図9に
おいて、反射鏡の温度を変化させると散乱光の強さは
チ、リ、ヌとカーブを描いて変化する。チ、リ、ヌのカ
ーブを二次曲線と仮定し微分して直線として表したの
が、図10である。図10においてチ′、リ′及びヌ′
は図9におけるチ、リ及びヌに対応する。横軸のガス中
の水分量は氷の蒸気圧の式から求めた値である。
【手続補正27】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0042
【補正方法】変更
【補正内容】
【0042】T0 =−90℃ R(T)=約4℃/分 n=約0.67 ΔT=約0.4℃ 2秒間に1回のサンプル測定 さらにこの測定法の特徴は一般にこのような測定におけ
るノイズは必ず生じ、これによる誤差の対策である。散
乱光の強度の上昇点を結露又は結霜点とするとノイズの
ため正確な点を読むことは非常にむつかしい。しかしな
がら、本発明のように山型の頂点および谷型の底点から
結露又は結霜点を見つける場合、たとえ、ノイズが発生
していても、実際の測定点を2次曲線を微分した直線に
プロットし、最小乗法により得た直線から、頂点となる
昇華点又は底点となる積層凝固点を求めることは、非常
に正確で安定した値が得られる。
るノイズは必ず生じ、これによる誤差の対策である。散
乱光の強度の上昇点を結露又は結霜点とするとノイズの
ため正確な点を読むことは非常にむつかしい。しかしな
がら、本発明のように山型の頂点および谷型の底点から
結露又は結霜点を見つける場合、たとえ、ノイズが発生
していても、実際の測定点を2次曲線を微分した直線に
プロットし、最小乗法により得た直線から、頂点となる
昇華点又は底点となる積層凝固点を求めることは、非常
に正確で安定した値が得られる。
【手続補正28】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0043
【補正方法】変更
【補正内容】
【0043】大気に放置されたSUS316Lステンレ
ス・スチールの1/4インチの径で内面を電解研磨した
チューブにSAES GETTER社製のジルコニウム
・ゲッター精製器で精製したN2 ガスを流通した時のチ
ューブのクリーンアップ現象を測定した。従来の結露点
(N0 )と平衡点を測定するための3点(S1、A、S
2)の温度を時間の経過とともに測定したものを(図1
1)に示した。これは、平衡点(昇華点及び積層凝固
点)も核形成結露点も便宜的に氷の蒸気圧曲線より換算
した値をプロットしたものである。これによると平衡点
S1、A、S2は、ほぼ同じ曲線上に沿って減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象がほ
ぼ正しく表現されている。それに対し、核形成点は平衡
点に比べて、低く、しかも不安定な傾向を示している。
ス・スチールの1/4インチの径で内面を電解研磨した
チューブにSAES GETTER社製のジルコニウム
・ゲッター精製器で精製したN2 ガスを流通した時のチ
ューブのクリーンアップ現象を測定した。従来の結露点
(N0 )と平衡点を測定するための3点(S1、A、S
2)の温度を時間の経過とともに測定したものを(図1
1)に示した。これは、平衡点(昇華点及び積層凝固
点)も核形成結露点も便宜的に氷の蒸気圧曲線より換算
した値をプロットしたものである。これによると平衡点
S1、A、S2は、ほぼ同じ曲線上に沿って減少してお
り、チューブの表面に吸着している水分の脱着現象がほ
ぼ正しく表現されている。それに対し、核形成点は平衡
点に比べて、低く、しかも不安定な傾向を示している。
【手続補正29】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0046
【補正方法】変更
【補正内容】
【0046】 T:露点、絶対温度〔K〕 C:水分濃度〔ppb〕 これは、INTERNATIONAL CRITICA
L TABLES OF NUMERICAL DAT
A、PHYSICS、CHEMISTRY AND T
ECHNOLOGY、VOLUMEIII、P210、
NATIONAL RESERACH COUNCIL
OF USA(1928)に示された式で、第9図、
第10図の水分量は、測定された昇華点、積層凝固点よ
り換算されたものである。
L TABLES OF NUMERICAL DAT
A、PHYSICS、CHEMISTRY AND T
ECHNOLOGY、VOLUMEIII、P210、
NATIONAL RESERACH COUNCIL
OF USA(1928)に示された式で、第9図、
第10図の水分量は、測定された昇華点、積層凝固点よ
り換算されたものである。
【手続補正30】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正31】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】
【手続補正32】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
【手続補正33】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図12
【補正方法】変更
【補正内容】
【図12】
Claims (1)
- 【請求項1】 −80℃以下のガス中の露点又は霜点を
測定する装置であり、その装置は下記を含む: (i) 熱伝導性が良い材料から構成されているA室、 (ii) 被測定ガス用入口がA室に設けられ、 (iii) A室の温度を調節するためのヒータと、温度セン
サーが設けられ、 (iv) A室に隣接してB室が設けられ、B室の少なくと
も1部は熱伝導性のよくない材料から構成され、 (v) A室とB室との境界の面部に穴又はノズルが設け
られ、 (vi) B室に穴またはノズルに被さるように、温度セン
サーを有する反射鏡が設けられ、その反射鏡は温室から
−80℃以下の温度まで、自由に温度変動が可能なよう
に冷凍源に熱的に接続されており、 (vii) B室にはガス出口が設けられ、 (viii) その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわ
ずかな隙間が形成されており、 (ix) 反射鏡面上に反射される集光光線又はレーザー光
発射装置が具備されており、 (x) 反射鏡面上に形成された霜に向けて、集光光線又
はレーザー光線を、投射することにより、散乱光及び/
又は反射光の変化を検知する受光装置、および、 (xi) 反射鏡上に形成される露及び/又は霜が発生した
温度を判断する検知装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3357406A JPH05296927A (ja) | 1991-04-18 | 1991-12-01 | ガス中の微量水分測定装置 |
CA002085611A CA2085611A1 (en) | 1991-04-18 | 1992-04-17 | Method of measuring the dew point and/or frost point of a gas having low water content and apparatus therefor |
PCT/JP1992/000492 WO1992018854A1 (en) | 1991-04-18 | 1992-04-17 | Method of measuring the dew point and/or frost point of a gas having low water content and apparatus therefor |
DE69229493T DE69229493T2 (de) | 1991-04-18 | 1992-04-17 | Verfahren und apparatur zur messung des taupunktes und/oder des frostpunktes eines gases geringen wassergehalts |
TW081103026A TW213979B (ja) | 1991-04-18 | 1992-04-17 | |
EP92908343A EP0535248B1 (en) | 1991-04-18 | 1992-04-17 | Method of measuring the dew point and/or frost point of a gas having low water content and apparatus therefor |
KR1019920703265A KR100205839B1 (en) | 1991-04-18 | 1992-12-17 | Method for measuring the dew point and/or frost point of gas having low water content and apparatus therefor |
US08/286,395 US5482371A (en) | 1991-04-18 | 1994-08-05 | Method and apparatus for measuring the dew point and/or frost point of a gas having low water content |
US08/360,441 US5615954A (en) | 1991-04-18 | 1994-12-21 | Apparatus for measuring the dew point or frost point of a gas having low water content |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3-86906 | 1991-04-18 | ||
JP8690691 | 1991-04-18 | ||
JP3357406A JPH05296927A (ja) | 1991-04-18 | 1991-12-01 | ガス中の微量水分測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05296927A true JPH05296927A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=26427978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3357406A Pending JPH05296927A (ja) | 1991-04-18 | 1991-12-01 | ガス中の微量水分測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05296927A (ja) |
-
1991
- 1991-12-01 JP JP3357406A patent/JPH05296927A/ja active Pending
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