JPH05289032A - 光デバイスの制御法 - Google Patents
光デバイスの制御法Info
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- JPH05289032A JPH05289032A JP9314492A JP9314492A JPH05289032A JP H05289032 A JPH05289032 A JP H05289032A JP 9314492 A JP9314492 A JP 9314492A JP 9314492 A JP9314492 A JP 9314492A JP H05289032 A JPH05289032 A JP H05289032A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＣドリフト現象による信頼性の問題を解決
し、動作点を安定化する光デバイスの制御法を提供す
る。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板１００にＴｉを熱拡散させ
て形成したマッハツェンダ形光導波路のコア部１０１お
よび１０２に伝送光より波長の短いバイアス制御光１１
１を所定時間入射する。
し、動作点を安定化する光デバイスの制御法を提供す
る。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板１００にＴｉを熱拡散させ
て形成したマッハツェンダ形光導波路のコア部１０１お
よび１０２に伝送光より波長の短いバイアス制御光１１
１を所定時間入射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気信号によって光の
変調、光路切り替え等を行う光デバイスの光制御法に関
し、特に動作点調整および安定性を改善する光デバイス
の制御法である。
変調、光路切り替え等を行う光デバイスの光制御法に関
し、特に動作点調整および安定性を改善する光デバイス
の制御法である。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムにおいては、電気光学効
果を有する強誘電体，半導体あるいは有機材料等を利用
して、例えば光変調器や光スイッチ等の光デバイスのよ
うに、電気信号によって光の変調，スイッチング等の制
御をする方法が多く用いられている。
果を有する強誘電体，半導体あるいは有機材料等を利用
して、例えば光変調器や光スイッチ等の光デバイスのよ
うに、電気信号によって光の変調，スイッチング等の制
御をする方法が多く用いられている。
【０００３】例えば、ＬｉＮｂＯ3 結晶を用いた従来の
高速光強度変調器の構成例を図５に示し、その制御法を
以下に説明する。
高速光強度変調器の構成例を図５に示し、その制御法を
以下に説明する。
【０００４】この例では、電気光学効果を持つｘもしく
はｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板５００にＴｉの熱拡散によりマ
ッハツェンダ形光導波路５０１および５０２が形成され
ている。その基板５００の上には、中心電極５０３およ
びアース電極５０４から構成されるコプレーナウェーブ
ガイド（Ｃｏ−Ｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ：Ｃ
ＰＷ）が形成されている。５０５は終端抵抗、５０６は
変調信号を電極５０３および５０４に入力する給電線で
ある。５０９は入射光、５１０は出射光である。
はｙ板ＬｉＮｂＯ3 基板５００にＴｉの熱拡散によりマ
ッハツェンダ形光導波路５０１および５０２が形成され
ている。その基板５００の上には、中心電極５０３およ
びアース電極５０４から構成されるコプレーナウェーブ
ガイド（Ｃｏ−Ｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ：Ｃ
ＰＷ）が形成されている。５０５は終端抵抗、５０６は
変調信号を電極５０３および５０４に入力する給電線で
ある。５０９は入射光、５１０は出射光である。
【０００５】このような構成の光変調器を動作させる場
合、適切な出力変調波形を得るために、給電線５０６に
は変調信号として、信号源５０７からのマイクロ波信号
（交流成分）以外に、通常、ＤＣバイアス電源５０８か
ら電圧Ｖe （直流成分）が印加される。このＶe が動作
点となる。このときの入力変調信号と出力波形との関係
を図６中の実線（初期状態）で示す。
合、適切な出力変調波形を得るために、給電線５０６に
は変調信号として、信号源５０７からのマイクロ波信号
（交流成分）以外に、通常、ＤＣバイアス電源５０８か
ら電圧Ｖe （直流成分）が印加される。このＶe が動作
点となる。このときの入力変調信号と出力波形との関係
を図６中の実線（初期状態）で示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光変
調器においては、バイアス電圧Ｖe を一定電圧で印加し
た状態で長時間動作させると、動作点が経時的に変動
し、出力波形が次第に歪んでゆく現象（図６中の破線で
示すＤＣドリフト状態）が生じる。このため、バイアス
電圧Ｖe をその動作点変動に応じて変動させる動作点ロ
ッキング制御法を行う必要があった。この場合、初期的
な変動が大きいと、動作点ロッキングの制御範囲が大き
くなるため制御装置が大型化するとともに、制御系が複
雑となり、長期的な信頼性に問題があった。
調器においては、バイアス電圧Ｖe を一定電圧で印加し
た状態で長時間動作させると、動作点が経時的に変動
し、出力波形が次第に歪んでゆく現象（図６中の破線で
示すＤＣドリフト状態）が生じる。このため、バイアス
電圧Ｖe をその動作点変動に応じて変動させる動作点ロ
ッキング制御法を行う必要があった。この場合、初期的
な変動が大きいと、動作点ロッキングの制御範囲が大き
くなるため制御装置が大型化するとともに、制御系が複
雑となり、長期的な信頼性に問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、このようなＤＣ
ドリフト現象による動作点変動を短期間に抑え、それ以
後の動作点を安定化する光デバイスの制御法を提供する
ことにある。
ドリフト現象による動作点変動を短期間に抑え、それ以
後の動作点を安定化する光デバイスの制御法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の光デバイスの制御法は、電気光学効
果と光伝導効果を有する基板面上もしくは基板面付近に
形成された少なくとも１本の光導波路と、該光導波路近
傍に配置された電極を有する光デバイスの前記光導波路
内にバイアス制御光を入射することによって前記光デバ
イスの動作点を制御することを特徴とする。
るために、本発明の光デバイスの制御法は、電気光学効
果と光伝導効果を有する基板面上もしくは基板面付近に
形成された少なくとも１本の光導波路と、該光導波路近
傍に配置された電極を有する光デバイスの前記光導波路
内にバイアス制御光を入射することによって前記光デバ
イスの動作点を制御することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明では、バイアス制御光を光導波路内に入
射することによって、光導波路に誘起される電圧を初期
値から、長時間経過した場合の電圧値に相当する電圧値
へ短時間のうちに推移させ、バイアス電圧Ｖe の初期変
動後の変動量をほぼ０に抑えることができる。これによ
り、動作点ロッキング制御における制御範囲を小さくす
ることが可能となるので、動作点を安定化させることが
でき、長期安定性の問題を解決することができる。
射することによって、光導波路に誘起される電圧を初期
値から、長時間経過した場合の電圧値に相当する電圧値
へ短時間のうちに推移させ、バイアス電圧Ｖe の初期変
動後の変動量をほぼ０に抑えることができる。これによ
り、動作点ロッキング制御における制御範囲を小さくす
ることが可能となるので、動作点を安定化させることが
でき、長期安定性の問題を解決することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】まず、ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた光強度変
調器を例にとって、本発明の実施例を説明する。
調器を例にとって、本発明の実施例を説明する。
【００１２】図１は、高速ＬｉＮｂＯ3 光変調器に適用
した本発明の１実施例を示す断面図である。ここで、１
００は、例えばＴｉ，Ｍｇ，Ｅｒ，Ｔａ等の金属を基板
表面付近のクラッド部１００Ａに予めドーピングしたＬ
ｉＮｂＯ3 基板である。１０１および１０２は基板１０
０にＴｉを熱拡散させて形成したマッハツェンダ形光導
波路のコア部である。１０３および１０４は、それぞ
れ、基板１００の上に配置した中心電極およびアース電
極である。電極１０３および１０４はコプレーナウェー
ブガイド（Ｃｏ−Ｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ：
ＣＰＷ）を構成している。ここでは、電気信号を光信号
に変換する波長１．５５μｍの伝送光より波長の短い例
えば０．６３μｍのバイアス制御光１１１を光導波路部
１０１および１０２に所定時間だけ入射する。
した本発明の１実施例を示す断面図である。ここで、１
００は、例えばＴｉ，Ｍｇ，Ｅｒ，Ｔａ等の金属を基板
表面付近のクラッド部１００Ａに予めドーピングしたＬ
ｉＮｂＯ3 基板である。１０１および１０２は基板１０
０にＴｉを熱拡散させて形成したマッハツェンダ形光導
波路のコア部である。１０３および１０４は、それぞ
れ、基板１００の上に配置した中心電極およびアース電
極である。電極１０３および１０４はコプレーナウェー
ブガイド（Ｃｏ−Ｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ：
ＣＰＷ）を構成している。ここでは、電気信号を光信号
に変換する波長１．５５μｍの伝送光より波長の短い例
えば０．６３μｍのバイアス制御光１１１を光導波路部
１０１および１０２に所定時間だけ入射する。
【００１３】ここで、制御原理について説明する。
【００１４】図２は、図１における高速ＬｉＮｂＯ3 光
強度変調器の断面図を示し、図３は、図１に示した光強
度変調器の電極１０３および１０４、および光導波路の
コア部１０１および１０２付近の電気的等価回路を示
し、図４は中心電極１０３とアース電極１０４との間の
一定バイアス電圧Ｖe に対して、バイアス制御光１１１
を入射しない場合，入射した場合，および一定時間Ｔだ
け入射した場合における光導波路に誘起される実効的な
電圧ＶW ，ＶW ′，およびＶW ″の経時変化を示す。こ
のＶW ，ＶW ′，ＶW ″の大きさに基づいて第１の光と
しての伝送光１０９が変調を受けるので、ＶW ，Ｖ
W ′，ＶW ″の経時変化がＤＣドリフト現象に対応す
る。
強度変調器の断面図を示し、図３は、図１に示した光強
度変調器の電極１０３および１０４、および光導波路の
コア部１０１および１０２付近の電気的等価回路を示
し、図４は中心電極１０３とアース電極１０４との間の
一定バイアス電圧Ｖe に対して、バイアス制御光１１１
を入射しない場合，入射した場合，および一定時間Ｔだ
け入射した場合における光導波路に誘起される実効的な
電圧ＶW ，ＶW ′，およびＶW ″の経時変化を示す。こ
のＶW ，ＶW ′，ＶW ″の大きさに基づいて第１の光と
しての伝送光１０９が変調を受けるので、ＶW ，Ｖ
W ′，ＶW ″の経時変化がＤＣドリフト現象に対応す
る。
【００１５】図３において、Ｒ1 およびＣ1 は、それぞ
れ、ＬｉＮｂＯ3 基板１００のクラッド部１００Ａの実
効的な抵抗および静電容量である。Ｒ2 およびＣ2 は、
それぞれ、伝送光１０９のみを入射した場合のＬｉＮｂ
Ｏ3 光導波路部１０１および１０２（Ｔｉ拡散コア部）
の実効的な抵抗および静電容量である。
れ、ＬｉＮｂＯ3 基板１００のクラッド部１００Ａの実
効的な抵抗および静電容量である。Ｒ2 およびＣ2 は、
それぞれ、伝送光１０９のみを入射した場合のＬｉＮｂ
Ｏ3 光導波路部１０１および１０２（Ｔｉ拡散コア部）
の実効的な抵抗および静電容量である。
【００１６】一般に、短波長の光は長波長の光よりフォ
トンエネルギーが大きいため、この短波長光を光導波路
に入射すると、ＬｉＮｂＯ3 の光導波路部に光励起され
たキャリアが発生し、実効的に光導波路部の抵抗率ρが
小さくなることが知られている。この効果は波長が短い
ほど効果が著しく大きくなり、図１の本実施例において
は、抵抗率は２〜５桁程度変化することもある。このと
き、光導波路部の誘電率ε2 の変化は、無視できるほど
僅かであるので、静電容量Ｃ2 は変化しないと考えてよ
い。そこで、伝送光１０９およびバイアス制御光１１１
を入射した場合のＬｉＮｂＯ3 光導波路１０１および１
０２（Ｔｉ拡散コア部）の実効的な抵抗をＲ2 ′とす
る。ここで、バイアス制御光１１１を遮断すると、光導
波路部１０１および１０２の抵抗Ｒ2 ′は再びＲ2 に戻
る。
トンエネルギーが大きいため、この短波長光を光導波路
に入射すると、ＬｉＮｂＯ3 の光導波路部に光励起され
たキャリアが発生し、実効的に光導波路部の抵抗率ρが
小さくなることが知られている。この効果は波長が短い
ほど効果が著しく大きくなり、図１の本実施例において
は、抵抗率は２〜５桁程度変化することもある。このと
き、光導波路部の誘電率ε2 の変化は、無視できるほど
僅かであるので、静電容量Ｃ2 は変化しないと考えてよ
い。そこで、伝送光１０９およびバイアス制御光１１１
を入射した場合のＬｉＮｂＯ3 光導波路１０１および１
０２（Ｔｉ拡散コア部）の実効的な抵抗をＲ2 ′とす
る。ここで、バイアス制御光１１１を遮断すると、光導
波路部１０１および１０２の抵抗Ｒ2 ′は再びＲ2 に戻
る。
【００１７】光導波路部１０１および１０２とクラッド
部１００Ａにおいて、それぞれの抵抗Ｒおよび容量Ｃの
大きさは、各部の材質，形状，寸法等により決まり、ま
た、容量Ｃは電極の特性インピーダンスの大きさに応じ
て設定される。このとき、中心導体１０３とアース電極
１０４との間のギャップに対して、光導波路部１０１お
よび１０２の光閉じ込め係数を考慮したときのクラッド
部１００Ａおよび光導波路部１０１および１０２の等価
的な長さをそれぞれｌ1 およびｌ2 とすると、Ｒ1 およ
び１／Ｃ1 はｌ1 に比例する大きさになり、Ｒ2 あるい
はＲ2 ′および１／Ｃ2 はｌ2 に比例する大きさにな
る。
部１００Ａにおいて、それぞれの抵抗Ｒおよび容量Ｃの
大きさは、各部の材質，形状，寸法等により決まり、ま
た、容量Ｃは電極の特性インピーダンスの大きさに応じ
て設定される。このとき、中心導体１０３とアース電極
１０４との間のギャップに対して、光導波路部１０１お
よび１０２の光閉じ込め係数を考慮したときのクラッド
部１００Ａおよび光導波路部１０１および１０２の等価
的な長さをそれぞれｌ1 およびｌ2 とすると、Ｒ1 およ
び１／Ｃ1 はｌ1 に比例する大きさになり、Ｒ2 あるい
はＲ2 ′および１／Ｃ2 はｌ2 に比例する大きさにな
る。
【００１８】図４において、バイアス制御光１１１を入
射しない場合のＶW の大きさは、初期（ｔ＝０）におい
ては、クラッド部１００Ａおよび光導波路１０２の各静
電容量Ｃ1 およびＣ2 の大きさで決まる値、すなわちＶ
e 印加直後の光導波路に誘起される実効的な電圧Ｖ
W1（＝Ｃ1 ／（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ））になる。また、時定数
τ（＝（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ）Ｒ1 ・Ｒ2 ／（２Ｒ1 ＋Ｒ
2 ））よりも充分に長い時間経過した後（ｔ＝∞）に
は、ＶW の大きさは抵抗Ｒ1 およびＲ2 の大きさで決ま
る値、すなわちバイアス制御光を入射した場合におけ
る、Ｖe 印加後充分時間を経たときの光導波路に誘起さ
れる実効的な電圧ＶW2＝（Ｒ2 ／（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ））に
収束する。
射しない場合のＶW の大きさは、初期（ｔ＝０）におい
ては、クラッド部１００Ａおよび光導波路１０２の各静
電容量Ｃ1 およびＣ2 の大きさで決まる値、すなわちＶ
e 印加直後の光導波路に誘起される実効的な電圧Ｖ
W1（＝Ｃ1 ／（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ））になる。また、時定数
τ（＝（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ）Ｒ1 ・Ｒ2 ／（２Ｒ1 ＋Ｒ
2 ））よりも充分に長い時間経過した後（ｔ＝∞）に
は、ＶW の大きさは抵抗Ｒ1 およびＲ2 の大きさで決ま
る値、すなわちバイアス制御光を入射した場合におけ
る、Ｖe 印加後充分時間を経たときの光導波路に誘起さ
れる実効的な電圧ＶW2＝（Ｒ2 ／（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ））に
収束する。
【００１９】ここで、クラッド部の誘電率ε1 および光
導波路部の誘電率ε2 とクラッド部の抵抗率ρ1 および
光導波路部の抵抗率ρ2 が互いに同じ大きさ（ε1 ＝ε
2 ，ρ1 ＝ρ2 ）の場合、等価的にはＣ1 ／Ｃ2 ＝Ｒ2
／Ｒ1 となり、したがってＶW1＝ＶW2になるので、ＤＣ
ドリフト現象は発生しないことになる。しかし、実際に
は光導波路部１０１および１０２にはＴｉが拡散されて
いるので、その抵抗率の大きさρ2 は、ＬｉＮｂＯ3 結
晶の抵抗率ρ1 より小さくなっている。一方、ＴｉのＬ
ｉＮｂＯ3 中における密度が小さいので、誘電率の大き
さは、光導波路部とクラッド部でほぼ等しく（ε1 〜ε
2 ）となっている。このため、ＶW2＜ＶW1の関係とな
り、連続使用時間が時定数τと同程度の長さになると、
ＤＣドリフト現象が原理的に生ずることになり、変調動
作の長期安定性が問題となる。
導波路部の誘電率ε2 とクラッド部の抵抗率ρ1 および
光導波路部の抵抗率ρ2 が互いに同じ大きさ（ε1 ＝ε
2 ，ρ1 ＝ρ2 ）の場合、等価的にはＣ1 ／Ｃ2 ＝Ｒ2
／Ｒ1 となり、したがってＶW1＝ＶW2になるので、ＤＣ
ドリフト現象は発生しないことになる。しかし、実際に
は光導波路部１０１および１０２にはＴｉが拡散されて
いるので、その抵抗率の大きさρ2 は、ＬｉＮｂＯ3 結
晶の抵抗率ρ1 より小さくなっている。一方、ＴｉのＬ
ｉＮｂＯ3 中における密度が小さいので、誘電率の大き
さは、光導波路部とクラッド部でほぼ等しく（ε1 〜ε
2 ）となっている。このため、ＶW2＜ＶW1の関係とな
り、連続使用時間が時定数τと同程度の長さになると、
ＤＣドリフト現象が原理的に生ずることになり、変調動
作の長期安定性が問題となる。
【００２０】通常、このドリフト現象による変調動作の
不安定性を解消するために、ドリフト量に合わせて、バ
イアス電圧Ｖe を調整する動作点ロッキング制御がとら
れるが、電源の制御可能範囲に制限されるので長期間に
わたって連続的に制御することは、長期安定性および信
頼性の点から問題があった。
不安定性を解消するために、ドリフト量に合わせて、バ
イアス電圧Ｖe を調整する動作点ロッキング制御がとら
れるが、電源の制御可能範囲に制限されるので長期間に
わたって連続的に制御することは、長期安定性および信
頼性の点から問題があった。
【００２１】これに対し、本発明では、ｔ＝０でバイア
ス制御光を入射した場合、Ｒ2 はＲ2 ′（＜Ｒ2 ）とな
るために、初期（ｔ＝０）においては、光導波路に誘起
される電圧ＶW ″はＶW1（＝Ｃ1 ／２（Ｃ2 ＋Ｃ1 ））
と等しくなるが、時定数τ′（＝（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ）Ｒ1
・Ｒ2 ′／（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ′））はτより充分小さくな
る。また、時定数τ′よりも充分に長い時間経過した後
（ｔ＝∞）には、ＶW′の大きさは抵抗Ｒ1 およびＲ
2 ′の大きさで決まる値、すなわちバイアス制御光を入
射した場合における、Ｖe 印加後充分時間を経たときの
光導波路に誘起される実効的な電圧ＶW2′＝Ｒ2 ′／
（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ′））に収束する。そのため、光導波路
に誘起される電圧ＶW ″は図４中で示すＶW ′のごとく
変動する。ここで、ＶW ′＝ＶW2となるｔ＝Ｔでバイア
ス制御光を遮断すると光導波路に誘起された電圧ＶW ″
は、Ｒ2 ′がＲ2 に戻るため、ＶW の収束値であるＶW2
の値を保持し、ＤＣドリフト現象は飽和した状態とな
る。したがって、この初期変動以後の動作点変動は生じ
ないことになる。ここで、時間Ｔは抵抗および抵抗の変
化率や静電容量の値から求めることができる。ただし、
これらの数値を精度良く求めることが困難な場合には、
バイアス制御光を僅かな時間Ｔ′（＜Ｔ）の間に入射
し、バイアス制御光遮断後の動作点変動量がほぼ０（Ｖ
W ″≒ＶW2に相当）あるいは僅かに反転する（ＶW ″＜
ＶW2に相当）まで繰り返すことによって達成することが
できる。また、ＶW ″がＶW2と等しくない場合でも、動
作点の変動量は、非常に小さいので、動作点ロッキング
の制御領域が小さくなり、長期安定性が確保できる。
ス制御光を入射した場合、Ｒ2 はＲ2 ′（＜Ｒ2 ）とな
るために、初期（ｔ＝０）においては、光導波路に誘起
される電圧ＶW ″はＶW1（＝Ｃ1 ／２（Ｃ2 ＋Ｃ1 ））
と等しくなるが、時定数τ′（＝（２Ｃ2 ＋Ｃ1 ）Ｒ1
・Ｒ2 ′／（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ′））はτより充分小さくな
る。また、時定数τ′よりも充分に長い時間経過した後
（ｔ＝∞）には、ＶW′の大きさは抵抗Ｒ1 およびＲ
2 ′の大きさで決まる値、すなわちバイアス制御光を入
射した場合における、Ｖe 印加後充分時間を経たときの
光導波路に誘起される実効的な電圧ＶW2′＝Ｒ2 ′／
（２Ｒ1 ＋Ｒ2 ′））に収束する。そのため、光導波路
に誘起される電圧ＶW ″は図４中で示すＶW ′のごとく
変動する。ここで、ＶW ′＝ＶW2となるｔ＝Ｔでバイア
ス制御光を遮断すると光導波路に誘起された電圧ＶW ″
は、Ｒ2 ′がＲ2 に戻るため、ＶW の収束値であるＶW2
の値を保持し、ＤＣドリフト現象は飽和した状態とな
る。したがって、この初期変動以後の動作点変動は生じ
ないことになる。ここで、時間Ｔは抵抗および抵抗の変
化率や静電容量の値から求めることができる。ただし、
これらの数値を精度良く求めることが困難な場合には、
バイアス制御光を僅かな時間Ｔ′（＜Ｔ）の間に入射
し、バイアス制御光遮断後の動作点変動量がほぼ０（Ｖ
W ″≒ＶW2に相当）あるいは僅かに反転する（ＶW ″＜
ＶW2に相当）まで繰り返すことによって達成することが
できる。また、ＶW ″がＶW2と等しくない場合でも、動
作点の変動量は、非常に小さいので、動作点ロッキング
の制御領域が小さくなり、長期安定性が確保できる。
【００２２】なお、上記実施例では、バイアス制御光を
伝送光の入射側から入射した場合を示したが、伝送光の
出射側から入射するか、あるいは両側から入射すること
によっても同様な効果が得られる。
伝送光の入射側から入射した場合を示したが、伝送光の
出射側から入射するか、あるいは両側から入射すること
によっても同様な効果が得られる。
【００２３】また、上記実施例では、ｘまたはｙ板Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板を用いた本発明の制御例について説明した
が、その他の結晶の基板を用いた場合でも、同様に本発
明を適用できる。
ＮｂＯ3 基板を用いた本発明の制御例について説明した
が、その他の結晶の基板を用いた場合でも、同様に本発
明を適用できる。
【００２４】さらに、上記実施例では、バイアス制御光
として、伝送光より波長の短い光を用いた場合を示した
が、光パワーが大きいほど、光伝導効果が大きくなるの
で、伝送光と同等あるいは長い波長の光を用いても、光
パワーが充分大きければ同様の効果が得られる。
として、伝送光より波長の短い光を用いた場合を示した
が、光パワーが大きいほど、光伝導効果が大きくなるの
で、伝送光と同等あるいは長い波長の光を用いても、光
パワーが充分大きければ同様の効果が得られる。
【００２５】上記実施例では、ＬｉＮｂＯ3 を用いた高
速光強度変調器の制御法を例にとって本発明の原理，効
果および実施例を述べたが、この他に、電気光学効果お
よび光伝導効果を有する強誘電体，半導体あるいは有機
材料等を利用した光変調器や光スイッチ等のような、電
気信号によって光出力を制御する光導波路形デバイスの
制御法に本発明を適用できる。
速光強度変調器の制御法を例にとって本発明の原理，効
果および実施例を述べたが、この他に、電気光学効果お
よび光伝導効果を有する強誘電体，半導体あるいは有機
材料等を利用した光変調器や光スイッチ等のような、電
気信号によって光出力を制御する光導波路形デバイスの
制御法に本発明を適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バイアス制御光を光導波路内に入射することによって、
バイアス電圧の初期変動後の変動量をほぼ０に抑えるこ
とができる。これにより、ＤＣドリフト現象が飽和した
状態になることから、動作点ロッキング制御における制
御範囲を小さくすることが可能となり、動作点を安定化
させることができ、長期安定性の問題を解決することが
できる。
バイアス制御光を光導波路内に入射することによって、
バイアス電圧の初期変動後の変動量をほぼ０に抑えるこ
とができる。これにより、ＤＣドリフト現象が飽和した
状態になることから、動作点ロッキング制御における制
御範囲を小さくすることが可能となり、動作点を安定化
させることができ、長期安定性の問題を解決することが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１のＡＡ´線断面図である。
【図３】図１に示したデバイスの等価回路図である。
【図４】図１に示した本発明実施例の動作原理の説明図
である。
である。
【図５】従来のマッハツェンダ光強度変調器の制御の一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図６】入力信号と出力波形の関係を示す説明図であ
る。
る。
１００，５００ ＬｉＮｂＯ3 基板 １００Ａ クラッド部 １０１，１０２，５０１，５０２ 光導波路 １０３，５０３ ＣＰＷの中心電極 １０４，５０４ ＣＰＷのアース電極 １０５，５０５ 終端抵抗 １０６，５０６ 入力信号給電線 １０７，５０７ マイクロ波信号源 １０８，５０８ ＤＣバイアス電源 １０９，５０９ 入射光（伝送光：１．５５μｍ） １１０，５１０ 出射光（伝送光：１．５５μｍ） １１１ 入射光（バイアス制御光：０．６３μｍ）
Claims (1)
- 【請求項１】 電気光学効果と光伝導効果を有する基板
面上もしくは基板面付近に形成された少なくとも１本の
光導波路と、該光導波路近傍に配置された電極を有する
光デバイスの前記光導波路内にバイアス制御光を入射す
ることによって前記光デバイスの動作点を制御すること
を特徴とする光デバイスの制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314492A JPH05289032A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光デバイスの制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314492A JPH05289032A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光デバイスの制御法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05289032A true JPH05289032A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14074341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9314492A Pending JPH05289032A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光デバイスの制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05289032A (ja) |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP9314492A patent/JPH05289032A/ja active Pending
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