JPH05275382A - Vacuum device - Google Patents
Vacuum deviceInfo
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- JPH05275382A JPH05275382A JP27537092A JP27537092A JPH05275382A JP H05275382 A JPH05275382 A JP H05275382A JP 27537092 A JP27537092 A JP 27537092A JP 27537092 A JP27537092 A JP 27537092A JP H05275382 A JPH05275382 A JP H05275382A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、減圧可能な空間への大
気の流入を遮断する装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for shutting off the flow of air into a space where pressure can be reduced.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスを例に挙げれ
ば、半導体ウエハなどの被処理体を減圧空間にて処理す
る各種減圧処理装置が多用されている。この種の減圧処
理空間には、大気特に大気中の酸素，水分が一旦流入す
ると、減圧処理室内を所定真空度まで排気する時間が膨
大となり、プロセスサイクルが悪化してしまう。特に、
近年半導体素子の微細化，緻密化が進み、処理空間にお
ける酸素，水分などの不純物濃度をより低くする必要が
あり、プロセス開始前のバックプレッシャの低圧化が要
求されている。従って、益々排気時間が長くなり、プロ
セスサイクルがさらに悪化することになる。2. Description of the Related Art For example, taking a semiconductor manufacturing process as an example, various depressurization processing apparatuses for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer in a depressurized space are widely used. Once atmospheric air, particularly oxygen and moisture in the atmospheric air, once flows into this kind of decompression processing space, the time required to evacuate the decompression processing chamber to a predetermined degree of vacuum becomes enormous and the process cycle deteriorates. In particular,
In recent years, as semiconductor elements have become finer and more dense, it is necessary to lower the concentration of impurities such as oxygen and water in the processing space, and it is required to lower the back pressure before starting the process. Therefore, the exhaust time becomes longer and the process cycle becomes worse.
【０００３】従来より、プロセス空間への大気の流入を
防止するために、プロセスチャンバとロードロックチャ
ンバとをゲートバルブを介して連結したものがある。ロ
ードロックチャンバ内にて被処理体周囲の雰囲気を大気
より真空雰囲気に置換した後、プロセスチャンバ内に搬
入しようとするものである。また、ロードロックチャン
バを大気に開放する前には、予めロードロックチャンバ
内を大気圧よりも陽圧に設定することも行われている。Conventionally, there has been a system in which a process chamber and a load lock chamber are connected via a gate valve in order to prevent air from flowing into the process space. The atmosphere around the object to be processed is replaced with a vacuum atmosphere from the atmosphere in the load lock chamber, and then the object is loaded into the process chamber. Further, before the load lock chamber is opened to the atmosphere, the inside of the load lock chamber is also set in advance to a positive pressure rather than atmospheric pressure.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、真空チ
ャンバ内に大気が比較的多く流入した場合とそうでない
場合とで、その後の排気時間がどれ程相違するか実験し
てみた。両者を区別するため、１０リットルの同一容量
を持つ２つの真空チャンバに開口径の異なるゲートバル
ブを接続した。排気を開始する前の共通の条件として、
真空チャンバ内を３×１０-8Torrに設定する、０．
５〜２．５Kg／Cm2 の圧力でＮ2 ガスのパージを行う、
充分な時間経過後に、Ｎ2 パージを行いながらゲート
バルブを５分間開放した。その後、ゲートバルブを閉じ
てから排気時間計時を開始し、荒引き、高真空引きによ
り、真空チャンバ内圧力が１×１０-7Torrに到達するま
で計時した。開口径が１００mmのゲートバルブを用いた
場合、排気時間は約４０分であった。ゲートバルブ径を
極端に狭くし、真空チャンバ内が大気より陽圧であるこ
とを利用して、大気がほとんど流入しない条件とした場
合には、排気時間は約８分であった。DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention have conducted an experiment to find out how different the evacuation time thereafter is when the atmospheric air flows into the vacuum chamber in a relatively large amount and when it does not. In order to distinguish the two, gate valves having different opening diameters were connected to two vacuum chambers having the same capacity of 10 liters. As a common condition before starting exhaust,
Set the inside of the vacuum chamber to 3 × 10 −8 Torr, 0.
Purging with N 2 gas at a pressure of 5 to 2.5 kg / Cm 2 ,
After sufficient time had passed, the gate valve was opened for 5 minutes while performing N 2 purging. Then, after the gate valve was closed, the evacuation time measurement was started, and the time was measured by rough evacuation and high vacuum evacuation until the pressure in the vacuum chamber reached 1 × 10 −7 Torr. When a gate valve having an opening diameter of 100 mm was used, the exhaust time was about 40 minutes. When the gate valve diameter was extremely narrowed and the vacuum chamber had a positive pressure higher than that of the atmosphere, the exhaust time was about 8 minutes under the condition that the atmosphere hardly flows in.
【０００５】このように、大気が真空チャンバに流入す
ると、いかに排気時間が長時間化するかが理解できる
が、実際の装置では半導体ウエハなどの搬入出のため、
ある大きさの開口で大気と連通させなければならず、こ
のような場合にも、真空チャンバ内に大気が流入するこ
とを防止する装置が切望されていた。As described above, it can be understood how the evacuation time becomes long when the atmosphere flows into the vacuum chamber. However, in an actual apparatus, semiconductor wafers are loaded and unloaded,
An opening of a certain size must be communicated with the atmosphere, and even in such a case, a device that prevents the atmosphere from flowing into the vacuum chamber has been desired.
【０００６】従来装置では、たとえロードロックチャン
バを大気よりも陽圧にしたとしても、その出口付近は、
Ｎ2 ガスの流量が不足しており、しかも内壁面の摩擦に
よりＮ2 ガスの流れが乱れ、内壁面を沿って大気が多く
流入するものと思われる。In the conventional device, even if the load lock chamber is set to a positive pressure higher than the atmospheric pressure,
It is considered that the flow rate of the N 2 gas is insufficient and the flow of the N 2 gas is disturbed by the friction of the inner wall surface, and a large amount of the atmosphere flows along the inner wall surface.
【０００７】そこで、本発明の目的とするところは、上
述の観点から、減圧可能な空間へ大気が流入することを
従来よりも一層防止し、もって排気時間を短縮すること
のできる装置を提供することにある。In view of the above, an object of the present invention is to provide an apparatus which can prevent the atmospheric air from flowing into the space where the pressure can be reduced more than before, and can shorten the exhaust time. Especially.
【０００８】さらに本発明の目的とするところは、大気
が流入するのを防止するにあたり、減圧可能な空間内で
の乱流の発生を防止し、乱流の発生による空間内の圧力
変化を生じさせないようにして大気の流入をより一層確
実に防止して排気時間を短縮することのできる装置を提
供することにある。A further object of the present invention is to prevent the inflow of the atmosphere and prevent the occurrence of turbulent flow in the depressurizable space, thereby causing a pressure change in the space due to the occurrence of the turbulent flow. It is an object of the present invention to provide a device capable of further reliably preventing the inflow of the atmosphere and shortening the exhaust time.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る真空装置
は、排気手段と、ガス供給手段と、大気との間に設けた
開閉口とを有し、減圧可能な空間と大気との間で被搬送
体を搬入又は搬出する真空装置において、前記開閉口よ
りも大気側に配置され、前記開閉口に続いて前記被搬送
体の通路を設け、かつ、前記通路内にパージガスの噴出
口を設け、パージガスにより前記通路内を大気よりも陽
圧に設定することを特徴とする。A vacuum device according to the present invention has an exhaust means, a gas supply means, and an opening / closing port provided between the atmosphere, and a space capable of decompressing and the atmosphere. In a vacuum device for loading or unloading a transferred object, the passage is provided on the atmosphere side of the opening / closing port, the path for the transferred object is provided subsequent to the opening / closing port, and a purge gas ejection port is provided in the path. The inside of the passage is set to a positive pressure higher than atmospheric pressure by the purge gas.
【００１０】本発明に係る他の真空装置は、排気手段
と、ガス供給手段と、大気との間に設けた開閉口とを有
し、減圧可能な空間と大気との間で被搬送体を搬入又は
搬出する真空装置において、前記開閉口よりも大気側に
配置され、前記開閉口に続いて前記被搬送体の通路を設
け、かつ、前記通路内に被搬送体の移動方向に沿ってパ
ージガスの複数の噴出口を設け、この複数の噴出口から
のパージガスによって、それぞれ前記被搬送体の搬送方
向と交差する方向に向かう復数段のガスカーテンを形成
することを特徴とする。Another vacuum apparatus according to the present invention has an exhaust means, a gas supply means, and an opening / closing port provided between the atmosphere and an object to be transferred between the space where the pressure can be reduced and the atmosphere. In a vacuum device for loading or unloading, a passage for the transported object is provided on the atmosphere side of the opening / closing port, the passage of the transported object is provided following the opening / closing port, and a purge gas is provided in the passage along the moving direction of the transported object. Is provided, and the purge gas from the plurality of jet ports forms a gas curtain of a number of stages that extends in a direction intersecting the transport direction of the transported object.
【００１１】ここで、この複数の噴出口は、前記被搬送
体の表面と平行する方向に向かう複数段のガスカーテン
を形成することができる。Here, the plurality of ejection ports can form a plurality of stages of gas curtains extending in a direction parallel to the surface of the transferred body.
【００１２】また、通路内に設けられたパージガスの噴
出口は、この噴出口より大気側に向かうパージガスのガ
スカーテンを形成することができる。あるいは、複数段
のガスカーテンを形成する複数の噴出口と被搬送体の通
路をはさんで対向する位置に、パージガスの吸引口を複
数形成することができる。Further, the purge gas jet port provided in the passage can form a gas curtain of the purge gas directed from the jet port toward the atmosphere side. Alternatively, a plurality of suction ports for the purge gas can be formed at positions facing a plurality of jet ports forming a plurality of stages of gas curtains across the passage of the transported object.
【００１３】[0013]
【作用】本発明の達成手段は、第１に、減圧可能な空間
−大気間にパージガスの領域を確実に確保する部屋（通
路）を設けることにあり、第２に、この部屋に形成され
る物体の移動経路をパージガスによって大気よりも陽圧
に設定することにある。そして、前記部屋にはパージガ
スの噴出口が形成され、減圧空間に直接導入されたパー
ジガスの流れだけでは足りないガス流量を補っている。The means of achieving the present invention is, firstly, to provide a room (passage) for surely securing a region of the purge gas between the space capable of being depressurized and the atmosphere, and secondly, is formed in this room. The object is to set the moving path of the object to a positive pressure rather than the atmosphere by the purge gas. A purge gas ejection port is formed in the chamber to supplement the gas flow rate which is not sufficient only by the flow of the purge gas directly introduced into the decompression space.
【００１４】被搬送体を搬入出するためには、ガス供給
手段より供給されるパージガスにより減圧空間内を大気
よりも陽圧に設定した状態で、この真空装置と大気との
間の開閉口を開口する。このとき、この開閉口につなが
る通路内の噴出口よりパージガスを噴出させておくこと
で、このパージガスによりこの通路内を大気よりも陽圧
に設定しておく。しかる後、被搬送体を、この通路を通
して真空装置へ搬入あるいは、真空装置から大気への搬
出を行う。この真空装置及び通路はパージガスで大気よ
りも陽圧に設定されており、大気が流入して来ることが
ない。In order to carry in and out the object to be transferred, the opening / closing port between the vacuum device and the atmosphere is set with the purge gas supplied from the gas supply means in the depressurized space at a pressure higher than the atmospheric pressure. Open. At this time, the purge gas is ejected from the ejection port in the passage connected to the opening / closing port to set the inside of the passage at a positive pressure higher than the atmospheric pressure by the purge gas. After that, the transferred object is carried into the vacuum device through this passage or carried out from the vacuum device to the atmosphere. The vacuum device and the passage are set to a positive pressure higher than the atmospheric pressure by the purge gas, and the atmospheric air does not come in.
【００１５】この通路に直接パージガスを導くことで、
減圧可能な空間へのパージガス流量を増大させるより
も、大気に開口する側の陽圧度を高めることに寄与す
る。By introducing the purge gas directly into this passage,
It contributes to increase the positive pressure degree on the side open to the atmosphere, rather than increasing the flow rate of the purge gas to the space where the pressure can be reduced.
【００１６】また、前記通路内に被搬送体の移動方向に
沿って複数の噴出口を設けることにより、パージガスカ
ーテンを復数段に形成することができ、これにより、被
搬送体の通路内の移動に伴う大気の混入をより確実に防
ぐことができる。Further, by providing a plurality of ejection openings in the passage along the moving direction of the transported object, the purge gas curtain can be formed in several stages, whereby the inside of the channel of the transported object can be formed. It is possible to more reliably prevent the mixture of the air due to the movement.
【００１７】この場合、前記噴出口を大気側に向かうパ
ージガスカーテンを形成する向きに設けることにより、
陽圧になったパージガスの流れをガスカーテンにより押
出すことが出来、より厳重な大気の流入を防止すること
ができる。In this case, by providing the jet outlet in the direction to form the purge gas curtain toward the atmosphere side,
The flow of the purge gas having a positive pressure can be extruded by the gas curtain, and more strict inflow of the atmosphere can be prevented.
【００１８】さらに、パージガスの流れる向きを被搬送
体の表面に沿った向きに設定してガスカーテンを形成す
ることにより、被搬送体表面でのパージガスの流れは表
面に沿った層流に設定される。これにより、被搬送体が
搬入された場合にその表面でのガスカーテンに乱れを生
じさせることがない。従って、ガスカーテンに乱流が発
生した場合に被搬送体表面付近での圧力が変化してしま
うのを防止して大気の撒き込みを抑えて大気の混入をよ
り確実に防ぐことができる。Further, the flow of the purge gas is set to be along the surface of the transported object to form a gas curtain, so that the flow of the purge gas on the surface of the transported object is set to be a laminar flow along the surface. It This prevents the gas curtain on the surface of the transported object from being disturbed when it is loaded. Therefore, when a turbulent flow is generated in the gas curtain, it is possible to prevent the pressure near the surface of the transported object from changing, suppress the scattering of the atmosphere, and prevent the atmospheric mixture from entering more reliably.
【００１９】また、噴出口より大気側に向かうパージガ
スのガスカーテンを形成すると、通路内では常にパージ
ガスが大気に向けて流れるので、通路内への大気の巻き
込みを効果的に防止できる。Further, when the gas curtain of the purge gas flowing from the jet port toward the atmosphere is formed, the purge gas always flows toward the atmosphere in the passage, so that the atmosphere can be effectively prevented from being trapped in the passage.
【００２０】またさらに、噴出口から吹き出されたパー
ジガスは、被搬送体の通路をはさんで形成されている吸
引口に向け強制的に流れるので、被搬送体表面でのパー
ジガスの流れである層流を確実に形成することができ
る。これによって、被搬送体表面でのパージガスに乱流
が発生するのをさらに確実に防止して、大気の混入を防
ぐことができる。Furthermore, since the purge gas blown out from the jet port is forced to flow toward the suction port formed across the passage of the transported body, the purge gas flows on the surface of the transported body. The flow can be reliably formed. As a result, it is possible to more reliably prevent the turbulent flow from being generated in the purge gas on the surface of the transported object, and prevent the entry of atmospheric air.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハの減圧処理シス
テムに適応した一実施例について、図面を参照して具体
的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor wafer decompression processing system will be specifically described below with reference to the drawings.
【００２２】まず、図３を参照して本実施例装置の全体
概要について説明する。同図において、プロセスチャン
バ１０はエッチング，アッシング，イオン注入または各
種の成膜処理を行なう減圧処理装置である。このプロセ
スチャンバ１０の両側には、ゲートバルブ１６，１６を
介してそれぞれ搬入側，搬出側のロードロックチャンバ
１２，１４が連結されている。さらに、各ロードロック
チャンバ１２，１４には、大気と遮断するためのゲート
バルブ１８，１８が連結されている。ロードロックチャ
ンバ１０内部は、その両側のゲートバルブ１６，１８の
閉鎖後に、大気圧から真空雰囲気に置換され、チャンバ
１０，１２内の圧力がほぼ同一となった後に、その間の
ゲートバルブ１６を開放することで、半導体ウエハをプ
ロセスチャンバ１０内に搬入している。プロセスチャン
バ１２内での減圧処理終了後は、ゲートバルブ１６を開
放して、半導体ウエハを搬出側のロードロックチャンバ
１４内部に搬入する。この後、ゲートバルブ１６を閉鎖
し、ロードロックチャンバ１４内部の雰囲気を真空雰囲
気から大気圧よりも陽圧に置換した後に、搬出側のゲー
トバルブ１８を開放してウエハの搬出が行われる。First, the overall outline of the apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, the process chamber 10 is a depressurization processing device for performing etching, ashing, ion implantation or various film forming processes. Load lock chambers 12 and 14 on the loading and unloading sides are connected to both sides of the process chamber 10 via gate valves 16 and 16, respectively. Further, gate valves 18, 18 for shutting off from the atmosphere are connected to the respective load lock chambers 12, 14. After the gate valves 16 and 18 on both sides of the load lock chamber 10 are closed, the atmospheric pressure is replaced with a vacuum atmosphere, and after the pressures in the chambers 10 and 12 become almost the same, the gate valve 16 between them is opened. By doing so, the semiconductor wafer is loaded into the process chamber 10. After the decompression processing in the process chamber 12 is completed, the gate valve 16 is opened and the semiconductor wafer is loaded into the load lock chamber 14 on the unloading side. Thereafter, the gate valve 16 is closed, the atmosphere inside the load lock chamber 14 is replaced from the vacuum atmosphere to a positive pressure rather than atmospheric pressure, and then the unloading side gate valve 18 is opened to carry out the wafer.
【００２３】各チャンバ１０〜１４はそれぞれ真空引き
が可能であり、このため各チャンバ１０〜１４には真空
ポンプ２０が接続されている。さらに、各チャンバ１０
〜１４は、大気圧またはその前後の圧力に昇圧すること
が可能であり、各チャンバ１０〜１４内部に窒素ガスＮ
2 をパージすることが可能である。本実施例装置では更
に、上記の減圧処理システムが大気と隣接する前後２ヵ
所の位置に、パージブロック４０，４０を連結してい
る。このパージブロック４０，４０も、窒素ガスＮ2 を
パージすることが可能である。このため、各部に、共通
のＮ2 ガスの供給管２２が設けられ、この供給管２２は
分岐され、分岐管２４として各チャンバ１０〜１４及び
パージブロック４０，４０に連結されている。各分岐管
２４の途中には、窒素ガスの流量調整を行なうマスフロ
ーコントローラ２６と、管路を断続するためのバルブ２
８と、直径が例えば０．０１μm 以上の粒子をトラップ
できるフィルタ３０とが接続されている。Each of the chambers 10 to 14 can be evacuated, and therefore a vacuum pump 20 is connected to each of the chambers 10 to 14. Furthermore, each chamber 10
˜14 can increase the pressure to atmospheric pressure or pressures around the atmospheric pressure.
It is possible to purge 2 . Further, in the apparatus of this embodiment, the above-mentioned depressurization processing system is connected to the purge blocks 40, 40 at two positions before and after being adjacent to the atmosphere. The purge blocks 40, 40 can also purge the nitrogen gas N 2 . Therefore, a common N 2 gas supply pipe 22 is provided in each part, and this supply pipe 22 is branched and connected as a branch pipe 24 to each of the chambers 10 to 14 and the purge blocks 40, 40. In the middle of each branch pipe 24, a mass flow controller 26 for adjusting the flow rate of nitrogen gas, and a valve 2 for connecting and disconnecting the pipe line.
8 and a filter 30 capable of trapping particles having a diameter of 0.01 μm or more, for example.
【００２４】次に、パージブロック４０の詳細につい
て、図１及び図２を参照して説明する。 このパージブ
ロック４０は、左右にて対向する二つの側壁４２ａ，４
２ａと、底壁４２ｂと、上壁４２ｃとを有し、これらで
半導体ウエハの通路４２を区画している。この通路４２
の一端にはフランジ４４が形成されている。このフラン
ジ４４は、ゲートバルブ１８のバルブ側フランジ１８ａ
とボルト及びナット等によって連結される。パージブロ
ック４０の例えば上壁４２ｃには、この上壁４２ｃとの
間に空間４８を形成するパージボックス４６が固定され
ている。このパージボックス４６には、前記分岐管２４
の一端が連結され、内部に窒素ガスを導入可能である。Next, the details of the purge block 40 will be described with reference to FIGS. The purge block 40 includes two side walls 42a, 4 facing each other on the left and right.
2a, a bottom wall 42b, and an upper wall 42c, which define a semiconductor wafer passage 42. This passage 42
Has a flange 44 formed at one end thereof. The flange 44 is a valve side flange 18 a of the gate valve 18.
And bolts and nuts. A purge box 46, which forms a space 48 with the upper wall 42c, is fixed to, for example, the upper wall 42c of the purge block 40. In the purge box 46, the branch pipe 24
One end of is connected and nitrogen gas can be introduced inside.
【００２５】さらに、パージブロック４０の上壁４２ｃ
には、上面より下面に向けて貫通し、通路４２のほぼ幅
方向全域に亘って開口する第１〜第４のスリット５０〜
５６が形成されている。各スリット５０〜５６は、パー
ジボックス４６内の空間４８と通路４２とを連通させ、
空間４８から通路４２に向けて窒素ガスをパージする為
のものである。第１のスリット５０は、外部雰囲気に最
も近い第１段目のスリットとして形成されている。この
第１のスリット５０は、空間４８より通路４２に向かう
にしたがい、外部雰囲気側に向けて、鉛直軸に対して角
度θ1 だけ傾いて形成されている。第２，第３のスリッ
ト５２，５４は、第２段目，第３段目のスリットとして
形成され、同様に鉛直軸に対して角度θ2 ，θ3 だけ傾
いて形成されている。第４のスリット５６は、鉛直軸と
水平に形成されている。第１〜第３のスリット５０〜５
４の傾斜角度θ1 〜θ3 は、外部雰囲気より遠ざかる程
角度が大きく、即ち、θ1 ＜θ2 ＜θ3の関係となって
いる。Further, the upper wall 42c of the purge block 40
The first to fourth slits 50 to 50 that penetrate from the upper surface to the lower surface and open almost all over the width direction of the passage 42.
56 is formed. The slits 50 to 56 connect the space 48 in the purge box 46 and the passage 42,
This is for purging nitrogen gas from the space 48 toward the passage 42. The first slit 50 is formed as a first-stage slit closest to the external atmosphere. The first slit 50 is formed so as to be inclined from the vertical axis by an angle θ 1 toward the outside atmosphere side as it goes from the space 48 toward the passage 42. The second and third slits 52 and 54 are formed as slits of the second and third steps, and are similarly formed to be inclined by angles θ 2 and θ 3 with respect to the vertical axis. The fourth slit 56 is formed horizontally with the vertical axis. First to third slits 50 to 5
The inclination angles θ 1 to θ 3 of No. 4 are larger as the distance from the external atmosphere increases, that is, θ 1 <θ 2 <θ 3 .
【００２６】パージブロック４０の通路４２内には、両
側壁４２ａ，４２ａより内側に向けて所定の長さで突出
する第１〜第３のガイド板５８〜６２が固定されてい
る。第１〜第３のガイド板５８〜６２は、第１〜第３の
スリット５０〜５４と対向する位置に配置され、各スリ
ット５０〜５４より噴出する窒素ガスを、その各スリッ
トの傾斜角度θ1 〜θ3 に沿って案内するためのもので
ある。各ガイド板５８〜６２の上端は、ほぼ上壁４２ｃ
と接触する位置に配置されるが、その下端は底壁４２ｂ
まで到達しない位置にて終わっている。なお、パージブ
ロック４０の通路４２内での、半導体ウエハの有効通過
幅は、図２に示すように、両側の第１のガイド板５８，
５８の内寸幅寸法Ｗである。In the passage 42 of the purge block 40, first to third guide plates 58 to 62 projecting inward from both side walls 42a and 42a by a predetermined length are fixed. The 1st-3rd guide plates 58-62 are arrange | positioned in the position which opposes the 1st-3rd slits 50-54, and the nitrogen gas ejected from each slit 50-54 is made into the inclination angle (theta) of each slit. It is for guiding along 1 to θ 3 . The upper ends of the guide plates 58 to 62 are substantially the upper wall 42c.
The bottom end of the bottom wall 42b is located in contact with the bottom wall 42b.
It ends in a position that does not reach. The effective passage width of the semiconductor wafer in the passage 42 of the purge block 40 is, as shown in FIG. 2, the first guide plates 58 on both sides.
The width W is 58.
【００２７】つぎに、通路４２の底壁４２ｂの形状につ
いて説明する。底壁４２ｂの開口端部は、先端に向かう
にしたがい下方に傾斜する傾斜面６４として形成されて
いる。さらに、この傾斜面６４の先端は、パージブロッ
ク４０の開口部より更に外部雰囲気側に水平に突出する
水平突出面６６と連結されている。この傾斜面６４及び
水平突出面６６で形成される領域には、パージブロック
４０の幅方向にて一定間隔をおいて多数枚平行に配置さ
れその上端が底壁４２ｂよりも突出した整流板６８が設
けられている。更に、多数枚の整流板６８の内側端より
更に内側の領域であって、底壁４２ｂの上面には、波板
状に形成された波形板７０が、パージブロック４０の幅
方向全域に亘って配置されている。なお、パージブロッ
ク４０を構成する各種部材は例えばステンレスにて形成
され、各部材は例えばスポット溶接等によって相互に連
結されている。Next, the shape of the bottom wall 42b of the passage 42 will be described. The opening end of the bottom wall 42b is formed as an inclined surface 64 that inclines downward as it goes toward the tip. Further, the tip of the inclined surface 64 is connected to a horizontal projecting surface 66 that horizontally projects further to the outside atmosphere side than the opening of the purge block 40. In the region formed by the inclined surface 64 and the horizontal protruding surface 66, a plurality of straightening vanes 68 are arranged in parallel at regular intervals in the width direction of the purge block 40 and have their upper ends protruding from the bottom wall 42b. It is provided. Further, a corrugated plate 70 formed in a corrugated plate shape is formed on the upper surface of the bottom wall 42b, which is a region further inside than the inner ends of the multiple flow regulating plates 68, over the entire width direction of the purge block 40. It is arranged. The various members forming the purge block 40 are made of, for example, stainless steel, and the members are connected to each other by, for example, spot welding.
【００２８】次に、作用について説明する。Next, the operation will be described.
【００２９】プロセスチャンバ１０内に半導体ウエハを
搬入する場合について考察する。この際には、あらかじ
め搬入側のロードロックチャンバ１２の両側のゲートバ
ルブ１６，１８を閉鎖し、ロードロックチャンバ１２内
部を大気圧よりも陽圧に設定する。この為に、ガス供給
管２２及び分岐管２４を介して、ロードロックチャンバ
１２内部に窒素ガスをパージする。ロードロックチャン
バ１２内部を陽圧に設定した後、ゲートバルブ１８を開
放すれば、陽圧のロードロックチャンバ１２内には原理
的には大気が流入しないことになるが、その後のロード
ロックチャンバ１２の排気時間を考慮すると、大気の遮
断対策が未だ不十分である。そこで、本実施例装置で
は、ゲートバルブ１８の外側に更にパージブロック４０
を配置している。Consider the case where a semiconductor wafer is loaded into the process chamber 10. At this time, the gate valves 16 and 18 on both sides of the load lock chamber 12 on the carry-in side are closed in advance, and the inside of the load lock chamber 12 is set to a positive pressure rather than atmospheric pressure. Therefore, nitrogen gas is purged into the load lock chamber 12 through the gas supply pipe 22 and the branch pipe 24. If the gate valve 18 is opened after the inside of the load lock chamber 12 is set to positive pressure, atmospheric air will not flow into the load lock chamber 12 of positive pressure in principle. Considering the exhaust time, the measures to shut off the air are still insufficient. Therefore, in the apparatus of this embodiment, the purge block 40 is further provided outside the gate valve 18.
Are arranged.
【００３０】パージブロック４０のパージボックス４６
内には、例えばゲートバルブ１８の開閉動作にかかわら
ず、システム稼動中に亘って常時窒素ガスが供給されて
いる。このため、パージボックス４６の空間４８より、
第１〜第４のスリット５０〜５６を介して、窒素ガスが
通路４２に向けてパージされることになる。第１〜第４
のスリット５０〜５６より噴出される窒素ガスの流れ
を、図１のＦ1 からＦ4に示す。この窒素ガスの流れＦ
1 からＦ4 は、それぞれ半導体ウエハの搬入方向と交差
する方向に向けて、窒素ガスによる多段のカーテンを形
成することになる。この多段のガスカーテンにより、大
気が真空側に流入することを防止できる。特に、第１〜
第３のスリット５０〜５４より形成されるガスカーテン
Ｆ1 からＦ3 は、通路４２の上端より下方に向かうにし
たがい外部雰囲気側に傾いて形成される。従って、パー
ジブロック４０の開口部より流入しようとする大気は、
一旦開口部より内側に入ったとしても、３段のガスカー
テンの流れに従いパージブロック４０の開口部より外側
に流出されることになる。また、第４のスリット５６か
らの窒素ガスの流れＦ4 は、パージブロック４０の通路
４２内部の雰囲気を大気圧よりも陽圧に設定する作用を
強化する。このように、パージブロック４０内部にて多
段のガスカーテンを形成することにより、その上壁４２
ｃに沿って流入使用とする大気は、上壁４２ｃ付近のガ
ス噴出圧力が高いため、ガスカーテンＦ1 からＦ3 に沿
ってパージブロック４０外部に流出されることになる。Purge box 46 of purge block 40
Nitrogen gas is constantly supplied to the inside of the system regardless of the opening / closing operation of the gate valve 18 during the system operation. Therefore, from the space 48 of the purge box 46,
Nitrogen gas is purged toward the passage 42 through the first to fourth slits 50 to 56. 1st to 4th
Flows of nitrogen gas ejected from the slits 50 to 56 are shown at F 1 to F 4 in FIG. This nitrogen gas flow F
Each of 1 to F 4 forms a multi-stage curtain of nitrogen gas in a direction intersecting the semiconductor wafer loading direction. This multi-stage gas curtain can prevent atmospheric air from flowing into the vacuum side. In particular,
The gas curtains F 1 to F 3 formed by the third slits 50 to 54 are formed so as to be inclined toward the external atmosphere side downward from the upper end of the passage 42. Therefore, the atmosphere flowing from the opening of the purge block 40 is
Even if the gas enters the inside of the opening, it will flow out of the opening of the purge block 40 according to the flow of the three-stage gas curtain. Further, the flow F 4 of the nitrogen gas from the fourth slit 56 enhances the action of setting the atmosphere inside the passage 42 of the purge block 40 at a positive pressure rather than the atmospheric pressure. In this way, by forming a multi-stage gas curtain inside the purge block 40, the upper wall 42 thereof is formed.
The atmosphere to be used as the inflow and use along c is discharged to the outside of the purge block 40 along the gas curtains F 1 to F 3 because the gas ejection pressure near the upper wall 42c is high.
【００３１】パージブロック４０の２つの側壁４２ａの
内面上では、理論的には窒素ガスの流速は０である。従
って、この２つの側壁４２ａの表面上を沿って大気が流
れ込もうとする。しかし、本実施例装置では２つの側壁
４２ａ，４２ａより内側に突出して第１〜第３のガイド
板５８〜６２が形成されているので、このような大気の
流れは物理的に阻止され、ガスカーテンＦ1 からＦ3 に
沿ってパージブロック４０の外部に流出されることにな
る。On the inner surfaces of the two side walls 42a of the purge block 40, the flow rate of nitrogen gas is theoretically zero. Therefore, the atmosphere tries to flow along the surfaces of the two side walls 42a. However, in the apparatus of this embodiment, the first to third guide plates 58 to 62 are formed so as to project inward from the two side walls 42a and 42a, so that such an atmospheric flow is physically blocked, and the gas flow is reduced. It will flow out of the purge block 40 along the curtains F 1 to F 3 .
【００３２】次に、パージブロック４０の底壁４２ｂの
出口付近に、傾斜面６４及び水平突出面６６を設けた理
由について説明する。本実施例装置では、窒素ガスは上
壁４２ｃに設けたスリットより噴出するので、底壁４２
ｂ側の窒素ガス圧力が最も低くなり、この領域より大気
が流れこみやすい。さらに、窒素ガスの流れが弱い領域
には、図１に示すような渦流Ｗ1 が形成されてしまう。
もし、この渦流Ｗ1 が底壁４２ｂの上側に形成されると
すれば、半導体ウエハの通路４２の内部において大気の
巻き込み流れが形成されてしまう。本実施例装置では、
傾斜面６４及び水平突出面６６を形成することで、この
ような渦流Ｗ1 を通路４２の外部に配置し、大気の巻き
込みを防止できる。さらに、底壁４２ｂの出口付近にお
いては、その幅方向に沿って所定間隔をおいて平行に多
数枚の整流板６８を設け、ガス圧力の弱い領域にてガス
カーテンＦ1 からＦ3 の外側に向かうスムースな流れを
実現し、大気の巻き込みを防止している。Next, the reason why the inclined surface 64 and the horizontal protruding surface 66 are provided near the outlet of the bottom wall 42b of the purge block 40 will be described. In the apparatus of this embodiment, since the nitrogen gas is ejected from the slit provided in the upper wall 42c, the bottom wall 42
The nitrogen gas pressure on the b side is the lowest, and the atmosphere is more likely to flow into this region. Further, a swirl W 1 as shown in FIG. 1 is formed in the region where the flow of nitrogen gas is weak.
If this vortex flow W 1 is formed on the upper side of the bottom wall 42b, an air entrainment flow is formed inside the passage 42 of the semiconductor wafer. In the device of this embodiment,
By forming the inclined surface 64 and the horizontal projecting surface 66, such a vortex flow W 1 can be arranged outside the passage 42 and the entrainment of the atmosphere can be prevented. Further, in the vicinity of the outlet of the bottom wall 42b, a large number of straightening vanes 68 are provided in parallel at predetermined intervals along the width direction of the bottom wall 42b, and are provided outside the gas curtains F 1 to F 3 in a region where the gas pressure is weak. It realizes a smooth flowing flow and prevents the entrainment of the atmosphere.
【００３３】次に、整流板６８の内側領域であって、底
壁４２ｂの上面に波形板７０を設けた理由について説明
する。この底壁４２ｂ上でも、窒素ガスの流速は理論上
０である。波形板７０の第１の目的は、底壁４２ｂに沿
って内部に流れ込もうとする大気を物理的に阻止するこ
とにある。さらに、波形板７０は、その凹部の領域に渦
流Ｗ2 を閉じ込め、波形板７０の頂点どうしを結んだ線
と平行な方向に沿って、かつ、パージブロック４０の内
側より外側に向かう層流状態の流れＦ5 を形成してい
る。この様な層流状態の流れＦ5 を形成することで、最
もガス圧が弱い底壁４２ｂ付近の領域からの大気の巻き
込みを防止している。以上のような作用により、パージ
ブロック４０の開口部付近の大気の流れ状態は、図１に
示すＷ3 の通りとなり、パージブロック４０内側への大
気の巻き込みが防止される。Next, the reason why the corrugated plate 70 is provided on the upper surface of the bottom wall 42b in the inner region of the straightening plate 68 will be described. Even on the bottom wall 42b, the flow rate of nitrogen gas is theoretically zero. The first purpose of the corrugated plate 70 is to physically block the atmosphere that tries to flow inside along the bottom wall 42b. Furthermore, the corrugated plate 70 confines the vortex flow W 2 in the region of the concave portion thereof, and is in a laminar flow state in which the vortex flow W 2 is directed along the direction parallel to the line connecting the vertices of the corrugated plate 70 and from the inside to the outside of the purge block 40. Forming the flow F 5 . The formation of such a laminar flow F 5 prevents the entrainment of the atmosphere from the region near the bottom wall 42b where the gas pressure is weakest. With the above operation, the flow state of the atmosphere near the opening of the purge block 40 becomes as shown by W 3 in FIG. 1, and the atmosphere is prevented from being trapped inside the purge block 40.
【００３４】ところで、本発明に係る真空装置において
は、ガスカーテンを形成するにあたり、パージガスの噴
出方向を、被搬送体である半導体ウェハの搬送方向と交
差する方向の一つである半導体ウェハの表面に平行した
方向に設定することも可能である。By the way, in the vacuum apparatus according to the present invention, in forming the gas curtain, the surface of the semiconductor wafer, which is one of the jetting directions of the purge gas, intersects with the transporting direction of the semiconductor wafer which is the transported object. It is also possible to set the direction parallel to.
【００３５】図４，図５，図８は、この場合の構成を示
している。FIG. 4, FIG. 5, and FIG. 8 show the configuration in this case.
【００３６】すなわち、図４においてパージブロック１
４０は、図１に示した例と同様に、左右側壁１４０ａ、
１４０ａと、底壁１４０ｂと、この底壁１４０ｂと対向
する上壁１４０ｃ（図４では図示せず）とにより半導体
ウェハＷの通路１４２を区画している。そして、パージ
ブロック１４０の側壁１４０ａ、１４０ａには、その壁
との間に空間１４８を形成するパージボックス１４６
ａ、１４６ｂが半導体ウェハＷの通路１４２をはさんで
対向する位置にそれぞれ固定されており、一方のパージ
ボックス１４６ａには、図１において用いた符号２４で
示される分岐管の一端が連結されて内部に窒素ガスを導
入するようになっている。また、他方のパージボックス
１４６ｂには、図示しないバキューム装置に接続されて
いる排気管１５０の一端が連結されて内部からの排気が
行われるようになっている。That is, in FIG. 4, the purge block 1
40 is the left and right side walls 140a, similar to the example shown in FIG.
A passage 142 of the semiconductor wafer W is defined by 140a, a bottom wall 140b, and an upper wall 140c (not shown in FIG. 4) facing the bottom wall 140b. Then, on the side walls 140a and 140a of the purge block 140, a purge box 146 that forms a space 148 between the side wall 140a and 140a is formed.
a and 146b are fixed at positions facing each other across the passage 142 of the semiconductor wafer W, and one purge box 146a is connected to one end of a branch pipe indicated by reference numeral 24 used in FIG. Nitrogen gas is introduced inside. Further, one end of an exhaust pipe 150 connected to a vacuum device (not shown) is connected to the other purge box 146b so that exhaust is performed from the inside.
【００３７】さらに、側壁１４０ａ、１４０ａには、パ
ージボックス１４６ａ、１４６ｂと通路１４２とを連通
するためのスリット１５２ａ、１５２ｂが、形成されて
いる。このスリット１５２ａ、１５２ｂは、側壁１４０
ａの上下方向に沿った長手方向を設定されていて、かつ
半導体ウェハＷの搬送方向（図４中、矢印で示す方向）
に沿って間隔をおいて複数形成されている。そして、こ
のスリット１５２ａ、１５２ｂは、側壁１４０ａを貫通
する方向が、半導体ウェハＷの表面と平行な方向に設定
されている。Further, the side walls 140a, 140a are formed with slits 152a, 152b for communicating the purge boxes 146a, 146b with the passage 142. The slits 152a and 152b are formed on the side wall 140.
A longitudinal direction is set along the vertical direction of a, and the semiconductor wafer W is transported in the direction (direction indicated by an arrow in FIG. 4).
A plurality of them are formed at intervals along. The slits 152a and 152b are set such that the direction of penetrating the side wall 140a is parallel to the surface of the semiconductor wafer W.
【００３８】これらスリットのうち、一方のパージボッ
クス１４６ａ側に位置しているスリット１５２ａは、パ
ージボックス１４６ａの空間１４８から通路１４２に向
けて窒素ガスを噴出させるための噴出口として形成さ
れ、そして、他方のパージボックス１４６ｂ側に位置す
るスリット１５２ｂは、通路１４２に噴出された窒素ガ
スを吸い込むための吸引口として形成されている。Of these slits, the slit 152a located on the side of one purge box 146a is formed as a jet port for jetting nitrogen gas from the space 148 of the purge box 146a toward the passage 142, and The slit 152b located on the other purge box 146b side is formed as a suction port for sucking the nitrogen gas ejected into the passage 142.
【００３９】次に、作用を説明する。Next, the operation will be described.
【００４０】一方のパージボックス１４６ａ側に位置す
るスリット１５２ａから噴出された窒素ガスは、図５に
示すように、半導体ウェハＷの表面と平行し、かつ、搬
送方向と直交して通路１４２を遮断する層流によって多
段のガスカーテンを形成したうえで、他方のパージボッ
クス１５６ｂ側に位置するスリット１５２ｂに向け流
れ、スリット１５２ｂを介して吸引される。従って、半
導体ウェハＷの通過によっても、窒素ガスの流れが乱さ
れることが少ないのでガスカーテンに乱れが生じない。
この結果、半導体ウェハＷの表面付近での圧力変動が抑
えられ、この圧力変動による大気の撒き込みを略完全に
阻止することができる。As shown in FIG. 5, the nitrogen gas ejected from the slit 152a located on the side of one purge box 146a blocks the passage 142 in parallel with the surface of the semiconductor wafer W and orthogonal to the carrying direction. After forming a multi-stage gas curtain by the laminar flow, the gas flows toward the slit 152b located on the other purge box 156b side and is sucked through the slit 152b. Therefore, even when the semiconductor wafer W passes, the flow of nitrogen gas is not disturbed so much that the gas curtain is not disturbed.
As a result, pressure fluctuations in the vicinity of the surface of the semiconductor wafer W are suppressed, and it is possible to substantially completely prevent the infiltration of the atmosphere due to the pressure fluctuations.
【００４１】なお、上記実施例においては、窒素ガスが
吸引される際、側壁１４０ａの一方の内面に窒素ガスが
衝突して乱流を起こさないようにすることが必要であ
り、このためには、吸引側のスリット１５２ｂの開口の
大きさあるいはバキューム装置による吸引力の設定によ
って対処することが可能である。また、上述したよう
に、搬送方向に沿って複数段のガスカーテンを形成する
スリットは、その搬送方向に沿って上流側から下流側に
向かうに従い、例えば、開口を順次狭くして窒素ガスの
噴出速度を高めることもできる。この場合には、最下流
側に位置するスリットは、通路１４２内での雰囲気を大
気圧よりも陽圧に設定する作用を高めるのに寄与する。In the above embodiment, when the nitrogen gas is sucked, it is necessary to prevent the nitrogen gas from colliding with one inner surface of the side wall 140a to cause a turbulent flow. The size of the opening of the slit 152b on the suction side or the setting of the suction force by the vacuum device can deal with this. In addition, as described above, the slits that form a plurality of stages of gas curtains along the carrying direction are, for example, gradually narrowing the openings as the slits form a narrower opening along the carrying direction from the upstream side to the downstream side. It can also increase speed. In this case, the slit located on the most downstream side contributes to enhancing the action of setting the atmosphere in the passage 142 to be positive pressure rather than atmospheric pressure.
【００４２】一方、図４に示した実施例においては、パ
ージガスの噴出口と吸引口とを組み合わせた構成とした
が、噴出口のみを設け、噴出口より大気側に向かうガス
カーテンを形成することも可能である。On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 4, the purge gas ejection port and the suction port are combined, but only the ejection port is provided and a gas curtain extending from the ejection port toward the atmosphere side is formed. Is also possible.
【００４３】図６は、この場合の実施例を示しており、
本実施例による真空装置は、図１に示した実施例と同様
な構成からなるパージボックス１４６が側壁１４０ａ、
１４０ａの一方に固定されている。そして、このパージ
ボックス１４６が固定されている側の側壁１４０ａに
は、半導体ウェハＷの表面と平行する向きに貫通する第
１〜第４のスリット１６０〜１６６が、半導体ウェハＷ
の搬送方向に沿って形成されている。各スリット１６０
〜１６６は、図１に示した実施例と同様に、パージボッ
クス１４６の空間１４８と通路１４２とを連通させ、空
間１４８から通路１４２に向けてパージのための窒素ガ
スを噴出させるようになっている。第１〜第３のスリッ
トは、これも図１に示した実施例と同様に傾斜させてあ
り、この傾斜角度θ1 〜θ3 は、半導体ウェハＷの表面
と平行する水平軸を基準として、図１に示した場合と同
じ角度および関係を設定されており、また、第４のスリ
ット１６６は、上記水平軸と平行に設定されている。FIG. 6 shows an embodiment in this case,
In the vacuum device according to the present embodiment, the purge box 146 having the same configuration as that of the embodiment shown in FIG.
It is fixed to one side of 140a. Then, on the side wall 140a on the side where the purge box 146 is fixed, first to fourth slits 160 to 166 penetrating in a direction parallel to the surface of the semiconductor wafer W are provided.
Are formed along the conveyance direction of. Each slit 160
1 to 166 connect the space 148 of the purge box 146 and the passage 142, and inject nitrogen gas for purging from the space 148 toward the passage 142, as in the embodiment shown in FIG. There is. The first to third slits are also inclined similarly to the embodiment shown in FIG. 1, and the inclination angles θ1 to θ3 are based on the horizontal axis parallel to the surface of the semiconductor wafer W. The same angle and relationship as in the case shown in (4) are set, and the fourth slit 166 is set parallel to the horizontal axis.
【００４４】また、パージブロック１４０の通路１４２
内には、図７に示すように、底壁１４０ｂおよび上壁１
４０ｃより内側に向けて所定の長さで突出する第１〜第
３のガイド板１７０〜１７４が固定されており、このガ
イド板１７０〜１７４は、図１に示した実施例と同様
に、スリット１６０〜１６４より噴出する窒素ガスを案
内するためのものである。そして、各ガイド板１７０〜
１７４の延長方向一端は、パージボックス１４６が固定
されている側の側壁１４０ａと接触する位置に配置さ
れ、そして延長方向他端は他方の側壁１４０ａに到達し
ない位置にてその末端が終わっている。Further, the passage 142 of the purge block 140
Inside, as shown in FIG. 7, the bottom wall 140b and the top wall 1
First to third guide plates 170 to 174 projecting inward by a predetermined length from 40c are fixed, and the guide plates 170 to 174 are slits like the embodiment shown in FIG. It is for guiding the nitrogen gas ejected from 160 to 164. And each guide plate 170-
One end in the extension direction of 174 is arranged at a position in contact with the side wall 140a on the side where the purge box 146 is fixed, and the other end in the extension direction ends at a position where it does not reach the other side wall 140a.
【００４５】一方、パージボックス１４６が固定されて
いない側の側壁１４０ａにおける開口端には、図１に示
した実施例における傾斜面に相当する傾斜部１８０が形
成されており、この傾斜部１８０は、先端に向かうに従
い側方に拡開された傾斜面を形成されて、この傾斜面の
先端はパージブロック１４０の開口部よりもさらに外部
雰囲気側に突出する垂直突出面１８０ａと連結されてい
る。On the other hand, an inclined portion 180 corresponding to the inclined surface in the embodiment shown in FIG. 1 is formed at the opening end of the side wall 140a on the side where the purge box 146 is not fixed, and this inclined portion 180 is formed. A sloping surface is formed that widens laterally toward the tip, and the tip of this sloping surface is connected to a vertical projecting surface 180a that projects further to the outside atmosphere side than the opening of the purge block 140.
【００４６】また、この傾斜部１８０の傾斜面および垂
直突出面１８０ａで形成される領域には、図７に示すよ
うに、パージブロック１４０の上下方向において一定間
隔を以って、半導体ウェハＷの表面と平行に配置される
とともに通路１４２側の端部が側壁１４０ｂよりも内側
に突出している整流板１９０が設けられている。さら
に、半導体ウェハＷの移動方向における整流板１９０の
下流側には、側壁１４０ｂの内面に、その内面の垂直方
向全域にわたって波板状に形成された波形板１９２が配
置されている。なお、これらパージブロック１４０を構
成する各種部材は、図１に示した実施例と同様に、例え
ばステンレスにて形成され、各部材は例えば、スポット
溶接等によって相互に連結されている。Further, in the region formed by the inclined surface of the inclined portion 180 and the vertical projecting surface 180a, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer W is provided at regular intervals in the vertical direction of the purge block 140. A flow straightening plate 190 is provided which is arranged parallel to the surface and whose end on the side of the passage 142 projects inward from the side wall 140b. Further, on the downstream side of the rectifying plate 190 in the moving direction of the semiconductor wafer W, a corrugated plate 192 formed in a corrugated plate shape is arranged on the inner surface of the side wall 140b over the entire area in the vertical direction of the inner surface. The various members forming the purge block 140 are formed of stainless steel, for example, as in the embodiment shown in FIG. 1, and the members are connected to each other by spot welding or the like.
【００４７】次に、作用を説明する。Next, the operation will be described.
【００４８】図６に示した実施例においては、図１に示
した実施例の場合における窒素ガスの流れる方向を、半
導体ウェハＷの表面と平行する方向に置き換えた状態が
得られる。従って、第１〜第４のスリット１６０〜１６
４から噴出される窒素ガスは、図１に示した符号Ｆ1 〜
Ｆ2 を用いて説明すると、半導体ウェハＷの搬入方向を
横断する方向で、半導体ウェハＷの表面に沿って流れる
多段のカーテンを形成する。In the embodiment shown in FIG. 6, a state in which the direction of the nitrogen gas flow in the case of the embodiment shown in FIG. 1 is replaced with the direction parallel to the surface of the semiconductor wafer W is obtained. Therefore, the first to fourth slits 160 to 16
The nitrogen gas ejected from No. 4 is the same as the symbol F1 ...
Describing using F2, a multi-stage curtain that flows along the surface of the semiconductor wafer W in a direction transverse to the carrying-in direction of the semiconductor wafer W is formed.
【００４９】そして、パージブロック１４０の開口部よ
り流入しようとする大気は、その開口部から内側に入っ
たとしても、３段のガスカーテンの流れに従いパージブ
ロック１４０の開口部より外側に流出されることにな
る。また、第４のスリット１６４からのガスの流れＦ4
は、図１に示した実施例の場合と同様に、パージブロッ
ク１４０の通路１４２内部の雰囲気を大気圧よりも陽圧
に設定する作用を強化する。The atmosphere flowing from the opening of the purge block 140 flows out of the opening of the purge block 140 according to the flow of the three-stage gas curtain even if it enters the inside of the opening. It will be. In addition, the gas flow F4 from the fourth slit 164.
1 enhances the action of setting the atmosphere inside the passage 142 of the purge block 140 to a positive pressure rather than atmospheric pressure, as in the case of the embodiment shown in FIG.
【００５０】さらに、パージブロック１４０の底壁１４
０ｂおよび上壁１４０ｃの内面では、第１〜第３のガイ
ド板１７０〜１７４によって、図１に示した実施例と同
様な作用が得られ、そして、パージブロック１４０の側
壁出口付近において、また、整流板１９０の後方におい
ても、図１に示した実施例と同様な作用が得られること
により、大気の撒き込みが防止される。Further, the bottom wall 14 of the purge block 140 is
0b and the inner surface of the upper wall 140c, the same operation as the embodiment shown in FIG. 1 is obtained by the first to third guide plates 170 to 174, and in the vicinity of the side wall outlet of the purge block 140, Even behind the straightening vane 190, the same effect as that of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained, so that the scattering of the atmosphere can be prevented.
【００５１】このように、図６に示した実施例において
は、パージガスの流れる方向を半導体ウェハＷの表面と
平行する方向を設定したので、半導体ウェハＷの表面近
傍でのガスカーテンに乱流を生じさせることがなく、こ
の乱流の発生による表面近傍での圧力変動を抑えて、大
気の撒き込みを確実に防止することができる。As described above, in the embodiment shown in FIG. 6, the flow direction of the purge gas is set to be parallel to the surface of the semiconductor wafer W, so that turbulent flow is generated in the gas curtain near the surface of the semiconductor wafer W. It is possible to suppress the pressure fluctuation in the vicinity of the surface due to the generation of the turbulent flow without causing the turbulent flow, and to reliably prevent the infiltration of the atmosphere.
【００５２】なお、上述した実施例に用いられるパージ
ガスとしては、窒素ガスに限らないものであり、特に、
ロードロックチャンバーおよびプロセスチャンバでの処
理に悪影響を及ぼさないように、これら各チャンバにお
いて使用されるものと同種のものを用いることが好まし
く、例えば、窒素ガス以外にＣＯ2 や清浄化された乾燥
気体等が使用可能である。The purge gas used in the above-mentioned embodiment is not limited to nitrogen gas.
It is preferable to use the same kind as that used in each of these chambers so as not to adversely affect the processing in the load lock chamber and the process chamber. For example, in addition to nitrogen gas, CO2, purified dry gas, etc. Can be used.
【００５３】なお本発明は、上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、上記実施例のように本発明装置を
パージブロック４０として形成しておけば、フランジな
どの連結形状を設けることで既存の真空装置にも接続で
きる効果がある。これに限らず、例えばゲートバルブ出
口側の形状として、パージブロック４０と同一の機能を
一体的に設けるものでも良い。また、本発明は、上記実
施例のように、プロセスチャンバ１０及びロードロック
チャンバ１２，１４を連結した真空装置に限らず、単一
の真空チャンバに一体的にまたは別体で連結する装置に
も適応可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, if the device of the present invention is formed as the purge block 40 as in the above embodiment, it is possible to connect to an existing vacuum device by providing a connecting shape such as a flange. Not limited to this, for example, the gate valve outlet side may be integrally provided with the same function as the purge block 40. Further, the present invention is not limited to the vacuum device in which the process chamber 10 and the load lock chambers 12 and 14 are connected to each other as in the above-described embodiment, but to a device which is integrally or separately connected to a single vacuum chamber. It is adaptable.
【００５４】また、本発明によれば、パージガスの噴出
口の向きを半導体ウェハの表面と平行する方向に設定し
たので、半導体ウェハ表面近傍で乱流を生じせないよう
にすることができる。従って、半導体ウェハ表面での圧
力変動を抑えて大気の撒き込みを防止して大気の流入を
より一層確実に阻止することにより、真空排気時間を短
縮させることができる。Further, according to the present invention, since the direction of the ejection port of the purge gas is set in the direction parallel to the surface of the semiconductor wafer, it is possible to prevent turbulent flow near the surface of the semiconductor wafer. Therefore, the vacuum evacuation time can be shortened by suppressing the pressure fluctuation on the surface of the semiconductor wafer to prevent the atmospheric air from spraying and more reliably prevent the inflow of the atmospheric air.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、大
気の流入を防止するパージガスの噴出口を設けた通路
を、真空装置の開閉口よりも大気側に位置させて、開閉
口に続けて設けたので、真空装置に大気が流入すること
なく、真空排気時間を短縮できる。As described above, according to the present invention, the passage provided with the jet port of the purge gas for preventing the inflow of the atmosphere is located on the atmosphere side with respect to the opening / closing port of the vacuum device and is continued to the opening / closing port. Since this is provided, the evacuation time can be shortened without the atmosphere flowing into the vacuum device.
【図１】本発明を減圧処理システムの大気開口側の構造
に適用した実施例を説明するための概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an embodiment in which the present invention is applied to a structure on the atmospheric opening side of a reduced pressure processing system.
【図２】図１に示すパージブロックを開口側から見た正
面図である。FIG. 2 is a front view of the purge block shown in FIG. 1 viewed from the opening side.
【図３】本発明を適用した減圧処理システムの全体構成
を説明するための概略説明図でる。FIG. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining an overall configuration of a reduced pressure processing system to which the present invention has been applied.
【図４】本発明を減圧処理システムの大気開口側の構造
に適用した別実施例を説明するための概略断面図であ
る。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment in which the present invention is applied to the structure on the atmospheric opening side of the depressurization processing system.
【図５】図４に示すパージブロックを開口側から見た正
面図である。5 is a front view of the purge block shown in FIG. 4 viewed from the opening side.
【図６】本発明を減圧処理システムの大気開口側の構造
に適用したさらに別の実施例を説明するための概略断面
図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining still another embodiment in which the present invention is applied to the structure on the atmospheric opening side of the depressurization processing system.
【図７】図６に示すパージブロックを開口側から見た正
面図である。FIG. 7 is a front view of the purge block shown in FIG. 6 viewed from the opening side.
【図８】図４，５に示すパージブロックの一部を切欠し
た斜視図である。FIG. 8 is a perspective view in which a part of the purge block shown in FIGS.
４０、１４０ パージブロック ４２、１４２ 通路 ４６、１４６ パージボックス ５０〜５６ スリット ５８〜６２ ガイド板 ６８ 整流板 ７０ 波形板 １５２ａ、１５２ｂ スリット Ｗ 半導体ウェハ 40, 140 Purge block 42, 142 Passage 46, 146 Purge box 50-56 Slit 58-62 Guide plate 68 Straightening plate 70 Corrugated plate 152a, 152b Slit W Semiconductor wafer
Claims (5)
間に設けた開閉口とを有し、減圧可能な空間と大気との
間で被搬送体を搬入又は搬出する真空装置において、 前記開閉口よりも大気側に配置され、前記開閉口に続い
て前記被搬送体の通路を設け、かつ、前記通路内にパー
ジガスの噴出口を設け、パージガスにより前記通路内を
大気よりも陽圧に設定することを特徴とする真空装置。1. A vacuum device having an exhaust means, a gas supply means, and an opening / closing port provided between the atmosphere, and carrying in or carrying out a transported object between a space capable of depressurization and the atmosphere, It is arranged on the atmosphere side of the opening / closing port, a passage for the transported object is provided following the opening / closing port, and a purge gas ejection port is provided in the passage so that the purge gas causes a positive pressure in the passage to be higher than the atmospheric pressure. A vacuum device characterized by being set to.
間に設けた開閉口とを有し、減圧可能な空間と大気との
間で被搬送体を搬入又は搬出する真空装置において、 前記開閉口よりも大気側に配置され、前記開閉口に続い
て前記被搬送体の通路を設け、かつ、前記通路内に被搬
送体の移動方向に沿ってパージガスの複数の噴出口を設
け、この複数の噴出口からのパージガスによって、それ
ぞれ前記被搬送体の搬送方向と交差する方向に向かう複
数段のガスカーテンを形成することを特徴とする真空装
置。2. A vacuum device having an exhaust means, a gas supply means, and an opening / closing port provided between the atmosphere and an apparatus for loading or unloading a transported object between a space capable of depressurizing and the atmosphere, Arranged on the atmosphere side of the opening / closing port, providing a passage of the transported object following the opening / closing port, and providing a plurality of ejection ports of purge gas in the passage along the moving direction of the transported object, A vacuum device, characterized in that a plurality of gas curtains are formed by the purge gas from the plurality of ejection ports, the gas curtains each extending in a direction intersecting a transport direction of the transported object.
向に向かう複数段のガスカーテンを形成することを特徴
とする真空装置。3. The vacuum device according to claim 2, wherein the plurality of ejection ports form a plurality of stages of gas curtains extending in a direction parallel to the surface of the transferred body.
り大気側に向かうパージガスのガスカーテンを形成する
ことを特徴とする真空装置。4. The vacuum apparatus according to claim 2, wherein the purge gas jet port provided in the passage forms a gas curtain of purge gas directed toward the atmosphere side from the jet port.
に、パージガスの吸引口を複数形成することを特徴とす
る真空装置。5. The vacuum apparatus according to claim 2 or 3, wherein a plurality of purge gas suction ports are formed at positions facing the plurality of jet ports across the passage of the transported object.
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- 1992-09-18 JP JP04275370A patent/JP3071320B2/en not_active Expired - Fee Related
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