JPH052730A - 磁気デイスク装置および磁気ヘツドおよびウエハ - Google Patents
磁気デイスク装置および磁気ヘツドおよびウエハInfo
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- JPH052730A JPH052730A JP18427391A JP18427391A JPH052730A JP H052730 A JPH052730 A JP H052730A JP 18427391 A JP18427391 A JP 18427391A JP 18427391 A JP18427391 A JP 18427391A JP H052730 A JPH052730 A JP H052730A
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- Japan
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- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 表層に炭素を主成分とする保護膜が形成され
た磁気ディスク１を備えた磁気ディスク装置において、
磁気ヘッド３のスライダの主材料として前記保護膜の炭
素の酸化に対する触媒作用が小さい酸化物を採用した。 【効果】 このスライダ材料は、磁気ディスク１と磁気
ヘッド３との摺動時に保護膜の炭素を酸化する度合いが
小さいので、炭素酸化に起因する保護膜の摩耗が小さく
なる。したがって、磁気ディスク１の摺動耐久性が向上
する。磁気ヘッド３と磁気ディスク１との接触を厳格に
避ける必要は無くなるので、磁気ヘッド３と磁気ディス
ク１との距離をさらに接近させ、記録密度の高い磁気デ
ィスク装置を作製できる。
た磁気ディスク１を備えた磁気ディスク装置において、
磁気ヘッド３のスライダの主材料として前記保護膜の炭
素の酸化に対する触媒作用が小さい酸化物を採用した。 【効果】 このスライダ材料は、磁気ディスク１と磁気
ヘッド３との摺動時に保護膜の炭素を酸化する度合いが
小さいので、炭素酸化に起因する保護膜の摩耗が小さく
なる。したがって、磁気ディスク１の摺動耐久性が向上
する。磁気ヘッド３と磁気ディスク１との接触を厳格に
避ける必要は無くなるので、磁気ヘッド３と磁気ディス
ク１との距離をさらに接近させ、記録密度の高い磁気デ
ィスク装置を作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの外部記
憶装置として使用される磁気ディスク装置に係り、特
に、表面層に炭素を主成分とする保護膜が形成された磁
気ディスクの摩耗耐久性を高める手段に関する。
憶装置として使用される磁気ディスク装置に係り、特
に、表面層に炭素を主成分とする保護膜が形成された磁
気ディスクの摩耗耐久性を高める手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置としては、
記録媒体への記録密度が高く、しかも情報の書き込み／
読み出しが速い磁気ディスク装置が求められる。
記録媒体への記録密度が高く、しかも情報の書き込み／
読み出しが速い磁気ディスク装置が求められる。
【０００３】記録密度を高めるために適した磁気ディス
クとして、スパッタ型磁気ディスクまたはメッキ型磁気
ディスクがある。これらの磁気ディスクは、磁性媒体を
スパッタ処理またはメッキ処理により形成し、磁性媒体
の厚さを薄く制御している。一般的に、磁性媒体の表面
は保護膜で被覆する。場合によっては、さらにその表面
に潤滑剤をコーティングする。
クとして、スパッタ型磁気ディスクまたはメッキ型磁気
ディスクがある。これらの磁気ディスクは、磁性媒体を
スパッタ処理またはメッキ処理により形成し、磁性媒体
の厚さを薄く制御している。一般的に、磁性媒体の表面
は保護膜で被覆する。場合によっては、さらにその表面
に潤滑剤をコーティングする。
【０００４】磁性媒体が薄くなると、磁束の広がりが小
さくなり、記録密度を高めることができる。磁束の広が
りをさらに小さくするには、磁気ヘッドと記録媒体との
距離を近付けることが望ましい。このため、記録密度を
高めるには、スパッタ型磁気ディスクまたはメッキ型磁
気ディスクを用いるとともに、磁気ヘッドと磁気ディス
クとの距離を接近させる必要がある。
さくなり、記録密度を高めることができる。磁束の広が
りをさらに小さくするには、磁気ヘッドと記録媒体との
距離を近付けることが望ましい。このため、記録密度を
高めるには、スパッタ型磁気ディスクまたはメッキ型磁
気ディスクを用いるとともに、磁気ヘッドと磁気ディス
クとの距離を接近させる必要がある。
【０００５】従来の一般的な磁気ディスク駆動機構にお
いて、磁気ディスク装置が停止中、磁気ヘッドは、ばね
荷重により磁気ディスクに押し付けられて静止してい
る。磁気ディスクが回転を始めると、磁気ヘッド・スラ
イダが磁気ディスクと摺動しつつ浮上揚力を増し、つい
にはばね荷重に打ち勝って完全に浮上する。すなわち、
磁気ヘッドと磁気ディスクとは、極めて微小な空隙を保
って対向する。磁気ヘッドは、磁気ディスクが回転を停
止する時は、前記過程とは逆の過程をたどる。この磁気
ディスク駆動方式は、Ｃontact Ｓtart Ｓtop（ＣＳ
Ｓ）方式と呼ばれている。ＣＳＳ方式では、磁気ヘッド
・スライダが磁気ディスク上を過渡的に摺動することが
避けられない。したがって、磁気ディスクの保護膜の摩
耗損傷が問題となる。
いて、磁気ディスク装置が停止中、磁気ヘッドは、ばね
荷重により磁気ディスクに押し付けられて静止してい
る。磁気ディスクが回転を始めると、磁気ヘッド・スラ
イダが磁気ディスクと摺動しつつ浮上揚力を増し、つい
にはばね荷重に打ち勝って完全に浮上する。すなわち、
磁気ヘッドと磁気ディスクとは、極めて微小な空隙を保
って対向する。磁気ヘッドは、磁気ディスクが回転を停
止する時は、前記過程とは逆の過程をたどる。この磁気
ディスク駆動方式は、Ｃontact Ｓtart Ｓtop（ＣＳ
Ｓ）方式と呼ばれている。ＣＳＳ方式では、磁気ヘッド
・スライダが磁気ディスク上を過渡的に摺動することが
避けられない。したがって、磁気ディスクの保護膜の摩
耗損傷が問題となる。
【０００６】この摩耗損傷の問題を解決する手段とし
て、磁気ディスク装置が停止中は磁気ヘッド・スライダ
が磁気ディスクと完全に離れており、磁気ディスクが充
分に回転速度を増し磁気ヘッド・スライダが浮上できる
状態になってから、磁気ディスクに磁気ヘッド・スライ
ダを接近させるというＬoading Ｏn/Ｏff方式が提案さ
れている。
て、磁気ディスク装置が停止中は磁気ヘッド・スライダ
が磁気ディスクと完全に離れており、磁気ディスクが充
分に回転速度を増し磁気ヘッド・スライダが浮上できる
状態になってから、磁気ディスクに磁気ヘッド・スライ
ダを接近させるというＬoading Ｏn/Ｏff方式が提案さ
れている。
【０００７】しかし、磁気ヘッド・スライダと磁気ディ
スクとの空隙は、記録密度を高めるためにますます狭く
されているので、磁気ヘッド・スライダが浮上状態にあ
っても、磁気ディスクとの接触や摺動を完全に避けるの
は難しくなってきた。接触や摺動の原因としては、磁気
ヘッドのデータアクセス運動に伴う磁気ヘッド・スライ
ダの沈み込み現象や塵埃の付着による浮上量低下があ
る。さらに最近では、記録密度を一層高めるために、磁
気ヘッド・スライダと磁気ディスクとを軽微な接触状態
で使用することさえ考えられている。
スクとの空隙は、記録密度を高めるためにますます狭く
されているので、磁気ヘッド・スライダが浮上状態にあ
っても、磁気ディスクとの接触や摺動を完全に避けるの
は難しくなってきた。接触や摺動の原因としては、磁気
ヘッドのデータアクセス運動に伴う磁気ヘッド・スライ
ダの沈み込み現象や塵埃の付着による浮上量低下があ
る。さらに最近では、記録密度を一層高めるために、磁
気ヘッド・スライダと磁気ディスクとを軽微な接触状態
で使用することさえ考えられている。
【０００８】このように、磁気ヘッド・スライダと磁気
ディスクとの摺動は避けられず、磁気ディスクの摩耗損
傷対策を講じなけらばならない状況になってきた。摩耗
損傷対策は、磁気ディスク表面の保護膜を対象とすべき
である。摩耗損傷がその下層の磁性媒体に及ぶと、正常
な記録／再生機能が損なわれてしまうからである。
ディスクとの摺動は避けられず、磁気ディスクの摩耗損
傷対策を講じなけらばならない状況になってきた。摩耗
損傷対策は、磁気ディスク表面の保護膜を対象とすべき
である。摩耗損傷がその下層の磁性媒体に及ぶと、正常
な記録／再生機能が損なわれてしまうからである。
【０００９】保護膜の材質に関しては、例えば、ダイヤ
モンド状炭素（特開平１−２５８２２３号），アモルフ
ァス状炭素（特開平１−２５８２１８号），二酸化けい
素など、多くの提案がある。一般には、炭素保護膜が用
いられている。
モンド状炭素（特開平１−２５８２２３号），アモルフ
ァス状炭素（特開平１−２５８２１８号），二酸化けい
素など、多くの提案がある。一般には、炭素保護膜が用
いられている。
【００１０】炭素保護膜と組み合せて用いる磁気ヘッド
・スライダの材質については、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ複合材
を用いた K.Namura et.al,Proceedings of the JapanIn
ternational Tribology Conference Nagoya(1990)p.186
9や、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2複合材またはＡｌ2Ｏ3−ＺｒＯ
2複合材を用いた M.Y.Chu et.al,TechnicalReport No.9
0-017 Dep.Mater.Sci.Mine.Eng.Univ.Californiaの提案
がある。また、特開平１−２５８２１９号は、ＺｒＯ2
−ｃａｒｂｉｄｅやＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3複合材を用いた
例を開示している。これらはいずれも酸化物が主材であ
る。
・スライダの材質については、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ複合材
を用いた K.Namura et.al,Proceedings of the JapanIn
ternational Tribology Conference Nagoya(1990)p.186
9や、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2複合材またはＡｌ2Ｏ3−ＺｒＯ
2複合材を用いた M.Y.Chu et.al,TechnicalReport No.9
0-017 Dep.Mater.Sci.Mine.Eng.Univ.Californiaの提案
がある。また、特開平１−２５８２１９号は、ＺｒＯ2
−ｃａｒｂｉｄｅやＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3複合材を用いた
例を開示している。これらはいずれも酸化物が主材であ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、炭素または炭
素を主に含む保護膜の摩耗損傷は、上記のような酸化物
が主材の磁気ヘッド・スライダとの組み合わせの場合、
充分には小さくならないという問題があった。
素を主に含む保護膜の摩耗損傷は、上記のような酸化物
が主材の磁気ヘッド・スライダとの組み合わせの場合、
充分には小さくならないという問題があった。
【００１２】本発明の目的は、磁気ディスクの炭素また
は炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を備えた
磁気ディスク装置を提供することである。
は炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を備えた
磁気ディスク装置を提供することである。
【００１３】本発明の他の目的は、磁気ディスクの炭素
または炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を含
む磁気ヘッドを提供することである。
または炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を含
む磁気ヘッドを提供することである。
【００１４】本発明の別の目的は、磁気ディスクの炭素
または炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を含
む磁気ヘッドを作製するためのウェハ材を提供すること
である。
または炭素を主に含む保護膜の摩耗を抑制する手段を含
む磁気ヘッドを作製するためのウェハ材を提供すること
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気ヘッ
ド・スライダを構成する主材として、表面層の炭素の酸
化に対する触媒作用の大きさがＡｌ2Ｏ3の２／５以下の
酸化物を用いることを提案する。
成するために、表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気ヘッ
ド・スライダを構成する主材として、表面層の炭素の酸
化に対する触媒作用の大きさがＡｌ2Ｏ3の２／５以下の
酸化物を用いることを提案する。
【００１６】本発明は、また、表面層に炭素を主成分と
する保護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気ディ
スク装置において、磁気ディスクの表面を摺動すること
もある磁気ヘッド・スライダを構成する主材として、表
面層の炭素の酸化に対する触媒作用の大きさが成分比換
算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯの複合焼結体と同じか
それ以下の酸化物を用いることを提案する。ここで、Ｍ
ｇＯの一部または全部がＡｌ2Ｏ3の相当量と反応してア
ルミネートを生じる。
する保護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気ディ
スク装置において、磁気ディスクの表面を摺動すること
もある磁気ヘッド・スライダを構成する主材として、表
面層の炭素の酸化に対する触媒作用の大きさが成分比換
算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯの複合焼結体と同じか
それ以下の酸化物を用いることを提案する。ここで、Ｍ
ｇＯの一部または全部がＡｌ2Ｏ3の相当量と反応してア
ルミネートを生じる。
【００１７】本発明は、さらに、表面層に炭素を主成分
とする保護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気デ
ィスク装置において、磁気ディスクの表面を摺動するこ
ともある磁気ヘッド・スライダを構成する主材として、
成分比換算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−
１０モル％ＳｉＯ2，ＭｇＯ−２．５モル％Ｎｂ2Ｏ5，
Ａｌ2Ｏ3−５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％Ｔ
ｉＯ2の複合焼結体，またはＮｂ2Ｏ5のいずれかの酸化
物を用いることを提案する。ここで、複合焼結体におい
ては、２種の酸化物の間で複酸化物が生じる。
とする保護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気デ
ィスク装置において、磁気ディスクの表面を摺動するこ
ともある磁気ヘッド・スライダを構成する主材として、
成分比換算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−
１０モル％ＳｉＯ2，ＭｇＯ−２．５モル％Ｎｂ2Ｏ5，
Ａｌ2Ｏ3−５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％Ｔ
ｉＯ2の複合焼結体，またはＮｂ2Ｏ5のいずれかの酸化
物を用いることを提案する。ここで、複合焼結体におい
ては、２種の酸化物の間で複酸化物が生じる。
【００１８】本発明は、表面層に炭素を主成分とする保
護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装
置において、磁気ディスクの表面を摺動することもある
磁気ヘッド・スライダとして、酸化アルミニウムを主材
とし、酸化アルミニウムに対して金属原子数換算で２モ
ル％以上１８モル以下の割合の酸化ニオブまたは酸化タ
ンタルまたは酸化チタンまたは酸化マグネシウムまたは
酸化シリコンを含む素材を用いることを提案する。この
場合、各含有酸化物とＡｌ2Ｏ3との間で、アルミネート
が生成される。
護膜が形成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装
置において、磁気ディスクの表面を摺動することもある
磁気ヘッド・スライダとして、酸化アルミニウムを主材
とし、酸化アルミニウムに対して金属原子数換算で２モ
ル％以上１８モル以下の割合の酸化ニオブまたは酸化タ
ンタルまたは酸化チタンまたは酸化マグネシウムまたは
酸化シリコンを含む素材を用いることを提案する。この
場合、各含有酸化物とＡｌ2Ｏ3との間で、アルミネート
が生成される。
【００１９】いずれの場合も、前記磁気ヘッド・スライ
ダは、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，また
はＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上を含むこともで
きる。
ダは、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，また
はＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上を含むこともで
きる。
【００２０】より具体的には、磁気ヘッド・スライダ
は、酸化アルミニウムに対して３体積％以上４０体積％
以下のＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，また
はＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上を含むことが可
能である。
は、酸化アルミニウムに対して３体積％以上４０体積％
以下のＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，また
はＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上を含むことが可
能である。
【００２１】本発明は、磁気ディスク装置全体として実
現できることがもちろんであるが、磁気ヘッド・スライ
ダ単体としても、磁気ヘッド・スライダに加工すべきウ
ェハ素材としても実現可能である。
現できることがもちろんであるが、磁気ヘッド・スライ
ダ単体としても、磁気ヘッド・スライダに加工すべきウ
ェハ素材としても実現可能である。
【００２２】
【作用】本発明者らは、炭素または炭素を主に含む保護
膜の摩耗の大きな原因が炭素の酸化であることを初めて
認識した。磁気ヘッド・スライダが保護膜上を摺動する
と、保護膜の炭素が酸化されて離脱し、保護膜の消耗を
引き起こす。消耗の実際的形態は、いわゆる燃焼である
のか、摩擦による機械的離脱であるのかは不明である。
しかし、いずれにしても酸化のステップをとる。
膜の摩耗の大きな原因が炭素の酸化であることを初めて
認識した。磁気ヘッド・スライダが保護膜上を摺動する
と、保護膜の炭素が酸化されて離脱し、保護膜の消耗を
引き起こす。消耗の実際的形態は、いわゆる燃焼である
のか、摩擦による機械的離脱であるのかは不明である。
しかし、いずれにしても酸化のステップをとる。
【００２３】本発明者らは、さらに、この酸化がスライ
ダを構成する酸化物に大きく影響されることを見出し
た。スライダが炭素の酸化を促進する触媒作用を持つ材
料からなるときは、保護膜の摩耗が大きく、スライダが
炭素の酸化を促進する触媒作用の少ない材料からなると
きは、保護膜の摩耗が小さい。
ダを構成する酸化物に大きく影響されることを見出し
た。スライダが炭素の酸化を促進する触媒作用を持つ材
料からなるときは、保護膜の摩耗が大きく、スライダが
炭素の酸化を促進する触媒作用の少ない材料からなると
きは、保護膜の摩耗が小さい。
【００２４】したがって、炭素または炭素を主に含む保
護膜の摩耗を小さくするには、炭素の酸化を促進する触
媒作用の少ない材料からなるスライダを選べばよい。保
護膜には、Ｈ，Ａｒ，Ｏなどのガス成分またはＳｉ，Ｔ
ｉなどの金属成分が少量含まれていても、同様の材料選
択方針を適用できる。
護膜の摩耗を小さくするには、炭素の酸化を促進する触
媒作用の少ない材料からなるスライダを選べばよい。保
護膜には、Ｈ，Ａｒ，Ｏなどのガス成分またはＳｉ，Ｔ
ｉなどの金属成分が少量含まれていても、同様の材料選
択方針を適用できる。
【００２５】多くの酸化物材料は、通常、炭素の酸化の
触媒作用を持つ。ＭｇＯや従来のスライダ材の主成分で
あるＡｌ2Ｏ3も触媒作用を持つ。これに反して、Ｎｂ2
Ｏ5などの触媒作用は小さい。
触媒作用を持つ。ＭｇＯや従来のスライダ材の主成分で
あるＡｌ2Ｏ3も触媒作用を持つ。これに反して、Ｎｂ2
Ｏ5などの触媒作用は小さい。
【００２６】本発明者らは、種々の検討を重ねた結果、
従来のスライダ材にＮｂ2Ｏ5やＴｉＯ2を特定量添加す
ると、触媒作用が小さくなることを見出した。十分な効
果を得るには、前記物質の添加量は金属原子数に換算し
て２〜１８モル％の範囲がよい。これより多くても少な
くても、触媒作用を抑える効果が低下する。
従来のスライダ材にＮｂ2Ｏ5やＴｉＯ2を特定量添加す
ると、触媒作用が小さくなることを見出した。十分な効
果を得るには、前記物質の添加量は金属原子数に換算し
て２〜１８モル％の範囲がよい。これより多くても少な
くても、触媒作用を抑える効果が低下する。
【００２７】なお、磁気ヘッド・スライダを製作する際
の精密加工性を向上させるために、ＳｉＣ，ＺｒＣ，Ｔ
ａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＴｉＮなどの非酸化物を添加す
ることも可能である。ただし、ＴｉＣ，ＴｉＮは，Ｔｉ
Ｏ2と同時に添加すると、それらの固溶体を生成するの
で、注意を要する。
の精密加工性を向上させるために、ＳｉＣ，ＺｒＣ，Ｔ
ａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＴｉＮなどの非酸化物を添加す
ることも可能である。ただし、ＴｉＣ，ＴｉＮは，Ｔｉ
Ｏ2と同時に添加すると、それらの固溶体を生成するの
で、注意を要する。
【００２８】上記のＡｌ2Ｏ3系材料にＳｉＣやＮｂＣな
どを添加する場合、触媒作用の十分な抑制効果を得るに
は、少なくともＡｌ2Ｏ3に対して３体積％以上を添加す
ることが必要である。しかし、４０体積％を越えると、
ボイドすなわち気孔が多く発生し、磁気ヘッド・スライ
ダ材料として好ましくない。このようなボイドの多い磁
気ヘッド・スライダをあえて用いれば、ボイドのため
に、磁気ディスクの機械的摩耗が大きくなる。したがっ
て、Ａｌ2Ｏ3に対するＳｉＣやＮｂＣの割合は、３体積
％以上４０体積％以下が望ましい。
どを添加する場合、触媒作用の十分な抑制効果を得るに
は、少なくともＡｌ2Ｏ3に対して３体積％以上を添加す
ることが必要である。しかし、４０体積％を越えると、
ボイドすなわち気孔が多く発生し、磁気ヘッド・スライ
ダ材料として好ましくない。このようなボイドの多い磁
気ヘッド・スライダをあえて用いれば、ボイドのため
に、磁気ディスクの機械的摩耗が大きくなる。したがっ
て、Ａｌ2Ｏ3に対するＳｉＣやＮｂＣの割合は、３体積
％以上４０体積％以下が望ましい。
【００２９】
【実施例】次に、本発明による磁気ディスク装置の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００３０】《実施例１》まず、磁気ディスク装置の構
造の一例を説明する。しかし、本発明はこの特定の構造
には限定されない。
造の一例を説明する。しかし、本発明はこの特定の構造
には限定されない。
【００３１】図１は、本発明による磁気ディスク装置の
一実施例の全体構造を示す斜視図、図２は、図１の磁気
ディスク装置の平面図である。この磁気ディスク装置
は、情報を記録する磁気ディスク１と、磁気ディスク１
を回転させるモータ２と、磁気ディスク１に情報を書き
込みまたは磁気ディスク１から情報を読み出す磁気ヘッ
ド３と、磁気ヘッド３を支持し磁気ディスク１の目標位
置に決めるアクチュエータ４およびボイスコイルモータ
ー５と、磁気ディスク装置装置内部を清浄に保つエアフ
ィルタ６とを備えている。アクチュエータ４は、キャリ
ッジ７とレール８と軸受９とからなる。ボイスコイルモ
ーター５は、ボイスコイル１０とマグネット１１とから
なる。実施例１は、同一の回転軸に８枚の磁気ディスク
を取り付けて、全体の記憶容量を大きくした例を示して
いる。磁気ディスク１はスパッタ型磁気ディスクであ
り、スパッタ磁性媒体の表面が炭素のスパッタ保護膜で
被覆されている。
一実施例の全体構造を示す斜視図、図２は、図１の磁気
ディスク装置の平面図である。この磁気ディスク装置
は、情報を記録する磁気ディスク１と、磁気ディスク１
を回転させるモータ２と、磁気ディスク１に情報を書き
込みまたは磁気ディスク１から情報を読み出す磁気ヘッ
ド３と、磁気ヘッド３を支持し磁気ディスク１の目標位
置に決めるアクチュエータ４およびボイスコイルモータ
ー５と、磁気ディスク装置装置内部を清浄に保つエアフ
ィルタ６とを備えている。アクチュエータ４は、キャリ
ッジ７とレール８と軸受９とからなる。ボイスコイルモ
ーター５は、ボイスコイル１０とマグネット１１とから
なる。実施例１は、同一の回転軸に８枚の磁気ディスク
を取り付けて、全体の記憶容量を大きくした例を示して
いる。磁気ディスク１はスパッタ型磁気ディスクであ
り、スパッタ磁性媒体の表面が炭素のスパッタ保護膜で
被覆されている。
【００３２】図３は、本発明による材料を用いた磁気ヘ
ッド３の斜視図である。この磁気ヘッド３は、テーパー
ドフラット型磁気ヘッドであり、スライダ１２とその表
面の一部に形成された磁気ヘッド素子１３とからなる。
摺動面１４は、磁気ディスク１の表面を過渡的に摺動す
る。本発明は、このテーパードフラット型磁気ヘッドの
みならず、負圧型磁気ヘッドなどにも適用可能である。
ッド３の斜視図である。この磁気ヘッド３は、テーパー
ドフラット型磁気ヘッドであり、スライダ１２とその表
面の一部に形成された磁気ヘッド素子１３とからなる。
摺動面１４は、磁気ディスク１の表面を過渡的に摺動す
る。本発明は、このテーパードフラット型磁気ヘッドの
みならず、負圧型磁気ヘッドなどにも適用可能である。
【００３３】本実施例では、スライダ１２の材質を種々
の酸化物に替え、それらを摺動させた炭素保護膜の摩耗
量を測定した。そして、炭素保護膜の酸化に対する各酸
化物の触媒作用の大きさを調べた。各種酸化物は、純度
９９％以上の原料粉を真空雰囲気中でホットプレス焼結
し作成した。ただし、Ｎｂ2Ｏ5については大気雰囲気中
で焼結し作成した。各種酸化物の緻密化をモニタし、緻
密化がほぼ終了する温度を求めた。この温度は、例えば
Ａｌ2Ｏ3系の材料については１４５０℃、ＴｉＯ2につ
いては１２００℃である。焼結は１時間継続した。Ｔｉ
Ｏ2の焼結体では酸素不足が生じていた。
の酸化物に替え、それらを摺動させた炭素保護膜の摩耗
量を測定した。そして、炭素保護膜の酸化に対する各酸
化物の触媒作用の大きさを調べた。各種酸化物は、純度
９９％以上の原料粉を真空雰囲気中でホットプレス焼結
し作成した。ただし、Ｎｂ2Ｏ5については大気雰囲気中
で焼結し作成した。各種酸化物の緻密化をモニタし、緻
密化がほぼ終了する温度を求めた。この温度は、例えば
Ａｌ2Ｏ3系の材料については１４５０℃、ＴｉＯ2につ
いては１２００℃である。焼結は１時間継続した。Ｔｉ
Ｏ2の焼結体では酸素不足が生じていた。
【００３４】試験酸化物を粉径０．１mm以下に粉砕し、
この試験酸化物の粉末を粉径１０μｍ以下のグラファイ
ト粉末に混合する。この混合物を熱天秤を用いて大気中
で加熱し、グラファイトの重量減少を測定した。重量減
少のオンセット温度をグラファイトの燃焼開始温度と定
義した。試験酸化物の触媒作用が大きいほど、試験酸化
物を混合した時のグラファイトの燃焼開始温度が低下す
る。そこで、グラファイト粉末だけの燃焼開始温度も測
定し、両者の温度差を触媒活性度と定義した。なお、炭
素には、一般に結合状態（ＳＰ２かＳＰ３）や結晶化の
度合いにより、いくつもの種類が存在し、それぞれ燃焼
開始温度が異なる。したがって、燃焼開始温度や触媒活
性度の絶対値自体には、それほど重要な意味はない。本
実験では同一ロットのグラファイト粉末を用い、触媒活
性度の相対的大小関係を調べた。非酸化物を含む材料に
ついては、その材料の酸化がグラファイトの燃焼よりも
低い温度で生じる場合がある。その場合は、この試験方
法は適切でない。
この試験酸化物の粉末を粉径１０μｍ以下のグラファイ
ト粉末に混合する。この混合物を熱天秤を用いて大気中
で加熱し、グラファイトの重量減少を測定した。重量減
少のオンセット温度をグラファイトの燃焼開始温度と定
義した。試験酸化物の触媒作用が大きいほど、試験酸化
物を混合した時のグラファイトの燃焼開始温度が低下す
る。そこで、グラファイト粉末だけの燃焼開始温度も測
定し、両者の温度差を触媒活性度と定義した。なお、炭
素には、一般に結合状態（ＳＰ２かＳＰ３）や結晶化の
度合いにより、いくつもの種類が存在し、それぞれ燃焼
開始温度が異なる。したがって、燃焼開始温度や触媒活
性度の絶対値自体には、それほど重要な意味はない。本
実験では同一ロットのグラファイト粉末を用い、触媒活
性度の相対的大小関係を調べた。非酸化物を含む材料に
ついては、その材料の酸化がグラファイトの燃焼よりも
低い温度で生じる場合がある。その場合は、この試験方
法は適切でない。
【００３５】炭素膜の厚さは５０nmとし、表面にはあら
かじめ深さ３０nmの規則的な溝を全面に設けた。このよ
うにして、摺動後の溝の深さを測定すると、炭素保護膜
の摩耗を定量的に調べることが可能である。スライダを
磁気ディスクに押し付けた状態で、スライダの位置での
周速が２５ｍ／ｓとなるように磁気ディスクを回転さ
せ、連続的に摺動させた。摺動は磁気ディスクの同一円
周上で３００００回転実行させた。
かじめ深さ３０nmの規則的な溝を全面に設けた。このよ
うにして、摺動後の溝の深さを測定すると、炭素保護膜
の摩耗を定量的に調べることが可能である。スライダを
磁気ディスクに押し付けた状態で、スライダの位置での
周速が２５ｍ／ｓとなるように磁気ディスクを回転さ
せ、連続的に摺動させた。摺動は磁気ディスクの同一円
周上で３００００回転実行させた。
【００３６】図４は、炭素保護膜の摩耗量とスライダの
触媒活性度との関係を示すグラフである。種々の酸化物
スライダの触媒活性度は、０〜６７℃の範囲に分散して
いた。これら酸化物スライダの摺動による炭素保護膜の
摩耗量は５〜２７nmの範囲に分散していた。酸化物スラ
イダの触媒活性度と炭素保護膜の摩耗量との間には相関
が見られ、触媒活性度が小さいほど摩耗量が小さい。触
媒活性度が２０℃以下となっており成分換算でＡｌ2Ｏ3
−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＳｉＯ2，
Ｎｂ2Ｏ5，ＭｇＯ−２.５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−
５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＴｉＯ2の複
合焼結体では、いずれも炭素保護膜の摩耗量は同程度に
小さかった。なお、これらの複合焼結体においては、各
々複酸化物を生じている。
触媒活性度との関係を示すグラフである。種々の酸化物
スライダの触媒活性度は、０〜６７℃の範囲に分散して
いた。これら酸化物スライダの摺動による炭素保護膜の
摩耗量は５〜２７nmの範囲に分散していた。酸化物スラ
イダの触媒活性度と炭素保護膜の摩耗量との間には相関
が見られ、触媒活性度が小さいほど摩耗量が小さい。触
媒活性度が２０℃以下となっており成分換算でＡｌ2Ｏ3
−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＳｉＯ2，
Ｎｂ2Ｏ5，ＭｇＯ−２.５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−
５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＴｉＯ2の複
合焼結体では、いずれも炭素保護膜の摩耗量は同程度に
小さかった。なお、これらの複合焼結体においては、各
々複酸化物を生じている。
【００３７】本実施例によれば、触媒活性度が小さい酸
化物スライダを用いると、スパッタ処理により形成され
た炭素保護膜の摩耗を小さくできることがわかる。
化物スライダを用いると、スパッタ処理により形成され
た炭素保護膜の摩耗を小さくできることがわかる。
【００３８】この結果は、Chemical Vapor Deposition
（ＣＶＤ）処理により形成した炭素保護膜についても同
様であった。
（ＣＶＤ）処理により形成した炭素保護膜についても同
様であった。
【００３９】《実施例２》実施例１で炭素保護膜の摩耗
が小さかったＡｌ2Ｏ3系酸化物に、さらに、Ａｌ2Ｏ3に
対して２０体積％の非酸化物を混合し、１１種の焼結体
を作製した。これらの焼結体でスライダを作製し炭素保
護膜の摩耗を調べた。炭素保護膜は、膜厚２０nmの通常
形状品とした。規則的な溝のない通常形状品では、摩耗
深さの定量的測定は困難であったので、高分解能の電界
放射型電子顕微鏡で観察した。その結果を表１に示す。
が小さかったＡｌ2Ｏ3系酸化物に、さらに、Ａｌ2Ｏ3に
対して２０体積％の非酸化物を混合し、１１種の焼結体
を作製した。これらの焼結体でスライダを作製し炭素保
護膜の摩耗を調べた。炭素保護膜は、膜厚２０nmの通常
形状品とした。規則的な溝のない通常形状品では、摩耗
深さの定量的測定は困難であったので、高分解能の電界
放射型電子顕微鏡で観察した。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】従来例のＡｌ2Ｏ3＋２０体積％ＴｉＣ（Ｎ
o.１１）以外は、いずれも摩耗が少なかった。なお、Ｔ
ｉＯ2と同じ金属元素化合物のＴｉＣやＴｉＮを同時添
加した場合、これらの間で固溶反応が生じた（（Ｎo.
４，５）。その結果、ＴｉＯ2が一部消費されたため、
炭素保護膜の摩耗がやや大きくなった。
o.１１）以外は、いずれも摩耗が少なかった。なお、Ｔ
ｉＯ2と同じ金属元素化合物のＴｉＣやＴｉＮを同時添
加した場合、これらの間で固溶反応が生じた（（Ｎo.
４，５）。その結果、ＴｉＯ2が一部消費されたため、
炭素保護膜の摩耗がやや大きくなった。
【００４２】実施例２から、触媒活性度が小さい酸化物
スライダには若干の非酸化物を混合しても、スパッタ処
理により形成された炭素保護膜の摩耗を小さくできるこ
とがわかる。
スライダには若干の非酸化物を混合しても、スパッタ処
理により形成された炭素保護膜の摩耗を小さくできるこ
とがわかる。
【００４３】《実施例３》Ａｌ2Ｏ3に対する添加酸化物
の量の影響について調べた。このため、ＴｉＯ2，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＳｉＯ2の添加量を変えた焼結
体を作製した。そして、実施例１と同様に、炭素の酸化
に対する触媒活性度を測定した。その結果を図５に示
す。いずれの場合も、金属原子数換算で添加量が２モル
％以上１８モル％以下の範囲の時に、触媒活性度が小さ
くなった。この範囲での触媒活性度は、図４で炭素保護
膜の摩耗が小さくなった領域すなわち２０℃以下触媒活
性度に対応する。これらの材料を用いてスライダを作製
し、炭素保護膜の摩耗を調べたところ、炭素保護膜の摩
耗が小さかった。
の量の影響について調べた。このため、ＴｉＯ2，Ｎｂ2
Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＳｉＯ2の添加量を変えた焼結
体を作製した。そして、実施例１と同様に、炭素の酸化
に対する触媒活性度を測定した。その結果を図５に示
す。いずれの場合も、金属原子数換算で添加量が２モル
％以上１８モル％以下の範囲の時に、触媒活性度が小さ
くなった。この範囲での触媒活性度は、図４で炭素保護
膜の摩耗が小さくなった領域すなわち２０℃以下触媒活
性度に対応する。これらの材料を用いてスライダを作製
し、炭素保護膜の摩耗を調べたところ、炭素保護膜の摩
耗が小さかった。
【００４４】実施例３から、Ａｌ2Ｏ3に対するＴｉ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＳｉＯ2などの添加
量が、金属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の
範囲の場合に、触媒活性度が小さくなり、炭素保護膜の
摩耗量も小さくなることがわかる。
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＭｇＯ，ＳｉＯ2などの添加
量が、金属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の
範囲の場合に、触媒活性度が小さくなり、炭素保護膜の
摩耗量も小さくなることがわかる。
【００４５】《実施例４》Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5系に対す
る非酸化物ＳｉＣの添加量の影響について調べた。Ｓｉ
Ｃの量を変えた焼結体のウェハを作製したが、結果的に
ＳｉＣとＮｂ2Ｏ5とが反応し、ＮｂＣとＳｉＯ2とが生
じた。したがって、実態として、Ａｌ2Ｏ3-Nb2Ｏ5系は
Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2系に変化し、ＳｉＣはＳ
ｉＣ＋ＮｂＣに変化した。同一加工条件における機械加
工仕上がり状況を観察した。加工条件としてはスライダ
の切り出し加工に準じた。その結果を表２のＮｏ．１２
〜１５に示す。
る非酸化物ＳｉＣの添加量の影響について調べた。Ｓｉ
Ｃの量を変えた焼結体のウェハを作製したが、結果的に
ＳｉＣとＮｂ2Ｏ5とが反応し、ＮｂＣとＳｉＯ2とが生
じた。したがって、実態として、Ａｌ2Ｏ3-Nb2Ｏ5系は
Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2系に変化し、ＳｉＣはＳ
ｉＣ＋ＮｂＣに変化した。同一加工条件における機械加
工仕上がり状況を観察した。加工条件としてはスライダ
の切り出し加工に準じた。その結果を表２のＮｏ．１２
〜１５に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】Ｎｏ．１２〜１５の試料を比較すると、Ｓ
ｉＣの量がＡｌ2Ｏ3に対して３体積％未満では、スライ
ダにチッピングが生じ、逆に４０体積％を越えた場合
は、ボイドが多数見られた。チッピングはない方が良い
ことはもちろんであるが、加工速度を遅くする等の対策
によって改善できる。一方、ボイドは加工条件では必ず
しも改善できず、磁気ヘッドのスライダとして好ましく
ない。すなわち、ＳｉＣの量は磁気ヘッドのスライダと
しては少なくとも４０体積％以下の範囲が良く、さらに
加工上は３体積％以上が好ましいことがわかる。
ｉＣの量がＡｌ2Ｏ3に対して３体積％未満では、スライ
ダにチッピングが生じ、逆に４０体積％を越えた場合
は、ボイドが多数見られた。チッピングはない方が良い
ことはもちろんであるが、加工速度を遅くする等の対策
によって改善できる。一方、ボイドは加工条件では必ず
しも改善できず、磁気ヘッドのスライダとして好ましく
ない。すなわち、ＳｉＣの量は磁気ヘッドのスライダと
しては少なくとも４０体積％以下の範囲が良く、さらに
加工上は３体積％以上が好ましいことがわかる。
【００４８】表２の各材料を用いてスライダを作製し、
実施例２と同様の方法で摺動試験した場合の保護膜の摩
耗の観察結果も表２に示す。ＳｉＣの量が４０体積％以
下のものは炭素保護膜の摩耗が軽微であった。
実施例２と同様の方法で摺動試験した場合の保護膜の摩
耗の観察結果も表２に示す。ＳｉＣの量が４０体積％以
下のものは炭素保護膜の摩耗が軽微であった。
【００４９】この実施例から、Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5系ス
ライダへのＳｉＣの添加量が３体積％以上４０体積％以
下の範囲の場合にスライダが機械加工しやすくなり、し
かも、炭素保護膜の摩耗量が小さいことがわかる。この
ことは、Ｎｂ2Ｏ5をＴｉＯ2やＴａ2Ｏ5に替えて試して
もほぼ同様であった。また、ＳｉＣを実施例２の別の非
酸化物に替えてもほぼ同様であった。
ライダへのＳｉＣの添加量が３体積％以上４０体積％以
下の範囲の場合にスライダが機械加工しやすくなり、し
かも、炭素保護膜の摩耗量が小さいことがわかる。この
ことは、Ｎｂ2Ｏ5をＴｉＯ2やＴａ2Ｏ5に替えて試して
もほぼ同様であった。また、ＳｉＣを実施例２の別の非
酸化物に替えてもほぼ同様であった。
【００５０】さらに、Ｎｏ．１２〜１５の試料よりもＮ
ｂ2Ｏ5の量が少ない試料に関する実験結果をＮｏ．１６
および１７に示す。この場合も、スライダの加工状況と
保護膜の摩耗の状況とは、好ましい範囲にあった。
ｂ2Ｏ5の量が少ない試料に関する実験結果をＮｏ．１６
および１７に示す。この場合も、スライダの加工状況と
保護膜の摩耗の状況とは、好ましい範囲にあった。
【００５１】
【発明の効果】本発明のスライダ材料は、磁気ディスク
と磁気ヘッドとの摺動時に保護膜の炭素を酸化する度合
いが小さいので、炭素酸化に起因する保護膜の摩耗が抑
制される。その結果、磁気ディスクの摩耗耐久性の高い
磁気ディスク装置が得られる。また、磁気ヘッドと磁気
ディスクとの接触を厳格に避ける必要は無くなることか
ら、磁気ヘッドと磁気ディスク１の距離をさらに接近さ
せ、記録密度の高い磁気ディスク装置を作製できる。
と磁気ヘッドとの摺動時に保護膜の炭素を酸化する度合
いが小さいので、炭素酸化に起因する保護膜の摩耗が抑
制される。その結果、磁気ディスクの摩耗耐久性の高い
磁気ディスク装置が得られる。また、磁気ヘッドと磁気
ディスクとの接触を厳格に避ける必要は無くなることか
ら、磁気ヘッドと磁気ディスク１の距離をさらに接近さ
せ、記録密度の高い磁気ディスク装置を作製できる。
【図１】本発明による磁気ディスク装置の一実施例の全
体構造を示す斜視図である。
体構造を示す斜視図である。
【図２】図１の磁気ディスク装置の平面図である。
【図３】本発明による材料を用いた磁気ヘッド３の斜視
図である。
図である。
【図４】炭素保護膜の摩耗量とスライダの触媒活性度と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】Ａｌ2Ｏ3系スライダ材料の触媒活性度とＡｌ2
Ｏ3への添加物量との関係を示すグラフである。
Ｏ3への添加物量との関係を示すグラフである。
１ 磁気ディスク ２ モータ
３ 磁気ヘッド ４ アクチュエ
ータ ５ ボイスコイルモータ ６ エアフィル
タ ７ キャリッジ ８ レール ９ 軸受 １０ ボイスコイ
ル １１ マグネット １２ スライダ １３ 磁気ヘッド素子 １４ 摺動面
ータ ５ ボイスコイルモータ ６ エアフィル
タ ７ キャリッジ ８ レール ９ 軸受 １０ ボイスコイ
ル １１ マグネット １２ スライダ １３ 磁気ヘッド素子 １４ 摺動面
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フロントページの続き
(72)発明者 祖父江 昌久
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 斉藤 翼生
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会
社日立製作所小田原工場内
(72)発明者 栃木 憲治
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 三沢 豊
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 前田 邦裕
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
Claims (18)
- 【請求項１】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、前記磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダを構成する主材が、前記表面層の炭素
の酸化に対する触媒作用の大きさがＡｌ2Ｏ3の２／５以
下の酸化物であることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、前記磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダを構成する主材が、前記表面層の炭素
の酸化に対する触媒作用の大きさが成分比換算でＡｌ2
Ｏ3−１０モル％ＭｇＯの複合焼結体と同じかそれ以下
の酸化物であることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、前記磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダを構成する主材が、 成分比換算でＡ
ｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％Ｓｉ
Ｏ2，ＭｇＯ−２．５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−５モ
ル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＴｉＯ2の複合焼
結体，またはＮｂ2Ｏ5のいずれかの酸化物であることを
特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置におい
て、前記磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダが、酸化アルミニウムを主材とし、当
該酸化アルミニウムに対して金属原子数換算で２モル％
以上１８モル以下の割合の酸化ニオブまたは酸化タンタ
ルまたは酸化チタンまたは酸化マグネシウムまたは酸化
シリコンを含むことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁
気ディスク装置において、前記磁気ヘッド・スライダ
が、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，または
ＴｉＮのいずれかを１つまたは２つ以上含むことを特徴
とする磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の磁気ディスク装置にお
いて、前記磁気ヘッド・スライダが、酸化アルミニウム
に対して３体積％以上４０体積％以下のＳｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，またはＴｉＮのいずれか
を１つまたは２つ以上含むことを特徴とする磁気ディス
ク装置。 - 【請求項７】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダにおいて、その主材が、前記表面層の
炭素の酸化に対する触媒作用の大きさがＡｌ2Ｏ3の２／
５以下の酸化物からなることを特徴とする磁気ヘッド・
スライダ。 - 【請求項８】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダにおいて、その主材が、前記表面層の
炭素の酸化に対する触媒作用の大きさが成分比換算でＡ
ｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯの複合焼結体と同じかそれ以
下の酸化物からなることを特徴とする磁気ヘッド・スラ
イダ。 - 【請求項９】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が形
成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁気
ヘッド・スライダにおいて、その主材が、成分比換算で
Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％Ｓ
ｉＯ2，ＭｇＯ−２．５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−５
モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＴｉＯ2の複合
焼結体，またはＮｂ2Ｏ5のいずれかの酸化物からなるこ
とを特徴とする磁気ヘッド・スライダ。 - 【請求項１０】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が
形成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁
気ヘッド・スライダにおいて、その構成材が、酸化アル
ミニウムを主材とし、当該酸化アルミニウムに対して金
属原子数換算で２モル％以上１８モル以下の割合の酸化
ニオブまたは酸化タンタルまたは酸化チタンまたは酸化
マグネシウムまたは酸化シリコンを含むことを特徴とす
る磁気ヘッド・スライダ。 - 【請求項１１】 請求項７〜１０のいずれか一項に記載
の磁気ヘッド・スライダにおいて、ＳｉＣ，ＺｒＣ，Ｔ
ａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，またはＴｉＮのいずれか１つま
たは２つ以上が含まれることを特徴とする磁気ヘッド・
スライダ。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の磁気ヘッド・スラ
イダにおいて、酸化アルミニウムに対して３体積％以上
４０体積％以下のＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，Ｎ
ｂＣ，またはＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上が含
まれることを特徴とする磁気ヘッド・スライダ。 - 【請求項１３】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が
形成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁
気ヘッド・スライダの素材となるウェハにおいて、前記
表面層の炭素の酸化に対する触媒作用の大きさがＡｌ2
Ｏ3の２／５以下の酸化物からなることを特徴とするウ
ェハ。 - 【請求項１４】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が
形成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁
気ヘッド・スライダの素材となるウェハにおいて、前記
表面層の炭素の酸化に対する触媒作用の大きさが成分比
換算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯの複合焼結体と同じ
かそれ以下の酸化物からなることを特徴とするウェハ。 - 【請求項１５】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が
形成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁
気ヘッド・スライダの素材となるウェハにおいて、成分
比換算でＡｌ2Ｏ3−１０モル％ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3−１０
モル％ＳｉＯ2，ＭｇＯ−２．５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2
Ｏ3−５モル％Ｎｂ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3−１０モル％ＴｉＯ2
の複合焼結体，またはＮｂ2Ｏ5のいずれかの酸化物から
なることを特徴とするウェハ。 - 【請求項１６】 表面層に炭素を主成分とする保護膜が
形成された磁気ディスクの表面を摺動することもある磁
気ヘッド・スライダの素材となるウェハにおいて、酸化
アルミニウムを主材とし、当該酸化アルミニウムに対し
て金属原子数換算で２モル％以上１８モル以下の割合の
酸化ニオブまたは酸化タンタルまたは酸化チタンまたは
酸化マグネシウムまたは酸化シリコンを含むことを特徴
とするウェハ。 - 【請求項１７】 請求項１３〜１６のいずれか一項に記
載の磁気ヘッド・スライダの素材となるウェハにおい
て、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，または
ＴｉＮのいずれか１つまたは２つ以上を含むことを特徴
とするウェハ。 - 【請求項１８】 請求項１６に記載の磁気ヘッド・スラ
イダの素材となるウェハにおいて、酸化アルミニウムに
対して３体積％以上４０体積％以下のＳｉＣ，ＺｒＣ，
ＴａＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，またはＴｉＮのいずれか１つ
または２つ以上を含むことを特徴とするウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18427391A JPH052730A (ja) | 1990-07-27 | 1991-07-24 | 磁気デイスク装置および磁気ヘツドおよびウエハ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-197961 | 1990-07-27 | ||
| JP19796190 | 1990-07-27 | ||
| JP18427391A JPH052730A (ja) | 1990-07-27 | 1991-07-24 | 磁気デイスク装置および磁気ヘツドおよびウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052730A true JPH052730A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=26502401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18427391A Pending JPH052730A (ja) | 1990-07-27 | 1991-07-24 | 磁気デイスク装置および磁気ヘツドおよびウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052730A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808833A (en) * | 1996-04-26 | 1998-09-15 | Nec Corporation | Magnetic disk apparatus with protective films |
| US5910863A (en) * | 1993-09-20 | 1999-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head slider and magnetic disk device using the same |
| US7144552B1 (en) | 1999-12-24 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for preparing chemical solutions |
| US7414002B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-08-19 | Kyocera Corporation | Aluminum oxide-titanium nitride sintered body, manufacturing method thereof, and magnetic head substrate, ultrasonic motor and dynamic pressure bearing using the same |
| US20180170811A1 (en) * | 2015-06-17 | 2018-06-21 | National Institute For Materials Science | Oxidation-induced self-healing ceramic composition containing healing activator, method for producing same, use of same, and method for enhancing functionality of oxidation-induced self-healing ceramic composition |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18427391A patent/JPH052730A/ja active Pending
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