JPH05266856A - イオン照射装置、及び、イオン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法 - Google Patents
イオン照射装置、及び、イオン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法Info
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- JPH05266856A JPH05266856A JP6032492A JP6032492A JPH05266856A JP H05266856 A JPH05266856 A JP H05266856A JP 6032492 A JP6032492 A JP 6032492A JP 6032492 A JP6032492 A JP 6032492A JP H05266856 A JPH05266856 A JP H05266856A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン照射による試料の帯電防止のため、少
数の１次電子源で、大量に、低エネルギーの２次電子を
イオンビーム或いは試料に供給するイオン照射装置及び
帯電防止装置及び帯電防止方法の提供。 【構成】 イオン源７と、このイオン源７からイオン８
の集合体のイオンビーム９を照射する試料５と、試料５
の帯電を防止するために、試料５に２次電子６を供給す
るための２次電子放出部３と、２次電子放出部３に１次
電子４を照射するための１次電子源１と、２次電子放出
部３の１次電子源１からの１次電子４が照射される位置
に電磁波１０を照射する電磁波源１１とから概略構成し
た。 【効果】 ２次電子放出現象が１次電子と電磁波の両方
のエネルギー源からの供与により誘起されるため、少数
の１次電子源で多量且つ低エネルギーの２次電子をイオ
ンビーム或いは試料に供給できる。
数の１次電子源で、大量に、低エネルギーの２次電子を
イオンビーム或いは試料に供給するイオン照射装置及び
帯電防止装置及び帯電防止方法の提供。 【構成】 イオン源７と、このイオン源７からイオン８
の集合体のイオンビーム９を照射する試料５と、試料５
の帯電を防止するために、試料５に２次電子６を供給す
るための２次電子放出部３と、２次電子放出部３に１次
電子４を照射するための１次電子源１と、２次電子放出
部３の１次電子源１からの１次電子４が照射される位置
に電磁波１０を照射する電磁波源１１とから概略構成し
た。 【効果】 ２次電子放出現象が１次電子と電磁波の両方
のエネルギー源からの供与により誘起されるため、少数
の１次電子源で多量且つ低エネルギーの２次電子をイオ
ンビーム或いは試料に供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン照射装置及びイオ
ン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法に
係り、特に材料の表層処理装置や材料の中にイオンを注
入するイオン注入装置に好適なイオン照射装置及びイオ
ン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法に
関する。
ン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法に
係り、特に材料の表層処理装置や材料の中にイオンを注
入するイオン注入装置に好適なイオン照射装置及びイオ
ン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、イオン照射装置は、イオン源か
らのイオンを、試料に照射することにより試料の物理
的、或は、化学的特性を変えられるため、材料を扱う広
い分野で用いられる装置である。例えば、ガラスやポリ
マーのような非金属材料の表層処理装置や半導体材料の
中にイオンを注入するイオン注入装置などがある。
らのイオンを、試料に照射することにより試料の物理
的、或は、化学的特性を変えられるため、材料を扱う広
い分野で用いられる装置である。例えば、ガラスやポリ
マーのような非金属材料の表層処理装置や半導体材料の
中にイオンを注入するイオン注入装置などがある。
【０００３】このイオン照射装置は、電荷を持つイオン
を試料に照射する装置であるため、イオン照射部の導電
性が低い（絶縁性が高い）場合には、イオン照射部分に
帯電現象が起こる。また、イオン照射に伴う２次電子放
出現象によっても試料に帯電現象が起こる。この帯電現
象は、試料特性に、望ましくない効果をもたらすことが
ある。例えば、大規模集積回路製造過程においては、導
電性の高い部分と低い部分の両方が混在する試料に、イ
オンを照射して、ある部分に、イオンを注入する過程が
あるが、導電性の低い部分に帯電現象が生じ、大規模集
積回路の設計上の望ましい物理特性を示さなくなる問題
が生ずることがある。
を試料に照射する装置であるため、イオン照射部の導電
性が低い（絶縁性が高い）場合には、イオン照射部分に
帯電現象が起こる。また、イオン照射に伴う２次電子放
出現象によっても試料に帯電現象が起こる。この帯電現
象は、試料特性に、望ましくない効果をもたらすことが
ある。例えば、大規模集積回路製造過程においては、導
電性の高い部分と低い部分の両方が混在する試料に、イ
オンを照射して、ある部分に、イオンを注入する過程が
あるが、導電性の低い部分に帯電現象が生じ、大規模集
積回路の設計上の望ましい物理特性を示さなくなる問題
が生ずることがある。
【０００４】この帯電現象の防止を考慮したイオン照射
装置の例としては、図５に、示すようなイオン照射装置
がある。
装置の例としては、図５に、示すようなイオン照射装置
がある。
【０００５】この装置は、イオン源７からイオン８を、
試料５に照射するイオン照射装置である。試料５の帯電
を防止するために、１次電子源１からの１次電子４を２
次電子放出部３に照射し、発生した２次電子６を、イオ
ンビーム９、或は、試料５に供給する帯電防止装置を具
備するイオン照射装置である。
試料５に照射するイオン照射装置である。試料５の帯電
を防止するために、１次電子源１からの１次電子４を２
次電子放出部３に照射し、発生した２次電子６を、イオ
ンビーム９、或は、試料５に供給する帯電防止装置を具
備するイオン照射装置である。
【０００６】なお、この種の装置の関連する公知例とし
て以下の例が挙げられる。特開昭６３−２５７１７５号
公報、特開昭６３−１２６１４７号公報、特開昭６４−
１０５６３号公報、特開昭６１−４７０４８号公報、特
開平３−１１５４１号公報。
て以下の例が挙げられる。特開昭６３−２５７１７５号
公報、特開昭６３−１２６１４７号公報、特開昭６４−
１０５６３号公報、特開昭６１−４７０４８号公報、特
開平３−１１５４１号公報。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置では、以下
の２つ問題点を有している。
の２つ問題点を有している。
【０００８】（１）一般に、材料の処理速度を向上させ
るために、大電流イオン照射装置が、産業上要求される
が、これに伴って、中和する２次電子も大電流である必
要がある。また、２次電子照射量は、１次電子照射量と
正の相関を持つので、従来の装置では、帯電した試料を
中和するのに十分な２次電子放出量を得るために、多数
の１次電子源が必要になる恐れがあり、装置構成を複雑
にするという問題が生ずることになる。
るために、大電流イオン照射装置が、産業上要求される
が、これに伴って、中和する２次電子も大電流である必
要がある。また、２次電子照射量は、１次電子照射量と
正の相関を持つので、従来の装置では、帯電した試料を
中和するのに十分な２次電子放出量を得るために、多数
の１次電子源が必要になる恐れがあり、装置構成を複雑
にするという問題が生ずることになる。
【０００９】（２）一般に、２次電子放出量を最大にす
るために、最適な１次電子エネルギーが存在することが
知られている。また、２次電子の中に、１次電子のエネ
ルギーに近いエネルギーの２次電子が含まれることが知
られている。このため、従来の装置では、比較的高いエ
ネルギーの２次電子が試料に照射されて、試料を破損す
る恐れがある。
るために、最適な１次電子エネルギーが存在することが
知られている。また、２次電子の中に、１次電子のエネ
ルギーに近いエネルギーの２次電子が含まれることが知
られている。このため、従来の装置では、比較的高いエ
ネルギーの２次電子が試料に照射されて、試料を破損す
る恐れがある。
【００１０】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めになされたもので、少数の１次電子源で、多量の、且
つ低いエネルギーの２次電子を、イオンビーム或いは試
料に供給するイオン照射装置及びイオン照射装置におけ
る帯電防止装置並びに帯電防止方法を提供することであ
る。
めになされたもので、少数の１次電子源で、多量の、且
つ低いエネルギーの２次電子を、イオンビーム或いは試
料に供給するイオン照射装置及びイオン照射装置におけ
る帯電防止装置並びに帯電防止方法を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、イオンビームを発生するイオン源と、１次
電子を発生する１次電子源とを備え、該１次電子の照射
により２次電子を発生する２次電子放出部を設けたイオ
ン照射装置において、前記２次電子放出部に対して電磁
波を照射する電磁波源を備えたことを特徴とするもので
ある。
に本発明は、イオンビームを発生するイオン源と、１次
電子を発生する１次電子源とを備え、該１次電子の照射
により２次電子を発生する２次電子放出部を設けたイオ
ン照射装置において、前記２次電子放出部に対して電磁
波を照射する電磁波源を備えたことを特徴とするもので
ある。
【００１２】また、イオンを発生するイオン源と、該イ
オン源からのイオンが照射される試料と、該試料に２次
電子を供給する２次電子放出部と、該２次電子放出部に
１次電子を照射する１次電子源とを備えてなるイオン照
射装置或いはイオン照射装置における帯電防止装置或い
は帯電防止方法において、前記２次電子放出部の前記１
次電子源からの１次電子が照射される位置に電磁波を照
射して２次電子を発生させ、この発生した２次電子を前
記試料に供給する電磁波源を備えたことを特徴とするも
のである。
オン源からのイオンが照射される試料と、該試料に２次
電子を供給する２次電子放出部と、該２次電子放出部に
１次電子を照射する１次電子源とを備えてなるイオン照
射装置或いはイオン照射装置における帯電防止装置或い
は帯電防止方法において、前記２次電子放出部の前記１
次電子源からの１次電子が照射される位置に電磁波を照
射して２次電子を発生させ、この発生した２次電子を前
記試料に供給する電磁波源を備えたことを特徴とするも
のである。
【００１３】また、イオンを発生するイオン源と、該イ
オン源からのイオンビームが照射される試料と、該イオ
ンビームに２次電子を供給する２次電子放出部と、該２
次電子放出部に１次電子を照射する１次電子源とを備え
てなるイオン照射装置或いはイオン照射装置における帯
電防止装置或いは帯電防止方法において、前記２次電子
放出部の前記１次電子源からの１次電子が照射される位
置に電磁波を照射して２次電子を発生させ、この発生し
た２次電子を前記イオンビームに供給する電磁波源を備
えたことを特徴とするものである。
オン源からのイオンビームが照射される試料と、該イオ
ンビームに２次電子を供給する２次電子放出部と、該２
次電子放出部に１次電子を照射する１次電子源とを備え
てなるイオン照射装置或いはイオン照射装置における帯
電防止装置或いは帯電防止方法において、前記２次電子
放出部の前記１次電子源からの１次電子が照射される位
置に電磁波を照射して２次電子を発生させ、この発生し
た２次電子を前記イオンビームに供給する電磁波源を備
えたことを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、次の作用がある。 （１）電磁波を照射しない従来の場合では、１次電子か
らのみ、２次電子放出部の原子の電子にエネルギーが供
給されて、２次電子放出が起こるが、上記構成のよう
に、２次電子放出部に電磁波を照射すると、１次電子の
みならず、電磁波からも２次電子放出部の原子の電子に
エネルギーが供給されるため、２次電子放出量が増大す
る。
らのみ、２次電子放出部の原子の電子にエネルギーが供
給されて、２次電子放出が起こるが、上記構成のよう
に、２次電子放出部に電磁波を照射すると、１次電子の
みならず、電磁波からも２次電子放出部の原子の電子に
エネルギーが供給されるため、２次電子放出量が増大す
る。
【００１５】（２）一般に、２次電子の中に含まれる比
較的高いエネルギーの２次電子は、１次電子と同程度の
エネルギーであることが知られている。このため、１次
電子のエネルギーを低くすれば、２次電子の中に比較的
高いエネルギーの２次電子が含まれないことになる。上
記構成の場合では、電磁波と１次電子との両方からのエ
ネルギーで２次電子を放出させることができるため、１
次電子のエネルギーを低くしても、必要な２次電子放出
量が得られるので、低いエネルギーの２次電子をイオン
ビーム或いは試料に供給することができる。
較的高いエネルギーの２次電子は、１次電子と同程度の
エネルギーであることが知られている。このため、１次
電子のエネルギーを低くすれば、２次電子の中に比較的
高いエネルギーの２次電子が含まれないことになる。上
記構成の場合では、電磁波と１次電子との両方からのエ
ネルギーで２次電子を放出させることができるため、１
次電子のエネルギーを低くしても、必要な２次電子放出
量が得られるので、低いエネルギーの２次電子をイオン
ビーム或いは試料に供給することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を、図面を
参照して説明する。尚、図中の符号は、従来の装置と同
一のものは同符号を使用する。
参照して説明する。尚、図中の符号は、従来の装置と同
一のものは同符号を使用する。
【００１７】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例のイオン照射装置の側面図である。図１に示すこの装
置は、イオンを発生させるイオン源７と、このイオン源
７からイオン８の集合体であるイオンビーム９を照射す
る試料５と、試料５の帯電を防止するために、試料５に
２次電子６を供給するための２次電子放出部３と、２次
電子放出部３に１次電子４を照射するための１次電子源
１と、２次電子放出部３の１次電子源１からの１次電子
４が照射される位置に電磁波１０を照射する電磁波源１
１とから概略構成されている。電磁波源１１を水銀ラン
プにより構成し、電磁波１０として、紫外線を用いてい
る。また、１次電子源１をフィラメントにより構成す
る。
例のイオン照射装置の側面図である。図１に示すこの装
置は、イオンを発生させるイオン源７と、このイオン源
７からイオン８の集合体であるイオンビーム９を照射す
る試料５と、試料５の帯電を防止するために、試料５に
２次電子６を供給するための２次電子放出部３と、２次
電子放出部３に１次電子４を照射するための１次電子源
１と、２次電子放出部３の１次電子源１からの１次電子
４が照射される位置に電磁波１０を照射する電磁波源１
１とから概略構成されている。電磁波源１１を水銀ラン
プにより構成し、電磁波１０として、紫外線を用いてい
る。また、１次電子源１をフィラメントにより構成す
る。
【００１８】通常、イオン源７からイオン８の集合体で
あるイオンビーム９を試料５に照射すると、帯電現象の
ために、試料５が劣化する場合がある。この試料５の劣
化は、試料５の導電性が低い場合に著しい。そこで、こ
の帯電防止のため、イオンビーム９、或いは、２次電子
６を供給するが、本実施例では、１次電子源１からの１
次電子４を２次電子放出部３に照射すると共に、２次電
子放出部３の１次電子４の照射される位置に電磁波１０
を照射することにより、低いエネルギーの２次電子６を
多量に、イオンビーム９、或いは、試料５に供給して試
料５の帯電防止を図るようにしている。
あるイオンビーム９を試料５に照射すると、帯電現象の
ために、試料５が劣化する場合がある。この試料５の劣
化は、試料５の導電性が低い場合に著しい。そこで、こ
の帯電防止のため、イオンビーム９、或いは、２次電子
６を供給するが、本実施例では、１次電子源１からの１
次電子４を２次電子放出部３に照射すると共に、２次電
子放出部３の１次電子４の照射される位置に電磁波１０
を照射することにより、低いエネルギーの２次電子６を
多量に、イオンビーム９、或いは、試料５に供給して試
料５の帯電防止を図るようにしている。
【００１９】従来の装置では、イオン照射量の大電流化
が要求されるなかで、電荷中和をするための十分な２次
電子量が得るために、多数の一次電子源１が必要になる
恐れがあり、装置構成を複雑にする問題が生ずることに
なる。或いは、２次電子６のなかに、比較的高いエネル
ギーの２次電子６が含まれて試料５が破損する恐れがあ
る。
が要求されるなかで、電荷中和をするための十分な２次
電子量が得るために、多数の一次電子源１が必要になる
恐れがあり、装置構成を複雑にする問題が生ずることに
なる。或いは、２次電子６のなかに、比較的高いエネル
ギーの２次電子６が含まれて試料５が破損する恐れがあ
る。
【００２０】こうした従来技術の問題点の解決に対し
て、この実施例では、２次電子放出部３の１次電子４が
照射される位置に、電磁波１０が照射されるため、２次
電子放出部３からの２次電子放出現象が、１次電子４と
電磁波１０の両方のエネルギー源からの供与により誘起
されるため、下記の作用効果を有する。
て、この実施例では、２次電子放出部３の１次電子４が
照射される位置に、電磁波１０が照射されるため、２次
電子放出部３からの２次電子放出現象が、１次電子４と
電磁波１０の両方のエネルギー源からの供与により誘起
されるため、下記の作用効果を有する。
【００２１】（１）少数の１次電子源１で、多量の２次
電子６を、イオンビーム９、或いは、試料５に供給でき
る。 （２）低いエネルギーの２次電子６を、イオンビーム
９、或いは、試料５に供給できる。
電子６を、イオンビーム９、或いは、試料５に供給でき
る。 （２）低いエネルギーの２次電子６を、イオンビーム
９、或いは、試料５に供給できる。
【００２２】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
を図２により説明する。図２は、本発明の第２の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図２に示す装置の概
略構成は、図１の実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、両者の相違点は、図２の装置では、加熱部１３
を具備していることである。加熱部１３は、２次電子放
出部３を加熱する部分である。
を図２により説明する。図２は、本発明の第２の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図２に示す装置の概
略構成は、図１の実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、両者の相違点は、図２の装置では、加熱部１３
を具備していることである。加熱部１３は、２次電子放
出部３を加熱する部分である。
【００２３】第２の実施例では、第１の実施例の効果に
加えて、以下の効果がある。 （１）２次電子放出部３が加熱部１３からの熱エネルギ
ーをも得ることもできるため、２次電子放出現象が、１
次電子４及び電磁波１０及び熱線の３つエネルギー供給
源から与えられるエネルギーにより２次電子放出現象が
起こるため、１次電子４のエネルギーを低下させても、
必要な２次電子放出量を得ることができる。
加えて、以下の効果がある。 （１）２次電子放出部３が加熱部１３からの熱エネルギ
ーをも得ることもできるため、２次電子放出現象が、１
次電子４及び電磁波１０及び熱線の３つエネルギー供給
源から与えられるエネルギーにより２次電子放出現象が
起こるため、１次電子４のエネルギーを低下させても、
必要な２次電子放出量を得ることができる。
【００２４】（２）２次電子放出部３が汚染されると２
次電子放出量が減少する恐れがあるが、２次電子放出部
３が加熱部により加熱されることにより、２次電子放出
部３の汚染部分が除去できるため、汚染により２次電子
放出量が減少するという問題を解決することができる。
次電子放出量が減少する恐れがあるが、２次電子放出部
３が加熱部により加熱されることにより、２次電子放出
部３の汚染部分が除去できるため、汚染により２次電子
放出量が減少するという問題を解決することができる。
【００２５】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
を図３により説明する。図３は、本発明の第３の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図３に示す装置の概
略構成は、図１の実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、その相違点は、図３の装置では駆動部１４が具
備されていることである。この駆動部１４は、２次電子
放出部３を移動可能にするものである。
を図３により説明する。図３は、本発明の第３の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図３に示す装置の概
略構成は、図１の実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、その相違点は、図３の装置では駆動部１４が具
備されていることである。この駆動部１４は、２次電子
放出部３を移動可能にするものである。
【００２６】第３の実施例では、第１の実施例の効果に
加えて、以下の効果がある。２次電子放出部３が汚染さ
れると２次電子放出量が減少してしまう恐れがあるが、
この２次電子放出部３の汚染は、一般に、イオンが試料
５に照射される時に、試料５の一部がイオンにより、弾
き飛ばされて、２次電子放出部３に付着しておこる。こ
の汚染による２次電子放出量の減少を防止するために、
２次電子放出部３を移動可能にすることにより、汚染し
ている部分を移動して、汚染していない部分に、１次電
子４を照射して２次電子６を放出させることにより、汚
染による２次電子放出量の減少のために、２次電子放出
部３を取り替えるメンテナンス周期を長くすることがで
きる。
加えて、以下の効果がある。２次電子放出部３が汚染さ
れると２次電子放出量が減少してしまう恐れがあるが、
この２次電子放出部３の汚染は、一般に、イオンが試料
５に照射される時に、試料５の一部がイオンにより、弾
き飛ばされて、２次電子放出部３に付着しておこる。こ
の汚染による２次電子放出量の減少を防止するために、
２次電子放出部３を移動可能にすることにより、汚染し
ている部分を移動して、汚染していない部分に、１次電
子４を照射して２次電子６を放出させることにより、汚
染による２次電子放出量の減少のために、２次電子放出
部３を取り替えるメンテナンス周期を長くすることがで
きる。
【００２７】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
を図４により説明する。図４は、本発明の第４の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図４に示す装置の概
略構成は、図１に実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、その相違点は、図４の装置では、１次電子源が
プラズマの電子源により構成される。ガスをガス管１５
からプラズマ室１７に供給し、また、マイクロ波を導波
管１６からプラズマ室１７に供給して、プラズマ室１７
でプラズマを形成する。このプラズマ中の電子を引き出
し電極１２により引き出し、１次電子４として２次電子
放出部３に照射する。
を図４により説明する。図４は、本発明の第４の実施例
のイオン照射装置の側面図である。図４に示す装置の概
略構成は、図１に実施例の装置の概略構成とほぼ同じで
あるが、その相違点は、図４の装置では、１次電子源が
プラズマの電子源により構成される。ガスをガス管１５
からプラズマ室１７に供給し、また、マイクロ波を導波
管１６からプラズマ室１７に供給して、プラズマ室１７
でプラズマを形成する。このプラズマ中の電子を引き出
し電極１２により引き出し、１次電子４として２次電子
放出部３に照射する。
【００２８】第４の実施例では、第１の実施例の効果に
加えて、以下の効果がある。フィラメントを用いる電子
源では、長時間通電によるフィラメントの断線のため、
フィラメントを取り替えるメンテナンスが必要になると
いう問題が生ずる。本実施例のように、プラズマを電子
源として用いると、フィラメントを用いないので、フィ
ラメントの断線によるメンテナンスが必要になるという
問題を解決することができる。
加えて、以下の効果がある。フィラメントを用いる電子
源では、長時間通電によるフィラメントの断線のため、
フィラメントを取り替えるメンテナンスが必要になると
いう問題が生ずる。本実施例のように、プラズマを電子
源として用いると、フィラメントを用いないので、フィ
ラメントの断線によるメンテナンスが必要になるという
問題を解決することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、２次電子放出部の１次
電子が照射される位置に、電磁波が照射されるため、２
次電子放出部からの２次電子放出現象が、１次電子と電
磁波の両方のエネルギー源からの供与により誘起される
ため、下記の効果を有する。
電子が照射される位置に、電磁波が照射されるため、２
次電子放出部からの２次電子放出現象が、１次電子と電
磁波の両方のエネルギー源からの供与により誘起される
ため、下記の効果を有する。
【００３０】（１）少数の１次電子源で、多量の２次電
子を、イオンビーム、或いは、試料に供給することがで
きる。 （２）低いエネルギーの２次電子を、イオンビーム、或
いは、試料に供給することができる。
子を、イオンビーム、或いは、試料に供給することがで
きる。 （２）低いエネルギーの２次電子を、イオンビーム、或
いは、試料に供給することができる。
【図１】本発明の第１の実施例のイオン照射装置の側面
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の実施例のイオン照射装置の側面
図である。
図である。
【図３】本発明の第３の実施例のイオン照射装置の側面
図である。
図である。
【図４】本発明の第４の実施例のイオン照射装置の側面
図である。
図である。
【図５】従来の帯電防止を考慮したイオン照射装置の側
面図である。
面図である。
１ １次電子源 ２ 試料保持台 ３ ２次電子放出部 ４ １次電子 ５ 試料 ６ ２次電子 ７ イオン源 ８ イオン ９ イオンビーム １０ 電磁波 １１ 電磁波発生源 １２ 引き出し電極 １３ 加熱部 １４ 駆動部 １５ ガス管 １６ 導波管 １７ プラズマ室
Claims (19)
- 【請求項１】 イオンビームを発生するイオン源と、１
次電子を発生する１次電子源とを備え、該１次電子の照
射により２次電子を発生する２次電子放出部を設けたイ
オン照射装置において、前記２次電子放出部に対して電
磁波を照射する電磁波源を備えたことを特徴とするイオ
ン照射装置。 - 【請求項２】 イオンを発生するイオン源と、該イオン
源からのイオンが照射される試料と、該試料に２次電子
を供給する２次電子放出部と、該２次電子放出部に１次
電子を照射する１次電子源とを備えてなるイオン照射装
置において、前記２次電子放出部の前記１次電子源から
の１次電子が照射される位置に電磁波を照射して２次電
子を発生させ、この発生した２次電子を前記試料に供給
する電磁波源を備えたことを特徴とするイオン照射装
置。 - 【請求項３】 イオンを発生するイオン源と、該イオン
源からのイオンビームが照射される試料と、該イオンビ
ームに２次電子を供給する２次電子放出部と、該２次電
子放出部に１次電子を照射する１次電子源とを備えてな
るイオン照射装置において、前記２次電子放出部の前記
１次電子源からの１次電子が照射される位置に電磁波を
照射して２次電子を発生させ、この発生した２次電子を
前記イオンビームに供給する電磁波源を備えたことを特
徴とするイオン照射装置。 - 【請求項４】 前記電磁波は、波長が紫外線領域である
請求項１、２又は３記載のイオン照射装置。 - 【請求項５】 前記２次電子放出部を加熱する加熱部を
具備した請求項１、２又は３記載のイオン照射装置。 - 【請求項６】 前記２次電子放出部を移動する駆動部を
具備した請求項１、２又は３記載のイオン照射装置。 - 【請求項７】 前記１次電子源は、プラズマが１次電子
源である請求項１、２又は３記載のイオン照射装置。 - 【請求項８】 イオンが照射される試料と、該試料に２
次電子を供給する２次電子放出部と、該２次電子放出部
に１次電子を照射する１次電子源とを備えてなるイオン
照射装置における帯電防止装置において、前記２次電子
放出部の前記１次電子源からの１次電子が照射される位
置に電磁波を照射して２次電子を発生させ、この発生し
た２次電子を前記試料に供給する電磁波源を備えたこと
を特徴とするイオン照射装置における帯電防止装置。 - 【請求項９】 イオンの集合体であるイオンビームが照
射される試料と、該イオンビームに２次電子を供給する
２次電子放出部と、該２次電子放出部に１次電子を照射
する１次電子源とを備えてなるイオン照射装置における
帯電防止装置において、前記２次電子放出部の前記１次
電子源からの１次電子が照射される位置に電磁波を照射
して２次電子を発生させ、この発生した２次電子を前記
イオンビームに供給する電磁波源を備えたことを特徴と
するイオン照射装置における帯電防止装置。 - 【請求項１０】 前記電磁波は、波長が紫外線領域であ
る請求項８又は９記載のイオン照射装置における帯電防
止装置。 - 【請求項１１】 前記２次電子放出部を加熱する加熱部
を具備した請求項８又は９記載のイオン照射装置におけ
る帯電防止装置。 - 【請求項１２】 前記２次電子放出部を移動する駆動部
を具備した請求項８又は９記載のイオン照射装置におけ
る帯電防止装置。 - 【請求項１３】 前記１次電子源は、プラズマが１次電
子源である請求項８又は９記載のイオン照射装置におけ
る帯電防止装置。 - 【請求項１４】 イオン照射による試料の帯電防止をす
るために、１次電子源からの１次電子を２次電子放出部
に照射し、発生した２次電子を試料に供給する帯電防止
方法において、前記２次電子放出部の前記１次電子源か
らの１次電子が照射される位置に電磁波を照射して、２
次電子を発生させ、これを前記試料に供給することを特
徴とするイオン照射装置における帯電防止方法。 - 【請求項１５】 イオンの集合体であるイオンビームの
照射による試料の帯電防止をするために、１次電子源か
らの１次電子を２次電子放出部に照射し、発生した２次
電子をイオンビームに供給するイオン照射装置における
帯電防止方法において、前記２次電子放出部の前記１次
電子源からの１次電子が照射される位置に電磁波を照射
して２次電子を発生させ、この発生した２次電子を前記
イオンビームに供給することを特徴とするイオン照射装
置における帯電防止方法。 - 【請求項１６】 前記電磁波は、波長が紫外線領域であ
る請求項１４又は１５記載のイオン照射装置における帯
電防止方法。 - 【請求項１７】 前記２次電子放出部を加熱する加熱部
を具備した請求項１４又は１５記載のイオン照射装置に
おける帯電防止方法。 - 【請求項１８】 前記２次電子放出部を移動する駆動部
を具備した請求項１４又は１５記載のイオン照射装置に
おける帯電防止方法。 - 【請求項１９】 前記１次電子源は、プラズマが１次電
子源である請求項１４又は１５記載のイオン照射装置に
おける帯電防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6032492A JPH05266856A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | イオン照射装置、及び、イオン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6032492A JPH05266856A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | イオン照射装置、及び、イオン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266856A true JPH05266856A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13138881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6032492A Pending JPH05266856A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | イオン照射装置、及び、イオン照射装置における帯電防止装置並びに帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266856A (ja) |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6032492A patent/JPH05266856A/ja active Pending
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