JPH05266521A - Optical information recording medium - Google Patents

Optical information recording medium

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Publication number
JPH05266521A
JPH05266521A JP6070092A JP6070092A JPH05266521A JP H05266521 A JPH05266521 A JP H05266521A JP 6070092 A JP6070092 A JP 6070092A JP 6070092 A JP6070092 A JP 6070092A JP H05266521 A JPH05266521 A JP H05266521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
recording
interference
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP6070092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Suzuki
幸一郎 鈴木
Katsunori Nomoto
克則 野本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP6070092A priority Critical patent/JPH05266521A/en
Publication of JPH05266521A publication Critical patent/JPH05266521A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance a recording sensitivity and carrier level and to improve stability with lapse of time by providing an interference layer, an optical recording layer and a reflection layer on a substrate and constituting the reflection layer of an Al alloy contg. Mn. CONSTITUTION:The interference layer, the optical recording layer and the reflection layer are provided on the substrate. The reflection layer is constituted of the Al contg. the Mn. The content of this Mn is >=1 atomic %, more preferably about 2 to 20 atomic %. Resins of an acrylic system, carbonate system and olefin system, aluminum, glass, etc., are used as the substrate. Amorphous magnetic alloys of rare earths and transition metals, such as PbTe, PbFeCO, TbCo and DyFeCo, perpendicularly magnetized films of polycrytals, such as MnBi and MnCuBi, etc. are used as the recording layer. The interference layer is constituted of metal oxides, metal nitrides, inorg. carbides, etc. Al2O3, Ta2O3, SiO2, etc., are used as the metal oxides constituting the interference layer, nitrides of Si, At, Ge, etc., are used as the metal nitrides, B4C, SiC, etc., are used as the inorg. carbides.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium.

【0002】[0002]

【発明の背景】高密度で書き替え可能な記録媒体として
光磁気記録媒体が盛んに研究・開発されている。この光
磁気記録媒体の記録層としては、現在の所、希土類−遷
移金属薄膜が最もポピュラーなものとして知られてい
る。そして、レーザー光の照射による記録・再生に際し
ての効率を高める為に、反射層を設けることが提案され
ている。尚、この方式のものは、カー効果とファラデー
効果との併用により高いC/Nが得られると言われてい
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION Magneto-optical recording media have been actively researched and developed as high density rewritable recording media. As the recording layer of this magneto-optical recording medium, at present, a rare earth-transition metal thin film is known as the most popular one. Further, it has been proposed to provide a reflective layer in order to increase the efficiency in recording / reproducing by irradiation with laser light. It is said that this system can obtain a high C / N ratio by using the Kerr effect and the Faraday effect together.

【0003】ところで、反射層としてはAlやTeを用
いることが提案(特開昭62−52744号公報)され
ている。しかしながら、Al製の反射層は、その高熱伝
導性の故に記録感度が大幅に低下する問題点が有り、
又、Te製の反射層は、記録感度は向上するものの、反
射率が低い為、充分に高いC/Nが得られない問題点が
有る。
By the way, it has been proposed to use Al or Te for the reflective layer (Japanese Patent Laid-Open No. 62-52744). However, the reflective layer made of Al has a problem that recording sensitivity is significantly lowered due to its high thermal conductivity,
Further, although the Te-made reflective layer has improved recording sensitivity, it has a problem that a sufficiently high C / N cannot be obtained because of its low reflectance.

【0004】[0004]

【発明の開示】本発明の目的は、記録感度が高く、キャ
リアレベルが高く、経時安定性に富んだ光情報記録媒体
を提供するこである。この本発明の目的は、基板上に干
渉層、光記録層及び反射層が設けられてなる光情報記録
媒体であって、前記反射層がMnを含有するAl合金で
構成されてなることを特徴とする光情報記録媒体によっ
て達成される。
DISCLOSURE OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical information recording medium having high recording sensitivity, high carrier level and excellent stability over time. An object of the present invention is an optical information recording medium in which an interference layer, an optical recording layer and a reflection layer are provided on a substrate, wherein the reflection layer is composed of an Al alloy containing Mn. And an optical information recording medium.

【0005】尚、反射層を構成するAl合金のMn含有
量は0.1原子%以上、より望ましくは約2〜20原子
%であることが好ましい。以下、本発明について詳述す
る。本発明の光情報記録媒体に用いられる基板として
は、アクリル系の樹脂、カーボネート系の樹脂、オレフ
ィン系の樹脂といったようなプラスチック、アルミニウ
ム等の金属、あるいはガラスといった種々の材料で構成
される。勿論、この他の材料を用いることも可能であ
り、これらに限られるものではない。そして、基板の厚
さとしては約1〜2mm程度のものが一般的である。
The Mn content of the Al alloy forming the reflective layer is preferably 0.1 atom% or more, more preferably about 2 to 20 atom%. Hereinafter, the present invention will be described in detail. The substrate used in the optical information recording medium of the present invention is made of various materials such as plastic such as acrylic resin, carbonate resin, and olefin resin, metal such as aluminum, or glass. Of course, other materials can be used, and the materials are not limited to these. The thickness of the substrate is generally about 1 to 2 mm.

【0006】本発明の光情報記録媒体に用いられる光記
録層としては、TbFe,TbFeCo,TbCo,D
yFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金や
MnBi,MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜などが
用いられる。勿論、これらに限られるものではないが、
希土類−遷移金属系の光磁気記録層であることが好まし
い。尚、このような光記録層の厚さとしては150〜1
000Å、より望ましくは約200〜500Åの程度で
ある。
Optical recording layers used in the optical information recording medium of the present invention include TbFe, TbFeCo, TbCo and D.
Amorphous magnetic alloys of rare earths and transition metals such as yFeCo and polycrystalline perpendicular magnetization films such as MnBi and MnCuBi are used. Of course, it is not limited to these,
It is preferably a rare earth-transition metal based magneto-optical recording layer. The thickness of such an optical recording layer is 150 to 1
000Å, more preferably about 200 to 500Å.

【0007】本発明においては、基板と光記録層との間
には干渉層が設けられる。この干渉層は、高屈折率の透
明膜による光の干渉効果を利用して反射率を落とすこと
によりノイズを低下させ、C/Nを向上させる為のもの
である。この干渉層の膜厚は、屈折率により最適の膜厚
が異なるけれども、400〜1500Å、望ましくは約
500〜1000Åであることが好ましい。干渉層は単
層膜でも多層膜でも良い。そして、干渉層は金属酸化
物、金属窒化物、無機炭化物などで構成される。
In the present invention, an interference layer is provided between the substrate and the optical recording layer. This interference layer is for reducing the noise by lowering the reflectance by utilizing the light interference effect of the transparent film having a high refractive index and improving the C / N. Although the optimum film thickness of the interference layer varies depending on the refractive index, it is preferably 400 to 1500Å, and more preferably about 500 to 1000Å. The interference layer may be a single layer film or a multilayer film. The interference layer is made of metal oxide, metal nitride, inorganic carbide, or the like.

【0008】干渉層を構成する金属酸化物としては、例
えばAl2 3 ,Ta2 3 ,SiO,SiO2 など、
あるいはこれらの混合物、又はAl−Ta−Oのような
複合酸化物などが挙げられる。さらには、これらの金属
酸化物に他の元素、例えばTi,Zr,W,Mo,Yb
などの酸化物が単独で、あるいはAlやTaと複合して
酸化物を形成していても良い。すなわち、これらの金属
酸化物は、緻密な構造を有しており、外部からの水分や
酸素の侵入を防止し、耐食性が高く、光磁気記録層との
反応性も小さく、そして基板として樹脂製のものが用い
られた場合には基板との密着性にも優れている。
Examples of the metal oxide forming the interference layer include Al 2 O 3 , Ta 2 O 3 , SiO, and SiO 2 .
Alternatively, a mixture thereof, a complex oxide such as Al-Ta-O, or the like can be given. Furthermore, other elements such as Ti, Zr, W, Mo and Yb can be added to these metal oxides.
These oxides may be used alone or in combination with Al or Ta to form an oxide. That is, these metal oxides have a dense structure, prevent moisture and oxygen from entering from the outside, have high corrosion resistance, have low reactivity with the magneto-optical recording layer, and are made of resin as a substrate. When one of these is used, it has excellent adhesion to the substrate.

【0009】金属窒化物としては、例えばSi,Al,
Geなどの金属の窒化物、あるいはこれらの二種以上の
複合窒化物、又はこれらとNb,Taとの複合窒化物
(例えば、SiNbN,SiTaN等)が挙げられる。
中でも、Siを含有する窒化物が好ましいものである。
そして、これらの金属窒化物は、緻密な構造を有してお
り、外部からの水分や酸素の侵入を防止し、耐食性が高
く、又、光磁気記録層との反応性も小さい。
Examples of metal nitrides include Si, Al,
A metal nitride such as Ge, a composite nitride of two or more kinds of these, or a composite nitride of these and Nb, Ta (for example, SiNbN, SiTaN, etc.) can be used.
Of these, a nitride containing Si is preferable.
These metal nitrides have a dense structure, prevent moisture and oxygen from entering from the outside, have high corrosion resistance, and have low reactivity with the magneto-optical recording layer.

【0010】無機炭化物としてはB4 C,SiCなどが
挙げられる。本発明にあっては、光磁気記録層などの記
録層上にはMnを含有するAl合金からなる反射層が設
けられる。このAl合金におけるMn含有量は0.1原
子%以上であることが好ましい。より好ましくは約2〜
20原子%である。尚、このAl合金中には他の元素、
例えばCuやMg、その他不可避不純物などが含まれて
いても良い。この反射層の膜厚は、100〜1000
Å、望ましくは約200〜600Åであることが好まし
い。すなわち、厚すぎると感度が低下し、薄すぎると反
射率が低下する。
Examples of the inorganic carbide include B 4 C and SiC. In the present invention, a reflective layer made of an Al alloy containing Mn is provided on a recording layer such as a magneto-optical recording layer. The Mn content in this Al alloy is preferably 0.1 atom% or more. More preferably about 2
It is 20 atomic%. Other elements in this Al alloy,
For example, Cu, Mg, and other unavoidable impurities may be contained. The thickness of this reflective layer is 100 to 1000.
Å, preferably about 200 to 600Å. That is, if it is too thick, the sensitivity is lowered, and if it is too thin, the reflectance is lowered.

【0011】基板上に順に設けられる干渉層、光記録層
及び反射層の形成手段としては、スパッタリング、イオ
ンプレーティング等のPVDやプラズマCVDなどのC
VDといった薄膜形成手段を用いることが出来る。PV
Dにて干渉層、光記録層や反射層を成膜するには、所定
の組成のターゲットを用い、電子ビーム蒸着やスパッタ
リングにより基板上に堆積させれば良い。膜の堆積速度
としては、0.1〜100Å/secの範囲内のものと
なるように制御されることが好ましい。
As the means for forming the interference layer, the optical recording layer and the reflection layer which are sequentially provided on the substrate, PVD such as sputtering and ion plating, and C such as plasma CVD are used.
A thin film forming means such as VD can be used. PV
To form the interference layer, the optical recording layer, and the reflective layer in D, a target having a predetermined composition may be used and deposited on the substrate by electron beam evaporation or sputtering. The deposition rate of the film is preferably controlled to be within the range of 0.1 to 100Å / sec.

【0012】以下、具体的な実施例を挙げて説明する。A specific example will be described below.

【0013】[0013]

【実施例】【Example】

〔実施例1〕ポリカーボネート基板をスパッタ装置内に
配置し、そして5×10-7torr以下に真空排気し、
この後ArとN2 との混合ガスを導入し、Siをターゲ
ットとした反応性スパッタリングを行い、ポリカーボネ
ート基板上にSi3 4 の干渉層を1000Å厚設け
た。
[Example 1] A polycarbonate substrate was placed in a sputtering apparatus and evacuated to 5 × 10 -7 torr or less,
After that, a mixed gas of Ar and N 2 was introduced, and reactive sputtering was performed with Si as a target to form a 1000 Å thick Si 3 N 4 interference layer on the polycarbonate substrate.

【0014】次いで、Arガス雰囲気下においてTbタ
ーゲットとFeCoターゲットとを用いた二元同時スパ
ッタリングにより200Å厚のTbFeCo光磁化膜を
設けた。この後、Mnチップを配置したAlターゲット
を用いてArガス雰囲気下でスパッタリングを行い、光
磁化膜の上に400Å厚のMn含有Al合金製の反射膜
を設けた。反射膜中におけるMn含有量の調整はMnチ
ップの数を変えることにより行った。
Then, a TbFeCo photomagnetization film having a thickness of 200 Å was formed by binary co-sputtering using a Tb target and a FeCo target in an Ar gas atmosphere. After that, sputtering was performed in an Ar gas atmosphere using an Al target on which a Mn chip was arranged, and a 400 Å thick Mn-containing Al alloy reflection film was provided on the photomagnetization film. The Mn content in the reflective film was adjusted by changing the number of Mn chips.

【0015】そして、スパッタ装置から取り出し、スピ
ンコート法により表面に紫外線硬化型の樹脂を4μm厚
塗布し、その後紫外線を照射し、硬化させて、光磁気デ
ィスクを得た。 〔比較例1〕実施例1において、反射膜を形成するに際
してMnチップを用いない外は同様に行い、光磁気ディ
スクを得た。
Then, the film was taken out from the sputtering apparatus, and an ultraviolet curable resin was applied to the surface by a spin coating method so as to have a thickness of 4 μm. [Comparative Example 1] A magneto-optical disk was obtained in the same manner as in Example 1, except that the Mn chip was not used in forming the reflective film.

【0016】〔特性〕上記各例の光磁気ディスクをPI
Nフォトダイオード差動検出器を持った動特性検出器に
より記録感度およびC/Nを測定したので、その結果を
図1に示す。尚、記録感度は二次歪みが最小のところの
記録パワー(最適記録パワー)とした。記録条件は;C
AV(定角速度)1800rpm、半径30mm位置、
溝上記録、記録周波数3.7MHz、duty33%で
ある。再生条件は;CAV1800rpm、再生パワー
1.0mVである。反射層の組成はプラズマ発光法によ
り分析した。
[Characteristics] The magneto-optical disk of each of the above-mentioned examples is PI
Recording sensitivity and C / N were measured by a dynamic characteristic detector having an N photodiode differential detector. The results are shown in FIG. The recording sensitivity was the recording power (optimum recording power) at which the secondary distortion was minimum. Recording conditions are: C
AV (constant angular velocity) 1800 rpm, radius 30 mm position,
On-groove recording, recording frequency 3.7 MHz, duty 33%. The reproduction conditions are; CAV 1800 rpm and reproduction power 1.0 mV. The composition of the reflective layer was analyzed by the plasma emission method.

【0017】これによれば、本発明になるものは、記録
感度が高く(最適記録パワーが小さい)、C/Nが高
く、再生特性が優れたものであることが判る。特に、M
n含有量が0.1at%以上、さらに望ましくは約2〜
20at%、より望ましくは約3〜18at%の範囲内
のAl合金である場合には、優れた特性が発揮されてい
る。
From this, it can be seen that the recording medium of the present invention has a high recording sensitivity (small optimum recording power), a high C / N, and excellent reproduction characteristics. In particular, M
The n content is 0.1 at% or more, more preferably about 2
Excellent properties are exhibited when the Al alloy is in the range of 20 at%, more preferably in the range of about 3 to 18 at%.

【0018】又、上記各例の光磁気ディスクを接着剤に
より貼り合わせ、温度80℃、湿度85%の条件下で1
000時間の加速試験を行い、その前後のバイトエラー
レートを測定したので、その結果を表1に示す。 表 1 Mn含有量 初期バイトエラーレート 試験後のバイトエラーレート (原子%) 実施例 0.1 3.18×10-5 4.07×10-5 0.9 3.21×10-5 3.28×10-5 1.8 1.39×10-5 1.37×10-5 2.4 1.72×10-5 1.71×10-5 3.6 6.56×10-6 8.12×10-6 7.0 8.06×10-6 7.98×10-6 15.6 1.62×10-5 1.41×10-5 18.3 1.01×10-5 1.01×10-5 21.2 3.18×10-5 3.21×10-5 比較例 0 2.75×10-5 5.45×10-5 これによれば、反射層をAl−Mn系合金で構成するこ
とによってエラーの増加を少なく出来ていることが判
る。
Further, the magneto-optical disks of the above-mentioned respective examples are adhered together by an adhesive agent, and the temperature is kept at 80 ° C. and the humidity is 85%.
The acceleration test was performed for 000 hours, and the byte error rates before and after the acceleration test were measured. The results are shown in Table 1. Table 1 Mn content Initial bite error rate Bite error rate after test (atomic%) Example 0.1 3.18 × 10 −5 4.07 × 10 −5 0.9 3.21 × 10 −5 3. 28 × 10 -5 1.8 1.39 × 10 -5 1.37 × 10 -5 2.4 1.72 × 10 -5 1.71 × 10 -5 3.6 6.56 × 10 -6 8 .12 × 10 -6 7.0 8.06 × 10 -6 7.98 × 10 -6 15.6 1.62 × 10 -5 1.41 × 10 -5 18.3 1.01 × 10 -5 1.01 × 10 −5 21.2 3.18 × 10 −5 3.21 × 10 −5 Comparative example 0 2.75 × 10 −5 5.45 × 10 −5 According to this, the reflective layer is made of Al. It can be seen that the increase in error can be suppressed by using the —Mn-based alloy.

【0019】又、記録・消去パワーを最適記録パワーと
同じにし、1000000回の繰り返し記録・消去を行
い、再度最適記録パワーとC/Nを測定したが、本発明
になるものは変化が認められなかった。
The recording / erasing power was made the same as the optimum recording power, the recording / erasing was repeated 1,000,000 times, and the optimum recording power and the C / N were measured again. There wasn't.

【0020】[0020]

【効果】記録感度が高く、キャリアレベルが高く、経時
安定性に富んでいる。
[Effect] High recording sensitivity, high carrier level, and excellent stability over time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】反射膜中のMn含有量と最適記録パワー及びC
/Nとの関係を示すグラフ
FIG. 1 Mn content in a reflective film and optimum recording power and C
Graph showing the relationship with / N

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に干渉層、光記録層及び反射層が
設けられてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が
Mnを含有するAl合金で構成されてなることを特徴と
する光情報記録媒体。
1. An optical information recording medium having an interference layer, an optical recording layer and a reflective layer provided on a substrate, wherein the reflective layer is made of an Al alloy containing Mn. Optical information recording medium.
【請求項2】 Al合金が0.1原子%以上のMnを含
有するものであることを特徴とする請求項1の光情報記
録媒体。
2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the Al alloy contains 0.1 atomic% or more of Mn.
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