JPH05264840A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPH05264840A JPH05264840A JP6222192A JP6222192A JPH05264840A JP H05264840 A JPH05264840 A JP H05264840A JP 6222192 A JP6222192 A JP 6222192A JP 6222192 A JP6222192 A JP 6222192A JP H05264840 A JPH05264840 A JP H05264840A
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- JP
- Japan
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- thin film
- single crystal
- optical waveguide
- refractive index
- substrate
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 波長変換素子、光スイッチ素子、光変調器等
に用いられる特性の優れた光導波路を提供することを目
的とする。 【構成】 単結晶の基板１上にこの単結晶と同じ結晶構
造をもつ単結晶からなる強誘電体薄膜２を形成し、薄膜
２中にこの薄膜２の屈折率より屈折率の低い低屈折率層
３を設けることにより、この強誘電体薄膜２のうち低屈
折率層３の上部に光導波路４を作成する。
に用いられる特性の優れた光導波路を提供することを目
的とする。 【構成】 単結晶の基板１上にこの単結晶と同じ結晶構
造をもつ単結晶からなる強誘電体薄膜２を形成し、薄膜
２中にこの薄膜２の屈折率より屈折率の低い低屈折率層
３を設けることにより、この強誘電体薄膜２のうち低屈
折率層３の上部に光導波路４を作成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク用光源装置、
光演算装置等の情報処理装置等において、波長変換素
子、光スイッチ素子、光変調器等に用いられる光導波路
に関するものである。
光演算装置等の情報処理装置等において、波長変換素
子、光スイッチ素子、光変調器等に用いられる光導波路
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体結晶は非線形光学効果や電気光
学効果をもつので、これを光導波路に用いた波長変換素
子、光スイッチ、光変調器等の光導波路素子の研究が活
発にされている。
学効果をもつので、これを光導波路に用いた波長変換素
子、光スイッチ、光変調器等の光導波路素子の研究が活
発にされている。
【０００３】そして、光導波路とはその周囲に比べて高
い屈折率の領域を構成することにより、この光導波路内
に光を閉じ込め伝搬するものであり、以下に従来の光導
波路を図を用いて説明する。
い屈折率の領域を構成することにより、この光導波路内
に光を閉じ込め伝搬するものであり、以下に従来の光導
波路を図を用いて説明する。
【０００４】図２（ａ）は従来の光導波路の断面図であ
り、図２（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ａ−Ａに沿う屈折
率を示す図である。
り、図２（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ａ−Ａに沿う屈折
率を示す図である。
【０００５】図２（ａ）中、１１は基板であり、この基
板１１上には強誘電体単結晶、例えばペロブスカイト構
造のＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜が形成され
て光導波路１４が作成されている。
板１１上には強誘電体単結晶、例えばペロブスカイト構
造のＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜が形成され
て光導波路１４が作成されている。
【０００６】前記基板１１としては、図２（ｂ）に示す
ような前記ＫＮｂＯ3単結晶よりも屈折率が小さく、そ
して前記光導波路１４内を伝搬する光導波に対して光吸
収が小さく、更にＫＮｂＯ3単結晶と良好な格子整合が
可能なスピネル型構造のＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3（１１０）面
カット基板、ＮａＣｌ型構造のＭｇＯ（１１０）面カッ
ト基板、三方晶系の水晶（１１−２０）面カット基板等
を用いることができる。
ような前記ＫＮｂＯ3単結晶よりも屈折率が小さく、そ
して前記光導波路１４内を伝搬する光導波に対して光吸
収が小さく、更にＫＮｂＯ3単結晶と良好な格子整合が
可能なスピネル型構造のＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3（１１０）面
カット基板、ＮａＣｌ型構造のＭｇＯ（１１０）面カッ
ト基板、三方晶系の水晶（１１−２０）面カット基板等
を用いることができる。
【０００７】斯る構造の光導波路では、前記基板を構成
する単結晶と光導波路とからなる薄膜を構成する単結晶
の格子整合は良好であるが、結晶構造が異なるため、前
記基板上に良質の単結晶からなる強誘電体体薄膜の形成
が困難であった。また薄膜が形成された場合においても
基板との界面付近には多くの欠陥が生じ、その結果、光
導波路を構成する強誘電体単結晶が本来もつ非線形光学
効果や電気光学効果が現れないといった問題があった。
する単結晶と光導波路とからなる薄膜を構成する単結晶
の格子整合は良好であるが、結晶構造が異なるため、前
記基板上に良質の単結晶からなる強誘電体体薄膜の形成
が困難であった。また薄膜が形成された場合においても
基板との界面付近には多くの欠陥が生じ、その結果、光
導波路を構成する強誘電体単結晶が本来もつ非線形光学
効果や電気光学効果が現れないといった問題があった。
【０００８】また、図３（ａ）は別の従来の光導波路の
断面図であり、図３（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ｂ−Ｂ
に沿う屈折率を示す図である。
断面図であり、図３（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ｂ−Ｂ
に沿う屈折率を示す図である。
【０００９】図３（ａ）中、２１は例えば良質のＫＮｂ
Ｏ3バルク単結晶から作成された基板である。この基板
２１中にはイオン注入法によりＨｅ+イオンが注入され
て、ＫＮｂＯ3単結晶の屈折率よりも低い屈折率をもつ
イオン注入層２３が形成されている。
Ｏ3バルク単結晶から作成された基板である。この基板
２１中にはイオン注入法によりＨｅ+イオンが注入され
て、ＫＮｂＯ3単結晶の屈折率よりも低い屈折率をもつ
イオン注入層２３が形成されている。
【００１０】従って、図３（ｂ）に示すような屈折率分
布をもつので、前記イオン注入層２３の上部が光導波路
２４となるのである。
布をもつので、前記イオン注入層２３の上部が光導波路
２４となるのである。
【００１１】斯る構造の光導波路では、光導波路が良質
のバルク単結晶から形成されるので、上述のような問題
が発生する惧れはないが、基板として用いることができ
る良質で大型のバルク単結晶を作成することが困難であ
り、光導波路素子が安価に製造できないといった問題が
あった。
のバルク単結晶から形成されるので、上述のような問題
が発生する惧れはないが、基板として用いることができ
る良質で大型のバルク単結晶を作成することが困難であ
り、光導波路素子が安価に製造できないといった問題が
あった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
を鑑み成されたものであり、優れた特性の光導波路を提
供することを目的とする。
を鑑み成されたものであり、優れた特性の光導波路を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路は、単
結晶基板上に該単結晶基板と同じ結晶構造をもつ強誘電
体の単結晶からなる強誘電体薄膜を積層し、該薄膜中に
その薄膜の屈折率より低い屈折率をもつ低屈折率層を設
けたことを特徴とする。
結晶基板上に該単結晶基板と同じ結晶構造をもつ強誘電
体の単結晶からなる強誘電体薄膜を積層し、該薄膜中に
その薄膜の屈折率より低い屈折率をもつ低屈折率層を設
けたことを特徴とする。
【００１４】特に、上記単結晶基板はペロブスカイト構
造を持ち、その基板上にＫＮｂＯ3単結晶またはＫＴＮ
単結晶からなる強誘電体薄膜を積層してなることを特徴
とする。
造を持ち、その基板上にＫＮｂＯ3単結晶またはＫＴＮ
単結晶からなる強誘電体薄膜を積層してなることを特徴
とする。
【００１５】又、上記単結晶基板はＬｉＮｂＯ3型構造
を持ち、その基板上にＬｉＮｂＯ3単結晶からなる強誘
電体薄膜を積層してなることを特徴とする。
を持ち、その基板上にＬｉＮｂＯ3単結晶からなる強誘
電体薄膜を積層してなることを特徴とする。
【００１６】
【作用】基板と強誘電体薄膜を同じ結晶構造の単結晶で
構成するので、光導波路を良質な強誘電体の単結晶で形
成できる。また、前記薄膜中に該薄膜の屈折率より小さ
い屈折率をもつ低屈折率層を設け、前記薄膜中のうち低
屈折率層の上部を光導波路とするので、前記基板と薄膜
との界面付近の結晶性等が悪い薄膜を用いることなく、
前記上部の良質な単結晶からなる薄膜のみを用いること
ができる。従って、非線形光学効果や電気光学効果の劣
化を防止できる。
構成するので、光導波路を良質な強誘電体の単結晶で形
成できる。また、前記薄膜中に該薄膜の屈折率より小さ
い屈折率をもつ低屈折率層を設け、前記薄膜中のうち低
屈折率層の上部を光導波路とするので、前記基板と薄膜
との界面付近の結晶性等が悪い薄膜を用いることなく、
前記上部の良質な単結晶からなる薄膜のみを用いること
ができる。従って、非線形光学効果や電気光学効果の劣
化を防止できる。
【００１７】また、光導波路を形成する基板として、屈
折率や光導波に対する光吸収の大きさに係わらず、強誘
電体薄膜と同じ結晶構造をもつ単結晶の基板から選択で
きるので、安価に製造することができる。
折率や光導波に対する光吸収の大きさに係わらず、強誘
電体薄膜と同じ結晶構造をもつ単結晶の基板から選択で
きるので、安価に製造することができる。
【００１８】
【実施例】本発明に係る一実施例について図１を参照し
つつ詳細に説明する。図１（ａ）は本実施例の光導波路
の断面図であり、図１（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ｘ−
Ｘに沿う屈折率を示す図である。
つつ詳細に説明する。図１（ａ）は本実施例の光導波路
の断面図であり、図１（ｂ）は同図（ａ）中の破線Ｘ−
Ｘに沿う屈折率を示す図である。
【００１９】図１（ａ）中、１はペロブスカイト構造を
もつＢａＴｉＯ3単結晶からなり、その（１０１）面で
カットされて作成された基板である。２はこの基板１の
（１０１）面上に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）に
よって形成された約５μｍ厚のペロブスカイト構造をも
つＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜で、前記基板
１の（１０１）面に垂直に該ＫＮｂＯ3単結晶がｃ軸配
向している。
もつＢａＴｉＯ3単結晶からなり、その（１０１）面で
カットされて作成された基板である。２はこの基板１の
（１０１）面上に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）に
よって形成された約５μｍ厚のペロブスカイト構造をも
つＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜で、前記基板
１の（１０１）面に垂直に該ＫＮｂＯ3単結晶がｃ軸配
向している。
【００２０】ここで、前記基板１のＢａＴｉＯ3単結晶
のａ軸方向、ｂ軸方向及びｃ軸方向の格子定数はそれぞ
れ３．９８９Å、３．９８９Å、４．０２９Åであり、
一方ＫＮｂＯ3単結晶のａ軸方向及びｂ軸方向の格子定
数はそれぞれ５．６９０Å及び３．９６９Åである。従
って、両者の格子不整合はＫＮｂＯ3単結晶のａ軸方向
に０．３５％（何故なら、対応するＢａＴｉＯ3の格子
間距離は（３．９８９2＋４．０２９2）1/2 ＝５．６７
０Åである）、ｂ軸方向に０．５０％程度となり、Ｂａ
ＴｉＯ3単結晶とＫＮｂＯ3単結晶は良好な格子整合が可
能である。
のａ軸方向、ｂ軸方向及びｃ軸方向の格子定数はそれぞ
れ３．９８９Å、３．９８９Å、４．０２９Åであり、
一方ＫＮｂＯ3単結晶のａ軸方向及びｂ軸方向の格子定
数はそれぞれ５．６９０Å及び３．９６９Åである。従
って、両者の格子不整合はＫＮｂＯ3単結晶のａ軸方向
に０．３５％（何故なら、対応するＢａＴｉＯ3の格子
間距離は（３．９８９2＋４．０２９2）1/2 ＝５．６７
０Åである）、ｂ軸方向に０．５０％程度となり、Ｂａ
ＴｉＯ3単結晶とＫＮｂＯ3単結晶は良好な格子整合が可
能である。
【００２１】前記強誘電体薄膜２中には、イオン注入法
によりＨｅ+イオンを注入して該薄膜２の屈折率よりも
小さい屈折率をもつイオン注入層が形成されている。こ
こで、イオン注入条件の一例は、前記Ｈｅ+イオンの強
誘電体薄膜２への入射角が該薄膜２表面の法線に対して
角度７°で、注入エネルギー１ＭｅＶ、ドーズ量１×１
０14〜１×１０15、望ましく５×１０14ｉｏｎｓ／ｃｍ
2である。
によりＨｅ+イオンを注入して該薄膜２の屈折率よりも
小さい屈折率をもつイオン注入層が形成されている。こ
こで、イオン注入条件の一例は、前記Ｈｅ+イオンの強
誘電体薄膜２への入射角が該薄膜２表面の法線に対して
角度７°で、注入エネルギー１ＭｅＶ、ドーズ量１×１
０14〜１×１０15、望ましく５×１０14ｉｏｎｓ／ｃｍ
2である。
【００２２】前記イオン注入層は、エネルギーをもつイ
オンが結晶中の原子と衝突して停止して形成されるの
で、結晶構造が乱れている。従って、結晶の屈折率に比
べて屈折率が小さい低屈折率層３となる。ここで、前記
低屈折率層３の屈折率（ｂ軸方向、即ち伝搬方向ａ軸に
垂直な強誘電体薄膜２の面内方向）は前記強誘電体薄膜
２に比べて、ドーズ量１×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2の場
合に約３％程度減少し、ドーズ量５×１０14ｉｏｎｓ／
ｃｍ2の場合に約１％程度減少する。 この結果、図１
（ｂ）に示すように、この強誘電体薄膜２のうち、前記
低屈折率層３の上部は該低屈折率層３に対して高い屈折
率をもつので、前記上部が光導波路４となるのである。
オンが結晶中の原子と衝突して停止して形成されるの
で、結晶構造が乱れている。従って、結晶の屈折率に比
べて屈折率が小さい低屈折率層３となる。ここで、前記
低屈折率層３の屈折率（ｂ軸方向、即ち伝搬方向ａ軸に
垂直な強誘電体薄膜２の面内方向）は前記強誘電体薄膜
２に比べて、ドーズ量１×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2の場
合に約３％程度減少し、ドーズ量５×１０14ｉｏｎｓ／
ｃｍ2の場合に約１％程度減少する。 この結果、図１
（ｂ）に示すように、この強誘電体薄膜２のうち、前記
低屈折率層３の上部は該低屈折率層３に対して高い屈折
率をもつので、前記上部が光導波路４となるのである。
【００２３】前記イオン注入を行う前の基板１上に形成
した強誘電体薄膜２のロッキングカーブを測定した。こ
の結果からＦＷＨＭ（半値全幅）は約８分であり、バル
ク結晶のＦＷＨＭ（約１０分）と略同等の結晶性が得ら
れていることが判った。
した強誘電体薄膜２のロッキングカーブを測定した。こ
の結果からＦＷＨＭ（半値全幅）は約８分であり、バル
ク結晶のＦＷＨＭ（約１０分）と略同等の結晶性が得ら
れていることが判った。
【００２４】また、斯る光導波路は実効膜厚が約２．１
μｍであり、マルチモード導波路であることを確認し
た。これらは、プリズム結合法を用いてＨｅ−Ｎｅレー
ザ装置から出力された波長６３３ｎｍの光を光導波路に
入射し、その結合入射角から得た。
μｍであり、マルチモード導波路であることを確認し
た。これらは、プリズム結合法を用いてＨｅ−Ｎｅレー
ザ装置から出力された波長６３３ｎｍの光を光導波路に
入射し、その結合入射角から得た。
【００２５】斯る光導波路は、ペロブスカイト構造のＫ
ＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜を同じ結晶構造を
もつＢａＴｉＯ3単結晶の基板上に形成するので、光導
波路が良質なＫＮｂＯ3単結晶で形成できる。また、前
記強誘電体薄膜中に該薄膜の屈折率より小さい屈折率を
もつ低屈折率層を設け、前記薄膜のうち低屈折率層の上
部を光導波路とするので、前記基板と薄膜の界面付近の
結晶性等が悪い強誘電体薄膜を用いることなく、前記上
部の良質なＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜のみ
を用いることができる。従って、非線形光学特性や電気
光学特性の劣化を防止できるので、波長変換素子、光ス
イッチ素子、光変調器等の光導波路素子として優れた特
性が得られる。
ＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜を同じ結晶構造を
もつＢａＴｉＯ3単結晶の基板上に形成するので、光導
波路が良質なＫＮｂＯ3単結晶で形成できる。また、前
記強誘電体薄膜中に該薄膜の屈折率より小さい屈折率を
もつ低屈折率層を設け、前記薄膜のうち低屈折率層の上
部を光導波路とするので、前記基板と薄膜の界面付近の
結晶性等が悪い強誘電体薄膜を用いることなく、前記上
部の良質なＫＮｂＯ3単結晶からなる強誘電体薄膜のみ
を用いることができる。従って、非線形光学特性や電気
光学特性の劣化を防止できるので、波長変換素子、光ス
イッチ素子、光変調器等の光導波路素子として優れた特
性が得られる。
【００２６】尚、上記実施例では、ＢａＴｉＯ3単結晶
基板の（１０１）面上にＫＮｂＯ3単結晶の薄膜を形成
しているが、前記ＢａＴｉＯ3単結晶の｛１０１｝面上
であればよく、また他のペロブスカイト構造をもつ単結
晶の基板を用いてもよい。特にＰｂＴｉＯ3単結晶基板
の｛１０１｝面上、ＳｒＴｉＯ3、ＫＴＮ（固溶体Ｋ
（ＴａxＮｂ1-x）Ｏ3：例えばｘ＝約０．６５付近）、
及びＫＴａＯ3の単結晶基板の｛１１０｝面上に形成す
ると格子整合が良好なので望ましい。
基板の（１０１）面上にＫＮｂＯ3単結晶の薄膜を形成
しているが、前記ＢａＴｉＯ3単結晶の｛１０１｝面上
であればよく、また他のペロブスカイト構造をもつ単結
晶の基板を用いてもよい。特にＰｂＴｉＯ3単結晶基板
の｛１０１｝面上、ＳｒＴｉＯ3、ＫＴＮ（固溶体Ｋ
（ＴａxＮｂ1-x）Ｏ3：例えばｘ＝約０．６５付近）、
及びＫＴａＯ3の単結晶基板の｛１１０｝面上に形成す
ると格子整合が良好なので望ましい。
【００２７】また、ペロブスカイト構造をもつ単結晶、
例えばＳｒＴｉＯ3単結晶の｛１００｝面上、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3単結晶基板の｛００１｝面上にペロブ
スカイト構造のＫＴＮ単結晶の薄膜を形成するようにし
てもよい。
例えばＳｒＴｉＯ3単結晶の｛１００｝面上、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3単結晶基板の｛００１｝面上にペロブ
スカイト構造のＫＴＮ単結晶の薄膜を形成するようにし
てもよい。
【００２８】更に、ＬｉＮｂＯ3と同じ結晶構造のＬｉ
ＴａＯ3単結晶基板の（０００１）面上にＬｉＮｂＯ3単
結晶からなる強誘電体薄膜を形成した後、該薄膜中にＨ
ｅ+イオンをイオン注入して低屈折率層を設けてもよ
い。
ＴａＯ3単結晶基板の（０００１）面上にＬｉＮｂＯ3単
結晶からなる強誘電体薄膜を形成した後、該薄膜中にＨ
ｅ+イオンをイオン注入して低屈折率層を設けてもよ
い。
【００２９】また、記実施例では基板平面上に光導波路
を形成したが、また基板平面上にリッジ形状の光導波路
を形成してもよく、適宜変更可能である。
を形成したが、また基板平面上にリッジ形状の光導波路
を形成してもよく、適宜変更可能である。
【００３０】また、上記実施例では強誘電体薄膜をＬＰ
Ｅ法で形成したが、スパッタリング法や化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ
法）等を用いて形成してもよい。
Ｅ法で形成したが、スパッタリング法や化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ
法）等を用いて形成してもよい。
【００３１】本発明の光導波路は、単結晶からなる強誘
電体薄膜を同じ結晶構造をもつ単結晶の基板上に形成す
るので、光導波路が良質な強誘電体単結晶が形成でき
る。また、前記強誘電体薄膜中に該薄膜の屈折率より小
さい屈折率をもつ低屈折率層を設け、前記薄膜のうち低
屈折率層の上部を光導波路とするので、光導波路とし
て、前記基板と薄膜の界面付近の結晶性等が悪い強誘電
体薄膜を用いることなく、前記上部の良質な単結晶から
なる強誘電体薄膜のみを用いることができる。従って、
非線形光学効果や電気光学効果の劣化を防止でき、バル
クの強誘電体結晶と略同等の特性が得られるので、優れ
た特性をもつ波長変換素子、光スイッチ素子、光変調器
等の光導波路素子が作成できる。
電体薄膜を同じ結晶構造をもつ単結晶の基板上に形成す
るので、光導波路が良質な強誘電体単結晶が形成でき
る。また、前記強誘電体薄膜中に該薄膜の屈折率より小
さい屈折率をもつ低屈折率層を設け、前記薄膜のうち低
屈折率層の上部を光導波路とするので、光導波路とし
て、前記基板と薄膜の界面付近の結晶性等が悪い強誘電
体薄膜を用いることなく、前記上部の良質な単結晶から
なる強誘電体薄膜のみを用いることができる。従って、
非線形光学効果や電気光学効果の劣化を防止でき、バル
クの強誘電体結晶と略同等の特性が得られるので、優れ
た特性をもつ波長変換素子、光スイッチ素子、光変調器
等の光導波路素子が作成できる。
【００３２】また、光導波路を形成する基板として、屈
折率や光導波に対する吸収に係わらず、強誘電体薄膜を
構成する単結晶と同じ結晶構造をもつ単結晶の基板を用
いることができるので、安価に製造することができる。
折率や光導波に対する吸収に係わらず、強誘電体薄膜を
構成する単結晶と同じ結晶構造をもつ単結晶の基板を用
いることができるので、安価に製造することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の光導波路は、基板と強誘電体薄
膜が同じ結晶構造の単結晶で構成されるので、光導波路
が良質な強誘電体の単結晶で形成できる。また、前記薄
膜中に該薄膜の屈折率より小さい屈折率をもつ低屈折率
層を設け、前記薄膜のうち該低屈折率層の上部を光導波
路とするので、前記基板と薄膜の界面付近の結晶性等が
悪い強誘電体薄膜を用いることなく、前記上部の良質な
強誘電体薄膜のみを用いることができる。従って、非線
形光学効果や電気光学効果の劣化を防止できるので、波
長変換素子、光スイッチ素子、光変調器等として優れた
特性が得られる。
膜が同じ結晶構造の単結晶で構成されるので、光導波路
が良質な強誘電体の単結晶で形成できる。また、前記薄
膜中に該薄膜の屈折率より小さい屈折率をもつ低屈折率
層を設け、前記薄膜のうち該低屈折率層の上部を光導波
路とするので、前記基板と薄膜の界面付近の結晶性等が
悪い強誘電体薄膜を用いることなく、前記上部の良質な
強誘電体薄膜のみを用いることができる。従って、非線
形光学効果や電気光学効果の劣化を防止できるので、波
長変換素子、光スイッチ素子、光変調器等として優れた
特性が得られる。
【図１】本発明の一実施例に係る光導波路の断面とその
断面に沿う屈折率を示す図である。
断面に沿う屈折率を示す図である。
【図２】従来例の光導波路の断面とその断面に沿う屈折
率を示す図である。
率を示す図である。
【図３】別の従来例の光導波路の断面とその断面に沿う
屈折率を示す図である。
屈折率を示す図である。
１ 基板 ２ 強誘電体薄膜 ３ 低屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野中 英幸 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 単結晶基板上に該単結晶基板と同じ結晶
構造をもつ強誘電体の単結晶からなる強誘電体薄膜を積
層し、該薄膜中にその薄膜の屈折率より低い屈折率をも
つ低屈折率層を設けたことを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】 上記単結晶基板はペロブスカイト構造を
持ち、その基板上にＫＮｂＯ3単結晶またはＫＴＮ単結
晶からなる強誘電体薄膜を積層してなることを特徴とす
る請求項１記載の光導波路。 - 【請求項３】 上記単結晶基板はＬｉＮｂＯ3型構造を
持ち、その基板上にＬｉＮｂＯ3単結晶からなる強誘電
体薄膜を積層してなることを特徴とする請求項１記載の
光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222192A JPH05264840A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222192A JPH05264840A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264840A true JPH05264840A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13193881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222192A Pending JPH05264840A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05264840A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035992A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | 光機能デバイス |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6222192A patent/JPH05264840A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035992A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | 光機能デバイス |
| US7389030B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-06-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
| JP5278986B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | 光変調器 |
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