JPH0525744U - Solid-state image sensor - Google Patents
Solid-state image sensorInfo
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- JPH0525744U JPH0525744U JP7356091U JP7356091U JPH0525744U JP H0525744 U JPH0525744 U JP H0525744U JP 7356091 U JP7356091 U JP 7356091U JP 7356091 U JP7356091 U JP 7356091U JP H0525744 U JPH0525744 U JP H0525744U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 垂直転送部から水平転送部への情報電荷の転
送不良を抑圧して転送効率の低下を防止する。
【構成】 水平転送部Ｈの転送電極は、くし型構造を成
す１対の転送電極１６ａ、１６ｂが向かい合わせに噛み
合わされて配置される。このうち、蓄積部Ｓ側に配置さ
れる転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側は、接続チャネル領域
１５上で垂直転送チャネル領域１４の端部まではみ出す
ように形成され、接続チャネル領域１５上を除いた部分
で垂直転送チャネル領域１４にはみ出すことなく形成さ
れる。この転送電極１６ａにより、垂直転送部１４の出
力側の中央部付近にポテンシャルが深く形成され、この
中央部に情報電荷が集められて水平転送チャネル領域１
１側に転送される。
(57) [Abstract] [Purpose] To prevent a transfer failure of information charges from the vertical transfer unit to the horizontal transfer unit and prevent a decrease in transfer efficiency. [Structure] The transfer electrodes of the horizontal transfer portion H are arranged such that a pair of transfer electrodes 16a and 16b having a comb-like structure are intermeshing with each other. Of these, the storage portion S side of the transfer electrode 16a arranged on the storage portion S side is formed so as to protrude to the end portion of the vertical transfer channel region 14 on the connection channel region 15, and the connection channel region 15 is excluded. It is formed without protruding to the vertical transfer channel region 14 at a portion. Due to the transfer electrodes 16a, a potential is deeply formed in the vicinity of the central portion on the output side of the vertical transfer portion 14, and information charges are collected in the central portion so that the horizontal transfer channel region 1 is formed.
It is transferred to 1 side.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、垂直転送用の複数のレジスタと水平転送用のレジスタとが結合され た固体撮像素子に関する。 The present invention relates to a solid-state image sensor in which a plurality of vertical transfer registers and a horizontal transfer register are combined.
【０００２】[0002]
ＣＣＤイメージセンサの如き固体撮像素子においては、撮像領域で得られる情 報電荷が複数の垂直レジスタで垂直方向に転送され、各垂直レジスタの出力が水 平レジスタの各ビットに並列に入力されて水平方向に転送出力される。各レジス タは、情報電荷の転送経路を成すチャネル領域上に複数の転送電極が配列され、 各転送電極に印加される多相のクロックパルスの作用により、チャネル領域内の 情報電荷がチャネル領域に沿って転送されるように構成される。 In a solid-state image sensor such as a CCD image sensor, the information charges obtained in the image pickup area are vertically transferred by a plurality of vertical registers, and the output of each vertical register is input in parallel to each bit of the horizontal register and then horizontally output. Direction is output. In each register, multiple transfer electrodes are arranged on the channel region that forms the transfer path of information charges, and the information charges in the channel regions are transferred to the channel regions by the action of the multiphase clock pulses applied to each transfer electrode. Configured to be transferred along.
【０００３】 図３は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の電極構造を示す模式図であ る。フレーム転送方式の固体撮像素子は、撮像部Ｉ、蓄積部Ｓ及び水平転送部Ｈ からなり、撮像部Ｉに発生する情報電荷が蓄積部Ｓに一旦転送蓄積された後、蓄 積部Ｓから１水平ライン毎に水平転送部Ｈを介して出力される。 撮像部Ｉは、複数のレジスタからなり、互いに平行な複数の下層側の転送電極 １とチャネル分離領域上で幅が狭くなる上層側の転送電極２とが互いに絶縁され た状態で配列されており、各転送電極１、２に４相の転送クロックφI1〜φI4が 供給される。また、蓄積部Ｓは、撮像部Ｉのレジスタに連続する複数のレジスタ からなり、撮像部Ｉと同様に２層の複数の転送電極３、４が平行に配列され、各 転送電極３、４に４相の転送クロックφS1〜φS4が供給される。そして、水平転 送部Ｈは、蓄積部Ｓのレジスタの各出力に各ビットが対応付けられた１つのレジ スタからなり、２層の複数の転送電極５、６が蓄積部Ｓの転送電極３、４に直交 して配列されている。転送電極５は、蓄積部Ｓから水平転送部Ｈへの情報電荷の 受け渡しのために１つおきにその端部が蓄積部Ｓの上層電極４と重なり合う位置 まで延在されている。また、転送電極５、６は、下層側と上層側と隣り合うもの どうしが接続され、これら一対の転送電極５、６に２層の水平転送クロックφH1 、φH2が印加される。FIG. 3 is a schematic diagram showing an electrode structure of a frame transfer type CCD solid-state imaging device. The frame transfer type solid-state image sensor is composed of an image pickup section I, a storage section S, and a horizontal transfer section H 1, and after the information charges generated in the image pickup section I are once transferred and stored in the storage section S, the storage section S 1 It is output via the horizontal transfer unit H for each horizontal line. The imaging unit I is composed of a plurality of registers, and a plurality of lower transfer electrodes 1 parallel to each other and upper transfer electrodes 2 having a narrow width on the channel separation region are arranged in an insulated state. , Four-phase transfer clocks φ I1 to φ I4 are supplied to the respective transfer electrodes 1 and 2. Further, the storage unit S is composed of a plurality of registers that are continuous with the registers of the image pickup unit I, and similarly to the image pickup unit I, a plurality of transfer electrodes 3 and 4 of two layers are arranged in parallel, and the transfer electrodes 3 and 4 are arranged in parallel. Four-phase transfer clocks φ S1 to φ S4 are supplied. The horizontal transfer unit H is composed of one register in which each bit is associated with each output of the register of the storage unit S, and the plurality of transfer electrodes 5 and 6 of the two layers are connected to the transfer electrode 3 of the storage unit S. 4 are arranged orthogonally to each other. The transfer electrodes 5 extend to the position where every other end of the transfer electrodes 5 overlaps with the upper layer electrode 4 of the storage unit S in order to transfer the information charges from the storage unit S to the horizontal transfer unit H. Further, the transfer electrodes 5 and 6 are connected adjacent to each other on the lower layer side and the upper layer side, and two layers of horizontal transfer clocks φ H1 and φ H2 are applied to the pair of transfer electrodes 5 and 6.
【０００４】 以上のような撮像素子の水平転送部Ｈは、２対の転送電極５、６によりレジス タの１ビットが構成されるため、蓄積部Ｓの１つの出力に対して４つの転送電極 ５、６が対応付けられる。従って、蓄積部Ｓのレジスタの配列間隔は、水平転送 部Ｈの転送電極５、６の幅により制限されることになる。しかしながら、水平転 送部Ｈの転送電極５、６は、水平転送部Ｈに沿って形成される２本の電力供給線 に接続されて水平転送クロックφH1、φH2が与えられるため、電力供給線と転送 電極５、６との接続部分の構造が複雑となり、転送電極５、６の幅を狭くするこ とが困難となる。In the horizontal transfer unit H of the image pickup device as described above, one bit of the register is composed of two pairs of transfer electrodes 5 and 6, and therefore one output of the storage unit S has four transfer electrodes. 5 and 6 are associated. Therefore, the arrangement interval of the registers of the storage section S is limited by the width of the transfer electrodes 5 and 6 of the horizontal transfer section H. However, since the transfer electrodes 5 and 6 of the horizontal transfer unit H are connected to the two power supply lines formed along the horizontal transfer unit H and are supplied with the horizontal transfer clocks φ H1 and φ H2 , The structure of the connecting portion between the line and the transfer electrodes 5 and 6 becomes complicated, and it becomes difficult to reduce the width of the transfer electrodes 5 and 6.
【０００５】 そこで、微細化に適した転送電極の構造を、本出願人は特願平１−６６５６２ 号に提案している。図３は、その構造を示す平面図である。 撮像素子の水平転送部Ｈは、厚い酸化膜等からなる分離領域１０により区画形 成される水平転送チャネル領域１１上に、複数の上層側の転送電極１２ａ、１２ ｂと下層側の転送電極１３ａ、１３ｂとが互い違いに配列されている。この転送 電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送チャネル領域１１の両側の分 離領域１０上まで交互に延在して形成され、その分離領域１０上で一体形成され てくし型構造を成している。即ち、ピッチの等しいくし状の電極が向かい合わせ に噛み合わされて転送電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂが形成される。これ ら転送電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送チャネル領域１１の両 側で転送電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂに重ねて形成される電力供給線（ 図示せず）に接続され、この電力供給線から水平転送クロックφH1、φH2を受け る。また、蓄積部Ｓの複数の垂直転送チャネル領域１４は、水平転送チャネル領 域１１に対してそれぞれ垂直配置され、垂直転送チャネル領域１４より幅の狭い 接続チャネル領域１５により水平転送チャネル領域１１と接続されている。そし て、転送電極１２ａは、垂直転送チャネル領域１４上にまで延在され、接続チャ ネル領域１５を覆うように形成される。以上のような電極構造によると、蓄積部 Ｓのレジスタの間隔を狭く設定する際に転送電極１２ａ、１２ｂの幅を縮小した としても、水平転送チャネル領域１１の両側での電力供給線との接続部分の構造 を縮小する必要がなくなり、水平転送部Ｈの転送電極１２、１３の幅を狭くして 撮像部Ｉ及び蓄積部Ｓの微細化に対応することが可能になる。Therefore, the applicant of the present invention has proposed a structure of a transfer electrode suitable for miniaturization in Japanese Patent Application No. 1-66562. FIG. 3 is a plan view showing the structure. The horizontal transfer section H of the image sensor includes a plurality of upper transfer electrodes 12a and 12b and a lower transfer electrode 13a on a horizontal transfer channel region 11 defined by a separation region 10 made of a thick oxide film or the like. , 13b are staggered. The transfer electrodes 12a, 12b, 13a, 13b are formed so as to extend alternately on the separation regions 10 on both sides of the horizontal transfer channel region 11, and are integrally formed on the separation regions 10 to form a comb structure. is doing. That is, the comb-shaped electrodes having the same pitch are engaged with each other to form the transfer electrodes 12a, 12b, 13a, 13b. These transfer electrodes 12a, 12b, 13a, 13b are connected to power supply lines (not shown) formed on both sides of the horizontal transfer channel region 11 so as to overlap the transfer electrodes 12a, 12b, 13a, 13b. Receives horizontal transfer clocks φ H1 and φ H2 from the power supply line. Further, the plurality of vertical transfer channel regions 14 of the storage section S are arranged vertically with respect to the horizontal transfer channel region 11, and are connected to the horizontal transfer channel region 11 by the connection channel region 15 which is narrower than the vertical transfer channel region 14. Has been done. Then, the transfer electrode 12 a is formed so as to extend onto the vertical transfer channel region 14 and cover the connection channel region 15. According to the electrode structure as described above, even if the width of the transfer electrodes 12a and 12b is reduced when the interval between the registers of the storage section S is set narrow, the connection with the power supply lines on both sides of the horizontal transfer channel region 11 is achieved. It is not necessary to reduce the structure of the portion, and the width of the transfer electrodes 12 and 13 of the horizontal transfer unit H can be reduced to cope with the miniaturization of the imaging unit I and the storage unit S.
【０００６】[0006]
接続チャネル領域１５を覆うようにして形成される転送電極１２ａは、垂直転 送チャネル領域１４上にまではみ出して形成されるため、接続チャネル領域１５ 内に深いポテンシャルを形成すると共に、垂直転送チャネル領域１４の端部にも 深いポテンシャルを形成する。このとき、狭チャネル効果により垂直転送チャネ ル領域１４内のポテンシャルが垂直転送チャネル領域１４内のポテンシャルより も深く形成されるため、垂直転送チャネル領域１４から接続チャネル領域１５の 段差部分で転送不良が生じ、情報電荷の一部が残留することになる。このように 蓄積部Ｓから水平転送部Ｈへの転送部分で転送不良が生じると、垂直方向に影響 を受けて再生画面上に縦縞として表れることになる。このような転送不良は、水 平転送部Ｈの転送電極１２ａの蓄積部Ｓ側の端部を垂直転送チャネル領域１４と 接続チャネル領域１５との段差部分に一致させて形成することにより解消できる が、それらを完全に一致させることは、製造時のマスクずれ等を考慮すると不可 能である。 Since the transfer electrode 12a formed so as to cover the connection channel region 15 is formed so as to extend beyond the vertical transfer channel region 14, a deep potential is formed in the connection channel region 15 and the vertical transfer channel region is formed. A deep potential is also formed at the end of 14. At this time, since the potential in the vertical transfer channel region 14 is formed deeper than the potential in the vertical transfer channel region 14 due to the narrow channel effect, transfer failure occurs in the step portion from the vertical transfer channel region 14 to the connection channel region 15. Then, a part of the information charge remains. When a transfer failure occurs in the transfer portion from the storage unit S to the horizontal transfer unit H in this way, it is affected in the vertical direction and appears as vertical stripes on the reproduction screen. Such a transfer failure can be resolved by forming the end of the transfer electrode 12a of the horizontal transfer part H on the side of the storage part S so as to coincide with the step portion between the vertical transfer channel region 14 and the connection channel region 15. However, it is impossible to make them completely the same in consideration of the mask shift at the time of manufacturing.
【０００７】 そこで本考案は、各チャネル領域と転送電極との位置関係のずれを考慮した上 で、垂直転送部から水平転送部への情報電荷の転送不良を防止するようにするこ とを目的とする。Therefore, the present invention is intended to prevent the transfer failure of the information charge from the vertical transfer portion to the horizontal transfer portion in consideration of the shift of the positional relationship between each channel region and the transfer electrode. And
【０００８】[0008]
本考案は、上述の課題を解決するために成されたもので、その特徴とするとこ ころは、平行に配列された複数の垂直チャネル領域上に複数の転送電極が形成さ れる垂直転送部と、この垂直転送部の出力側に隣接する水平チャネル領域上に複 数の転送電極が形成され、上記転送部の各出力が並列に入力される水平転送部と 、上記垂直チャネル領域と上記水平チャネル領域とを接続する上記垂直チャネル 領域より狭い幅の接続チャネル領域と、を備えた固体撮像素子において、上記水 平転送部の転送電極は、上記垂直転送部と上記水平転送部との間の領域上でで一 体化されたくし型構造を成し、その一体化部分は、上記接続チャネル領域上で上 記垂直チャネル領域の端部上まで延在することにある。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is characterized in that a vertical transfer portion in which a plurality of transfer electrodes are formed on a plurality of vertical channel regions arranged in parallel is provided. , A plurality of transfer electrodes are formed on a horizontal channel region adjacent to the output side of the vertical transfer unit, and each output of the transfer unit is input in parallel, the vertical channel region and the horizontal channel In the solid-state imaging device having a connection channel region having a width narrower than that of the vertical channel region for connecting to a region, the transfer electrode of the horizontal transfer unit is a region between the vertical transfer unit and the horizontal transfer unit. It forms a comb-shaped structure integrated above, the integral part of which extends over the end of the vertical channel region above the connection channel region.
【０００９】[0009]
本考案によれば、水平転送部の転送電極を接続チャネル領域上で垂直チャネル 領域上まで延在させることで、垂直チャネル領域内の中央部付近にのみポテンシ ャルが深く形成されるため、垂直チャネル領域の出力側で情報電荷が接続チャネ ル領域の入力側に集められる。従って、垂直チャネル領域内から接続チャネル領 域内に効率よく情報電荷が転送される。 According to the present invention, by extending the transfer electrode of the horizontal transfer unit over the connection channel region and up to the vertical channel region, the potential is deeply formed only near the central portion in the vertical channel region, so that the vertical At the output of the channel region, the information charge is collected at the input of the connection channel region. Therefore, the information charges are efficiently transferred from the vertical channel region to the connection channel region.
【００１０】[0010]
図１は、本考案の固体撮像素子の水平転送部の構造を示す平面図である。この 図において、分離領域１０及び各チャネル領域１１、１４、１５は、図３と同一 構造を成し、同一部分に同一符号を付してある。 本考案の特徴とするところは、水平転送部Ｈの下層側の転送電極１６ａ、１６ ｂの蓄積部Ｓ側で接続チャネル領域１５に対応した凹凸を設けたことにある。即 ち、水平転送部Ｈの水平転送チャネル領域１１の蓄積部Ｓ側に配置される下層側 の転送電極１６ａは、接続チャネル領域１５上で蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領 域１４上まで延在するように設けられると共に、接続チャネル領域１５の両側の 分離領域１０上では、垂直転送チャネル領域１４上まで達することなく設けられ る。従って、垂直転送チャネル領域１４の出力側には、接続チャネル領域１５と の接続部分に対応する領域上にのみ転送電極１６ａが配置されることになる。 FIG. 1 is a plan view showing the structure of a horizontal transfer unit of a solid-state image sensor according to the present invention. In this figure, the separation region 10 and the respective channel regions 11, 14 and 15 have the same structure as in FIG. 3, and the same parts are designated by the same reference numerals. A feature of the present invention is that unevenness corresponding to the connection channel region 15 is provided on the storage portion S side of the transfer electrodes 16a and 16b on the lower layer side of the horizontal transfer portion H. That is, the transfer electrode 16a on the lower layer side, which is arranged on the storage portion S side of the horizontal transfer channel area 11 of the horizontal transfer portion H, extends on the connection channel area 15 to the vertical transfer channel area 14 of the storage portion S. In addition, it is provided on the isolation regions 10 on both sides of the connection channel region 15 without reaching the vertical transfer channel region 14. Therefore, on the output side of the vertical transfer channel region 14, the transfer electrode 16a is arranged only on the region corresponding to the connection portion with the connection channel region 15.
【００１１】 これらの転送電極１６ａ、１６ｂは、均等なピッチで配列された電送電極が一 方の側で一体化されたくし型構造を成し、これらが互いに向かい合わせに噛み合 わされて水平転送チャネル領域１１上に配置される。そして、転送電極１６ａ、 １６ｂと同様のくし型構造を成す上層側の転送電極１７ａ、１７ｂが転送電極１ ６ａ、１６ｂ上に互いに向かい合わせに配置される。以上の転送電極１６ａ、１ ６ｂ、１７ａ、１７ｂは、水平転送チャネル領域１１の両側の一体化部分で電力 供給線（図示せず）にそれぞれ接続され、蓄積部Ｓ側の転送電極１６ａ、１７ａ とその反対の側の転送電極１６ｂ、１７ｂとに２相の水平転送クロックφH1、φ H2 が印加される。これにより、垂直転送チャネル領域１４から水平転送チャネル 領域１１に流れる情報電荷は、水平転送クロックφH1、φH2に対応して転送電極 １６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂが形成するポテンシャルの作用によって水平転 送チャネル領域１１内を水平方向に転送される。The transfer electrodes 16a and 16b form a comb-like structure in which the transfer electrodes arranged at an equal pitch are integrated on one side, and the transfer electrodes 16a and 16b are engaged with each other face to face for horizontal transfer. It is arranged on the channel region 11. Then, upper transfer electrodes 17a and 17b having a comb-like structure similar to the transfer electrodes 16a and 16b are arranged on the transfer electrodes 16a and 16b so as to face each other. The above transfer electrodes 16a, 16b, 17a, 17b are connected to a power supply line (not shown) at the integrated portions on both sides of the horizontal transfer channel region 11, respectively, and are connected to the transfer electrodes 16a, 17a on the storage unit S side. Two-phase horizontal transfer clock φ is applied to the transfer electrodes 16b and 17b on the opposite side.H1, Φ H2 Is applied. As a result, the information charge flowing from the vertical transfer channel region 14 to the horizontal transfer channel region 11 becomes the horizontal transfer clock φ.H1, ΦH2In response to this, the potential of the transfer electrodes 16a, 16b, 17a, and 17b forms a horizontal transfer in the horizontal transfer channel region 11.
【００１２】 一方、蓄積部Ｓの転送電極１８、１９は、垂直転送チャネル領域１４と交差す る方向に延在し、転送電極１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂと同様の２層構造を 成している。下層側の転送電極１８は、互いに一定の間隔をおいて配置され、こ の下層側の転送電極１８の間に転送電極１８に一部とオーバーラップするように 上層側の転送電極１９が配置される。蓄積部Ｓの出力側においては、転送電極１ ９が水平転送部Ｈの転送電極１６ａの端部と重なり合うように配置される。そし て、垂直転送チャネル領域１４の情報電荷が接続チャネル領域１５を通して水平 転送チャネル領域１１に転送される際には、転送電極１６ａにより接続チャネル 領域１５及び水平転送チャネル領域１１内のポテンシャルを深く形成し、さらに 転送電極１９により垂直転送チャネル領域１４の出力側端部のポテンシャルを浅 く形成する。このとき、垂直転送チャネル領域１４の出力側には、接続チャネル 領域１５につながる中央部付近にのみ、転送電極１６ａによりポテンシャルが深 く形成されるため、垂直転送チャネル領域１４内の情報電荷が垂直転送チャネル 領域１４の出力側で接続チャネル領域１５の入力側に集められることになり、垂 直転送チャネル領域１４から接続チャネル領域１５へ効率良く情報電荷が転送さ れ、段差部分で転送不良が発生しにくくなる。On the other hand, the transfer electrodes 18 and 19 of the storage section S extend in a direction intersecting with the vertical transfer channel region 14, and form a two-layer structure similar to the transfer electrodes 16a, 16b, 17a and 17b. There is. The transfer electrodes 18 on the lower layer side are arranged at regular intervals, and the transfer electrodes 19 on the upper layer side are arranged between the transfer electrodes 18 on the lower layer side so as to partially overlap the transfer electrodes 18. It On the output side of the storage section S, the transfer electrode 19 is arranged so as to overlap the end of the transfer electrode 16a of the horizontal transfer section H. Then, when the information charges in the vertical transfer channel region 14 are transferred to the horizontal transfer channel region 11 through the connection channel region 15, the transfer electrodes 16a form deep potentials in the connection channel region 15 and the horizontal transfer channel region 11. Then, the potential at the output side end of the vertical transfer channel region 14 is formed shallow by the transfer electrode 19. At this time, on the output side of the vertical transfer channel region 14, the potential is deeply formed by the transfer electrode 16a only near the central portion connected to the connection channel region 15, so that the information charges in the vertical transfer channel region 14 are vertically generated. Since the output side of the transfer channel region 14 is collected at the input side of the connection channel region 15, the information charges are efficiently transferred from the vertical transfer channel region 14 to the connection channel region 15, and transfer failure occurs at the step portion. Hard to do.
【００１３】 また、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側に接続チャネル領域１５に対応する凹凸を 設けたことにより、分離領域１０と転送電極１６ａ、１６ｂとの位置関係に対す るマージンが大きくなる。即ち、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側へのずれに対して は、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側の凹部分が蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領域１ ４上にはみ出すまでは問題がなく、逆に蓄積部Ｓとは反対の側へのずれに対して は、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側の凸部分の下に分離領域１０がはみ出すまでは 問題がないため、転送電極１６ａの凹凸部分の段差分だけ分離領域１０に対する 転送電極１６ａの形成位置に余裕が生じる。従って、転送電極１６ａ、１６ｂの 形成の際に多少の位置ずれが生じても情報電荷の転送動作に影響が及びにくくな る。Further, since the unevenness corresponding to the connection channel region 15 is provided on the storage portion S side of the transfer electrode 16a, the margin for the positional relationship between the separation region 10 and the transfer electrodes 16a and 16b becomes large. That is, with respect to the shift of the transfer electrode 16a to the storage portion S side, there is no problem until the concave portion of the transfer electrode 16a on the storage portion S side protrudes above the vertical transfer channel region 14 of the storage portion S. With respect to the shift to the side opposite to the storage portion S, there is no problem until the separation region 10 protrudes below the convex portion on the storage portion S side of the transfer electrode 16a. There is a margin in the formation position of the transfer electrode 16a with respect to the isolation region 10 by the amount of the step. Therefore, even if a slight displacement occurs during the formation of the transfer electrodes 16a and 16b, the information charge transfer operation is less affected.
【００１４】[0014]
本考案によれば、垂直転送部から水平転送部への情報電荷の転送不良が抑圧さ れるため、転送不良による画質の劣化を防止することができる。また、素子製造 の際、転送電極の形成位置に余裕ができるため、マスクずれによる構造的な不良 を削減でき、製造歩留まりの向上が望める。 According to the present invention, since the defective transfer of the information charges from the vertical transfer unit to the horizontal transfer unit is suppressed, the deterioration of the image quality due to the defective transfer can be prevented. In addition, since there is a margin in the transfer electrode formation position during device manufacturing, structural defects due to mask misalignment can be reduced and manufacturing yield can be improved.
【図１】本考案の固体撮像素子の一部を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing a part of a solid-state image sensor according to the present invention.
【図２】従来の固体撮像素子の電極構造を示す模式図で
ある。FIG. 2 is a schematic diagram showing an electrode structure of a conventional solid-state image sensor.
【図３】従来の固体撮像素子の一部を示す平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view showing a part of a conventional solid-state image sensor.
１０ 分離領域 １１ 水平転送チャネル領域 １２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、１６ａ、１６ｂ 転
送電極 １４ 垂直転送チャネル領域 １５ 接続チャネル領域 Ｉ 撮像部 Ｓ 蓄積部 Ｈ 水平転送部10 Separation Area 11 Horizontal Transfer Channel Area 12a, 12b, 13a, 13b, 16a, 16b Transfer Electrode 14 Vertical Transfer Channel Area 15 Connection Channel Area I Imaging Section S Storage Section H Horizontal Transfer Section
Claims (2)
域上に複数の転送電極が形成される垂直転送部と、この
垂直転送部の出力側に隣接する水平チャネル領域上に複
数の転送電極が形成され、上記転送部の各出力が並列に
入力される水平転送部と、上記垂直チャネル領域と上記
水平チャネル領域とを接続する上記垂直チャネル領域よ
り狭い幅の接続チャネル領域と、を備えた固体撮像素子
において、上記水平転送部の転送電極は、上記垂直転送
部と上記水平転送部との間の領域上で一体化されたくし
型構造を成し、その一体化部分は、上記接続チャネル領
域上で上記垂直チャネル領域の端部上まで延在すること
を特徴とする固体撮像素子。1. A vertical transfer part having a plurality of transfer electrodes formed on a plurality of vertical channel regions arranged in parallel, and a plurality of transfer electrodes on a horizontal channel region adjacent to an output side of the vertical transfer part. A solid state, which is formed and has a horizontal transfer section to which the respective outputs of the transfer section are input in parallel, and a connection channel area that connects the vertical channel area and the horizontal channel area and has a width narrower than the vertical channel area. In the image pickup device, the transfer electrodes of the horizontal transfer unit form a comb-shaped structure integrated on a region between the vertical transfer unit and the horizontal transfer unit, and the integrated portion is on the connection channel region. And a solid-state imaging device characterized in that the solid-state imaging device extends up to the end of the vertical channel region.
に積層される２層構造を成し、下層側の転送電極の奇数
番目が上記垂直転送部と上記水平転送部との間の領域上
で一体化されることを特徴とする請求項１記載の固体撮
像素子。2. The transfer electrodes of the horizontal transfer section have a two-layer structure in which the transfer electrodes are alternately stacked, and the odd-numbered lower transfer electrodes are located above the area between the vertical transfer section and the horizontal transfer section. The solid-state image pickup device according to claim 1, wherein the solid-state image pickup device is integrated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U JP2583814Y2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U JP2583814Y2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Solid-state imaging device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525744U true JPH0525744U (en) | 1993-04-02 |
| JP2583814Y2 JP2583814Y2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=13521767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U Expired - Lifetime JP2583814Y2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Solid-state imaging device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583814Y2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083299A (en) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Nec Corp | Charge coupled semiconductor device |
| JPH0296730U (en) * | 1989-01-18 | 1990-08-01 | ||
| JP3006846U (en) * | 1994-07-18 | 1995-01-31 | ダイソー株式会社 | Vertical steel plate plating electrode |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP1991073560U patent/JP2583814Y2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083299A (en) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Nec Corp | Charge coupled semiconductor device |
| JPH0296730U (en) * | 1989-01-18 | 1990-08-01 | ||
| JP3006846U (en) * | 1994-07-18 | 1995-01-31 | ダイソー株式会社 | Vertical steel plate plating electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583814Y2 (en) | 1998-10-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |