JP3153910B2 - Charge transfer device - Google Patents

Charge transfer device

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JP3153910B2
JP3153910B2 JP10252090A JP10252090A JP3153910B2 JP 3153910 B2 JP3153910 B2 JP 3153910B2 JP 10252090 A JP10252090 A JP 10252090A JP 10252090 A JP10252090 A JP 10252090A JP 3153910 B2 JP3153910 B2 JP 3153910B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、互いに平行に設けられる複数のレジスタを
有する電荷転送装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a charge transfer device having a plurality of registers provided in parallel with each other.

〔発明の概要〕[Summary of the Invention]

本発明の電荷転送装置は、互いに平行に設けられた少
なくとも第1のレジスタと第2のレジスタの間で電荷転
送する電荷転送装置であって、レジスタ間の電荷転送を
行う転送電極が、互いに隣接して形成されているととも
に各レジスタ内の電荷転送を行う転送電極としても機能
し、電荷のレジスタ間転送を行うとき若しくはレジスト
内転送を行うとき、レジスタ間の電荷転送する方向に隣
接する転送電極と異なるパルスで駆動され、少なくとも
電荷を受け取る側の転送電極のポテンシャルを電荷を送
り出す側の転送電極のポテンシャルよりも深くすること
で、レジスタ間に転送用のレジスタやトランスファーゲ
ートを形成しないようにしたものである。
A charge transfer device according to the present invention is a charge transfer device that transfers charges between at least a first register and a second register provided in parallel with each other, wherein transfer electrodes that transfer charges between the registers are adjacent to each other. The transfer electrodes that are formed as well as function as transfer electrodes for transferring charges in each register, and are adjacent to each other in the direction in which charges are transferred between registers when transferring charges between registers or performing transfer within a resist. Driven by a pulse different from the above, at least the potential of the transfer electrode on the side that receives the charge is made deeper than the potential of the transfer electrode on the side that sends out the charge, so that no transfer register or transfer gate is formed between the registers. Things.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、CCD等の電荷転送装置は、そのチップ上にレ
ジスタと呼ばれる電荷の転送のための領域を有してい
る。その電荷転送装置のレジスタには、ポテンシャルの
制御のための転送電極が並べて形成され、その転送電極
の下部に電荷の転送路となるチャンネル領域が形成され
ている。ここに、CCD固体撮像装置は、このような電荷
転送の機能に光電変換を行うためのセンサーを付加され
て構成されている。カラー固体撮像装置では、異なる色
透過型のフィルターが形成され、各色に対応して各セン
サーが設けられている。
Generally, a charge transfer device such as a CCD has an area for transferring charges called a register on a chip thereof. In the register of the charge transfer device, transfer electrodes for controlling potentials are formed side by side, and a channel region serving as a charge transfer path is formed below the transfer electrodes. Here, the CCD solid-state imaging device is configured by adding a sensor for performing photoelectric conversion to such a charge transfer function. In the color solid-state imaging device, different color transmission type filters are formed, and each sensor is provided corresponding to each color.

例えばカラーリニアセンサーでは、一列或いは複数列
のセンサー部が形成され、各色毎に信号が出力される。
各色に対応したセンサーを順に一列に配する装置では、
そのセンサー列と平行にレジスタが設けられている。そ
して、そのレジスタに対して各色の信号がセンサー部か
ら一括して転送され、出力順に色信号が振り分けられて
読み出しが行われる。また、複数列のセンサー部が形成
される装置では、センサー列毎にレジスタが設けられ、
各レジスタで各色信号が出力される。
For example, in a color linear sensor, one or a plurality of rows of sensor units are formed, and a signal is output for each color.
In a device that arranges sensors corresponding to each color in a line in order,
A register is provided in parallel with the sensor row. Then, signals of the respective colors are collectively transferred from the sensor unit to the register, and the color signals are sorted and read out in the order of output. Further, in an apparatus in which a plurality of rows of sensor units are formed, a register is provided for each sensor row,
Each register outputs each color signal.

ところで、電荷転送装置のレジスタの数は1つに限ら
ず、複数個設けられる場合がある。例えば、複数個のレ
ジスタが平行に並べて形成される場合、レジスタ間の転
送が必要になる。
Incidentally, the number of registers of the charge transfer device is not limited to one, and a plurality of registers may be provided. For example, when a plurality of registers are formed in parallel, transfer between the registers is required.

第8図は、従来の電荷転送装置のレジスタ間の領域の
拡大図である。図8中H方向に沿って第1層目のポリシ
リコン層81が形成されている。この第1層目のポリシリ
コン層81は、レジスタ間の転送ゲートとして機能する。
第2層目のポリシリコン層82と第3層目のポリシリコン
層83は、図中H方向において、互いに所定のピッチで交
互に形成されている。これら第2層目と第3層目のポリ
シリコン層82,83の各パターンは、第1層目のポリシリ
コン層81上で曲折されながらもV方向に延在され、第2
層目と第3層目のポリシリコン層82,83は、共通して第
1のレジスタ84、第2のレジスタ85の2相駆動される転
送電極として機能する。V方向の電荷の転送すなわちレ
ジスタ間の電荷の転送を行う場合、第1層目のポリシリ
コン層81にパルスが供給され、第1のレジスタ84の電荷
が一度第1層目のポリシリコン層81の下部に蓄えられ
る。この後、第1層目のポリシリコン層81に蓄えられた
電荷は第2のレジスタ82に転送される。
FIG. 8 is an enlarged view of a region between registers of the conventional charge transfer device. A first polysilicon layer 81 is formed along the H direction in FIG. This first polysilicon layer 81 functions as a transfer gate between registers.
The second polysilicon layer 82 and the third polysilicon layer 83 are alternately formed at a predetermined pitch in the H direction in the drawing. The respective patterns of the second and third polysilicon layers 82 and 83 extend in the V direction while being bent on the first polysilicon layer 81,
The polysilicon layers 82 and 83 of the third and third layers commonly function as two-phase driven transfer electrodes of the first register 84 and the second register 85. When transferring charges in the V direction, that is, transferring charges between registers, a pulse is supplied to the first polysilicon layer 81, and the charges in the first register 84 are once stored in the first polysilicon layer 81. Is stored at the bottom of Thereafter, the charges stored in the first polysilicon layer 81 are transferred to the second register 82.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところが、カラーリニアセンサーにおいて、各色に対
応したセンサーを順に一列に配する装置では、レジスタ
へ読み出した後、そのレジスタでの転送劣化が画像上で
は混色となる。また、複数列のセンサー列に対応して複
数列のレジスタを形成する装置では、各センサー列の位
置が自ずと異なるために、信号処理が負担となる。
However, in a color linear sensor, in a device in which sensors corresponding to each color are sequentially arranged in a line, after reading out to a register, transfer deterioration in the register becomes a mixed color on an image. Further, in an apparatus that forms a plurality of registers in correspondence with a plurality of sensor rows, signal processing is burdensome because the positions of the sensor rows are naturally different.

また、第8図のように、複数のレジスタを形成して、
レジスタ間の転送を行うものでは、第1層目のポリシリ
コン層81をH方向に沿って長いパターンで形成する必要
があり、リニアセンサー等のH方向に長い寸法を有する
ものでは、その抵抗値が増大する。また、H方向の電荷
の転送を2相駆動で行う場合、一度第1層目のポリシリ
コン層81の下部に電荷を蓄える必要があり、その転送効
率が劣化する。
Also, as shown in FIG. 8, a plurality of registers are formed,
To transfer data between registers, it is necessary to form the first polysilicon layer 81 in a long pattern along the H direction. Increase. Further, in the case of performing the transfer of the charges in the H direction by two-phase driving, it is necessary to temporarily store the charges below the first polysilicon layer 81, and the transfer efficiency is deteriorated.

そこで、本発明は、電荷の転送効率の改善を図るとと
もに、混色等を防止することができる電荷転送装置を提
供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a charge transfer device capable of improving charge transfer efficiency and preventing color mixing or the like.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明に係る電荷転送装置は、上述した課題を解決す
べく、互いに平行に設けられた少なくとも第1のレジス
タと第2のレジスタの間で電荷を転送する電荷転送装置
であって、レジスタ間の電荷転送を行う転送電極は、互
いに隣接して形成されているとともに各レジスタ内の電
荷転送を行う転送電極としても機能し、レジスタ内転送
を行うとき、隣接する転送電極を同時にレベル変化した
り同時に電荷の蓄積レベルになることのない異なるパル
ス信号で駆動し、電荷のレジスタ間転送を行うとき、少
なくとも電荷を受け取る側の転送電極のポテンシャルを
電荷を送り出す側の転送電極のポテンシャルよりも深く
するものである。
A charge transfer device according to the present invention is a charge transfer device that transfers charges between at least a first register and a second register provided in parallel with each other, in order to solve the above-described problem. The transfer electrodes that perform charge transfer are formed adjacent to each other and also function as transfer electrodes that perform charge transfer in each register.When performing in-register transfer, adjacent transfer electrodes change levels or simultaneously. When the charge is transferred between registers by driving with different pulse signals that do not reach the charge accumulation level, at least the potential of the transfer electrode on the charge receiving side is made deeper than the potential of the transfer electrode on the charge sending side. It is.

すなわち、各レジスタ間のレジスタ間転送を行う各レ
ジスタの転送電極は、電荷のレジスタ間転送を行うと
き、レジスタ間の電荷転送する方向に隣接する転送電極
が異なるパルスで駆動され、少なくとも電荷を受け取る
側の転送電極のポテンシャルが電荷を送り出す側の転送
電極のポテンシャルよりも深くなる。
In other words, the transfer electrodes of the registers that perform inter-register transfer between the registers are configured such that when transferring charges between the registers, the transfer electrodes that are adjacent to each other in the direction in which the charges are transferred between the registers are driven by different pulses and receive at least the charges. The potential of the transfer electrode on the side becomes deeper than the potential of the transfer electrode on the side that sends out electric charges.

例えば、レジスタ内での転送が第1及び第2のレジス
タの双方で行われるとき、互いに他のレジスタの転送電
極に隣接される転送電極の一方が蓄積状態になる場合、
他方の転送電極は、その蓄積状態及びその前後のクロッ
クに亘って非蓄積状態となるように駆動される。
For example, when transfer in a register is performed in both the first and second registers, when one of the transfer electrodes adjacent to the transfer electrode of another register is in an accumulation state,
The other transfer electrode is driven so as to be in the non-accumulation state over the accumulation state and the clocks before and after the accumulation state.

なお、この電荷転送装置においては、レジスタの数は
2つに限定されず3つ或いはそれ以上であっても良い。
In this charge transfer device, the number of registers is not limited to two, but may be three or more.

また、本発明に係る電荷転送装置は、上述した課題を
解決すべく、それぞれ異なる色透過型のフィルターが形
成され且つそのフィルターを介してそれぞれ異なる光を
受光する第1のセンサー、第2のセンサー及び第3のセ
ンサーが一列に並べられたセンサー列と、複数の第1の
センサーに対応した第1のレジスタと、複数の第2のセ
ンサーに対応した第2のレジスタと、複数の第3のセン
サーに対応した第3のレジスタとを備える。そして、第
1乃至第3のレジスタは、センサー列に平行して設けら
れている。
In addition, in order to solve the above-described problems, the charge transfer device according to the present invention includes a first sensor and a second sensor in which different color transmission filters are formed and receives different lights through the filters. And a sensor array in which the third sensor is arranged in a line, a first register corresponding to the plurality of first sensors, a second register corresponding to the plurality of second sensors, and a plurality of third sensors. A third register corresponding to the sensor. The first to third registers are provided in parallel with the sensor row.

ここで、異なる色透過型とは、赤,緑及び青の組合せ
や、シアン,イエロー及びマゼンタの組合せの如き主に
可視光域を分解して表現するための機構であり、本発明
の電荷転送装置では少なくとも3種のフィルターを用い
る。センサー列は、各センサーの組合せが直線状に配置
されたものであり、その各センサーの順序を問わない。
レジスタはセンサー列に平行して配設されるが、センサ
ー列の一側部のみにレジスタを配しても良く、センサー
列の両側部にレジスタを配しても良い。
Here, the different color transmission type is a mechanism mainly for decomposing and expressing a visible light region, such as a combination of red, green, and blue, and a combination of cyan, yellow, and magenta. The apparatus uses at least three types of filters. In the sensor row, a combination of sensors is arranged in a straight line, and the order of the sensors does not matter.
Although the register is provided in parallel with the sensor row, the register may be provided only on one side of the sensor row, or the register may be provided on both sides of the sensor row.

そして、各レジスタ間のレジスタ間転送を行う各レジ
スタの転送電極は、互いに隣接して形成されているとと
もに各レジスタ内の電荷転送を行う転送電極としても機
能し、レジスタ内転送を行うとき、隣接する転送電極を
同時にレベル変化したり同時に電荷の蓄積レベルになる
ことのない異なるパルス信号で駆動し、電荷のレジスタ
間転送を行うとき、少なくとも電荷を受け取る側の転送
電極のポテンシャルを電荷を送り出す側の転送電極のポ
テンシャルよりも深くするものである。
The transfer electrode of each register that performs inter-register transfer between the registers is formed adjacent to each other and also functions as a transfer electrode that performs charge transfer in each register. When the transfer electrodes are driven by different pulse signals that do not simultaneously change the level or simultaneously reach the charge accumulation level, and transfer the charges between the registers, at least the potential of the transfer electrode on the side that receives the charges and the side that sends the charges Is made deeper than the potential of the transfer electrode.

なお、この電荷転送装置においては、レジスタの数は
2つに限定されず3つ或いはそれ以上であっても良い。
また、撮像部を有する構造とすることができ、リニアセ
ンサー,エリアセンサー等の撮像部の形状を問わない。
また、この電荷転送装置は、カラーフィルターを有する
撮像部を有していても良い。また、撮像部を有する構造
とすることができ、リニアセンサー,エリアセンサー等
の撮像部の形状を問わない。また、この電荷転送装置
は、カラーフィルターを有する撮像部を有していても良
い。
In this charge transfer device, the number of registers is not limited to two, but may be three or more.
Further, a structure having an imaging unit can be adopted, and the shape of the imaging unit such as a linear sensor and an area sensor is not limited.
Further, the charge transfer device may include an imaging unit having a color filter. Further, a structure having an imaging unit can be adopted, and the shape of the imaging unit such as a linear sensor and an area sensor is not limited. Further, the charge transfer device may include an imaging unit having a color filter.

また、互いに隣接しレジスタ間転送を行う転送電極
は、その隣接側の電極幅が拡げられて形成するようにし
てもよい。また、互いに隣接しレジスタ間転送を行う転
送電極のうち、電荷を受け取る側の転送電極の隣接側に
は、トランスファー部が形成されるようにしてもよい。
Further, the transfer electrodes that are adjacent to each other and perform the transfer between the registers may be formed by increasing the electrode width on the adjacent side. Further, among the transfer electrodes which are adjacent to each other and perform the transfer between the registers, a transfer portion may be formed on the side adjacent to the transfer electrode on the side receiving the charge.

〔作用〕[Action]

本発明に係る電荷転送装置では、異なるレジスタの転
送電極同士が隣接されることで、レジスタ間の電荷転送
が直接的に行われる。また、レジスタ間の電荷転送を行
う転送電荷は、レジスタ内の電荷転送を行うときの転送
電極としても機能する。そして、互いに異なるパルスで
レジスタ間の電荷転送する方向に隣接する転送電極を駆
動し、その送り出す側から受け取る側へ向けてポテンシ
ャルが深くなるように制御することで、電荷の送り出す
側から受け取る側へのレジスタ間の電荷の転送が行われ
る。
In the charge transfer device according to the present invention, the transfer electrodes of different registers are adjacent to each other, so that the charge transfer between the registers is performed directly. Further, the transfer charge for transferring the charge between the registers also functions as a transfer electrode when transferring the charge in the register. Then, by driving the transfer electrodes adjacent to each other in the direction in which the charges are transferred between the registers with different pulses, and controlling the potential to increase from the sending side to the receiving side, the charge is transferred from the sending side to the receiving side. Is transferred between the registers.

また、本発明に係る電荷転送装置は、各色毎のセンサ
ーに対応してレジスタが配置されるために、レジスタと
色信号が1対1に対応して混色の問題がない。また、各
センサーが一列に並べられるため、位置ずれの無い同じ
ラインでの画像情報を得ることができる。
Further, in the charge transfer device according to the present invention, since the registers are arranged in correspondence with the sensors for each color, there is no problem of color mixing because the registers and the color signals correspond one-to-one. Further, since the sensors are arranged in a line, it is possible to obtain image information on the same line without displacement.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明す
る。
Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1の実施例 本実施例は、CCDの例であり、第1及び第2のレジス
タを有し、それぞれのレジスタ内で電荷転送を行うこと
ができるとともに、レジスタ間の電荷転送も行うことが
できるものである。
First Embodiment This embodiment is an example of a CCD, which has first and second registers, can perform charge transfer in each register, and can also perform charge transfer between registers. You can do it.

第1図は、そのレジスタ部分の平面図であり、このレ
ジスタ部分には、第1図中H方向に電荷を転送するため
の第1のレジスタ1と第2のレジスタ2が互いに平行に
半導体基板上に形成されている。第1のレジスタ1は、
転送電極5,3,6,7を有し、第2のレジスタ2は、転送電
極8,4,9,10を有する。図示を省略するが、これら転送電
極3〜10の下部には、電荷の転送のためのチャンネルが
形成される。第1のレジスタ1の転送電極3は、第2の
レジスタ2の転送電極4に一辺を突き合わせるように隣
接して形成されている。この転送電極3と転送電極4の
間にトランスファーゲート等は存在しない。これら転送
電極3,4は、互いに隣接するが、他の転送電極5〜10に
ついては、第1と第2のレジスタ1,2の間にチャンネル
ストッパー領域11が形成され、そのチャンネルストッパ
ー領域11によって電気的に分離されている。転送電極3
の形状は、第2のレジスタ2側で拡がり、反対側で狭く
なるように形成されている。すなわち、転送電極3は、
略台形状に形成され、V方向において、電荷を転送する
方向に拡がる電極幅を有している。また、転送電極4の
形状も同様に略台形状に形成され、隣接する側の電極幅
が拡がるように形成されている。さらに他の転送電極5
〜10も同様に、略台形状のパターンにされている。この
ように各転送電極3〜10は、略台形状に形成されること
で、転送電極の周縁部のポテンシャルを拡がった辺で深
め、狭まった辺で浅くさせ、転送効率の向上を図ってい
る。
FIG. 1 is a plan view of the register portion. In this register portion, a first register 1 and a second register 2 for transferring charges in the H direction in FIG. Is formed on. The first register 1
The second register 2 has transfer electrodes 8, 4, 9, and 10, and has transfer electrodes 5, 3, 6, and 7. Although not shown, a channel for transferring electric charges is formed below these transfer electrodes 3 to 10. The transfer electrode 3 of the first register 1 is formed adjacent to the transfer electrode 4 of the second register 2 so that one side of the transfer electrode 3 abuts. There is no transfer gate or the like between the transfer electrode 3 and the transfer electrode 4. The transfer electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, but for the other transfer electrodes 5 to 10, a channel stopper region 11 is formed between the first and second registers 1 and 2, and the channel stopper region 11 Electrically isolated. Transfer electrode 3
Is formed so as to expand on the second register 2 side and narrow on the opposite side. That is, the transfer electrode 3
It is formed in a substantially trapezoidal shape, and has an electrode width that extends in the V direction in the direction of transferring electric charges. Similarly, the shape of the transfer electrode 4 is also substantially trapezoidal, and is formed such that the electrode width on the adjacent side is increased. Still another transfer electrode 5
Similarly, the patterns # 10 to # 10 have a substantially trapezoidal pattern. Since each of the transfer electrodes 3 to 10 is formed in a substantially trapezoidal shape, the potential of the peripheral portion of the transfer electrode is increased at the widened side and is reduced at the narrowed side, thereby improving the transfer efficiency. .

以上のような形状の各転送電極3〜10は、例えば3層
のポリシリコン層により形成されている。本実施例で
は、転送電極4,7を第1層目のポリシリコン層で形成
し、転送電極3,10を第2層目のポリシリコン層で形成す
る。すなわち、レジスタ間の転送が行われる転送電極3,
4の隣接部12では、転送電極3の一部が転送電極4上に
オーバーラップする。転送電極5,6,8,9は、第3層目の
ポリシリコン層を用いて形成する。図示を省略するが、
チャンネルストッパー領域11の上部で次に説明する同じ
相の信号が供給される層同士を連続させるパターンとす
る。
Each of the transfer electrodes 3 to 10 having the above-described shape is formed of, for example, three polysilicon layers. In this embodiment, the transfer electrodes 4 and 7 are formed of the first polysilicon layer, and the transfer electrodes 3 and 10 are formed of the second polysilicon layer. That is, the transfer electrodes 3, where transfer between the registers is performed,
In the adjacent portion 12 of 4, a part of the transfer electrode 3 overlaps the transfer electrode 4. The transfer electrodes 5, 6, 8, and 9 are formed using a third polysilicon layer. Although illustration is omitted,
Above the channel stopper region 11, a layer to which signals of the same phase described below are supplied is formed as a continuous pattern.

そして、転送電極3,10には、第1相の信号Φ1が供給
され、転送電極4,7には、第3相の信号Φ3が供給され
る。第3層目のポリシリコン層からなる転送電極5,6,8,
9には、第2相の信号Φ2又は第4相の信号Φ4が供給
される。具体的に、転送電極5,9には、第4相の信号Φ
4が供給され、転送電極6,8には、第2相の信号Φ2が
供給される。
Then, the first-phase signal Φ1 is supplied to the transfer electrodes 3 and 10, and the third-phase signal Φ3 is supplied to the transfer electrodes 4 and 7. The transfer electrodes 5, 6, 8,
9 is supplied with a second-phase signal Φ2 or a fourth-phase signal Φ4. Specifically, the transfer electrodes 5 and 9 apply a fourth-phase signal Φ
4 is supplied to the transfer electrodes 6 and 8, and the second-phase signal Φ2 is supplied to the transfer electrodes 6 and 8.

以上のような構造を有する本実施例のCCDは、レジス
タ間の転送(V方向の転送)を行うことができると共に
レジスタ内の転送(H方向の転送)を行うこともでき
る。
The CCD having the above-described structure according to the present embodiment can perform transfer between registers (transfer in the V direction) and also transfer in registers (transfer in the H direction).

第2図を参照しながら、転送電極3に存在する電荷を
転送電極10まで転送する動作について説明する。先ず、
時刻t0で第1相の信号Φ1のみが“H"レベル(高レベ
ル)とされ、他の信号Φ2〜Φ4は、“L"レベル(低レ
ベル)とされる。このとき、電荷は、転送電極3の下部
に蓄積されている。次のクロックの時刻t1では、第3相
の信号Φ3が“L"レベルから“H"レベルになり、転送電
極3の電荷が転送電極4に流れ出す。このとき、転送電
極4のレジスタ内で隣接する転送電極8,9は、ともに
“L"レベルであり、電荷の転送は、転送電極4にかかる
領域のみに止まる。次のクロックの時刻t2では、第1相
の信号Φ1が“L"レベルに変化する。すると、電荷を受
け取る側の転送電極4のポテンシャルが電荷を送り出す
側の転送電極3のポテンシャルよりも深くなり、転送電
極3に蓄積されていた電荷が全て転送電極4に流れて、
レジスタ間の転送が行われことになる。次に、時刻t3
は、第4相の信号Φ4が“L"レベルから“H"レベルに変
化し、転送電極4まで転送されてきた電荷が転送電極9
まで流れ込む。そして、時刻t4では、転送電極4にかか
る信号Φ3が“L"レベルとなって、電荷が転送電極9に
蓄積され、次のクロックの時刻t5でその電荷が転送電極
10まで転送される。
With reference to FIG. 2, the operation of transferring the electric charge existing on the transfer electrode 3 to the transfer electrode 10 will be described. First,
Only the time t 0 a first phase signal at Φ1 is "H" level (high level), other signals Φ2~Φ4 is an "L" level (low level). At this time, the electric charges are accumulated below the transfer electrode 3. At time t 1 of the next clock signal Φ3 of the third phase becomes the "H" level from the "L" level, the charge transfer electrode 3 flows to the transfer electrode 4. At this time, the transfer electrodes 8 and 9 adjacent to each other in the register of the transfer electrode 4 are both at the “L” level, and the transfer of the charge is stopped only in the region over the transfer electrode 4. At time t 2 of the next clock, the signal Φ1 of the first phase is changed to the "L" level. Then, the potential of the transfer electrode 4 on the side that receives the charge becomes deeper than the potential of the transfer electrode 3 on the side that sends out the charge, and all the charge accumulated in the transfer electrode 3 flows to the transfer electrode 4,
Transfer between registers will be performed. Next, at time t 3, the signal Φ4 of the fourth phase is changed to "H" level from the "L" level, the charges transferred to the transfer electrode 4 transfer electrodes 9
Flow up to. Then, at time t 4, the signal Φ3 according to the transfer electrode 4 changes to "L" level, charges are accumulated in the transfer electrodes 9, the charge transfer electrodes at time t 5 of the next clock
Transfers up to 10.

また、レジスタ内の転送も同様に、次に電荷を転送す
べき転送電極に供給される信号を“L"レベルから“H"レ
ベルにさせ、その後、それまで電荷を蓄積していた転送
電極に供給される信号を“H"レベルから“L"レベルに立
ち下げ、これを順次進めることで行われる。特に、この
ような転送電極の制御によって、レジスタ内の転送の際
には、レジスタ間の転送が行われる転送電極3,4に供給
される第1相の信号Φ1と第3相の信号Φ3が同時にレ
ベル変化したり、或いは同時に“H"レベルとなることが
なく、一方に電荷が存在する時は、必ず他方は“L"レベ
ルに保持される。したがって、確実なレジスタ内のH方
向の電荷の転送を行うことができる。
Similarly, in the transfer in the register, the signal supplied to the transfer electrode to which the charge is to be transferred next is changed from the “L” level to the “H” level, and then the signal is transferred to the transfer electrode that has accumulated the charge. This is performed by lowering the supplied signal from the “H” level to the “L” level and sequentially proceeding this. In particular, by controlling such transfer electrodes, during transfer within the register, the first-phase signal Φ1 and the third-phase signal Φ3 supplied to the transfer electrodes 3 and 4 where transfer between registers is performed. The level does not change at the same time, or does not attain the “H” level at the same time. When one of the charges exists, the other is always held at the “L” level. Therefore, it is possible to reliably transfer the electric charge in the H direction in the register.

このように本実施例のCCDは、隣接する転送電極を異
なるパルスで駆動することにより、転送電極3,4を用い
てレジスタ間のV方向の電荷転送を行うことができると
ともに、レジスタ内のH方向の転送も行うことができ
る。そして、レジスタ間の転送では、隣接する転送電極
3,4同士で行われるため、トランスファーゲート等は、
不要となり、ゲートの抵抗等の問題も解決され、転送効
率の向上を図ることができる。特に、V方向の電荷転送
では、隣接する転送電極3,4の形状が、隣接部12で拡が
るように形成されていることから、電荷の転送効率の向
上を図ることができる。
As described above, the CCD according to the present embodiment can transfer charges in the V direction between the registers by using the transfer electrodes 3 and 4 by driving the adjacent transfer electrodes with different pulses, and at the same time, the H level in the registers can be increased. Direction transfer can also be performed. In the transfer between the registers, the adjacent transfer electrode
Since the transfer is performed between 3, 4
This eliminates the necessity, solves problems such as gate resistance, and improves the transfer efficiency. In particular, in the charge transfer in the V direction, since the shape of the adjacent transfer electrodes 3 and 4 is formed so as to expand in the adjacent portion 12, it is possible to improve the charge transfer efficiency.

第2の実施例 本実施例は、カラー型のリニアタイプのCCDの例であ
り、第1〜第3のレジスタを有する例である。
Second Embodiment This embodiment is an example of a color linear CCD, and has first to third registers.

第3図のその要部について示す。先ず、センサー列20
が図中H方向を長手方向として形成されている。このセ
ンサー列20は、赤色(R)を受光するためのフィルター
を有した第1のセンサー24と、緑色(G)を受光するた
めのフィルターを有した第2のセンサー25と、青色
(B)を受光するためのフィルターを有した第3のセン
サー26とが順番に直線状に並べられて構成されている。
第1のセンサー24では、赤色の色信号に応じた電荷が得
られ、第2のセンサー25では、緑色の色信号に応じた電
荷が得られ、第3のセンサー26では、青色の色信号に応
じた電荷が得られる。
The main part of FIG. 3 is shown. First, sensor row 20
Are formed with the H direction in the figure as the longitudinal direction. The sensor array 20 includes a first sensor 24 having a filter for receiving red (R), a second sensor 25 having a filter for receiving green (G), and a blue (B). And a third sensor 26 having a filter for receiving light.
The first sensor 24 obtains a charge corresponding to the red color signal, the second sensor 25 obtains a charge corresponding to the green color signal, and the third sensor 26 converts the charge to a blue color signal. An appropriate charge is obtained.

このセンサー列20の図中V方向には、ゲート領域27〜
30が形成されている。このゲート領域27〜30は、センサ
ー列20からの信号電荷をセンサー24〜26に応じて択一的
に読み出すためのゲートとして機能する。各第1のセン
サー24のV方向側には、信号G1が供給されるゲート領域
27が設けられ、各第2のセンサー25のV方向側には、信
号G2が供給されるゲート領域28が設けられ、各第3のセ
ンサー26のV方向側には、信号G3が供給されるゲート領
域29が設けられている。そして、一組の各ゲート領域27
〜29単位で、信号G4により制御されるゲート領域30が各
ゲート領域27〜29のさらにV方向に臨んで形成されてい
る。このゲート領域30は、次に説明するレジスタの第1
のレジスタ21に接続する。このようなゲート領域27〜30
は、択一的に色信号を取り出すために、信号G1〜G3の中
の1つだけが読み出しレベル(例えば“H"レベル)にさ
れ、同時にゲート領域30にかかる信号G4が読み出しレベ
ルになればセンサー列20からの各色信号毎の電荷の読み
出しが行われる。
In the V direction in the figure of the sensor array 20, the gate regions 27 to
30 are formed. The gate regions 27 to 30 function as gates for selectively reading out signal charges from the sensor array 20 in accordance with the sensors 24 to 26. On the V direction side of each first sensor 24, a gate region to which the signal G1 is supplied
27, a gate region 28 to which the signal G2 is supplied is provided on the V direction side of each second sensor 25, and a signal G3 is supplied to the V direction side of each third sensor 26. A gate region 29 is provided. Then, a set of each gate region 27
A gate region 30 controlled by the signal G4 is formed in units of .about.29 so as to face the gate regions 27 to 29 further in the V direction. This gate region 30 is the first region of the register described below.
To the register 21 of FIG. Such a gate region 27-30
If only one of the signals G1 to G3 is set to the read level (for example, “H” level) in order to take out the color signal alternatively, and at the same time the signal G4 applied to the gate region 30 becomes the read level, The reading of the electric charge for each color signal from the sensor array 20 is performed.

本実施例のCCDは、このような各センサー毎のゲート
を有したセンサー列20に、平行して第1〜第3のレジス
タ21〜23が形成されている。各レジスタ21〜23は、転送
電極31,32,33,34が順に繰り返しH方向に並べて形成さ
れている。各転送電極31には、第1相の信号Φ1が供給
され、各転送電極32には、第2相の信号Φ2が供給さ
れ、各転送電極33には、第3相の信号Φ3が供給され、
さらに各転送電極34には、第4相の信号Φ4が供給され
る。ここで、転送電極32,34は、レジスタ間で隣接する
ことが無く、レジスタ間では、チャンネルストッパー領
域35によって電気的に分離され、レジスタ内でのみ他の
転送電極31,33に隣接している。転送電極31は、各レジ
スタ21〜23内で転送電極32,34に挟まれるが、第1のレ
ジスタ21と第2のレジスタ22では、V方向で他のレジス
タにかかる転送電極33に一辺を突き合わせる形状で隣接
している。この転送電極31は、各レジスタで水平転送の
電極として機能する他に、第1のレジスタ21と第2のレ
ジスタ22では、レジスタ間の転送において電荷を送り出
す側の転送電極として機能する。また、転送電極33も同
様に各レジスタ21〜23内で転送電極32,34に挟まれ、V
方向で他のレジスタにかかる転送電極31に一辺を突き合
わせる形状で隣接している。この転送電極33は、各レジ
スタで水平転送の電極として機能する他に、レジスタ間
の転送及びセンサー列20からの転送において電荷を受け
取る側の転送電極として機能する。これら各転送電極31
〜34の形状については、転送電極32,34は略台形状とさ
れ、転送電極31は転送電極33側が、転送電極33は転送電
極31側が、それぞれ拡げられるような形状のパターンに
形成されている。このため拡がった部分のポテンシャル
を狭い部分に比較して深くすることができ、そのレジス
タ間の転送やレジスタ内の転送の転送効率を高めること
ができる。
In the CCD of the present embodiment, first to third registers 21 to 23 are formed in parallel with a sensor array 20 having such a gate for each sensor. In each of the registers 21 to 23, the transfer electrodes 31, 32, 33, and 34 are repeatedly formed in order in the H direction. Each transfer electrode 31 is supplied with a first-phase signal Φ1, each transfer electrode 32 is supplied with a second-phase signal Φ2, and each transfer electrode 33 is supplied with a third-phase signal Φ3. ,
Further, a fourth-phase signal Φ4 is supplied to each transfer electrode. Here, the transfer electrodes 32 and 34 are not adjacent between the registers, and are electrically separated by the channel stopper region 35 between the registers, and are adjacent to the other transfer electrodes 31 and 33 only within the register. . The transfer electrode 31 is sandwiched between the transfer electrodes 32 and 34 in each of the registers 21 to 23. In the first register 21 and the second register 22, one side of the transfer electrode 31 abuts on the transfer electrode 33 on another register in the V direction. Adjacent to each other. The transfer electrode 31 functions as a horizontal transfer electrode in each register, and in the first register 21 and the second register 22, functions as a transfer electrode on the side that sends out electric charges in transfer between the registers. Similarly, the transfer electrode 33 is also sandwiched between the transfer electrodes 32 and 34 in each of the registers 21 to 23, and
In the direction, it is adjacent to the transfer electrode 31 on another register in a shape in which one side is abutted. The transfer electrode 33 functions as a horizontal transfer electrode in each register, and also functions as a transfer electrode on the side that receives charges in transfer between registers and transfer from the sensor array 20. Each of these transfer electrodes 31
The transfer electrodes 32 and 34 have a substantially trapezoidal shape, and the transfer electrode 31 is formed in a pattern such that the transfer electrode 33 side and the transfer electrode 33 are expanded in the transfer electrode 31 side. . For this reason, the potential of the expanded portion can be made deeper than that of the narrow portion, and the transfer efficiency of transfer between registers and transfer within the register can be improved.

このような各レジスタ21〜23の転送電極31〜34は、第
1の実施例と同様に例えば3層のポリシリコン層により
形成されている。本実施例では、転送電極33を第1層目
のポリシリコン層で形成し、転送電極31を第2層目のポ
リシリコン層で形成し、転送電極32,34は、第3層目の
ポリシリコン層を用いて形成する。図示を省略するが、
各層をチャンネルストッパー領域35上まで延在させ、同
相の信号が供給される層同士を連続させるパターンとす
れば良い。
The transfer electrodes 31 to 34 of each of the registers 21 to 23 are formed of, for example, three polysilicon layers as in the first embodiment. In this embodiment, the transfer electrode 33 is formed of a first polysilicon layer, the transfer electrode 31 is formed of a second polysilicon layer, and the transfer electrodes 32 and 34 are formed of a third polysilicon layer. It is formed using a silicon layer. Although illustration is omitted,
Each layer may be extended to above the channel stopper region 35 to form a pattern in which layers to which signals of the same phase are supplied are continuous.

次に、第4図を参照して、V方向の電荷の転送につい
て説明する。各センサー24〜26からゲート領域27〜30の
選択動作によって、択一的に色信号に対応した電荷が転
送され、いま、その電荷が転送電極31の下部に蓄積され
ているものとする。このとき、信号Φ1は“H"レベルで
あり、他の信号Φ2〜Φ4は“L"レベルである(時刻
t0)。ここからレジスタ間の転送を行う場合、第4図
中、時刻t1で信号Φ3が“H"レベルに変化し、転送電極
31の下部に蓄積されていた電荷が転送電極33の下部に流
れ出す。次に、時刻t2で信号Φ1が“H"レベルから“L"
レベルに変化し、電荷を受け取る側の転送電極33のポテ
ンシャルが電荷を送り出す側の転送電極31のポテンシャ
ルよりも深くなり、転送電極31に蓄積されていた電荷が
全部転送電極33に転送され、転送電極33の下部のみに電
荷が蓄積される。この間、信号Φ2,Φ4は、常時“L"レ
ベルであり、これら信号Φ2,Φ4にかかる転送電極32,3
4への電荷の流れ込みはない。このような駆動パルスに
よってV方向の電荷の転送が行われ、センサー列20から
第1のレジスタ21への電荷の転送と、第1のレジスタ21
から第2のレジスタ22への電荷の転送と、第2のレジス
タ22から第3のレジスタ23への電荷の転送は、全く並行
させて行うことができる。
Next, the transfer of electric charges in the V direction will be described with reference to FIG. It is assumed that charges corresponding to color signals are alternatively transferred from the sensors 24 to 26 by the selection operation of the gate regions 27 to 30, and the charges are now accumulated below the transfer electrodes 31. At this time, the signal Φ1 is at the “H” level, and the other signals Φ2 to Φ4 are at the “L” level (at time
t 0). When transferring between registers Here, in FIG. 4, the signal Φ3 at time t 1 is changed to "H" level, the transfer electrodes
The electric charges accumulated in the lower part of the base 31 flow out to the lower part of the transfer electrode 33. Then, the signal Φ1 at time t 2 is "H" level to "L"
Level, the potential of the transfer electrode 33 on the side that receives the charge becomes deeper than the potential of the transfer electrode 31 on the side that sends out the charge, and all the charges accumulated in the transfer electrode 31 are transferred to the transfer electrode 33 and transferred. Electric charges are stored only in the lower part of the electrode 33. During this time, the signals Φ2, Φ4 are always at “L” level, and the transfer electrodes 32, 3 applied to these signals Φ2, Φ4 are
There is no charge flowing into 4. The transfer of the electric charge in the V direction is performed by such a drive pulse, and the electric charge is transferred from the sensor array 20 to the first register 21 and the first register 21 is transferred.
The transfer of charge from the second register 22 to the second register 22 and the transfer of charge from the second register 22 to the third register 23 can be performed completely in parallel.

次に、第5図を参照しながら、レジスタ内の転送であ
るH方向の転送について説明する。このH方向の転送
は、2つの転送電極にかかる領域を電荷の蓄積状態にす
るクロックと1の転送電極のみにかかる領域を電荷の蓄
積状態にするクロックが交互に繰り返されて行われる。
Next, the transfer in the H direction, which is a transfer in the register, will be described with reference to FIG. The transfer in the H direction is performed by alternately repeating a clock for setting a region relating to two transfer electrodes to a charge accumulation state and a clock for setting a region relating to only one transfer electrode to a charge accumulation state.

先ず、時刻t0では、信号Φ1のみが“H"レベルであ
り、他の信号Φ2〜Φ4は“L"レベルである。従って、
信号Φ1が“H"レベルであっても、信号Φ3が“L"レベ
ルであるために、転送電極31の領域から転送電極33の領
域への電荷の流れ出しはない。
First, at time t 0, a signal Φ1 only the "H" level, the other signal Φ2~Φ4 is "L" level. Therefore,
Even when the signal Φ1 is at the “H” level, no charge flows from the region of the transfer electrode 31 to the region of the transfer electrode 33 because the signal Φ3 is at the “L” level.

次に、時刻t1では、信号Φ2が“L"レベルから“H"レ
ベルに変化する。転送電極31の領域のみに存在した電荷
が転送電極32の領域へ流れ込み、次の時刻t2で信号Φ1
が“L"レベルに変化することで、転送電極32の下部のみ
に電荷が蓄積されて行く。
Next, at time t 1, the signal Φ2 is changed to "H" level from the "L" level. Charge existing only in the region of the transfer electrode 31 flows into the region of the transfer electrodes 32, the signal Φ1 at the next time t 2
Changes to the “L” level, so that charges are accumulated only in the lower part of the transfer electrode 32.

次に、信号Φ1が“L"レベルになり、転送電極31の領
域に電荷が存在しなくなったところで、信号Φ3が“H"
レベルに変化する(時刻t3)。その結果、転送電極32の
領域の電荷が転送電極33の領域へ流れ込む。このとき、
信号Φ1が“L"レベルであるため、転送電極31の領域を
介して転送電極33の領域へ電荷が転送されるようなこと
はない。そして、時刻t4で信号Φ2が“L"レベルとなり
転送電極33のみに電荷が蓄積される。
Next, when the signal Φ1 becomes “L” level and no electric charge is present in the area of the transfer electrode 31, the signal Φ3 becomes “H”.
It changes to the level (time t 3 ). As a result, the charges in the region of the transfer electrode 32 flow into the region of the transfer electrode 33. At this time,
Since the signal Φ1 is at the “L” level, no charge is transferred to the region of the transfer electrode 33 via the region of the transfer electrode 31. Then, the signal Φ2 at time t 4 is "L" level and the charge only to the transfer electrodes 33 are accumulated.

以下、時刻t5〜t8にかけて、信号Φ4が“H"レベルに
なり、その後、信号Φ3が“L"レベルになり、その後、
信号Φ1が再び“H"レベルになる。これによって、転送
電極33の領域の電荷が転送電極34の領域を介して転送電
極31の領域まで転送されて行く。この間、信号Φ1と信
号Φ3がともに“H"レベルとなったり、同じタイミング
でレベル変化するようなことはない。このため、V方向
の各レジスタ間の転送は行われない。そして、このよう
な各レジスタ21,22,23のH方向の転送によって、各色信
号に応じた電荷が各レジスタ21〜23毎に取り出されるこ
とになる。
Hereinafter, over time t 5 ~t 8, the signal Φ4 goes "H" level, then the signal Φ3 goes "L" level, then,
The signal Φ1 goes to the “H” level again. As a result, the electric charges in the area of the transfer electrode 33 are transferred to the area of the transfer electrode 31 via the area of the transfer electrode. During this time, there is no possibility that both the signal Φ1 and the signal Φ3 go to the “H” level or change their levels at the same timing. Therefore, transfer between the registers in the V direction is not performed. Then, by the transfer in the H direction of each of the registers 21, 22, and 23, charges corresponding to each color signal are extracted for each of the registers 21 to 23.

このような本実施例のCCDでは、レジスタ間の転送
(V方向の転送)を隣接する転送電極同士の間で行うこ
とができ、そのV方向の転送を行う電極をH方向のレジ
スタ内の転送の転送電極としても用いることができる。
このため、レジスタ間のトランスファーゲート等の形成
は不要となり、転送効率が改善される。また、一列のセ
ンサー列20より取り出した位置的に隔たりのない色信号
を転送することができ、各レジスタ21〜23を色別に用い
ることができるために混色等が未然に防止されることに
なる。
In such a CCD according to the present embodiment, transfer between registers (transfer in the V direction) can be performed between adjacent transfer electrodes, and the electrode performing the transfer in the V direction is transferred in the register in the H direction. Can also be used as a transfer electrode.
Therefore, it is not necessary to form a transfer gate between the registers, and the transfer efficiency is improved. In addition, the color signals extracted from one sensor row 20 can be transferred without any positional gap, and the registers 21 to 23 can be used for each color, so that color mixing or the like is prevented beforehand. .

第3の実施例 本実施例は、カラーラインセンサーの例であり、3つ
のレジスタを3つの色別に独立して有する例である。
Third Embodiment This embodiment is an example of a color line sensor, in which three registers are independently provided for three colors.

本実施例のラインセンサーは、第6図に示すように、
H方向を長手方向とするセンサー列40が形成されてい
る。このセンサー列40には、赤色(R)を受光するため
のフィルターを有した第1のセンサー44と、緑色(G)
を受光するためのフィルターを有した第2のセンサー45
と、青色(B)を受光するためのフィルターを有した第
3のセンサー46とが順番に直線状に並べられている。こ
のセンサー列40と平行に同じH方向を長手方向として、
該センサー列40の一側部に3つのレジスタ41,42,43が設
けられている。これら第1〜第3の各レジスタ41〜43
は、電荷をH方向に順次転送する。また、これらレジス
タ41〜43の間では、図中V方向に行うレジスタ間の転送
が可能とされる。そして、各レジスタ41〜43のH方向の
終端部には、出力回路47,48,49が配設されている。これ
ら出力回路47,48,49は、各レジスタ41,42,43で転送され
てきた信号電荷に応じた出力信号を出力する。
As shown in FIG. 6, the line sensor of this embodiment
A sensor row 40 having the H direction as a longitudinal direction is formed. The sensor array 40 includes a first sensor 44 having a filter for receiving red (R) and a green (G).
Sensor 45 having a filter for receiving light
And a third sensor 46 having a filter for receiving blue (B) light are sequentially arranged in a straight line. The same H direction parallel to this sensor row 40 is taken as the longitudinal direction,
On one side of the sensor array 40, three registers 41, 42, 43 are provided. These first to third registers 41 to 43
Transfers charges sequentially in the H direction. Further, between these registers 41 to 43, transfer between the registers in the V direction in the figure can be performed. Output circuits 47, 48, and 49 are provided at the ends of the registers 41 to 43 in the H direction. These output circuits 47, 48, and 49 output output signals corresponding to the signal charges transferred by the registers 41, 42, and 43, respectively.

このような構造のラインセンサーでは、光を受光する
領域である各センサー44〜46が一列に並べられており、
各色毎の位置のずれがない。そして、次のような各レジ
スタ間の転送によって、色信号別に第1のレジスタ41,
第2のレジスタ42,第3のレジスタ43へ電荷が振り分け
られる。
In the line sensor having such a structure, each of the sensors 44 to 46, which is a region for receiving light, is arranged in a line.
There is no positional deviation for each color. Then, the first register 41,
The electric charge is distributed to the second register 42 and the third register 43.

先ず、時刻t0では図中一点鎖線で示すように、第1の
センサー44から赤色信号にかかる信号電荷が第1のレジ
スタ41に読み出される。このとき、第2及び第3のセン
サー45,46から電荷は読み出されない。
First, at time t 0 , as shown by the dashed line in the figure, the signal charge relating to the red signal is read from the first sensor 44 to the first register 41. At this time, no charge is read from the second and third sensors 45 and 46.

次に、時刻t1では、図中破線で示すように第1のレジ
スタ41から第2のレジスタ42へ先程読み出された赤色信
号にかかる信号電荷が転送される。これと共に、図中破
線で示すように、第1のセンサー45から緑色信号にかか
る信号電荷が第1のレジスタ41に読み出される。これ
で、赤色信号にかかる電荷が第2のレジスタ42へ、緑色
信号にかかる電荷が第1のレジスタ41へ読み出されたこ
とになる。
Next, at time t 1, the signal charges according to the previously read red signal from the first register 41 as indicated by a broken line in FIG into the second register 42 is transferred. At the same time, as shown by the broken line in the figure, the signal charge of the green signal from the first sensor 45 is read out to the first register 41. This means that the charge related to the red signal has been read to the second register 42 and the charge related to the green signal has been read to the first register 41.

次に、時刻t2では、図中実線で示すように、第2のレ
ジスタ42に転送された赤色信号にかかる信号電荷が第3
のレジスタ43へ転送され、緑色信号にかかる信号電荷が
第1のレジスタ41から第2のレジスタ42へ転送される。
そして、このとき、青色信号にかかる信号電荷がセンサ
ー列40から第1のレジスタ41に転送される。その結果、
このようなレジスタ間の転送によって、第1のレジスタ
41には、青色信号にかかる信号電荷が蓄積され、第2の
レジスタ42には、緑色信号にかかる信号電荷が蓄積さ
れ、第3のレジスタ43には、赤色信号にかかる信号電荷
が蓄積される。以下、各レジスタ41〜43でH方向の電荷
の転送を行い、各出力回路47〜49より色信号別の出力を
取り出す。
Next, at time t 2, the as shown by the solid line in the figure, the signal charges according to the red signal transferred to the second register 42 is a third
And the signal charge relating to the green signal is transferred from the first register 41 to the second register 42.
Then, at this time, the signal charge related to the blue signal is transferred from the sensor array 40 to the first register 41. as a result,
By such transfer between registers, the first register
The signal charge relating to the blue signal is stored in 41, the signal charge relating to the green signal is stored in the second register 42, and the signal charge relating to the red signal is stored in the third register 43. . Hereinafter, the electric charge in the H direction is transferred by each of the registers 41 to 43, and the output for each color signal is extracted from each of the output circuits 47 to 49.

このように本実施例では、色信号別に信号を取り出す
ことができ、信号処理に有利である。また、各レジスタ
41〜43の転送電極のピッチについても、色別に独立した
レジスタを有するために、余裕があることになり、転送
周波数の低くして転送効率を高めることができる。
As described above, in this embodiment, signals can be extracted for each color signal, which is advantageous for signal processing. In addition, each register
As for the pitch of the transfer electrodes 41 to 43, since there is a register independent for each color, there is a margin, and the transfer efficiency can be increased by lowering the transfer frequency.

第4の実施例 本実施例は、第3の実施例の変形例であって、センサ
ー列の両側にレジスタが設けられた例である。
Fourth Embodiment This embodiment is a modification of the third embodiment, in which registers are provided on both sides of a sensor array.

本実施例のラインセンサーには、第7図に示すよう
に、H方向を長手方向とするセンサー列50が形成されて
いる。このセンサー列50には、赤色(R)を受光するた
めのフィルターを有した第1のセンサー54と、緑色
(G)を受光するためのフィルターを有した第2のセン
サー55と、青色(B)を受光するためのフィルターを有
した第3のセンサー56とが順番に直線状に並べられてい
る。このセンサー列50の両側部には、3つのレジスタ5
1,52,53が設けられている。第1のレジスタ51と第2の
レジスタ52は、センサー列50の一方の側部にセンサー列
50とそれぞれ平行に図中H方向を長手方向として設けら
れ、第3のレジスタ53は、センサー列50の他方の側部に
センサー列50と同じく平行に図中H方向を長手方向とし
て設けられている。これら各レジスタ51〜53は、電荷を
H方向に順次転送することができる。また、各レジスタ
51〜53のH方向の終端部には、それぞれ出力回路57,58,
59が配設されている。これら出力回路57,58,59は、各レ
ジスタ51,52,53で転送されてきた信号電荷に応じた出力
信号を出力する。そして、第1のレジスタ51と第2のレ
ジスタ52の間では、レジスタ間の電荷の転送を行うこと
ができ、センサー列50からは、第1及び第3のレジスタ
51,53に対してそれぞれ色別の信号電荷を読み出すこと
ができる。
As shown in FIG. 7, in the line sensor of this embodiment, a sensor row 50 having the H direction as a longitudinal direction is formed. The sensor array 50 includes a first sensor 54 having a filter for receiving red (R), a second sensor 55 having a filter for receiving green (G), and a blue (B) ) And a third sensor 56 having a filter for receiving) are linearly arranged in order. On both sides of this sensor row 50, three registers 5
1,52,53 are provided. The first register 51 and the second register 52 include a sensor array on one side of the sensor array 50.
The third register 53 is provided on the other side of the sensor row 50 in parallel with the sensor row 50 and has the H direction in the figure as the longitudinal direction. I have. Each of these registers 51 to 53 can sequentially transfer charges in the H direction. In addition, each register
Output circuits 57, 58,
59 are arranged. These output circuits 57, 58, 59 output output signals corresponding to the signal charges transferred by the registers 51, 52, 53. Then, between the first register 51 and the second register 52, electric charge transfer between the registers can be performed. From the sensor row 50, the first and third registers can be transferred.
The signal charges for each color can be read out for each of 51 and 53.

その動作について第7図を参照して説明すると、時刻
t0で図中破線で示すように初めに第1のセンサー54から
赤色信号にかかる電荷が第1のレジスタ51へ読みだされ
る。このとき、センサー列50の第2及び第3のセンサー
55,56からは電荷が読み出されない。
The operation will be described with reference to FIG.
At t 0 , as shown by the broken line in the figure, first, the charge applied to the red signal from the first sensor 54 is read out to the first register 51. At this time, the second and third sensors in the sensor row 50
No charge is read from 55 and 56.

次に、時刻t1で図中実線で示すように、第1のレジス
タ51に読み出されていた赤色信号にかかる電荷がレジス
タ間の転送により第2のレジスタ52に送られる。これと
共に、図中実線で示すように、センサー列50の第2のセ
ンサー55からは、緑色信号にかかる電荷が図中V方向に
転送されて第1のレジスタ51に送られ、また、センサー
列50の第3のセンサー56からは、青色信号にかかる電荷
が図中−V方向に転送されて第3のレジスタ53に送られ
る。その結果、第1のレジスタ51には、緑色信号にかか
る電荷が蓄積され、第2のレジスタ52には赤色信号にか
かる電荷が蓄積され、第3のレジスタ53には青色信号に
かかる電荷が蓄積される。そして、各レジスタ51〜53で
H方向の電荷の転送が行われ、各出力回路57〜59より色
信号別の出力が取り出されることになる。
Next, as shown in solid line in the figure at time t 1, the charge of the first red signal which has been read out in the register 51 is sent by the transfer between the registers in the second register 52. At the same time, as shown by the solid line in the figure, the electric charge relating to the green signal is transferred from the second sensor 55 of the sensor array 50 in the V direction in the figure and sent to the first register 51. From the third sensor 56 of 50, the electric charge relating to the blue signal is transferred in the −V direction in the figure and sent to the third register 53. As a result, the first register 51 stores the charge related to the green signal, the second register 52 stores the charge related to the red signal, and the third register 53 stores the charge related to the blue signal. Is done. Then, the charge in the H direction is transferred by each of the registers 51 to 53, and the output for each color signal is extracted from each of the output circuits 57 to 59.

このような構造の本実施例のラインセンサーでは、各
レジスタ51〜53より色別の信号を得ることができ、混色
等の問題が生じない。また、各レジスタ51〜53では、単
一の信号のみを転送するだけであり、レジスタ51〜53の
H方向の転送のための転送電極の数を抑えることや間隔
をあけることができ、転送周波数を低くして転送効率を
高めることができる。また、第3の実施例のラインセン
サーに比較して、レジスタ間の転送は第1のレジスタ51
から第2のレジスタ52に対して行う一度のみであり、レ
ジスタへの制御信号を単純化させることも可能である。
In the line sensor of this embodiment having such a structure, signals for each color can be obtained from each of the registers 51 to 53, and there is no problem such as color mixing. In addition, each of the registers 51 to 53 only transfers a single signal, so that the number of transfer electrodes for the H-direction transfer of the registers 51 to 53 can be suppressed and an interval can be provided. And the transfer efficiency can be increased. Further, as compared with the line sensor of the third embodiment, the transfer between the registers is performed by the first register 51.
To the second register 52 only once, and the control signal to the register can be simplified.

第5の実施例 本実施例は、第1の実施例の変形例であり、図中H方
向に電荷を転送するための第1のレジスタ91と第2のレ
ジスタ92を有しており、これら2つのレジスタ91,92の
間のV方向の転送が可能とされる例である。
Fifth Embodiment This embodiment is a modification of the first embodiment, and has a first register 91 and a second register 92 for transferring charges in the H direction in the figure. This is an example in which transfer in the V direction between two registers 91 and 92 is enabled.

第9図は要部平面図であり、図中H方向に電荷を転送
するための第1のレジスタ91と第2のレジスタ92は、H
方向を長手方向として互いに平行に形成されている。第
1のレジスタ91は、転送電極93,95,96,97を有してお
り、第2のレジスタ92は、転送電極94,98,99,100を有し
ている。第1のレジスタ91と第2のレジスタ92は、チャ
ンネルストップ領域102により電気的に分離されている
が、転送電極93と転送電極94は、チャンネルストップ領
域102に突出してその一辺を突き合わせるように隣接し
ており、これら転送電極93,94の間では、隣接部103を介
してチャンネルが連続している。これら転送電極93,94
は、共に略台形状に形成され、隣接部103側に向かって
拡がるように形成されている。また、他の転送電極95〜
100も同様に略台形状に形成されている。このように各
転送電極93〜100は、形状を略台形状とすることで、拡
がった辺におけるポテンシャルを深くすることができ、
その転送効率を高めることができる。
FIG. 9 is a plan view of a main part, in which a first register 91 and a second register 92 for transferring charges in the H direction are H
They are formed parallel to each other with the direction being the longitudinal direction. The first register 91 has transfer electrodes 93, 95, 96, 97, and the second register 92 has transfer electrodes 94, 98, 99, 100. Although the first register 91 and the second register 92 are electrically separated by the channel stop region 102, the transfer electrode 93 and the transfer electrode 94 project to the channel stop region 102 so that one side thereof abuts. The transfer electrodes 93 and 94 are adjacent to each other, and the channel is continuous via the adjacent portion 103. These transfer electrodes 93, 94
Are formed in a substantially trapezoidal shape, and are formed so as to expand toward the adjacent portion 103 side. Also, other transfer electrodes 95 to
100 is also formed in a substantially trapezoidal shape. In this way, each of the transfer electrodes 93 to 100 can have a substantially trapezoidal shape, so that the potential on the expanded side can be deepened.
The transfer efficiency can be improved.

上記各転送電極93〜100には、それぞれ4相の転送信
号Φ1〜Φ4のうちの1つが供給される。転送電極95,1
00には、第1相の信号Φ1が供給され、転送電極94,96
には、第2相の信号Φ2が供給される。転送電極97,98
には、第3相の信号Φ3が供給され、転送電極93,99に
は、第4相の信号Φ4が供給される。さらに、上記各転
送電極93〜100のうち、信号Φ1と信号Φ3の供給され
る転送電極95,97,98,100の下部領域は、トランスファー
部とされる。また、信号Φ2,信号Φ4の供給される転送
電極93,94,96,99の下部領域は、トランスファー部より
もポテンシャル井戸の深いストレージ部とされる。この
ように各レジスタ91,92では、ストレージ部とトランス
ファー部が交互に形成されることになり、この転送効率
を高めることができる。そして、特に転送電極94の下部
領域は、概ねストレージ部とされるが、その隣接側の領
域にはトランスファー部101が形成されている。このた
め転送電極94の下部のチャンネル領域を非蓄積状態に戻
す時等に隣接部103に電荷が残存するような弊害が抑え
られ、V方向のレジスタ間の転送効率を改善することも
可能となる。
Each of the transfer electrodes 93 to 100 is supplied with one of four-phase transfer signals Φ1 to Φ4. Transfer electrode 95,1
00, the first phase signal Φ1 is supplied, and the transfer electrodes 94, 96
Is supplied with a second-phase signal Φ2. Transfer electrodes 97, 98
Is supplied with a third-phase signal Φ3, and the transfer electrodes 93 and 99 are supplied with a fourth-phase signal Φ4. Further, of the transfer electrodes 93 to 100, the lower region of the transfer electrodes 95, 97, 98, and 100 to which the signals Φ1 and Φ3 are supplied is a transfer unit. The lower region of the transfer electrodes 93, 94, 96, and 99 to which the signals Φ2 and Φ4 are supplied is a storage portion having a deeper potential well than the transfer portion. As described above, in each of the registers 91 and 92, the storage section and the transfer section are formed alternately, and the transfer efficiency can be increased. In particular, the lower region of the transfer electrode 94 is generally a storage portion, and a transfer portion 101 is formed in a region adjacent to the storage portion. Therefore, when the channel region below the transfer electrode 94 is returned to the non-accumulation state, the adverse effect that charges remain in the adjacent portion 103 is suppressed, and the transfer efficiency between registers in the V direction can be improved. .

第10図は、そのV方向のレジスタ間の転送を模式的に
示した図である。第10図に示すように、隣接部103の転
送電極94側にはトランスファー部101が形成されてお
り、そのトランスファー部101が形成された領域だけ、
転送電極94の下部領域のポテンシャル井戸は浅くなり、
電荷は、“L"レベルの転送電極93の下部領域から“H"レ
ベルの転送電極94の下部領域への転送される。このと
き、トランスファー部101が形成されていることから、
転送電極94の下部領域から転送電極93の下部領域へ転送
電荷が逆流することが防止される。
FIG. 10 is a diagram schematically showing the transfer between registers in the V direction. As shown in FIG. 10, a transfer portion 101 is formed on the transfer electrode 94 side of the adjacent portion 103, and only in a region where the transfer portion 101 is formed,
The potential well in the lower region of the transfer electrode 94 becomes shallower,
The electric charges are transferred from the lower region of the “L” level transfer electrode 93 to the lower region of the “H” level transfer electrode 94. At this time, since the transfer portion 101 is formed,
Backflow of the transfer charge from the lower region of the transfer electrode 94 to the lower region of the transfer electrode 93 is prevented.

また、H方向のレジスタ内の転送を行う場合にも、上
記第1の実施例と同様に、次に電荷を転送すべき転送電
極に供給される信号を“L"レベルから“H"レベルに変化
させ、その後、それまで電荷を蓄積していた転送電極に
供給される信号を“H"レベルから“L"レベルにし、これ
を順に進めることによって行われる。
Also, in the case of performing the transfer in the register in the H direction, similarly to the first embodiment, the signal supplied to the transfer electrode to which the charge is to be transferred next is changed from the “L” level to the “H” level. After that, the signal supplied to the transfer electrode that has accumulated the electric charge is changed from “H” level to “L” level, and the signal is sequentially advanced.

ところで、H方向の転送に関し、互いに隣接する転送
電極が共に“H"レベル(高レベル)となった場合でも、
そのポテンシャル差によって電荷を転送することができ
る。第11図は、そのH方向のレジスタ内の転送を模式的
に示した図である。同一レジスタ内に互いに隣接する3
つの転送電極96,97,93には、4相の信号のうちの信号Φ
2,Φ3,Φ4が供給される。このとき、本実施例の基本と
なる第1の実施例では、第11図(a)に示すように、信
号Φ4が“H"レベルであり、信号Φ3が“L"レベルであ
るときに、信号Φ3を“H"レベルから“L"レベルにする
と、転送電極96と転送電極97のオーバーラップ部にポテ
ンシャルのディップ105ができてしまい、このディップ1
05に電荷が流れてしまうことになる。
By the way, regarding the transfer in the H direction, even when both of the transfer electrodes adjacent to each other become “H” level (high level),
Charge can be transferred by the potential difference. FIG. 11 is a diagram schematically showing the transfer in the register in the H direction. 3 adjacent to each other in the same register
The signal Φ of the four-phase signal is applied to the two transfer electrodes 96, 97, and 93.
2, Φ3, Φ4 are supplied. At this time, in the first embodiment which is the basis of the present embodiment, as shown in FIG. 11A, when the signal Φ4 is at the “H” level and the signal Φ3 is at the “L” level, When the signal Φ3 is changed from the “H” level to the “L” level, a potential dip 105 is formed in an overlap portion between the transfer electrode 96 and the transfer electrode 97, and this dip 1
The electric charge will flow in 05.

本実施例では、電荷を転送電極96から伝送電極93の方
向に転送するとき、転送方向に向かって深くなるポテン
シャルを形成するように信号Φ2,Φ3,Φ4を供給する。
この間、第11図(b)に示すように、転送電極97の下部
領域がトランスファー部でとなり転送電極93の下部領域
がストレージ部となり、例えば信号Φ3とΦ4が共に
“H"レベル(高レベル)になることがある。この場合に
おいても、転送電極97の下部領域にトランスファー部が
形成されていることから、信号Φ2の領域に蓄積された
電荷を、そのポテンシャル差によって信号Φ4の領域に
転送することが可能になる。この後、第11図(c)に示
すように、信号Φ3は、“L"レベルとなり、転送電極93
にバリアを形成する。これによって、信号Φ4が“H"レ
ベルであり、信号Φ2が“L"レベルであるときに、信号
Φ3を“H"レベルから“L"レベルになっても、電荷が逆
流することを防止することができる。
In this embodiment, when charges are transferred from the transfer electrode 96 to the transfer electrode 93, the signals Φ2, Φ3, and Φ4 are supplied so as to form a potential that becomes deeper in the transfer direction.
During this time, as shown in FIG. 11 (b), the lower region of the transfer electrode 97 becomes the transfer portion and the lower region of the transfer electrode 93 becomes the storage portion. For example, both the signals Φ3 and Φ4 are at the “H” level (high level). It may be. Also in this case, since the transfer portion is formed in the lower region of the transfer electrode 97, the electric charge accumulated in the region of the signal Φ2 can be transferred to the region of the signal Φ4 by the potential difference. Thereafter, as shown in FIG. 11 (c), the signal Φ3 becomes “L” level and the transfer electrode 93
To form a barrier. Thus, when the signal Φ4 is at the “H” level and the signal Φ2 is at the “L” level, even if the signal Φ3 changes from the “H” level to the “L” level, the charge is prevented from flowing backward. be able to.

本実施例の基本となる第1の実施例では、それまで電
荷を蓄積していた転送電極に供給される信号を“H"レベ
ルから“L"レベルに立ち下げる時間により電荷の転送効
率が決まるの対して、本実施例では、転送電極を駆動す
る信号のパルス幅により電荷の転送効率が決まる。した
がって、本実施例においては、電荷の転送効率が、正確
な制御が困難なクロックパルスの立ち下がり時間ではな
く、容易かつ確実に制御できるクロックパルスの幅に依
存することになるため、転送時間を長く確保することが
できる。したがって、V方向の転送と同様に効率の良い
転送が実現される。
In the first embodiment, which is the basis of the present embodiment, the charge transfer efficiency is determined by the time required for the signal supplied to the transfer electrode, which has accumulated the charge, to fall from the "H" level to the "L" level. On the other hand, in this embodiment, the charge transfer efficiency is determined by the pulse width of the signal for driving the transfer electrode. Therefore, in the present embodiment, the charge transfer efficiency depends not on the fall time of the clock pulse, which is difficult to control accurately, but on the width of the clock pulse that can be controlled easily and reliably. It can be secured for a long time. Therefore, efficient transfer is realized similarly to the transfer in the V direction.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明の電荷転送装置は、異なるレジスタの転送電極
同士が隣接されることで、レジスタ間の電荷転送が直接
的に行われるため、レジスタ間の電荷転送がトランスフ
ァーゲート等の構造を必要とせず、そのゲート部分に電
荷が一度蓄積されることなく行われる。このため、電荷
の転送効率の向上を図ることができる。
In the charge transfer device of the present invention, since the transfer electrodes of different registers are adjacent to each other, the charge transfer between the registers is performed directly, so that the charge transfer between the registers does not require a structure such as a transfer gate. This operation is performed without accumulating charges once in the gate portion. For this reason, the transfer efficiency of charges can be improved.

また、電荷のレジスタ間転送を行うときやレジスト内
転送を行うときに、レジスタ間の電荷転送する方向に隣
接する転送電極を互いに異なるパルスで駆動することか
ら、隣接する転送電極下部に電荷が漏れることを防止す
ることができる。
In addition, when charge transfer between registers or transfer within a resist is performed, adjacent transfer electrodes in the direction in which charges are transferred between registers are driven by different pulses from each other, so that charges leak below the adjacent transfer electrodes. Can be prevented.

更に、本発明の電荷転送装置は、各色毎のセンサーに
対応してレジスタが配置する構造にできるため、レジス
タと色信号が1対1に対応して混色を防止でき、センサ
ー列において各センサーが一列に並べられるため、位置
ずれの無い同じラインでの画像情報を得ることができ
る。
Furthermore, the charge transfer device of the present invention can have a structure in which registers are arranged in correspondence with sensors for each color, so that color mixing can be prevented in one-to-one correspondence between registers and color signals, and each sensor in the sensor row Since they are arranged in a line, it is possible to obtain image information on the same line without displacement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の電荷転送装置の一例の要部平面図、第
2図はその一例の電荷の転送動作を説明するための波形
図、第3図は本発明の電荷転送装置の他の一例の要部平
面図、第4図はその他の一例の電荷のV方向の転送動作
を説明するための波形図、第5図は上記他の一例の電荷
のH方向の転送動作を説明するための波形図である。第
6図は本発明の電荷転送装置のさらに他の一例の構成を
示すブロック図、第7図は本発明の電荷転送装置のまた
更に他の一例の構成を示すブロック図である。第8図は
従来の電荷転送装置の一例を示す要部平面図である。第
9図は本発明の電荷転送装置のさらに他の一例の要部平
面図、第10図はその第9図の一例のレジスタ間の転送動
作を説明するための模式的なポテンシャル図であり、第
11図は、上記第9図の一例のレジスタ内の転送動作を説
明するための模式的なポテンシャル図である。 1,21,41,51……第1のレジスタ、2,22,42,52……第2の
レジスタ、3〜10,31〜34……転送電極,20,40,50……セ
ンサー列、23,43,53……第3のレジスタ、24,44,54……
第1のセンサー、25,45,55……第2のセンサー、26,46,
56……第3のセンサー、11,35……チャンネルストッパ
ー領域、27〜30……ゲート領域、Φ1〜Φ4……信号
FIG. 1 is a plan view of an essential part of an example of the charge transfer device of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram for explaining an example of the charge transfer operation, and FIG. 3 is another example of the charge transfer device of the present invention. FIG. 4 is a plan view of a main part of one example, FIG. 4 is a waveform diagram for explaining a V-direction transfer operation of another example of electric charge, and FIG. 5 is a diagram for explaining an H-direction transfer operation of another example of the above electric charge. FIG. FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of still another example of the charge transfer device of the present invention, and FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of still another example of the charge transfer device of the present invention. FIG. 8 is a plan view of an essential part showing an example of a conventional charge transfer device. FIG. 9 is a plan view of a principal part of still another example of the charge transfer device of the present invention, and FIG. 10 is a schematic potential diagram for explaining the transfer operation between registers of the example of FIG. No.
FIG. 11 is a schematic potential diagram for explaining the transfer operation in the register of the example of FIG. 1,21,41,51... First register, 2,22,42,52... Second register, 3-10,31-34... Transfer electrode, 20,40,50. 23, 43, 53… third register, 24, 44, 54…
First sensor, 25, 45, 55 ... second sensor, 26, 46,
56: Third sensor, 11, 35: Channel stopper area, 27 to 30: Gate area, Φ1 to Φ4 ... Signal

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−106148(JP,A) 特開 昭60−182892(JP,A) 特開 昭62−76960(JP,A) 特開 昭63−9153(JP,A) 特開 昭60−130978(JP,A) 特開 昭59−218700(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768 H04N 5/335 Continuation of the front page (56) References JP-A-59-106148 (JP, A) JP-A-60-182892 (JP, A) JP-A-62-76960 (JP, A) JP-A-63-9153 (JP, A) , A) JP-A-60-130978 (JP, A) JP-A-59-218700 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 27/14-27/148 H01L 29/762-29/768 H04N 5/335

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】互いに平行に設けられた少なくとも第1の
レジスタと第2のレジスタの間で電荷転送する電荷転送
装置において、 上記レジスタ間の電荷転送を行う転送電極は、互いに隣
接して形成されているとともに上記各レジスタ内の電荷
転送を行う転送電極としても機能し、上記レジスタ内転
送を行うとき、隣接する転送電極を同時にレベル変化し
たり同時に電荷の蓄積レベルになることのない異なるパ
ルス信号で駆動し、電荷の上記レジスタ間転送を行うと
き、少なくとも電荷を受け取る側の転送電極のポテンシ
ャルを電荷を送り出す側の転送電極のポテンシャルより
も深くすることを特徴とする電荷転送装置。
1. A charge transfer device for transferring charges between at least a first register and a second register provided in parallel with each other, wherein transfer electrodes for transferring charges between the registers are formed adjacent to each other. In addition, the pulse signal functions as a transfer electrode for transferring charges in each of the registers. When performing the transfer in the register, different pulse signals that do not simultaneously change the level of the adjacent transfer electrodes or simultaneously reach the charge accumulation level. A charge transfer device, wherein at least the potential of the transfer electrode on the side receiving the charge is made deeper than the potential of the transfer electrode on the side sending the charge when the charge is transferred between the registers.
【請求項2】隣接して形成された上記レジスタ間転送を
行う各転送電極は、隣接側の電極幅が拡げられて形成さ
れていることを特徴とする請求項第1項記載の電荷転送
装置。
2. The charge transfer device according to claim 1, wherein each of the adjacent transfer electrodes for performing the inter-register transfer is formed such that the electrode width on the adjacent side is increased. .
【請求項3】隣接して形成された上記レジスタ間転送を
行う各転送電極のうち、電荷を受け取る側の転送電極の
隣接側には、トランスファー部が形成されていることを
特徴とする請求項第1項記載の電荷転送装置。
3. A transfer section is formed on a side adjacent to a transfer electrode on a charge receiving side, among transfer electrodes formed adjacent to each other and performing transfer between registers. 2. The charge transfer device according to claim 1.
【請求項4】それぞれ異なる色透過型のフィルターが形
成され且つそのフィルターを介してそれぞれ異なる光を
受光する第1のセンサー、第2のセンサー及び第3のセ
ンサーが一列に並べられたセンサー列と、 複数の上記第1のセンサーに対応した第1のレジスタ
と、 複数の上記第2のセンサーに対応した第2のレジスタ
と、 複数の上記第3のセンサーに対応した第3のレジスタと
を備え、 上記第1乃至第3のレジスタは、上記センサー列に平行
して設けられ、各レジスタ間のレジスタ間転送を行う各
レジスタの転送電極は、互いに隣接して形成されている
とともに上記各レジスタ内の電荷転送を行う転送電極と
しても機能し、上記レジスタ内転送を行うとき、隣接す
る転送電極を同時にレベル変化したり同時に電荷の蓄積
レベルになることのない異なるパルス信号で駆動し、電
荷の上記レジスタ間転送を行うとき、少なくとも電荷を
受け取る側の転送電極のポテンシャルを電荷を送り出す
側の転送電極のポテンシャルよりも深くすることを特徴
とする電荷転送装置。
4. A sensor array in which a first sensor, a second sensor, and a third sensor, each having a different color transmission type filter and receiving different light through the filter, are arranged in a line. A first register corresponding to the plurality of first sensors, a second register corresponding to the plurality of second sensors, and a third register corresponding to the plurality of third sensors. The first to third registers are provided in parallel with the sensor row, and the transfer electrodes of the registers that perform inter-register transfer between the registers are formed adjacent to each other, and the transfer electrodes of the respective registers are formed in the registers. When the above-mentioned register transfer is performed, the level of the adjacent transfer electrodes changes at the same time or the charge transfer level becomes the same at the same time. When the charge is transferred between the registers by driving with a different pulse signal having no charge, the potential of at least the transfer electrode on the side receiving the charge is made deeper than the potential of the transfer electrode on the side sending the charge. Transfer device.
JP10252090A 1989-05-02 1990-04-18 Charge transfer device Expired - Fee Related JP3153910B2 (en)

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