JPH05257023A - 導波路装置の作製方法 - Google Patents
導波路装置の作製方法Info
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- JPH05257023A JPH05257023A JP4055393A JP5539392A JPH05257023A JP H05257023 A JPH05257023 A JP H05257023A JP 4055393 A JP4055393 A JP 4055393A JP 5539392 A JP5539392 A JP 5539392A JP H05257023 A JPH05257023 A JP H05257023A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 作業性が良く精度が高い光軸合わせを可能に
する導波路装置。 【構成】 導波路装置１０の端面には、Ｓｉ基板２上に
形成した導波路部分４ａの端面が露出している。また、
一対のＶ溝２ａは、予め表面にガラス微粒子層の堆積を
防止する表面処理を施した領域に形成されたものなの
で、精度が維持されている。ホルダ２０はＳｉ基板を加
工したもので、その表面にはファイバ２２が導波路部分
４ａと同間隔で固定されている。このホルダ２０側にも
一対のＶ溝２６が形成されている。導波路装置１０のＶ
溝２ａからホルダ２０のＶ溝２６にかけて一対のガイド
ピンを通す。これらのガイドピンに対して導波路装置１
０とホルダ２０を機械的に押し付けると、導波路装置１
０の導波路部分４ａの端面とホルダ２０のファイバの端
面の結合において精度の高い光軸合わせが可能になる。
する導波路装置。 【構成】 導波路装置１０の端面には、Ｓｉ基板２上に
形成した導波路部分４ａの端面が露出している。また、
一対のＶ溝２ａは、予め表面にガラス微粒子層の堆積を
防止する表面処理を施した領域に形成されたものなの
で、精度が維持されている。ホルダ２０はＳｉ基板を加
工したもので、その表面にはファイバ２２が導波路部分
４ａと同間隔で固定されている。このホルダ２０側にも
一対のＶ溝２６が形成されている。導波路装置１０のＶ
溝２ａからホルダ２０のＶ溝２６にかけて一対のガイド
ピンを通す。これらのガイドピンに対して導波路装置１
０とホルダ２０を機械的に押し付けると、導波路装置１
０の導波路部分４ａの端面とホルダ２０のファイバの端
面の結合において精度の高い光軸合わせが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信情報処理分野にお
いて光部品として用いられる導波路装置であって光ファ
イバ等との接続が容易な導波路装置の作製方法に関す
る。
いて光部品として用いられる導波路装置であって光ファ
イバ等との接続が容易な導波路装置の作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の方法によって作製した導波路装置
は、ファイバとの接続が困難であった。即ち、導波路と
ファイバとの結合を良くする光軸合わせのため、導波路
装置とファイバとの相対位置を微動させながら、その結
合損失が少なくなる位置に調整し、これらを樹脂によっ
て固定していた。
は、ファイバとの接続が困難であった。即ち、導波路と
ファイバとの結合を良くする光軸合わせのため、導波路
装置とファイバとの相対位置を微動させながら、その結
合損失が少なくなる位置に調整し、これらを樹脂によっ
て固定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
導波路装置における光軸合わせの作業は、多大の労力と
時間を必要とした。また、樹脂の温度特性によって光軸
ずれが生じるといった問題もあった。さらに、導波路装
置とファイバとの接続を簡易に分離することも困難あっ
た。
導波路装置における光軸合わせの作業は、多大の労力と
時間を必要とした。また、樹脂の温度特性によって光軸
ずれが生じるといった問題もあった。さらに、導波路装
置とファイバとの接続を簡易に分離することも困難あっ
た。
【０００４】そこで、本発明は、作業性が良く精度が高
い光軸合わせを可能にする導波路装置の作製方法を提供
することを目的とする。
い光軸合わせを可能にする導波路装置の作製方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る導波路装置の作製方法は、（ａ）基板
上の所定領域に導波路形成材料が堆積することを制限す
る表面処理を施す第１工程と、（ｂ）基板上の所定領域
外に導波路形成材料を堆積して導波路を形成する第２工
程と、（ｃ）基板上の所定領域内に調心用溝を形成する
第３工程とを備えることとしている。
め、本発明に係る導波路装置の作製方法は、（ａ）基板
上の所定領域に導波路形成材料が堆積することを制限す
る表面処理を施す第１工程と、（ｂ）基板上の所定領域
外に導波路形成材料を堆積して導波路を形成する第２工
程と、（ｃ）基板上の所定領域内に調心用溝を形成する
第３工程とを備えることとしている。
【０００６】
【作用】上記導波路装置の作製方法では、第２工程で上
記所定領域の外側に導波路を形成する前に、第１工程で
この所定領域に導波路形成材料が堆積することを制限す
る表面処理を施すこととしている。このため、所定領域
内の調心用溝を形成すべき領域に導波路形成材料が堆積
することを防止でき、その後の第３工程における調心用
溝の形成が高精度かつ容易なものとなる。したがって、
得られたこの導波路装置と、同様の調心用溝を備える支
持装置であってファイバ等を別の支持溝に固定した支持
装置との接続において、ガイドピンとこのガイドピンを
これら導波路装置及び支持装置の各調心用溝に密着させ
る適当な押圧手段とを用いることで、これら導波路装置
及び支持装置を精度良く固定することができる。よっ
て、上記導波路装置によれば、その導波路とファイバ等
との結合における光軸合わせが高精度かつ容易なものと
なる。
記所定領域の外側に導波路を形成する前に、第１工程で
この所定領域に導波路形成材料が堆積することを制限す
る表面処理を施すこととしている。このため、所定領域
内の調心用溝を形成すべき領域に導波路形成材料が堆積
することを防止でき、その後の第３工程における調心用
溝の形成が高精度かつ容易なものとなる。したがって、
得られたこの導波路装置と、同様の調心用溝を備える支
持装置であってファイバ等を別の支持溝に固定した支持
装置との接続において、ガイドピンとこのガイドピンを
これら導波路装置及び支持装置の各調心用溝に密着させ
る適当な押圧手段とを用いることで、これら導波路装置
及び支持装置を精度良く固定することができる。よっ
て、上記導波路装置によれば、その導波路とファイバ等
との結合における光軸合わせが高精度かつ容易なものと
なる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
【０００８】図１は、実施例に係る導波路装置の製造方
法を示した図である。
法を示した図である。
【０００９】図１（ａ）及び（ｂ）の工程では、まず導
波路形成用のＳｉ基板２を準備し、次にこのＳｉ基板２
表面を酸化して酸化膜１２を形成する。具体的には、半
導体製造技術を用いてＳｉ基板２を雰囲気炉中で熱酸化
する。その他の酸化方法として、陽極酸化等の各種の既
存の技術を利用することができる。さらに、ＣＶＤ等の
装置によって酸化膜を堆積してもよい。
波路形成用のＳｉ基板２を準備し、次にこのＳｉ基板２
表面を酸化して酸化膜１２を形成する。具体的には、半
導体製造技術を用いてＳｉ基板２を雰囲気炉中で熱酸化
する。その他の酸化方法として、陽極酸化等の各種の既
存の技術を利用することができる。さらに、ＣＶＤ等の
装置によって酸化膜を堆積してもよい。
【００１０】図１（ｃ）の工程では、Ｓｉ基板２上の酸
化膜１２を所定領域で部分的に除去する。具体的には、
半導体製造におけるフォトリソグラフィ技術を利用し、
ウエット又はドライエッチングによって酸化膜１２を除
去し、酸化膜領域１２ａを形成する。ウエットエッチン
グ用のエッチャントとして例えばＨＦ等を用いることが
でき、ドライエッチング用としてＣ2 Ｆ6 等を用いるこ
とができる。なお、酸化膜１２を除去した所定領域は、
調心用の一対のＶ溝を形成すべき領域となっている。
化膜１２を所定領域で部分的に除去する。具体的には、
半導体製造におけるフォトリソグラフィ技術を利用し、
ウエット又はドライエッチングによって酸化膜１２を除
去し、酸化膜領域１２ａを形成する。ウエットエッチン
グ用のエッチャントとして例えばＨＦ等を用いることが
でき、ドライエッチング用としてＣ2 Ｆ6 等を用いるこ
とができる。なお、酸化膜１２を除去した所定領域は、
調心用の一対のＶ溝を形成すべき領域となっている。
【００１１】図１（ｄ）の工程では、下部クラッド層３
及びコア層４を形成する。具体的には、各層３、４に対
応する組成のＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を火炎堆積法に
よって堆積した後、これを加熱透明化することによって
下部クラッド層３とコア層４とを得る。この際、酸化膜
領域１２ａを除去した前述の所定領域では、Ｓｉが露出
しているのでその表面にガラス微粒子が付着しない。し
たがって、酸化膜領域１２ａ上のみにガラス微粒子層が
堆積し、前述の所定領域ではＳｉ基板２の表面が当初の
状態に維持される。なお、下部クラッド層３及びコア層
４の形成方法として、例えばＣＶＤ法等を用いることも
できる。
及びコア層４を形成する。具体的には、各層３、４に対
応する組成のＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を火炎堆積法に
よって堆積した後、これを加熱透明化することによって
下部クラッド層３とコア層４とを得る。この際、酸化膜
領域１２ａを除去した前述の所定領域では、Ｓｉが露出
しているのでその表面にガラス微粒子が付着しない。し
たがって、酸化膜領域１２ａ上のみにガラス微粒子層が
堆積し、前述の所定領域ではＳｉ基板２の表面が当初の
状態に維持される。なお、下部クラッド層３及びコア層
４の形成方法として、例えばＣＶＤ法等を用いることも
できる。
【００１２】図２（ａ）の工程では、下部クラッド層３
及びコア層４を所望のパターンにエッチングする。具体
的には、フォトリソグラフィ技術を利用し、下部クラッ
ド層３及びコア層４にドライエッチング等を施し、Ｙ分
岐導波路のパターンに対応するリッジ状の部分３ａ、４
ａを残す。なお、次の工程のため、酸化膜領域１２ａは
残しておく。
及びコア層４を所望のパターンにエッチングする。具体
的には、フォトリソグラフィ技術を利用し、下部クラッ
ド層３及びコア層４にドライエッチング等を施し、Ｙ分
岐導波路のパターンに対応するリッジ状の部分３ａ、４
ａを残す。なお、次の工程のため、酸化膜領域１２ａは
残しておく。
【００１３】図２（ｂ）の工程では、上部クラッド層６
を形成する。具体的には、上部クラッド層６の組成に対
応するＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を堆積し、これを加熱
透明化することによって上部クラッド層６を形成し、導
波路の部分４ａを得る。この際、酸化膜領域１２ａを除
去した前述の所定領域では、その表面上にガラス微粒子
層が堆積しないので、Ｓｉ基板２の表面が当初の状態に
維持される。
を形成する。具体的には、上部クラッド層６の組成に対
応するＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を堆積し、これを加熱
透明化することによって上部クラッド層６を形成し、導
波路の部分４ａを得る。この際、酸化膜領域１２ａを除
去した前述の所定領域では、その表面上にガラス微粒子
層が堆積しないので、Ｓｉ基板２の表面が当初の状態に
維持される。
【００１４】図２（ｃ）の工程では、Ｓｉ基板２上に５
ｍｍ間隔で平行に延びる一対のＶ溝２ａを形成する。具
体的には、フォトリソグラフィ技術を利用し、ＫＯＨそ
の他（例えば、エチレンジアミン等）のエッチャントを
用いて一対のＶ溝２ａを形成する。エッチャントとして
ＫＯＨを用いた場合、Ｓｉ基板２として（１００）面の
ウェハを利用する。Ｖ溝の代わりに矩形の溝を形成する
場合には、Ｓｉ基板２として（１１０）面のウェハを利
用したり、ＣＦ4 、ＳＦ6 等のプラズマを用いたドライ
エッチングを利用することも可能である。
ｍｍ間隔で平行に延びる一対のＶ溝２ａを形成する。具
体的には、フォトリソグラフィ技術を利用し、ＫＯＨそ
の他（例えば、エチレンジアミン等）のエッチャントを
用いて一対のＶ溝２ａを形成する。エッチャントとして
ＫＯＨを用いた場合、Ｓｉ基板２として（１００）面の
ウェハを利用する。Ｖ溝の代わりに矩形の溝を形成する
場合には、Ｓｉ基板２として（１１０）面のウェハを利
用したり、ＣＦ4 、ＳＦ6 等のプラズマを用いたドライ
エッチングを利用することも可能である。
【００１５】図３は、以上の方法によって得られた導波
路装置１０と、同様のＶ溝を備えるファイバホルダ２０
との接続を説明するための図である。
路装置１０と、同様のＶ溝を備えるファイバホルダ２０
との接続を説明するための図である。
【００１６】導波路装置１０の端面には、Ｙ分岐導波路
の部分４ａの一対の端面４ｂが露出している。また、導
波路装置１０に形成された一対のＶ溝２ａは、Ｙ分岐導
波路の部分４ａをはさんで平行に延びている。ファイバ
ホルダ２０は、Ｓｉ基板をフォトリソグラフィ技術を利
用して加工したもので、その表面には一対のファイバ２
２を一対の端面４ｂと同一間隔に保つ支持溝（不図示）
が形成されている。これらのファイバ２２は上から支持
板２４によって押圧され前述の支持溝に密着して固定さ
れる。このファイバホルダ２０側にもフォトリソグラフ
ィ技術を用いて一対のＶ溝２６が形成されている。これ
らのＶ溝２６は、前述のＶ溝２ａと同一の間隔でファイ
バ２２をはさんで平行に延びる。
の部分４ａの一対の端面４ｂが露出している。また、導
波路装置１０に形成された一対のＶ溝２ａは、Ｙ分岐導
波路の部分４ａをはさんで平行に延びている。ファイバ
ホルダ２０は、Ｓｉ基板をフォトリソグラフィ技術を利
用して加工したもので、その表面には一対のファイバ２
２を一対の端面４ｂと同一間隔に保つ支持溝（不図示）
が形成されている。これらのファイバ２２は上から支持
板２４によって押圧され前述の支持溝に密着して固定さ
れる。このファイバホルダ２０側にもフォトリソグラフ
ィ技術を用いて一対のＶ溝２６が形成されている。これ
らのＶ溝２６は、前述のＶ溝２ａと同一の間隔でファイ
バ２２をはさんで平行に延びる。
【００１７】図３の導波路装置１０とファイバホルダ２
０との接続における光軸合わせについて簡単に説明す
る。導波路装置１０側のＶ溝２ａからファイバホルダ２
０側のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを通す。これ
らのガイドピンに対して導波路装置１０とファイバホル
ダ２０とをバネなどの付勢装置によって機械的に押し付
けると、ガイドピンがＶ溝２ａ、２６の底面に密着して
導波路装置１０とファイバホルダ２０とを簡易かつ精度
よく固定することができる。しかも、導波路装置１０と
ファイバホルダ２０とをパターン精度の高いフォトリソ
グラフィ技術を用いて加工し、かつ、半導体装置１０の
Ｖ溝２ａを形成すべき所定領域に予めガラス微粒子層の
堆積を防止する表面処理を施しているので、導波路装置
１０側のＹ分岐導波路の部分４ａの端面４ｂとファイバ
ホルダ２０側の光ファイバの端面の結合において精度の
高い光軸合わせが可能になる。
０との接続における光軸合わせについて簡単に説明す
る。導波路装置１０側のＶ溝２ａからファイバホルダ２
０側のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを通す。これ
らのガイドピンに対して導波路装置１０とファイバホル
ダ２０とをバネなどの付勢装置によって機械的に押し付
けると、ガイドピンがＶ溝２ａ、２６の底面に密着して
導波路装置１０とファイバホルダ２０とを簡易かつ精度
よく固定することができる。しかも、導波路装置１０と
ファイバホルダ２０とをパターン精度の高いフォトリソ
グラフィ技術を用いて加工し、かつ、半導体装置１０の
Ｖ溝２ａを形成すべき所定領域に予めガラス微粒子層の
堆積を防止する表面処理を施しているので、導波路装置
１０側のＹ分岐導波路の部分４ａの端面４ｂとファイバ
ホルダ２０側の光ファイバの端面の結合において精度の
高い光軸合わせが可能になる。
【００１８】一方、Ｖ溝２ａを形成すべき所定領域の表
面にガラス微粒子層の堆積を防止する表面処理を施して
いない場合、或いはガラス微粒子の堆積前にＶ溝２ａを
形成した場合、Ｖ溝２ａの形状が加工直後の状態に維持
されず、この導波路装置とファイバホルダとを精度良く
固定することができない。
面にガラス微粒子層の堆積を防止する表面処理を施して
いない場合、或いはガラス微粒子の堆積前にＶ溝２ａを
形成した場合、Ｖ溝２ａの形状が加工直後の状態に維持
されず、この導波路装置とファイバホルダとを精度良く
固定することができない。
【００１９】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、導波路形成用の基板としてＧａＡｓ等の
III-V 族半導体を用いた場合、Ｖ溝を形成すべき部分だ
け酸化する。III-V 族結晶では酸化層上に結晶成長でき
ないので、後の工程で導波路形成用の結晶成長を行って
も高精度でＶ溝を形状することができる。また、酸化層
のうち導波路を形成すべき領域だけエッチングを施して
もよい。このためのエッチャントとして、例えばドライ
エッチング用のＢＣｌ3 、ＣＨ4 ／Ｈ2 等の他、ウエッ
トエッチング用のＢｒ2 ／ＣＨ3 ＯＨ等を用いることが
できる。
ない。例えば、導波路形成用の基板としてＧａＡｓ等の
III-V 族半導体を用いた場合、Ｖ溝を形成すべき部分だ
け酸化する。III-V 族結晶では酸化層上に結晶成長でき
ないので、後の工程で導波路形成用の結晶成長を行って
も高精度でＶ溝を形状することができる。また、酸化層
のうち導波路を形成すべき領域だけエッチングを施して
もよい。このためのエッチャントとして、例えばドライ
エッチング用のＢＣｌ3 、ＣＨ4 ／Ｈ2 等の他、ウエッ
トエッチング用のＢｒ2 ／ＣＨ3 ＯＨ等を用いることが
できる。
【００２０】また、導波路形成用の基板の表面処理は、
所定領域の酸化物を除去するだけでなく、この所定領域
を還元することによっても実施することができ、さらに
所定領域を除いた領域のみを酸化することによっても可
能である。
所定領域の酸化物を除去するだけでなく、この所定領域
を還元することによっても実施することができ、さらに
所定領域を除いた領域のみを酸化することによっても可
能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導波路装
置の作製方法では、第２工程で上記所定領域の外側に導
波路を形成する前に、第１工程でこの所定領域に導波路
形成材料が堆積することを制限する表面処理を施すこと
としている。このため、所定領域内の調心用溝を形成す
べき領域に導波路形成材料が堆積することを防止でき、
その後の第３工程で調心用溝の形成のための加工が高精
度かつ容易なものとなる。したがって、得られたこの導
波路装置と、同様の調心用溝を備える支持装置であって
ファイバ等を別の支持溝に固定した支持装置との接続に
おいて、ガイドピンとこのガイドピンを導波路装置及び
支持装置の各調心用溝に密着させる適当な押圧手段とを
用いることで、導波路装置及び支持装置を精度良く固定
することができる。よって、上記導波路装置によれば、
その導波路とファイバ等との結合における光軸合わせが
高精度かつ容易なものとなる。
置の作製方法では、第２工程で上記所定領域の外側に導
波路を形成する前に、第１工程でこの所定領域に導波路
形成材料が堆積することを制限する表面処理を施すこと
としている。このため、所定領域内の調心用溝を形成す
べき領域に導波路形成材料が堆積することを防止でき、
その後の第３工程で調心用溝の形成のための加工が高精
度かつ容易なものとなる。したがって、得られたこの導
波路装置と、同様の調心用溝を備える支持装置であって
ファイバ等を別の支持溝に固定した支持装置との接続に
おいて、ガイドピンとこのガイドピンを導波路装置及び
支持装置の各調心用溝に密着させる適当な押圧手段とを
用いることで、導波路装置及び支持装置を精度良く固定
することができる。よって、上記導波路装置によれば、
その導波路とファイバ等との結合における光軸合わせが
高精度かつ容易なものとなる。
【図１】実施例の導波路装置の作製工程（前半）を示す
図。
図。
【図２】実施例の導波路装置の作製工程（後半）を示す
図。
図。
【図３】図２（ｃ）の導波路装置とファイバホルダとの
接続法を示す図。
接続法を示す図。
２ａ…調心用溝、４ａ…導波路。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上の所定領域に導波路形成材料が堆
積することを制限する表面処理を施す第１工程と、 前記基板上の前記所定領域外に導波路形成材料を堆積し
て導波路を形成する第２工程と、 前記基板上の前記所定領域内に調心用溝を形成する第３
工程と、を備える導波路装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055393A JPH05257023A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055393A JPH05257023A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257023A true JPH05257023A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12997283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4055393A Pending JPH05257023A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05257023A (ja) |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4055393A patent/JPH05257023A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |