JPH05255285A - 環状アミンの立体選択的製造方法 - Google Patents
環状アミンの立体選択的製造方法Info
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- JPH05255285A JPH05255285A JP4089370A JP8937092A JPH05255285A JP H05255285 A JPH05255285 A JP H05255285A JP 4089370 A JP4089370 A JP 4089370A JP 8937092 A JP8937092 A JP 8937092A JP H05255285 A JPH05255285 A JP H05255285A
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下式
（式中、Ｒ1はベンジル基、ベンゾイル基、p-トルエン
スルホニル基又は炭素数１０以下のアルキル基、Ｒ2は
炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは酸素原子又は原子
団ＮＲ2をそれぞれ表わす。）で示される環状アミン
（３）の立体選択的製造方法。 【効果】 本発明によれば、環状アミン（３）を立体選
択的に製造することができるので、本発明の製造方法は
医薬、農薬等の生理活性物質の原料製造法として有用で
ある。
スルホニル基又は炭素数１０以下のアルキル基、Ｒ2は
炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは酸素原子又は原子
団ＮＲ2をそれぞれ表わす。）で示される環状アミン
（３）の立体選択的製造方法。 【効果】 本発明によれば、環状アミン（３）を立体選
択的に製造することができるので、本発明の製造方法は
医薬、農薬等の生理活性物質の原料製造法として有用で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は環状アミンの立体選択的
製造方法に関する。さらに詳しくは、医薬あるいは農薬
等の生理活性物質の製造原料に有用な下式（３）
製造方法に関する。さらに詳しくは、医薬あるいは農薬
等の生理活性物質の製造原料に有用な下式（３）
【０００２】
【化３】 （式中、Ｘは酸素原子または原子団ＮＲ1を示し、Ｒ1は
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る環状アミンの立体選択的製造方法に関する。
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る環状アミンの立体選択的製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】医薬、農薬等の生理活性物質には、ピペ
ラジン誘導体あるいはモルホリン誘導体等の環状アミン
を原料に製造されるものが多い。一方、分子内に不斉炭
素を有する生理活性物質はその立体配置により、その生
理活性あるいは毒性が大きく異なることは稀でない。従
って、光学活性な環状アミノ基を有する生理活性物質の
製造には環状アミンの立体選択的な製造方法が要望され
る。
ラジン誘導体あるいはモルホリン誘導体等の環状アミン
を原料に製造されるものが多い。一方、分子内に不斉炭
素を有する生理活性物質はその立体配置により、その生
理活性あるいは毒性が大きく異なることは稀でない。従
って、光学活性な環状アミノ基を有する生理活性物質の
製造には環状アミンの立体選択的な製造方法が要望され
る。
【０００４】さて、２−ビニルピペラジン誘導体（ある
いは２−ビニルモルホリン誘導体）の一般的な製造方法
として、（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジオール誘導体
とエチレンジアミン誘導体（あるいはエタノールアミン
誘導体）とを、ゼロ価パラジウム錯体の存在下に反応さ
せる方法が津田らにより報告されている〔 J.Org.Che
m.,55 巻,3388-3390頁(1990年）参照〕。
いは２−ビニルモルホリン誘導体）の一般的な製造方法
として、（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジオール誘導体
とエチレンジアミン誘導体（あるいはエタノールアミン
誘導体）とを、ゼロ価パラジウム錯体の存在下に反応さ
せる方法が津田らにより報告されている〔 J.Org.Che
m.,55 巻,3388-3390頁(1990年）参照〕。
【０００５】この方法は、環状アミンの製造方法として
優れたものであるが、その生成物はラセミ体であるの
で、光学活性体を得るべくさらに光学分割処理すると光
学活性体の収率は低くならざるを得ない。収率良く光学
活性環状アミンを得るには、立体選択的な環状アミンの
製造方法が望まれる。
優れたものであるが、その生成物はラセミ体であるの
で、光学活性体を得るべくさらに光学分割処理すると光
学活性体の収率は低くならざるを得ない。収率良く光学
活性環状アミンを得るには、立体選択的な環状アミンの
製造方法が望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記文
献に記載の方法を改良し、環状アミンの立体選択的な製
造方法を提供すべく検討を加えた。本発明の目的は前記
式（３）で示される環状アミンの立体選択的な製造方法
を提供することにある。
献に記載の方法を改良し、環状アミンの立体選択的な製
造方法を提供すべく検討を加えた。本発明の目的は前記
式（３）で示される環状アミンの立体選択的な製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】検討を重ねた結果、本発
明者らは下式（１）
明者らは下式（１）
【０００８】
【化１】 （式中、Ｘは酸素原子または原子団ＮＲ1を示し、Ｒ1は
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る化合物と、下式（２）
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る化合物と、下式（２）
【０００９】
【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜４の低級アルキル基を示
す。）で表わされる化合物とを、不活性有機溶媒中で、
光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体の存在下
に反応させるか、又は下式（１）
す。）で表わされる化合物とを、不活性有機溶媒中で、
光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体の存在下
に反応させるか、又は下式（１）
【００１０】
【化１】 （式中、ＸおよびＲ1は前記に同じ。）で表わされる化
合物と、下式（４）
合物と、下式（４）
【００１１】
【化４】 （式中、Ｒ2は前記に同じ。）で表わされる化合物と
を、不活性有機溶媒中で、光学活性ホスフィンの配位し
たパラジウム錯体および塩基の存在下に反応させと、下
式（３）
を、不活性有機溶媒中で、光学活性ホスフィンの配位し
たパラジウム錯体および塩基の存在下に反応させと、下
式（３）
【００１２】
【化３】 （式中、ＸおよびＲ1は前記に同じ。）で示される環状
アミンが立体選択的に生成することを見い出し、本発明
を完成した。以下に本発明を詳細に説明する。
アミンが立体選択的に生成することを見い出し、本発明
を完成した。以下に本発明を詳細に説明する。
【００１３】前記式（Ｉ）で示される化合物の具体例と
しては、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ′−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジイ
ソブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジアミルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（２−ヘプチル）エチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ′−ジオクチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジデシルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｐ−
トルエンスルホニル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ
ベンジルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジベンゾイルエ
チレンジアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エ
チルエタノールアミン、Ｎ−イソブチルエタノールアミ
ン、Ｎ−アミルエタノールアミン、Ｎ−２−ヘプチルエ
タノールアミン、Ｎ−オクチルエタノールアミン、Ｎ−
デシルエタノールアミン、Ｎ−ベンジルエタノールアミ
ン、Ｎ−ベンゾイルエタノールアミン、Ｎ−ｐ−トルエ
ンスルホニルエタノールアミン等が挙げられる。これら
の化合物は公知であるか、又は文献〔J.Org.Chem.,55
巻,3388-3390頁(1990年)〕記載の方法により容易に得る
ことができる。
しては、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ′−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジイ
ソブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジアミルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（２−ヘプチル）エチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ′−ジオクチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジデシルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｐ−
トルエンスルホニル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ
ベンジルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジベンゾイルエ
チレンジアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エ
チルエタノールアミン、Ｎ−イソブチルエタノールアミ
ン、Ｎ−アミルエタノールアミン、Ｎ−２−ヘプチルエ
タノールアミン、Ｎ−オクチルエタノールアミン、Ｎ−
デシルエタノールアミン、Ｎ−ベンジルエタノールアミ
ン、Ｎ−ベンゾイルエタノールアミン、Ｎ−ｐ−トルエ
ンスルホニルエタノールアミン等が挙げられる。これら
の化合物は公知であるか、又は文献〔J.Org.Chem.,55
巻,3388-3390頁(1990年)〕記載の方法により容易に得る
ことができる。
【００１４】化合物（２）又は（４）において炭素数１
〜４の低級アルキル基とは例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基等
の直鎖又は分枝鎖を有する炭素数１〜４のアルキル基を
意味する。従って、化合物（２）の具体例としては例え
ば（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビス（メチルカ
ーボネート）、（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビ
ス（エチルカーボネート）、（Ｚ）−２−ブテン−１，
４−ジイルビス（イソブチルカーボネート）等が挙げら
れる。又、化合物（４）の具体例としては例えば（Ｚ）
−２−ブテン−１，４−ジイルジアセテート、（Ｚ）−
２−ブテン−１，４−ジイルジプロピオネート、（Ｚ）
−２−ブテン−１，４−ジイルジイソブチレート等を挙
げることができる。これらはいずれも公知化合物である
〔J.Org.Chem.,55巻,3388-3390頁(1990年)〕か、又は常
法に従って調製することができる。
〜４の低級アルキル基とは例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基等
の直鎖又は分枝鎖を有する炭素数１〜４のアルキル基を
意味する。従って、化合物（２）の具体例としては例え
ば（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビス（メチルカ
ーボネート）、（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビ
ス（エチルカーボネート）、（Ｚ）−２−ブテン−１，
４−ジイルビス（イソブチルカーボネート）等が挙げら
れる。又、化合物（４）の具体例としては例えば（Ｚ）
−２−ブテン−１，４−ジイルジアセテート、（Ｚ）−
２−ブテン−１，４−ジイルジプロピオネート、（Ｚ）
−２−ブテン−１，４−ジイルジイソブチレート等を挙
げることができる。これらはいずれも公知化合物である
〔J.Org.Chem.,55巻,3388-3390頁(1990年)〕か、又は常
法に従って調製することができる。
【００１５】本願発明でいう不活性溶媒とは例えばベン
ゼン、トルエン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦと略記する。）等のエーテ
ル系溶媒の他、化合物（１）、（２）、（３）又は
（４）と実質的に反応しない有機溶媒を意味する。
ゼン、トルエン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦと略記する。）等のエーテ
ル系溶媒の他、化合物（１）、（２）、（３）又は
（４）と実質的に反応しない有機溶媒を意味する。
【００１６】本願発明の製造方法において用いる光学活
性ホスフィンの配位したパラジウム錯体とは、ゼロ価も
しくは二価のパラジウム化合物と光学活性ホスフィンと
を反応させて形成される光学活性ホスフィンの配位した
パラジウム錯体を意味し、ゼロ価又は二価のパラジウム
化合物と光学活性ホスフィンとを不活性溶媒中で反応さ
せその生成物を単離することなく、あるいはその生成物
を単離して使用することができる。
性ホスフィンの配位したパラジウム錯体とは、ゼロ価も
しくは二価のパラジウム化合物と光学活性ホスフィンと
を反応させて形成される光学活性ホスフィンの配位した
パラジウム錯体を意味し、ゼロ価又は二価のパラジウム
化合物と光学活性ホスフィンとを不活性溶媒中で反応さ
せその生成物を単離することなく、あるいはその生成物
を単離して使用することができる。
【００１７】ゼロ価のパラジウム化合物としては、溶液
中で第三ホスフィンと容易に交換しうる配位子を有する
パラジウム（０）錯体が好ましく、具体例としてはトリ
ス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラ
ジウム（０）・〔Pd2(dba)3・CHCl3〕を挙げることがで
きる。
中で第三ホスフィンと容易に交換しうる配位子を有する
パラジウム（０）錯体が好ましく、具体例としてはトリ
ス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラ
ジウム（０）・〔Pd2(dba)3・CHCl3〕を挙げることがで
きる。
【００１８】二価のパラジウム化合物とは第三ホスフィ
ン共存下において容易に還元されゼロ価のパラジウム錯
体を与えるパラジウム（II）化合物を意味し、具体例と
しては酢酸パラジウム（II）・〔Pd(OAc)2〕、ジ−μ−
クロロビス（η3−アリル）二パラジウム（II）・
〔[(η3-Allyl)PdCl]2〕等を挙げることができる。
ン共存下において容易に還元されゼロ価のパラジウム錯
体を与えるパラジウム（II）化合物を意味し、具体例と
しては酢酸パラジウム（II）・〔Pd(OAc)2〕、ジ−μ−
クロロビス（η3−アリル）二パラジウム（II）・
〔[(η3-Allyl)PdCl]2〕等を挙げることができる。
【００１９】光学活性ホスフィンとしては例えば以下の
第三ホスフィン誘導体を挙げることができる。 ・（Ｒ）−２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１′−ビナフチル又は（Ｓ）−２，２′−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル〔それぞ
れ(R)-BINAP又は(S)-BINAPと略記する。〕 ・（２Ｒ，３Ｒ）−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン又は（２Ｓ，３Ｓ）−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン〔それぞれ(R,R)-CHIRAPHOS又は(S,S)-CHIRAPHOS
と略記する。〕 ・（Ｒ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−〔（Ｓ）−１′，２
−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチル
アミン又は（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−〔（Ｒ）−
１′，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕エチルアミン〔それぞれ(R)-(S)-BPPFA又は(S)-(R)
-BPPFAと略記する。〕 ・（Ｒ）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチル
−１−〔（Ｓ）−１′，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）フェロセニル〕エチルアミン又は（Ｓ）−Ｎ−（２
−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチル−１−〔（Ｒ）−
１′，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕エチルアミン〔それぞれ(R)-(S)-FcP又は(S)-(R)-F
cPと略記する。〕 ・（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ−２′−メトキシ
−１，１′−ビナフチル又は（Ｓ）−２−ジフェニルホ
スフィノ−２′−メトキシ−１，１′−ビナフチル〔そ
れぞれ(R)-MeO-MOP又は(S)-MeO-MOPと略記する。〕
第三ホスフィン誘導体を挙げることができる。 ・（Ｒ）−２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１′−ビナフチル又は（Ｓ）−２，２′−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル〔それぞ
れ(R)-BINAP又は(S)-BINAPと略記する。〕 ・（２Ｒ，３Ｒ）−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン又は（２Ｓ，３Ｓ）−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン〔それぞれ(R,R)-CHIRAPHOS又は(S,S)-CHIRAPHOS
と略記する。〕 ・（Ｒ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−〔（Ｓ）−１′，２
−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチル
アミン又は（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−〔（Ｒ）−
１′，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕エチルアミン〔それぞれ(R)-(S)-BPPFA又は(S)-(R)
-BPPFAと略記する。〕 ・（Ｒ）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチル
−１−〔（Ｓ）−１′，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）フェロセニル〕エチルアミン又は（Ｓ）−Ｎ−（２
−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチル−１−〔（Ｒ）−
１′，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕エチルアミン〔それぞれ(R)-(S)-FcP又は(S)-(R)-F
cPと略記する。〕 ・（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ−２′−メトキシ
−１，１′−ビナフチル又は（Ｓ）−２−ジフェニルホ
スフィノ−２′−メトキシ−１，１′−ビナフチル〔そ
れぞれ(R)-MeO-MOP又は(S)-MeO-MOPと略記する。〕
【００２０】化合物（１）と（２）との反応あるいは化
合物（１）と（４）との反応において、光学活性ホスフ
ィンの配位したパラジウム錯体の使用量は化合物（１）
１モルに対しパラジウム換算で０．００５〜０．２０倍
モル、好ましくは０．０１〜０．０５倍モルである。
合物（１）と（４）との反応において、光学活性ホスフ
ィンの配位したパラジウム錯体の使用量は化合物（１）
１モルに対しパラジウム換算で０．００５〜０．２０倍
モル、好ましくは０．０１〜０．０５倍モルである。
【００２１】従って光学活性ホスフィンの配位したパラ
ジウム錯体を単離しないで使用する場合は、相当する量
のゼロ価又は二価のパラジウム化合物と該パラジウム化
合物１モル（パラジウム換算）に対し１．０〜４．０当
量、好ましくは１．５〜２．５当量の光学活性ホスフィ
ンを不活性溶媒中で０．５〜２時間室温で撹拌した後そ
の反応溶液を本発明の製造方法に使用する。ここで生成
する光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体は前
述の通り単離することなく本発明の製造方法に使用可能
であるが、例えばビス〔（Ｒ）−２，２′−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル〕・パラジ
ウム（０）・〔Pd[(R)-BINAP]2〕は公知の方法により単
離し使用することができる。
ジウム錯体を単離しないで使用する場合は、相当する量
のゼロ価又は二価のパラジウム化合物と該パラジウム化
合物１モル（パラジウム換算）に対し１．０〜４．０当
量、好ましくは１．５〜２．５当量の光学活性ホスフィ
ンを不活性溶媒中で０．５〜２時間室温で撹拌した後そ
の反応溶液を本発明の製造方法に使用する。ここで生成
する光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体は前
述の通り単離することなく本発明の製造方法に使用可能
であるが、例えばビス〔（Ｒ）−２，２′−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル〕・パラジ
ウム（０）・〔Pd[(R)-BINAP]2〕は公知の方法により単
離し使用することができる。
【００２２】次に化合物（１）と化合物（２）との反応
条件について説明する。化合物（１）と化合物（２）と
の反応は、光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯
体の存在下、不活性溶媒中で、好ましくは窒素又はアル
ゴン等の不活性気体の雰囲気下に行う。
条件について説明する。化合物（１）と化合物（２）と
の反応は、光学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯
体の存在下、不活性溶媒中で、好ましくは窒素又はアル
ゴン等の不活性気体の雰囲気下に行う。
【００２３】化合物（１）に対する化合物（２）の使用
量は化合物（１）１モルに対して０．５〜２．０倍モ
ル，好ましくは０．８〜１．２倍モルである。反応温度
は室温〜溶媒の沸点温度であり、反応時間は通常０．５
〜９６時間である。
量は化合物（１）１モルに対して０．５〜２．０倍モ
ル，好ましくは０．８〜１．２倍モルである。反応温度
は室温〜溶媒の沸点温度であり、反応時間は通常０．５
〜９６時間である。
【００２４】次に、化合物（１）と化合物（４）との反
応条件について説明する。化合物（１）と化合物（４）
との反応は塩基の存在下で行う以外は、上記の化合物
（１）と化合物（２）との反応と同様に行う。塩基とし
ては例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルア
ミン等の三級アミンが好ましい。塩基の使用量は用いる
塩基の種類により異なるが、通常、化合物（１）に対し
２．０〜３．０倍モル、好ましくは２．０〜２．４倍モ
ルである。
応条件について説明する。化合物（１）と化合物（４）
との反応は塩基の存在下で行う以外は、上記の化合物
（１）と化合物（２）との反応と同様に行う。塩基とし
ては例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルア
ミン等の三級アミンが好ましい。塩基の使用量は用いる
塩基の種類により異なるが、通常、化合物（１）に対し
２．０〜３．０倍モル、好ましくは２．０〜２．４倍モ
ルである。
【００２５】本願発明の製造方法によれば環状アミン
（３）の一方の鏡像異性体を立体選択的に製造可能であ
る。環状アミン（３）の対応する他方の鏡像異性体を立
体選択的に得るには光学活性ホスフィンの他方の鏡像体
〔例えば(R)-BINAPに対しては(S)-BINAP、(R,R)-CHIRAP
HOSに対しては(S,S)-CHIRAPHOS、(R)-(S)-BPPFAに対し
ては(S)-(R)-BPPFA、(R)-(S)-FcPに対しては(S)-(R)-Fc
P、(R)-MeO-MOPに対しては(S)-MeO-MOP〕を用いればよ
い。
（３）の一方の鏡像異性体を立体選択的に製造可能であ
る。環状アミン（３）の対応する他方の鏡像異性体を立
体選択的に得るには光学活性ホスフィンの他方の鏡像体
〔例えば(R)-BINAPに対しては(S)-BINAP、(R,R)-CHIRAP
HOSに対しては(S,S)-CHIRAPHOS、(R)-(S)-BPPFAに対し
ては(S)-(R)-BPPFA、(R)-(S)-FcPに対しては(S)-(R)-Fc
P、(R)-MeO-MOPに対しては(S)-MeO-MOP〕を用いればよ
い。
【００２６】上記反応で生成する環状アミン（３）は、
通常の精製方法、例えばカラムクロマトグラフィー、蒸
留又は再結晶により容易に精製でき、要すれば塩酸塩等
の酸付加塩とした後再結晶することもできる。本願発明
により得られる環状アミン（３）の鏡像異性体過剰率は
通常２０〜７０％ｅｅであり、更に通常の光学分割処理
を行うことにより光学純度１００％の精製物を高収率で
得ることができる。
通常の精製方法、例えばカラムクロマトグラフィー、蒸
留又は再結晶により容易に精製でき、要すれば塩酸塩等
の酸付加塩とした後再結晶することもできる。本願発明
により得られる環状アミン（３）の鏡像異性体過剰率は
通常２０〜７０％ｅｅであり、更に通常の光学分割処理
を行うことにより光学純度１００％の精製物を高収率で
得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、環状アミン
（３）を立体選択的に製造することができるので光学活
性な環状アミン（３）を高収率で得ることができる。従
って本法は種々の医薬、農薬等の生理活性物質の原料製
造法として有用である。
（３）を立体選択的に製造することができるので光学活
性な環状アミン（３）を高収率で得ることができる。従
って本法は種々の医薬、農薬等の生理活性物質の原料製
造法として有用である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。 実施例１光学活性４−ｐ−トルエンスルホニル−２−ビニルモル
ホリンの製造： 反応容器（容量２５ml）にPd2(dba)3・CH
Cl3６．５mgおよび(R)-BINAP７．８mgを入れ窒素置換を
行った後ＴＨＦ（精製ＴＨＦ：乾燥剤を加えて蒸留し
た。以下同様。）２．５mlを加え室温で１時間撹拌し
た。その後、Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルエタノールア
ミン５３．８mg、次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−
ジイルビス（メチルカーボネート）５１mgを室温で加え
４０℃にて２４時間反応を行った。溶媒を減圧留去した
後シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：酢
酸エチル）を行い、更に中圧液体カラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）に
て精製し、白色結晶２１．５mg（収率５３％）を得た。
このものの鏡像異性体過剰率をＨＰＬＣ分析（ＤＡＩＣ
ＥＬ ＯＤ，溶出液：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール
＝９／１）したところ５０％ｅｅであった。
に説明する。 実施例１光学活性４−ｐ−トルエンスルホニル−２−ビニルモル
ホリンの製造： 反応容器（容量２５ml）にPd2(dba)3・CH
Cl3６．５mgおよび(R)-BINAP７．８mgを入れ窒素置換を
行った後ＴＨＦ（精製ＴＨＦ：乾燥剤を加えて蒸留し
た。以下同様。）２．５mlを加え室温で１時間撹拌し
た。その後、Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルエタノールア
ミン５３．８mg、次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−
ジイルビス（メチルカーボネート）５１mgを室温で加え
４０℃にて２４時間反応を行った。溶媒を減圧留去した
後シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：酢
酸エチル）を行い、更に中圧液体カラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）に
て精製し、白色結晶２１．５mg（収率５３％）を得た。
このものの鏡像異性体過剰率をＨＰＬＣ分析（ＤＡＩＣ
ＥＬ ＯＤ，溶出液：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール
＝９／１）したところ５０％ｅｅであった。
【００２９】1Ｈ−ＮＭＲ(270MHz,CDCl3)δ:2.39(1H,d
d,J=11.6Hz,J=3.6Hz),2.44(3H,s),3.49〜3.79(4H,m),3.
95(1H,ddd,J=11.6Hz,J=3.3Hz,J=1.7Hz),4.02〜4.08(1H,
m),5.21(1H,dt,J=10.6Hz,J=1.3Hz),5.33(1H,dt,J=17.5H
z,J=1.3Hz),5.72(1H,ddd,J=17.5Hz,J=10.6Hz,J=5.3Hz),
7.34(2H,d,J=7.9Hz),7.63(2H,d,J=8.3Hz).
d,J=11.6Hz,J=3.6Hz),2.44(3H,s),3.49〜3.79(4H,m),3.
95(1H,ddd,J=11.6Hz,J=3.3Hz,J=1.7Hz),4.02〜4.08(1H,
m),5.21(1H,dt,J=10.6Hz,J=1.3Hz),5.33(1H,dt,J=17.5H
z,J=1.3Hz),5.72(1H,ddd,J=17.5Hz,J=10.6Hz,J=5.3Hz),
7.34(2H,d,J=7.9Hz),7.63(2H,d,J=8.3Hz).
【００３０】実施例２光学活性４−ベンジル−２−ビニルモルホリンの製造：
反応容器（容量２５ml）にPd2(dba)3・CHCl3６．５mgと
(R)-BINAP７．８mgを入れ、ＴＨＦ２．５ml、トリエチ
ルアミン０．０７０mlを窒素雰囲気下で加えた。室温に
て１時間撹拌した後、Ｎ−ベンジルエタノールアミン３
８．１mgを加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４
−ジイルジアセテート４３．２mgを室温にて滴下し、４
０℃にて１４時間撹拌した。反応混合物を減圧下濃縮
し、得られた残査を中圧液体カラムクロマトグラフィ−
（シリカゲル、溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１／
１）精製し、３５．７mgの４−ベンジル−２−ビニルモ
ルホリンを得た。このものの鏡像異性体過剰率をＨＰＬ
Ｃ分析（ＤＡＩＣＥＬ ＯＪ，溶出液：ヘキサン／イソ
プロパノール＝５９／１）により決定したところ、６１
％ｅｅであった。1 Ｈ−ＮＭＲ：CDCl3を溶媒とし２７０MHzのＮＭＲ装置
で測定した結果、δ値は文献〔J.Org.Chem.,55巻,3388-
3390頁(1990年)〕記載のそれと一致した。
反応容器（容量２５ml）にPd2(dba)3・CHCl3６．５mgと
(R)-BINAP７．８mgを入れ、ＴＨＦ２．５ml、トリエチ
ルアミン０．０７０mlを窒素雰囲気下で加えた。室温に
て１時間撹拌した後、Ｎ−ベンジルエタノールアミン３
８．１mgを加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４
−ジイルジアセテート４３．２mgを室温にて滴下し、４
０℃にて１４時間撹拌した。反応混合物を減圧下濃縮
し、得られた残査を中圧液体カラムクロマトグラフィ−
（シリカゲル、溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１／
１）精製し、３５．７mgの４−ベンジル−２−ビニルモ
ルホリンを得た。このものの鏡像異性体過剰率をＨＰＬ
Ｃ分析（ＤＡＩＣＥＬ ＯＪ，溶出液：ヘキサン／イソ
プロパノール＝５９／１）により決定したところ、６１
％ｅｅであった。1 Ｈ−ＮＭＲ：CDCl3を溶媒とし２７０MHzのＮＭＲ装置
で測定した結果、δ値は文献〔J.Org.Chem.,55巻,3388-
3390頁(1990年)〕記載のそれと一致した。
【００３１】実施例３光学活性４−ベンジル−２−ビニルモルホリンの製造：
反応容器（容量２５ml）にPd[(R)-BINAP]2１６．９mgを
入れ、ＴＨＦ２．５ml、トリエチルアミン０．０７０m
l、Ｎ−ベンジルエタノールアミン３８．１mgを窒素雰
囲気下で加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−
ジイルジアセテート４３．２mgを室温にて滴下し、４０
℃にて１時間撹拌した。以下、実施例２と同様の処理を
行って２２．４mgの４−ベンジル−２−ビニルモルホリ
ンを得た。鏡像異性体過剰率は６４％ｅｅであった（分
析条件は実施例２と同様。）。1 Ｈ−ＮＭＲ：実施例２と同様。
反応容器（容量２５ml）にPd[(R)-BINAP]2１６．９mgを
入れ、ＴＨＦ２．５ml、トリエチルアミン０．０７０m
l、Ｎ−ベンジルエタノールアミン３８．１mgを窒素雰
囲気下で加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−
ジイルジアセテート４３．２mgを室温にて滴下し、４０
℃にて１時間撹拌した。以下、実施例２と同様の処理を
行って２２．４mgの４−ベンジル−２−ビニルモルホリ
ンを得た。鏡像異性体過剰率は６４％ｅｅであった（分
析条件は実施例２と同様。）。1 Ｈ−ＮＭＲ：実施例２と同様。
【００３２】実施例４光学活性１，４−ビス（ｐ−トルエンスルホニル）−２
−ビニルピペラジンの製造： 反応容器（容量２５ml）に
Pd2(dba)3・CHCl3６．５mgと(R)-BINAP７．８mgを入れ、
乾燥剤を加え蒸留したＴＨＦ２．５mlを窒素雰囲気下で
加えた。室温にて１時間撹拌した後、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｐ
−トルエンスルホニル）エチレンジアミン９２．０mgを
加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビ
ス（メチルカーボネート）４９．４mgを室温にて滴下
し、４０℃にて５６時間撹拌した。反応混合物を減圧下
濃縮し、得られた残査をジエチルエーテルに溶解し、不
溶物を濾取し、１２．７mgの１，４−ジ（ｐ−トルエン
スルホニル）−２−ビニルピペラジンを得た。このもの
の鏡像異性体過剰率をＨＰＬＣ分析（ＤＡＩＣＥＬ Ｏ
Ｊ，溶出液：ヘキサン／イソプロパノール＝９／１）
により決定したところ、７０％ｅｅ以上であった。1 Ｈ−ＮＭＲ：CDCl3を溶媒とし２７０MHzのＮＭＲ装置
で測定した結果、δ値は文献〔J.Org.Chem.,55巻,3388-
3390頁(1990年)〕記載のそれと一致した。
−ビニルピペラジンの製造： 反応容器（容量２５ml）に
Pd2(dba)3・CHCl3６．５mgと(R)-BINAP７．８mgを入れ、
乾燥剤を加え蒸留したＴＨＦ２．５mlを窒素雰囲気下で
加えた。室温にて１時間撹拌した後、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｐ
−トルエンスルホニル）エチレンジアミン９２．０mgを
加えた。次いで（Ｚ）−２−ブテン−１，４−ジイルビ
ス（メチルカーボネート）４９．４mgを室温にて滴下
し、４０℃にて５６時間撹拌した。反応混合物を減圧下
濃縮し、得られた残査をジエチルエーテルに溶解し、不
溶物を濾取し、１２．７mgの１，４−ジ（ｐ−トルエン
スルホニル）−２−ビニルピペラジンを得た。このもの
の鏡像異性体過剰率をＨＰＬＣ分析（ＤＡＩＣＥＬ Ｏ
Ｊ，溶出液：ヘキサン／イソプロパノール＝９／１）
により決定したところ、７０％ｅｅ以上であった。1 Ｈ−ＮＭＲ：CDCl3を溶媒とし２７０MHzのＮＭＲ装置
で測定した結果、δ値は文献〔J.Org.Chem.,55巻,3388-
3390頁(1990年)〕記載のそれと一致した。
Claims (2)
- 【請求項１】下式（１） 【化１】 （式中、Ｘは酸素原子または原子団ＮＲ1を示し、Ｒ1は
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る化合物と下式（２） 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜４の低級アルキル基を示
す。）で表わされる化合物とを、不活性有機溶媒中、光
学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体の存在下に
反応させることを特徴とする下式（３） 【化３】 （式中、ＸおよびＲ1は前記に同じ。）で示される環状
アミンの立体選択的製造方法。 - 【請求項２】下式（１） 【化１】 （式中、Ｘは酸素原子または原子団ＮＲ1を示し、Ｒ1は
ベンジル基、ベンゾイル基、ｐ−トルエンスルホニル基
又は炭素数１０以下のアルキル基を示す。）で表わされ
る化合物と、下式（４） 【化４】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜４の低級アルキル基を示
す。）で表わされる化合物とを、不活性有機溶媒中、光
学活性ホスフィンの配位したパラジウム錯体および塩基
の存在下に反応させることを特徴とする下式（３） 【化３】 （式中、ＸおよびＲ1は前記に同じ。）で示される環状
アミンの立体選択的製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089370A JPH05255285A (ja) | 1992-03-14 | 1992-03-14 | 環状アミンの立体選択的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089370A JPH05255285A (ja) | 1992-03-14 | 1992-03-14 | 環状アミンの立体選択的製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05255285A true JPH05255285A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=13968812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089370A Pending JPH05255285A (ja) | 1992-03-14 | 1992-03-14 | 環状アミンの立体選択的製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05255285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110452183A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-11-15 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一种手性杂环化合物的制备方法 |
-
1992
- 1992-03-14 JP JP4089370A patent/JPH05255285A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110452183A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-11-15 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一种手性杂环化合物的制备方法 |
| CN110452183B (zh) * | 2019-09-04 | 2023-03-14 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一种手性杂环化合物的制备方法 |
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