JPH05251675A - Solid-state image sensor and manufacture thereof - Google Patents

Solid-state image sensor and manufacture thereof

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Publication number
JPH05251675A
JPH05251675A JP4083346A JP8334692A JPH05251675A JP H05251675 A JPH05251675 A JP H05251675A JP 4083346 A JP4083346 A JP 4083346A JP 8334692 A JP8334692 A JP 8334692A JP H05251675 A JPH05251675 A JP H05251675A
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JP
Japan
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chip
solid
wafer
package
base
Prior art date
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Pending
Application number
JP4083346A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Yamawaki
正雄 山脇
Shigeto Maekawa
繁登 前川
Osamu Kaneda
修 兼田
Hidekazu Yamamoto
秀和 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4083346A priority Critical patent/JPH05251675A/en
Publication of JPH05251675A publication Critical patent/JPH05251675A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

PURPOSE:To provide a small-sized solid-state image sensor by sealing its package in such a manner that the welding part extends vertically between the base and cap of the sensor. CONSTITUTION:An image sensor chip 5 is fixedly mounted on a base 1 and connected electrically with lead pins 6 through wires 7. The base 1, held in a sealing metal cylinder 2, is inserted until the upper end of the ring abuts on a positioning projection 8 in a metal cap 3. While a welding electrode is pressed against a welding part 9, the metal cap 3 is welded to the metal cylinder 2 for sealing. Since the welded part between the base and the cap extends vertically between them, a small package can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子及びその
製造方法に関し、特に、加工技術,実装技術を改良して
その外形を小さくした固体撮像素子(イメージセンサ)
及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a solid-state image pickup device (image sensor) having a reduced outer shape by improving processing technology and mounting technology.
And a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のイメージセンサの高性能・高密度
化に伴い、イメージセンサの小形化が進み、それを用い
たカメラも小形化されてきている。小形化に際しては部
品の実装密度の向上だけではなく、イメージセンサの外
形そのものが小形化される必要がある。
2. Description of the Related Art With the recent trend toward higher performance and higher density of image sensors, downsizing of image sensors has progressed, and cameras using them have also been downsized. In miniaturization, not only the mounting density of components must be improved, but also the outer shape of the image sensor itself must be miniaturized.

【0003】図9は、例えば従来のパッケージに封入さ
れた小形イメージセンサの構造を示す上面図および断面
図であり、図において、91はイメージセンサのチッ
プ、92はセラミクス製のベースであり、これは中央に
2段の凹部を有し、凹部の底面すなわち1段目の凹部底
面にはチップ91を載置し、また、2段目の凹部底面す
なわち1段目の凹部の縁面はチップ91の表面と同じ高
さになっており、ここにはチップ91とリードピン93
との導通を取るためのボンディング部が形成されてお
り、さらに、2段目の凹部の縁面すなわち該ベース92
の表面上にはガラス蓋95を載置してパッケージを封止
するようにしている。93は外部と接続するためのリー
ドピンであり、この図では例として、リードピンをベー
ス裏面に等間隔に格子状に設けた構造のPGA(pin gr
id array package:ピングリッドアレイパッケージ)構
造のパッケージを示している。94はチップ91とリー
ドピン93との導通を取るためのワイヤである。上記ベ
ース92,リードピン93,ワイヤ94,ガラス蓋95
よりパッケージは構成されている。なお、図9(a) は上
面図を、図9(b) は断面図を示しており、図9(a) では
説明を容易にするためガラス蓋95を透視して示してい
る。
FIG. 9 is a top view and a sectional view showing the structure of a small image sensor enclosed in a conventional package, for example, in which 91 is an image sensor chip and 92 is a ceramic base. Has a two-step recess in the center, and the chip 91 is placed on the bottom of the recess, that is, the bottom of the first step, and the bottom surface of the second step, that is, the edge of the first step is the chip 91. It has the same height as the surface of the chip, where the chip 91 and the lead pin 93 are located.
And a bonding portion for establishing electrical continuity with the base 92.
A glass lid 95 is placed on the surface of the to seal the package. Reference numeral 93 denotes a lead pin for connecting to the outside. In this figure, as an example, a PGA (pin gr
id array package: shows a package with a pin grid array package structure. Reference numeral 94 is a wire for establishing conduction between the chip 91 and the lead pin 93. The base 92, lead pin 93, wire 94, glass lid 95
The package is more organized. 9 (a) is a top view and FIG. 9 (b) is a cross-sectional view. In FIG. 9 (a), the glass lid 95 is shown in a transparent manner for ease of explanation.

【0004】次に、上記イメージセンサのチップ91を
パッケージへ封入する方法を簡単に説明する。まずセラ
ミクス製のベース92の1段目凹部底面上にイメージセ
ンサのチップ91を樹脂等を用いてダイボンドし、ワイ
ヤ94でリードピン93との導通を取った後、ガラス蓋
95を樹脂等でベース92の表面上に載置して接着する
ことにより、パッケージを封止してチップ91をパッケ
ージ内に封入する。
Next, a method of encapsulating the image sensor chip 91 in a package will be briefly described. First, the chip 91 of the image sensor is die-bonded on the bottom surface of the first-step concave portion of the ceramic base 92 using a resin or the like, and electrical continuity with the lead pin 93 is established by a wire 94, and then the glass lid 95 is formed on the base 92 using a resin or the like. The package is sealed by mounting the chip 91 on the surface and adhering the chip 91 in the package.

【0005】イメージセンサのチップ91の対角長Ld
は、該チップ91をセラミクス製のベース92に載置し
パッケージ内に封入するためにできるだけ小さくする必
要がある。上記イメージセンサの外形は、イメージセン
サのチップ91の対角長(Ld)とガラス蓋95との接
着マージン(Lpd)とで決められる寸法によりその大
きさが決まる。通常、チップ91は長方形のため、該チ
ップ91の縦,横をそれぞれX,Yとしたとき、対角長
Ldは、
Diagonal length Ld of the image sensor chip 91
Must be made as small as possible in order to mount the chip 91 on the ceramic base 92 and enclose it in the package. The size of the outer shape of the image sensor is determined by the dimensions determined by the diagonal length (Ld) of the image sensor chip 91 and the bonding margin (Lpd) of the glass lid 95. Normally, the chip 91 is a rectangle, and when the vertical and horizontal directions of the chip 91 are X and Y, the diagonal length Ld is

【0006】Ld=(X2 +Y2 1/2 Ld = (X 2 + Y 2 ) 1/2

【0007】となり、イメージセンサのサイズ、すなわ
ち、パッケージのサイズは上記Ldの値で制限されるこ
ととなる。さらに、接着マージンLpdは、ベース92
の表面とガラス蓋95とを接着剤で確実に封止しパッケ
ージの気密性の信頼性を確保するために、最低1mm以
上の寸法が必要となるので、パッケージ底部の直径φd
は、チップ91の対角長Ldに最低2mm以上を加えた
寸法となる。
Therefore, the size of the image sensor, that is, the size of the package is limited by the value of Ld. Further, the adhesive margin Lpd is equal to the base 92.
In order to reliably seal the surface of the glass and the glass lid 95 with an adhesive and ensure the reliability of the airtightness of the package, a dimension of at least 1 mm or more is required.
Is a dimension obtained by adding at least 2 mm or more to the diagonal length Ld of the chip 91.

【0008】次に、他の従来例について説明する。図1
0は従来のパッケージに封入されたレーザダイオードあ
るいはフォトダイオードの構造を示す上面図および断面
図であり、図において、101はセラミクス製のベース
で、該ベース101には予め金属製のつば102が該ベ
ース101を覆うようにして固定されている。103は
金属製キャップで、該キャップ103にも予めガラス窓
104が接着されている。105は外部と接続するため
のリードピン、106はレーザダイオードあるいはフォ
トダイオードのチップ、107はチップ106とリード
ピン105との導通をとるためのワイヤである。上記ベ
ース101,つば102,金属製キャップ103,ガラ
ス窓104,リードピン105,ワイヤ107よりパッ
ケージは構成されている。なお、図10(a) は上面図、
図10(b) は断面図を示しており、図10(a) では説明
を容易にするためにガラス窓104を透視して示してい
る。
Next, another conventional example will be described. Figure 1
Reference numeral 0 is a top view and a sectional view showing a structure of a laser diode or a photodiode enclosed in a conventional package. In the figure, 101 is a ceramic base, and a metal collar 102 is previously provided on the base 101. It is fixed so as to cover the base 101. Reference numeral 103 is a metal cap, and a glass window 104 is previously adhered to the cap 103. Reference numeral 105 is a lead pin for connecting to the outside, 106 is a chip of a laser diode or a photodiode, and 107 is a wire for connecting the chip 106 and the lead pin 105. A package is composed of the base 101, the collar 102, the metal cap 103, the glass window 104, the lead pin 105, and the wire 107. 10A is a top view,
FIG. 10 (b) shows a cross-sectional view, and FIG. 10 (a) shows the glass window 104 in a see-through manner for ease of explanation.

【0009】次に、このチップ106をパッケージへ封
入する方法を説明する。つば102がついたセラミクス
ベース101上につば102を介してチップ106を固
定し、ワイヤ107でリードピン105と導通をとる。
その後、ガラス窓104が接着された金属製キャップ1
03をかぶせ、図中Zで示す部分を溶接等で固着してチ
ップ106をパッケージ内に封入する。このようにする
と、パッケージの上部はφcで示される直径となってい
るが、固着部分としてつば102があるため、パッケー
ジ底部ではφcに固着部分の幅すなわち接着マージンが
加えられた寸法φdで示される直径となる。
Next, a method of enclosing the chip 106 in a package will be described. The chip 106 is fixed via the collar 102 on the ceramic base 101 with the collar 102, and the wire 107 is electrically connected to the lead pin 105.
After that, the metal cap 1 to which the glass window 104 is adhered
03, and the portion indicated by Z in the figure is fixed by welding or the like to encapsulate the chip 106 in the package. With this arrangement, the upper portion of the package has a diameter indicated by φc, but since the fixing portion has the brim 102, the package bottom portion is indicated by the dimension φd obtained by adding the width of the fixing portion, that is, the adhesion margin to φc. Diameter.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子及
びその製造方法は以上のように構成されているので、チ
ップをパッケージ内に密封するためには、パッケージを
封止するよう該パッケージに上記従来例で示したような
つば102などの接着部分を設ける必要があり、さら
に、該パッケージの気密性を確保するためにはその接着
部分は最低1mm以上の寸法が必要となり、その接着部
分のために上記図9で示す従来例の場合ではベースに2
段の凹部を設けなければならなかった。このため、その
分、ベース形状が大きくなり、結果、パッケージの外形
を大きくしてしまい、小形化に適さないなどの問題点が
あった。
Since the conventional solid-state image pickup device and the method for manufacturing the same are configured as described above, in order to seal the chip in the package, the package is sealed in the package. It is necessary to provide an adhesive portion such as the collar 102 as shown in the conventional example, and in order to ensure the airtightness of the package, the adhesive portion needs to have a dimension of at least 1 mm or more. In the case of the conventional example shown in FIG.
A stepped recess had to be provided. For this reason, the base shape becomes larger by that amount, and as a result, the outer shape of the package becomes larger, which is not suitable for downsizing.

【0011】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、信頼性が高く小形化に適した加
工技術、及び実装技術を用いた固体撮像素子及びその製
造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a solid-state image sensor using a processing technique and a mounting technique which are highly reliable and suitable for miniaturization, and a manufacturing method thereof. The purpose is to

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子は、その上にチップを載置した円形ベースにその側
壁全面を覆う被覆金属を有し、金属製キャップの内側壁
に上記ベースに該キャップを被せる際の上下方向の位置
決め用突起部を有し、上記被覆金属とキャップとを溶接
により固着してなるパッケージを有するものである。
A solid-state image pickup device according to the present invention has a circular base on which a chip is mounted, a cover metal covering the entire side wall of the base, and an inner side wall of a metal cap provided with the base metal. It has a projection for positioning vertically when the cap is put on, and has a package in which the coating metal and the cap are fixed by welding.

【0013】また、この発明に係る固体撮像素子は、そ
れに沿って切り落とした部分が相互に相似形となるよう
な角落とし用スクライブラインを持ち該スクライブライ
ンとその各辺とが所定の角度を有する4角形のチップ
を、該角落とし用のスクライブラインに沿ってスクライ
ブしたチップを有するものである。
Further, the solid-state image pickup device according to the present invention has a corner-eliminating scribe line such that the portions cut off along it have similar shapes to each other, and the scribe line and each side thereof have a predetermined angle. It has a chip obtained by scribing a quadrangular chip along a scribe line for removing the corner.

【0014】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法は、伸縮性シート上に貼り付けられたウェハ上
に、個々のチップに分離するためのチップ分離用スクラ
イブラインと、チップの各辺と所定の角度を有しそれに
沿って切り落とした部分が相互に相似形となるような角
落とし用のスクライブラインとを形成し、上記チップ分
離用のスクライブラインに沿って上記ウェハを4角形の
各チップに分離した後、上記伸縮性シートの周縁部を外
方に引っ張って該シートを伸張し、上記分離された各チ
ップ間に所定の間隔をあけ、上記分離された各チップの
角落とし用のスクライブライン相互を結ぶ2方向の直線
の各々に沿って複数のチップのスクライブを同時に行
い、該各チップの4つの角の角落としを行うものであ
る。
Further, in the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, a chip separating scribe line for separating individual chips and each side of the chip are provided on a wafer attached on an elastic sheet. A scribe line for corner cutting is formed so that portions cut off along a predetermined angle have a similar shape to each other, and the wafer is quadrangular chips along the scribe line for chip separation. After that, the peripheral portion of the stretchable sheet is pulled outward to stretch the sheet, and a predetermined gap is provided between the separated chips, and a scribe for scooping the separated chips. A plurality of chips are scribed simultaneously along each of the two straight lines connecting the lines, and the four corners of each chip are rounded off.

【0015】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法は、個々のチップに分離するためのチップ分離用ス
クライブラインをウェハ上に形成し、該チップ分離用ス
クライブラインが互いに垂直に交わる交点に、上記ウェ
ハを貫通する穴を開けた後、上記チップ分離用スクライ
ブラインに沿って上記ウェハをスクライブして個々のチ
ップに分離するものである。
Further, in the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, chip separating scribe lines for separating the individual chips are formed on the wafer, and the chip separating scribe lines intersect each other vertically. After forming a hole penetrating the wafer, the wafer is scribed along the chip separating scribe line to separate the individual chips.

【0016】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法は、ウェハ上のチップ分離用スクライブラインに
沿って該ウェハを切断して個々のチップに分離した後、
該チップの4つの角を、研磨あるいはダイアモンドカッ
タにより切断して角落としを行うものである。
Further, in the method of manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, the wafer is cut along the chip separating scribe line on the wafer to separate the individual chips,
The four corners of the chip are removed by polishing or cutting with a diamond cutter.

【0017】また、この発明に係る固体撮像素子は、そ
の上にチップを載置したベースに金属製キャップを被せ
て両者の接触部分を固着してそのパッケージを封止して
なる固体撮像素子において、上記チップを円形チップと
したものである。
The solid-state image pickup device according to the present invention is a solid-state image pickup device in which a base on which a chip is mounted is covered with a metal cap to fix the contact portion between the two, and the package is sealed. The above chip is a circular chip.

【0018】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法は、ウェハに円筒形の刃を押し当てて該刃を回転
することによって、あるいはウェハとの円形の接触部を
有する治具により該ウェハに超音波を印加することによ
って、上記円形チップを切り出すものである。
Further, in the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, a cylindrical blade is pressed against the wafer and the blade is rotated, or a jig having a circular contact portion with the wafer is used. The circular tip is cut out by applying ultrasonic waves to the.

【0019】[0019]

【作用】この発明における固体撮像素子は、パッケージ
封入のためのベース,キャップ間の接着部分をパッケー
ジの垂直方向に設けたことにより、パッケージを小形化
でき、その外形を小さくできる。
In the solid-state image pickup device according to the present invention, the adhesive portion between the base and the cap for enclosing the package is provided in the vertical direction of the package, so that the package can be downsized and its outer shape can be reduced.

【0020】また、この発明における固体撮像素子およ
びその製造方法は、チップの形状を工夫してチップの対
角長を小さくしたので、さらにパッケージを小さくでき
る。
Further, in the solid-state image pickup device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the diagonal shape of the chip is reduced by devising the shape of the chip, so that the package can be further reduced.

【0021】[0021]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の第1の実施例による固体撮像素
子の実装方法を示す上面図および断面図であり、図にお
いて、1はセラミクス等の電気的な絶縁体でできた円形
のベースであり、中央に凹部を有し、凹部底面にイメー
ジセンサチップ5を載置し、また凹部縁面すなわち該ベ
ース1表面はイメージセンサチップ5表面と同じ高さに
なっており、ここには該チップ5とリードピン6との導
通を取るためのボンディング部が形成されている。2は
金属製の円筒状の封止用金属製円筒リングで、ベース1
をその中に密着させて嵌め込むようになっている。3は
金属製キャップで、その内側壁面には上下方向の位置決
めのための位置決め用突起8および溶接用突起9が設け
られ、さらに該キャップ3の天井部分にはガラス窓4が
固着されている。5はイメージセンサチップ、6は外部
と接続するためのリードピンであり、該図1ではPGA
構造のパッケージを例に示しているので、リードピン6
はベース1の裏面に等間隔で垂直かつ格子状に取り付け
られている。7はイメージセンサチップ5とリードピン
6との電気的導通を取るためのワイヤ、8は上記のよう
に金属製キャップ3の内側壁面に設けられた位置決め用
突起、9はベース1の周囲に固定された封止用金属製円
筒リング2と金属製キャップ3とを固着するために金属
製キャップ3の内側壁面に設けられた溶接用突起であ
る。そして上記ベース1,封止用金属製円筒リング2,
金属製キャップ3,ガラス窓4,リードピン6,ワイヤ
7によりパッケージを構成する。なお、図1(a) は上面
図、図1(b) は断面図を示しているが、上面図では説明
を容易にするためガラス窓4を透視して示してある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a top view and a sectional view showing a mounting method of a solid-state image pickup device according to a first embodiment of the present invention, in which 1 is a circular base made of an electrical insulator such as ceramics, The image sensor chip 5 is mounted on the bottom of the recess, and the edge surface of the recess, that is, the surface of the base 1 is at the same height as the surface of the image sensor chip 5, and the chip 5 and A bonding portion is formed to establish electrical connection with the lead pin 6. 2 is a metal-made cylindrical metal ring for sealing, which is a base 1
It is designed to fit in and fit into it. A metal cap 3 is provided with a positioning projection 8 and a welding projection 9 for positioning in the vertical direction on the inner wall surface thereof, and a glass window 4 is fixed to the ceiling portion of the cap 3. Reference numeral 5 is an image sensor chip, and 6 is a lead pin for connecting to the outside.
Since the structure package is shown as an example, the lead pin 6
Are attached to the back surface of the base 1 at equal intervals vertically and in a grid pattern. Reference numeral 7 is a wire for establishing electrical connection between the image sensor chip 5 and the lead pin 6, 8 is a positioning protrusion provided on the inner wall surface of the metal cap 3 as described above, and 9 is fixed around the base 1. It is a projection for welding provided on the inner wall surface of the metal cap 3 for fixing the sealing metal cylindrical ring 2 and the metal cap 3 together. And the base 1, the sealing metal cylindrical ring 2,
A package is constituted by the metal cap 3, the glass window 4, the lead pin 6, and the wire 7. 1 (a) is a top view and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view, but the glass window 4 is seen through in the top view for ease of explanation.

【0022】次にイメージセンサチップ5をパッケージ
へ封入する方法について説明する。予め、ベース1は封
止用金属製円筒リング2内に接着剤等を用いて固定する
よう嵌め込んでおく。また、ガラス窓4も金属製キャッ
プ3の天井部分に固着させておく。さらに、金属製キャ
ップ3には、ベース1に金属製キャップ3を被せた際
に、両者の底が一致するように該金属製キャップ3をベ
ース1に被せる際の位置決め用突起8と、封止用金属製
円筒リング2を介してベース1と金属製キャップ3とを
固着するための溶接用突起9とを形成しておく。まず、
ベース1にイメージセンサチップ5を載置して固定し、
ワイヤ7でセンサチップ5とリードピン6との導通をと
る。続いて封止用金属製円筒リング2に嵌め込んだベー
ス1を、金属製キャップ3の位置決め用突起8に封止用
金属製円筒リング2の上端が当たるまで押し込む。最後
に、電気溶接の電極を溶接用突起9に押さえつけながら
金属製キャップ3と封止用金属製円筒リング2を溶接し
てパッケージを封止する。このようにして、イメージセ
ンサチップ5はパッケージ内に封入される。
Next, a method of enclosing the image sensor chip 5 in the package will be described. In advance, the base 1 is fitted in the sealing metal cylindrical ring 2 so as to be fixed using an adhesive or the like. Further, the glass window 4 is also fixed to the ceiling portion of the metal cap 3. Furthermore, the metal cap 3 is provided with a positioning projection 8 for covering the base 1 with the metal cap 3 so that the bottoms of the metal cap 3 and the base 1 are aligned when the base 1 is covered with the metal cap 3. A welding projection 9 for fixing the base 1 and the metallic cap 3 to each other via the metallic cylindrical ring 2 is formed in advance. First,
Place the image sensor chip 5 on the base 1 and fix it,
The wire 7 connects the sensor chip 5 and the lead pin 6 to each other. Then, the base 1 fitted in the sealing metal cylindrical ring 2 is pushed until the upper end of the sealing metal cylindrical ring 2 comes into contact with the positioning projection 8 of the metal cap 3. Finally, the metal cap 3 and the sealing metal cylindrical ring 2 are welded while pressing the electrode for electric welding against the welding projection 9 to seal the package. In this way, the image sensor chip 5 is enclosed in the package.

【0023】このように、上記実施例ではパッケージの
気密性確保のため、ベース1と金属製キャップ3との固
着を行う際の固着部分を、従来例のように水平方向に設
けず、ベース1と金属製キャップ3との間の垂直方向に
設けるようにしたので、水平方向の接着マージンは金属
製キャップ3の肉厚ということになる。ここでは、金属
製キャップ3の肉厚は高々数百μmであり、このような
構造を用いることにより、パッケージの上部および底部
ともに直径φdはチップ5の対角長Ldとほぼ同程度の
寸法となり、該パッケージの外形の小形化が実現できる
ことになる。
As described above, in the above-described embodiment, in order to secure the airtightness of the package, the fixing portion for fixing the base 1 and the metal cap 3 is not provided horizontally as in the conventional example, but the base 1 is fixed. Since it is provided in a vertical direction between the metal cap 3 and the metal cap 3, the horizontal bonding margin is the thickness of the metal cap 3. Here, the thickness of the metal cap 3 is at most several hundreds of μm, and by using such a structure, the diameter φd becomes approximately the same as the diagonal length Ld of the chip 5 at both the top and bottom of the package. Therefore, the outer shape of the package can be reduced.

【0024】次にこの発明の第2の実施例について説明
する。図2はこの発明の第2の実施例による固体撮像素
子の実装方法を示す上面図および断面図であり、図中、
図1と同一符号は同一または相当部分を示す。図2にお
いて、11は金属製キャップ3の周壁内面に設けられた
ハンダメッキ、12はベース1の外周壁面に設けられた
金属皮膜、13は該金属皮膜12の外側に設けられたハ
ンダメッキである。10で示す部分はベース1と金属製
キャップ3とをハンダを用いて封止するためのハンダ封
止用メタライズ部分であり、該ハンダ封止用メタライズ
部分10は、ハンダメッキ11,13および金属皮膜1
2により構成されている。なお、図2(a) は上面図、図
2(b) は断面図、図2(c) は図2(b) で示すハンダ封止
用メタライズ部分10を拡大して示した図であり、上面
図では説明を容易にするためガラス窓4を透視して示し
てある。本実施例では、ベース1と金属製キャップ3と
の封止にハンダを用いる場合について説明している。金
属製キャップ3には位置決めのための突起8のみが形成
されており、また、ベース1との封止を行う部分には予
め必要に応じてハンダメッキ11が形成されている。ま
た、金属皮膜12はハンダあるいはハンダで接続が可能
な金属で形成された皮膜であり、ベース1の材質により
ハンダが接着できない場合には該金属皮膜12はハンダ
で接続が可能な金属で形成し、また、ベース1の材質が
ハンダ接着できるものであれば、該金属皮膜12はハン
ダで形成すればよい。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. 2A and 2B are a top view and a sectional view showing a mounting method of a solid-state image sensor according to a second embodiment of the present invention.
The same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding parts. In FIG. 2, 11 is solder plating provided on the inner surface of the peripheral wall of the metal cap 3, 12 is a metal coating provided on the outer peripheral wall of the base 1, and 13 is solder plating provided on the outside of the metal coating 12. .. A portion indicated by 10 is a soldering metallization portion for sealing the base 1 and the metal cap 3 with solder, and the soldering metallization portion 10 includes solder platings 11 and 13 and a metal film. 1
It is composed of two. 2 (a) is a top view, FIG. 2 (b) is a sectional view, and FIG. 2 (c) is an enlarged view of the soldering metallized portion 10 shown in FIG. 2 (b). In the top view, the glass window 4 is shown transparently for ease of explanation. In this embodiment, the case where solder is used to seal the base 1 and the metal cap 3 has been described. Only the protrusion 8 for positioning is formed on the metal cap 3, and solder plating 11 is previously formed on the portion for sealing with the base 1 as required. Further, the metal film 12 is a film formed of solder or a metal that can be connected by solder, and when the solder cannot be adhered due to the material of the base 1, the metal film 12 is formed of a metal that can be connected by solder. If the material of the base 1 can be soldered, the metal coating 12 may be formed by solder.

【0025】次に、イメージセンサチップ5をパッケー
ジに封入する方法について説明する。実施例1と同様
に、予めガラス窓4を金属製キャップ3に固着させてお
く。また、金属製キャップ3には位置決め用突起8およ
びハンダメッキ11を設けておく。さらに、ベース1に
はその外周壁面に金属皮膜12およびハンダメッキ13
を形成しておく。まず、ベース1にイメージセンサチッ
プ5を接着し、ワイヤ7で該チップ5とリードピン6と
の導通を取った後、金属製キャップ3をその位置決め用
突起8がベース1上端のハンダメッキ13部に当たるま
で挿入する。その後、ハンダメッキ11,13を炉の中
などで溶解させることによって、ベース1と金属製キャ
ップ3とを封止し、イメージセンサチップ5をパッケー
ジ内に封入する。
Next, a method of enclosing the image sensor chip 5 in the package will be described. Similar to the first embodiment, the glass window 4 is fixed to the metal cap 3 in advance. Further, the metal cap 3 is provided with a positioning projection 8 and a solder plating 11. Further, on the outer peripheral wall surface of the base 1, a metal film 12 and a solder plating 13 are formed.
Is formed. First, the image sensor chip 5 is adhered to the base 1, the chip 5 and the lead pin 6 are electrically connected by the wire 7, and then the positioning projection 8 of the metal cap 3 is brought into contact with the solder-plated portion 13 at the upper end of the base 1. Insert up to. After that, by melting the solder plating 11 and 13 in a furnace or the like, the base 1 and the metal cap 3 are sealed, and the image sensor chip 5 is sealed in the package.

【0026】なお、本実施例では、最後にハンダメッキ
11,13を溶解させるために温度を上昇させる必要が
あるので、例えば温度上昇時に性能が劣化するカラーフ
ィルタ等が形成されているイメージセンサには、高融点
のハンダは適用できないことがある。この時には融点の
低いハンダを用いることにより封止が可能となる。
In this embodiment, since it is necessary to raise the temperature to melt the solder platings 11 and 13 at the end, for example, an image sensor having a color filter whose performance deteriorates when the temperature rises is formed. However, high melting point solder may not be applicable. At this time, sealing can be performed by using solder having a low melting point.

【0027】このように、上記実施例でも上記第1の実
施例と同様に、接着部分を垂直方向に設けるようにし、
また、封止もハンダを用いて行っているので、接着部分
は金属製キャップ3の肉厚ということになる。よって、
ここでもパッケージの上部および底部の直径φdはチッ
プ5の対角長Ldとほぼ同程度の寸法となるので、該パ
ッケージの外径の小形化が実現できることとなる。
As described above, in the above-described embodiment, as in the case of the first embodiment, the bonding portion is provided in the vertical direction,
Further, since the sealing is also performed by using the solder, the bonded portion has the thickness of the metal cap 3. Therefore,
In this case as well, the diameter φd of the top and bottom of the package is approximately the same as the diagonal length Ld of the chip 5, so that the outer diameter of the package can be reduced.

【0028】なお、上記第1,第2の実施例は、イメー
ジセンサのパッケージを例にとって説明したが、従来例
のようにフォトダイオードやレーザダイオードのパッケ
ージにも適用可能である。
Although the first and second embodiments have been described by taking the image sensor package as an example, they can also be applied to a photodiode or laser diode package as in the conventional example.

【0029】以上はパッケージの外形を小さくできる実
装方法について説明したが、チップ自体の形状を加工す
ることにより、さらに小形化を図ることができる。即
ち、チップの対角長Ldが短くなるよう、該チップの角
を落とすことにより、パッケージをより小さくできる。
以下、このチップ形状の加工方法を本発明の第3の実施
例として説明する。
Although the mounting method capable of reducing the outer shape of the package has been described above, further miniaturization can be achieved by processing the shape of the chip itself. That is, the package can be made smaller by dropping the corners of the chip so that the diagonal length Ld of the chip becomes shorter.
Hereinafter, this chip shape processing method will be described as a third embodiment of the present invention.

【0030】図3はこの発明の第3の実施例によるチッ
プ形状の加工方法を示す工程図であり、ここではウェハ
からセンサチップを切り出すスクライブ(ダイシング)
工程を示している。図において、31はウェハ、32は
該ウェハ31の下に敷いた伸縮性のあるビニール製のシ
ート、33はダイアモンドカッタ等によってウェハ31
を個々のチップに切り離す際のチップ分離用スクライブ
ライン、34は該スクライブライン33に沿ってウェハ
31を切断する場所を示す矢印、35は各チップ上に形
成された角落し用のスクライブラインを結ぶ直線であ
り、この直線に沿って各チップの角落としを行うもので
ある。
FIG. 3 is a process diagram showing a method for processing a chip shape according to a third embodiment of the present invention. Here, scribe (dicing) for cutting out a sensor chip from a wafer.
The process is shown. In the figure, 31 is a wafer, 32 is an elastic vinyl sheet laid under the wafer 31, and 33 is a wafer 31 such as a diamond cutter.
A scribe line for chip separation when separating the wafer into individual chips, 34 is an arrow indicating a place where the wafer 31 is cut along the scribe line 33, and 35 is a scribe line for corner cut formed on each chip. It is a straight line, and the corners of each chip are removed along this straight line.

【0031】次にチップの角落とし工程を説明する。ま
ず、図3(a) に示すようにウェハ31をビニール製のシ
ート32に貼り付けた後、チップ分離用スクライブライ
ン33に沿ってダイヤモンドカッタ等でチップを矢印3
4のように切り離す(図3(b) )。続いて図3(c) に示
すエキスパンド工程に入るが、これはビニール製のシー
ト32の周縁部を外方から同じ力で引っ張り、該シート
32を伸張することによってその上に貼り付けられたチ
ップに所望の間隔を開ける工程で、通常は各チップ間で
数mm程度の間隔が生ずるまで行うが、本実施例では、
該エキスパンドをチップのサイズと角落としの寸法とで
決定する間隔Lを生ずるまで行う。例えば、図3(d) に
示すように、1辺がaの正方形のチップで構成されたも
のに対してエキスパンドを行う際、その後各スクライブ
ライン33に対し45度の角度で角落としをする、すな
わち、チップの4角から1辺がbの直角2等辺三角形を
切り出すような場合には、該エキスパンドによって広げ
る間隔Lは次式で与えられる。
Next, the chip corner removing process will be described. First, as shown in FIG. 3 (a), the wafer 31 is attached to a vinyl sheet 32, and then the chip is moved along the chip separation scribe line 33 with a diamond cutter or the like in an arrow mark 3
Separate as shown in Fig. 4 (Fig. 3 (b)). Next, the expanding step shown in FIG. 3 (c) is entered, in which the peripheral edge portion of the vinyl sheet 32 is pulled from the outside with the same force, and the sheet 32 is stretched to attach the chips to it. In the step of opening a desired interval in the process, it is usually performed until an interval of about several mm occurs between the chips, but in the present embodiment,
The expansion is performed until a distance L determined by the chip size and the corner drop size is generated. For example, as shown in FIG. 3 (d), when expanding a chip composed of a square chip with one side a, after that, each scribe line 33 is rounded off at an angle of 45 degrees. That is, in the case where a right-angled isosceles triangle with one side being b is cut out from the four corners of the chip, the interval L widened by the expanding is given by the following equation.

【0032】L=a−2bL = a-2b

【0033】上記式により決定される間隔Lを生じるま
でエキスパンドを行うと、チップの4角から同じ形状の
1辺bの直角2等辺3角形が切り出せることとなる。該
エキスパンドを行った後、図3(e) で示す角落とし用ス
クライブラインを結ぶ直線35に沿って再びスクライブ
を行う。すなわち、各チップにおいて4つの角から1辺
がbの直角2等辺3角形を切り出す。該チップの角落と
しに際しては、予めチップの設計時に角落としに対応し
たチップレイアウトと角落とし用スクライブラインを形
成しておく必要がある。図4はこの発明の第3の実施例
によるチップ形状の加工方法を説明するための図で、図
において、41はチップ、42はウェハ上のチップを各
チップに分離する際のチップ分離用スクライブラインで
あり、図3に示したチップ分離用スクライブライン33
に相当する。43は角落とし用スクライブラインであ
り、図3に示した角落とし用スクライブラインを結ぶ直
線35に相当する。本実施例では正方形のチップを用い
ているので、図4(a) に示すようなレイアウトおよびス
クライブラインを形成しておく。
When the expansion is performed until the interval L determined by the above equation is generated, a right-angled isosceles triangle of one side b having the same shape can be cut out from the four corners of the chip. After performing the expanding, the scribing is performed again along the straight line 35 connecting the corner scribing lines shown in FIG. 3 (e). That is, a right-angled isosceles triangle whose one side is b is cut out from four corners in each chip. When removing the corners of the chip, it is necessary to previously form a chip layout and a scribe line for corner removal when designing the chip. FIG. 4 is a diagram for explaining a chip shape processing method according to a third embodiment of the present invention. In the figure, 41 is a chip, and 42 is a chip separating scribe for separating chips on a wafer into respective chips. Line, and the scribe line 33 for chip separation shown in FIG.
Equivalent to. Reference numeral 43 denotes a corner-eliminating scribe line, which corresponds to the straight line 35 connecting the corner-eliminating scribe lines shown in FIG. Since a square chip is used in this embodiment, the layout and scribe lines as shown in FIG. 4A are formed.

【0034】一方、チップが長方形の場合のチップレイ
アウトおよびスクライブラインの様子を図4(b) および
図4(c) に示す。この場合でも、チップの角落としによ
る形状加工は可能であるが、長方形のチップではチップ
分離用スクライブライン42に対して45度とは異なる
角度を有する角落とし用スクライブライン43が必要と
なる。例えば、該図に示す長方形のチップ41の短辺
(図において垂直方向の辺)の寸法をc、長辺(図にお
いて水平方向の辺)の寸法をeとして、水平方向のスク
ライブライン42と角度θ1 を隔て、かつ、垂直方向の
スクライブライン42と角度θ2 を隔てて該チップ41
の4角から水平方向の辺がd、垂直方向の辺がfとなる
ような3角形を切り出す場合には水平方向のエキスパン
ド量L1 および垂直方向のエキスパンド量L2 はそれぞ
れ次式で与えられる。
On the other hand, FIG. 4B and FIG. 4C show the layout of chips and the state of scribe lines when the chips are rectangular. Even in this case, it is possible to perform the shape processing by chipping the corner, but the rectangular chip requires the corner scribing line 43 having an angle different from 45 degrees with respect to the chip separating scribing line 42. For example, the dimension of the short side (vertical side in the figure) of the rectangular chip 41 shown in the figure is c, and the dimension of the long side (horizontal side in the figure) is e, and the angle with the horizontal scribe line 42 is defined. The chip 41 is separated by θ 1 and is separated from the vertical scribe line 42 by an angle θ 2.
When a triangle is cut out from the four corners of which the horizontal side is d and the vertical side is f, the horizontal expanding amount L 1 and the vertical expanding amount L 2 are respectively given by the following equations. ..

【0035】 L1 =c/tanθ1 −2d L2 =e/tanθ2 −2fL 1 = c / tan θ 1 -2d L 2 = e / tan θ 2 -2f

【0036】上記式により決定される間隔L1 ,L2
生じるまでエキスパンドを行うと、長方形のチップの4
角からも、同じ形状の3角形が切り出せることとなる。
When expansion is performed until the intervals L 1 and L 2 determined by the above equation are produced, four rectangular chips are obtained.
Triangles of the same shape can be cut out from the corners.

【0037】このように、上記実施例ではチップの角落
としを行うことによって、チップサイズを小さくしたの
で、該チップに対応するパッケージのサイズも小さいも
のを用いることができるので、その外形をさらに小さく
することが可能となる。
As described above, in the above embodiment, the chip size is reduced by removing the corners of the chip. Therefore, it is possible to use a package corresponding to the chip having a small size. It becomes possible to do.

【0038】上記第3の実施例では、チップをスクライ
ブする段階での角落としについて説明したが、ウェハ状
態で予め角落としを行っておくことも可能である。以
下、この加工方法を本発明の第4の実施例として説明す
る。
In the third embodiment described above, the corner removal at the stage of scribing the chip has been described, but it is also possible to perform the corner removal in advance in a wafer state. Hereinafter, this processing method will be described as a fourth embodiment of the present invention.

【0039】図5,図6はこの発明の第4の実施例によ
るチップ形状の加工方法を説明するための図であり、図
において、51,61はウェハ、52,62はそれぞれ
ウェハ51,61上の各チップを分離するためのチップ
分離用スクライブライン、53,63はそれぞれチップ
分離用スクライブライン52,62が垂直に交わる交点
に形成された円形の穴および45度に回転した四角形の
穴である。ここでは、各チップサイズを小さくするため
に行う角落としが必要な部分に円形の穴53あるいは四
角形の穴63を各チップを分離する前のウェハ状態で開
けている。円形の穴53は、キリ等の回転体による機械
的な加工で形成可能である。一方、四角形の穴63はウ
ェハプロセスの最終段階で写真製版により四角形の穴5
3を形成する部分以外をレジストで覆い、エッチングす
る方法が考えられる。また、ウェハプロセス完了後に、
四角形の穴63と同じ形状の治具をウェハ61に押さえ
つけ、超音波を印加して治具と同一形状に穴を開ける方
法でも可能である。この他にも加工方法は考えられる
が、本実施例のように予めウェハ状態で角落としの部分
を穴として抜いておくことにより、通常のスクライブ工
程のみを行っても、各チップの4つの角の角落としは行
われているので、該チップの対角長を短くして、外形を
小形化することができる。
FIGS. 5 and 6 are views for explaining a chip shape processing method according to a fourth embodiment of the present invention. In the drawings, 51 and 61 are wafers and 52 and 62 are wafers 51 and 61, respectively. Chip separating scribe lines for separating the above chips, 53 and 63 are circular holes formed at the intersections of the chip separating scribe lines 52 and 62 intersecting vertically and square holes rotated at 45 degrees. is there. Here, a circular hole 53 or a square hole 63 is opened in a wafer state before separating each chip in a portion where corner cutting for reducing each chip size is required. The circular hole 53 can be formed by mechanical processing using a rotating body such as a drill. On the other hand, the square hole 63 is formed by photolithography at the final stage of the wafer process.
A method is conceivable in which a portion other than the portion where 3 is formed is covered with a resist and then etched. Also, after the wafer process is completed,
A method in which a jig having the same shape as the rectangular hole 63 is pressed against the wafer 61 and ultrasonic waves are applied to form a hole having the same shape as the jig is also possible. Although other processing methods are conceivable, as in the present embodiment, by cutting out the corner-removed portions as holes in the wafer state in advance, even if only the normal scribing process is performed, four corners of each chip are processed. Since the corners of the chip have been removed, the diagonal length of the chip can be shortened to reduce the outer shape.

【0040】また、チップをウェハから円形に切り出し
て、形状を円とすればさらにチップサイズの縮小が可能
となり、この方法について、以下、説明する。図7はこ
の発明の第5の実施例によるチップ形状の加工方法を説
明するための図であり、図において、71はウェハ、7
2は円環状ダイヤモンドカッタの刃、73は超音波伝達
用治具である。図7(a) では機械的に円形のチップを切
り出す方法を説明している。ここでは、円環状ダイヤモ
ンドカッタの刃72をウェハ71に接触させ、回転させ
ることにより、該円環状ダイヤモンドカッタ刃の内周の
直径と同じ直径の円形チップを切り出すことが可能とな
る。
If the chip is cut out from the wafer in a circular shape and the shape is a circle, the chip size can be further reduced. This method will be described below. FIG. 7 is a diagram for explaining a chip shape processing method according to a fifth embodiment of the present invention, in which 71 is a wafer and 7 is a wafer.
Reference numeral 2 is a circular diamond cutter blade, and 73 is an ultrasonic wave transmission jig. FIG. 7 (a) illustrates a method of mechanically cutting out a circular chip. Here, by bringing the blade 72 of the annular diamond cutter into contact with the wafer 71 and rotating it, it becomes possible to cut out a circular chip having the same diameter as the inner diameter of the annular diamond cutter blade.

【0041】図7(b) では超音波を使って円形のチップ
を切り出す方法を説明している。ここで用いる超音波伝
達用治具73は、その断面が図7(c) に示すように下部
の所定の深さまでが円環状となっており、その底面図を
図7(d) に示している。該超音波伝達用治具73をウェ
ハ71に押し当てると、該治具73によって超音波が導
かれ、ウェハ71に超音波が印加される。これにより、
超音波伝達用治具73の底面と同一形状にウェハ71が
掘削され、最終的に円形のチップを切り出すことが可能
となる。このように、ウェハから直接円形のチップを切
り出すことにより、所望の大きさのチップを容易に得る
ことができ、また、チップの形状が円形であると、パッ
ケージの形状も円形であることより、その外形がさらに
小形化できる。
FIG. 7B illustrates a method of cutting out a circular chip using ultrasonic waves. The ultrasonic transmission jig 73 used here has a circular cross section as shown in FIG. 7 (c) up to a predetermined depth in the lower part, and its bottom view is shown in FIG. 7 (d). There is. When the jig 73 for transmitting ultrasonic waves is pressed against the wafer 71, the ultrasonic waves are guided by the jig 73, and the ultrasonic waves are applied to the wafer 71. This allows
The wafer 71 is excavated in the same shape as the bottom surface of the ultrasonic wave transmission jig 73, and finally a circular chip can be cut out. In this way, by cutting a circular chip directly from the wafer, a chip of a desired size can be easily obtained, and when the chip has a circular shape, the package has a circular shape. The outer shape can be further miniaturized.

【0042】これまでの実施例では、ウェハからセンサ
チップを切り離すまでにチップの角落としを行う例につ
いて説明したが、他の実施例として、ウェハから四角形
のチップを切り出した後に角を落とす方法も考えられ、
この方法について、以下、説明する。図8はこの発明の
第6の実施例によるチップ形状の加工方法の一例を説明
するための図であり、図において、81,83はチップ
を保持する治具であり、図8(a) ,(b) にそれぞれその
上面図,断面図を示す。82は四角に切り出したチッ
プ、84はダイアモンドカッタの刃、85は砥石であ
る。
In the above-described embodiments, an example in which the corner of the chip is cut before the sensor chip is separated from the wafer has been described, but as another embodiment, a method of cutting the corner after cutting a square chip from the wafer is also used. Thought,
This method will be described below. FIG. 8 is a diagram for explaining an example of a chip shape processing method according to a sixth embodiment of the present invention. In the figure, 81 and 83 are jigs for holding chips, and FIG. (b) shows the top view and cross-sectional view, respectively. Reference numeral 82 is a chip cut into a square, 84 is a blade of a diamond cutter, and 85 is a grindstone.

【0043】次に角落とし方法について説明する。ま
ず、チップ保持治具81に複数枚のセンサチップ82を
重ねてのせる。この状態を図8(c) に示すが、チップ8
2はチップ保持治具81からその4つの角をはみ出すよ
うにしている。これをもう一方のチップ保持治具83で
上から押さえつける(図8(d) ,(e) )。図に示すよう
にチップ82はチップ保持治具81,83からその4つ
の角をはみ出した状態で固定される。次に、このはみ出
した角の部分に対して角落としを行う。図8(f)は回転
するダイヤモンドカッタの刃84で切り落とす場合につ
いて示しており、また、図8(g) では、回転する研磨用
砥石85をチップ82の側面から押しつけながら角を研
磨する例を示している。このようにして、チップの4つ
の角から角落としを行うことができ、これにより、チッ
プサイズを小さくし、パッケージの外形も小さくするこ
とができる。
Next, the method of removing corners will be described. First, a plurality of sensor chips 82 are stacked on the chip holding jig 81. This state is shown in Fig. 8 (c).
Reference numeral 2 indicates that the four corners of the jig 81 are projected from the chip holding jig 81. This is pressed from above by the other chip holding jig 83 (FIGS. 8 (d) and 8 (e)). As shown in the figure, the chip 82 is fixed with its four corners protruding from the chip holding jigs 81 and 83. Next, a corner is removed from the protruding corner. FIG. 8 (f) shows the case of cutting off with a rotating diamond cutter blade 84, and FIG. 8 (g) shows an example of polishing a corner while pressing a rotating polishing grindstone 85 from the side surface of the tip 82. Shows. In this way, the corners can be removed from the four corners of the chip, which makes it possible to reduce the chip size and the package outline.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子によれば、パッケージ封入のためのベース,キャッ
プ間の接着部分をパッケージの垂直方向に設けたことに
より、パッケージの外形をチップサイズと同程度まで小
さくできるので、その外形をさらに小形化できる効果が
ある。
As described above, according to the solid-state image pickup device of the present invention, since the adhesive portion between the base and the cap for encapsulating the package is provided in the vertical direction of the package, the outer shape of the package is the chip size. Since it can be made as small as the above, there is an effect that the outer shape can be further miniaturized.

【0045】また、この発明に係る固体撮像素子および
その製造方法によれば、チップの形状を工夫してチップ
の対角長を小さくしたので、該チップに対応するパッケ
ージのサイズも小さいものを用いることができるので、
さらに外形を小さくできる効果がある。
Further, according to the solid-state image pickup device and the method of manufacturing the same according to the present invention, since the diagonal shape of the chip is reduced by devising the shape of the chip, a package corresponding to the chip having a small size is used. Because you can
Further, there is an effect that the outer shape can be reduced.

【0046】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法によれば、4角形のチップの4角の角落としを行
う際、個々に分離されたチップをその上に有する伸縮性
シートをエキスパンドした後、これらのチップを角落と
し用のスクライブライン相互を結ぶ2方向の直線の各々
に沿って複数のチップのスクライブを行うことにより同
時に複数のチップの角落としを行ったので、効率よく、
しかも容易に角落としを行ってサイズの小さなチップを
得ることができ、これにより、外形の小さな固体撮像素
子を効率良く得られる効果がある。
Further, according to the method for manufacturing a solid-state image pickup device of the present invention, when the corners of a quadrangular chip are removed, a stretchable sheet having individually separated chips thereon is expanded. After that, since the chips were scribed at the same time by scribing the chips along each of the two straight lines that connect the scribe lines for corner removal, the chips were efficiently edged,
Moreover, the corners can be easily removed to obtain a small-sized chip, which has the effect of efficiently obtaining a solid-state imaging device having a small outer shape.

【0047】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法によれば、チップの角落としをウェハ状態の製造工
程中に行うようにしたので、その後の各チップの分離を
行うスクライブ工程では、該スクライブを行うだけでチ
ップの角落としは行われていることになり、外形の小さ
な固体撮像素子を作業の煩雑さもなく容易に得られる効
果がある。
Further, according to the method for manufacturing a solid-state image pickup device of the present invention, chip corners are removed during the wafer-state manufacturing process. Therefore, in the subsequent scribing process for separating each chip, Since the corners of the chip are dropped just by scribing, there is an effect that a solid-state image pickup device having a small outer shape can be easily obtained without complicated work.

【0048】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法によれば、チップの角落としを個々のチップに分
離した後に、4つの角を研磨やダイヤモンドカッタ等に
より切断するようにしたので、作業を機械化でき、製造
上、能率性,再現性良くサイズの小さな固体撮像素子を
得られる効果がある。
Further, according to the method of manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, after the corner drop of the chip is separated into individual chips, the four corners are cut by polishing or a diamond cutter. It is possible to obtain a solid-state image sensor which can be mechanically processed and has a small size with good efficiency and reproducibility in manufacturing.

【0049】また、この発明に係る固体撮像素子によれ
ば、ベースの上に載置するチップを円形チップとしたの
で、対角線は最小となり、さらに外形の小さな固体撮像
素子が得られる効果がある。
Further, according to the solid-state image pickup device of the present invention, since the chip mounted on the base is a circular chip, the diagonal line is minimized, and the solid-state image pickup device having a smaller outer shape can be obtained.

【0050】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法によれば、円形チップはウェハに円筒形の刃を押
し当てて該刃を回転することにより、あるいは超音波に
よって切り出すようにしたので、固体撮像素子の外形を
小さくできる円形チップを再現性良く容易に得られる効
果がある。
Further, according to the method of manufacturing a solid-state image sensor according to the present invention, the circular chip is cut out by pressing a cylindrical blade against the wafer and rotating the blade, or by ultrasonic waves. There is an effect that a circular chip capable of reducing the outer shape of the solid-state imaging device can be easily obtained with good reproducibility.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例による固体撮像素子の
パッケージの構造を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a package of a solid-state image sensor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2の実施例による固体撮像素子の
パッケージの構造を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a structure of a package of a solid-state image pickup device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の第3の実施例による固体撮像素子の
チップ形状の加工方法を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of processing the chip shape of a solid-state image sensor according to the third embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第3の実施例による固体撮像素子の
チップレイアウトを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a chip layout of a solid-state image sensor according to a third embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第4の実施例による固体撮像素子の
チップ形状の加工方法を説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of processing the chip shape of a solid-state image sensor according to the fourth embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第4の実施例による固体撮像素子の
チップ形状の加工方法を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of processing a chip shape of a solid-state image sensor according to the fourth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の第5の実施例による固体撮像素子の
チップ形状の加工方法を説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of processing the chip shape of the solid-state image pickup device according to the fifth embodiment of the present invention.

【図8】この発明の第6の実施例による固体撮像素子の
チップ形状の加工方法を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of processing the chip shape of a solid-state image pickup device according to the sixth embodiment of the present invention.

【図9】従来の固体撮像素子のパッケージの構造を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing a structure of a conventional solid-state imaging device package.

【図10】従来のレーザダイオードあるいはフォトダイ
オードパッケージの構造を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a structure of a conventional laser diode or photodiode package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベース 2 封止用金属製円筒リング 3 金属製キャップ 4 ガラス窓 5 イメージセンサチップ 6 リードピン 7 ワイヤ 8 位置決め用突起 9 溶接用突起 10 ハンダ封止用メタライズ部分 11 ハンダメッキ 12 金属皮膜 13 ハンダメッキ 31 ウェハ 32 ビニール製シート 33 チップ分離用スクライブライン 34 矢印 35 角落とし用のスクライブラインを結ぶ直線 41 チップ 42 チップ分離用スクライブライン 43 角落とし用スクライブライン 51 ウェハ 52 チップ分離用スクライブライン 53 円形の穴 61 ウェハ 62 チップ分離用スクライブライン 63 四角形の穴 71 ウェハ 72 円環状ダイヤモンドカッタの刃 73 超音波伝達用治具 81 チップ保持用治具 83 チップ保持用治具 84 ダイヤモンドカッタの刃 85 砥石 1 Base 2 Sealing Metal Cylindrical Ring 3 Metal Cap 4 Glass Window 5 Image Sensor Chip 6 Lead Pin 7 Wire 8 Positioning Protrusion 9 Welding Protrusion 10 Solder Sealing Metallized Part 11 Solder Plating 12 Metallic Film 13 Solder Plating 31 Wafer 32 Vinyl sheet 33 Chip separation scribe line 34 Arrow 35 Straight line connecting scribe lines for corner removal 41 Chip 42 Scribe line for chip separation 43 Corner scribe line 51 Wafer 52 Chip scribe line 53 Circular hole 61 Wafer 62 Chip separation scribe line 63 Square hole 71 Wafer 72 Circular diamond cutter blade 73 Ultrasonic wave transmission jig 81 Chip holding jig 83 Chip holding jig 84 Diamond cutter 85 Wheels

フロントページの続き (72)発明者 山本 秀和 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内Front page continuation (72) Hidekazu Yamamoto 4-1-1 Mizuhara, Itami City, Hyogo Prefecture Mitsubishi Electric Corporation LSI Research Center

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 その上にチップを載置した円形ベースに
金属製キャップを被せて両者の接触部分を固着してパッ
ケージ封止してなる固体撮像素子において、 上記ベースはその側壁全面を覆う被覆金属を有し、 上記キャップはその内側壁に上記ベースに該キャップを
被せる際の上下方向の位置決め用突起部を有し、 上記被覆金属とキャップとを溶接により固着してなるパ
ッケージを有することを特徴とする固体撮像素子。
1. A solid-state imaging device comprising a circular base on which a chip is mounted and a metal cap covering the contacting portions of the two so as to fix and package the package. The base covers the entire side wall. The cap has a metal, and the cap has a protrusion for positioning in the vertical direction when the cap is put on the base on the inner wall of the cap, and has a package in which the coating metal and the cap are fixed by welding. Characteristic solid-state image sensor.
【請求項2】 請求項1記載の固体撮像素子において、 上記被覆金属がハンダであることを特徴とする固体撮像
素子。
2. The solid-state image sensor according to claim 1, wherein the coating metal is solder.
【請求項3】 その上にチップを載置したベースに金属
製キャップを被せて両者の接触部分を固着してパッケー
ジ封止してなる固体撮像素子において、 上記チップは、それに沿って切り落とした部分が相互に
相似形となるような角落とし用スクライブラインを持ち
該スクライブラインとその各辺とが所定の角度を有する
4角形のチップを、該角落とし用のスクライブラインに
沿ってスクライブしたものであることを特徴とする固体
撮像素子。
3. A solid-state imaging device in which a base on which a chip is mounted is covered with a metal cap, and contact portions between the both are fixed and the package is sealed. In the solid-state imaging device, the chip is cut off along the portion. Are scribed along the scribe line for corner removal, and a quadrilateral chip having a scribe line for corner removal that has a predetermined angle between each scribe line and each side. A solid-state image sensor characterized in that
【請求項4】 その上にチップを載置したベースに金属
製キャップを被せて両者の接触部分を固着してパッケー
ジ封止してなる固体撮像素子を製造する方法において、 伸縮性シート上に貼り付けられたウェハ上に、個々のチ
ップに分離するためのチップ分離用スクライブライン
と、チップの各辺と所定の角度を有しそれに沿って切り
落とした部分が相互に相似形となるような角落とし用の
スクライブラインとを形成する工程と、 上記チップ分離用のスクライブラインに沿って上記ウェ
ハを4角形の各チップに分離する工程と、 上記伸縮性シートの周縁部を外方に引っ張って該シート
を伸張し、上記分離された各チップ間に所定の間隔をあ
ける工程と、 上記分離された各チップの角落とし用のスクライブライ
ン相互を結ぶ2方向の直線の各々に沿って複数のチップ
のスクライブを同時に行い、該各チップの4つの角の角
落としを行う工程とを有することを特徴とする固体撮像
素子の製造方法。
4. A method for manufacturing a solid-state imaging device comprising a base on which a chip is mounted and a metal cap being covered on the base to fix the contact parts of the both, and package-sealing. A chip separation scribe line for separating individual chips on the attached wafer, and corner cutting so that the parts cut along each side of the chip have a predetermined angle and are cut into a similar shape. And a step of separating the wafer into quadrangular chips along the chip separating scribe line, and pulling the peripheral portion of the elastic sheet outward to obtain the sheet. And extending a predetermined distance between the separated chips, and two straight lines connecting the scribe lines for corner removal of the separated chips. Along simultaneously perform scribing of a plurality of chips, a method for manufacturing a solid-state imaging device, characterized in that a step of performing a chamfered four corners of the respective chip.
【請求項5】 その上にチップを載置したベースに金属
製キャップを被せて両者の接触部分を固着してそのパッ
ケージを封止してなる固体撮像素子を製造する方法にお
いて、 個々のチップに分離するためのチップ分離用スクライブ
ラインをウェハ上に形成する工程と、 上記チップ分離用スクライブラインが互いに垂直に交わ
る交点に、上記ウェハを貫通する穴を開ける工程と、 上記チップ分離用スクライブラインに沿って上記ウェハ
をスクライブして個々のチップに分離する工程とを有す
ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
5. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising: covering a base on which a chip is mounted with a metal cap, fixing a contact portion between the two, and sealing the package; A step of forming a chip separation scribe line for separation on the wafer, a step of forming a hole penetrating the wafer at an intersection point where the chip separation scribe lines intersect each other perpendicularly, and a step of forming the chip separation scribe line on the wafer. And a step of separating the wafer into individual chips by scribed along the wafer.
【請求項6】 その上にチップを載置したベースに金属
製キャップを被せて両者の接触部分を固着してパッケー
ジ封止してなる固体撮像素子を製造する方法において、 ウェハ上のチップ分離用スクライブラインに沿って該ウ
ェハを切断して個々のチップに分離した後、該チップの
4つの角を、研磨あるいはダイアモンドカッタにより切
断して角落としを行う工程を有することを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。
6. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising a base on which a chip is mounted on which a metal cap is covered, a contact portion between the both is fixed, and a package is sealed, for separating a chip on a wafer. A solid-state imaging device comprising a step of cutting the wafer along a scribe line to separate the chips into individual chips, and then cutting or cutting off the four corners of the chips by polishing or a diamond cutter. Manufacturing method.
【請求項7】 その上にチップを載置したベースに金属
製キャップを被せて両者の接触部分を固着してパッケー
ジ封止してなる固体撮像素子において、 上記チップを円形チップとしたことを特徴とする固体撮
像素子。
7. A solid-state imaging device in which a base on which a chip is mounted is covered with a metal cap to fix a contact portion between the both, and the package is sealed, wherein the chip is a circular chip. Solid-state image sensor.
【請求項8】 請求項7記載の固体撮像素子を製造する
方法において、 ウェハに円筒形の刃を押し当てて該刃を回転することに
よって、あるいはウェハとの円形の接触部を有する治具
により該ウェハに超音波を印加することによって、上記
円形チップを切り出す工程を有することを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。
8. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 7, wherein a cylindrical blade is pressed against the wafer and the blade is rotated, or a jig having a circular contact portion with the wafer is used. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising a step of cutting out the circular chip by applying ultrasonic waves to the wafer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268231B1 (en) 1996-04-08 2001-07-31 Eastman Kodak Company Low cost CCD packaging

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