JPH05251031A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メンテナンスを容易に行うこと。 【構成】 ソースチャンバの蓋体をなすバックプレート
３に、導電性の支柱３２〜３４を介して絶縁性材料より
なる中間プレート６を取り付け、イオン源装置２に固定
された支柱６１〜６４を、中間プレート６に着脱自在に
取り付ける。またイオン源装置２と中間プレート６との
間に導電性ストラップを介在させ、所定の電気的接続を
行う。イオン源装置２のフィラメント２３の両端に並行
状に第１の導電棒４１ａ、４１ｂを固定し、この導電棒
４１ａ、４１ｂに変形自在な接続体５１、５２を介し
て、相互距離の広い第２の導電棒４２ａ、４２ｂを接続
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおい
て、半導体ウエハに不純物をイオンとして注入するため
には、一般にイオン源から引き出されたイオンを、質量
分析マグネット及び加速管を通した後静電偏光板によ
り、Ｘ、Ｙ方向に走査して、所定のパターンで半導体ウ
エハに注入するイオン注入装置が用いられている。この
ようなイオン注入装置のイオン源装置としては、アーク
チャンバ内に、アノード電極と当該チャンバを貫通する
棒状のフィラメントとを設け、アノード電極及びフィラ
メント間に電圧を印加すると共にアークチャンバ内に原
料ガスを導入してプラズマ化し、このプラズマから引き
出し電極によりイオンを引き出すフリーマン型の装置が
一般に知られている。

【０００３】ここで本発明者等は、フリーマン型とは方
式の異なる新しいイオン源装置として、フィラメントと
アノート電極との間に電圧を印加して所定のガスから第
１のプラズマを発生させると共に、この第１のプラズマ
中から電子を引き出して所定の原料ガスに照射すること
により第２のプラズマを発生させ、チャンバに設けられ
たスリットから第２のプラズマ中のイオンを引き出す電
子ビーム励起イオン源装置を開発し、検討している。こ
の装置は第１のプラズマの電子を利用して第２のプラズ
マからイオンを引き出しているため、低いイオンエネル
ギーから高いイオン電流密度が得られる点で非常に有利
である。

【０００４】ところでイオン注入装置においては、ソー
スチャンバと呼ばれる円筒状の真空容器内にイオン源装
置が配置されており、イオン源装置はソースチャンバの
一端側開口部の蓋体をなすバックプレートに支柱を介し
て固定されている。図７はこのようなイオン源装置の従
来の固定構造を示す図である。この例においてイオン源
装置１は、第１のプラズマを発生するための電子生成室
１１と第２のプラズマを発生するためのイオン生成室１
２とからなり、電子生成室１１内にはＵ字状のフィラメ
ント１３が設けられると共に、フィラメント１３の両端
部にバックプレート１４に向かって並行状に延びる導電
棒１５ａ、１５ｂの一端が接続され、他端がバックプレ
ート１４に固定されている。更にイオン源装置１とバッ
クプレート１４との間には、支柱１６、導電性のストラ
ップ１７、ガス管１８ａ、１８ｂなどが接続されおり、
イオン源装置は、バックプレート１４を介してソースチ
ャンバに対して装着、取り外しが行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところでイオン源装置
においては、プラズマ中のイオンによりイオン出力スリ
ット等がスパッタ、エッチングされて消耗し、またスパ
ッタやエッチングによる飛散物がイオン引き出し電極の
表面に被着、堆積するため、定期的にイオン源装置１を
ソースチャンバ内から取り出して分解し、上述の部品の
交換あるいはクリーニング等のメンテナンスを行う必要
がある。

【０００６】この場合イオン源装置１と、バックプレー
ト１４とが一体となっていると、メンテナンス作業が不
便であるため、イオン源装置１をバックプレート１４か
ら取り外すことが必要である。

【０００７】しかしながら導電棒１５ａ、１５ｂや支柱
１６をメンテナンスを行う度にバックプレート１４に対
して着脱するとシール部材が摩耗して気密性が悪くなっ
てしまう。なおイオン源装置１が高温に加熱されるた
め、支柱１６等とイオン源装置１の壁部との熱膨脹の差
によりこれら結合部には大きな力が加わって結合部が歪
んでいるので、イオン源装置１側で上述の取り外しを行
うことは得策ではない。

【０００８】またフィラメント１３はＵ字状に形成され
ており、イオン注入時には１０００℃から３０００℃付
近もの高温に加熱されるため、熱膨脹によりその形状が
開く方向に即ち両端部が開くように変形し、このためフ
ィラメント１３の両端部に接続されている導電棒１５
ａ、１５ｂが拡開しようとするが、導電棒１５ａ、１５
ｂの他端側はシール性を確保するためにバックプレート
１４に強固に固定されている。この結果バックプレート
１４における導電棒１５ａ、１５ｂの固定用のネジ部に
フィラメント１３の拡開方向の力が集中してネジ部を潰
してしまい、メンテナンス時にネジ部をドリルで壊さな
ければならないこともあり、メンテナンスに多大な労力
と時間を費やしてしまうのみならず、ネジ部あるいはバ
ックプレート１４自体を交換しなければならず、コスト
低減の妨げとなっていた。なおイオン源装置２側の接続
部については、イオン源装置２が高温になることからイ
オン源装置２と導電棒１５ａ、１５ｂとの熱膨脹の差に
より大きな力が加わり、着脱することは困難である。

【０００９】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、メンテナンスを容易に行う
ことのできるイオン注入装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
容器に装着される保持体に、支持部材を介してイオン源
装置が支持され、このイオン源装置内の屈曲したフィラ
メントの両端部から延び出した導電棒の先端部が前記保
持体に固定されているイオン注入装置において、前記導
電棒の各々を、イオン源装置から長さ方向に第１の導電
棒と第２の導電棒とに分割し、第２の導電棒の分割側端
部を夫々第１の導電棒の分割側端部同士間の内方側また
は外方側に位置させ、第１の導電棒の分割側端部と第２
の導電棒の分割側端部とを、前記フィラメントの熱膨脹
力により変形する導電性の接続体により接続したことを
特徴とする。

【００１１】請求項２の発明は、真空容器に装着される
保持体に、支持部材を介してイオン源装置が支持される
イオン注入装置において、前記保持体とイオン源装置と
の間に中間結合体を配置し、当該中間結合体を導電性の
支持部材により前記保持体に支持させ、前記中間結合体
とイオン源装置との間に支持部材及び導電路部材を介在
させ、少なくとも支持部材を中間結合体に対して着脱自
在に取り付けたことを特徴とする。この場合中間接続体
を絶縁材にすることが望ましい。

【００１２】請求項４の発明は、真空容器の開口部に装
着される蓋体に、支持部材を介してイオン源装置が支持
されるイオン注入装置において、前記蓋体に位置決め用
の係合部を形成すると共に、前記真空容器に前記係合部
と係合する位置決め用の被係合部を形成し、前記係合部
を被係合部に係合した状態で蓋体を真空容器に装着する
ことによりイオン源装置が位置決めされることを特徴と
する。

【００１３】請求項５の発明は、容器に装着される保持
体に、支持部材を介してイオン源装置が支持され、この
イオン源装置と保持体との間にはガス供給管が設けられ
ているイオン注入装置において、前記ガス供給管が凹状
に屈曲して伸びるように構成したことを特徴とする。

【００１４】

【作用】先ず保持体例えば蓋体を真空容器に装着する場
合、蓋体の係合部と真空容器の被係合部とを係合させる
ことにより、イオン源装置の出力イオンビームの軸が所
定位置となるように自動的に位置設定される。そしてイ
オンを出力するときにフィラメントが高温に加熱され導
電棒が拡開するが、導電棒の分割側端部の接続体がフィ
ラメントの熱膨脹力即ち導電棒の拡開力により変形し、
このため導電棒と蓋体との固定部に、また接続体と導電
棒との接続部にも大きな力が加わらないので、固定部や
接続部におけるネジ部を潰すことがなく、分解を容易に
行うことができる。

【００１５】更にイオン源装置と蓋体との間に例えば絶
縁性の中間結合体を設けているので、この中間結合体と
支柱とを着脱することによりイオン源装置を蓋体に対し
て固定、取り外しを行うことができ、従ってメンテナン
スが容易になり、中間結合体における支柱間等の絶縁構
造も簡単である。そしてまたイオン源装置と蓋体との間
のガス供給管を例えばＳ字状に屈曲させれば、部品の寸
法誤差等により、イオン源装置と蓋体との距離よりガス
供給管の両端距離が短くなってもガス供給管を引き伸ば
すことによりその接続を行うことができる。

【００１６】

【実施例】図１は本発明の実施例を示す図である。同図
において２はイオン源装置であり、後述の支柱などを介
して、保持体に相当する円形状のバックプレート３に固
定されている。このバックプレート３はこの例では図２
に示すように真空容器であるソースチャンバ３０の蓋体
をなすものであり、ソースチャンバ３０に装着されるこ
とによって、イオン源装置２がソースチャンバ３０内に
設置される。そしてイオン源装置２は後述のように非常
に高温になるので、バックプレート３の温度上昇を抑え
るためにイオン源装置２の表面及びソースチャンバ３０
の内面を黒色に着色し、更にはバックプレート３に冷却
手段を設けること、例えばバックプレート３内に冷媒流
路を埋没することが望ましい。

【００１７】前記イオン源装置２は、各々導電性高融点
材料例えばモリブテンからなる電子生成室２１とイオン
生成室２２とを備えており、電子生成室２１内には、両
端が電子生成室２１の背面側に固定されたＵ字状の例え
ばタングステンからなるフィラメント２３が設けられて
いる。

【００１８】前記フィラメント２３の両端には、夫々導
電路部材である導電棒４１、４２の一端側が接続され、
これら導電棒４１（４２）は、イオン源装置２からバッ
クプレート３に向けて並行状に延び出すと共に、例えば
イオン源装置２とバックプレート３との中間部よりも若
干バックプレート３側に寄った位置にて、長さ方向に第
１の導電棒４１ａ（４２ａ）と第２の導電棒４１ｂ（４
２ｂ）とに分割されており、第２の導電棒４１ｂ、４２
ｂの相互離間距離が第１の導電棒４１ａ、４２ａの相互
離間距離よりも広くなるように設定されている。

【００１９】前記第１の導電棒４１ａ、４２ａの分割側
端部（バックプレート３側の端部）と第２の導電棒４１
ｂ、４２ｂの分割側端部（イオン源装置２側の端部）と
の間には、フィラメント２３の熱膨張に伴う第１の導電
棒４１ａ、４２ａの拡開力により変形する接続体５１、
５２が接続されており、この接続体５１、５２は、図
１、図３に示すように耐蝕性材料例えば銀製の薄い帯状
板の中央部をＵ字形に屈曲させて、長さ方向に変形する
ように構成されている。そして第１の導電棒４１ａ（４
２ａ）の分割側端部及び第２の導電棒４１ｂ（４２ｂ）
の分割側端部は各々先端が偏平状に形成され、これら偏
平な先端の表面に夫々接続体５１（５２）の両端の平坦
面が接合されて例えばネジ５３により固定されている。

【００２０】前記導電棒４１ｂ、４２ｂにおける分割側
と反対側の端部はバックプレート３にシール部材３１を
介してネジ止めされ、図示しない電圧供給線に接続され
る。

【００２１】前記イオン源装置２とバックプレート３と
の間には、バックプレート３側からみて前記導電棒４
１、４２よりも図１中イオン源装置２の下方側を略覆う
ように、絶縁性材料よりなる四角形状の中間結合体とし
ての中間プレート６が配置されており、この中間プレー
ト６の中央部には円孔部６０が形成されている。

【００２２】イオン源装置２のバックプレート３側の背
面からは、上下に２本づつ並行状に合計４本の例えばス
テンレス製の支柱６１〜６４が延出して、その先端が図
１及び図４に示すように中間プレート６にバックプレー
ト３側からネジ６５により着脱自在に固定されると共
に、イオン源装置２の側面には導電性ストラップ６６〜
６８の一端が接続され、これら導電性ストラップ６６〜
６８の他端は中間プレート６に図では見えないネジによ
り固定されている。

【００２３】前記バックプレート３と中間プレート６と
の間には、３本の導電路を兼用した支柱３２〜３４が接
続され、その一端側はシール部材３１を介してバックプ
レート３にネジ止めされ、図示しない電圧供給線に接続
されている。前記支柱３２の他端は中間プレート６にて
前記導電性ストラップ６６に電気的に接続されて固定さ
れると共に、その接続部と前記導電性ストラップ６７と
は、中間プレート６のバックプレート３側の面に貼設さ
れた帯状の接続プレート３５により電気的に接続されて
いる。中間プレート６のバックプレート３側の面はイオ
ン源装置２からの飛散物の付着量が少ないので、接続プ
レート３５をこの面に設ければ、支柱６１との間で付着
物によるショートのおそれがない。前記支柱３３の他端
は、図４に示すように同様の接続プレート３６により、
導電路を兼用するイオン源装置２側の支柱６３に電気的
に接続され、また前記支柱３４は前記導電性ストラップ
６８に電気的に接続されている。

【００２４】前記イオン源装置２の電子生成室２１の図
１中上面には、例えばアルゴンガス（放電ガス）を供給
するための放電ガス供給管Ｇ１の一端が接続されると共
に、イオン生成室２２の背面には、所定の原料ガスを供
給するための原料ガス供給管Ｇ２の一端が接続されてい
る。これらガス供給管Ｇ１、Ｇ２は途中Ｓ字状に屈曲さ
れており、その他端がバックプレート３にシール部材３
２により気密に固定されている。ただし原料ガス供給管
Ｇ２は、中間プレート６の孔部６０内を貫通している。

【００２５】このように中間プレート６を用いてイオン
源装置２とバックプレート３とを結合すれば、図４に示
すように、ネジ６５により支柱６１〜６４を中間プレー
ト６から分離することができるので、ガス供給管Ｇ１、
Ｇ２及び導電性ストラップ６６〜６８をイオン源装置２
から取り外すと共に導電棒４１ａ、４１ｂを接続部５
１、５２から取り外すことによって、イオン源装置２を
バックプレート３から容易に切り離すことができ、バッ
クプレート３側のシール構造を伴う接続部分については
取り外しをしなくて済むのでイオン源装置２の取り外
し、あるいは装着作業が容易であり、またバックプレー
ト３における気密性を悪くすることもない。

【００２６】ここで前記イオン源装置２について図５を
参照しながら簡単に説明すると、電子生成室２１内には
先述したようにＵ字状のフィラメント２３が配置され、
このフィラメント２３に電圧Ｖｆを印加して加熱すると
共に、電極を兼用する壁部との間に電圧Ｖｄを印加し、
これにより前記ガス供給管Ｇ１より導入した放電ガスＱ
Ｋ例えばアルゴンガスを放電させる。

【００２７】前記電子生成室２１は、図５中その下面の
孔部２４を介して、更に電子引き出し電極２５の一部を
なす板状部の多数の透孔２６を通じてイオン生成室２２
に連通しており、電子引き出し電極２５とイオン生成室
２２の側壁部との間に加速電圧ＶＡを印加することによ
り、アルゴンガスのプラズマ中の電子がイオン生成室２
２内に引き出される。

【００２８】一方イオン生成室２２内には、前記ガス供
給管Ｇ２により原料ガスＱＡが導入され、前記電子がこ
の原料ガスに衝突してプラズマが発生し、図示の方向に
形成された磁場ＢＺと、イオン生成室２２の下面及び側
壁部間の電圧ＶＡとの作用によりプラズマが締め付けら
れて集束化し、図示しないイオン引き出し電極によりス
リット２７を通してターゲットである半導体ウエハに走
査照射される。

【００２９】そしてイオンビームを正確にターゲットの
所定位置に照射するためには前記スリット２７を高精度
に位置合わせする必要があり、このため本発明実施例で
は図２に示すように、バックプレート３の正面側（イオ
ン源装置２側）周縁部に位置決め用の係合部をなす突起
３７を設けると共に、ソースチャンバ３０におけるリン
グ状の枠部に前記突起と係合する被係合部をなす受け穴
３８が形成されている。従ってバックプレート３をソー
スチャンバ３０に装着する場合、突起３７を受け穴３８
に差し込むことによってイオン源装置２の位置決め即ち
イオン出力ビームのビーム軸の位置決めを自動的に行う
ことができ、その後は例えばソースチャンバ３０の開口
部周縁部に設けられた回動自在なストッパ３９等により
バックプレート３の外表面を押さえるだけでバックプレ
ート３の装着を容易に行うことができる。

【００３０】また図５に示す電圧供給端子と図１に示す
導電部との対応について述べると、図５の端子Ｆ１、Ｆ
２は導電棒４１、４２に対応し、端子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３
は夫々導電性ストラップ６８、６７、６６に対応し、端
子Ａは支柱６３に対応している。

【００３１】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずイオン源装置２を支持したバックプレート３をソース
チャンバ３０に装着し、図示しない電源部から図１に示
す導電棒４１、４２や支柱３２〜３４などを介して図５
に示すようにイオン源装置２に対して電圧を印加すると
共に、図示しないガス供給源からガス供給管Ｇ１を介し
て例えばアルゴンガスを０．０５ＳＣＣＭ以上の流量で
電子生成室２１内に導入すると、フィラメント２３が電
圧Ｖｆにより例えば１０００℃から３０００℃付近まで
加熱されて熱電子を発生し、放電電圧Ｖｄによりアルゴ
ンガスが放電してプラズマ化する。そしてガス供給管Ｇ
２から原料ガスを例えば０．１５ＳＣＣＭの流量でイオ
ン生成室２２内に導入すると共に図示しない排気口から
排気すると、既述したようにアルゴンガスのプラズマか
ら引き出された電子が原料ガスに衝突してプラズマを発
生させ、ここからイオンが引き出される。

【００３２】ここで前記フィラメント２３はＵ字状に形
成されているため高温に加熱することにより熱膨脹して
拡開し、このため導電棒４１ａ、４２ａの先端が互に開
き合い、これにより接続体５１、５２の屈曲部分が更に
屈曲するように変形する。従って接続体５１（５２）の
両端と導電棒４１ａ（４２ａ）、４１ｂ（４２ｂ）との
接続部には無理な力が加わらないのでネジ部が潰れるこ
とがなく、このためメンテナンス時にイオン源装置２を
分解する場合にも接続体５１、５２を止めているネジ５
３を容易に外すことができ何ら支障なくイオン源装置２
側の導電棒４１ａ、４２ａをバックプレート３側から分
離することができる。この接続体としては上述の構造に
限らず例えばフィラメントの熱膨脹力により変形し得る
細いＳ字状の線状体であってもよい。またフィラメント
としては、Ｕ字状に限らず開く方向に熱膨脹する形状で
あれば本発明を適用できる。

【００３３】以上において上述実施例では、所定のイオ
ンビームを得るためにイオン源装置２を１０００℃から
３０００℃程度もの高温に維持する必要があるが、イオ
ン源装置２の背面側に中間プレート６を配置しているた
め、イオン源装置２からの放熱が中間プレート６により
遮ぎられ、熱効率を高めることができる。更に中間プレ
ート６を絶縁性材料により構成しているため、各導電性
の支柱や導電性ストラップ間が中間プレート６により絶
縁されるので各部材毎に絶縁構造を採用しなくて済み、
絶縁を容易に行うことができる。

【００３４】更にまたガス供給管Ｇ１、Ｇ２をＳ字状に
形成しているため、例えば製造時にガス供給管や支柱等
の寸法誤差によりガス供給管Ｇ１、Ｇ２の両端間の寸法
や支柱の長さに誤差が生じても、ガス供給管Ｇ１、Ｇ２
を伸縮させることによりイオン源装置２及びバックプレ
ート３間に取り付けることができる。なおガス供給管Ｇ
１、Ｇ２は凹状に屈曲してのびる形状であれば途中をＵ
字状に形成してもよい。

【００３５】そしてまたイオン源装置２より延び出して
いる導電棒４１、４２をバックプレート３までそのまま
延ばした場合には、導電棒４１、４２同士が可成り接近
しているため、各々のシール構造、絶縁構造が非常に複
雑になるが、上述実施例のように導電棒４１、４２を分
割して、バックプレート３側の導電棒４１ｂ、４２ｂの
相互離間距離をイオン源装置２側の導電棒４１ａ、４２
ａよりも大きくすれば、バックプレート３におけるシー
ル構造、絶縁構造が複雑にならなくて済む。ただし本発
明では、バックプレート３側の導電棒４１ｂ、４２ｂを
導電棒４１ａ、４２ｂよりも狭めるようにしてもよい。

【００３６】本発明は、上述実施例の構造に限定される
ことなく、例えばイオン源装置２と中間プレート６の間
を、導電性ストラップを用いずに導電路部材を兼用する
支柱によって接続する構造であってもよいし、イオン源
装置２についても実施例のような電子ビーム励起型のも
のに限定されない。

【００３７】上述のイオン源装置２を用いたイオン注入
装置の全体構成の一例を図６に示すと、イオン源装置２
よりのイオンビームの照射路に沿って質量分析用のマグ
ネット７１、可変スリット７２及び加速管７３が設置さ
れ、更に加速管７３の出口側には電子レンズ７４、Ｙ方
向走査電極７５及びＸ方向走査電極７６が配置される。
従ってイオンビームは、マグネット７１を通過して不要
な不純物のイオンが除去された後加速管７３で加速さ
れ、走査電極７５、７６にて所定のパターンで走査され
た後、ファラデーカップ７７内の半導体ウエハＷに照射
されて所定のイオン注入が行われる。

【００３８】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、フィラメント
の両端部より延びる導電棒を長さ方向に分割し、その分
割側端部同士を互に横にずらして、フィラメントの熱膨
張力により変形する接続体を介在させているため、接続
体の両端と導電棒との接続部には大きな力が加わらない
のでネジ部などを潰すことがなく、従って例えばこの接
続部からイオン源装置側の導電棒を外すことができるの
でメンテナンスを円滑に行うことができる。

【００３９】請求項２の発明によれば、イオン源装置１
と保持体との間に中間結合体を設け、イオン源装置側の
少なくとも支持部材を中間結合体に対して着脱自在に取
り付けているため、イオン源装置を中間結合体に対して
着脱すればよいのでメンテナンスが容易である。またこ
の場合請求項３の発明のように中間結合体を絶縁性材料
で構成すれば中間結合体における導電路部材や支柱間の
絶縁構造が簡単になる。

【００４０】請求項４の発明によれば、イオン源装置を
支持している蓋体と真空容器とに対し夫々位置決め用の
係合部及び被係合部を形成しているため、これらを係合
させるだけでイオン源装置の位置決めができ、従ってイ
オン源装置の装着作業が容易になる。

【００４１】請求項５の発明によれば、ガス供給管を凹
状に屈曲して伸びるように構成しているため、例えばイ
オン源装置と蓋体との距離が長くなっても、ガス供給管
を引き伸ばすことによりガス供給管をイオン源装置と蓋
体との間に接続できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。

【図２】蓋体をソースチャンバに取り付けるときの様子
を示す斜視図である。

【図３】本発明の実施例の一部を示す縦断正面図であ
る。

【図４】本発明の実施例の一部を示す分解斜視図であ
る。

【図５】イオン源装置の一例の内部を示す斜視図であ
る。

【図６】本発明の実施例の適用例を示す説明図である。

【図７】イオン注入装置の従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】

２ イオン源装置 ２３ フィラメント ３ バックプレート ３１〜３４ 支柱 ３７ 突起 ３８ 受け穴 ４１、４１ａ、４１ｂ、４２、４２ａ、４２ｂ 導電棒 ５１、５２ 接続体 ６ 中間プレート ６１〜６４ 支柱 Ｇ１、Ｇ２ ガス供給管

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器に装着される保持体に、支持部
   材を介してイオン源装置が支持され、このイオン源装置
   内の屈曲したフィラメントの両端部から延び出した導電
   棒の先端部が前記保持体に固定されているイオン注入装
   置において、 前記導電棒の各々を、イオン源装置から長さ方向に第１
   の導電棒と第２の導電棒とに分割し、第２の導電棒の分
   割側端部を夫々第１の導電棒の分割側端部同士間の内方
   側または外方側に位置させ、第１の導電棒の分割側端部
   と第２の導電棒の分割側端部とを、前記フィラメントの
   熱膨脹力により変形する導電性の接続体により接続した
   ことを特徴とするイオン注入装置。
2. 【請求項２】 真空容器に装着される保持体に、支持部
   材を介してイオン源装置が支持されるイオン注入装置に
   おいて、 前記保持体とイオン源装置との間に中間結合体を配置
   し、当該中間結合体を導電性の支持部材により前記保持
   体に支持させ、 前記中間結合体とイオン源装置との間に支持部材及び導
   電路部材を介在させ、少なくとも支持部材を中間結合体
   に対して着脱自在に取り付けたことを特徴とするイオン
   注入装置。
3. 【請求項３】 中間結合体を絶縁性材料により構成した
   請求項２記載のイオン注入装置。
4. 【請求項４】 真空容器の開口部に装着される蓋体に、
   支持部材を介してイオン源装置が支持されるイオン注入
   装置において、 前記蓋体に位置決め用の係合部を形成すると共に、前記
   真空容器に前記係合部と係合する位置決め用の被係合部
   を形成し、前記係合部を被係合部に係合した状態で蓋体
   を真空容器に装着することによりイオン源装置が位置決
   めされることを特徴とするイオン注入装置。
5. 【請求項５】 真空容器に装着される保持体に、支持部
   材を介してイオン源装置が支持され、このイオン源装置
   と保持体との間にはガス供給管が設けられているイオン
   注入装置において、 前記ガス供給管が凹状に屈曲して伸びるように構成した
   ことを特徴とするイオン注入装置。