JPH05250719A - 光素子 - Google Patents
光素子Info
- Publication number
- JPH05250719A JPH05250719A JP4048745A JP4874592A JPH05250719A JP H05250719 A JPH05250719 A JP H05250719A JP 4048745 A JP4048745 A JP 4048745A JP 4874592 A JP4874592 A JP 4874592A JP H05250719 A JPH05250719 A JP H05250719A
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- optical
- semiconductor laser
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光源と光記憶媒体からの信号を受ける光電変
換素子を同一パッケ−ジに収めた光素子において、透光
体として透過率９９．５％以上の窓ガラスを使用する。 【効果】 高いＣ／Ｎで記憶媒体の情報を再生できる。
換素子を同一パッケ−ジに収めた光素子において、透光
体として透過率９９．５％以上の窓ガラスを使用する。 【効果】 高いＣ／Ｎで記憶媒体の情報を再生できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光を用いて情報を記
録、再生する光記憶の分野において、光ヘッドを構成す
る光素子に関する。
録、再生する光記憶の分野において、光ヘッドを構成す
る光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レ−ザと、光記憶媒体から
の光を４つの光電変換素子の方向へ分割する２つの不等
周期回折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と集
光レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段
の０次回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ光軸
を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つ
の前記光電変換素子と、４つの該光電変換素子の前方に
配置され、それぞれの偏光軸方向が直行し少なくとも２
分割された検光子からなる光素子において、前記半導体
レ−ザと、４つの前記光電変換素子と、前記検光子が実
装されたパッケ−ジにかぶせるキャップの透光体の透過
率は何等限定されていなかった。
の光を４つの光電変換素子の方向へ分割する２つの不等
周期回折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と集
光レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段
の０次回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ光軸
を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つ
の前記光電変換素子と、４つの該光電変換素子の前方に
配置され、それぞれの偏光軸方向が直行し少なくとも２
分割された検光子からなる光素子において、前記半導体
レ−ザと、４つの前記光電変換素子と、前記検光子が実
装されたパッケ−ジにかぶせるキャップの透光体の透過
率は何等限定されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レ−ザと光電変換素子等を同一のパッケ−ジ内に実装す
る光ヘッドの場合、透光体の透過率が低いと半導体レ−
ザの出射光が透光体で反射され迷光を生じ、雑音として
光電変換素子に受光されるため、Ｃ／Ｎが悪くなる。ま
た、光記憶媒体からの反射光は、回折手段を経た時点で
極めて光強度が低下する。従って、透光体の透過率が低
いと、透光体を通過して光電変換素子に入射する光はさ
らに弱くなり、Ｃ／Ｎが低下して情報を正しく読み取れ
なくなってしまう。
レ−ザと光電変換素子等を同一のパッケ−ジ内に実装す
る光ヘッドの場合、透光体の透過率が低いと半導体レ−
ザの出射光が透光体で反射され迷光を生じ、雑音として
光電変換素子に受光されるため、Ｃ／Ｎが悪くなる。ま
た、光記憶媒体からの反射光は、回折手段を経た時点で
極めて光強度が低下する。従って、透光体の透過率が低
いと、透光体を通過して光電変換素子に入射する光はさ
らに弱くなり、Ｃ／Ｎが低下して情報を正しく読み取れ
なくなってしまう。
【０００４】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは極めて高いＣ／Ｎを得
られる光素子を提供するところにある。
もので、その目的とするところは極めて高いＣ／Ｎを得
られる光素子を提供するところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、半導体レ−ザと、光記憶媒体からの
光を４つの光電変換素子の方向へ分割する２つの不等周
期回折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と集光
レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段の
０次回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ光軸を
中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つの
前記光電変換素子と、４つの該光電変換素子の前方に配
置され、それぞれの偏光軸方向が直行し少なくとも２分
割された検光子からなる光素子において、前記半導体レ
−ザと、４つの前記光電変換素子と、前記検光子が実装
されたパッケ−ジにかぶせるキャップの透光体が９９．
５％以上の透過率を有することを特徴とする。
るために本発明は、半導体レ−ザと、光記憶媒体からの
光を４つの光電変換素子の方向へ分割する２つの不等周
期回折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と集光
レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段の
０次回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ光軸を
中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つの
前記光電変換素子と、４つの該光電変換素子の前方に配
置され、それぞれの偏光軸方向が直行し少なくとも２分
割された検光子からなる光素子において、前記半導体レ
−ザと、４つの前記光電変換素子と、前記検光子が実装
されたパッケ−ジにかぶせるキャップの透光体が９９．
５％以上の透過率を有することを特徴とする。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面と共に説明する。図１
は本発明の光ヘッドの構成図である。素子の台座１０１
の前端中央にヒ−トシンク１０２が配置され、さらにこ
のヒ−トシンク１０２の前端中央には、例えば出射波長
が７８０ｎｍでｘ軸方向に偏光している半導体レ−ザ１
０３が実装されている。また台座１０１の前面両端部分
に奥行きの異なる段差がそれぞれ形成され、これら段差
部分前面に光電変換素子が形成された基板１０４Ａおよ
び１０４Ｂがそれぞれ実装されている。
は本発明の光ヘッドの構成図である。素子の台座１０１
の前端中央にヒ−トシンク１０２が配置され、さらにこ
のヒ−トシンク１０２の前端中央には、例えば出射波長
が７８０ｎｍでｘ軸方向に偏光している半導体レ−ザ１
０３が実装されている。また台座１０１の前面両端部分
に奥行きの異なる段差がそれぞれ形成され、これら段差
部分前面に光電変換素子が形成された基板１０４Ａおよ
び１０４Ｂがそれぞれ実装されている。
【０００７】これらヒ−トシンク１０２、半導体レ−ザ
１０３、光電変換素子が形成された基板１０４Ａ及び１
０４Ｂが台座１０１に実装された段階を前面から示した
のが図２である。基板１０４Ａ及び１０４Ｂにはそれぞ
れ２つずつの受光用の光電変換素子２０１Ａ、２０１
Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄが形成されておりこれらの４
つの光電変換素子は台座１０１に実装したときに発光点
２０２から放射状に配置するように形成されている。
１０３、光電変換素子が形成された基板１０４Ａ及び１
０４Ｂが台座１０１に実装された段階を前面から示した
のが図２である。基板１０４Ａ及び１０４Ｂにはそれぞ
れ２つずつの受光用の光電変換素子２０１Ａ、２０１
Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄが形成されておりこれらの４
つの光電変換素子は台座１０１に実装したときに発光点
２０２から放射状に配置するように形成されている。
【０００８】更に基板１０４Ａ及び１０４Ｂの前面に、
前記光電変換素子２０１Ａと２０１Ｂ、２０１Ｃと２０
１Ｄの受光面を被覆するような形状に形成された偏光板
１０６Ａ及び１０６Ｂが、紫外線硬化樹脂１０５によっ
て接着されている。これら偏光板１０６Ａ及び１０６Ｂ
は例えば半導体レ−ザ１０３の偏光方向と４５度を成す
偏光軸方向を持ち、それら偏光軸方向は互いに直行して
いる。
前記光電変換素子２０１Ａと２０１Ｂ、２０１Ｃと２０
１Ｄの受光面を被覆するような形状に形成された偏光板
１０６Ａ及び１０６Ｂが、紫外線硬化樹脂１０５によっ
て接着されている。これら偏光板１０６Ａ及び１０６Ｂ
は例えば半導体レ−ザ１０３の偏光方向と４５度を成す
偏光軸方向を持ち、それら偏光軸方向は互いに直行して
いる。
【０００９】キャップ１１２は、これらヒ−トシンク１
０２、半導体レ−ザ１０３、光電変換素子２０１Ａ、２
０１Ｂ、２０１Ｃ、２０１Ｄ、偏光板１０６Ａ及び１０
６Ｂが実装されたパッケ−ジとキャップ１１２の間に高
電圧をかけて、パッケ−ジに溶接されている。キャップ
１１２の窓の部分には、ガラスに誘電体をコ−ティング
して９９．５％の透過率を持った透光体１０７を配置
し、キャップ１１２と透光体１０７の接点に低融点ガラ
スを設置して、電気炉で焼き、接着されている。続いて
光磁気記憶媒体からの反射光を４つの前記光電変換素子
２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄの方向に分
割するための回折手段１０９が半導体レ−ザ１０３の前
方に位置し、これら回折手段の０次回折光軸が光電変換
素子２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄの受光
面と垂直になるように配置されている。
０２、半導体レ−ザ１０３、光電変換素子２０１Ａ、２
０１Ｂ、２０１Ｃ、２０１Ｄ、偏光板１０６Ａ及び１０
６Ｂが実装されたパッケ−ジとキャップ１１２の間に高
電圧をかけて、パッケ−ジに溶接されている。キャップ
１１２の窓の部分には、ガラスに誘電体をコ−ティング
して９９．５％の透過率を持った透光体１０７を配置
し、キャップ１１２と透光体１０７の接点に低融点ガラ
スを設置して、電気炉で焼き、接着されている。続いて
光磁気記憶媒体からの反射光を４つの前記光電変換素子
２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄの方向に分
割するための回折手段１０９が半導体レ−ザ１０３の前
方に位置し、これら回折手段の０次回折光軸が光電変換
素子２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ及び２０１Ｄの受光
面と垂直になるように配置されている。
【００１０】この光素子を用いた光磁気記憶装置では、
半導体レ−ザ１０３から出射された波長７８０ｎｍの光
は透光体１０７を透過した後、集光レンズ１０８により
平行光になり、回折手段１０９を透過して対物レンズ１
１０で集光され、光記憶媒体１１１上に光スポットを形
成する。光磁気記憶媒体１１１によって反射された光は
再び対物レンズ１１０を介して回折手段１０９に至る。
回折手段１０９は２つの不等周期回折格子からなり、そ
れぞれの＋１次及び−１次回折光合わせて４本の回折光
が偏光板１０６を介し４つの光電変換素子であるフォト
ダイオ−ド２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ、２０１Ｄで
受光される。そして光電変換素子２０１Ａと２０１Ｂの
出力の和から、光電変換素子２０１Ｃと２０１Ｄの出力
の和を引いた差信号により、光磁気記憶媒体での偏光軸
方向の回転を検出し情報を再生する。
半導体レ−ザ１０３から出射された波長７８０ｎｍの光
は透光体１０７を透過した後、集光レンズ１０８により
平行光になり、回折手段１０９を透過して対物レンズ１
１０で集光され、光記憶媒体１１１上に光スポットを形
成する。光磁気記憶媒体１１１によって反射された光は
再び対物レンズ１１０を介して回折手段１０９に至る。
回折手段１０９は２つの不等周期回折格子からなり、そ
れぞれの＋１次及び−１次回折光合わせて４本の回折光
が偏光板１０６を介し４つの光電変換素子であるフォト
ダイオ−ド２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ、２０１Ｄで
受光される。そして光電変換素子２０１Ａと２０１Ｂの
出力の和から、光電変換素子２０１Ｃと２０１Ｄの出力
の和を引いた差信号により、光磁気記憶媒体での偏光軸
方向の回転を検出し情報を再生する。
【００１１】以上の例では、半導体レ−ザ１０３の偏光
方向がｘ軸方向であり、偏光板１０６Ａ及び１０６Ｂの
偏光軸方向が半導体レ−ザ１０３の偏光方向に対してそ
れぞれ４５度傾いていたが、この例に限られず、前記光
磁気記憶装置の再生方法により情報が再生可能ならばよ
い。
方向がｘ軸方向であり、偏光板１０６Ａ及び１０６Ｂの
偏光軸方向が半導体レ−ザ１０３の偏光方向に対してそ
れぞれ４５度傾いていたが、この例に限られず、前記光
磁気記憶装置の再生方法により情報が再生可能ならばよ
い。
【００１２】図３に本実施例の光素子を用いた光磁気記
憶装置で得られたＣ／Ｎを示す。発振波長７８０ｎｍの
半導体レ−ザを光源に用い、３６００ｒｐｍで回転する
光磁気記憶媒体に、７．４ＭＨｚの単一周波信号を記録
・再生してスペクトルアナライザで測定したものであ
る。回折手段の回折効率を０次光５０％、＋１次光２０
％、−１次光２０％とした。キャップ１１２の窓に透過
率が９９．５％以上の透光体を使用しているので、透光
体１０７によって半導体レ−ザからの出射光が反射され
て生じる迷光が小さくなり、かつ光磁気記憶媒体によっ
て反射された光の透光体による損失が低いため、Ｃ／Ｎ
は５１ｄＢに達している。図４は透光体の透過率が９７
％の場合のＣ／Ｎである。迷光が生じ、損失も大きいた
めＣ／Ｎは４５ｄＢしか得られない。
憶装置で得られたＣ／Ｎを示す。発振波長７８０ｎｍの
半導体レ−ザを光源に用い、３６００ｒｐｍで回転する
光磁気記憶媒体に、７．４ＭＨｚの単一周波信号を記録
・再生してスペクトルアナライザで測定したものであ
る。回折手段の回折効率を０次光５０％、＋１次光２０
％、−１次光２０％とした。キャップ１１２の窓に透過
率が９９．５％以上の透光体を使用しているので、透光
体１０７によって半導体レ−ザからの出射光が反射され
て生じる迷光が小さくなり、かつ光磁気記憶媒体によっ
て反射された光の透光体による損失が低いため、Ｃ／Ｎ
は５１ｄＢに達している。図４は透光体の透過率が９７
％の場合のＣ／Ｎである。迷光が生じ、損失も大きいた
めＣ／Ｎは４５ｄＢしか得られない。
【００１３】その他の光学系の構成を変更することによ
り、透光体の透過率が９９．５％以上なくても５０ｄＢ
以上のＣ／Ｎは達成できるが、そのために高コストの光
学系や信号検出回路を用いるか、あるいは光磁気記憶媒
体の回転数を遅くする処置が必要となり、光磁気記憶装
置の高コスト化、あるいは性能の低下を招く。他部品の
負担を減らすためには９９．５％以上の透過率が必要で
ある。
り、透光体の透過率が９９．５％以上なくても５０ｄＢ
以上のＣ／Ｎは達成できるが、そのために高コストの光
学系や信号検出回路を用いるか、あるいは光磁気記憶媒
体の回転数を遅くする処置が必要となり、光磁気記憶装
置の高コスト化、あるいは性能の低下を招く。他部品の
負担を減らすためには９９．５％以上の透過率が必要で
ある。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、透過
率９９．５％以上のガラスを透光体として使用すること
により、出射光の透光体での反射を抑え、記憶媒体から
の反射光を低損失で光電変換素子に導くことが出来る。
従って、極めて高いＣ／Ｎを達成できる。また他の光学
系部品の性能を上げることなく必要十分なＣ／Ｎが得ら
れるため低コストで光素子を製造できる。
率９９．５％以上のガラスを透光体として使用すること
により、出射光の透光体での反射を抑え、記憶媒体から
の反射光を低損失で光電変換素子に導くことが出来る。
従って、極めて高いＣ／Ｎを達成できる。また他の光学
系部品の性能を上げることなく必要十分なＣ／Ｎが得ら
れるため低コストで光素子を製造できる。
【図１】本発明の実施例における光ヘッドの主要構成図
である。
である。
【図２】本発明の実施例における光素子の正面図。
【図３】本実施例の光素子を用いた光磁気記憶装置で得
られたＣ／Ｎを示す図。
られたＣ／Ｎを示す図。
【図４】透光体の透過率が９７％の場合のＣ／Ｎを示す
図。
図。
１０１ 台座 １０２ ヒ−トシンク １０３ 半導体レ−ザ １０４Ａ、１０４Ｂ 光電変換素子が形成された基板 １０５ 紫外線硬化樹脂 １０６Ａ、１０６Ｂ 偏光板 １０７ 透光体 １０８ 集光レンズ １０９ 回折手段 １１０ 対物レンズ １１１ 光磁気記憶媒体 １１２ キャップ ２０１Ａ、２０１Ｂ、２０１Ｃ、２０１Ｄ 光電変換素
子 ２０２ 発光点
子 ２０２ 発光点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩野 英明 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レ−ザと、光記憶媒体からの光を
４つの光電変換素子の方向へ分割する２つの不等周期回
折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と集光レン
ズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段の０次
回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ光軸を中心
として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つの前記
光電変換素子と、４つの該光電変換素子の前方に配置さ
れ、それぞれの偏光軸方向が直行し少なくとも２分割さ
れた検光子からなる光素子において、前記半導体レ−ザ
と、４つの前記光電変換素子と、前記検光子が実装され
たパッケ−ジにかぶせるキャップの透光体が９９．５％
以上の透過率を有することを特徴とする光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048745A JPH05250719A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048745A JPH05250719A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250719A true JPH05250719A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12811824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048745A Pending JPH05250719A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05250719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100521897B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2005-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자제조방법 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4048745A patent/JPH05250719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100521897B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2005-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자제조방법 |
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