JPH05246788A - 窒化アルミニウム基板及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05246788A JPH05246788A JP8153892A JP8153892A JPH05246788A JP H05246788 A JPH05246788 A JP H05246788A JP 8153892 A JP8153892 A JP 8153892A JP 8153892 A JP8153892 A JP 8153892A JP H05246788 A JPH05246788 A JP H05246788A
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- JP
- Japan
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- aluminum nitride
- substrate
- copper plate
- nitride substrate
- copper
- Prior art date
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接合強度が強く耐熱衝撃性にすぐれた銅張窒
化アルミニウム基板を安価に得る。 【構成】 焼結後、何ら表面処理をしていない窒化アル
ミニウム板を使用し、表面に浸み出した焼結助剤を利用
して、活性金属法により銅板を接合する。
化アルミニウム基板を安価に得る。 【構成】 焼結後、何ら表面処理をしていない窒化アル
ミニウム板を使用し、表面に浸み出した焼結助剤を利用
して、活性金属法により銅板を接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウムと銅
を接合した電気回路用の基板とその製造方法に関する。
を接合した電気回路用の基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック板の表面に銅などの金属板を
接合した金属張りセラミック回路基板が、高出力用半導
体モジュールやパワーモジュール用基板として使用され
ている。セラミックは一般に耐熱性、耐摩耗性、絶縁性
に優れているので、自動車のエンジン周辺部品等の過酷
な環境下での使用に適している。さらに近年高度のエレ
クトロニクス化が進み、部品の小型化と共に部品の実装
密度が高くなって大電流を扱うことからモジュールから
の発熱量が大きくなり、耐熱性に優れた放熱性の良いセ
ラミック複合基板の需要はますます増大している。
接合した金属張りセラミック回路基板が、高出力用半導
体モジュールやパワーモジュール用基板として使用され
ている。セラミックは一般に耐熱性、耐摩耗性、絶縁性
に優れているので、自動車のエンジン周辺部品等の過酷
な環境下での使用に適している。さらに近年高度のエレ
クトロニクス化が進み、部品の小型化と共に部品の実装
密度が高くなって大電流を扱うことからモジュールから
の発熱量が大きくなり、耐熱性に優れた放熱性の良いセ
ラミック複合基板の需要はますます増大している。
【０００３】そこで従来から使用されているアルミナに
代えて窒化アルミニウムが利用されるようになってきた
（特開昭５３−１０２３１０等）。窒化アルミニウムは
熱伝導率が大きく、パワーモジュールのような大きな放
熱を必要とする半導体素子搭載用基板として好適であ
る。窒化アルミニウム板の片面に回路パターンとなる銅
板を接合し、もう一方の面には全面に銅板を接合し、さ
らに放熱器を接合して使用される。窒化アルミニウムと
銅との接合には活性金属法（特開昭５９−１３７３７
３）や酸素原子を介在させて接合する直接接合法（特開
昭５２−３７９１４）が使用されている。
代えて窒化アルミニウムが利用されるようになってきた
（特開昭５３−１０２３１０等）。窒化アルミニウムは
熱伝導率が大きく、パワーモジュールのような大きな放
熱を必要とする半導体素子搭載用基板として好適であ
る。窒化アルミニウム板の片面に回路パターンとなる銅
板を接合し、もう一方の面には全面に銅板を接合し、さ
らに放熱器を接合して使用される。窒化アルミニウムと
銅との接合には活性金属法（特開昭５９−１３７３７
３）や酸素原子を介在させて接合する直接接合法（特開
昭５２−３７９１４）が使用されている。
【０００４】ところで、窒化アルミニウム基板は平均粒
径２０μm 以下の高純度窒化アルミニウム微粉末に希土
類酸化物やアルカリ土類金属を焼結助剤として加え、成
形助剤や分散剤を加えて湿式混練し、金型押出成型法や
ドクターブレード法により薄生板（グリーンシート）に
成形する。次いでグリーンシートを４００〜７００℃で
脱脂し、１７００〜２０００℃で焼成して窒化アルミニ
ウム焼結体の薄板を得ている（特開昭６２−５２１８１
等参照）。
径２０μm 以下の高純度窒化アルミニウム微粉末に希土
類酸化物やアルカリ土類金属を焼結助剤として加え、成
形助剤や分散剤を加えて湿式混練し、金型押出成型法や
ドクターブレード法により薄生板（グリーンシート）に
成形する。次いでグリーンシートを４００〜７００℃で
脱脂し、１７００〜２０００℃で焼成して窒化アルミニ
ウム焼結体の薄板を得ている（特開昭６２−５２１８１
等参照）。
【０００５】このようなプロセスによって得られた窒化
アルミニウム焼結体はアズファイアー品（ａｓ ｆｉｒ
ｅ）と呼ばれ、高温焼結によるうねりを有し、焼結体表
面の結晶粒界のところどころに焼結助剤である酸化物が
花模様状に析出していて、表面が滑らかでない（特開平
２−３８３６９参照）。このため銅張複合基板を作る際
に、銅板との強固な接合を得るために表面をラップ研磨
等により滑らかにし、うねりも取り除いてから接合して
いるのが実状である。
アルミニウム焼結体はアズファイアー品（ａｓ ｆｉｒ
ｅ）と呼ばれ、高温焼結によるうねりを有し、焼結体表
面の結晶粒界のところどころに焼結助剤である酸化物が
花模様状に析出していて、表面が滑らかでない（特開平
２−３８３６９参照）。このため銅張複合基板を作る際
に、銅板との強固な接合を得るために表面をラップ研磨
等により滑らかにし、うねりも取り除いてから接合して
いるのが実状である。
【０００６】窒化アルミニウムを用いて半導体モジュー
ルを作る一つの方法は、基板表面にモリブデンによりメ
タライズ層を形成し、その上にＮｉ等のメッキ処理後は
んだ層を介して銅板を接合し、更に銅表面をＮｉメッキ
処理したのちはんだを介して半導体チップを搭載してい
る。この場合高い接合性を得るためには窒化アルミニウ
ム表面は適度の表面粗さを有しているのが好ましい。こ
のため窒化アルミニウム表面にホーニング等の機械加工
やアルカリエッチング等の化学処理がおこなわれる（特
開平３−２３４０４５）。
ルを作る一つの方法は、基板表面にモリブデンによりメ
タライズ層を形成し、その上にＮｉ等のメッキ処理後は
んだ層を介して銅板を接合し、更に銅表面をＮｉメッキ
処理したのちはんだを介して半導体チップを搭載してい
る。この場合高い接合性を得るためには窒化アルミニウ
ム表面は適度の表面粗さを有しているのが好ましい。こ
のため窒化アルミニウム表面にホーニング等の機械加工
やアルカリエッチング等の化学処理がおこなわれる（特
開平３−２３４０４５）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】窒化アルミニウムを用
いて銅張複合基板を作る場合、熱衝撃に耐える強固な接
合が要求される。ところがアズファイアーの窒化アルミ
ニウム板は表面粗さはＲａ＝０．５〜２．０μm （ＪＩ
Ｓによる中心線平均粗さ）になっているものの、５〜４
０μm 程度のうねりを有しており、このうねりを除去し
ないと銅板との強固な接合は得られない。このため窒化
アルミニウムの銅張基板では、表面をラップ研磨して使
用している。ラップ研磨は長時間の作業を要するため生
産性が悪く、コストに占める加工費の割合も大きなもの
となっている。また、強固な接合を得るために高荷重下
で接合する必要があるが、基板に高荷重をかけると基板
の破損を生じたり、接合後の基板の耐熱衝撃性に悪影響
を及ぼすので好ましくない。
いて銅張複合基板を作る場合、熱衝撃に耐える強固な接
合が要求される。ところがアズファイアーの窒化アルミ
ニウム板は表面粗さはＲａ＝０．５〜２．０μm （ＪＩ
Ｓによる中心線平均粗さ）になっているものの、５〜４
０μm 程度のうねりを有しており、このうねりを除去し
ないと銅板との強固な接合は得られない。このため窒化
アルミニウムの銅張基板では、表面をラップ研磨して使
用している。ラップ研磨は長時間の作業を要するため生
産性が悪く、コストに占める加工費の割合も大きなもの
となっている。また、強固な接合を得るために高荷重下
で接合する必要があるが、基板に高荷重をかけると基板
の破損を生じたり、接合後の基板の耐熱衝撃性に悪影響
を及ぼすので好ましくない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者は研磨加
工を省いても強固な接合力を得るための手段を鋭意研究
した結果、特定の活性金属接合剤を使用し、アズファイ
アー窒化アルミニウム表面に浸み出してきた酸化物焼結
助剤を積極的に利用することにより、強固な接合力、特
に耐熱衝撃サイクルを有する窒化アルミニウム銅張金属
が得られることを見出した。
工を省いても強固な接合力を得るための手段を鋭意研究
した結果、特定の活性金属接合剤を使用し、アズファイ
アー窒化アルミニウム表面に浸み出してきた酸化物焼結
助剤を積極的に利用することにより、強固な接合力、特
に耐熱衝撃サイクルを有する窒化アルミニウム銅張金属
が得られることを見出した。
【０００９】本発明で使用する窒化アルミニウムは前述
の製法によって得られた、焼結した状態そのままで特別
な表面加工はしていないアズファイアー品である。アズ
ファイアー品は表面粗さはＲａ＝０．５〜２．０μm で
あるが、５〜４０μm のうねりを有し、表面の窒化アル
ミニウム粒界のところどころに酸化イットリウムを主体
とする焼結助剤が浸み出しており、図１に示すように花
模様を呈している。接合方法は活性金属法による。接合
剤はＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂのうち少なくとも１種を０．５〜
４．０wt％、Ｃｕ３５〜９０wt％、残部がＡｇからなる
金属粉を含むペースト状のものを用いる。ペースト状の
接合剤を５〜５０μm 、好ましくは１５〜４５μm の厚
さに塗布することにより、アズファイアー基板のうねり
の影響を排除することができる。接合剤の塗布は回路パ
ターンとなる部分のみで良い。表面にヒートシンクを付
ける場合は全面に塗布する。
の製法によって得られた、焼結した状態そのままで特別
な表面加工はしていないアズファイアー品である。アズ
ファイアー品は表面粗さはＲａ＝０．５〜２．０μm で
あるが、５〜４０μm のうねりを有し、表面の窒化アル
ミニウム粒界のところどころに酸化イットリウムを主体
とする焼結助剤が浸み出しており、図１に示すように花
模様を呈している。接合方法は活性金属法による。接合
剤はＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂのうち少なくとも１種を０．５〜
４．０wt％、Ｃｕ３５〜９０wt％、残部がＡｇからなる
金属粉を含むペースト状のものを用いる。ペースト状の
接合剤を５〜５０μm 、好ましくは１５〜４５μm の厚
さに塗布することにより、アズファイアー基板のうねり
の影響を排除することができる。接合剤の塗布は回路パ
ターンとなる部分のみで良い。表面にヒートシンクを付
ける場合は全面に塗布する。
【００１０】銅板には電器材料用として通常使用されて
いる無酸素銅を使用する。回路パターン用としては、窒
化アルミニウム板とほぼ同じ大きさの銅板を重ね、８０
０〜９００℃で加熱して接合し、パターン部分にレジス
トを塗布した後不要部分をエッチングで除去して回路パ
ターンを得る。この際、不要部分には接合剤が塗布され
ていないので、エッチャントである塩化第二鉄溶液によ
り精度良く除去することができる。このようにして得ら
れた接合基板の銅板表面にＮｉＰ又はＮｉＢをメッキ
し、その上に電子部品チップやリードワイヤー、ヒート
シンク等を接合してモジュール基板を得る。
いる無酸素銅を使用する。回路パターン用としては、窒
化アルミニウム板とほぼ同じ大きさの銅板を重ね、８０
０〜９００℃で加熱して接合し、パターン部分にレジス
トを塗布した後不要部分をエッチングで除去して回路パ
ターンを得る。この際、不要部分には接合剤が塗布され
ていないので、エッチャントである塩化第二鉄溶液によ
り精度良く除去することができる。このようにして得ら
れた接合基板の銅板表面にＮｉＰ又はＮｉＢをメッキ
し、その上に電子部品チップやリードワイヤー、ヒート
シンク等を接合してモジュール基板を得る。
【００１１】アズファイアー基板の焼結助剤の浸み出し
が激しく、突起状を呈して最大表面粗さＲmax が大きい
場合には、表面をホーニング加工して突起部分のみを除
去するとより強固な接合が得られる。この場合窒化アル
ミニウム表面は図２に示すように焼結助剤の痕跡をとど
める程度になっている。ラップ研磨の場合は焼結助剤を
掘り起こして完全に除去するのに対し、ホーニング加工
では突起部分のみを平滑になるように研磨している。こ
のように焼結助剤、特に酸化イットリウムが存在すると
接合剤と反応して強固な接合が得られる。
が激しく、突起状を呈して最大表面粗さＲmax が大きい
場合には、表面をホーニング加工して突起部分のみを除
去するとより強固な接合が得られる。この場合窒化アル
ミニウム表面は図２に示すように焼結助剤の痕跡をとど
める程度になっている。ラップ研磨の場合は焼結助剤を
掘り起こして完全に除去するのに対し、ホーニング加工
では突起部分のみを平滑になるように研磨している。こ
のように焼結助剤、特に酸化イットリウムが存在すると
接合剤と反応して強固な接合が得られる。
【００１２】
【作用】本発明は窒化アルミニウム表面に存在する焼結
助剤と活性金属との反応を利用して、強固な接合力を得
るものである。窒化アルミニウムアズファイアー品に残
存するうねりは、活性金属接合剤の塗布厚さを調整する
ことにより影響を排除することとした。
助剤と活性金属との反応を利用して、強固な接合力を得
るものである。窒化アルミニウムアズファイアー品に残
存するうねりは、活性金属接合剤の塗布厚さを調整する
ことにより影響を排除することとした。
【００１３】
【実施例】次に実施例をあげて本発明を詳細に説明す
る。平均粒径１．５μm 、ＢＥＴ比表面積３．５ｃｍ2
／ｇ、純度９８．５％の窒化アルミニウム粉末に、焼結
助剤として酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）５％、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）１．５％を配合し、これらの
混合粉１００重量部に対して、成型助剤としてポリビニ
ルブチラール（バインダー）１０重量部、ブチルフタリ
ルブチルグリコレート（可塑剤）２．５重量部、ポリエ
チレングリコール（分散剤）０．５重量部を加え、さら
に溶剤としてトリクロルエチレン１０重量部、テトラク
ロルエチレン２０重量部、ｎ−ブチルアルコール２０重
量部を加え湿式混練してスラリー化した。
る。平均粒径１．５μm 、ＢＥＴ比表面積３．５ｃｍ2
／ｇ、純度９８．５％の窒化アルミニウム粉末に、焼結
助剤として酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）５％、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）１．５％を配合し、これらの
混合粉１００重量部に対して、成型助剤としてポリビニ
ルブチラール（バインダー）１０重量部、ブチルフタリ
ルブチルグリコレート（可塑剤）２．５重量部、ポリエ
チレングリコール（分散剤）０．５重量部を加え、さら
に溶剤としてトリクロルエチレン１０重量部、テトラク
ロルエチレン２０重量部、ｎ−ブチルアルコール２０重
量部を加え湿式混練してスラリー化した。
【００１４】このスラリーを減圧脱泡後ドクターブレー
ド法にて厚さ１．１ｍｍのグリーンシートとし、約７０
℃で３時間乾燥後金型を使用して打抜き、真空中で６０
０℃×２時間脱脂処理をした。次いで打抜きシートを窒
素気流中で１８７０℃×６時間焼結し、大きさ２５×２
５×０．７ｍｍの窒化アルミニウム焼結体のアズファイ
アー板を得た。このようにして得られた窒化アルミニウ
ム板を３分し、一群はアズファイアーのまま、もう一群
は表面を液体ホーニング加工、他の一群は表面をラッピ
ング研磨加工して仕上げた。アズファイアー品は表面粗
さＲａ＝０．８μm で、１５〜２０μm のうねりを有
し、表面のところどころに図１に示すような焼結助剤の
浸出模様を呈していた。ＳＥＭで観察した結果、これら
の浸出物は３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 ・
Ａｌ2 Ｏ3 であった。
ド法にて厚さ１．１ｍｍのグリーンシートとし、約７０
℃で３時間乾燥後金型を使用して打抜き、真空中で６０
０℃×２時間脱脂処理をした。次いで打抜きシートを窒
素気流中で１８７０℃×６時間焼結し、大きさ２５×２
５×０．７ｍｍの窒化アルミニウム焼結体のアズファイ
アー板を得た。このようにして得られた窒化アルミニウ
ム板を３分し、一群はアズファイアーのまま、もう一群
は表面を液体ホーニング加工、他の一群は表面をラッピ
ング研磨加工して仕上げた。アズファイアー品は表面粗
さＲａ＝０．８μm で、１５〜２０μm のうねりを有
し、表面のところどころに図１に示すような焼結助剤の
浸出模様を呈していた。ＳＥＭで観察した結果、これら
の浸出物は３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 ・
Ａｌ2 Ｏ3 であった。
【００１５】液体ホーニング加工は研削液中に３２０番
のＷＡ砥粒を混ぜ、吹付圧４ｋｇ／ｃｍ2 で噴射させ、
移動速度２ｍ／min で加工した。加工後の表面粗さはＲ
ａ＝０．２μm で１５〜２０μm のうねりを有し、表面
には図２に示すように焼結助剤の浸出模様の痕跡が残っ
ていた。ラッピング加工は８００番のアルミナ砥粒を用
い、ラッピングマシンを使用して周速度０．１ｍ／sec
で研磨し、厚さが０．６３５±０．０５ｍｍになるよう
に仕上げた。表面の焼結助剤の浸出模様は消失し、表面
粗さはＲａ＝０．４μm、うねりは５μm 以下となって
いた。表面状態を図３に示す。
のＷＡ砥粒を混ぜ、吹付圧４ｋｇ／ｃｍ2 で噴射させ、
移動速度２ｍ／min で加工した。加工後の表面粗さはＲ
ａ＝０．２μm で１５〜２０μm のうねりを有し、表面
には図２に示すように焼結助剤の浸出模様の痕跡が残っ
ていた。ラッピング加工は８００番のアルミナ砥粒を用
い、ラッピングマシンを使用して周速度０．１ｍ／sec
で研磨し、厚さが０．６３５±０．０５ｍｍになるよう
に仕上げた。表面の焼結助剤の浸出模様は消失し、表面
粗さはＲａ＝０．４μm、うねりは５μm 以下となって
いた。表面状態を図３に示す。
【００１６】接合剤としては平均粒径１０μm のチタン
粉末１．０重量部、平均粒径１０μm の銀粉末４９．５
重量部、平均粒径１５μm の銅粉末４９．５重量部を混
合した。金属粉末１００重量部に対し、テレピネオール
１０重量部、エチルセルロース１０重量部を配合して混
練し、ペースト状にしたものを準備した。回路パターン
用銅板としては厚さ０．３ｍｍの無酸素銅を使用した。
粉末１．０重量部、平均粒径１０μm の銀粉末４９．５
重量部、平均粒径１５μm の銅粉末４９．５重量部を混
合した。金属粉末１００重量部に対し、テレピネオール
１０重量部、エチルセルロース１０重量部を配合して混
練し、ペースト状にしたものを準備した。回路パターン
用銅板としては厚さ０．３ｍｍの無酸素銅を使用した。
【００１７】上記ペーストをスクリーン印刷法にて前記
３種類の窒化アルミニウム基板表面に５〜４３μm の厚
さに図４に示す回路パターン通りに印刷した。印刷後１
０分間室温にてレベリングし、引き続き１０５℃で１５
分間乾燥した。尚、印刷膜厚は乾燥後に表面粗さ計で測
定した。乾燥後、窒素気流中で６００℃にて脱脂した。
脱脂処理を完了した窒化アルミニウム基板に銅板を重
ね、１．５ｋｇ／ｃｍ2 の荷重を加え、１０-4Torr以下
の真空下で８５０℃×１５分間加熱し接合した。接合
後、回路形成はレジスト印刷及び塩化第２鉄水溶液によ
るエッチングにておこなった。更に無電解ＮｉＰメッキ
を３〜５μm 形成して窒化アルミニウム−銅接合型複合
基板を得た。
３種類の窒化アルミニウム基板表面に５〜４３μm の厚
さに図４に示す回路パターン通りに印刷した。印刷後１
０分間室温にてレベリングし、引き続き１０５℃で１５
分間乾燥した。尚、印刷膜厚は乾燥後に表面粗さ計で測
定した。乾燥後、窒素気流中で６００℃にて脱脂した。
脱脂処理を完了した窒化アルミニウム基板に銅板を重
ね、１．５ｋｇ／ｃｍ2 の荷重を加え、１０-4Torr以下
の真空下で８５０℃×１５分間加熱し接合した。接合
後、回路形成はレジスト印刷及び塩化第２鉄水溶液によ
るエッチングにておこなった。更に無電解ＮｉＰメッキ
を３〜５μm 形成して窒化アルミニウム−銅接合型複合
基板を得た。
【００１８】このようにして作成した複合基板につき、
ピール強度測定と熱衝撃試験を実施した。ピール強度
は、銅板を基板に対して９０度の方向に引き剥し、引き
剥した時の荷重を測定し、パターン幅１ｃｍに換算し表
示した。また、熱衝撃試験は、チッ素雰囲気中でピーク
温度４００℃×５分間、プロファイル３０分間を１サイ
クルとし、各サイクル終了後に１０倍の顕微鏡にてチッ
化アルミニウム表面のクラック発生の有無を観察した。
これらの結果を表１に示す。表１から明らかなように、
ラップ研磨という高価な処理をしなくても浸出した焼結
助剤を利用し印刷膜厚を制御することによりピール強
度、耐熱衝撃性共に優れた銅接合型モジュール基板が得
られた。
ピール強度測定と熱衝撃試験を実施した。ピール強度
は、銅板を基板に対して９０度の方向に引き剥し、引き
剥した時の荷重を測定し、パターン幅１ｃｍに換算し表
示した。また、熱衝撃試験は、チッ素雰囲気中でピーク
温度４００℃×５分間、プロファイル３０分間を１サイ
クルとし、各サイクル終了後に１０倍の顕微鏡にてチッ
化アルミニウム表面のクラック発生の有無を観察した。
これらの結果を表１に示す。表１から明らかなように、
ラップ研磨という高価な処理をしなくても浸出した焼結
助剤を利用し印刷膜厚を制御することによりピール強
度、耐熱衝撃性共に優れた銅接合型モジュール基板が得
られた。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば窒化アルミニウム焼結体
表面ラッピング工程が省略できるので、生産コストが大
幅に削減できる。また、接合強度の強い基板、特に熱衝
撃サイクルに強い基板が得られ、大きな電流を扱うパワ
ーモジュール基板として最適である。
表面ラッピング工程が省略できるので、生産コストが大
幅に削減できる。また、接合強度の強い基板、特に熱衝
撃サイクルに強い基板が得られ、大きな電流を扱うパワ
ーモジュール基板として最適である。
【図１】窒化アルミニウムアズファイアー品の表面状態
を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
【図２】表面を液体ホーニング加工した窒化アルミニウ
ムの表面状態を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
ムの表面状態を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
【図３】表面をラップ研磨加工した窒化アルミニウムの
表面状態を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
表面状態を示すＳＥＭ像である（倍率５００倍）。
【図４】モジュールの回路パターンの形状及び寸法を示
す図で、（Ａ）は回路パターン側、（Ｂ）はヒートシン
ク側である（単位ｍｍ）。
す図で、（Ａ）は回路パターン側、（Ｂ）はヒートシン
ク側である（単位ｍｍ）。
１ セラミック板 ２ 回路パターン ３ ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ａ 6921−4Ｅ 3/38 Ｅ 7011−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 アズファイアー窒化アルミニウム表面に
銅板を接合したことを特徴とする窒化アルミニウム基
板。 - 【請求項２】 ホーニング加工した窒化アルミニウム基
板表面に銅板を接合したことを特徴とする窒化アルミニ
ウム基板。 - 【請求項３】 焼結助剤として酸化イットリウムを含む
窒化アルミニウム基板表面に、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒのうち
少なくとも１種を０．５〜４．０wt％、Ｃｕ３５〜９０
wt％含み残部がＡｇからなる金属粉末を含むペースト状
接合剤を、回路パターン部にのみ印刷塗布して乾燥脱脂
したのち窒化アルミニウム基板とほぼ同じ大きさの銅板
を重ね合わせ、８００〜９００℃で加熱接合し、次いで
銅板表面の回路パターン部分にのみレジスト剤を塗布
し、銅板の不要部分をエッチング除去することを特徴と
する窒化アルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153892A JPH05246788A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 窒化アルミニウム基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153892A JPH05246788A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 窒化アルミニウム基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246788A true JPH05246788A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=13749079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153892A Pending JPH05246788A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 窒化アルミニウム基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05246788A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288829A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | 回路基板の製造方法および製造装置 |
| JP2012246169A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法 |
| JP2014101248A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Dowa Metaltech Kk | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP8153892A patent/JPH05246788A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288829A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | 回路基板の製造方法および製造装置 |
| JP2012246169A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法 |
| JP2014101248A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Dowa Metaltech Kk | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
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