JPH05243488A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH05243488A JPH05243488A JP4029831A JP2983192A JPH05243488A JP H05243488 A JPH05243488 A JP H05243488A JP 4029831 A JP4029831 A JP 4029831A JP 2983192 A JP2983192 A JP 2983192A JP H05243488 A JPH05243488 A JP H05243488A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にスタックシャパシタの絶縁膜に用いられる窒
化シリコン膜の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a silicon nitride film used as an insulating film of a stack chasper.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリー
（ＤＲＡＭ）のセル部には、スタックキャパシタやトレ
ンチキャパシタが用いられている。従来のスタックキャ
パシタの製造工程を図２を用いて説明する。2. Description of the Related Art Stack capacitors and trench capacitors are used in the cell portion of a dynamic random access memory (DRAM). A conventional stack capacitor manufacturing process will be described with reference to FIG.
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、シリコン基
板２上に選択酸化法により素子分離のフィールド酸化膜
１を形成する。次いでシリコン基板２の全面にＣＶＤ法
によって多結晶シリコン膜３Ａを堆積させる。次に図２
（ｂ）に示すように、フォトリソグラィー技術とドライ
エッチング技術によって多結晶シリコン膜３Ａをパター
ニングし、スタックキャパシタの下部電極を形成する。First, as shown in FIG. 2A, a field oxide film 1 for element isolation is formed on a silicon substrate 2 by a selective oxidation method. Then, a polycrystalline silicon film 3A is deposited on the entire surface of the silicon substrate 2 by the CVD method. Next in FIG.
As shown in (b), the polycrystalline silicon film 3A is patterned by the photolithography technique and the dry etching technique to form the lower electrode of the stack capacitor.
【０００４】次に図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法に
よって窒化シリコン膜４Ａと多結晶シリコン膜５Ａを順
次シリコン基板全面に堆積させる。次に図２（ｄ）に示
すように、フォトリソグラフィー技術とドライエッチン
グ技術によって上部電極となる多結晶シリコン膜５Ａと
窒化シリコン膜４Ａを同時にパターニングする。Next, as shown in FIG. 2C, a silicon nitride film 4A and a polycrystalline silicon film 5A are sequentially deposited on the entire surface of the silicon substrate by the CVD method. Next, as shown in FIG. 2D, the polycrystalline silicon film 5A to be the upper electrode and the silicon nitride film 4A are simultaneously patterned by the photolithography technique and the dry etching technique.
【０００５】上記説明ではイオン注入と熱処理による伝
導度制御の工程を省略した。また、実際の製造方法で
は、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術
として示した工程に、洗浄、レジスト塗布、ベーキン
グ、露光、ドライエッチング、レジスト除去などが含ま
れる。In the above description, the steps of controlling conductivity by ion implantation and heat treatment are omitted. Further, in the actual manufacturing method, the steps shown as the photolithography technique and the dry etching technique include cleaning, resist coating, baking, exposure, dry etching, resist removal and the like.
【０００６】最近、多結晶シリコン膜の選択成長技術が
開発され、スタックキャパシタの下部電極を多結晶シリ
コン膜の選択成長方法で形成することができるようにな
った。この多結晶シリコン膜の選択成長技術は、特願平
２−２１５５４４公報に半導体装置の製造方法として述
べられている。Recently, a technique for selectively growing a polycrystalline silicon film has been developed so that a lower electrode of a stack capacitor can be formed by a method for selectively growing a polycrystalline silicon film. This selective growth technique for a polycrystalline silicon film is described in Japanese Patent Application No. 2-215544 as a method for manufacturing a semiconductor device.
【０００７】この発明による多結晶シリコンの選択成長
技術では、シランあるいはジクロロシランなどのシラン
系原料ガスを、水素雰囲気中で熱分解あるいは還元して
多結晶シリコン膜をシリコン基板上に成長させるとき
に、塩化水素ガスを適切な濃度で添加し、酸化シリコン
膜上に堆積するシリコンをエッチングして除去する。同
時に成長温度を７５０℃と低温化して単結晶シリコンの
成長を防いでいる。In the polycrystalline silicon selective growth technique according to the present invention, when a silane-based source gas such as silane or dichlorosilane is thermally decomposed or reduced in a hydrogen atmosphere to grow a polycrystalline silicon film on a silicon substrate. Hydrogen chloride gas is added at an appropriate concentration, and silicon deposited on the silicon oxide film is etched and removed. At the same time, the growth temperature is lowered to 750 ° C. to prevent the growth of single crystal silicon.
【０００８】この多結晶シリコンの選択成長技術を用い
れば、図２（ｂ）で説明したフォトリソグラフィーとド
ライエッチング工程を省略することができ、スタックキ
ャパシタの製造工程の一部の簡略化を図ることができ
る。更に多結晶シリコン膜３Ａに窒化シリコン膜の選択
成長が可能であれば、上部の多結晶シリコン膜５Ａの選
択成長も可能になり、スタックキャパシタ等の製造工程
からリソグラフィー工程とドライエッチング工程を省く
ことができる。By using this selective growth technique for polycrystalline silicon, the photolithography and dry etching steps described with reference to FIG. 2B can be omitted, and a part of the stack capacitor manufacturing process can be simplified. You can Further, if the silicon nitride film can be selectively grown on the polycrystalline silicon film 3A, the upper polycrystalline silicon film 5A can be selectively grown, and the lithography process and the dry etching process can be omitted from the manufacturing process of the stack capacitor and the like. You can
【０００９】キャパシタの窒化シリコン膜をＣＶＤ法に
よって形成する場合に、原料ガスとしてアンモニアとシ
ランあるいはジクロロシランが工業的に用いられてい
る。また、カバー膜として窒化シリコン膜は、アミノシ
ランを原料ガスとして製造できることが知られている
（特開昭６４−１４９２７）．しかし、これら従来のＣ
ＶＤ技術では多結晶シリコン膜上への窒化シリコンの選
択成長はできていないため、キャパシタの製造における
リソグラフィー工程やドライエッチング工程を省くこと
ができなかった。When the silicon nitride film of the capacitor is formed by the CVD method, ammonia and silane or dichlorosilane are industrially used as raw material gases. It is known that a silicon nitride film as a cover film can be produced using aminosilane as a raw material gas (Japanese Patent Laid-Open No. 64-14927). However, these conventional C
Since the VD technique cannot selectively grow silicon nitride on the polycrystalline silicon film, the lithography process and the dry etching process in manufacturing the capacitor cannot be omitted.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
スタックキャパシタの製造方法では、誘電膜である窒化
シリコン膜と上部電極を形成するための多結晶シリコン
膜の選択成長ができないため、リソグラフィー技術とド
ライエッチング技術を用いてこれらの膜をパターニング
しなければならない。この多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜をパターニングする方法は、洗浄，レジスト塗
布，ベーキング，露光，ドライエッチング，レジスト除
去など多くの工程が必要である。それらの工程は、パー
ティクル汚染，金属汚染，ダメージなどデバイス特性を
劣化させる原因となる可能性を有している。一般に、工
程数が増えるほど良品率は低下する。また、これら多く
の工程を行うために時間が必要であり、必然的にコスト
が上昇する。As described above, according to the conventional method of manufacturing a stack capacitor, the selective growth of the silicon nitride film as the dielectric film and the polycrystalline silicon film for forming the upper electrode is not possible, and therefore the lithography technique is used. And these films must be patterned using dry etching techniques. This method of patterning the polycrystalline silicon film and the silicon nitride film requires many steps such as cleaning, resist coating, baking, exposure, dry etching and resist removal. These processes may cause deterioration of device characteristics such as particle contamination, metal contamination, and damage. Generally, the yield rate decreases as the number of processes increases. In addition, it takes time to perform many of these steps, which inevitably increases the cost.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、表面に酸化シリコン膜と多結晶シリコン膜と
を有する半導体基板上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜
を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガスに
アンモニアとアミノシランを用い前記多結晶シリコン膜
表面上にのみ窒化シリコン膜を選択的に成長させるもの
である。A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicon nitride film is formed by a CVD method on a semiconductor substrate having a silicon oxide film and a polycrystalline silicon film on its surface. In the first method, ammonia and aminosilane are used as source gases to selectively grow a silicon nitride film only on the surface of the polycrystalline silicon film.
【００１２】[0012]
【作用】原料ガスとしてアンモニアとアミノシランを用
いて、窒化シリコン膜を成長させる方法では、高温に保
たれたＣＶＤ炉中で、（１）式のようにアミノシラン
（ＳｉＮＨ5 ）がアミノシリレン（ＳｉＮＨ3 ）と水素
分子に解離する。[Action] using ammonia and aminosilane as a source gas, the method of growing the silicon nitride film, in CVD furnace maintained at elevated temperature, (1) an aminosilane (SiNH 5) as expression Aminoshiriren (SiNH 3 ) And dissociate into hydrogen molecules.
【００１３】 ＳｉＮＨ5 →ＳｉＮＨ3 ＋Ｈ2 ……（１） 発生したアミノシリレンは、図３（ａ）に示すように、
水素原子で終端された窒化シリコン膜上の窒素原子と挿
入反応し、図３（ｂ）のようにＳｉ−Ｎ結合が形成され
る。挿入反応については、イシタニらによってジャパニ
ーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ａ
ｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ ａｎｄ Ｓｈｉｒｏ
Ｋｏｓｅｋｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２９（１２），
Ｌ２３２２（１９９０年）で述べられている。このと
き、シリコン原子には２個の水素原子が結合している
が、高温に於いては容易に水素分子として脱離し、図３
（ｃ）のように、ローンペアを持つシリコン原子とな
る。このローンペアはアンモニアへの挿入反応を引き起
こし、図３（ｄ）のように、新たなＮ−Ｓｉ結合が形成
される。このようにして、シリコン原子と窒素原子のネ
ットワークが形成され、窒化シリコン膜が成長する。図
３（ａ）では水素原子で終端せれた窒素原子を例として
述べたが、水素原子で終端されたシリコン原子の場合も
同様である。また、このときに原料ガスとしてシランの
みを供給すれば、窒化シリコン上に多結晶シリコンが成
長する。以上では、窒化シリコンの上に窒化シリコンが
成長するメカニズムの述べた。本発明における窒化シリ
コン膜を成長させる前の基板表面は、多結晶シリコンあ
るいは単結晶シリコンと酸化シリコンからなる。これら
の表面上では、水素原子で終端された窒素原子あるいは
シリコン原子が存在しないため、挿入反応は起きない。
しかしながら、シリコン表面上では、アミノシリレンの
電荷移動吸着が起きる。電荷移動吸着についてはイシタ
ニらによってジャーナル オブ アプライドフィジクス
（Ａｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ，Ｔｏｓｈｉｋａ
ｚｕ Ｔａｋａｄａ，ａｎｄ Ｙｏｓｈｉｏ Ｏｈｓｈ
ｉｔａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ）６３（２）３９０（１９９０年）で説明され
ている。この電荷移動吸着は、図４（ａ）に示すよう
に、シリコン層１０の表面が未結合手を持つことに起因
している。その後、図４（ｂ）に示すように、吸着した
アミノシリレンのＳｉ−Ｈ結合あるいはＮ−Ｈ結合に、
アミノシリレンが挿入反応する。次に、図４（ｃ）に示
すように、水素分子が脱離して、図３（ｃ）と等価な状
態になる。引き続いて、図３（ｄ）に示すようなアンモ
ニアの化学吸着とアミノシリレンの挿入反応とによっ
て、シリコン窒化膜の成長が起きる。SiNH 5 → SiNH 3 + H 2 (1) The generated aminosilylene is as shown in FIG. 3 (a).
By intercalation reaction with nitrogen atoms on the silicon nitride film terminated with hydrogen atoms, Si—N bonds are formed as shown in FIG. For the insertion reaction, see the Japanese Journal of Applied Physics (A.
kihiko Ishitani and Shiro
Koseki, Japanese Journal
of Applied Physics) 29 (12),
L2322 (1990). At this time, two hydrogen atoms are bonded to the silicon atom, but they are easily desorbed as a hydrogen molecule at high temperature, and
As shown in (c), it becomes a silicon atom having a loan pair. This loan pair causes an insertion reaction to ammonia, and a new N-Si bond is formed as shown in Fig. 3 (d). In this way, a network of silicon atoms and nitrogen atoms is formed, and a silicon nitride film grows. In FIG. 3A, a nitrogen atom terminated by a hydrogen atom is described as an example, but the same applies to a silicon atom terminated by a hydrogen atom. At this time, if only silane is supplied as the source gas, polycrystalline silicon grows on the silicon nitride. Above, the mechanism of the growth of silicon nitride on silicon nitride has been described. The substrate surface before the growth of the silicon nitride film in the present invention is made of polycrystalline silicon or single crystal silicon and silicon oxide. On these surfaces, there is no nitrogen atom or silicon atom terminated by a hydrogen atom, so that the insertion reaction does not occur.
However, charge transfer adsorption of aminosilylene occurs on the silicon surface. For charge transfer adsorption, see the journal of Applied Physics (Akihiko Ishitani, Toshika) by Ishitani et al.
zu Takada, and Yoshi Ohhsh
ita, Journal of Applied Phy
Sics) 63 (2) 390 (1990). This charge transfer adsorption is due to the fact that the surface of the silicon layer 10 has dangling bonds, as shown in FIG. After that, as shown in FIG. 4 (b), the Si-H bond or N-H bond of the adsorbed aminosilylene becomes
Aminosilylene undergoes insertion reaction. Next, as shown in FIG. 4C, the hydrogen molecules are desorbed, and a state equivalent to that of FIG. 3C is obtained. Subsequently, the chemical adsorption of ammonia and the insertion reaction of aminosilylene shown in FIG. 3D cause the growth of the silicon nitride film.
【００１４】他方、酸化シリコン膜はＳｉ−Ｏ結合を基
本とするネットワークからなる。多くは６員環と８員環
であるが、４員環や１０員環その他の数のネットワーク
も含まれている。酸化シリコン膜の表面も同様であり、
シリコン層の表面のように未結合手を持つシリコン原子
は存在せず、基本的には酸化シリコン膜のシリコン原子
はすべて酸素原子で終端されている。したがって、酸化
シリコン膜の表面上には、窒化シリコン膜が成長しな
い。カバー膜の製造においては、アミノシランの濃度を
高くし気相で窒化シリコンの核発生を起こして酸化シリ
コン膜上に付着させ、窒化シリコンのカバー膜を製造す
る。しかし、本発明は気相での窒化シリコンの核発生を
抑制することによって、窒化シリコンを選択的にシリコ
ン表面上にのみ形成する。On the other hand, the silicon oxide film has a network based on Si--O bonds. Most are 6-membered rings and 8-membered rings, but 4-membered rings, 10-membered rings and other networks are also included. The same applies to the surface of the silicon oxide film,
There is no silicon atom having a dangling bond like the surface of the silicon layer, and basically all the silicon atoms of the silicon oxide film are terminated by oxygen atoms. Therefore, the silicon nitride film does not grow on the surface of the silicon oxide film. In the production of the cover film, the concentration of aminosilane is increased to cause nucleation of silicon nitride in the vapor phase and deposit it on the silicon oxide film to produce a silicon nitride cover film. However, the present invention selectively forms silicon nitride only on the silicon surface by suppressing nucleation of silicon nitride in the vapor phase.
【００１５】[0015]
【実施例】窒化シリコン膜の選択成長技術を用いて、ス
タックキャパシタを構成するプロセスを、図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例
を説明するための半導体チップの断面図である。EXAMPLE A process for forming a stack capacitor by using a selective growth technique for a silicon nitride film will be described with reference to the drawings. 1A to 1D are sectional views of a semiconductor chip for explaining one embodiment of the present invention.
【００１６】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板２上に選択酸化法により厚さ２００ｎｍのフィールド
酸化膜１を形成した。次に図１（ｂ）に示すように、多
結晶シリコン膜の選択成長技術によってスタックキャパ
シタの下部電極となる厚さ４００ｎｍの多結晶シリコン
膜３を形成した。次に図１（ｃ）に示すように、本発明
による窒化シリコン膜の選択成長技術によって、多結晶
シリコン膜３の表面上にのみ厚さ１０ｎｍの窒化シリコ
ン膜４を形成した。First, as shown in FIG. 1A, a field oxide film 1 having a thickness of 200 nm was formed on a silicon substrate 2 by a selective oxidation method. Next, as shown in FIG. 1B, a polycrystalline silicon film 3 having a thickness of 400 nm to be the lower electrode of the stack capacitor was formed by the selective growth technique of the polycrystalline silicon film. Next, as shown in FIG. 1C, a silicon nitride film 4 having a thickness of 10 nm was formed only on the surface of the polycrystalline silicon film 3 by the selective growth technique of the silicon nitride film according to the present invention.
【００１７】次に図１（ｄ）に示すように、窒化シリコ
ン膜表面上にのみ選択的に多結晶シリコン膜を成長させ
る技術によって、上部電極となる厚さ２００ｎｍの多結
晶シリコン膜５を形成しスタックキャパシタを構成し
た。従来技術で述べた多結晶シリコンの選択成長技術で
は、基板表面はシリコンと酸化シリコンからなる。しか
し、本実施例において同様の条件で多結晶シリコンを成
長させたところ、図１（ｄ）に示したように選択成長す
ることができた。これは「作用」の項で述べたように、
窒化シリコン膜上には挿入反応によって多結晶シリコン
が成長するからである。Next, as shown in FIG. 1D, a polycrystalline silicon film 5 having a thickness of 200 nm to be an upper electrode is formed by a technique of selectively growing the polycrystalline silicon film only on the surface of the silicon nitride film. Then a stack capacitor was constructed. In the polycrystalline silicon selective growth technique described in the prior art, the substrate surface is made of silicon and silicon oxide. However, when polycrystalline silicon was grown under the same conditions in this example, selective growth was possible as shown in FIG. 1 (d). This is, as mentioned in the "action" section,
This is because polycrystalline silicon grows on the silicon nitride film by the insertion reaction.
【００１８】図１（ｃ）における窒化シリコン膜の選択
成長は、アミノシラン／アンモニア／窒素＝１００／３
００／１０００ｓｃｃｍのガス組成を用いて行なった。
成長圧力は０．１８Ｔｏｒｒ、成長温度は８００℃であ
った。窒素ガスはキャリアガスとして用いており、窒素
ガスの代りにアルゴンガスなどの不活性ガスを用いても
良い。アミノシランの量を窒素ガスに対して体積比３０
％以上とすると、気相で窒化シリコンの核発生が起き、
選択性が失われた。また、１％以下とすると、成長速度
が遅くなり実用性に欠ける。The selective growth of the silicon nitride film in FIG. 1C is performed by aminosilane / ammonia / nitrogen = 100/3.
The gas composition was 00/1000 sccm.
The growth pressure was 0.18 Torr and the growth temperature was 800 ° C. Nitrogen gas is used as a carrier gas, and an inert gas such as argon gas may be used instead of nitrogen gas. The volume ratio of aminosilane to nitrogen gas is 30.
%, Nucleation of silicon nitride occurs in the vapor phase,
Loss of selectivity. On the other hand, if it is 1% or less, the growth rate becomes slow and it is not practical.
【００１９】成長圧力を低くすると、凹凸のある表面上
でも一様な膜厚の窒化シリコン膜を形成できるが、排気
系の設備が大型になり、装置コストが上昇する。成長速
度は成長圧力が低くなるとともに低下するが、０．１Ｔ
ｏｒｒ以上であれば、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上の成長速
度が得られた。選択成長は、このガス組成で、７５０〜
８５０℃の範囲で可能であった。８５０℃以上では、ア
ミノシランの分解が促進され、気相で窒化シリコンの核
発生が起きた。７５０℃以下では、成長速度が０．１ｎ
ｍ／ｍｉｎ以下となった。アミノシランのみを原料ガス
とすると、形成される窒化シリコン膜の組成はシリコン
過剰となる。したがって、本実施例ではアミノシランに
たいして３倍のアンモニアを添加した。窒化シリコン膜
の組成を化学量論的組成に近づけるためにはアンモニア
の量を多くすることが望ましいが、排気ガス中に含まれ
る窒素化合物を減らすためには少ない方が望ましい。キ
ャパシタ用絶縁膜としては、アンモニアの量をアミノシ
ランの２倍以上とすれば、ほぼ化学量論的組成の誘電率
を得ることができる。When the growth pressure is lowered, a silicon nitride film having a uniform film thickness can be formed even on an uneven surface, but the equipment of the exhaust system becomes large and the apparatus cost increases. The growth rate decreases as the growth pressure decreases, but is 0.1T.
If it was orrr or more, a growth rate of 0.1 nm / min or more was obtained. Selective growth is 750 to 750 with this gas composition.
It was possible in the range of 850 ° C. At 850 ° C. or higher, the decomposition of aminosilane was promoted and silicon nitride nucleation occurred in the gas phase. Below 750 ° C, the growth rate is 0.1n
It became less than m / min. If only aminosilane is used as the source gas, the composition of the formed silicon nitride film will be silicon excess. Therefore, in this example, three times as much ammonia was added to aminosilane. It is desirable to increase the amount of ammonia in order to bring the composition of the silicon nitride film close to the stoichiometric composition, but it is desirable to decrease it in order to reduce the nitrogen compounds contained in the exhaust gas. For the insulating film for a capacitor, if the amount of ammonia is twice or more that of aminosilane, a dielectric constant having a substantially stoichiometric composition can be obtained.
【００２０】結局、実用的な成長速度を０．５ｎｍ／ｍ
ｉｎとするとき、凹凸のある基板に対しても膜厚の変動
が１０％以下で、かつ選択性を失わずに窒化シリコンを
成長させるためには、窒素ガスに対するアミノシランの
体積比を１０〜２０％とし、アミノシランにたいするア
ンモニアの体積比２倍以上とし、成長圧力を０．１〜１
Ｔｏｒｒとし、成長温度７５０〜８００℃とすることが
望ましい。After all, the practical growth rate is 0.5 nm / m.
In order to grow silicon nitride without loss of selectivity, the volume ratio of aminosilane to nitrogen gas is 10 to 20 even when the film thickness is 10% or less even on a substrate having irregularities. %, The volume ratio of ammonia to aminosilane is twice or more, and the growth pressure is 0.1 to 1
The growth temperature is preferably 750 to 800 ° C.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明による窒化シ
リコン膜の選択成長技術を用いれば、スタックキャパシ
タ構成プロセスからフォトリソグラフィー工程とドライ
エッチング工程を省くことができるため、大幅にコスト
を低減させることができる。また、それらの工程に含ま
れる洗浄，レジスト塗布，ベークング，露光，ドライエ
ッチング，レジスト除去などに起因する偶発的な良品率
の低下を防ぐことができる。As described above, if the selective growth technique for a silicon nitride film according to the present invention is used, the photolithography process and the dry etching process can be omitted from the stack capacitor forming process, so that the cost can be significantly reduced. You can Further, it is possible to prevent an accidental reduction in the non-defective product rate due to cleaning, resist coating, baking, exposure, dry etching, resist removal and the like included in those steps.
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor chip for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体チップの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor chip for explaining a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
【図３】窒化シリコン膜の成長メカニズムを説明するた
めの図。FIG. 3 is a diagram for explaining a growth mechanism of a silicon nitride film.
【図４】窒化シリコン膜の成長メカニズムを説明するた
めの図。FIG. 4 is a diagram for explaining a growth mechanism of a silicon nitride film.
１ フィールド酸化膜 ２ シリコン基板 ３，３Ａ 多結晶シリコン膜 ４，４Ａ，４Ｂ 窒化シリコン膜 ５，５Ａ 多結晶シリコン膜 １０ シリコン層 1 Field Oxide Film 2 Silicon Substrate 3,3A Polycrystalline Silicon Film 4,4A, 4B Silicon Nitride Film 5,5A Polycrystalline Silicon Film 10 Silicon Layer
Claims (2)
膜とを有する半導体基板上にＣＶＤ法により窒化シリコ
ン膜を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガ
スにアンモニアとアミノシランを用い前記多結晶シリコ
ン膜表面上にのみ窒化シリコン膜を選択的に成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a silicon nitride film is formed by a CVD method on a semiconductor substrate having a silicon oxide film and a polycrystalline silicon film on the surface thereof, wherein the raw material gas is ammonia and aminosilane. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises selectively growing a silicon nitride film only on a film surface.
を原料ガスとし、アミノシランの量を不活性ガスに対し
て１０〜２０％、アンモニアの量をアミノシランの２倍
以上とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein aminosilane, ammonia and an inert gas are used as raw material gases, the amount of aminosilane is 10 to 20% of the amount of the inert gas, and the amount of ammonia is at least twice the amount of aminosilane. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP04029831A JP3116517B2 (en) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP04029831A JP3116517B2 (en) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
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| JP04029831A Expired - Fee Related JP3116517B2 (en) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Method for manufacturing semiconductor device |
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|---|---|
| JP (1) | JP3116517B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009044023A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing device |
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