JPH05234676A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 装置を大型化することなく良好に騒音を防止
することのできるＥＬ表示装置を提供する。 【構成】 本実施例のＥＬ表示装置は、ガラス基板上に
二つのＥＬ素子を重ねて積層することにより構成され
る。各ＥＬ素子の電極間には電圧印加回路より図４
（ａ）に示す矩形波状交流電流と、図４（ｃ）に示す矩
形波状交流電流が、夫々印加される。図に示すように各
交流電流は互いに逆転した位相を有している。このため
各ＥＬ素子が発生する音圧も、図４（ｂ），図４（ｄ）
に示すように逆転した位相となる。そして各音圧を合成
すると図４（ｅ）に示すように音圧が干渉し合って０と
なり騒音を防止できる。またＥＬ素子は通常薄膜状であ
るので、装置も大型化しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、交流電圧を印加するこ
とにより発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素
子を用いたＥＬ表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＥＬ発光層両面に一対の電極
を形成してなるＥＬ表示装置が知られている。この種の
ＥＬ表示装置では、一対の電極間に交流電圧が印加され
るとＥＬ発光層が発光し、文字などを表示することがで
きる。

【０００３】ところがＥＬ発光層として用いられるＺｎ
Ｓなどは圧電材料でもあるため、交流電圧が印加される
と振動し、この振動が騒音となってしまう。そこで従来
よりこの種のＥＬ表示装置では騒音を防止するために種
々の工夫がなされている。例えば特開昭６３−６１２８
５号公報、並びに特公昭６３−３０７４５号公報に記載
のように、ＥＬ表示装置の枠体とＥＬ発光層との間にス
ペーサを設けると共に、枠体を密閉することにより、Ｅ
Ｌ発光層が発生する騒音を枠体外へ漏らさないようにし
た装置が考えられている。

【０００４】また特開昭６３−２４９８９５号に記載の
ように、矩形波状の交流電圧を印加してＥＬ発光層を発
光させるＥＬ表示装置において、その電圧波形をなまら
せることにより騒音を防止する装置も考えられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが枠体とＥＬ発
光層との間にスペーサを設けたＥＬ表示装置では、スペ
ーサの分だけ枠体を大きく形成する必要がある。このた
めＥＬ表示装置が大型化し、装置が適用できる機器が限
定されてしまう場合があった。

【０００６】一方、矩形波状の電圧波形をなまらせるＥ
Ｌ表示装置では、振動成分の周波数によって良好にその
振動成分を除去できない場合があった。即ち、矩形波状
電圧の立上がり，立下がり時に生ずる高周波の振動成分
は良好に除去することができるものの、矩形波状電圧の
周期に対応する低周波の振動成分は充分に除去すること
ができなかった。このため最も騒音の大きい振動成分を
除去できるとは限らず充分に騒音を防止することができ
なかった。

【０００７】そこで本発明は装置を大型化することなく
良好に騒音を防止することのできるＥＬ表示装置を提供
することを目的としてなされた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達するために
なされた本発明は、ＥＬ発光層両面に一対の電極を形成
してなるＥＬ素子を備え、上記一対の電極間に交流電圧
を印加することにより上記ＥＬ発光層を発光させるＥＬ
表示装置において、上記ＥＬ発光層を平行にして上記Ｅ
Ｌ素子を複数併設すると共に、一つの上記ＥＬ素子の上
記一対の電極間に、少なくとも他の一つの上記ＥＬ素子
とは位相が異なる交流電圧を個々に印加する電圧印加手
段を備えてなることを特徴とするＥＬ表示装置を要旨と
している。

【０００９】

【作用】このように構成された本発明では、複数併設さ
れたＥＬ素子は、ＥＬ発光層両面に設けた電極に電圧印
加手段からの交流電圧を印加されて発光する。ＥＬ発光
層は交流電圧の印加により、発光すると同時に振動す
る。ところが一つのＥＬ素子の電極間に印加される交流
電圧は、少なくとも他の一つのＥＬ素子への交流電圧と
は位相が異なっている。このため両ＥＬ素子が発生する
振動の位相も異なる。また両ＥＬ素子のＥＬ発光層は互
いに平行に配設されているので、両ＥＬ素子が発生する
振動は互いに干渉し合う。この結果ＥＬ表示装置全体と
しての振動が低減され、騒音を良好に防止することがで
きる。

【００１０】特に、各ＥＬ素子に印加される交流電圧の
位相が二種類に分類される場合は、両交流電圧が互いに
逆転した位相となるようにすると、両交流電圧に起因す
る振動が常に相殺し合うので一層良好に騒音を防止する
ことができる。また、複数のＥＬ素子を併設する方法と
しては、各ＥＬ素子を積層することによって併設して
も、各ＥＬ素子を同一平面上に隣接することによって併
設してもよく、この他にも種々の方法で併設することが
できる。

【００１１】

【実施例】次に本発明の実施例を図面と共に説明する。
図１は第１実施例のＥＬ表示装置１を表す断面図であ
る。図に示すようにＥＬ表示装置１は、ガラス基板３上
に第１透明電極５，第１絶縁層７，第１ＥＬ発光層９，
第２絶縁層１１，第２透明電極１３，第３絶縁層１５，
第２ＥＬ発光層１７，第４絶縁層１９，および背面電極
２１を順次積層して構成される。第１透明電極５および
第２透明電極１３は、Ｉ．Ｔ．Ｏ．（Ｉｎｓｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ），ＺｎＯ，ＧａをドーピングしたＺ
ｎＯなどの透明材料から構成され、背面電極２１はアル
ミニウム，Ｉ．Ｔ．Ｏ，ＺｎＯなどから構成されてい
る。また第１ＥＬ発光層９および第２ＥＬ発光層１７は
Ｍｎ，ＴｂＯＦなどを発光中心として添加したＺｎＳな
どの発光材料からなる。更に第１絶縁層７，第２絶縁層
１１，第３絶縁層１５，および第４絶縁層１９は，Ｔａ
2Ｏ5，アルミナ，Ｓｉ3Ｎ4などから構成されている。

【００１２】このため、第１透明電極５と第２透明電極
１３との間に、第１ＥＬ発光層９の発光開始電圧以上の
交流電圧を印加すると第１ＥＬ発光層９が発光する。同
様に第２透明電極１３と背面電極２１との間に、第２Ｅ
Ｌ発光層１７の発光開始電圧以上の交流電圧を印加する
と第２ＥＬ発光層１７が発光する。即ち本実施例のＥＬ
表示装置１は請求項３に対応するもので、第１透明電極
５が第１の電極に、第２透明電極１３が共通電極に、背
面電極２１が第２の電極にそれぞれ相当する。そして第
１透明電極５，第１ＥＬ発光層９，および第２透明電極
１３で一つのＥＬ素子２３を形成し、第２透明電極１
３，第２ＥＬ発光層１７，および背面電極２１でもう一
つのＥＬ素子２５を形成している。

【００１３】第１透明電極５および背面電極２１には、
図２に示す電圧印加手段としての電圧印加回路３１より
以下に述べる交流電圧が印加され、第２透明電極１３に
は図示しないアース電極が接続されている。次に図２を
用いて電圧印加回路３１の構成を説明する。

【００１４】先ず電圧印加回路３１は、三つの入力端子
Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３と、出力端子Ｓ１とを有している。ま
た各入力端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３は図示しないＣ−ＭＯＳ
ロジックＩＣ（以下単にＭＯＳと記載）に接続され、出
力端子Ｓ１は背面電極２１および第１透明電極５に接続
される。

【００１５】出力端子Ｓ１はＦＥＴ３３およびＦＥＴ３
５のドレイン電極に接続され、更にダイオード３７を介
してＦＥＴ３９のドレイン電極に、ダイオード４３を介
してＦＥＴ４５のドレイン電極に、それぞれ接続されて
いる。なお、ダイオード３７は出力端子Ｓ１からＦＥＴ
３９への電流を遮断し、ダイオード４３はＦＥＴ４５か
ら出力端子Ｓ１への電流を遮断する方向に、極性が決定
されている。

【００１６】次に、ＦＥＴ３３は高圧電極Ｈ１に、ＦＥ
Ｔ３５は低圧電極Ｌ１に、ＦＥＴ３９およびＦＥＴ４５
はアース電極４７およびアース電極４９に、それぞれの
ソース電極が接続されている。またＦＥＴ３３，ＦＥＴ
３５，およびＦＥＴ３９のゲート・ソース間には、ツェ
ナーダイオード５１，５３，および５５が接続されてい
る。これらのツェナーダイオード５１〜５５は、ゲート
・ソース間電圧が所定電圧となったときに降伏して各Ｆ
ＥＴを保護するものである。なおＦＥＴ４５は、０〜５
Ｖのデジタル信号によってスイッチング可能なものを適
用しているので、この種のツェナーダイオードは必要な
い。

【００１７】次にＦＥＴ３３のゲート電極には、入力端
子Ｎ１がインバータ５７，コンデンサ５９を介して接続
されている。ここで入力端子Ｎ１に印加されるＭＯＳの
デジタル信号は０〜５Ｖであるのに対し、出力端子Ｓ１
に印加されるＥＬ素子２５の駆動電位はときとして数百
Ｖにも達する。コンデンサ５９は電流の直流成分を遮断
することにより、ＭＯＳをこのような高電位から保護す
るためのものである。

【００１８】これと同様に、ＦＥＴ３５のゲート電極に
は、入力端子Ｎ３がドライバ６１，コンデンサ６３を介
して接続され、ＦＥＴ３９のゲート電極には、入力端子
Ｎ２がインバータ６５，コンデンサ６７を介して接続さ
れ、更にＦＥＴ４５のゲート電極にも、入力端子Ｎ２が
ドライバ６９を介して接続されている。

【００１９】なお、ＦＥＴ３３，３９はゲート電位がLo
w レベルのときターンオンする所謂ｐ形チャネルＦＥＴ
で、ＦＥＴ３５，４５はゲート電位がHighレベルのとき
にターンオンする所謂ｎ形チャネルＦＥＴである。次に
このように構成されたＥＬ表示装置１の動作を説明す
る。先ず電圧印加回路３１は次のように動作する。

【００２０】入力端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３にはＭＯＳより
図３に例示する駆動信号（入力１，入力２，入力３）が
それぞれ入力されている。先ず入力２がHighレベルであ
るとき、ＦＥＴ３９のゲート電位はLow レベルであり、
ＦＥＴ３９はターンオンしている。またＦＥＴ４５のゲ
ート電位はHighレベルであり、ＦＥＴ４５もターンオン
している。このため出力端子Ｓ１はアース電極４７，４
９と導通する。

【００２１】またこのとき、入力１および入力３は共に
Low レベルとなっている。入力１がLow レベルであるた
め、ＦＥＴ３３のゲート電位がHighレベルとなってＦＥ
Ｔ３３はターンオフしている。また入力３がLow レベル
であるため、ＦＥＴ３５のゲート電位がLow レベルとな
ってＦＥＴ３５もターンオフしている。従って出力端子
Ｓ１は高圧電極Ｈ１，低圧電極Ｌ１と絶縁され、出力端
子Ｓ１から出力される駆動信号（以下出力１と記載）は
０Ｖとなる。

【００２２】所定時間が経過して時点Ａとなると、入力
１がHighレベルになると共に入力２がLow レベルとな
る。入力１がHighレベルになるとＦＥＴ３３がターンオ
ンし、出力端子Ｓ１が高圧電極Ｈ１と導通する。また入
力２がLow レベルとなるとＦＥＴ３９，４５がターンオ
フして出力端子Ｓ１はアース電極４７，４９と絶縁され
る。更に入力３はLow レベルに保持されＦＥＴ３５はタ
ーンオフしたままであるので、出力１は高圧電極Ｈ１の
高電位ＶＨ１となる。

【００２３】次に時点Ｂとなると、入力１がLow レベル
となると共に入力２がHighレベルとなる。即ち入力１〜
３が時点Ａ以前の状態となるので、出力１は０Ｖとな
る。更に時点Ｃとなると、入力３がHighレベルになると
共に入力２がLow レベルとなる。入力３がHighレベルに
なるとＦＥＴ３５がターンオンし、出力端子Ｓ１が低圧
電極Ｌ１と導通する。また入力２がLow レベルとなると
前述のように出力端子Ｓ１はアース電極４７，４９と絶
縁される。更に入力１はLow レベルに保持されＦＥＴ３
３はターンオフしたままであるので、出力１は低圧電極
Ｌ１の低電位ＶＬ１となる。

【００２４】続いて時点Ｄとなると、入力１〜３は時点
Ａ以前の状態となり出力１は０Ｖとなる。以下この動作
が繰り返される。なおダイオード３７は、ＦＥＴ３３が
ターンオンしたときにＦＥＴ３９に逆バイアス電圧が印
加されるのを防止し、ダイオード４３はＦＥＴ３５がタ
ーンオンしたときにＦＥＴ４５に逆バイアス電圧が印加
されるをの防止している。

【００２５】このような出力１が第１透明電極５および
背面電極２１に入力されると、前述したように第２透明
電極１３は０Ｖに保持されているので、第１ＥＬ発光層
９に図４（ｃ）に示す交流電圧が印加され、第２ＥＬ発
光層１７には図４（ａ）に示す交流電圧が印加される。
即ちいずれの交流電圧も所定間隔を開けて高電位ＶＨ１
と低電位ＶＬ１とのパルスを交互に繰り返す矩形波状の
交流電圧となり、更に両交流電圧は互いに逆転した位相
となる。

【００２６】このため第１ＥＬ発光層９が発生する振動
の音圧は図４（ｄ）に示すように変化し、第２ＥＬ発光
層１７が発生する振動の音圧は図４（ｂ）に示すように
変化する。即ち第１ＥＬ発光層９の音圧と第２ＥＬ発光
層１７の音圧とは、その交流電圧と同様互いに逆転した
位相となる。

【００２７】このため両振動が互いに干渉し合い、合成
された振動の音圧は図４（ｅ）に示すように０になって
しまう。従ってＥＬ表示装置１が騒音を発生するのを良
好に抑制することができる。また本実施例のＥＬ表示装
置１では、二つのＥＬ発光層９，１７が重ねて積層され
て、かつ同時に電圧が印加されるので、ガラス基板３側
から見た発光光度は二倍となる。更にＥＬ素子は通常薄
膜状に形成されているので、本実施例のようにＥＬ素子
を複数積層しても、ＥＬ表示装置１はさほど大きくなら
ない。

【００２８】なお上記実施例では、第２透明電極１３を
アース電極に接続し、第１透明電極５および背面電極２
１を出力端子Ｓ１に接続しているが、逆に第２透明電極
１３を出力端子Ｓ１に接続し、第１透明電極５および背
面電極２１をアース電極に接続しても同様の作用・効果
が得られる。

【００２９】次に本発明の第２実施例を図５〜図７を用
いて説明する。図５は第２実施例のＥＬ表示装置２０１
を表す断面図である。図に示すようにＥＬ表示装置２０
１は、ガラス基板２０３上に第１透明電極２０５，第１
絶縁層２０７，第１ＥＬ発光層２０９，第２絶縁層２１
１，第２透明電極２１３，第３絶縁層２１５，第３透明
電極２１７，第４絶縁層２１９，第２ＥＬ発光層２２
１，第５絶縁層２２３，および背面電極２２５を順次積
層して構成される。また各電極（２０５，２１３，２１
７，２２５）絶縁層（２０７，２１１，２１５，２１
９）およびＥＬ発光層（２０９，２２１）は第１実施例
と同じ材料を使用した。

【００３０】このため、第１透明電極２０５と第２透明
電極２１３との間に、第１ＥＬ発光層２０９の発光開始
電圧以上の交流電圧を印加すると第１ＥＬ発光層２０９
が発光する。同様に第３透明電極２１７と背面電極２２
５との間に、第２ＥＬ発光層２２１の発光開始電圧以上
の交流電圧を印加すると第２ＥＬ発光層２２１が発光す
る。即ち第１透明電極２０５，第１絶縁層２０７，第１
ＥＬ発光層２０９，第２絶縁層２１１，および第２透明
電極２１３で第１のＥＬ素子２２７を形成し、第３透明
電極２１７，第４絶縁層２１９，第２ＥＬ発光層２２
１，第５絶縁層２２３，および背面電極２２５で第２の
ＥＬ素子２２９を形成している。

【００３１】次に第１〜第３透明電極２０５〜２１７お
よび背面電極２２５には、図６に示す電圧印加手段とし
ての電圧印加回路２３１より以下に述べるような交流電
圧が印加されている。次に図６を用いて電圧印加回路２
３１の構成を説明する。先ず電圧印加回路２３１は、二
つの入力端子Ｎ４，Ｎ５と、四つの出力端子Ｓ３，Ｓ
４，Ｓ５，Ｓ６とを有している。また各入力端子Ｎ４，
Ｎ５は図示しないＣ−ＭＯＳロジックＩＣ（以下単にＭ
ＯＳと記載）に接続され、出力端子Ｓ３は背面電極２２
５に、出力端子Ｓ４は第３透明電極２１７に、出力端子
Ｓ５は第２透明電極２１３に、出力端子Ｓ６は第一透明
電極２０５に、それぞれ接続される。

【００３２】出力端子Ｓ３はＦＥＴ２３３およびＦＥＴ
２３５のドレイン電極に接続され、またＦＥＴ２３３の
ソース電極は高圧電極Ｈ３に、ＦＥＴ２３５のソース電
極は低圧電極Ｌ３に、それぞれ接続されている。またＦ
ＥＴ２３３およびＦＥＴ２３５のゲート・ソース間に
は、各ＦＥＴを保護するためのツェナーダイオード２５
１および２５３が接続されている。

【００３３】次にＦＥＴ２３３およびＦＥＴ２３５のゲ
ート電極には、電流の直流成分を遮断するためのコンデ
ンサ２５５および２５９の一端が接続され、各コンデン
サ２５５および２５９の他端には、入力端子Ｎ４がイン
バータ２６１を介して接続されている。

【００３４】なお、ＦＥＴ２３３はゲート電位がLow レ
ベルのときターンオンする所謂ｐ形チャネルＦＥＴで、
ＦＥＴ２３５はゲート電位がHighレベルのときにターン
オンする所謂ｎ形チャネルＦＥＴである。またここで、
インバータ２６１と出力端子Ｓ３との間に設けた回路を
基本回路Ｋ１とし、基本回路Ｋ１の出力端子Ｓ３と接続
された部分を出力部Ｋ１ａ、インバータ２６１と接続さ
れた部分を入力部Ｋ１ｂとする。

【００３５】出力端子Ｓ４は、基本回路Ｋ１と同様に構
成された基本回路Ｋ２の出力部Ｋ２ａに接続され、基本
回路Ｋ２の入力部Ｋ２ｂには、入力端子Ｎ５がインバー
タ２６３を介して接続されている。出力端子Ｓ５には基
本回路Ｋ１と同様に構成された基本回路Ｋ３の出力部Ｋ
３ａが接続され、基本回路Ｋ３の入力部Ｋ３ｂには、入
力端子Ｎ４がドライバ２６５を介して接続されている。
更に出力端子Ｓ６は基本回路Ｋ１と同様に構成された基
本回路Ｋ４の出力部Ｋ４ａが接続され、基本回路Ｋ４の
入力部Ｋ４ｂには、入力端子Ｎ５がドライバ２６７を介
して接続されている。

【００３６】次にこのように構成されたＥＬ表示装置２
０１の動作を説明する。先ず電圧印加回路２３１は次の
ように動作する。入力端子Ｎ４，Ｎ５にはＭＯＳより図
７に例示する駆動信号（入力４，入力５）がそれぞれ入
力されている。先ず入力４がLow レベルであるとき入力
部Ｋ１ｂにはHighレベルの信号が入力される。このため
ＦＥＴ２３３，２３５のゲート電位もHighレベルとな
る。このためＦＥＴ２３３はターンオフしており、ＦＥ
Ｔ２３５はターンオンしている。従って出力端子Ｓ３は
高圧電極Ｈ３と絶縁されると共に、低圧電極Ｌ３と導通
し、出力端子Ｓ３から出力される駆動信号（以下出力３
と記載）は低圧電極Ｌ３の低電位ＶＬ３となっている。

【００３７】所定時間が経過して時点Ｅとなると、入力
４はHighレベルとなる。入力４がHighレベルとなると、
ＦＥＴ２３３がターンオンすると共にＦＥＴ２３５がタ
ーンオフする。すると出力端子Ｓ３は高圧電極Ｈ３と導
通すると共に低圧電極Ｌ３と絶縁される。従って出力３
は高圧電極Ｈ３の高電位ＶＨ３となる。即ち基本回路Ｋ
１では、入力部Ｋ１ｂにHighレベルの信号が入力される
と出力部Ｋ１ａが低電位ＶＬ３となり、入力部Ｋ１ｂに
Low レベルの信号が入力されると出力部Ｋ１ａが高電位
ＶＨ３となる。

【００３８】一方入力５も時点Ｅ以前ではLow レベルで
あり、出力端子Ｓ４に接続された基本回路Ｋ２には入力
５がインバータ２６３を介して入力されるので、出力端
子Ｓ４から出力される駆動信号（以下出力４と記載）も
時点Ｅ以前では低電位ＶＬ３である。

【００３９】また、出力端子Ｓ５に接続された基本回路
Ｋ３には入力４がドライバ２６５を介して入力されるの
で、出力端子Ｓ５から出力される駆動信号（以下出力５
と記載）は出力３とは全く反転した変化を示す。同様に
出力端子Ｓ６に接続された基本回路Ｋ４にも入力５がド
ライバ２６７を介して入力されるので、出力端子Ｓ６か
ら出力される駆動信号（以下出力６と記載）は出力４と
は全く反転した変化を示す。即ち時点Ｅ以前では出力
５，出力６はいずれも高電位ＶＨ３であり、時点Ｅにて
出力５が低電位ＶＬ３となる。

【００４０】続いて時点Ｆにて入力５がHighレベルとな
ると、基本回路Ｋ２にはLow レベルの信号が入力され、
出力４は高電位ＶＨ３となる。またこれと同時に出力６
は低電位ＶＬ３となる。更に入力４および入力５がHigh
レベルである状態がしばらく保持された後、時点Ｇにて
入力４がLow レベルとなると、基本回路Ｋ１にはHighレ
ベルの信号が入力されるようになる。このため出力３は
再び低電位ＶＬ３となり、これと同時に出力５は高電位
ＶＨ３となる。続いて時点Ｈにて入力５がLow レベルと
なり、入力４および入力５は時点Ｅ以前の状態となる。
このため出力４は再び低電位ＶＬ３となり、これにと同
時に出力６は高電位ＶＨ３となる。入力４および入力５
がLow レベルである状態がしばらく保持された後、上記
動作が繰り返される。

【００４１】このような出力３〜６が背面電極２２５お
よび透明電極２１７〜２０５に入力されると、第１ＥＬ
発光層２０９および第２ＥＬ発光層２２１を駆動する交
流電圧（以下駆動１，駆動２と記載）は、次のように変
化する。先ず時点Ｅ以前では出力３，出力４が共に低電
位ＶＬ３であるので、駆動２は０Ｖである。同様に出力
５，出力６が共に高電位ＶＨ３であるので、駆動１も０
Ｖである。時点Ｅになると出力３が高電位ＶＨ３とな
り、出力４は低電位ＶＬ３のままであるので、駆動２は
ＶＨ３−ＶＬ３（これをＶＨ４とする）となる。一方出
力５が低電位ＶＬ３となり、出力６は高電位ＶＨ３のま
まであるので、駆動１は−ＶＨ４となる。

【００４２】時点Ｆになると、出力３，出力４が共に高
電位ＶＨ３となるので、駆動２は０Ｖとなる。同様に出
力５，出力６が共に低電位ＶＬ３となるので、駆動１も
０Ｖとなる。更に時点Ｇになると出力３が低電位ＶＬ３
となり、出力４は高電位ＶＨ３のままであるので、駆動
２は−ＶＨ４となる。一方出力５が高電位ＶＨ３とな
り、出力６は低電位ＶＬ３のままであるので、駆動１は
ＶＨ４となる。そして時点Ｈにて時点Ｅ以前の状態に戻
り以後この変化が反復される。

【００４３】この結果駆動１および駆動２はいずれも所
定間隔を開けてＶＨ４と−ＶＨ４とのパルスを交互に繰
り返す矩形波状の交流電圧となり、更に駆動１と駆動２
とは互いに逆転した位相となる。このため本実施例のＥ
Ｌ表示装置２０１では、第１実施例と同様に騒音の発生
を防止することができ、更にガラス基板２０３側からみ
た発光光度は二倍となる。

【００４４】なお上記各実施例では、ガラス基板３また
は２０３の片面に二つのＥＬ素子を重ねて積層したが図
８に示す第３実施例のＥＬ表示装置３０１のように、ガ
ラス基板３０３の両面に二つのＥＬ素子を重ねて積層し
てもよい。即ち、ＥＬ表示装置３０１では、ガラス基板
３０３の片面に第１透明電極３０５，第１絶縁層３０
７，第１ＥＬ発光層３０９，第２絶縁層３１１，および
背面電極３１３が順次積層され、第１のＥＬ素子３１５
を形成している。またガラス基板３０３の他面には、第
２透明電極３１７，第３絶縁層３１９，第２ＥＬ発光層
３２１，第４絶縁層３２３，および第３透明電極３２５
が、ＥＬ素子３１５と重なるように順次積層され、第２
のＥＬ素子３２７を形成している。

【００４５】このように構成されたＥＬ表示装置３０１
では、第３透明電極３２５側に画像が表示される。そし
て第１ＥＬ発光層３０９と第２ＥＬ発光層３２１とに、
互いに逆転した位相の交流電圧を印加することにより、
第１，第２実施例と同様、騒音を良好に防止することが
できる。

【００４６】更に上記各実施例では二つのＥＬ素子を重
ねて積層しているが、更に多くのＥＬ素子を重ねて積層
してもよい。図９はＥＬ素子を四つ重ねて積層した第４
実施例のＥＬ表示装置４０１を表す断面図である。図に
示すようにＥＬ表示装置４０１では、ガラス基板４０３
上に第１ＥＬ素子４０５，第１絶縁層４０７，第２ＥＬ
素子４０９，第２絶縁層４１１，第３ＥＬ素子４１３，
第３絶縁層４１５，第４ＥＬ素子４１７を順次積層する
ことにより構成されている。

【００４７】このように構成されたＥＬ表示装置４０１
では、半数のＥＬ素子（例えば第１ＥＬ素子４０５およ
び第３ＥＬ素子４１３）に残りの半数のＥＬ素子（例え
ば第２ＥＬ素子４０９および第４ＥＬ素子４１７）とは
逆転した位相の交流電圧を印加することにより、騒音を
良好に防止することができる。またＥＬ表示装置４０１
では、一部のＥＬ素子（例えば第１ＥＬ素子４０５およ
び第２ＥＬ素子４０９）にのみ交流電圧を印加すること
により、ガラス基板４０３側から見た発光光度を調整す
ることができる。

【００４８】またこのように多数のＥＬ素子を重ねて積
層したＥＬ表示装置も、第１実施例のように、積層状態
にある一対のＥＬ素子に共有される電極を設けて構成す
ることができる。図１０に示す第５実施例のＥＬ表示装
置５０１では、ガラス基板５０３上には、第１ＥＬ素子
５０５，第２ＥＬ素子５０７，絶縁層５０９，第３ＥＬ
素子５１１，および第４ＥＬ素子５１３が順次積層され
ている。そして、第１ＥＬ素子５０５と第２ＥＬ素子５
０７は透明電極５１５を共有しており、第３ＥＬ素子５
１１と第４ＥＬ素子５１３とは透明電極５１７を共有し
ている。

【００４９】上記各実施例では複数のＥＬ素子を重ねて
積層ているが、複数のＥＬ素子を同一平面上に隣接して
も同様に騒音を防止することができる。次に、ＥＬ素子
を隣接した種々の実施例を説明する。図１１は第６実施
例のＥＬ表示装置６０１を表す断面図である。ＥＬ表示
装置６０１では、ガラス基板６０３表面に第１透明電極
６０５と第２透明電極６０７とが所定間隔を開けて積層
され、第１透明電極６０５，第２透明電極６０７，およ
び両透明電極６０５，６０７の間から露出したガラス基
板６０３表面に第１絶縁層６１１が積層されている。

【００５０】第１絶縁層６１１表面には、第１ＥＬ発光
層６１３と第２ＥＬ発光層６１５とが上記所定間隔を開
けて、それぞれ第１透明電極６０５，第２透明電極６０
７と重なるように積層されている。更に、第１ＥＬ発光
層６１３，第２ＥＬ発光層６１５，および両ＥＬ発光層
６１３，６１５の間から露出した第１絶縁層６１１表面
には、第２絶縁層６１９，背面電極６２１が順次重ねて
積層されている。

【００５１】そして、第１透明電極６０５は図２の電圧
印加回路３１と同様に構成された図示しない電圧印加回
路に接続され、第２透明電極６０７は図示しないアース
電極に接続され、更に、背面電極６２１は電気的に開放
されている。なおここで、電圧印加回路は、第１ＥＬ発
光層６１３および第２ＥＬ発光層６１５の発光開始電圧
の二倍の大きさの交流電圧を第１透明電極６０５に印加
するように構成されている。

【００５２】即ち本実施例のＥＬ表示装置６０１は請求
項５および請求項７に対応するもので、第１透明電極６
０５，第２透明電極６０７が個別電極に、背面電極６２
１が共通電極に、それぞれ対応する。また、本実施例の
ＥＬ表示装置６０１では、第１透明電極６０５，第１絶
縁層６１１，第１ＥＬ発光層６１３，第２絶縁層６１
９，および背面電極６２１で第１のＥＬ素子６２３を形
成し、第２透明電極６０７，第１絶縁層６１１，第２Ｅ
Ｌ発光層６１５，第２絶縁層６１９，および背面電極６
２１で第２のＥＬ素子６２５を形成している。

【００５３】このように構成されたＥＬ表示装置６０１
では、第１透明電極６０５と第２透明電極６０７との間
に交流電圧を印加すると、背面電極６２１はその中間の
電位になる。従ってＥＬ発光層６１３，６１５には互い
に逆転した位相の、しかもＥＬ発光層６１３，６１５の
発光開始電圧を上回る交流電圧が印加されると、ＥＬ発
光層６１３，６１５が発光すると共に、図４で述べたよ
うにＥＬ発光層６１３，６１５が発生する振動の音圧は
互いに逆転した位相となる。このため両振動が干渉し合
い、ＥＬ表示装置６０１が騒音を発生するのを良好に抑
制することができる。

【００５４】上記実施例では、背面電極６２１を開放と
し、第１透明電極６０５と第２透明電極６０７との間に
交流電圧を印加したが、第１透明電極６０５−背面電極
６２１間、および第２透明電極６０７−背面電極６２１
間に個々に交流電圧を印加してもよい。

【００５５】図１２は第７実施例の電圧印加回路７０１
を表す電気回路図である。本実施例では、ＥＬ表示装置
６０１の背面電極６２１をアース電極に接続し、第１透
明電極６０５を電圧印加回路７０１の出力端子Ｓ７に、
第２透明電極６０７を出力端子Ｓ８に、それぞれ接続し
ている。電圧印加回路７０１は、入力端子Ｎ６，Ｎ７，
Ｎ８と出力端子Ｓ７との間に接続された回路７０３と、
入力端子Ｎ６，Ｎ７，Ｎ８と出力端子Ｓ８との間に接続
された回路７０５とから構成されている。

【００５６】回路７０３，７０５は次の点を除いて電圧
印加回路３１と同様に構成されているので、同一部材を
表す符号に電圧印加回路３１と同一の符号を付して構成
の詳細な説明を省略する。即ち回路７０３は、インバー
タ５７に入力端子Ｎ６が、インバータ６５およびドライ
バ６９に入力端子Ｎ７が、ドライバ６１に入力端子Ｎ８
がそれぞれ接続され、ＦＥＴ３３およびＦＥＴ３５のド
レイン電極に出力端子Ｓ７が接続されている点を除いて
は電圧印加回路３１と全く同様に構成されている。

【００５７】また回路７０５は、インバータ５７に入力
端子Ｎ８が、インバータ６５およびドライバ６９に入力
端子Ｎ７が、ドライバ６１に入力端子Ｎ６それぞれ接続
され、ＦＥＴ３３およびＦＥＴ３５のドレイン電極に出
力端子Ｓ８が接続され、更に、ＦＥＴ３３のソース電極
に高圧電極Ｈ２が、ＦＥＴ３５のソース電極に低圧電極
Ｌ２がそれぞれ接続されている点を除いては電圧印加回
路３１と全く同様に構成されている。

【００５８】このように構成された電圧印加回路７０１
の入力端子Ｎ６〜Ｎ８に、図３の入力１〜３と同様の駆
動信号、入力６〜８を入力すると、出力端子Ｓ７，Ｓ８
から出力される駆動信号出力７，出力８は、図１３に例
示するように変化する。即ち、回路７０３は電圧印加回
路３１と同様に構成されているので、出力７は所定間隔
を開けて高電位ＶＨ１と低電位ＶＬ１とのパルスを交互
に繰り返す矩形波状の信号となる。一方回路７０５は、
回路７０３に対して入力６と入力８とが入れ替わり、ま
た、高圧電極Ｈ１の高電位ＶＨ１に代わって高圧電極Ｈ
２の高電位ＶＨ２が、低圧電極Ｌ１の低電位ＶＬ１に代
わって低圧電極Ｌ２の低電位ＶＬ２が、それぞれ入力さ
れている。このため出力８は出力７に対して逆転した位
相を有し、高電位ＶＨ２と低電位ＶＬ２とのパルスを交
互に繰り返す矩形波状の信号となる。

【００５９】ここでＶＨ１＝−ＶＬ１＝ＶＨ２＝−ＶＬ
２とすれば、第１ＥＬ発光層６１３と第２ＥＬ発光層６
１５とに、互いに位相の逆転した大きさの等しい交流電
圧を印加することができる。従って、このようにすれば
ＥＬ表示装置６０１が騒音を発生するのを良好に抑制す
ることができる。

【００６０】また上記実施例では、ガラス基板６０３上
に第１・第２透明電極６０５，６０７，第１・第２ＥＬ
発光層６１３，６１５，背面電極６２１を順次積層する
ことによってＥＬ素子６２３，６２５隣接しているが、
複数のＥＬ素子を隣接する構成としては、この他にも種
々の態様が考えられる。

【００６１】例えば、図１４に例示する第８実施例のＥ
Ｌ表示装置８０１では、ガラス基板８０３表面に第１透
明電極８０５，第２透明電極８０７を所定間隔で積層
し、その表面に、第１絶縁層８０９，ＥＬ発光層８１
１，第２絶縁層８１３，および背面電極８１５を順次重
ねて積層している。これによって、ＥＬ表示素子８１
７，８１９が隣接する。このＥＬ表示装置８０１は、Ｅ
Ｌ発光層８１１をＥＬ素子８１７，８１９に共有させた
点でＥＬ表示装置６０１と異なるが、ＥＬ表示装置６０
１と同様の作用・効果を奏する。

【００６２】また、図１５に例示する第９実施例のＥＬ
表示装置９０１は次のように構成されている。ガラス基
板９０３上に透明電極９０５，第１絶縁層９０７を順次
重ねて積層し、その表面に第１ＥＬ発光層９０９，第２
ＥＬ発光層９１１を所定間隔で積層ている。更に各ＥＬ
発光層９０９，９１１表面に第２絶縁層９１３を積層
し、その表面に第１背面電極９１５，第２背面電極９１
７を、第１ＥＬ発光層９０９，第２ＥＬ発光層９１１に
重ねて積層している。これによって、ＥＬ素子９２１，
９２３が隣接する。このＥＬ表示装置９０１は、透明電
極９０５を共通電極とし、背面電極９１５，９１７を個
別電極としている点でＥＬ表示装置６０１と異なるが、
同様の作用・効果を奏する。

【００６３】図１６に示す第１０実施例のＥＬ表示装置
１００１は、ＥＬ発光層１００９，第２絶縁層１０１３
を第１絶縁９０７に順次重ねて積層し、ＥＬ素子１０２
１，１０２３に共有させた点を除いてはＥＬ表示装置９
０１と同様に構成されているので、各部を表す符号にＥ
Ｌ表示装置９０１と同じ符号を付して構成の詳細な説明
を省略する。この場合も同様の作用・効果が得られる。

【００６４】また、隣接するＥＬ発光素子に対して、透
明電極，ＥＬ発光層，背面電極を個々に設けることもで
きる。図１７に示す第１１実施例のＥＬ表示装置１１０
１は次のように構成されている。即ち、ガラス基板１１
０３表面には第１透明電極１１０５，第２透明電極１１
０７が所定間隔で積層され、その表面に第１絶縁層１１
０９が積層されている。その表面には第１透明電極１１
０５と重なる第１ＥＬ発光層１１１１、および第２透明
電極１１０７と重なる第２ＥＬ発光層１１１３が積層さ
れ、その表面に第２絶縁層１１１５が積層されている。
更に、第２絶縁層１１１５表面には、第１ＥＬ発光層１
１１１と重なる第１背面電極１１１７、および第２ＥＬ
発光層１１１３と重なる第２背面電極１１１９が積層さ
れ、これによってＥＬ発光素子１１２１，１１２３が隣
接する。

【００６５】このように構成されたＥＬ表示装置１１０
１では、図６で説明した電圧印加回路２３１を用いて交
流電圧を印加することができる。即ち、第１透明電極１
１０５を出力端子Ｓ３に、第１背面電極１１１７を出力
端子Ｓ４に、第２透明電極１１０７を出力端子Ｓ５に、
第２背面電極１１１９を出力端子Ｓ６に、それぞれ接続
すればよい。こうすることによって、各ＥＬ発光層１１
１１，１１１３に互いに逆転した位相の矩形波状交流電
圧を印加することができ、上記各実施例と同様の作用・
効果が得られる。

【００６６】なお、上記第６〜第１１実施例では、ＥＬ
素子を２列に隣接して構成しており、その平面図は図１
８（ａ）に例示するようになる（一例としてＥＬ表示装
置１１０１を図示する）。本発明ではこの他にも種々の
配列でＥＬ素子を隣接することができる。例えば図１８
（ｂ）に例示するように、長方形のＥＬ素子１１５１
と、その各長辺に隣接し、ＥＬ素子１１５１のほぼ１／
２の幅を有する一対のＥＬ素子１１５３によってＥＬ表
示装置１１５５を構成してもよい。この場合、ＥＬ素子
１１５３にＥＬ素子１１５１とは逆転した位相の交流電
圧を印加することにより、上記各実施例と同様の作用・
効果が得られる。

【００６７】また図１８（ｃ）に例示するように、正方
形のＥＬ素子１１７１と、その四辺に隣接し、ＥＬ素子
１１７１のほぼ１／４の表面積を有する四つのＥＬ素子
１１７３によってＥＬ表示装置１１７５を構成してもよ
い。この場合にも、ＥＬ素子１１７３にＥＬ素子１１７
１とは逆転した位相の交流電圧を印加することにより同
様の作用・効果が得られる。なお、図１８（ａ）〜
（ｃ）において，は互いに逆転した位相の交流電圧
が印加されることを示している。

【００６８】次に、一般のＥＬ素子では、図１９に例示
するように、交流電圧に比例して騒音の音圧が増加す
る。ところが、ＥＬ素子は所定の発光開始電圧（図示例
では２００Ｖ）以上の交流電圧が印加されるまで発光し
ない。従ってＥＬ素子は印加電圧の上昇に伴って、 状態１：振動音が発生せず、発光もしない状態（即ち交
流電圧０Ｖの状態） 状態２：振動音は発生するが、発光はしない状態 状態３：振動音が発生し、発光もする状態 の三つの状態を取る。ここで、交流電圧の波形としてあ
る矩形波状交流波形（仮に通常波形と呼ぶ）と、その通
常波形とは位相が逆転した逆転波形との二つの波形とを
用いるとすると、ＥＬ素子の駆動状態を表１に示すよう
に駆動状態〜に分類することができる。

【００６９】

【表１】

【００７０】なお、状態１では交流電圧が０Ｖであるの
で、通常波形，逆転波形の区別をしない。次に上記５種
類の駆動状態を使用した実施例を説明する。図２０は、
周知の７セグメントディスプレイに本発明を適用した第
１２実施例のＥＬ表示装置１２０１を表すブロック図で
ある。７セグメントディスプレイとしてのＥＬ表示器１
２０３は、横長に配設された三つの透明電極（上から）
１２０３ａ，１２０３ｂ，１２０３ｃ、および縦長に配
設された四つの透明電極１２０３ｄ，１２０３ｅ，１２
０３ｆ，１２０３ｇ（左上，右上，左下，右下の順）を
備えており、各透明電極１２０３ａ〜１２０３ｇは、ア
ース電極１２０５に接続された図示しない背面電極との
間に、ＥＬ発光層を挟んで積層されている。

【００７１】また、各透明電極１２０３ａ〜１２０３ｇ
には、電圧印加回路１２１１ａ〜１２１１ｇが接続さ
れ、その電圧印加回路１２１１ａ〜１２１１ｇは、制御
回路１２１３から入力される駆動信号に基づいて上記５
種類の交流電圧を個々に印加する。なお、制御回路１２
１３は、ＥＬ表示器１２０３の表示文字と電圧印加回路
１２１１ａ〜１２１１ｇへ入力する駆動信号とを対応付
けて格納したＲＯＭ１２１３ａをはじめ、図示しないＣ
ＰＵ，ＲＡＭを備えた周知のマイクロコンピュータであ
る。次に電圧印加回路１２１１（ａ〜ｇ）の構成を図２
１の回路図に基づいて説明する。電圧印加回路１２１１
では、入力端子Ｎ１１，Ｎ１２，Ｎ１３と出力端子Ｓ１
１との間に、図２の電圧印加回路３１と同様に構成され
た回路１２３１が接続されている。更に出力端子Ｓ１１
は、ダイオード１２３３を介してＦＥＴ１２３５のドレ
イン電極に、ダイオード１２３７を介してＦＥＴ１２３
９のドレイン電極にそれぞれ接続されている。なお、ダ
イオード１２３３は出力端子Ｓ１１からＦＥＴ１２３５
への電流を遮断し、ダイオード１２３７はＦＥＴ１２３
９から出力端子Ｓ１１への電流を遮断する方向に、極性
が決定されている。またＦＥＴ１２３５のソース電極は
高圧電極Ｈ４に、ＦＥＴ１２３９のソース電極は低圧電
極Ｌ４にそれぞれ接続されている。

【００７２】更にＦＥＴ１２３５のゲート電極には、入
力端子Ｎ１４が、インバータ１２４１，直流成分遮断用
のコンデンサ１２４３を介して接続され、ＦＥＴ１２３
９のゲート電極には、入力端子Ｎ１５がドライバ１２４
５，直流成分遮断用のコンデンサ１２４７を介して接続
されている。なお、ＦＥＴ１２３５はゲート電位がLow
レベルのときターンオンする所謂ｐ形チャネルＦＥＴ
で、ＦＥＴ１２３９はゲート電位がHighレベルのときに
ターンオンする所謂ｎ形チャネルＦＥＴである。またＦ
ＥＴ１２３５，１２３９のゲート・ソース間には、各Ｆ
ＥＴを保護するためのツェナーダイオード１２５１，１
２５３が接続されている。

【００７３】なお、高圧電極Ｈ４の高電位ＶＨ４、およ
び低圧電極Ｌ４の低電位ＶＬ４は、それぞれ高電位ＶＨ
１および低圧電位ＶＬ１のほぼ半分の大きさで、かつＥ
Ｌ表示器１２０３の発光開始電圧Ｖｔｈより絶対値が小
さくなるように設定されている。

【００７４】このように構成された電圧印加回路１２１
１は、次のように動作する。即ち、入力端子Ｎ１４，Ｎ
１５へ入力される駆動信号（入力１４，１５）を共にLo
w レベルとすれば出力端子Ｓ１１は高圧電極Ｈ４および
低圧電極Ｌ４と絶縁される。このとき、入力端子Ｎ１１
〜Ｎ１３への入力信号（入力１１，１２，１３）を図３
の入力１〜３と同様にすれば、出力端子Ｓ１１から出力
される駆動信号（出力１１）は出力１と同様、所定間隔
で高電位ＶＨ１と低電位ＶＬ１とを繰り返す矩形波状の
交流電圧となる（駆動状態）。入力１１と入力１３と
を入れ替えれば出力１１の位相が逆転する（駆動状態
）。

【００７５】また、入力１１，１３をLow レベルとし、
入力１４，１２，１５を図３の入力１，２，３と同様に
すれば、図２２に例示するように、出力１１は所定間隔
で高電位ＶＨ４と低電位ＶＬ４とを繰り返す矩形波状の
交流電圧となる（駆動状態）。入力１４と入力１５と
を入れ替えれば出力１１の位相が逆転する（駆動状態
）。更に、入力２をHighレベルとすると共にその他の
入力１１〜１５をLow レベルとすれば、図３の時点Ｂ，
Ｃ間に示すように、出力１１は０Ｖとなる（駆動状態
）。

【００７６】このように構成されたＥＬ表示装置１２０
１では、例えば次のようにして文字を表示しつつ騒音を
抑制することができる。図２３（ａ）はＥＬ表示器１２
０３に数字”５”を表示した場合の各セグメントの駆動
状態を表す説明図である。図に示すように、透明電極１
２０３ａ〜１２０３ｃが構成するセグメントは駆動状態
、て透明電極１２０３ｄ，１２０３ｆのセグメントは
駆動状態とされ、それぞれ発光している。また透明電
極１２０３ｅ，１２０３ｆのセグメントは駆動状態と
され発光していない。このためＥＬ表示器１２０３には
数字”５”が表示される。

【００７７】一方、透明電極１２０３ａ〜１２０３ｃの
セグメントからは通常波形に基づく騒音が、透明電極１
２０３ｄ〜１２０３ｇのセグメントからはそれとは逆転
した位相の騒音が発生している。ここで、駆動状態に
基づく騒音の音圧は、駆動状態およびに基づく騒音
の音圧のほぼ半分となる。このため、通常波形に基づく
騒音の音圧と逆転波形に基づく騒音の音圧とがほぼ等し
くなり良好に干渉し合う。このため騒音の発生を良好に
抑制することができる。

【００７８】次に、図２３（ｂ）はＥＬ表示器１２０３
に数字”０”を表示した場合の各セグメントの駆動状態
を表す説明図である。透明電極１２０３ａ，１２０３
ｅ，１２０３ｆのセグメントは駆動状態、透明電極１
２０３ｃ，１２０３ｄ，１２０３ｇのセグメントは駆動
状態とされ、それぞれ発光している。また透明電極１
２０３ｂのセグメントは駆動状態とされ、発光も騒音
の発生もしていない。

【００７９】透明電極１２０３ａ，１２０３ｅ，１２０
３ｆのセグメントが発生する騒音と、透明電極１２０３
ｃ，１２０３ｄ，１２０３ｇのセグメントが発生する騒
音とは、互いに位相が逆転しており音圧も等しいので、
騒音の発生を良好に防止することができる。また、本実
施例ではこの他の数字についても、駆動状態〜を組
み合わせることによって同様に騒音を防止することがで
きる。なお、同じ数字でも駆動状態〜の組み合せ方
は種々雑多にある。

【００８０】また、本発明は多数のＥＬ素子がマトリッ
クス状に配設され、各絵素を列毎または行毎に走査して
画像を表示する所謂ドットマトリックスにも適用するこ
とができる。図２４はＥＬ素子１３０１が４行・５列の
マトリックス状に配設された第１３実施例のＥＬ表示装
置１３０３を表す平面図である。本実施例では、同一列
の、１行目，２行目または３行目，４行目に配設された
上下一対のＥＬ素子１３０１がブロック１３０５を形成
している。そして、図示しない電圧印加回路は、各ブロ
ック１３０５のＥＬ素子１３０１を図２５に例示する駆
動状態に制御する。

【００８１】即ち、ブロック１３０５の上下のＥＬ素子
１３０１が共に発光する場合は上のＥＬ素子１３０１を
駆動状態、下のＥＬ素子１３０１を駆動状態とす
る。上のＥＬ素子１３０１が発光し下のＥＬ素子１３０
１が発光しない場合は、上のＥＬ素子１３０１を駆動状
態、下のＥＬ素子１３０１を駆動状態とする。上の
ＥＬ素子１３０１が発光せず、下のＥＬ素子１３０１が
発光する場合は、上のＥＬ素子１３０１を駆動状態、
下のＥＬ素子１３０１を駆動状態とする。上下のＥＬ
素子が共に発光しない場合は、上下のＥＬ素子１３０１
を共に駆動状態とする。但し、本実施例では１列毎、
もしくは２行毎に走査を行うものとする。

【００８２】こうすれば、どのブロック１３０５におい
ても、上下一対のＥＬ素子１３０１が発生する騒音は互
いに逆転した位相となるので、ＥＬ表示装置１３０３が
発生する騒音を良好に防止することができる。また、第
６〜第１３実施例のＥＬ表示装置６０１〜１３０１のよ
うに、ＥＬ素子を複数隣接した場合、ＥＬ表示装置６０
１〜１３０１の画素面積に対する装置の大きさは、一つ
のＥＬ素子で画素を構成した従来の装置と変わらない。

【００８３】なお上記各実施例では、半数のＥＬ素子に
残りの半数とは逆転した位相の交流電圧を印加している
が、各ＥＬ素子に印加される交流電圧の位相を単に異な
らせるだけでも振動が干渉し合うので騒音を抑制するこ
とができる。例えばＥＬ素子を三つ併設し、各ＥＬ素子
に１２０°づつ位相を異ならせた正弦波状交流電圧を印
加した場合、三つのＥＬ素子が発生する振動は良好に干
渉し合い、騒音を良好に防止することができる。

【００８４】また更に上記各実施例では、半数のＥＬ素
子に残りの半数とは位相を異ならせた交流電圧を印加し
ているが、多数のＥＬ素子の中の一つにだけ他のＥＬ素
子とは位相を異ならせた交流電圧を印加してもよい。こ
の場合も若干ではあるが騒音防止効果がある。

【００８５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明では一つの
ＥＬ素子の電極間に印加される交流電圧は、少なくとも
他の一つのＥＬ素子への交流電圧とは位相が異なるの
で、両ＥＬ素子が発生する振動の位相も異なる。また両
ＥＬ素子のＥＬ発光層は平行に配設されているので、両
ＥＬ素子の振動は干渉し合い、この結果ＥＬ表示装置全
体としての振動が低減される。従って本発明のＥＬ表示
装置では騒音を良好に防止することができる。

【００８６】また本発明では、ＥＬ素子を複数積層する
ことによって併設した場合も、ＥＬ素子は通常薄膜状で
あるので装置はさほど大きくならない。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図２】第１実施例の電圧印加回路を表す電気回路図で
ある。

【図３】第１実施例の電圧印加回路の入出力波形を表す
タイムチャートである。

【図４】第１実施例のＥＬ発光素子が発生する音圧を表
すタイムチャートである。

【図５】第２実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図６】第２実施例の電圧印加回路を表す電気回路図で
ある。

【図７】第２実施例の電圧印加回路の入出力波形を表す
タイムチャートである。

【図８】第３実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図９】第４実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図１０】第５実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図１１】第６実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図１２】第７実施例の電圧印加回路を表す電気回路図
である。

【図１３】第７実施例の電圧印加回路の入出力波形を表
すタイムチャートである。

【図１４】第８実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図１５】第９実施例のＥＬ表示装置を表す断面図であ
る。

【図１６】第１０実施例のＥＬ表示装置を表す断面図で
ある。

【図１７】第１１実施例のＥＬ表示装置を表す断面図で
ある。

【図１８】ＥＬ素子配列方法の他の実施例を表す平面図
である。

【図１９】ＥＬ素子の交流電圧と音圧との関係を例示す
る説明図である。

【図２０】第１２実施例のＥＬ表示装置の構成を表すブ
ロック図である。

【図２１】第１２実施例の電圧印加回路の構成を表す電
気回路図である。

【図２２】第１２実施例の電圧印加回路の入出力波形を
表すタイムチャートである。

【図２３】第１２実施例のＥＬ表示器の駆動状態を表す
説明図である。

【図２４】第１３実施例のＥＬ表示装置を表す平面図で
ある。

【図２５】第１３実施例のＥＬ素子の駆動状態を表す説
明図である。

【符号の説明】

１…ＥＬ表示装置 ３…ガラス基板
５…第１透明電極 ７…第１絶縁層 ９…第１ＥＬ発光層
１１…第２絶縁層 １３…第２透明電極 １５…第３絶縁層
１７…第２ＥＬ発光層 １９…第４絶縁層 ２１…背面電極
２３…ＥＬ素子 ２５…ＥＬ素子 ３１…電圧印加回路
Ｈ１…高圧電極 Ｌ１…低圧電極 Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３…入力端子
Ｓ１…出力端子

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＥＬ発光層両面に一対の電極を形成して
   なるＥＬ素子を備え、上記一対の電極間に交流電圧を印
   加することにより上記ＥＬ発光層を発光させるＥＬ表示
   装置において、 上記ＥＬ発光層を平行にして上記ＥＬ素子を複数併設す
   ると共に、 一つの上記ＥＬ素子の上記一対の電極間に、少なくとも
   他の一つの上記ＥＬ素子とは位相が異なる交流電圧を個
   々に印加する電圧印加手段を備えてなることを特徴とす
   るＥＬ表示装置。
2. 【請求項２】 複数のＥＬ素子を積層することによって
   併設したことを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装
   置。
3. 【請求項３】 積層状態にある一対のＥＬ素子が、第１
   の電極と、第１のＥＬ発光層と、両ＥＬ素子に共有され
   る共通電極と、第２のＥＬ発光層と、第２の電極と、を
   順次積層してなることを特徴とする請求項２記載のＥＬ
   表示装置。
4. 【請求項４】 複数のＥＬ素子を、同一平面上に隣接す
   ることによって併設したことを特徴とする請求項１記載
   のＥＬ表示装置。
5. 【請求項５】 隣接状態にある一対のＥＬ素子が、両Ｅ
   Ｌ素子に共有される共通電極と、該共通電極表面に積層
   された一対のＥＬ発光層と、該各ＥＬ発光層にそれぞれ
   積層された一対の個別電極と、から構成されることを特
   徴とする請求項４記載のＥＬ表示装置。
6. 【請求項６】 隣接状態にある一対のＥＬ素子が、両Ｅ
   Ｌ素子に共有される共通電極と、該共通電極表面に積層
   され両ＥＬ素子に共有される共通ＥＬ発光層と、該共通
   ＥＬ発光層表面に個々に積層された一対の個別電極と、
   から構成されることを特徴とする請求項４記載のＥＬ表
   示装置。
7. 【請求項７】 電圧印加手段が、共通電極を開放し、一
   対の個別電極間にＥＬ素子発光開始電圧の二倍以上の交
   流電圧を印加することを特徴とする請求項５または６記
   載のＥＬ表示装置。
8. 【請求項８】 隣接状態にある複数のＥＬ素子がマトリ
   ックスを形成し、電圧印加手段が該マトリックスを走査
   しながら交流電圧を印加することを特徴とする請求項４
   ないし７のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
9. 【請求項９】ＥＬ発光層と一対の電極との間に、絶縁層
   を形成したことを特徴とする請求項１ないし８のいずれ
   かに記載のＥＬ表示装置。
10. 【請求項１０】電圧印加手段にて印加される交流電圧
    が、矩形波状の交流電圧であることを特徴とする請求項
    １ないし９のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
11. 【請求項１１】ＥＬ素子を偶数併設し、電圧印加手段
    が、半数のＥＬ素子の電極に残りの半数のＥＬ素子とは
    逆転した位相の交流電圧を印加することを特徴とする請
    求項１ないし１０のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
12. 【請求項１２】電圧印加手段が、少なくとも一つのＥＬ
    素子の電極に、該ＥＬ素子の発光開始電圧より低い交流
    電圧を印加可能としたことを特徴とする請求項１ないし
    １１のいずれかに記載のＥＬ表示装置。