JPH05227764A - 逆変換装置 - Google Patents
逆変換装置Info
- Publication number
- JPH05227764A JPH05227764A JP4023657A JP2365792A JPH05227764A JP H05227764 A JPH05227764 A JP H05227764A JP 4023657 A JP4023657 A JP 4023657A JP 2365792 A JP2365792 A JP 2365792A JP H05227764 A JPH05227764 A JP H05227764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- snubber
- current
- arms
- currents
- gtos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、スナバ回路インダクタンスを低減す
ることによってスナバコンデンサの容量を低減して、そ
の効率を高めることができる逆変換装置を提供すること
にある。 【構成】本発明は、逆変換動作を行うインバータブリッ
ジの各アームは主電流のスイッチングを行うバルブデバ
イスと、このバルブデバイスと逆並列接続されたフリー
ホイーリングダイオードと、バルブデバイス保護のため
のコンデンサとダイオードと抵抗器よりなるスナバ回路
とから構成され、直流電力を交流電力へ変換する逆変換
装置において、それぞれの各アームごとに前記バルブデ
バイスおよびスナバ回路の通電電流の大きさが同じでか
つ位相が１８０°異なる１対のアームを構成し、さらに
この１対のアームのバルブデバイスおよびスナバ回路を
近接して配置しかつ対称形の構造としているので、スナ
バ電流によって生ずる磁束は打消すことになる。これに
よってスナバ回路インダクタンスを低減できる。
ることによってスナバコンデンサの容量を低減して、そ
の効率を高めることができる逆変換装置を提供すること
にある。 【構成】本発明は、逆変換動作を行うインバータブリッ
ジの各アームは主電流のスイッチングを行うバルブデバ
イスと、このバルブデバイスと逆並列接続されたフリー
ホイーリングダイオードと、バルブデバイス保護のため
のコンデンサとダイオードと抵抗器よりなるスナバ回路
とから構成され、直流電力を交流電力へ変換する逆変換
装置において、それぞれの各アームごとに前記バルブデ
バイスおよびスナバ回路の通電電流の大きさが同じでか
つ位相が１８０°異なる１対のアームを構成し、さらに
この１対のアームのバルブデバイスおよびスナバ回路を
近接して配置しかつ対称形の構造としているので、スナ
バ電流によって生ずる磁束は打消すことになる。これに
よってスナバ回路インダクタンスを低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直流電力を交流電力に変
換する逆変換装置（以下インバータという）に関する。
換する逆変換装置（以下インバータという）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の単相インバータは、図３（ａ）に
示すようにバルブデバイスＳ1 〜Ｓ4（ここではゲート
ターンオフサイリスタ，以下ＧＴＯという）と、スナバ
コンデンサＣS1〜ＣS4とスナバダイオードＤS1〜ＤS4と
スナバ抵抗ＲS1〜ＲS4とａ点〜ｂ点までのスナバ回路イ
ンダクタンスＬS1〜ＬS4とからなるスナバ回路と、フリ
ーホイーリングダイオードＤ1 〜Ｄ4 とから構成されて
いる。ｉS はスナバ電流、Ｉ0 は主電流、Ｐ，Ｎは直流
側の正極端子，負極端子、ＡＣは交流側の端子である。
示すようにバルブデバイスＳ1 〜Ｓ4（ここではゲート
ターンオフサイリスタ，以下ＧＴＯという）と、スナバ
コンデンサＣS1〜ＣS4とスナバダイオードＤS1〜ＤS4と
スナバ抵抗ＲS1〜ＲS4とａ点〜ｂ点までのスナバ回路イ
ンダクタンスＬS1〜ＬS4とからなるスナバ回路と、フリ
ーホイーリングダイオードＤ1 〜Ｄ4 とから構成されて
いる。ｉS はスナバ電流、Ｉ0 は主電流、Ｐ，Ｎは直流
側の正極端子，負極端子、ＡＣは交流側の端子である。
【０００３】図３（ｂ）はＧＴＯのターンオフ時の電圧
と電流の波形を示す図である。例えば、ＧＴＯＳ1 に流
れていた主電流Ｉ0 をターンオフさせると、主電流Ｉ0
は立下り時間ｔf の短期間に急激に減少し、一方スナバ
回路にはスナバ電流ｉS が流れる。ＧＴＯＳ1 の順方向
電圧としてはターンオフ初期にスパイク電圧ＶDSP が印
加され、定常状態ではＥd が印加される。スパイク電圧
ＶDSP が許容値を超えるとＧＴＯＳ1 の破損を引起す。
このスパイク電圧ＶDSP を抑制するにはスナバコンデン
サＣS1の容量を大きくすれば可能であるが、このスナバ
コンデンサＣS1容量の増加と共にスイッチング時の損失
の増加をもたらすので、インバータの効率を低下させる
という問題が生じる。
と電流の波形を示す図である。例えば、ＧＴＯＳ1 に流
れていた主電流Ｉ0 をターンオフさせると、主電流Ｉ0
は立下り時間ｔf の短期間に急激に減少し、一方スナバ
回路にはスナバ電流ｉS が流れる。ＧＴＯＳ1 の順方向
電圧としてはターンオフ初期にスパイク電圧ＶDSP が印
加され、定常状態ではＥd が印加される。スパイク電圧
ＶDSP が許容値を超えるとＧＴＯＳ1 の破損を引起す。
このスパイク電圧ＶDSP を抑制するにはスナバコンデン
サＣS1の容量を大きくすれば可能であるが、このスナバ
コンデンサＣS1容量の増加と共にスイッチング時の損失
の増加をもたらすので、インバータの効率を低下させる
という問題が生じる。
【０００４】そこで、スナバコンデンサＣS1の容量を増
加させることなく、スパイク電圧ＶDSP を抑制するには
スナバ回路インダクタンスＬS1を低減することで達成で
きるが、図３（ａ）のａ点〜ｂ点の長さは構造上一定の
長さが必要であり、スナバ回路インダクタンスＬS1を小
さくするには限界があった。
加させることなく、スパイク電圧ＶDSP を抑制するには
スナバ回路インダクタンスＬS1を低減することで達成で
きるが、図３（ａ）のａ点〜ｂ点の長さは構造上一定の
長さが必要であり、スナバ回路インダクタンスＬS1を小
さくするには限界があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、上記した
ａ点〜ｂ点の長さによって決定されるスナバ回路インダ
クタンスＬS1を更に小さくすることができれば、効果的
にスパイク電圧ＶDSP を抑制することができ、インバー
タの効率低下を招くことなしにＧＴＯＳ1 の破損を防止
することができるので、何等かの解決策が望まれてい
た。
ａ点〜ｂ点の長さによって決定されるスナバ回路インダ
クタンスＬS1を更に小さくすることができれば、効果的
にスパイク電圧ＶDSP を抑制することができ、インバー
タの効率低下を招くことなしにＧＴＯＳ1 の破損を防止
することができるので、何等かの解決策が望まれてい
た。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的はスナバ回路インダクタンスを低減するこ
とによってスナバコンデンサの容量を低減して、その効
率を高めることができる逆変換装置を提供することにあ
る。
で、その目的はスナバ回路インダクタンスを低減するこ
とによってスナバコンデンサの容量を低減して、その効
率を高めることができる逆変換装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、逆変換動作を行うインバータブリッジの
各アームは主電流のスイッチングを行うバルブデバイス
と、このバルブデバイスと逆並列接続されたフリーホイ
ーリングダイオードと、バルブデバイス保護のためのコ
ンデンサとダイオードと抵抗器よりなるスナバ回路とか
ら構成され、直流電力を交流電力へ変換する逆変換装置
において、それぞれの各アームごとに前記バルブデバイ
スおよびスナバ回路の通電電流の大きさが同じでかつ位
相が１８０°異なる１対のアームを構成し、さらにこの
１対のアームのバルブデバイスおよびスナバ回路を近接
して配置しかつ対称形の構造としたことを特徴とするも
のである。
成するために、逆変換動作を行うインバータブリッジの
各アームは主電流のスイッチングを行うバルブデバイス
と、このバルブデバイスと逆並列接続されたフリーホイ
ーリングダイオードと、バルブデバイス保護のためのコ
ンデンサとダイオードと抵抗器よりなるスナバ回路とか
ら構成され、直流電力を交流電力へ変換する逆変換装置
において、それぞれの各アームごとに前記バルブデバイ
スおよびスナバ回路の通電電流の大きさが同じでかつ位
相が１８０°異なる１対のアームを構成し、さらにこの
１対のアームのバルブデバイスおよびスナバ回路を近接
して配置しかつ対称形の構造としたことを特徴とするも
のである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、スナバ回路に流れるスナバ電
流と、通電方向が逆で大きさが等しいスナバ電流を流す
回路を設けているので、スナバ電流によって生ずる磁束
を打消すことになる。これによってスナバ回路インダク
タンスを低減させることができる。
流と、通電方向が逆で大きさが等しいスナバ電流を流す
回路を設けているので、スナバ電流によって生ずる磁束
を打消すことになる。これによってスナバ回路インダク
タンスを低減させることができる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図を参照して説明する。図
１（ａ）は本発明の逆変換装置１相分の回路構成図であ
る。なお、既に説明した図３と同一部分には同一符号付
して説明する。図に示すように、図３（ａ）のＧＴＯＳ
1 の属するアームが本実施例ではＧＴＯＳ11，Ｓ12の１
対から構成されている。また図示されていないが同様に
ＧＴＯＳ2 、ＧＴＯＳ3 およびＧＴＯＳ4 の属するアー
ムがそれぞれＧＴＯＳ21，Ｓ22の１対、ＧＴＯＳ31，Ｓ
32の１対およびＧＴＯＳ41，Ｓ42の１対で構成されてい
る。Ｄ11，Ｄ12はフリーホイーリングダイオード、Ｄ
S11 ，ＤS12 はスナバダイオード、ＣS11 ，ＣS12 はス
ナバコンデンサ、ＲS11 ，ＲS12 はスナバ抵抗、
ＬS11 ，ＬS12 はａ点〜ｂ点までのスナバ回路インダク
タンス、ｉS11 ，ｉS12 はスナバ電流、Ｐ1 ，Ｐ2 及び
Ｎ1 ，Ｎ2 は直流側の正極端子及び負極端子、ＡＣ11，
ＡＣ12は交流側の端子である。
１（ａ）は本発明の逆変換装置１相分の回路構成図であ
る。なお、既に説明した図３と同一部分には同一符号付
して説明する。図に示すように、図３（ａ）のＧＴＯＳ
1 の属するアームが本実施例ではＧＴＯＳ11，Ｓ12の１
対から構成されている。また図示されていないが同様に
ＧＴＯＳ2 、ＧＴＯＳ3 およびＧＴＯＳ4 の属するアー
ムがそれぞれＧＴＯＳ21，Ｓ22の１対、ＧＴＯＳ31，Ｓ
32の１対およびＧＴＯＳ41，Ｓ42の１対で構成されてい
る。Ｄ11，Ｄ12はフリーホイーリングダイオード、Ｄ
S11 ，ＤS12 はスナバダイオード、ＣS11 ，ＣS12 はス
ナバコンデンサ、ＲS11 ，ＲS12 はスナバ抵抗、
ＬS11 ，ＬS12 はａ点〜ｂ点までのスナバ回路インダク
タンス、ｉS11 ，ｉS12 はスナバ電流、Ｐ1 ，Ｐ2 及び
Ｎ1 ，Ｎ2 は直流側の正極端子及び負極端子、ＡＣ11，
ＡＣ12は交流側の端子である。
【００１０】図２（ａ）は本発明の単相インバータ内の
１対のアームの平面図、図２（ｂ）はその正面図であ
る。これらの図から分かるように、ＧＴＯＳ11の属する
アームとＧＴＯＳ12の属するアームは、通電方向が逆で
大きさの等しい電流を流すようにフリーホイーリングダ
イオードＤ11，Ｄ12とスナバダイオードＤS11 ，ＤS12
の極性が選ばれている。したがって、両アームを構成す
る各要素は形状が対称形でかつ近接配置されているた
め、通電電流による磁束はほとんど打消される。
１対のアームの平面図、図２（ｂ）はその正面図であ
る。これらの図から分かるように、ＧＴＯＳ11の属する
アームとＧＴＯＳ12の属するアームは、通電方向が逆で
大きさの等しい電流を流すようにフリーホイーリングダ
イオードＤ11，Ｄ12とスナバダイオードＤS11 ，ＤS12
の極性が選ばれている。したがって、両アームを構成す
る各要素は形状が対称形でかつ近接配置されているた
め、通電電流による磁束はほとんど打消される。
【００１１】次に、本実施例の作用について説明する。
図１（ａ）において、ＧＴＯＳ11は動作時、主電流＋
（Ｉ0 ／２）を通電するが同時にＧＴＯＳ12は主電流−
（Ｉ0 ／２）を通電する。従って外部からみた場合、夫
々の電流による磁束は打消されほとんど発生しない。こ
こで、ＧＴＯＳ11のターンオフ時、スナバダイオードＤ
S11 とスナバコンデンサＣS11 のスナバ回路にはスナバ
電流ｉS11 が流れる。同時にＧＴＯＳ12のターンオフ
時、スナバダイオードＤS12 とスナバコンデンサＣS12
のスナバ回路にはスナバ電流ｉS12 が逆方向に流れる。
この場合も外部からみた場合、夫々の電流による磁束は
打消されるので、ほとんど発生しない。すなわち、スナ
バ回路はインダクタンスをほとんどもたないことにな
る。
図１（ａ）において、ＧＴＯＳ11は動作時、主電流＋
（Ｉ0 ／２）を通電するが同時にＧＴＯＳ12は主電流−
（Ｉ0 ／２）を通電する。従って外部からみた場合、夫
々の電流による磁束は打消されほとんど発生しない。こ
こで、ＧＴＯＳ11のターンオフ時、スナバダイオードＤ
S11 とスナバコンデンサＣS11 のスナバ回路にはスナバ
電流ｉS11 が流れる。同時にＧＴＯＳ12のターンオフ
時、スナバダイオードＤS12 とスナバコンデンサＣS12
のスナバ回路にはスナバ電流ｉS12 が逆方向に流れる。
この場合も外部からみた場合、夫々の電流による磁束は
打消されるので、ほとんど発生しない。すなわち、スナ
バ回路はインダクタンスをほとんどもたないことにな
る。
【００１２】図１（ｂ）はＧＴＯＳ11，Ｓ12の通電動作
を示す図であり、ＧＴＯＳ11の主電流＋（Ｉ0 ／２）が
流れる時、１対のアームのＧＴＯＳ12には主電流−（Ｉ
0 ／２）が流れる。即ち通電方向が逆で大きさの等しい
電流が両アームに流れるので、主電流による磁束はほと
んど打消される。
を示す図であり、ＧＴＯＳ11の主電流＋（Ｉ0 ／２）が
流れる時、１対のアームのＧＴＯＳ12には主電流−（Ｉ
0 ／２）が流れる。即ち通電方向が逆で大きさの等しい
電流が両アームに流れるので、主電流による磁束はほと
んど打消される。
【００１３】同様にターンオフ時、一方のアームのスナ
バ電流ｉS11 に対し、他方のアームには通電方向が逆
で，大きさの等しい１対のアームのスナバ電流ｉS12 が
流れる。したがって、スナバ電流による磁束はほとんど
打消され、スナバ回路インダクタンスＬS11 も極端に低
減される。また、磁束を効果的に打消すために、図２に
示す如く構造的にもＧＴＯＳ11，Ｓ12やスナバ回路Ｄ
S11 ，ＤS12 およびＣS11 ，ＣS12 は対称形でかつ近接
配置を採用している。
バ電流ｉS11 に対し、他方のアームには通電方向が逆
で，大きさの等しい１対のアームのスナバ電流ｉS12 が
流れる。したがって、スナバ電流による磁束はほとんど
打消され、スナバ回路インダクタンスＬS11 も極端に低
減される。また、磁束を効果的に打消すために、図２に
示す如く構造的にもＧＴＯＳ11，Ｓ12やスナバ回路Ｄ
S11 ，ＤS12 およびＣS11 ，ＣS12 は対称形でかつ近接
配置を採用している。
【００１４】上記したように、本実施例によれば、従来
の方式に比し、単位長さ当りのスナバ回路インダクタン
スを１／３〜１／４に低減できるため、スナバコンデン
サの容量を低減し、インバータの効率を高めることがで
きる。またスナバコンデンサ容量が同一の場合、スナバ
回路インダクタンスの低減によりターンオフ時のＧＴＯ
の初期スパイク電圧を低減できるので、ＧＴＯの電流遮
断特性が向上する。さらにＧＴＯの初期スパイク電圧を
同一とした場合、スナバコンデンサ容量を低減でき、イ
ンバータの効率が向上する。
の方式に比し、単位長さ当りのスナバ回路インダクタン
スを１／３〜１／４に低減できるため、スナバコンデン
サの容量を低減し、インバータの効率を高めることがで
きる。またスナバコンデンサ容量が同一の場合、スナバ
回路インダクタンスの低減によりターンオフ時のＧＴＯ
の初期スパイク電圧を低減できるので、ＧＴＯの電流遮
断特性が向上する。さらにＧＴＯの初期スパイク電圧を
同一とした場合、スナバコンデンサ容量を低減でき、イ
ンバータの効率が向上する。
【００１５】上記実施例では単相インバータについて説
明したが、三相インバータに適用できること、さらに三
相以上の多相インバータにも適用できるは勿論である。
また偶数（２，４，６，……Ｎ）台のインバータで全体
が構成される場合は、インバータ同士で１対を構成して
もよい。さらに、バルブデバイスとしてはＧＴＯ以外の
自己消弧形素子あるいはフリーホイーリングダイオード
を内蔵した自己消弧形素子を用いることができる。
明したが、三相インバータに適用できること、さらに三
相以上の多相インバータにも適用できるは勿論である。
また偶数（２，４，６，……Ｎ）台のインバータで全体
が構成される場合は、インバータ同士で１対を構成して
もよい。さらに、バルブデバイスとしてはＧＴＯ以外の
自己消弧形素子あるいはフリーホイーリングダイオード
を内蔵した自己消弧形素子を用いることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単位長さ当りのスナバ回路インダクタンスを従来方式に
比べて１／３〜１／４に低減できるため、スナバコンデ
ンサの容量を低減し、インバータの効率を高めることが
できる。またスナバコンデンサの容量を不変とすれば、
ＧＴＯの電圧ストレスを低減でき、信頼性の高いインバ
ータを提供できる。
単位長さ当りのスナバ回路インダクタンスを従来方式に
比べて１／３〜１／４に低減できるため、スナバコンデ
ンサの容量を低減し、インバータの効率を高めることが
できる。またスナバコンデンサの容量を不変とすれば、
ＧＴＯの電圧ストレスを低減でき、信頼性の高いインバ
ータを提供できる。
【図１】図１（ａ）は本発明の一実施例の単相インバー
タ内の１対のアームの回路図、図１（ｂ）は同図（ａ）
のＧＴＯＳ11，Ｓ12に流れる主電流の大きさと位相を示
す波形図。
タ内の１対のアームの回路図、図１（ｂ）は同図（ａ）
のＧＴＯＳ11，Ｓ12に流れる主電流の大きさと位相を示
す波形図。
【図２】図２（ａ）は本発明の単相インバータ内の１対
のアームの平面図、図２（ｂ）はその正面図。
のアームの平面図、図２（ｂ）はその正面図。
【図３】図３（ａ）は従来の単相インバータ内のアーム
の回路構成図、図３（ｂ）は同図（ａ）においてＧＴＯ
Ｓ1 のターンオフ時の主電流、スナバ電流、順方向電圧
を示す波形図。
の回路構成図、図３（ｂ）は同図（ａ）においてＧＴＯ
Ｓ1 のターンオフ時の主電流、スナバ電流、順方向電圧
を示す波形図。
Ｓ11，Ｓ12，Ｓ21，Ｓ22…ＧＴＯ、Ｄ11，Ｄ12…フリー
ホイーリングダイオード、ＣS11 ，ＣS12 …スナバコン
デンサ、ＤS11 ，ＤS12 …スナバダイオード、ＲS11 ，
ＲS12 …スナバ抵抗、ＬS11 ，ＬS12 …スナバ回路のイ
ンダクタンス、ｉS11 ，ｉS12 …スナバ電流。
ホイーリングダイオード、ＣS11 ，ＣS12 …スナバコン
デンサ、ＤS11 ，ＤS12 …スナバダイオード、ＲS11 ，
ＲS12 …スナバ抵抗、ＬS11 ，ＬS12 …スナバ回路のイ
ンダクタンス、ｉS11 ，ｉS12 …スナバ電流。
Claims (1)
- 【請求項１】 逆変換動作を行うインバータブリッジの
各アームは主電流のスイッチングを行うバルブデバイス
と、このバルブデバイスと逆並列接続されたフリーホイ
ーリングダイオードと、バルブデバイス保護のためのコ
ンデンサとダイオードと抵抗器よりなるスナバ回路とか
ら構成され、直流電力を交流電力へ変換する逆変換装置
において、それぞれの各アームごとに前記バルブデバイ
スおよびスナバ回路の通電電流の大きさが同じでかつ位
相が１８０°異なる１対のアームを構成し、さらにこの
１対のアームのバルブデバイスおよびスナバ回路を近接
して配置しかつ対称形の構造としたことを特徴とする逆
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023657A JPH05227764A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 逆変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023657A JPH05227764A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 逆変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05227764A true JPH05227764A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12116585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023657A Pending JPH05227764A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 逆変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05227764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081833A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power converter apparatus |
| KR100326111B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2002-03-07 | 니시무로 타이죠 | 전력 변환기 |
| JP2021035205A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 半導体スイッチングユニット |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP4023657A patent/JPH05227764A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326111B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2002-03-07 | 니시무로 타이죠 | 전력 변환기 |
| EP1081833A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power converter apparatus |
| JP2021035205A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 半導体スイッチングユニット |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3745561B2 (ja) | 多レベル中性点電位固定型電力変換装置 | |
| US5982646A (en) | Voltage clamp snubbers for three level converter | |
| JP2004072846A (ja) | 整流装置 | |
| US6219265B1 (en) | Three-point converter and method for its operation | |
| US5892675A (en) | AC current source circuit for converting DC voltage into AC current | |
| EP0593737A1 (en) | Dual snubber circuit | |
| KR970024470A (ko) | 사이리스터 전력 변환기용 공통 턴 오프 회로(common turn-off circuit for a thyristor power converter) | |
| JPS6231369A (ja) | 電圧変換器 | |
| JPH05227764A (ja) | 逆変換装置 | |
| US4482946A (en) | Hybrid inverter | |
| JP4406909B2 (ja) | Ａｃ−ｄｃコンバータ | |
| JPH0638507A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP7421144B1 (ja) | 電気回路 | |
| JP3150521B2 (ja) | ブリッジ回路及びインバータ装置 | |
| JPH1023745A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2001169563A (ja) | ３レベルインバータ | |
| JP2555621B2 (ja) | インバ−タのエネルギ−回収回路 | |
| JP2673996B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JPS6116794Y2 (ja) | ||
| JP2002119060A (ja) | ダイオード整流回路の入力高調波電流低減回路 | |
| JPS60156220A (ja) | インバ−タ装置 | |
| JP2709739B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH06113559A (ja) | Ｇｔｏインバータ回路 | |
| JP3246159B2 (ja) | 直流−交流変換装置 | |
| SU1629937A1 (ru) | Устройство дл выключени тиристора |