JPH05226677A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH05226677A JPH05226677A JP4029449A JP2944992A JPH05226677A JP H05226677 A JPH05226677 A JP H05226677A JP 4029449 A JP4029449 A JP 4029449A JP 2944992 A JP2944992 A JP 2944992A JP H05226677 A JPH05226677 A JP H05226677A
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- Japan
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- semiconductor layer
- surface electrode
- conductivity type
- layer
- solar cell
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の太陽電池の製造方法は、従来の太陽
電池の製造方法よりも単純にすることによって、量産性
を保持しつつ、高い光電流の実現とＰＮ接合破壊の防止
を行うことを目的とする。 【構成】 一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半
導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に表
面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表面
電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有する。
電池の製造方法よりも単純にすることによって、量産性
を保持しつつ、高い光電流の実現とＰＮ接合破壊の防止
を行うことを目的とする。 【構成】 一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半
導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に表
面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表面
電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＮ接合を有する太陽
電池素子に関する。
電池素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばＳｉウエハ−に、ド−パン
トを拡散させて作成される太陽電池においては、可視光
領域にピ−ク感度を有する太陽光光源を対象とする受光
素子であるため、４００〜７００ｍμの短波長光をより
効率よく吸収するためにＰＮ接合は浅く形成する必要が
ある。
トを拡散させて作成される太陽電池においては、可視光
領域にピ−ク感度を有する太陽光光源を対象とする受光
素子であるため、４００〜７００ｍμの短波長光をより
効率よく吸収するためにＰＮ接合は浅く形成する必要が
ある。
【０００３】ところが、ＰＮ接合を浅くすると、後の電
極形成工程において拡散層上に金属層を形成して熱処理
等を施す際に接合を破壊し、リ−ク電流が増加したり、
ショ−ト現象が生じたりする。
極形成工程において拡散層上に金属層を形成して熱処理
等を施す際に接合を破壊し、リ−ク電流が増加したり、
ショ−ト現象が生じたりする。
【０００４】そこで、特開昭５５−１５８６８０や特開
昭５６−１２７８２にもあるように高い光電流を維持し
ながらＰＮ接合破壊を防止する方法として、ＰＮ接合の
浅い部分と深い部分を形成して、深い部分の所に電極を
形成する方法が用いられていた。
昭５６−１２７８２にもあるように高い光電流を維持し
ながらＰＮ接合破壊を防止する方法として、ＰＮ接合の
浅い部分と深い部分を形成して、深い部分の所に電極を
形成する方法が用いられていた。
【０００５】しかし、これらの方法では、拡散工程が２
度も必要であり、また、電極形成部分の厳密な位置合わ
せが必要であるために量産性に欠けるという欠点があっ
た。
度も必要であり、また、電極形成部分の厳密な位置合わ
せが必要であるために量産性に欠けるという欠点があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
無くし、量産性を保持しつつ、高い光電流の実現とＰＮ
接合破壊の防止を課題とする。
無くし、量産性を保持しつつ、高い光電流の実現とＰＮ
接合破壊の防止を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による太陽電池の
製造方法は、一導電型の半導体基板の表面に他導電型の
半導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に
表面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表
面電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有するこ
とを特徴としている。
製造方法は、一導電型の半導体基板の表面に他導電型の
半導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に
表面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表
面電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有するこ
とを特徴としている。
【０００８】
【作用】前記表面電極をマスクとして、上記他導電型の
半導体層の受光側表面上に設けた後、他導電型の半導体
層の表層部分を除去することにより、上記表面電極とＰ
Ｎ接合との距離を維持しながら、他導電型の半導体層の
受光側表面とＰＮ接合との距離を小さくすることができ
る。
半導体層の受光側表面上に設けた後、他導電型の半導体
層の表層部分を除去することにより、上記表面電極とＰ
Ｎ接合との距離を維持しながら、他導電型の半導体層の
受光側表面とＰＮ接合との距離を小さくすることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の結晶Ｓｉ太陽電池
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
る。図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の結晶Ｓｉ太陽電池
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
【００１０】図１（Ａ）は、第１工程を示しており、エ
ッチング等の前処理をした厚さ５００μｍのＰ型の単結
晶基板（１）の受光表面に、燐を熱拡散させ、Ｎ型の半
導体層（２）を形成する。このとき、接合深さは約０．
６μｍである。
ッチング等の前処理をした厚さ５００μｍのＰ型の単結
晶基板（１）の受光表面に、燐を熱拡散させ、Ｎ型の半
導体層（２）を形成する。このとき、接合深さは約０．
６μｍである。
【００１１】図１（Ｂ）は、第２工程を示しており、Ｎ
型の半導体層（２）上に、Ａｇ等の金属ペ−ストを用い
て表面電極（３）を適当なパタ−ンにスクリーン印刷法
や蒸着法により形成する。
型の半導体層（２）上に、Ａｇ等の金属ペ−ストを用い
て表面電極（３）を適当なパタ−ンにスクリーン印刷法
や蒸着法により形成する。
【００１２】図１（Ｃ）は、第３工程を示しており、前
記表面電極（３）をマスクとして、Ｎ型の半導体層
（２）の表層部分の０．２〜０．４μｍを酸またはアル
カリによるウエットエッチング若しくはドライエッチン
グ法により除去する。
記表面電極（３）をマスクとして、Ｎ型の半導体層
（２）の表層部分の０．２〜０．４μｍを酸またはアル
カリによるウエットエッチング若しくはドライエッチン
グ法により除去する。
【００１３】これによって、ＰＮ接合を破壊することな
く、表面電極（３）部分以外の領域のＰＮ接合を浅くす
ることができる。
く、表面電極（３）部分以外の領域のＰＮ接合を浅くす
ることができる。
【００１４】図１（Ｄ）は、第４工程を示しており、単
結晶基板（１）の裏面のほぼ全面にＡｌ等から成る裏面
電極（４）を、及び半導体層（２）を覆うように酸化シ
リコン膜または窒化シリコン膜等から成る反射防止膜
（５）を各々形成する。
結晶基板（１）の裏面のほぼ全面にＡｌ等から成る裏面
電極（４）を、及び半導体層（２）を覆うように酸化シ
リコン膜または窒化シリコン膜等から成る反射防止膜
（５）を各々形成する。
【００１５】なお、Ａｇ等の金属ペ−ストを用いて表面
電極（３）をスクリ−ン印刷法により形成する場合は、
焼成前に表層部分を除去することによって、電極中の有
機成分等により、電極がエッチング等から受けるダメ−
ジを低減することができる。
電極（３）をスクリ−ン印刷法により形成する場合は、
焼成前に表層部分を除去することによって、電極中の有
機成分等により、電極がエッチング等から受けるダメ−
ジを低減することができる。
【００１６】そして、表層部分の除去中に表面電極が溶
解したり、剥離したりすることを防止することができ
る。
解したり、剥離したりすることを防止することができ
る。
【００１７】また、表面電極をマスクとして用いる代わ
りに、表面電極とほぼ同じパタ−ンにマスクを設け、表
層部分の除去を行い、その後、表面電極を形成してもよ
い。
りに、表面電極とほぼ同じパタ−ンにマスクを設け、表
層部分の除去を行い、その後、表面電極を形成してもよ
い。
【００１８】上記の実施例では、単結晶基板をとり扱っ
たが、多結晶基板でもよい。
たが、多結晶基板でもよい。
【００１９】
【発明の効果】上述の如く、本発明の太陽電池の製造方
法は、拡散工程が単純で、一度しか拡散工程をする必要
がない。
法は、拡散工程が単純で、一度しか拡散工程をする必要
がない。
【００２０】更に、電極形成時の厳密な位置合わせが必
要でないので、従来の太陽電池の製造方法よりも単純で
あるために、量産性にすぐれており、且つ、高い光電流
を接合破壊を起こさずに得ることができる。
要でないので、従来の太陽電池の製造方法よりも単純で
あるために、量産性にすぐれており、且つ、高い光電流
を接合破壊を起こさずに得ることができる。
【００２１】従って、本発明の製造方法により、高効率
な太陽電池を高い歩留まりで量産性良く製造することが
可能となる。
な太陽電池を高い歩留まりで量産性良く製造することが
可能となる。
【図１】本発明の一実施例としての太陽電池の製造方法
の工程を示した模式的断面図である。
の工程を示した模式的断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板の表面に他導電型
の半導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上
に表面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の
表面電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有する
ことを特徴とした太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 上記表面電極として金属ペ−ストを用い
ると共に、表面電極は、上記他導電型の半導体層の表面
電極部分以外の表層部分を除去した後に焼成されること
を特徴とした請求項１記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4029449A JPH05226677A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4029449A JPH05226677A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226677A true JPH05226677A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12276425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4029449A Pending JPH05226677A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226677A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507785A (ja) * | 2009-10-13 | 2013-03-04 | エルジー・ケム・リミテッド | エッチングマスクパターン形成用ペースト及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
| DE102013202067A1 (de) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Asys Automatisierungssysteme Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer selektiven Emitterstruktur für eine Solarzelle, Solarzelle |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP4029449A patent/JPH05226677A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507785A (ja) * | 2009-10-13 | 2013-03-04 | エルジー・ケム・リミテッド | エッチングマスクパターン形成用ペースト及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
| DE102013202067A1 (de) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Asys Automatisierungssysteme Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer selektiven Emitterstruktur für eine Solarzelle, Solarzelle |
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