JPH05225560A - チタン製磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
チタン製磁気ディスク基板の製造方法Info
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- JPH05225560A JPH05225560A JP4024871A JP2487192A JPH05225560A JP H05225560 A JPH05225560 A JP H05225560A JP 4024871 A JP4024871 A JP 4024871A JP 2487192 A JP2487192 A JP 2487192A JP H05225560 A JPH05225560 A JP H05225560A
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エラ−特性に優れた、すなわち電磁変換特性に
優れた磁性膜をその上に形成することができるチタン製
磁気ディスク基板の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】チタン製磁気ディスク基板素材の表面に化学的
エッチングを施しその表面から２ｎｍ以上の深さで除去
し、次いで新たな表面に対して陽極酸化処理を行い磁気
ディスク基板を製造する。
優れた磁性膜をその上に形成することができるチタン製
磁気ディスク基板の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】チタン製磁気ディスク基板素材の表面に化学的
エッチングを施しその表面から２ｎｍ以上の深さで除去
し、次いで新たな表面に対して陽極酸化処理を行い磁気
ディスク基板を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度記録・再生用
の磁気ディスクに用いられるチタン製磁気ディスク基板
の製造方法基板に関する。
の磁気ディスクに用いられるチタン製磁気ディスク基板
の製造方法基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスクは大容量化、高記録
密度化が図られており、そのためにＳ／Ｎ化が高く、ミ
ッシングエラ−等の信号エラ−の少ない磁性膜を形成す
ることができる基板が望まれている。
密度化が図られており、そのためにＳ／Ｎ化が高く、ミ
ッシングエラ−等の信号エラ−の少ない磁性膜を形成す
ることができる基板が望まれている。
【０００３】磁気ディスク基板としては、従来よりアル
ミニウム合金が使用されているが、近時、これに代えて
磁気ディスク基板としてチタンを使用することが試みら
れている。これは、チタンが耐熱性の点でアルミニウム
合金より優れ、広範囲の磁性膜をスパッタリングにより
形成することが可能となり、磁性膜の特性向上が可能と
なるためである。
ミニウム合金が使用されているが、近時、これに代えて
磁気ディスク基板としてチタンを使用することが試みら
れている。これは、チタンが耐熱性の点でアルミニウム
合金より優れ、広範囲の磁性膜をスパッタリングにより
形成することが可能となり、磁性膜の特性向上が可能と
なるためである。
【０００４】しかし、磁気ディスク基板としてチタンを
使用した場合、信号エラ−（ミッシングパルス）が多発
するという現象が現われ、磁気ディスク基板としてチタ
ンを使用する場合の大きな制約となっている。
使用した場合、信号エラ−（ミッシングパルス）が多発
するという現象が現われ、磁気ディスク基板としてチタ
ンを使用する場合の大きな制約となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、かかる事
情に鑑みてなされたものであって、エラ−特性に優れ
た、すなわち電磁変換特性に優れた磁性膜をその上に形
成することができるチタン製磁気ディスク基板の製造方
法を提供することを目的とする。
情に鑑みてなされたものであって、エラ−特性に優れ
た、すなわち電磁変換特性に優れた磁性膜をその上に形
成することができるチタン製磁気ディスク基板の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、上
記課題を解決するために、チタン製磁気ディスク基板素
材の表面に化学的エッチングを施しその表面から２ｎｍ
以上の深さで除去し、次いで新たな表面に対して陽極酸
化処理を行うことを特徴とするチタン製磁気ディスク基
板の製造方法を提供する。
記課題を解決するために、チタン製磁気ディスク基板素
材の表面に化学的エッチングを施しその表面から２ｎｍ
以上の深さで除去し、次いで新たな表面に対して陽極酸
化処理を行うことを特徴とするチタン製磁気ディスク基
板の製造方法を提供する。
【０００７】本願発明者らは、磁気ディスク基板として
チタンを用いた場合におけるエラ−特性（ミッシングパ
ルス）を改善するためにチタン製基板を用いた場合の記
録再生特性の挙動を細かく調査し、チタン製基板を用い
た磁気ディスクにおけるミッシングパルスがその表面の
結晶性に起因することを見出した。このような知見に基
づいて、本願発明者らは、先に、エラ−特性に優れた磁
気ディスクを得るために、チタン製基板表面に陽極酸化
処理膜を形成し、その上に磁性層を形成することを提案
した（特願平３−３０２０４５）。この技術はミッシン
グパルスの発生防止には極めて有効な方法であり、ディ
スクを３６００ｒｐｍで回転させ、６ＭＨｚの周波数で
記録・再生を行った場合、ミッシングパルスの発生が完
全に抑えられる。
チタンを用いた場合におけるエラ−特性（ミッシングパ
ルス）を改善するためにチタン製基板を用いた場合の記
録再生特性の挙動を細かく調査し、チタン製基板を用い
た磁気ディスクにおけるミッシングパルスがその表面の
結晶性に起因することを見出した。このような知見に基
づいて、本願発明者らは、先に、エラ−特性に優れた磁
気ディスクを得るために、チタン製基板表面に陽極酸化
処理膜を形成し、その上に磁性層を形成することを提案
した（特願平３−３０２０４５）。この技術はミッシン
グパルスの発生防止には極めて有効な方法であり、ディ
スクを３６００ｒｐｍで回転させ、６ＭＨｚの周波数で
記録・再生を行った場合、ミッシングパルスの発生が完
全に抑えられる。
【０００８】しかし、さらに磁気ディスクの高記録密度
化を図る場合、この技術によっても、完全にミッシング
パルスの発生を防止することが不可能であることが判明
した。
化を図る場合、この技術によっても、完全にミッシング
パルスの発生を防止することが不可能であることが判明
した。
【０００９】本願発明者らは、磁気ディスクを高記録密
度化した場合に、陽極酸化処理被膜を形成してもミッシ
ングパルスの発生を完全に防止できない原因を突き止め
るべくさらに検討を続けた結果、ミッシングパルスの発
生が陽極酸化処理被膜の不均一性に起因していることを
見出した。そして、このような陽極酸化処理被膜の不均
一性を解消して高記録密度化した場合でもミッシングパ
ルスを防止することができる方法について検討した結
果、陽極酸化処理に先立ってチタン製基板素材の表面を
化学的に一定深さに亘って除去することが有効であるこ
とを新たに見出したのである。この発明は本願発明者ら
のこのような知見に基づいてなされたものである。
度化した場合に、陽極酸化処理被膜を形成してもミッシ
ングパルスの発生を完全に防止できない原因を突き止め
るべくさらに検討を続けた結果、ミッシングパルスの発
生が陽極酸化処理被膜の不均一性に起因していることを
見出した。そして、このような陽極酸化処理被膜の不均
一性を解消して高記録密度化した場合でもミッシングパ
ルスを防止することができる方法について検討した結
果、陽極酸化処理に先立ってチタン製基板素材の表面を
化学的に一定深さに亘って除去することが有効であるこ
とを新たに見出したのである。この発明は本願発明者ら
のこのような知見に基づいてなされたものである。
【００１０】陽極酸化処理に先立って素材に化学的エッ
チングを行うのは以下の理由による。チタン製磁気ディ
スク基板素材は最終的に鏡面研磨加工が施されるが、そ
の際に加工歪や欠陥を含む表面加工変質層が形成され
る。このため、変質層の上に陽極酸化処理被膜を形成す
るとその被膜は欠陥を含んだ不均一なものとなってしま
う。従って、この表面加工変質層を化学的エッチングに
より機械的加工を経ることなく除去することにより、そ
の上に形成される陽極酸化処理被膜中の欠陥の発生を防
止することができ、均一な被膜を形成することができる
のである。
チングを行うのは以下の理由による。チタン製磁気ディ
スク基板素材は最終的に鏡面研磨加工が施されるが、そ
の際に加工歪や欠陥を含む表面加工変質層が形成され
る。このため、変質層の上に陽極酸化処理被膜を形成す
るとその被膜は欠陥を含んだ不均一なものとなってしま
う。従って、この表面加工変質層を化学的エッチングに
より機械的加工を経ることなく除去することにより、そ
の上に形成される陽極酸化処理被膜中の欠陥の発生を防
止することができ、均一な被膜を形成することができる
のである。
【００１１】本発明において、化学的エッチングにより
基板素材表面を除去する深さは２ｎｍ以上である。この
深さは均一な非晶質状態の陽極酸化処理被膜を化成する
ために必要な因子であり、この深さが２ｎｍ未満の場合
には、鏡面加工時に形成された表面加工変質層を完全に
除去することができず、従って均一な非晶質被膜を適度
な粗さで化成することが困難であり、高記録密度下での
ミッシングパルスの発生を完全に防止することができな
い。
基板素材表面を除去する深さは２ｎｍ以上である。この
深さは均一な非晶質状態の陽極酸化処理被膜を化成する
ために必要な因子であり、この深さが２ｎｍ未満の場合
には、鏡面加工時に形成された表面加工変質層を完全に
除去することができず、従って均一な非晶質被膜を適度
な粗さで化成することが困難であり、高記録密度下での
ミッシングパルスの発生を完全に防止することができな
い。
【００１２】化学的エッチングによる除去深さは２００
ｎｍ以下であることが好ましい。これを超えると、結晶
粒によるエッチング速度の違いが明確に表われ、表面粗
さが劣化する傾向となり、磁気ディスク基板で要求され
ている表面粗さＲmax ０．０５μｍ未満という値を満足
できない恐れがある。
ｎｍ以下であることが好ましい。これを超えると、結晶
粒によるエッチング速度の違いが明確に表われ、表面粗
さが劣化する傾向となり、磁気ディスク基板で要求され
ている表面粗さＲmax ０．０５μｍ未満という値を満足
できない恐れがある。
【００１３】本発明の化学的エッチングを行うに際して
は、チタンを化学的にエッチングすることができるもの
であればどのようなエッチング液を用いてもよく、いず
れのエッチング液であっても所期の効果を達成すること
ができる。例えば、チタニウム・ジルコニウム Ｖｏ
ｌ．３７（１９８９），Ｎｏ．１の１２５頁に記載され
ている各種酸洗液、硫酸−弗酸系酸洗液、過酸化水素−
弗酸系酸洗液の適用が可能である。
は、チタンを化学的にエッチングすることができるもの
であればどのようなエッチング液を用いてもよく、いず
れのエッチング液であっても所期の効果を達成すること
ができる。例えば、チタニウム・ジルコニウム Ｖｏ
ｌ．３７（１９８９），Ｎｏ．１の１２５頁に記載され
ている各種酸洗液、硫酸−弗酸系酸洗液、過酸化水素−
弗酸系酸洗液の適用が可能である。
【００１４】このような化学的エッチングを施す場合に
は、表面粗さの劣化を防止する観点から、チタン製磁気
ディスク基板素材に負の電圧を付加した状態で化学的エ
ッチングを行うことが有効である。そして、化学的エッ
チングにおいては、−２Ｖ〜−２５Ｖの範囲の直流負電
圧Ｖｅを付与することが好ましい。直流負電圧を印加す
ることにより表面粗さ劣化を防止することができるが、
その効果はＶｅが−２Ｖよりも小さいと不十分であり、
−２５Ｖを超えると表面に水素化合物が形成され表面粗
さが劣化する傾向にある。
は、表面粗さの劣化を防止する観点から、チタン製磁気
ディスク基板素材に負の電圧を付加した状態で化学的エ
ッチングを行うことが有効である。そして、化学的エッ
チングにおいては、−２Ｖ〜−２５Ｖの範囲の直流負電
圧Ｖｅを付与することが好ましい。直流負電圧を印加す
ることにより表面粗さ劣化を防止することができるが、
その効果はＶｅが−２Ｖよりも小さいと不十分であり、
−２５Ｖを超えると表面に水素化合物が形成され表面粗
さが劣化する傾向にある。
【００１５】陽極酸化処理層は、下地層及び磁性層の結
晶配向性に対しチタン製基板の結晶の影響与えないため
に設けられたものである。その厚さは、２〜３５０ｎｍ
の範囲であることが望ましい。この厚さが２ｎｍよりも
薄いと、その上に形成される下地層及び磁性膜の結晶配
向性がチタン製基板の影響を受けやすくなる。一方、こ
の厚さが３５０ｎｍを超えると、下地層及び磁性膜の酸
化の可能性が高まる。
晶配向性に対しチタン製基板の結晶の影響与えないため
に設けられたものである。その厚さは、２〜３５０ｎｍ
の範囲であることが望ましい。この厚さが２ｎｍよりも
薄いと、その上に形成される下地層及び磁性膜の結晶配
向性がチタン製基板の影響を受けやすくなる。一方、こ
の厚さが３５０ｎｍを超えると、下地層及び磁性膜の酸
化の可能性が高まる。
【００１６】このように、本発明ではチタン製磁気ディ
スク基板素材表面に機械的加工を伴わない化学的エッチ
ングを施した後、陽極酸化処理を施すことにより、電磁
変換特性を向上させることができ、高密度記録した場合
でもミッシングパルスの発生を防止することができる。
スク基板素材表面に機械的加工を伴わない化学的エッチ
ングを施した後、陽極酸化処理を施すことにより、電磁
変換特性を向上させることができ、高密度記録した場合
でもミッシングパルスの発生を防止することができる。
【００１７】なお、本発明は純チタン製基板に限らず、
各種チタン合金、さらに表面硬化処理を施した純チタン
・各種チタン合金製の磁気ディスク基板にも適用可能で
あることは言うまでもない。
各種チタン合金、さらに表面硬化処理を施した純チタン
・各種チタン合金製の磁気ディスク基板にも適用可能で
あることは言うまでもない。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
【００１９】鏡面研磨加工によりＲmax ０．０２μｍの
表面粗さにされた板厚０．８９mmの２．５インチチタン
製磁気ディスク基板素材（純チタン）に対して、各種酸
洗液による化学的エッチングを施した後、純水で洗浄
し、種々の条件で陽極酸化処理を施した。
表面粗さにされた板厚０．８９mmの２．５インチチタン
製磁気ディスク基板素材（純チタン）に対して、各種酸
洗液による化学的エッチングを施した後、純水で洗浄
し、種々の条件で陽極酸化処理を施した。
【００２０】化学的エッチングによる表面からの除去深
さＤｅを０〜５００ｎｍとし、エッチングの際に印加す
る直流電圧Ｖｅを０〜−５０Ｖとした。また、陽極酸化
処理においては電解液として０．１vol ％のリン酸水溶
液を用い、陰極として純チタン板を用い、陽極酸酸化処
理を施すチタン製磁気ディスク基板との間隔を２ｃｍと
した。陽極酸化処理電圧Ｖａｏは１０〜１５０Ｖの範囲
（厚さ２〜３５０ｎｍに対応）とした。
さＤｅを０〜５００ｎｍとし、エッチングの際に印加す
る直流電圧Ｖｅを０〜−５０Ｖとした。また、陽極酸化
処理においては電解液として０．１vol ％のリン酸水溶
液を用い、陰極として純チタン板を用い、陽極酸酸化処
理を施すチタン製磁気ディスク基板との間隔を２ｃｍと
した。陽極酸化処理電圧Ｖａｏは１０〜１５０Ｖの範囲
（厚さ２〜３５０ｎｍに対応）とした。
【００２１】このようにして製造した各種の基板につい
て、真空度１×１０-3Torr、基板温度２５０℃の条件
で、厚さが１００ｎｍのＣｒ系下地層及び厚さ６０ｎｍ
のＣｏ系磁性膜（Ｃｏ(84)−Ｃｒ(14)−Ｔａ(2) ）をス
パッタリングにより順次形成し、さらにその上に厚さ３
０ｎｍのカ−ボン保護膜及びフレオン液体潤滑層を形成
し、磁気ディスクを作製した。
て、真空度１×１０-3Torr、基板温度２５０℃の条件
で、厚さが１００ｎｍのＣｒ系下地層及び厚さ６０ｎｍ
のＣｏ系磁性膜（Ｃｏ(84)−Ｃｒ(14)−Ｔａ(2) ）をス
パッタリングにより順次形成し、さらにその上に厚さ３
０ｎｍのカ−ボン保護膜及びフレオン液体潤滑層を形成
し、磁気ディスクを作製した。
【００２２】これらの磁気ディスクについてミッシング
エラ−特性を評価した。ミッシングエラ−特性は、サ−
ティファイヤを用い、ミッシングパルスの発生の程度で
判定した。サ−ティファイヤでの磁気ディスクの回転数
は３６００rpm 、記録再生周波数は６ＭＨｚ及び８ＭＨ
ｚの２条件、磁気ヘッドの浮上量は０．０７５μｍとし
た。
エラ−特性を評価した。ミッシングエラ−特性は、サ−
ティファイヤを用い、ミッシングパルスの発生の程度で
判定した。サ−ティファイヤでの磁気ディスクの回転数
は３６００rpm 、記録再生周波数は６ＭＨｚ及び８ＭＨ
ｚの２条件、磁気ヘッドの浮上量は０．０７５μｍとし
た。
【００２３】なお、陽極酸化処理後の基板の表面粗さに
ついても測定を行った。この際の表面粗さの測定は、接
触粗さ計を用いて、基板の５０箇所をランダムに測定し
てその平均値で評価した。表１及び表２に処理条件及び
試験結果について示す。なお、表１中ＨＦは４７％弗
酸、Ｈ2 Ｏ2 は３１％過酸化水素水を示す。
ついても測定を行った。この際の表面粗さの測定は、接
触粗さ計を用いて、基板の５０箇所をランダムに測定し
てその平均値で評価した。表１及び表２に処理条件及び
試験結果について示す。なお、表１中ＨＦは４７％弗
酸、Ｈ2 Ｏ2 は３１％過酸化水素水を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】これらの表から明らかなように、化学的エ
ッチング深さＤｅが２ｎｍ以上であれば、エッチング液
を問わず、全ての陽極酸化処理条件において、記録再生
周波数が８ＭＨｚと高密度であっても、ミッシングパル
スが発生しないことが確認された。
ッチング深さＤｅが２ｎｍ以上であれば、エッチング液
を問わず、全ての陽極酸化処理条件において、記録再生
周波数が８ＭＨｚと高密度であっても、ミッシングパル
スが発生しないことが確認された。
【００２７】図１は化学的エッチングによる除去深さＤ
ｅとミッシングパルス個数との関係を示すグラフであ
り、表１のうち弗酸１．０重量％−過酸化水素水４０重
量％の酸洗液を用い、エッチング電圧Ｖｅを−１５Ｖ、
陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定した場合について示
すものである。この図から、除去深さＤｅが２ｎｍ未満
では記録再生周波数が８ＭＨｚの場合にミッシングパル
スが発生するが、２ｎｍ以上ではミッシングパルスが発
生しないことが明確に理解される。
ｅとミッシングパルス個数との関係を示すグラフであ
り、表１のうち弗酸１．０重量％−過酸化水素水４０重
量％の酸洗液を用い、エッチング電圧Ｖｅを−１５Ｖ、
陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定した場合について示
すものである。この図から、除去深さＤｅが２ｎｍ未満
では記録再生周波数が８ＭＨｚの場合にミッシングパル
スが発生するが、２ｎｍ以上ではミッシングパルスが発
生しないことが明確に理解される。
【００２８】また、表１，２から、エッチング除去深さ
Ｄｅが２００ｎｍを超た場合、及びエッチング電圧Ｖｅ
が−２Ｖ未満及び−２５Ｖを超えた場合、基板の表面粗
さＲmax が０．０５μｍを超えることが分かる。
Ｄｅが２００ｎｍを超た場合、及びエッチング電圧Ｖｅ
が−２Ｖ未満及び−２５Ｖを超えた場合、基板の表面粗
さＲmax が０．０５μｍを超えることが分かる。
【００２９】図２は化学的エッチングによる表面からの
除去深さＤｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関
係を示すグラフであり、表１のうち弗酸１．０重量％−
過酸化水素水４０重量％の酸洗液を用い、エッチング電
圧Ｖｅを−１５Ｖ、陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定
した場合について示すものである。この図から、エッチ
ング除去深さＤｅが２００ｎｍを超えると表面粗さＲ
max が０．０５μｍよりも劣化することが明確に理解さ
れる。
除去深さＤｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関
係を示すグラフであり、表１のうち弗酸１．０重量％−
過酸化水素水４０重量％の酸洗液を用い、エッチング電
圧Ｖｅを−１５Ｖ、陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定
した場合について示すものである。この図から、エッチ
ング除去深さＤｅが２００ｎｍを超えると表面粗さＲ
max が０．０５μｍよりも劣化することが明確に理解さ
れる。
【００３０】図３は化学的エッチングにおけるエッチン
グ電圧Ｖｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関係
を示すグラフであり、表１のうち弗酸１．０重量％−過
酸化水素水４０重量％の酸洗液を用い、除去深さＤｅを
２ｎｍ、陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定した場合に
ついて示すものである。この図から、エッチング電圧Ｖ
ｅが−２Ｖ未満及び−２５Ｖを超えた場合に表面粗さＲ
max が０．０５μｍよりも劣化することが明確に理解さ
れる。
グ電圧Ｖｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関係
を示すグラフであり、表１のうち弗酸１．０重量％−過
酸化水素水４０重量％の酸洗液を用い、除去深さＤｅを
２ｎｍ、陽極酸化電圧Ｖａｏを８０Ｖに設定した場合に
ついて示すものである。この図から、エッチング電圧Ｖ
ｅが−２Ｖ未満及び−２５Ｖを超えた場合に表面粗さＲ
max が０．０５μｍよりも劣化することが明確に理解さ
れる。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、エラ−特性に優れ
た、すなわち電磁変換特性に優れた磁性膜をその上に形
成することができるチタン製磁気ディスク基板の製造方
法が提供される。この発明に係る方法で製造されたチタ
ン製磁気ディスク基板は、高記録密度の場合であって
も、ミッシングパルスを確実に防止することができる。
また、化学的エッチング条件を適切に調整することによ
り、基板の表面粗さを良好なものとすることができる。
た、すなわち電磁変換特性に優れた磁性膜をその上に形
成することができるチタン製磁気ディスク基板の製造方
法が提供される。この発明に係る方法で製造されたチタ
ン製磁気ディスク基板は、高記録密度の場合であって
も、ミッシングパルスを確実に防止することができる。
また、化学的エッチング条件を適切に調整することによ
り、基板の表面粗さを良好なものとすることができる。
【図１】化学的エッチングによる除去深さＤｅとミッシ
ングパルス個数との関係を示すグラフ。
ングパルス個数との関係を示すグラフ。
【図２】化学的エッチングによる表面からの除去深さＤ
ｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関係を示すグ
ラフ。
ｅと陽極酸化処理後の基板の表面粗さとの関係を示すグ
ラフ。
【図３】エッチング電圧Ｖｅと陽極酸化処理後の基板の
表面粗さとの関係を示すグラフ。
表面粗さとの関係を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 健治 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 大村 雅紀 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 井田 巌 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 永島 仁 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン製磁気ディスク基板素材の表面に
化学的エッチングを施しその表面から２ｎｍ以上の深さ
で除去し、次いで新たな表面に対して陽極酸化処理を行
うことを特徴とするチタン製磁気ディスク基板の製造方
法。 - 【請求項２】 化学的エッチングによる除去深さが２０
０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のチ
タン製磁気ディスク基板の製造方法。 - 【請求項３】 化学的エッチングに際し、チタン製磁気
ディスク基板素材に２乃至２５Ｖの直流負電圧を印加す
ることを特徴とする請求項１又は２に記載のチタン製磁
気ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4024871A JPH05225560A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
| US07/874,049 US5221459A (en) | 1992-02-12 | 1992-04-24 | Method of manufacturing a magnetic disk substrate of titanium |
| EP92107168A EP0555512A1 (en) | 1992-02-12 | 1992-04-27 | Method of manufacturing a magnetic disk substrate of titanium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4024871A JPH05225560A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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