JPH052187A - Liquid crystal electrooptical device - Google Patents

Liquid crystal electrooptical device

Info

Publication number
JPH052187A
JPH052187A JP3033482A JP3348291A JPH052187A JP H052187 A JPH052187 A JP H052187A JP 3033482 A JP3033482 A JP 3033482A JP 3348291 A JP3348291 A JP 3348291A JP H052187 A JPH052187 A JP H052187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
light
film
substrate
crystal panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3033482A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP3033482A priority Critical patent/JPH052187A/en
Publication of JPH052187A publication Critical patent/JPH052187A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the liquid crystal panel which has less stray light and enables display of a high contrast to be conducted by providing a layer for absorbing the light from a light source in at least a part of the side periphery of a metallic wiring. CONSTITUTION:A layer 109 which absorbs the light is provided in a part of the side periphery of the metallic wiring 104 of the active element on at least one substrate of the substrates constituting the liquid crystal panel. While the metallic wiring 104 is provided directly on the substrate in such a case, films having other functions are provided on top and bottom of this wiring 104 at need. The light absorption layer 109 does not generate the stray light and has rather a function to decrease the stray light. The materials to be used can absorb the light as far as the materials are black. Thin films essentially consisting of the carbon formed by a vapor phase method (for example, diamond-like carbon, amorphous carbon), black org. material films, oxide films of metals, etc., are applied to the above-mentioned materials.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶電気光学装置の構造
に関する。特に液晶電気光学装置を使用して画像を拡大
表示する際に好適な液晶電気光学装置に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to the structure of a liquid crystal electro-optical device. In particular, the present invention relates to a liquid crystal electro-optical device suitable for enlarging and displaying an image using the liquid crystal electro-optical device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来地上テレビ局または衛星テレビ局ま
たはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映
像の録画装置(ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁
気ディスク等)より送られる映像信号を具体的に表示す
る装置としては、ブラウン管、CRTと呼ばれる真空管
中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させ
る方式が取られていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a device for concretely displaying a video signal transmitted from a terrestrial television station, a satellite television station, a cable television station, or a television image recording device (a video deck, a laser disc, a magneto-optical disc, etc.) provided individually. Has adopted a method in which an electron beam is blown in a vacuum tube called a cathode ray tube or a CRT to cause a fluorescent surface as an object to emit light.

【0003】当初表示体の対角は12〜14インチがよ
く普及していたが、近年世の中の要求によって、20イ
ンチはおろか30インチをゆうに超える大きさのものま
で出現するに至っている。
Initially, the diagonal of the display body was often 12 to 14 inches, but in recent years, the size of 20 inches, not to mention 30 inches, has come to appear due to the demand of the world.

【0004】対角30インチの場合、その奥行きもほぼ
30インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚み
も強度を保つために1センチを超えるようになった。表
示面が30インチを越えると全体の重量は100kgを優
に越えることになった。一般の家庭において100kgを
越えた重量物を置くには、よっぽど場所を限定しなけれ
ば難しいものがある。また、その重量はレイアウト変更
等が生じた場合に、人力で移動させることは難しくな
り、一般家庭への普及の障害となっていた。
When the diagonal is 30 inches, the depth is about 30 inches, and the thickness of the glass forming the glass exceeds 1 cm in order to maintain the strength. When the display surface exceeds 30 inches, the total weight exceeds 100 kg. In general households, it is difficult to place a heavy load exceeding 100 kg unless the place is limited. Moreover, when the layout is changed, it becomes difficult to move the weight manually, which hinders the spread of the weight to general households.

【0005】そこで、重量の解決のため、プロジェクシ
ョン型のテレビ受像機が提案されている。これは輝度の
高いブラウン管による表示を光学系で拡大表示してスク
リーンに映し出す方式も提案され、表示面積の大きな物
に利用されている。
Therefore, in order to solve the weight, a projection type television receiver has been proposed. This is also proposed a method of enlarging the display of a high-luminance CRT by an optical system and displaying it on the screen, which is used for a large display area.

【0006】近年、このプロジェクション型において、
ブラウン管に代わって、アモルファスシリコンを使った
薄膜トランジスタ方式の液晶パネルをその元となる表示
体として使用したものが実用化提案されている。重量は
プロジェクションのブラウン管方式に比べて、30%程
度ですむために一般家庭への普及を助ける要因の一つと
なった。
Recently, in this projection type,
A practical use is proposed in which a thin film transistor type liquid crystal panel using amorphous silicon is used as a display body which is an origin thereof instead of a cathode ray tube. The weight is about 30% compared to the projection cathode ray tube method, which is one of the factors that help popularization in general households.

【0007】この液晶パネルを使用したプロジェクショ
ン表示装置は通常、赤(R)、緑(G)、青(B)専用
の3枚の液晶パネルを使用し図2に示すような光学系に
て1つの画面に合成して拡大表示する。その為にこの3
枚液晶パネルは高精度の位置合わせ精度を必要とされ、
具体的には1μmの精度が要求される。
A projection display device using this liquid crystal panel normally uses three liquid crystal panels dedicated to red (R), green (G), and blue (B), and uses an optical system as shown in FIG. Combined on one screen and displayed enlarged. Therefore this 3
A single liquid crystal panel requires high-precision alignment accuracy,
Specifically, an accuracy of 1 μm is required.

【0008】この様なプロジェクション方式の表示装置
は3インチ程度の液晶パネルを4〜5m離れたスクリー
ン上に約100インチの画面に拡大して表示する。この
為、100インチの表示画面が粗くなりぼやけた表示と
ならないように拡大する前の表示用の液晶パネルを高精
細にする必要がある。
In such a projection type display device, a liquid crystal panel of about 3 inches is enlarged and displayed on a screen of about 100 inches on a screen 4 to 5 m away. For this reason, it is necessary to make the liquid crystal panel for display high definition before enlargement so that the 100-inch display screen does not become rough and becomes a blurred display.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】この様な液晶パネルに
おいては当然ながら隣合った画素電極間の距離が短くな
る。この狭い間隔にアクティブ素子用の金属配線がX方
向またはY方向に設けられている。図3はその様子を示
す液晶パネルの概略断面図である。同図において、説明
を簡単にするためにスィッチング素子のない部分を示
し、説明に必要な要素のみを描いたので実際の液晶パネ
ルとは若干構成が異なっている。
In such a liquid crystal panel, the distance between adjacent pixel electrodes is naturally shortened. Metal wiring for active elements is provided in the X direction or the Y direction at the narrow interval. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal panel showing this state. In the figure, for simplicity of explanation, a portion without a switching element is shown, and only elements necessary for explanation are drawn, so that the configuration is slightly different from the actual liquid crystal panel.

【0010】101は透明のガラス基板であり、102
と103は画素電極を示している。この画素電極の間隔
は数百μm程度であり、この間に金属配線104が設け
られている。
Reference numeral 101 denotes a transparent glass substrate, and 102
Reference numerals 103 denote pixel electrodes. The distance between the pixel electrodes is about several hundreds of μm, and the metal wiring 104 is provided between them.

【0011】プロジェクション表示装置ではリア型、フ
ロント型ともに強力な光源からの光をこの液晶パネルに
照射し、光学系を使用して拡大表示する。この光源から
の光Lはガラス基板を通過して、画素部分に照射される
が、同時にアクティブ素子の金属配線部分104にも照
射される。この部分では光は反射、散乱され、この散
乱、反射された光はガラス基板部分で再度、反射、散乱
されるものとそのまま液晶パネル外部に出て行くものと
が存在する。
In the projection display device, both the rear type and the front type illuminate the liquid crystal panel with light from a powerful light source, and an enlarged display is performed using an optical system. The light L from this light source passes through the glass substrate and is applied to the pixel portion, but is also applied to the metal wiring portion 104 of the active element at the same time. In this portion, light is reflected and scattered, and the scattered and reflected light is reflected and scattered again by the glass substrate portion, and there is light that goes out of the liquid crystal panel as it is.

【0012】今、画素103の表示をOFFとして、光
の透過をさせない時でもこの配線部分にて反射、散乱さ
れた光は画素の周辺部分から液晶パネルを透過して行
く、その為画素102をOFFとしていても、若干の光
がもれ、表示のコントラストが悪くなってしまってい
た。
Now, even when the display of the pixel 103 is turned off and the light is not transmitted, the light reflected and scattered by this wiring portion is transmitted from the peripheral portion of the pixel through the liquid crystal panel. Even when it was turned off, some light leaked and the display contrast deteriorated.

【0013】特にプロジェクション表示装置ではリア
型、フロント型ともにまわりが明るい場所でもよく見え
るように、投影画面を明るくすることが望まれ、その為
より強力な光源で光を照射するようになり、前述の反
射、散乱させられる光(迷光)の強度がつよくなり、表
示のコントラスト低下に大きく影響を与えていた。
In particular, in the projection display device, it is desired to brighten the projection screen so that both the rear type and the front type can be seen well in bright places, and therefore, a more powerful light source is used to irradiate light. The intensity of the light (stray light) reflected and scattered by the device is increased, which greatly affects the reduction in display contrast.

【0014】さらに、表示画面の高精細化、高密度化が
進行してゆくと、画素の間隔がより狭くなるか、画素の
大きさと配線の大きさの比がより小さくなるため、この
迷光の影響がより大きくなり、より表示コントラストを
高めることが必要となっていた。
Further, as the display screen becomes higher definition and higher density, the interval between pixels becomes narrower, or the ratio of the size of the pixel to the size of the wiring becomes smaller, so that this stray light is generated. The influence becomes larger and it is necessary to further increase the display contrast.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は前述のような迷
光によるコントラストの低下を防止するものであり、図
1に示されるように、液晶パネルを構成する基板のうち
少なくとも一方の基板上のアクティブ素子の金属配線の
側周辺の一部に光を吸収する層109を設け、この迷光
の発生を抑えるものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to prevent the deterioration of contrast due to stray light as described above, and as shown in FIG. 1, it is provided on at least one of the substrates constituting the liquid crystal panel. A layer 109 that absorbs light is provided in a part of the periphery of the metal wiring of the active element to suppress the generation of stray light.

【0016】図1において、金属配線104は直接基板
上に設けられているが、この図は必要な要素のみの概略
を示したものであり、実際には、必要に応じてこの配線
の上、下にその他の機能を持つ膜が設けられる。
In FIG. 1, the metal wiring 104 is provided directly on the substrate, but this figure shows the outline of only the necessary elements. Actually, if necessary, above this wiring, A film having other functions is provided below.

【0017】この光吸収層109とは、迷光を発生させ
ず、むしろ迷光を減らす機能を持つものであり、使用す
る材料としては黒色の物であれば光を吸収することはで
きるが、液晶材料、アクティブ素子および電極材料への
影響を考慮すると、気相法により形成された炭素を主成
分とする薄膜(例えば、ダイヤモンドライクカーボン、
アモルファスカーボン)や黒色の電子材料用の有機材料
膜や金属の酸化膜等が適用可能であった。
The light absorbing layer 109 does not generate stray light but rather has a function of reducing stray light. If the material used is a black material, it can absorb light, but a liquid crystal material. In consideration of the influence on the active element and the electrode material, a thin film containing carbon as a main component formed by a vapor phase method (for example, diamond-like carbon,
Amorphous carbon), black organic material films for electronic materials, metal oxide films, etc. were applicable.

【0018】この光吸収層の金属配線に対する位置関係
は図4に示されるように様々な態様が考えられる。図4
(A)では金属配線104の基板と反対側の面上に光吸
収層109が設けられている。この場合の光吸収層の形
成方法の概略としては基板上に形成された金属配線の上
全面に気相法により炭素を主成分とする被膜を形成す
る。次にフォトリソ工程を使用してこの被膜109をエ
ッチング除去する。この時フォトレジストの露光の際に
光を基板側より入射して、金属配線をマスクとして使用
し配線とセルファラインで形成することも可能である。
As for the positional relationship of the light absorption layer with respect to the metal wiring, various modes can be considered as shown in FIG. Figure 4
In (A), the light absorption layer 109 is provided on the surface of the metal wiring 104 opposite to the substrate. In this case, the method for forming the light absorption layer is roughly as follows: A film containing carbon as a main component is formed on the entire surface of the metal wiring formed on the substrate by a vapor phase method. The coating 109 is then etched away using a photolithography process. At this time, it is also possible to make light incident from the substrate side at the time of exposure of the photoresist and use the metal wiring as a mask to form the wiring and the self-alignment.

【0019】また、図1の場合は基板全面上に炭素を主
成分とする被膜を形成した後に、金属配線用材料を全面
に形成し、この後、一枚のマスクを使用して、金属配線
と光吸収層を同一工程で同時に形成することができる。
図4(B)(C)はこの工程の組合せにて形成すること
ができる。
In the case of FIG. 1, after forming a coating film containing carbon as the main component on the entire surface of the substrate, a metal wiring material is formed on the entire surface, and then a metal mask is used to form the metal wiring. And the light absorption layer can be simultaneously formed in the same step.
4B and 4C can be formed by a combination of these steps.

【0020】一方、図4の(D)は印刷法により、エポ
キシ樹脂の中に黒い染料を含有した有機樹脂等を直接金
属配線上に印刷して光吸収層110を形成したものであ
り、印刷の際のパターンを任意に変更して、画素電極1
02、103の間に形成する。このように金属配線の殆
どを基板と有機樹脂の光吸収層で覆った場合、金属配線
と画素電極または金属配線どうし間での電気信号のリー
クを抑える効果も同時に期待することができる。また、
気相法で形成された炭素を主成分とする被膜9は前述の
方法にて形成されるが、必要に応じて省略することも可
能である。
On the other hand, FIG. 4D shows that the light absorbing layer 110 is formed by printing an organic resin containing a black dye in an epoxy resin directly on the metal wiring by a printing method. The pattern at the time of changing is arbitrarily changed to the pixel electrode 1
It is formed between 02 and 103. Thus, when most of the metal wiring is covered with the substrate and the light absorbing layer of the organic resin, the effect of suppressing the leakage of the electric signal between the metal wiring and the pixel electrode or the metal wiring can be expected at the same time. Also,
The coating film 9 containing carbon as a main component formed by the vapor phase method is formed by the above-mentioned method, but it can be omitted if necessary.

【0021】また、図4(C)に記載の構造は金属配線
の露出している表面を直接酸化することにより、形成し
てもよい、例えば金属配線がアルミニウムの場合、表面
をアルマイト処理して、黒色のアルマイトを表面に形成
してもよい。また、一般には金属配線の表面を酸化し
て、完全な酸化膜ではなく低級酸化膜とすると表面が黒
色化して、光吸収層を形成できる。
The structure shown in FIG. 4C may be formed by directly oxidizing the exposed surface of the metal wiring. For example, when the metal wiring is aluminum, the surface is alumite treated. Alternatively, black alumite may be formed on the surface. Further, generally, when the surface of the metal wiring is oxidized to form a lower oxide film instead of a complete oxide film, the surface becomes black and a light absorption layer can be formed.

【0022】さらに、この光吸収層と基板および電極と
の配置関係は採用した液晶パネルの構造、アクティブ素
子の構造により様々な実施態様が存在する。その際に
は、形成の為の工程数やコスト等を考慮して採用すれば
よい。
Further, there are various embodiments of the positional relationship between the light absorption layer, the substrate and the electrodes, depending on the structure of the liquid crystal panel adopted and the structure of the active element. In that case, it may be adopted in consideration of the number of steps for forming and cost.

【0023】また、図4は光吸収層と基板、電極との配
置の関係を示すために必要な構成要素のみを描いたもの
で、この構成に限定することを意図した図面ではない。
実際の液晶パネルにおいてはその他の構成要素は多数存
在する。
Further, FIG. 4 shows only the constituent elements necessary for showing the positional relationship between the light absorption layer, the substrate, and the electrodes, and is not intended to be limited to this structure.
There are many other components in an actual liquid crystal panel.

【0024】気相法にて炭素を主成分とする被膜を形成
する場合、エチレン、メタン等の炭化水素気体に対し
て、熱や電気的なエネルギーを与えて分解して被膜する
が、通常形成される炭素膜は透明あるいは半透明性のも
のであり、そのままでは光吸収層としては使用出来ない
ので、黒色化する必要がある。この黒色化した炭素膜を
形成する方法としては、プラズマCVD装置を使用し
て、反応性気体としては炭化水素気体(例えばアセチレ
ン、エチレン、エタン、等の飽和不飽和炭化水素)を使
用して、高周波(13.56MHz)の電力を加えて分
解活性化して被膜を形成するがその際に被膜形成基板に
接地電位に対してマイナスの高いバイアス電位を与える
ことにより、黒色化した炭素膜を形成する事ができる。
When forming a coating film containing carbon as a main component by a vapor phase method, a hydrocarbon gas such as ethylene or methane is decomposed by applying heat or electric energy to form a coating film. The carbon film formed is transparent or semi-transparent and cannot be used as it is as a light absorbing layer, so it needs to be blackened. As a method for forming this blackened carbon film, a plasma CVD apparatus is used, and a hydrocarbon gas (for example, a saturated unsaturated hydrocarbon such as acetylene, ethylene, ethane, etc.) is used as a reactive gas, A high-frequency (13.56 MHz) power is applied to decompose and activate the film to form a film. At this time, a negative bias voltage higher than the ground potential is applied to the film-forming substrate to form a blackened carbon film. I can do things.

【0025】具体的には、エチレン気体10SCCMを
反応室に流し、反応室内の圧力0.05torr、Rf
出力60Wで基板温度はとくにせず、基板バイアス電圧
を−700V加えて形成した。この時基板に加えるバイ
アス電圧は高い程より黒色化した被膜を形成することが
でき、バイアス電圧−100V以上では透明に近いがそ
の値を越して負のバイアス電圧が高くなると黒色化した
膜が形成される。この膜の電気的特性は10-7Scm台
の導電率が得られ、誘電率は3.03と低誘電率の膜で
あった。
Specifically, 10 SCCM of ethylene gas is flown into the reaction chamber, the pressure in the reaction chamber is 0.05 torr, and Rf.
The output was 60 W, the substrate temperature was not particularly set, and a substrate bias voltage of −700 V was applied. At this time, the higher the bias voltage applied to the substrate is, the more blackened the film can be formed. When the bias voltage is -100 V or more, the film is almost transparent, but when the bias voltage exceeds that value, the blackened film is formed. To be done. Regarding the electrical characteristics of this film, a conductivity of the order of 10 −7 Scm was obtained, and the dielectric constant was 3.03, which was a low dielectric constant film.

【0026】この炭素膜を図1および図4のようにパタ
ーニングする際には酸素やNF3 のようなエッチング気
体を使用して、パターニング可能であり、その他の被膜
との選択比も十分にとることができる。
When patterning this carbon film as shown in FIGS. 1 and 4, an etching gas such as oxygen or NF 3 can be used for patterning, and a sufficient selection ratio with respect to other films can be obtained. be able to.

【0027】[0027]

【実施例】『実施例1』 本実施例においては、アクテ
ィブ素子として、一つの画素電極に相補型構成の薄膜ト
ランジスタを形成した例を示す。
[Embodiment 1] This embodiment shows an example in which a thin film transistor having a complementary structure is formed on one pixel electrode as an active element.

【0028】本実施例では図5に示すような回路構成す
なわちインバータ型の回路構成を用いた液晶表示装置を
用いて、液晶表示装置の説明を行う。この回路構成に対
応する実際の電極等の配置構成を図6に示している。こ
れらは説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記
載されている。
In this embodiment, a liquid crystal display device will be described by using a liquid crystal display device having a circuit configuration as shown in FIG. 5, that is, an inverter type circuit configuration. FIG. 6 shows an actual arrangement configuration of electrodes and the like corresponding to this circuit configuration. For simplicity of description, only the portion corresponding to 2 × 2 is shown.

【0029】まず、本実施例で使用する液晶電気光学装
置の作製方法を図7を使用して説明する。図7(A)に
おいて、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例え
ば約600℃の熱処理に耐え得るガラス50上にマグネ
トロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング
層51としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素100%雰囲気、成
膜温度15℃、出力400〜800W、圧力0.5Pa
とした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は30〜100Å/分であった。
First, a method of manufacturing the liquid crystal electro-optical device used in this embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 7A, a silicon oxide film as a blocking layer 51 is formed on a glass 50, such as quartz glass, which can withstand a heat treatment at 700 ° C. or less, for example, about 600 ° C., which is not expensive, by using a magnetron RF (radio frequency) sputtering method. Produce to a thickness of ~ 3000Å. Process conditions are 100% oxygen atmosphere, film forming temperature 15 ° C., output 400 to 800 W, pressure 0.5 Pa.
And The film formation rate using quartz or single crystal silicon for the target was 30 to 100 Å / min.

【0030】この上にシリコン膜をLPCVD(減圧気
相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも1
00〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃
でジシラン(Si26)またはトリシラン(Si38)を
CVD装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は30〜
300Paとした。成膜速度は50〜250Å/分であ
った。NTFTとPTFTとのスレッシュホールド電圧
(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素をジボラン
を用いて1×1015〜1×1018cm-3の濃度として成膜
中に添加してもよい。
A silicon film was formed thereon by LPCVD (Low Pressure Vapor Phase) method, sputtering method or plasma CVD method. When forming by the reduced pressure vapor phase method, it is 1
450-550 ° C, which is low by 00-200 ° C, for example, 530 ° C
Then, disilane (Si 2 H 6 ) or trisilane (Si 3 H 8 ) was supplied to the CVD apparatus to form a film. The reactor pressure is 30 ~
It was set to 300 Pa. The film formation rate was 50 to 250 Å / min. In order to control the threshold voltage (Vth) of the NTFT and the PTFT to be approximately the same, boron may be added during film formation using diborane at a concentration of 1 × 10 15 to 1 × 10 18 cm −3 .

【0031】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を1×10-5Pa以下とし、単結晶シリコンをターゲッ
トとして、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲
気で行った。例えばアルゴン20%、水素80%とし
た。成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、
スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paで
あった。
When the sputtering method is used, the back pressure before the sputtering is set to 1 × 10 −5 Pa or less, the single crystal silicon is used as a target, and the atmosphere is mixed with hydrogen of 20 to 80% in argon. For example, argon is 20% and hydrogen is 80%. The film forming temperature is 150 ° C., the frequency is 13.56 MHz,
The sputter output was 400 to 800 W and the pressure was 0.5 Pa.

【0032】プラズマCVD法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH4)ま
たはジシラン(Si2H6) を用いた。これらをPCVD装置
内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成
膜した。
When a silicon film is formed by the plasma CVD method, the temperature is, for example, 300 ° C., and monosilane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 H 6 ) is used. These were introduced into a PCVD apparatus, and high-frequency power of 13.56 MHz was applied to form a film.

【0033】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が5×1021cm-3以下であることが好ましい。この
酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニール温度
を高くまたは熱アニール時間を長くしなければならな
い。また少なすぎると、バックライトによりオフ状態の
リーク電流が増加してしまう。そのため4×1019〜4
×1021cm-3の範囲とした。水素は4×1020cm-3であ
り、珪素4×1022cm-3として比較すると1原子%であ
った。また、ソース、ドレインに対してより結晶化を助
長させるため、酸素濃度を7×1019cm-3以下、好まし
くは1×1019cm-3以下とし、ピクセル構成するTFT
のチャネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により5
×1020〜5×1021cm-3となるように添加してもよ
い。その時周辺回路を構成するTFTには光照射がなさ
れないため、この酸素の混入をより少なくし、より大き
いキャリア移動度を有せしめることは、高周波動作をさ
せるために有効である。
The coating formed by these methods is
It is preferable that oxygen is 5 × 10 21 cm −3 or less. If this oxygen concentration is high, it is difficult to crystallize, and the thermal annealing temperature must be high or the thermal annealing time must be long. If the amount is too small, the leak current in the off state increases due to the backlight. Therefore 4 × 10 19 -4
The range was × 10 21 cm -3 . Hydrogen was 4 × 10 20 cm -3 , which was 1 atom% when compared with silicon 4 × 10 22 cm -3 . In order to further promote crystallization with respect to the source and drain, the oxygen concentration is set to 7 × 10 19 cm −3 or less, preferably 1 × 10 19 cm −3 or less, and a TFT for forming a pixel is formed.
Oxygen only in the channel formation region of
You may add so that it may become x10 < 20 > -5 * 10 < 21 > cm < -3 >. At that time, since the TFTs constituting the peripheral circuit are not irradiated with light, it is effective to operate at a high frequency by reducing the mixing of oxygen and increasing the carrier mobility.

【0034】次に、アモルファス状態の珪素膜を500
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4
50〜700℃の温度にて12〜70時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて600
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。
Next, a silicon film in an amorphous state is formed into 500
~ 5,000 Å, for example, 1500 Å after making, 4
Medium temperature heat treatment in a non-oxide atmosphere at a temperature of 50 to 700 ° C. for 12 to 70 hours, for example, 600 in a hydrogen atmosphere.
Hold at a temperature of ° C. Since the amorphous silicon oxide film is formed on the surface of the substrate under the silicon film, no specific nuclei are present in this heat treatment, and the whole is uniformly annealed by heating. That is, it has an amorphous structure at the time of film formation, and hydrogen is simply mixed therein.

【0035】アニールにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レーザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピーク522
cm-1より低周波側にシフトしたピークが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、50〜5
00Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素どうしで結合(アンカ
リング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成さ
せることができた。
By annealing, the silicon film shifts from an amorphous structure to a highly ordered state, and a part thereof assumes a crystalline state. In particular, a region having a relatively high degree of ordering after the film formation of silicon tends to be crystallized and become a crystalline state. However, since silicon existing between these regions is bonded to each other, the silicon members pull each other. A single crystal silicon peak 522 measured by laser Raman spectroscopy
A peak shifted to the low frequency side from cm -1 is observed. The apparent particle size is 50 to 5 when calculated from the full width at half maximum.
Although it is a microcrystal like 00Å, in reality there are many highly crystalline regions with a cluster structure, and each cluster has a semi-amorphous structure in which silicon is bonded (anchoring) to each other. Could be formed.

【0036】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGB
の明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度
となる。即ちホール移動度(μh)=10〜200cm2
/VSec、電子移動度(μe )=15〜300cm2
VSecが得られる。
As a result, the coating is in a state in which it may be said that it is substantially free of grain boundaries (hereinafter referred to as GB). Carriers can easily move from one cluster to another through anchored points, so
The carrier mobility is higher than that of polycrystalline silicon that clearly exists. That is, hole mobility (μh) = 10 to 200 cm 2
/ VSec, electron mobility (μe) = 15 to 300 cm 2 /
VSec is obtained.

【0037】他方、上記の如き中温でのアニールではな
く、900〜1200℃の高温アニールにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリ
ア(障壁)を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として10cm2 /VSec以上の移動度が
なかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例で
はかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセミ
クリスタル構造を有するシリコン半導体を用いている。
On the other hand, when the film is polycrystallized by high-temperature annealing at 900 to 1200 ° C. instead of annealing at the intermediate temperature as described above, segregation of impurities in the film occurs due to solid-phase growth from nuclei, and GB is in GB. The amount of impurities such as oxygen, carbon, and nitrogen increases, and the mobility in the crystal is high, but it creates a barrier in GB and hinders the movement of carriers there. As a result, it is difficult to obtain a mobility of 10 cm 2 / VSec or more. That is, in this embodiment, the silicon semiconductor having the semi-amorphous or semi-crystal structure is used for the reason as described above.

【0038】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
500〜2000Å例えば1000Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。
On this, a silicon oxide film was formed as a gate insulating film to a thickness of 500 to 2000Å, for example, 1000Å. This was performed under the same conditions as the production of the silicon oxide film as the blocking layer. During this film formation, a small amount of fluorine may be added to immobilize sodium ions.

【0039】この後、この上側にリンが1〜5×1021
cm-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜と
その上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),M
oSi2 またはWSi2 との多層膜を形成した。これを
第2のフォトマスクにてパターニングして図7(B)
を得た。PTFT用のゲイト電極9、NTFT用のゲイ
ト電極19を形成した。例えばチャネル長10μm、ゲ
イト電極としてリンドープ珪素を0.2μm、その上に
モリブデンを0.3μmの厚さに形成した。図7(C)
において、フォトレジスト57をフォトマスクを用い
て形成し、PTFT用のソ−ス10、ドレイン12に対
し、ホウ素を1〜5×1015cm-2のドーズ量でイオン注
入法により添加した。 次に図7(D)の如く、NTF
Tをフォトマスクを用いて形成した。NTFT用のソ
ース20、ドレイン18としてリンを1〜5×1015cm
-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。
Thereafter, phosphorus is added to the upper side in an amount of 1 to 5 × 10 21
A silicon film having a concentration of cm -3 or this silicon film and molybdenum (Mo), tungsten (W), M on it
A multilayer film with oSi 2 or WSi 2 was formed. This is patterned with a second photomask, and the pattern shown in FIG.
Got A gate electrode 9 for PTFT and a gate electrode 19 for NTFT were formed. For example, a channel length is 10 μm, phosphorus-doped silicon is formed as a gate electrode in 0.2 μm, and molybdenum is formed thereon in a thickness of 0.3 μm. FIG. 7 (C)
In the above, a photoresist 57 was formed using a photomask, and boron was added to the source 10 and the drain 12 for PTFT by an ion implantation method at a dose amount of 1 to 5 × 10 15 cm -2 . Next, as shown in FIG. 7D, NTF
T was formed using a photomask. 1 to 5 × 10 15 cm of phosphorus is used as the source 20 and the drain 18 for the NTFT.
It was added by the ion implantation method at a dose amount of -2 .

【0040】これらはゲイト絶縁膜54を通じて行っ
た。しかし図7(B)において、ゲイト電極55、56
をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。
These are performed through the gate insulating film 54. However, in FIG. 7B, the gate electrodes 55 and 56 are
The silicon oxide on the silicon film may be removed by using as a mask, and then boron and phosphorus may be directly ion-implanted into the silicon film.

【0041】次に、600℃にて10〜50時間再び加
熱アニ−ルを行った。PTFTのソース10、ドレイン
12、NTFTのソース20、ドレイン18を不純物を
活性化してP+、N+として作製した。またゲイト電極
9、19下にはチャネル形成領域21、11がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。
Next, heating anneal was performed again at 600 ° C. for 10 to 50 hours. The source 10 and the drain 12 of the PTFT and the source 20 and the drain 18 of the NTFT were activated as impurities to be prepared as P + and N + . Channel forming regions 21 and 11 are formed below the gate electrodes 9 and 19 as semi-amorphous semiconductors.

【0042】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくC/TFTを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。
In this way, the C / TFT can be manufactured without applying a temperature above 700 ° C. in all steps even though it is a self-aligned method. Therefore, it is not necessary to use an expensive substrate such as quartz as the substrate material, and the process is very suitable for the large-pixel liquid crystal display device of the present invention.

【0043】本実施例では熱アニールは図7(A)、
(D)で2回行った。しかし図7(A)のアニールは求
める特性により省略し、双方を図7(D)のアニールに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図7(E)に
おいて、層間絶縁物65を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
LPCVD法、光CVD法、常圧CVD法を用いてもよ
い。例えば0.2〜0.6μmの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓66を形成し
た。さらに、これら全体に金属配線材料としてアルミニ
ウムをスパッタ法により形成する。この上に光吸収層と
して炭素を主成分とする被膜を形成する。この形成条件
はエチレン気体20SCCM、反応圧力0.05Tor
r、Rf出力70W、基板バイアス電圧−500Vで厚
さ2000Åに形成した。次にフォトマスクを使用し
て、レジストパターンを形成し、炭素膜は酸素気体を使
用したプラズマエッチングにより除去し、次にレジスト
パターンまたはパターニングされた炭素膜をマスクとし
て塩素気体と四弗化炭素の混合気体を使用して、プラズ
マエッチングを行い、金属配線71、72および光吸収
層109を同一の工程により形成した。
In this embodiment, thermal annealing is performed as shown in FIG.
Done twice in (D). However, the annealing of FIG. 7A may be omitted depending on the desired characteristics, and both may be performed by the annealing of FIG. 7D to reduce the manufacturing time. In FIG. 7E, an interlayer insulator 65 was formed as a silicon oxide film by the above-described sputtering method. The silicon oxide film may be formed by using the LPCVD method, the photo CVD method, or the atmospheric pressure CVD method. For example, it is formed to have a thickness of 0.2 to 0.6 μm, and then a window 66 for an electrode is formed using a photomask. Further, aluminum is formed as a metal wiring material on the whole by a sputtering method. A film containing carbon as a main component is formed thereon as a light absorbing layer. The formation conditions are ethylene gas 20 SCCM and reaction pressure 0.05 Tor.
The film was formed to a thickness of 2000Å with r, Rf output of 70 W, and substrate bias voltage of -500V. Next, a resist pattern is formed using a photomask, the carbon film is removed by plasma etching using oxygen gas, and then the resist pattern or the patterned carbon film is used as a mask to remove chlorine gas and carbon tetrafluoride. Plasma etching was performed using a mixed gas to form the metal wirings 71 and 72 and the light absorption layer 109 in the same step.

【0044】この金属配線と光吸収層とは図6で示すX
方向の配線5、6、7、8、に相当し、液晶パネル外か
らはブラックのストライプが観察される。
The metal wiring and the light absorption layer are shown by X in FIG.
Black stripes are observed from the outside of the liquid crystal panel, which correspond to the wirings 5, 6, 7, 8 in the direction.

【0045】次に、表面を平坦化用有機樹脂69例えば
透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけ
をフォトマスクにて行った。
Next, an organic resin 69 for flattening the surface, for example, a light-transmissive polyimide resin was applied and formed, and electrode holes were formed again using a photomask.

【0046】図7(F)に示す如く2つのTFTを相補
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりITO(インジューム・スズ酸化膜)を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、画素電
極17を構成させた。このITOは室温〜150℃で成
膜し、200〜400℃の酸素または大気中のアニール
により成就した。
As shown in FIG. 7 (F), two TFTs have a complementary structure, and the output terminal thereof is connected to the electrode of one pixel of the liquid crystal device as a transparent electrode. Tin oxide film) was formed. It was etched with a photomask to form the pixel electrode 17. This ITO film was formed at room temperature to 150 ° C. and was annealed at 200 to 400 ° C. in oxygen or air.

【0047】かくの如くにしてPTFT22とNTFT
13とこれらの金属配線と光吸収層109とを同一ガラ
ス基板50上に作製した。得られたTFTの特性はPT
FTで移動度は20(cm2 /VS)、Vthは−5.9
(V)で、NTFTで移動度は40(cm2 /VS)、V
thは5.0(V)であった。
In this way, the PTFT 22 and the NTFT are
13 and these metal wirings and the light absorption layer 109 were formed on the same glass substrate 50. The characteristics of the obtained TFT are PT
FT has a mobility of 20 (cm 2 / VS) and a Vth of -5.9.
(V), NTFT has a mobility of 40 (cm 2 / VS), V
th was 5.0 (V).

【0048】上記の液晶電気光学装置上のTFTの構造
は、インバータ型であるが、バッファ型であっても全く
同じであることは、いうまでもない。この様にして、第
一の基板を得た。
The structure of the TFT on the liquid crystal electro-optical device described above is of the inverter type, but it goes without saying that the structure of the buffer type is exactly the same. In this way, the first substrate was obtained.

【0049】また、もう一方の基板として、同様のガラ
ス基板のほぼ全面に透明電極を設けたものを第二の基板
として使用する。第一の基板と第二の基板との透明電極
の上にオフセット印刷法によりNMP(Nメチル2ピロ
リドン)にて希釈されたポリイミド溶液を印刷し、その
後に50℃10分間の仮焼成の後、280℃の窒素雰囲
気中にて、1時間本焼成を行い配向膜を形成する。次に
アクティブ素子の形成されていない第二の基板のみに対
してラビング処理を施し、第一の基板と第2の基板とを
7.5μmの径のスペーサを挟んで貼り合わせ、液晶セ
ルを完成し、このセル内に液晶材料を注入して液晶電気
光学装置を完成した。
As the other substrate, a similar glass substrate provided with transparent electrodes on almost the entire surface is used as the second substrate. A polyimide solution diluted with NMP (N-methyl-2pyrrolidone) was printed on the transparent electrodes of the first substrate and the second substrate by an offset printing method, and after that, after calcination at 50 ° C. for 10 minutes, Main baking is performed for 1 hour in a nitrogen atmosphere at 280 ° C. to form an alignment film. Next, only the second substrate on which the active element is not formed is subjected to rubbing treatment, and the first substrate and the second substrate are bonded together with a spacer having a diameter of 7.5 μm sandwiched therebetween to complete a liquid crystal cell. Then, a liquid crystal material was injected into this cell to complete a liquid crystal electro-optical device.

【0050】本実施例において作製した、液晶パネルは
従来の液晶パネルに比較して、約10〜50%程度迷光
が減り、コントラスト比の値が25から32に向上し
た。
The liquid crystal panel manufactured in this embodiment has a stray light reduced by about 10 to 50% and a contrast ratio value improved from 25 to 32 as compared with the conventional liquid crystal panel.

【0051】『実施例2』 本実施例では、アクティブ
素子として、SiX Y (X+Y=1)膜を使用したM
IM素子の例を示す。
[Embodiment 2] In the present embodiment, an M x using a Si X C Y (X + Y = 1) film as an active element.
An example of an IM element will be shown.

【0052】図8(A)に示す様に、まず0.7mmの
ポリカーボネイト(200)に、RFスパッタで酸化珪
素膜(201)を1000〜3000Å設ける。次に基
板の全面に炭素を主成分とする被膜を2000Åの厚さ
に形成する(形成方法は実施例1と同様)、次に金属モ
リブデンをスパッタ法にて全面に形成した後に幅15μ
mのストライプ状のマスクパターンを使用して、ドライ
エッチング法にて概略同一形状を持つ光吸収層202と
金属配線203とを形成する。
As shown in FIG. 8 (A), a 0.7 mm polycarbonate (200) is first provided with a silicon oxide film (201) of 1000 to 3000 liters by RF sputtering. Next, a film containing carbon as a main component is formed to a thickness of 2000 Å on the entire surface of the substrate (the forming method is the same as that of the first embodiment), and then metal molybdenum is formed on the entire surface by a sputtering method and then the width is 15 μm.
Using a m-shaped stripe mask pattern, the light absorption layer 202 and the metal wiring 203 having substantially the same shape are formed by a dry etching method.

【0053】次に、同図(B)のようにこの配線203
を含む基板全面上に、プラズマCVD法にて、下記条件
の下にグロー放電を行い、SiX Y (X+Y=1)膜
(204)を1000Å成膜した。成膜条件は、ガス混
合比C2 4 が2SCCM、SiH4 が1SCCM、P
3 (5重量%)/SiH4 が1SCCM、H2 が10
SCCMであり、反応圧力が50Pa、RFパワーが1
00Wである。
Next, as shown in FIG.
On the entire surface of the substrate including the above, glow discharge was performed under the following conditions by a plasma CVD method to form a Si x C Y (X + Y = 1) film (204) of 1000 Å. The film forming conditions are as follows: gas mixture ratio C 2 H 4 is 2 SCCM, SiH 4 is 1 SCCM, P
H 3 (5% by weight) / SiH 4 is 1 SCCM, H 2 is 10
SCCM, reaction pressure 50Pa, RF power 1
It is 00W.

【0054】本実施例においてPH3 を添加するのは、
膜(204)の導電率を変化させ、アクティブ素子の電
気的特性の非線型特性を制御するためであり、30体積
%以下の割合で添加すると効果がある。この非線型性を
制御する方法としては、熱アニールを加える方法があ
る。これは、MIM型素子のI(insulator)部分に相当
する薄膜(204)の脱水素化を計ることによって膜中
の水素含有量をコントロールし、MIM型素子の非線型
性を制御するものである。本実施例では、この熱アニー
ルの処理条件は、温度が380℃、圧力が100Pa、
処理雰囲気がAr、処理時間が1時間とした。また、本
発明においてはこのSiX Y (X+Y=1)で示され
る組成物を含む薄膜(204)の厚さを2000Å以
下、好ましくは1000Å以下にすることによって、そ
の光透過性を高めることができた。
In this example, the addition of PH 3 is
This is because the conductivity of the film (204) is changed to control the non-linear characteristics of the electrical characteristics of the active element, and it is effective to add it at a ratio of 30% by volume or less. As a method of controlling this nonlinearity, there is a method of applying thermal annealing. This is to control the hydrogen content in the film by measuring the dehydrogenation of the thin film (204) corresponding to the I (insulator) part of the MIM type element, and to control the non-linearity of the MIM type element. . In this embodiment, the processing conditions of this thermal annealing are as follows: temperature: 380 ° C., pressure: 100 Pa,
The processing atmosphere was Ar and the processing time was 1 hour. Further, in the present invention, the thin film (204) containing the composition represented by Si X C Y (X + Y = 1) has a thickness of 2000 Å or less, preferably 1000 Å or less to enhance its light transmittance. I was able to.

【0055】従来はMIM型素子のinsulator 部分に使
用されていた材料、例えばTaO5 (5酸化タンタル)
膜を用いようとする場合、その光透過性が問題となるの
で、なるべくその面積を小さくする等の工程上の制約が
あった。
Materials conventionally used for the insulator part of the MIM type element, for example, TaO 5 (tantalum pentaoxide).
When a film is used, its light transmissivity becomes a problem, so there is a restriction on the process such as making the area as small as possible.

【0056】その後,図8(C)に示すように。再びD
Cスパッタ法によって、膜(204)上にITOを10
00Å成膜し、フォトリソ法を用いて、画素の電極(2
05)を得た。この場合、マグネトロン型RFスパッタ
法を用いてもよい。
After that, as shown in FIG. D again
ITO was deposited on the film (204) by the C sputtering method.
00 Å The film is formed and the pixel electrode (2
05) was obtained. In this case, the magnetron type RF sputtering method may be used.

【0057】画素電極の一方である電極205の寸法
は、一辺が250μmの正方形とし、画素間のギャップ
は、25μmとした。この画素の電極(205)は表示
の際、単位画素となる大きさを有するものであり、薄膜
(204)に加わる電界が各画素において均一になるよ
うに作用するものである。この様にして、一方の第一の
基板を得た。
The size of the electrode 205, which is one of the pixel electrodes, was a square having a side of 250 μm, and the gap between the pixels was 25 μm. The electrode (205) of this pixel has a size that becomes a unit pixel at the time of display, and acts so that the electric field applied to the thin film (204) becomes uniform in each pixel. In this way, one first substrate was obtained.

【0058】第二の基板は第一の基板と同様にポリカー
ボネイトを使用し、第一の基板と同様に酸化珪素膜を形
成した。その他は実施例1と同様にして、液晶電気光学
装置を完成し、この液晶装置を使用して、投影型の画像
表示装置を構成したところ、コントラストが高く、迷光
が発生しないため、投影のために使用する光源の出力を
高く(例えば200〜300W)することができ、投影
された画面上での表示が非常に明るく、屋外や明るい部
屋の中でも十分に視認できるものであった。
Polycarbonate was used as the second substrate as in the first substrate, and a silicon oxide film was formed as in the first substrate. A liquid crystal electro-optical device was completed in the same manner as in Example 1 except for the above, and a projection type image display device was constructed using this liquid crystal device. The contrast was high and stray light did not occur. The output of the light source used in the above can be made high (for example, 200 to 300 W), the display on the projected screen is very bright, and it is sufficiently visible even outdoors or in a bright room.

【0059】上述の実施例では何れも光吸収層として炭
素を主成分とする被膜を使用したが得にこの被膜に限定
されることはなく、黒色の有機樹脂でもよい、この場合
印刷方との組み合わせにより、よりプロセス上の制約を
緩和して、高コントラストの液晶装置を作製することが
できる。
In each of the above-mentioned embodiments, the coating film containing carbon as the main component is used as the light absorption layer, but the present invention is not limited to this coating film, and a black organic resin may be used. By combining them, it is possible to fabricate a high-contrast liquid crystal device by further relaxing process restrictions.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明の構成により、迷光の発生が少な
い液晶電気光学装置を実現でき、これにより表示のコン
トラストが向上し、より明るい表示画面を持つ投影型の
表示装置を実現できた。
According to the structure of the present invention, it is possible to realize a liquid crystal electro-optical device with less generation of stray light, which improves the display contrast and realizes a projection type display device having a brighter display screen.

【0061】また、より高密度、高精細で高コントラス
トの液晶パネルを実現することができ、明るい表示画面
を持つ投影型の画像表示装置を実現できた。
Further, a liquid crystal panel of higher density, higher definition and higher contrast can be realized, and a projection type image display device having a bright display screen can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の液晶電気光学装置の概略断面図を示
す。
FIG. 1 shows a schematic sectional view of a liquid crystal electro-optical device of the present invention.

【図2】プロジェクション方式の表示装置の光学系の例
を示す。
FIG. 2 shows an example of an optical system of a projection type display device.

【図3】従来の液晶電気光学装置の概略断面図を示す。FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional liquid crystal electro-optical device.

【図4】本発明の光吸収層と基板、電極との配置関係を
示す概略図
FIG. 4 is a schematic diagram showing a positional relationship between a light absorption layer of the present invention, a substrate, and electrodes.

【図5】アクティブマトリクス型液晶装置の概略回路
図。
FIG. 5 is a schematic circuit diagram of an active matrix liquid crystal device.

【図6】アクティブマトリクス型液晶装置の概略配置
図。
FIG. 6 is a schematic layout diagram of an active matrix type liquid crystal device.

【図7】アクティブマトリクス型液晶装置用基板の作製
工程図
7A to 7C are manufacturing process diagrams of a substrate for an active matrix liquid crystal device.

【図8】MIM素子を使用した液晶装置用基板の作製工
程図
FIG. 8 is a manufacturing process diagram of a substrate for a liquid crystal device using an MIM element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

102・・・画素電極 103・・・画素電極 104・・・金属配線 109・・・光吸収層 110・・・光吸収層 102 ... Pixel electrode 103 ... Pixel electrode 104 ... Metal wiring 109 ... Light absorbing layer 110 ... Light absorbing layer

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年6月29日[Submission date] June 29, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

【図3】 [Figure 3]

【図2】 [Fig. 2]

【図4】 [Figure 4]

【図5】 [Figure 5]

【図6】 [Figure 6]

【図7】 [Figure 7]

【図8】 [Figure 8]

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶電気光学装置を構成する基板上のス
イッチング素子に接続された金属配線の側周辺の少なく
とも一部に光源からの光を吸収する為の層が設けられた
ことを特徴とする液晶電気光学装置。
1. A layer for absorbing light from a light source is provided on at least a part of a periphery of a metal wiring connected to a switching element on a substrate constituting a liquid crystal electro-optical device. Liquid crystal electro-optical device.
【請求項2】 請求項1に記載の光吸収層は炭素を主成
分とする被膜で構成されていることを特徴とする液晶電
気光学装置。
2. A liquid crystal electro-optical device, wherein the light absorption layer according to claim 1 is composed of a coating film containing carbon as a main component.
【請求項3】 請求項1に記載の光吸収層は有機材料被
膜で構成されていることを特徴とする液晶電気光学装
置。
3. A liquid crystal electro-optical device, wherein the light absorption layer according to claim 1 is composed of an organic material film.
【請求項4】 液晶電気光学装置を構成する基板上のス
イッチング素子に接続された金属配線の側周辺の少なく
とも一部に光源からの光を吸収する為の層が設けられた
液晶電気光学装置を使用して構成されたことを特徴とす
る画像表示装置。
4. A liquid crystal electro-optical device in which a layer for absorbing light from a light source is provided on at least a part of the periphery of a metal wiring connected to a switching element on a substrate which constitutes the liquid crystal electro-optical device. An image display device characterized by being configured by using.
JP3033482A 1991-01-31 1991-01-31 Liquid crystal electrooptical device Pending JPH052187A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3033482A JPH052187A (en) 1991-01-31 1991-01-31 Liquid crystal electrooptical device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3033482A JPH052187A (en) 1991-01-31 1991-01-31 Liquid crystal electrooptical device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH052187A true JPH052187A (en) 1993-01-08

Family

ID=12387773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3033482A Pending JPH052187A (en) 1991-01-31 1991-01-31 Liquid crystal electrooptical device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH052187A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6115090A (en) * 1997-03-26 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2002043578A (en) * 2000-07-25 2002-02-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US6885027B2 (en) 1994-06-02 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and electrooptical device
US6927826B2 (en) 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
US7508033B2 (en) 1998-04-24 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with diamond-like carbon film on backside of substrate
JP2009069852A (en) * 2001-11-02 2009-04-02 Samsung Electronics Co Ltd Method for manufacturing reflection-transmission type liquid crystal display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216129A (en) * 1989-02-17 1990-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal image display device and production thereof
JPH02306223A (en) * 1989-05-20 1990-12-19 Ricoh Co Ltd Liquid crystal display device
JPH034214A (en) * 1989-05-31 1991-01-10 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH036532A (en) * 1989-06-03 1991-01-14 Sharp Corp Manufacture of display electrode substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216129A (en) * 1989-02-17 1990-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal image display device and production thereof
JPH02306223A (en) * 1989-05-20 1990-12-19 Ricoh Co Ltd Liquid crystal display device
JPH034214A (en) * 1989-05-31 1991-01-10 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH036532A (en) * 1989-06-03 1991-01-14 Sharp Corp Manufacture of display electrode substrate

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6885027B2 (en) 1994-06-02 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and electrooptical device
US7148506B2 (en) 1994-06-02 2006-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and electrooptical device
US7459724B2 (en) 1994-06-02 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and electrooptical device
US6115090A (en) * 1997-03-26 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6593990B1 (en) 1997-03-26 2003-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6927826B2 (en) 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
US7190428B2 (en) 1997-03-26 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7436463B2 (en) 1997-03-26 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7508033B2 (en) 1998-04-24 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with diamond-like carbon film on backside of substrate
JP2002043578A (en) * 2000-07-25 2002-02-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2009069852A (en) * 2001-11-02 2009-04-02 Samsung Electronics Co Ltd Method for manufacturing reflection-transmission type liquid crystal display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7526854B2 (en) Semiconductor Device
JP6648186B2 (en) Liquid crystal display
JP7230252B2 (en) semiconductor equipment
US5852481A (en) Liquid crystal display with two gate electrodes each having a non-anodizing and one anodizing metallic layer and method of fabricating
TWI447915B (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2873632B2 (en) Semiconductor device
US5568288A (en) Method for forming thin film transistors with anodic oxide on sides of gate line
TWI469222B (en) Method for manufacturing semiconductor device
US7696091B2 (en) Method of forming a silicon layer and method of manufacturing a display substrate by using the same
US8633485B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US8921858B2 (en) Light-emitting device
TWI485857B (en) Thin film transistor and display device having the thin film transistor
US8044407B2 (en) Liquid crystal display device and electronic device provided with the same
TWI499848B (en) Display device and method for manufacturing the same
US7297579B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH052187A (en) Liquid crystal electrooptical device
JP2934736B2 (en) TV receiver
JP2707158B2 (en) Color tv receiver
JP3210307B2 (en) TV receiver
JP2934737B2 (en) Display device and display method thereof
JP3283855B2 (en) Projection display device
JP2024150626A (en) Semiconductor Device
JPH0682758A (en) Image display method for electro-optical device
JP2000298291A (en) Projection-type display device