JPH052187A - Liquid crystal electrooptical device - Google Patents

Liquid crystal electrooptical device

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JPH052187A
JPH052187A JP3348291A JP3348291A JPH052187A JP H052187 A JPH052187 A JP H052187A JP 3348291 A JP3348291 A JP 3348291A JP 3348291 A JP3348291 A JP 3348291A JP H052187 A JPH052187 A JP H052187A
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light
liquid crystal
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film
optical device
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JP3348291A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

PURPOSE:To provide the liquid crystal panel which has less stray light and enables display of a high contrast to be conducted by providing a layer for absorbing the light from a light source in at least a part of the side periphery of a metallic wiring. CONSTITUTION:A layer 109 which absorbs the light is provided in a part of the side periphery of the metallic wiring 104 of the active element on at least one substrate of the substrates constituting the liquid crystal panel. While the metallic wiring 104 is provided directly on the substrate in such a case, films having other functions are provided on top and bottom of this wiring 104 at need. The light absorption layer 109 does not generate the stray light and has rather a function to decrease the stray light. The materials to be used can absorb the light as far as the materials are black. Thin films essentially consisting of the carbon formed by a vapor phase method (for example, diamond-like carbon, amorphous carbon), black org. material films, oxide films of metals, etc., are applied to the above-mentioned materials.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶電気光学装置の構造に関する。 The present invention relates to a structure of a liquid crystal electro-optical device. 特に液晶電気光学装置を使用して画像を拡大表示する際に好適な液晶電気光学装置に関する。 Particularly to liquid crystal electro-optical device suitable when enlarge an image using a liquid crystal electro-optical device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来地上テレビ局または衛星テレビ局またはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映像の録画装置(ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁気ディスク等)より送られる映像信号を具体的に表示する装置としては、ブラウン管、CRTと呼ばれる真空管中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させる方式が取られていた。 Conventional terrestrial television or satellite television or cable television station or the recording device separately provided television video (VCR, laser disk, a magneto-optical disk, etc.) as a device for specifically displaying a video signal sent from the the cathode ray tube, skip electron beam vacuum tubes called CRT, method for emitting a fluorescent screen comprising the object have been taken.

【0003】当初表示体の対角は12〜14インチがよく普及していたが、近年世の中の要求によって、20インチはおろか30インチをゆうに超える大きさのものまで出現するに至っている。 [0003] diagonal 12 to 14-inch original display body was popular well, by the recent world of request a 20-inch has led to the appearance to those of magnitude more than in Yu let alone 30 inches.

【0004】対角30インチの場合、その奥行きもほぼ30インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚みも強度を保つために1センチを超えるようになった。 In the case of diagonal 30 inches the depth also available as approximately 30 inches, and now more than 1 cm to maintain the strength the thickness of the glass from which it is formed. 表示面が30インチを越えると全体の重量は100kgを優に越えることになった。 The weight of the entire the display surface exceeds 30 inches had to well over 100 kg. 一般の家庭において100kgを越えた重量物を置くには、よっぽど場所を限定しなければ難しいものがある。 To put heavy beyond the 100kg in a general household, there is a difficult to be limited defintely place. また、その重量はレイアウト変更等が生じた場合に、人力で移動させることは難しくなり、一般家庭への普及の障害となっていた。 Further, its weight when layout change or the like occurs, be moved manually is difficult, has been an obstacle to widespread use of the household.

【0005】そこで、重量の解決のため、プロジェクション型のテレビ受像機が提案されている。 [0005] Therefore, because of the weight of the resolution, projection type television receiver has been proposed. これは輝度の高いブラウン管による表示を光学系で拡大表示してスクリーンに映し出す方式も提案され、表示面積の大きな物に利用されている。 It is also proposed scheme to project on a screen in an enlarged view the display by high intensity CRT by an optical system, are used to a large ones display area.

【0006】近年、このプロジェクション型において、 [0006] In recent years, in this projection type,
ブラウン管に代わって、アモルファスシリコンを使った薄膜トランジスタ方式の液晶パネルをその元となる表示体として使用したものが実用化提案されている。 On behalf of the cathode ray tube, a liquid crystal panel of the TFT type using amorphous silicon that was used as a display member to be its original it has been proposed put into practical use. 重量はプロジェクションのブラウン管方式に比べて、30%程度ですむために一般家庭への普及を助ける要因の一つとなった。 Weight compared to the cathode-ray tube of a projection, and one of the factors that help spread to general households for requires only about 30%.

【0007】この液晶パネルを使用したプロジェクション表示装置は通常、赤(R)、緑(G)、青(B)専用の3枚の液晶パネルを使用し図2に示すような光学系にて1つの画面に合成して拡大表示する。 [0007] The liquid crystal panel projection display device using a normally by red (R), green (G), and blue (B) only three optical system shown in and Figure 2 using the liquid crystal panel 1 One of synthesis to enlarge the screen. その為にこの3 The 3 for the
枚液晶パネルは高精度の位置合わせ精度を必要とされ、 Single liquid crystal panel is required alignment accuracy of precision,
具体的には1μmの精度が要求される。 It is specifically required 1μm accuracy.

【0008】この様なプロジェクション方式の表示装置は3インチ程度の液晶パネルを4〜5m離れたスクリーン上に約100インチの画面に拡大して表示する。 [0008] To display an enlarged liquid crystal panel of the display device is about 3 inches such projection type screen of about 100 inches on a screen at a distance 4-5 m. この為、100インチの表示画面が粗くなりぼやけた表示とならないように拡大する前の表示用の液晶パネルを高精細にする必要がある。 For this reason, it is necessary to make the liquid crystal panel for display prior to enlargement so as not to display the display screen 100 inches blurred becomes rough in high-definition.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】この様な液晶パネルにおいては当然ながら隣合った画素電極間の距離が短くなる。 BRIEF Problem to be Solved by the distance between the pixel electrode Tonaria' course in such a liquid crystal panel is shortened. この狭い間隔にアクティブ素子用の金属配線がX方向またはY方向に設けられている。 Metal wiring for active elements are provided in the X direction or Y direction to the narrow gap. 図3はその様子を示す液晶パネルの概略断面図である。 Figure 3 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel showing its state. 同図において、説明を簡単にするためにスィッチング素子のない部分を示し、説明に必要な要素のみを描いたので実際の液晶パネルとは若干構成が異なっている。 In the figure, shows a partial no switching devices in order to simplify the explanation, it differs slightly configuration from the actual liquid crystal panel since only depicting the elements necessary for explanation.

【0010】101は透明のガラス基板であり、102 [0010] 101 is a transparent glass substrate, 102
と103は画素電極を示している。 When 103 denotes a pixel electrode. この画素電極の間隔は数百μm程度であり、この間に金属配線104が設けられている。 Interval of the pixel electrode is about several hundred [mu] m, the metal wiring 104 is provided therebetween.

【0011】プロジェクション表示装置ではリア型、フロント型ともに強力な光源からの光をこの液晶パネルに照射し、光学系を使用して拡大表示する。 [0011] rear in projection display device was irradiated with light from a strong light source to a front-type both on the liquid crystal panel, to enlarge using an optical system. この光源からの光Lはガラス基板を通過して、画素部分に照射されるが、同時にアクティブ素子の金属配線部分104にも照射される。 Light L from the light source passes through the glass substrate, but is irradiated to the pixel portion, is irradiated to the metal wiring portion 104 of the active element at the same time. この部分では光は反射、散乱され、この散乱、反射された光はガラス基板部分で再度、反射、散乱されるものとそのまま液晶パネル外部に出て行くものとが存在する。 Light reflected in this portion, are scattered, this scattered, reflected light is again a glass substrate portion, reflection, and shall be scattered to that it exits the liquid crystal panel outside exists.

【0012】今、画素103の表示をOFFとして、光の透過をさせない時でもこの配線部分にて反射、散乱された光は画素の周辺部分から液晶パネルを透過して行く、その為画素102をOFFとしていても、若干の光がもれ、表示のコントラストが悪くなってしまっていた。 [0012] Now, as OFF the display of the pixel 103, reflected by the wiring portion even when not to the transmission of light, scattered light is going through the liquid crystal panel from the peripheral portion of the pixel, the order of pixels 102 be in the OFF, leakage is some light, the contrast of the display has fallen into worse.

【0013】特にプロジェクション表示装置ではリア型、フロント型ともにまわりが明るい場所でもよく見えるように、投影画面を明るくすることが望まれ、その為より強力な光源で光を照射するようになり、前述の反射、散乱させられる光(迷光)の強度がつよくなり、表示のコントラスト低下に大きく影響を与えていた。 [0013] Particularly rear in projection display apparatus, as around the front type both look good even in a bright place, it is desired to brighten the projection screen, it will be irradiated with light in a strong light source than Therefore, the aforementioned the reflection intensity of light (stray light) which is caused to scatter becomes stronger, it has greatly influenced the reduced contrast of the display.

【0014】さらに、表示画面の高精細化、高密度化が進行してゆくと、画素の間隔がより狭くなるか、画素の大きさと配線の大きさの比がより小さくなるため、この迷光の影響がより大きくなり、より表示コントラストを高めることが必要となっていた。 Furthermore, high definition of the display screen, the densification slide into progress, or spacing of pixels becomes narrower, since the ratio of the magnitude of the size and the wiring of the pixel becomes smaller, the stray light influence becomes larger, it had become necessary to enhance the display contrast.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】本発明は前述のような迷光によるコントラストの低下を防止するものであり、図1に示されるように、液晶パネルを構成する基板のうち少なくとも一方の基板上のアクティブ素子の金属配線の側周辺の一部に光を吸収する層109を設け、この迷光の発生を抑えるものである。 The present invention SUMMARY OF] is intended to prevent a reduction in contrast due to stray light as described above, as shown in FIG. 1, on at least one substrate of the substrates constituting the liquid crystal panel the layer 109 for absorbing light is provided in a part of the side periphery of the metal wiring of the active elements, and suppresses occurrence of stray light.

【0016】図1において、金属配線104は直接基板上に設けられているが、この図は必要な要素のみの概略を示したものであり、実際には、必要に応じてこの配線の上、下にその他の機能を持つ膜が設けられる。 [0016] In FIG 1, the metal wiring 104 is provided directly on the substrate, the figures are outlined only elements necessary, in fact, over the wiring if necessary, films having other functions under is provided.

【0017】この光吸収層109とは、迷光を発生させず、むしろ迷光を減らす機能を持つものであり、使用する材料としては黒色の物であれば光を吸収することはできるが、液晶材料、アクティブ素子および電極材料への影響を考慮すると、気相法により形成された炭素を主成分とする薄膜(例えば、ダイヤモンドライクカーボン、 [0017] and the light-absorbing layer 109, without generating stray light, but rather is intended to have a function to reduce the stray light, it is possible as a material used to absorb light as long as it black, the liquid crystal material , considering the effect of the active element and an electrode material, a thin film containing carbon as a main component formed by a gas phase method (e.g., diamond-like carbon,
アモルファスカーボン)や黒色の電子材料用の有機材料膜や金属の酸化膜等が適用可能であった。 Amorphous carbon) or an organic material film or a metal oxide film for electronic materials such as black were applicable.

【0018】この光吸収層の金属配線に対する位置関係は図4に示されるように様々な態様が考えられる。 The positional relationship relative to the metal wiring of the light-absorbing layer is different embodiments are conceivable as shown in FIG. 図4 Figure 4
(A)では金属配線104の基板と反対側の面上に光吸収層109が設けられている。 Light absorbing layer 109 is provided (A) opposite on the surface in the substrate of the metal lines 104. この場合の光吸収層の形成方法の概略としては基板上に形成された金属配線の上全面に気相法により炭素を主成分とする被膜を形成する。 As the outline of the method of forming the light absorption layer when a film mainly composed of carbon by vapor phase method on the entire surface of the metal wiring formed on the substrate. 次にフォトリソ工程を使用してこの被膜109をエッチング除去する。 Next, this coating 109 is etched away using a photolithographic process. この時フォトレジストの露光の際に光を基板側より入射して、金属配線をマスクとして使用し配線とセルファラインで形成することも可能である。 Light during exposure at this time the photoresist incident from the substrate side, it is possible to form a metal wiring using a mask interconnection and self-alignment.

【0019】また、図1の場合は基板全面上に炭素を主成分とする被膜を形成した後に、金属配線用材料を全面に形成し、この後、一枚のマスクを使用して、金属配線と光吸収層を同一工程で同時に形成することができる。 Further, after forming a coating film containing carbon as a main component onto the whole surface of the substrate in the case of FIG. 1, the metal wiring material is formed on the entire surface, thereafter, using a single mask, a metal wiring it can be simultaneously formed in the same process the light-absorbing layer and.
図4(B)(C)はこの工程の組合せにて形成することができる。 Figure 4 (B) (C) may be formed by a combination of this process.

【0020】一方、図4の(D)は印刷法により、エポキシ樹脂の中に黒い染料を含有した有機樹脂等を直接金属配線上に印刷して光吸収層110を形成したものであり、印刷の際のパターンを任意に変更して、画素電極1 Meanwhile, the (D) the printing method of FIG. 4, by printing an epoxy organic resin containing a black dye into a resin or the like directly on the metal wire is obtained by forming a light-absorbing layer 110, printed arbitrarily changing the pattern when the pixel electrode 1
02、103の間に形成する。 Formed between the 02,103. このように金属配線の殆どを基板と有機樹脂の光吸収層で覆った場合、金属配線と画素電極または金属配線どうし間での電気信号のリークを抑える効果も同時に期待することができる。 Thus if most of the metal wire covered with a light absorbing layer of the substrate and the organic resin, can also be expected at the same time the effect of suppressing the leakage of the electric signal between the metal wiring and the pixel electrode or the metal wiring each other. また、 Also,
気相法で形成された炭素を主成分とする被膜9は前述の方法にて形成されるが、必要に応じて省略することも可能である。 Although the coatings 9 containing carbon as a main component formed by a gas phase method are formed by the aforementioned method, it can be omitted if desired.

【0021】また、図4(C)に記載の構造は金属配線の露出している表面を直接酸化することにより、形成してもよい、例えば金属配線がアルミニウムの場合、表面をアルマイト処理して、黒色のアルマイトを表面に形成してもよい。 Further, by the structure described is that direct oxidation of the exposed surface of the metal wiring in FIG. 4 (C), may be formed, for example, when the metal wire is aluminum, the surface is anodized , a black alumite may be formed on the surface. また、一般には金属配線の表面を酸化して、完全な酸化膜ではなく低級酸化膜とすると表面が黒色化して、光吸収層を形成できる。 Also, generally by oxidizing the surface of the metal wiring, complete surface When lower oxide film rather than oxide film is blackened to form a light-absorbing layer.

【0022】さらに、この光吸収層と基板および電極との配置関係は採用した液晶パネルの構造、アクティブ素子の構造により様々な実施態様が存在する。 Furthermore, the arrangement relationship between the light-absorbing layer and the substrate and the electrode structure employing the liquid crystal panel, there are various embodiments by the structure of the active element. その際には、形成の為の工程数やコスト等を考慮して採用すればよい。 At that time, the number of steps and cost, etc. for forming may be employed in consideration.

【0023】また、図4は光吸収層と基板、電極との配置の関係を示すために必要な構成要素のみを描いたもので、この構成に限定することを意図した図面ではない。 Further, FIG. 4 is intended to depict only components necessary for illustrating the relationship of the arrangement of the light-absorbing layer and the substrate, the electrode, not intended drawings to be limited to this configuration.
実際の液晶パネルにおいてはその他の構成要素は多数存在する。 In an actual liquid crystal panel There are many other components.

【0024】気相法にて炭素を主成分とする被膜を形成する場合、エチレン、メタン等の炭化水素気体に対して、熱や電気的なエネルギーを与えて分解して被膜するが、通常形成される炭素膜は透明あるいは半透明性のものであり、そのままでは光吸収層としては使用出来ないので、黒色化する必要がある。 In the case of a film mainly composed of a carbon by a vapor phase method, ethylene, relative to hydrocarbon gases such as methane, to decompose giving heat and electrical energy to the film, but typically form the carbon film to be be of transparent or translucent, is as it can not be used as the light absorbing layer, it is necessary to blackening. この黒色化した炭素膜を形成する方法としては、プラズマCVD装置を使用して、反応性気体としては炭化水素気体(例えばアセチレン、エチレン、エタン、等の飽和不飽和炭化水素)を使用して、高周波(13.56MHz)の電力を加えて分解活性化して被膜を形成するがその際に被膜形成基板に接地電位に対してマイナスの高いバイアス電位を与えることにより、黒色化した炭素膜を形成する事ができる。 As a method for forming the blackened carbon film, using a plasma CVD apparatus, as the reactive gas by using hydrocarbon gas (such as acetylene, ethylene, ethane, saturated unsaturated hydrocarbons etc.), Although high frequency and cracking activity by the addition of power (13.56 MHz) to form a coating film by applying a high bias voltage minus for that time ground potential to the film forming substrate, to form a blackened carbon film it is thing.

【0025】具体的には、エチレン気体10SCCMを反応室に流し、反応室内の圧力0.05torr、Rf [0025] Specifically, flowing ethylene gas 10SCCM to the reaction chamber, the reaction chamber pressure 0.05 torr, Rf
出力60Wで基板温度はとくにせず、基板バイアス電圧を−700V加えて形成した。 Substrate temperature output 60W was formed by adding -700V Tokunisezu, a substrate bias voltage. この時基板に加えるバイアス電圧は高い程より黒色化した被膜を形成することができ、バイアス電圧−100V以上では透明に近いがその値を越して負のバイアス電圧が高くなると黒色化した膜が形成される。 Bias voltage applied to the case substrate can form a blackened film than enough high, film is almost transparent in the bias voltage -100V or more blackened when a negative bias voltage is increased past the value is formed It is. この膜の電気的特性は10 -7 Scm台の導電率が得られ、誘電率は3.03と低誘電率の膜であった。 Electrical properties of the film obtained 10 -7 Scm base conductivity and a dielectric constant of films of 3.03 and a low dielectric constant.

【0026】この炭素膜を図1および図4のようにパターニングする際には酸素やNF 3のようなエッチング気体を使用して、パターニング可能であり、その他の被膜との選択比も十分にとることができる。 [0026] Using an etching gas such as oxygen and NF 3 is the time of patterning the carbon film as in FIG. 1 and FIG. 4, a patterning takes in enough selectivity to the other coating be able to.

【0027】 [0027]

【実施例】『実施例1』 本実施例においては、アクティブ素子として、一つの画素電極に相補型構成の薄膜トランジスタを形成した例を示す。 EXAMPLE In this example "Example 1" indicates the active element, an example of forming a thin film transistor of complementary configuration to the one pixel electrode.

【0028】本実施例では図5に示すような回路構成すなわちインバータ型の回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、液晶表示装置の説明を行う。 [0028] In the present embodiment by using a liquid crystal display device using the circuit configuration or circuit configuration of the inverter type, as shown in FIG. 5, a description of a liquid crystal display device. この回路構成に対応する実際の電極等の配置構成を図6に示している。 It is shown in Figure 6 the arrangement of actual electrode or the like corresponding to this circuit configuration. これらは説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記載されている。 These are described only portions corresponding to the 2 × 2 for simplicity of explanation.

【0029】まず、本実施例で使用する液晶電気光学装置の作製方法を図7を使用して説明する。 [0029] First, a method for manufacturing a liquid crystal electro-optical device used in the present embodiment by using FIG. 図7(A)において、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例えば約600℃の熱処理に耐え得るガラス50上にマグネトロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層51としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚さに作製する。 In FIG. 7 (A), 700 ° C. less expensive such as quartz glass or less, for example, on the glass 50 capable of withstanding heat treatment at about 600 ° C. The silicon oxide film serving as a blocking layer 51 by magnetron RF (radio frequency) sputtering method 1000 to produce the thickness of the ~3000Å. プロセス条件は酸素100%雰囲気、成膜温度15℃、出力400〜800W、圧力0.5Pa The process conditions 100% oxygen atmosphere, a film formation temperature 15 ° C., the output 400~800W, pressure 0.5Pa
とした。 And the. タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度は30〜100Å/分であった。 Data - deposition rate with a quartz or single-crystal silicon target was 30~100A / min.

【0030】この上にシリコン膜をLPCVD(減圧気相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成した。 [0030] forming a silicon film on the LPCVD (low pressure chemical vapor) method, a sputtering method or a plasma CVD method. 減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも1 When forming a reduced pressure vapor phase method, than the crystallization temperature 1
00〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃ From 00 to 200 ° C. lower 450 to 550 ° C., for example 530 ° C.
でジシラン(Si 26 )またはトリシラン(Si 38 )をCVD装置に供給して成膜した。 Was deposited in disilane (Si 2 H 6) or trisilane (Si 3 H 8) was supplied to the CVD apparatus. 反応炉内圧力は30〜 Reactor pressure is 30
300Paとした。 Was 300Pa. 成膜速度は50〜250Å/分であった。 The deposition rate was 50~250Å / min. NTFTとPTFTとのスレッシュホールド電圧(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用いて1×10 15 〜1×10 18 cm -3の濃度として成膜中に添加してもよい。 To control the outline identical to the threshold voltage (Vth) between the NTFT and the PTFT, boron may be added during deposition as the concentration of 1 × 10 15 ~1 × 10 18 cm -3 with diborane.

【0031】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧を1×10 -5 Pa以下とし、単結晶シリコンをターゲットとして、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲気で行った。 [0031] When performing the sputtering method, the back pressure of the pre-sputtered with 1 × 10 -5 Pa or less single-crystal silicon as a target was performed in an atmosphere mixed with hydrogen in argon 20-80%. 例えばアルゴン20%、水素80%とした。 For example, argon 20% was 80% hydrogen. 成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、 The film forming temperature is 150 ℃, frequency is 13.56MHz,
スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paであった。 Sputtering output 400~800W, pressure was 0.5 Pa.

【0032】プラズマCVD法により珪素膜を作製する場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH 4 )またはジシラン(Si 2 H 6 ) を用いた。 [0032] When fabricating a silicon film by plasma CVD, the temperature is, for example, 300 ° C., using monosilane (SiH 4) or disilane (Si 2 H 6). これらをPCVD装置内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成膜した。 These were introduced into the PCVD apparatus, was formed by adding 13.56MHz high frequency power.

【0033】これらの方法によって形成された被膜は、 [0033] formed by these methods coatings,
酸素が5×10 21 cm -3以下であることが好ましい。 It is preferred oxygen is 5 × 10 21 cm -3 or less. この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニール温度を高くまたは熱アニール時間を長くしなければならない。 When the oxygen concentration is high, difficult to crystallize, it must increase or to lengthen the thermal annealing time thermal annealing temperature. また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリーク電流が増加してしまう。 When addition is too small, the leakage current in the OFF state is increased by the backlight. そのため4×10 19 〜4 Therefore 4 × 10 19 ~4
×10 21 cm -3の範囲とした。 It ranged from × 10 21 cm -3. 水素は4×10 20 cm -3であり、珪素4×10 22 cm -3として比較すると1原子%であった。 Hydrogen is a 4 × 10 20 cm -3, was 1 atomic% when compared as silicon 4 × 10 22 cm -3. また、ソース、ドレインに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を7×10 19 cm -3以下、好ましくは1×10 19 cm -3以下とし、ピクセル構成するTFT Further, in order to promote a more crystallization source, with respect to the drain, the oxygen concentration 7 × 10 19 cm -3 or less, preferably 1 × 10 19 cm -3 or less, TFT constituting the pixel
のチャネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により5 5 only in the channel forming region of oxygen ion implantation method
×10 20 〜5×10 21 cm -3となるように添加してもよい。 It may be added to a × 10 20 ~5 × 10 21 cm -3. その時周辺回路を構成するTFTには光照射がなされないため、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるために有効である。 The light irradiation is not performed on the TFT constituting the peripheral circuit at that time, the mixing of the oxygen less, that allowed to have a greater carrier mobility, that is effective to a high-frequency operation.

【0034】次に、アモルファス状態の珪素膜を500 [0034] Next, a silicon film in an amorphous state 500
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4 ~5000A, after fabrication, for example, in a thickness of 1500 Å, 4
50〜700℃の温度にて12〜70時間非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて600 Heat treatment of the intermediate temperature at 12-70 hours non-oxide atmosphere at a temperature of 50 to 700 ° C., for example under a hydrogen atmosphere 600
℃の温度で保持した。 It was held at ℃ of temperature. 珪素膜の下の基板表面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールされる。 Since the substrate surface under the silicon film a silicon oxide film of an amorphous structure is formed, there is no particular nuclei this heat treatment, the whole is uniformly heated annealing. 即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水素は単に混入しているのみである。 That is, during the film formation has an amorphous structure, also hydrogen is merely are mixed.

【0035】アニールにより、珪素膜はアモルファス構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈する。 [0035] By annealing the silicon film moves in a high state of orderliness amorphous structure, part exhibits a crystalline state. 特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。 Particularly higher ordered regions in the state after deposition of the silicon is to become a particular crystalline state by crystallization. しかしこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がなされるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。 However, since the mutual coupling is made of silicon that exists between these regions, silicon comrades mutual pulling each other. レーザラマン分光により測定すると単結晶の珪素のピーク522 As measured by laser Raman spectroscopy of silicon single crystal peaks 522
cm -1より低周波側にシフトしたピークが観察される。 peak shifted from the low frequency side cm -1 is observed. それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、50〜5 When it apparent particle size calculated from the half value width, 50-5
00Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素どうしで結合(アンカリング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させることができた。 Although 00Å and look like the microcrystal, actually has a cluster structure there many regions with high The crystallinity between each cluster coupled to each other silicon each other (anchoring) coating has been semi-amorphous structure it was possible to form a.

【0036】結果として、被膜は実質的にグレインバウンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態を呈する。 [0036] As a result, the coating is substantially (hereinafter referred to as GB) grain boundary exhibits a good condition to say that there is not. キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGB Because the carrier is capable of moving together easily through the points that have been anchored between the clusters, so-called GB
の明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度となる。 A higher carrier mobility than the polycrystalline silicon present clear of. 即ちホール移動度(μh)=10〜200cm 2 That is the hole mobility (μh) = 10~200cm 2
/VSec、電子移動度(μe )=15〜300cm 2 / VSec, electron mobility (μe) = 15~300cm 2 /
VSecが得られる。 VSec is obtained.

【0037】他方、上記の如き中温でのアニールではなく、900〜1200℃の高温アニールにより被膜を多結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリア(障壁)を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してしまう。 [0037] On the other hand, instead of the annealing at above-mentioned intermediate temperature, when polycrystalline coatings by high-temperature annealing at 900 to 1200 ° C., happening segregation of impurities in the film by solid phase growth from the nucleus, the GB oxygen, carbon, impurities are increased, such as nitrogen, the mobility in the crystal is large, thus inhibiting the movement of carriers therein to make the barrier (barrier) in GB. 結果として10cm 2 /VSec以上の移動度がなかなか得られないのが実情である。 As a result 10 cm 2 / Vsec or more mobility is fact is not easily obtained. 即ち、本実施例ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いている。 That is, by such reasons thus in this embodiment uses a silicon semiconductor having a semi-amorphous or semi-crystal structure.

【0038】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として500〜2000Å例えば1000Åの厚さに形成した。 [0038] was formed to a thickness of 500~2000Å example 1000Å silicon oxide film as a gate insulating film thereon. これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同一条件とした。 It was prepared under the same conditions of the silicon oxide film as a blocking layer. この成膜中に弗素を少量添加し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。 The small amount of fluorine during film formation, may be immobilized in sodium ions.

【0039】この後、この上側にリンが1〜5×10 21 [0039] Thereafter, phosphorus in this upper 1 to 5 × 10 21
cm -3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とその上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),M cm silicon film entered the concentration of -3 or molybdenum silicon film and thereon (Mo), tungsten (W), M
oSi 2またはWSi 2との多層膜を形成した。 thereby forming a multilayer film of OSI 2 or WSi 2. これを第2のフォトマスクにてパターニングして図7(B) This is patterned by the second photomask FIG 7 (B)
を得た。 It was obtained. PTFT用のゲイト電極9、NTFT用のゲイト電極19を形成した。 Forming a gate electrode 9, the gate electrode 19 for NTFT for PTFT. 例えばチャネル長10μm、ゲイト電極としてリンドープ珪素を0.2μm、その上にモリブデンを0.3μmの厚さに形成した。 For example the channel length 10 [mu] m, 0.2 [mu] m phosphorus-doped silicon as a gate electrode was formed of molybdenum thereon to a thickness of 0.3 [mu] m. 図7(C) Figure 7 (C)
において、フォトレジスト57をフォトマスクを用いて形成し、PTFT用のソ−ス10、ドレイン12に対し、ホウ素を1〜5×10 15 cm -2のドーズ量でイオン注入法により添加した。 In the photoresist 57 is formed using a photomask, Seo for PTFT - scan 10, to drains 12, was added by an ion implantation method at a dose of 1 to 5 × 10 15 cm -2 of boron. 次に図7(D)の如く、NTF Then as FIG. 7 (D), NTF
Tをフォトマスクを用いて形成した。 The T was formed by using a photo-mask. NTFT用のソース20、ドレイン18としてリンを1〜5×10 15 cm Source 20 for NTFT, phosphorus 1 to 5 × as a drain 18 10 15 cm
-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。 It was added by an ion implantation method at a dose of 2.

【0040】これらはゲイト絶縁膜54を通じて行った。 [0040] These were carried out through the gate insulating film 54. しかし図7(B)において、ゲイト電極55、56 However, in FIG. 7 (B), the gate electrodes 55 and 56
をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよい。 The removed silicon oxide on the silicon film as a mask, then boron, may be ion-implanted into the phosphorus directly silicon film.

【0041】次に、600℃にて10〜50時間再び加熱アニ−ルを行った。 Next, heat annealing 10-50 hours again at 600 ° C. - was le. PTFTのソース10、ドレイン12、NTFTのソース20、ドレイン18を不純物を活性化してP + 、N +として作製した。 Source 10 of PTFT, the drain 12, NTFT source 20, P + and the drain 18 to activate the impurities, were prepared as N +. またゲイト電極9、19下にはチャネル形成領域21、11がセミアモルファス半導体として形成されている。 Also on the lower gate electrode 9 and 19 the channel forming region 21, 11 is formed as a semi-amorphous semiconductor.

【0042】かくすると、セルフアライン方式でありながらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えることがなくC/TFTを作ることができる。 [0042] Upon Thus, while a self-alignment manner, it is possible to make C / TFT without the addition of temperature in all steps above 700 ° C.. そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロセスである。 Therefore, as a substrate material may not use an expensive substrate such as quartz, it is very suitable process in the liquid crystal display device having a large pixel of the present invention.

【0043】本実施例では熱アニールは図7(A)、 [0043] Thermal annealing in this embodiment FIG. 7 (A),
(D)で2回行った。 2 times was carried out in (D). しかし図7(A)のアニールは求める特性により省略し、双方を図7(D)のアニールにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。 However omitted by annealing obtaining characteristics of FIG. 7 (A), both may be shortened in doubles by annealing manufacturing time shown in FIG. 7 (D) a. 図7(E)において、層間絶縁物65を前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。 In FIG. 7 (E), was performed as formation of a silicon oxide film by a sputtering method with the interlayer insulator 65. この酸化珪素膜の形成はLPCVD法、光CVD法、常圧CVD法を用いてもよい。 Formation LPCVD method of the silicon oxide film, a light CVD method, may be used atmospheric pressure CVD method. 例えば0.2〜0.6μmの厚さに形成し、その後、フォトマスクを用いて電極用の窓66を形成した。 For example, is formed to a thickness of 0.2 to 0.6 [mu] m, then, to form a window 66 for the electrode using a photo mask. さらに、これら全体に金属配線材料としてアルミニウムをスパッタ法により形成する。 Further formed by sputtering aluminum as metal wiring material throughout these. この上に光吸収層として炭素を主成分とする被膜を形成する。 The upper a film mainly composed of carbon as a light absorbing layer. この形成条件はエチレン気体20SCCM、反応圧力0.05Tor The formation conditions of ethylene gas 20 SCCM, a reaction pressure 0.05Tor
r、Rf出力70W、基板バイアス電圧−500Vで厚さ2000Åに形成した。 r, Rf output 70 W, was formed to a thickness 2000Å by the substrate bias voltage -500 V. 次にフォトマスクを使用して、レジストパターンを形成し、炭素膜は酸素気体を使用したプラズマエッチングにより除去し、次にレジストパターンまたはパターニングされた炭素膜をマスクとして塩素気体と四弗化炭素の混合気体を使用して、プラズマエッチングを行い、金属配線71、72および光吸収層109を同一の工程により形成した。 Then using a photo mask, a resist pattern is formed, the carbon film was removed by plasma etching using oxygen gas, then the resist pattern or patterned carbon film chlorine gas and carbon tetrafluoride as a mask using a mixed gas, plasma etching is performed to form a metal wiring 71, 72 and the light absorption layer 109 by the same process.

【0044】この金属配線と光吸収層とは図6で示すX [0044] X shown in FIG. 6 is a metal wiring and the light absorbing layer
方向の配線5、6、7、8、に相当し、液晶パネル外からはブラックのストライプが観察される。 It corresponds to the direction of the wiring 5, 6, 7, 8, black stripes are observed from outside the liquid crystal panel.

【0045】次に、表面を平坦化用有機樹脂69例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。 Next, a planarizing organic resin 69 for example translucent polyimide resin surface coating formed were electrodes drilling again in the photomask.

【0046】図7(F)に示す如く2つのTFTを相補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりITO(インジューム・スズ酸化膜)を形成した。 [0046] Two TFT as shown in FIG. 7 (F) and a complementary configuration, and for connecting thereto the output electrodes of one pixel of a liquid crystal device as a transparent electrode, ITO (indium-by sputtering tin oxide film) was formed. それをフォトマスクによりエッチングし、画素電極17を構成させた。 It was etched by the photo mask was composed of a pixel electrode 17. このITOは室温〜150℃で成膜し、200〜400℃の酸素または大気中のアニールにより成就した。 The ITO is deposited at room temperature to 150 DEG ° C., it was fulfilled by annealing oxygen or atmospheric 200 to 400 ° C..

【0047】かくの如くにしてPTFT22とNTFT [0047] In the as of nuclear PTFT22 and NTFT
13とこれらの金属配線と光吸収層109とを同一ガラス基板50上に作製した。 13 and these metal wires and the light absorption layer 109 was prepared on the same glass substrate 50. 得られたTFTの特性はPT The properties of the resulting TFT is PT
FTで移動度は20(cm 2 /VS)、Vthは−5.9 Mobility in the FT 20 (cm 2 / VS), Vth is -5.9
(V)で、NTFTで移動度は40(cm 2 /VS)、V In (V), the mobility in NTFT is 40 (cm 2 / VS), V
thは5.0(V)であった。 th was 5.0 (V).

【0048】上記の液晶電気光学装置上のTFTの構造は、インバータ型であるが、バッファ型であっても全く同じであることは、いうまでもない。 The structure of the TFT on the liquid crystal electro-optical device described above is an inverter type, it is also a buffer type is exactly the same, of course. この様にして、第一の基板を得た。 In this way, to obtain a first substrate.

【0049】また、もう一方の基板として、同様のガラス基板のほぼ全面に透明電極を設けたものを第二の基板として使用する。 [0049] Further, used as the other substrate, those having a substantially entire surface transparent electrode similar glass substrate as a second substrate. 第一の基板と第二の基板との透明電極の上にオフセット印刷法によりNMP(Nメチル2ピロリドン)にて希釈されたポリイミド溶液を印刷し、その後に50℃10分間の仮焼成の後、280℃の窒素雰囲気中にて、1時間本焼成を行い配向膜を形成する。 Print the diluted polyimide solution at NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) by an offset printing method on the first substrate and the transparent electrode of the second substrate, after the subsequent calcination of 50 ° C. 10 min, in a nitrogen atmosphere at 280 ° C., to form an alignment film for 1 hour the firing. 次にアクティブ素子の形成されていない第二の基板のみに対してラビング処理を施し、第一の基板と第2の基板とを7.5μmの径のスペーサを挟んで貼り合わせ、液晶セルを完成し、このセル内に液晶材料を注入して液晶電気光学装置を完成した。 Then a rubbing process on only the second substrate is not formed in the active element, a first substrate and a second substrate bonded across the spacer diameter of 7.5 [mu] m, completing a liquid crystal cell and, to complete the liquid crystal electro-optical device by injecting a liquid crystal material into the cell.

【0050】本実施例において作製した、液晶パネルは従来の液晶パネルに比較して、約10〜50%程度迷光が減り、コントラスト比の値が25から32に向上した。 [0050] was prepared in the present embodiment, the liquid crystal panel as compared with the conventional liquid crystal panel, reduces about 10 to about 50% of stray light, the value of the contrast ratio is improved from 32 to 25.

【0051】『実施例2』 本実施例では、アクティブ素子として、Si XY (X+Y=1)膜を使用したM [0051] In "Example 2" This example, as active elements, Si X C Y (X + Y = 1) Using the film M
IM素子の例を示す。 It shows an example of the IM element.

【0052】図8(A)に示す様に、まず0.7mmのポリカーボネイト(200)に、RFスパッタで酸化珪素膜(201)を1000〜3000Å設ける。 [0052] As shown in FIG. 8 (A), first to 0.7mm polycarbonate (200) is provided 1000~3000Å ​​a silicon oxide film (201) in RF sputtering. 次に基板の全面に炭素を主成分とする被膜を2000Åの厚さに形成する(形成方法は実施例1と同様)、次に金属モリブデンをスパッタ法にて全面に形成した後に幅15μ Then a film mainly composed of carbon on the entire surface of the substrate to a thickness of 2000 Å (similar forming method as in Example 1), the width then metallic molybdenum after forming on the entire surface by sputtering 15μ
mのストライプ状のマスクパターンを使用して、ドライエッチング法にて概略同一形状を持つ光吸収層202と金属配線203とを形成する。 Using a stripe-shaped mask pattern of m, to form a light absorbing layer 202 and the metal wire 203 having substantially the same shape by a dry etching method.

【0053】次に、同図(B)のようにこの配線203 Next, the wiring as shown in FIG. (B) 203
を含む基板全面上に、プラズマCVD法にて、下記条件の下にグロー放電を行い、Si XY (X+Y=1)膜(204)を1000Å成膜した。 On the entire surface of the substrate including the, by a plasma CVD method, subjected to glow discharge under the following conditions to Si X C Y a (X + Y = 1) layer (204) to 1000Å deposited. 成膜条件は、ガス混合比C 24が2SCCM、SiH 4が1SCCM、P Deposition conditions, the gas mixture ratio C 2 H 4 is 2 SCCM, SiH 4 is 1 SCCM, P
3 (5重量%)/SiH 4が1SCCM、H 2が10 H 3 (5 wt%) / SiH 4 is 1 SCCM, H 2 is 10
SCCMであり、反応圧力が50Pa、RFパワーが1 A SCCM, a reaction pressure 50 Pa, RF power is 1
00Wである。 Is 00W.

【0054】本実施例においてPH 3を添加するのは、 [0054] The addition of PH 3 in this embodiment,
膜(204)の導電率を変化させ、アクティブ素子の電気的特性の非線型特性を制御するためであり、30体積%以下の割合で添加すると効果がある。 Changing the conductivity of the film (204) is for controlling the non-linear characteristics of the electrical characteristics of the active element, it is effective when added in a proportion of 30% by volume or less. この非線型性を制御する方法としては、熱アニールを加える方法がある。 As a method for controlling the nonlinearity, there is a method of applying a thermal annealing. これは、MIM型素子のI(insulator)部分に相当する薄膜(204)の脱水素化を計ることによって膜中の水素含有量をコントロールし、MIM型素子の非線型性を制御するものである。 This controls the hydrogen content in the film by measuring the dehydrogenation of the thin film (204) corresponding to the I (Insulator) portion of the MIM type device, controls the non-linearity of the MIM type device . 本実施例では、この熱アニールの処理条件は、温度が380℃、圧力が100Pa、 In this embodiment, the process conditions of this heat annealing, the temperature is 380 ° C., the pressure is 100 Pa,
処理雰囲気がAr、処理時間が1時間とした。 Treatment atmosphere is Ar, treatment time was 1 hour. また、本発明においてはこのSi XY (X+Y=1)で示される組成物を含む薄膜(204)の厚さを2000Å以下、好ましくは1000Å以下にすることによって、その光透過性を高めることができた。 Further, 2000 Å thickness of the present invention the Si X C Y (X + Y = 1) thin film comprising a composition represented by (204) or less can be applied, preferably by a 1000Å or less, to increase the optical transparency It could be.

【0055】従来はMIM型素子のinsulator 部分に使用されていた材料、例えばTaO 5 (5酸化タンタル) [0055] has been conventionally used in the insulator portion of the MIM type element material, for example, TaO 5 (5 tantalum oxide)
膜を用いようとする場合、その光透過性が問題となるので、なるべくその面積を小さくする等の工程上の制約があった。 If you try to use a film, because the optical transparency is a problem, there has been a process constraints such that as small as possible the area.

【0056】その後,図8(C)に示すように。 [0056] Thereafter, as shown in FIG. 8 (C). 再びD Again D
Cスパッタ法によって、膜(204)上にITOを10 The C sputtering, the ITO on the membrane (204) 10
00Å成膜し、フォトリソ法を用いて、画素の電極(2 And 00Å deposited, by photolithography, the electrode of the pixel (2
05)を得た。 05) was obtained. この場合、マグネトロン型RFスパッタ法を用いてもよい。 In this case, it may be used magnetron RF sputtering.

【0057】画素電極の一方である電極205の寸法は、一辺が250μmの正方形とし、画素間のギャップは、25μmとした。 [0057] The dimensions of the electrode 205 is one of a pixel electrode, one side is the square of 250 [mu] m, the gaps between pixels, and a 25 [mu] m. この画素の電極(205)は表示の際、単位画素となる大きさを有するものであり、薄膜(204)に加わる電界が各画素において均一になるように作用するものである。 Electrode of the pixel (205) when displayed, are those having a size serving as a unit pixel, in which the electric field applied to the thin film (204) acts to be uniform in each pixel. この様にして、一方の第一の基板を得た。 In this way, we obtained one of the first substrate.

【0058】第二の基板は第一の基板と同様にポリカーボネイトを使用し、第一の基板と同様に酸化珪素膜を形成した。 [0058] The second substrate of polycarbonate similarly to the first substrate to form a first substrate as well as the silicon oxide film. その他は実施例1と同様にして、液晶電気光学装置を完成し、この液晶装置を使用して、投影型の画像表示装置を構成したところ、コントラストが高く、迷光が発生しないため、投影のために使用する光源の出力を高く(例えば200〜300W)することができ、投影された画面上での表示が非常に明るく、屋外や明るい部屋の中でも十分に視認できるものであった。 In a manner similar to that in Example 1, to complete a liquid crystal electro-optical device using the liquid crystal device were the projection type image display device, the contrast is high, the stray light does not occur, because the projection the output of the light source used increases (e.g. 200~300W) it is possible to, the display is very bright on projected screen was achieved even be sufficiently visible in the outdoors or bright room.

【0059】上述の実施例では何れも光吸収層として炭素を主成分とする被膜を使用したが得にこの被膜に限定されることはなく、黒色の有機樹脂でもよい、この場合印刷方との組み合わせにより、よりプロセス上の制約を緩和して、高コントラストの液晶装置を作製することができる。 [0059] never has any using coating mainly containing carbon as a light absorbing layer is not limited to this coating obtained in the above examples, it may be a black organic resin, and in this case the printing direction the combination, to relax more constraints on the process, it is possible to produce a liquid crystal device of high contrast.

【0060】 [0060]

【発明の効果】本発明の構成により、迷光の発生が少ない液晶電気光学装置を実現でき、これにより表示のコントラストが向上し、より明るい表示画面を持つ投影型の表示装置を実現できた。 The configuration of the present invention, can realize a liquid crystal electro-optical device generate less stray light, thereby improving the contrast of the display, it can be realized a projection type display device having a brighter display screen.

【0061】また、より高密度、高精細で高コントラストの液晶パネルを実現することができ、明るい表示画面を持つ投影型の画像表示装置を実現できた。 [0061] Also, higher density, it is possible to realize a high contrast liquid crystal panel with high resolution can be realized a projection type image display device having a bright display screen.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の液晶電気光学装置の概略断面図を示す。 1 shows a schematic cross-sectional view of a liquid crystal electro-optical device of the present invention.

【図2】プロジェクション方式の表示装置の光学系の例を示す。 2 shows an example of an optical system of the display device of the projection type.

【図3】従来の液晶電気光学装置の概略断面図を示す。 3 shows a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal electro-optical device.

【図4】本発明の光吸収層と基板、電極との配置関係を示す概略図 Schematic view showing the arrangement relationship between the light-absorbing layer and the substrate, the electrode of the present invention; FIG

【図5】アクティブマトリクス型液晶装置の概略回路図。 Figure 5 is a schematic circuit diagram of an active matrix type liquid crystal device.

【図6】アクティブマトリクス型液晶装置の概略配置図。 Figure 6 is a schematic layout of an active matrix type liquid crystal device.

【図7】アクティブマトリクス型液晶装置用基板の作製工程図 [7] manufacturing process diagram of an active matrix type liquid crystal device substrate

【図8】MIM素子を使用した液晶装置用基板の作製工程図 [8] manufacturing process diagram of the liquid crystal device substrate using an MIM element

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

102・・・画素電極 103・・・画素電極 104・・・金属配線 109・・・光吸収層 110・・・光吸収層 102 ... pixel electrode 103 ... pixel electrode 104 ... metal wiring 109 ... light absorbing layer 110 ... light absorbing layer

───────────────────────────────────────────────────── ────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】 [Procedure amendment]

【提出日】平成4年6月29日 [Filing date] 1992 June 29,

【手続補正1】 [Amendment 1]

【補正対象書類名】図面 [Correction target document name] drawings

【補正対象項目名】全図 [Correction target item name] all the drawings

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【図1】 [Figure 1]

【図3】 [Figure 3]

【図2】 [Figure 2]

【図4】 [Figure 4]

【図5】 [Figure 5]

【図6】 [Figure 6]

【図7】 [7]

【図8】 [Figure 8]

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 液晶電気光学装置を構成する基板上のスイッチング素子に接続された金属配線の側周辺の少なくとも一部に光源からの光を吸収する為の層が設けられたことを特徴とする液晶電気光学装置。 Layer is provided for absorbing the light from the light source to at least part of the side periphery of the Patent Claims 1. A metal wiring connected to the switching element on the substrate constituting the liquid crystal electro-optical device liquid crystal electro-optical device, characterized in that the. 【請求項2】 請求項1に記載の光吸収層は炭素を主成分とする被膜で構成されていることを特徴とする液晶電気光学装置。 Wherein the light absorbing layer according to claim 1, the liquid crystal electro-optical device characterized in that it consists in coating mainly containing carbon. 【請求項3】 請求項1に記載の光吸収層は有機材料被膜で構成されていることを特徴とする液晶電気光学装置。 3. A light-absorbing layer according to claim 1, the liquid crystal electro-optical device characterized in that it consists of an organic material coating. 【請求項4】 液晶電気光学装置を構成する基板上のスイッチング素子に接続された金属配線の側周辺の少なくとも一部に光源からの光を吸収する為の層が設けられた液晶電気光学装置を使用して構成されたことを特徴とする画像表示装置。 4. A liquid crystal electro-optical device layer is provided for absorbing the light from the light source to at least part of the side periphery of the connecting metal wires to the switching element on the substrate constituting the liquid crystal electro-optical device the image display apparatus characterized by being constructed using.
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