JPH05218043A - 金属接点パッド形成方法及び金属接点ターミナル形成方法 - Google Patents

金属接点パッド形成方法及び金属接点ターミナル形成方法

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JPH05218043A
JPH05218043A JP3168871A JP16887191A JPH05218043A JP H05218043 A JPH05218043 A JP H05218043A JP 3168871 A JP3168871 A JP 3168871A JP 16887191 A JP16887191 A JP 16887191A JP H05218043 A JPH05218043 A JP H05218043A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップへの金属接点パッド及びターミ
ナルの形成時において除去される金属の量を減少する。 【構成】 構造体上に望ましいサイズより大きい孔を有
するモリブデンマスク２７を介して金属層２８、２９、
３０を付着し、この金属層２８、２９、３０の上から構
造体に適用されたフォトレジスト層３１を金属層２８、
２９、３０に整合させてその上に望ましいサイズにパタ
ーン化し、パターン化されたフォトレジスト層３１から
はみ出す余分の金属２８、２９、３０を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路チップ
製造方法に関するものであり、特に、金属化セラミック
（ＭＣ）基板のような金属化担体（キャリア）の金属導
体へフェース−ダウンボンディングするために半導体チ
ップ上に金属接点パッド又は接点ターミナルを形成する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ろうのリフローに基づくこの技術は、”
フィリップ−チップ”又は制御コラプスチップ接合（Ｃ
４）技術の一般名で呼ばれ既知である。後者は、特に米
国特許３，４０１，１２６及び同特許３，４２９，０４
０に開示されている。このＣ４技術で重要な点は、各々
がＰｂ−Ｓｎ（鉛−錫）ろうボールに囲まれた金属パッ
ドから成る半導体チップ接点サイト上に接点ターミナル
を形成することである。また、このＣ４技術は、ＭＣ基
板の金属導体上へのろう接合可能なサイトの形成に依存
している。このろう接合可能なサイトは、ろう接合不可
能なバリアで取り囲まれているので、ろう接合可能なサ
イト及びチップ接点ターミナルのろうが溶融し没入した
場合、表面張力は、あたかもＭＣ基板上にぶら下がるろ
う柱を介して半導体チップを保持する。冷却後、半導体
チップは、金属導体の非常に小さくかつ近接されたろう
柱相互接続により金属導体上に下方へ向けて（ｆａｃｅ
−ｄｏｗｎ）堅固に保持される。
【０００３】集積回路半導体チップ技術の発展に伴い、
個々のアクティブ（能動）及びパッシブ（受動）デバイ
スのサイズは非常に小さくなり、チップ上のデバイスの
数が飛躍的に増大される。最近のチップのサイズは、非
常に増大される傾向にある。この傾向は、続き、入出力
接続のための接点ターミナルの密度及びその全体の数に
対する飛躍的に高い要求がある。Ｃ４技術に於いて実施
されるようなろうリフロー接合の利点は、入出力（Ｉ／
Ｏ）接点ターミナルが半導体チップの実質的な全頂部表
面（より一般的には接合領域として知られている）に渡
って割当られることができ、このために、この全頂部表
面の効率的使用が可能になることである。
【０００４】図１は、典型的なマルチレベル（多レベ
ル）冶金手法で提供される標準的な半導体チップ構造１
０の一部分の概略的断面図である。チップの製造は全体
的に公知であり、多くの公知のプロセスの内の何れかに
よりチップは製造される。図解のため、チップは、前述
のＣ４技術を使用して、三層の金属相互接続配線及び入
出力接点ターミナルを備えるＣＭＯＳ技術を用いて製造
されてもよい。図１に示されるように、チップ構造は、
典型的には二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）の絶縁層１２が
上表面に形成された一導電性タイプの半導体本体１１を
備えている。半導体本体１１には、この半導体本体１１
の導電性タイプとは反対の導電性タイプを有する活性
（アクティブ）拡散／打ち込み領域１３が形成される。
第１レベルの導電パターンは、金属ランド１４で構成さ
れる。一つの金属ランド１４は、層１２の開口を介して
前記領域１３に接触している。導電体パターン１４の他
の部分は、層１２の表面上に延在している。絶縁層１
５、即ち、ＳｉＯ2 、ガラス又は石英、は、層１２及び
第１レベルの導電体パターン１４を覆うように形成され
る。第２レベルの導電体パターンの金属ランド１６は、
絶縁層１５上に形成され、管状孔を介して第１レベルの
金属と接触する。一般的には、金属ランドはアルミニュ
ウムで構成される。新規のパシベーティング（酸化物）
層１９が、絶縁層１７及び第３レベルの導電体パターン
１８を覆っている。このチップ構造の頂部表面では、接
点パッド２０及びろうボール２１の複合アセンブリが、
パシベーティング（酸化物）層１９の接点開口を介して
金属ランド１８と電気的に接触している。この複合アセ
ンブリは所謂チップ接点ターミナル２２を形成してい
る。
【０００５】図２は接点パッド２０及びろうボール２１
を含む図１のチップ構造の頂部の拡大図である。その頂
部２３がベース構造体を形成していることを示す図２に
より詳細に示されるように、接点バッド２０は、下部の
クロム（Ｃｒ）層２４、中間部の銅（Ｃｕ）層２５、及
び上部の金（Ａｕ）層２６で構成されている。クロム／
銅がオーバラップしている層は一般的には層２４と層２
５との間に挿入される。特殊なＣｒ−Ｃｕ−Ａｕ接点パ
ッド構造のより詳細は、ヨーロッパ出願００６１５９３
に開示されている。これらのサンドイッチ層は所謂ボー
ル限定冶金術（ＢＬＭ）を形成する。しかしながら、も
し、他の金属のコンビネーション（例えば、ＴｉＷ、Ｃ
ｕ、Ａｕ）が、金属の腐食の問題を起こすことなく、望
ましい接着性及び拡散バリヤ性を備えるならば、このよ
うな金属のコンビネーションもまた同様に使用されるこ
とができる。一般的なパッド形状は円形であるが、異な
る形状であってもよい。
【０００６】元来、１９６０年代にＣ４技術が発明され
た時、図２のボール制限冶金を形成する三つの金属層
は、連続的に開口されたモリブデンマスクを介して真空
蒸着により付着されていた。最近の１２５ｍｍ半導体ウ
エハでは、典型的な形状は、１００ｘ２３０μｍのピッ
チを有するマトリックス状に配置された２７ｘ２７＝７
２９個の直径１００μｍの接点パッドで構成されてお
り、１００μｍの厚さのモリブデンマスクの使用により
可能性の限界迄を達成している。より多くの接点パッド
を得るためには、マスクにより小さい直径（例えば、７
５μｍ）の孔をより多く作ることが必要であり、従っ
て、マスクの厚さを７５μｍ未満に減少することを示唆
している。これは、孔形成のために従来より用いられる
両面エッチングプロセスにより行われる。不幸にも、マ
スクが蒸着工程の間曲がる為に、このような厚さは許容
されない。不幸にも、ただフォトリソグラフィクプロセ
スのみが、この厳しい問題を解決できるように思われて
いた。図２の金属接点パッド構造２０を得る限りにおい
て二つの異なる変形例、所謂リフト−オフ又はサブエッ
チング技術、が研究されており、これらの両方は、図３
に示されている。
【０００７】図３（ＡＡ）を参照すると、リフト−オフ
技術において、フォトレジスト層ＰＲは、硬化の為にベ
ーク（加熱）されるベース構造２３上に適用され、それ
から、マスク（図示せず）を介してＵＶ光に露光され、
フォトレジスト層ＰＲの非露出部分が可溶性にされる。
フォトレジスト層ＰＲの可溶部分は、現像浴で除去され
る。図３（ＢＡ）に示されるように、レジスト開口は負
の（凹形状の）プロフィル（輪郭）を備える。これによ
り、ＭＰＡ（修正イメージ逆転プロセス）のような複合
フォトリソグラフィック技術が必要となる。次に、Ｃｒ
金属層２４、Ｃｕ金属層２５及びＡｕ金属層２６は、真
空蒸着装置で連続的にブランケットのように蒸着され
る。フォトレジスト層ＰＲの残余の部分は、ホットＮ−
メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）で溶解され、その上の金
属は、図３（Ｃ）の金属接点パッド構造２０が残るよう
にリフトオフされる。
【０００８】別法として、図３（ＡＢ）及び（ＢＢ）に
示されるような所謂金属サブエッチング技術により、金
属接点パッド構造が形成される。初めに、図３（ＡＢ）
を参照すると、真空蒸着装置で三つのＣｒ金属層２
４’、Ｃｕ金属層２５’及びＡｕ金属層２６’は、連続
的にブランケットのように蒸着される。接点パッドは、
標準のフォト−リソグラフィーにより画定される。この
ため、レジスト層ＰＲ’はベース構造体に適用される。
レジスト層ＰＲ’は、マスク（図示せず）を介してＵＶ
光へ露光され、その後、図３（ＢＢ）に示されるよう
に、現像される。フォトレジスト層の現像浴で不溶の残
りの部分は、現場（インサイチュ）マスクとして化学エ
ッチングにより露光された下部の金属層を除去するため
に用いられ、それにより図３（Ｃ）のように、金属接点
パッド構造体２０が画定される。
【０００９】プロセスのこの段階で、金属接点パッド構
造体２０を形成するために用いられる変形例に関係な
く、ろうボールが形成される。米国特許３，４５８，９
２５に開示された技術は、なお特有のものである。この
ため、接点パッド構造体と対応すると共に幾分それより
大きい孔を有するモリブデン（示されてはいないが）の
ような適切なマスクが、チップ構造体１０を覆うように
配置されことにより、マスクの孔は接点パッドと整合さ
れる。９５鉛−５錫のろうの層２１’は、それからマス
ク孔を介して蒸着される。しかしながら、他のろう成分
が同様に用いられてもよい。ろうのリフローに先立っ
て、形成されたばかりの典型的なろう隆起、即ち、マウ
ンド２１’は、図３（Ｄ）に示されるように、接点パッ
ド構造体２０及びこの近傍でパシベーション（酸化物）
層１９の周囲部分を完全に覆っている。ろうの蒸着が完
了した後、マスクが取り除かれ、ろうをリフローするた
めにチップは加熱され、ろうは、その溶融にしたがっ
て、除々にパシベーション（酸化物）層１９の表面をデ
ィウェット（流出）し、接点パッド構造体２０の頂部上
に望ましいボール形状２１に引き寄せられる（図３
（Ｅ））。上述のプロセスが完了した後、チップは、従
来の種々の技術に従って、支持金属化セラミック基板へ
のフリップ−チップ又はフェイス−ダウンボンディング
の準備状態となる。
【００１０】前述の二つの変形例は、それらが製造ライ
ンにおいて用いられるには満足できるものではないとい
う固有の制限及び／又は欠点がある。
【００１１】リフト−オフ技術（図３（ＡＡ）及び図３
（ＢＢ））において、第１の問題点は、真空蒸着の間の
最大温度がレジストベーク温度（例えば、１００°Ｃ以
下）以下でなければならないので、接点パッドを形成す
る金属層のその下層のアルミニュウムランドへの接着が
弱いという点である。更に、リフト−オフ技術は複合フ
ォト−リソグラフィック工程（例えば、ＭＩＲＰ）を使
用して開口に負のプロフィールを作ることを意味してい
る。最後に、開口の形成後に残留する金属表面とウエハ
表面の比率が極端に高い、約９８％，ために、除去され
るべき金属の量が大量になる。この結果、リフト−オフ
技術は、歩留りを低下させるものとして知られている金
属残留物を生成することになる。また、金属サブエッチ
ング技術（図３（ＡＢ）及び図３（ＢＢ））において、
主要な問題点は、金属の重要なエッチング量のために、
なお残留する金属残留物がある点である。この問題は、
金属層がウエハへよく接着されるために、リフト−オフ
技術に比較して、より深刻な問題である。
【００１２】更に、両変形例において、アルゴン（Ａ
ｒ）イオンを用いてＲＦ洗浄する非常に望ましい工程
は、接点抵抗を改良するために推奨される初期の処理工
程である。というのは、Ａｒ+ イオンが接点パッド形成
の前に露光される金属ランドの部分に自然にできる本来
の酸化物をエッチバックするからである。金属サブエッ
チング技術において、このＲＦ洗浄工程は、金属蒸着に
先立って行われる。この結果、Ａｒ+ イオン衝撃は、ウ
エハの全表面でおこなわれるので、ＦＥＴのゲート誘電
体を形成する薄い酸化層にナトリウムイオン（Ｎａ+ ）
を移す、即ち、この酸化層でナトリウムイオンを活性化
するリスクがある。これらのイオンは、酸化層中の電荷
の量をＦＥＴのしきい値電圧に関する公知の不便な方法
で変更できる。リフト−オフ技術では、このＲＦ洗浄工
程を行うことは全く不可能である。その理由は、フォト
レジスト層ＰＲをベークするために必要な温度が低いか
らである。イオン射突は、フォトレジスト層ＰＲをフロ
ーさせる温度（約１５０°Ｃ）にウエハを加熱すること
が知られている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第１
の目的は、歩留りの悪化要素である金属残留物を避ける
ために、除去されるべき金属の量が最少にされる、半導
体チップ上への金属接点パッド及びターミナルの形成方
法を提供することである。
【００１４】本発明の他の目的は、ＭＩＲＰのような複
合フォトリソグラフィック技術を使用することなく、半
導体チップ上へ金属接点パッド及びターミナルを形成す
る方法を提供することである。
【００１５】本発明の今一つの目的は、接点パッドを形
成する金属層が下層のアルミニュウムランドに対する優
れた接着性を有する、半導体チップ上への金属接点パッ
ド及びターミナルの形成方法を提供することである。
【００１６】本発明の更なる目的は、効率的なＲＦアル
ゴン洗浄を製造工程の最初に行って下層のアルミニュウ
ムランドとの接点抵抗を改良できる、半導体チップ上へ
の金属接点パッド及びターミナルの形成方法を提供する
ことである。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の基本概
念によれば、接点パッドの寸法がテクノロジの進歩に対
応して減少できるように、フォト−リソグラフィック技
術に基づき、半導体チップ上に望ましいサイズの金属接
点パッド及びターミナルを形成する方法が開示される。
望ましい寸法及びサイズよりも大きい寸法及びサイズを
有する中間の金属パッドは、従来の厚さのモリブデンマ
スクの標準使用に従って、金属ランドを露出する接点開
口を介して形成される。その後、この中間の金属パッド
の寸法及びサイズは、標準のリソグラフィック工程を介
して望ましいサイズの金属接点パッドが製造されるよう
に減少される。次に、上述と同じモリブデンマスクを使
用して、前記接点パッドを過剰に覆うろう隆起を形成す
るようにろうが蒸着される。構造体は、金属接点ターミ
ナルになるろうボールを形成するようにリフローされ
る。
【００１８】本発明の実施例によれば、金属パッドを形
成する方法は、以下の工程を備えている。 （ａ）望ましいサイズよりも大きいサイズの孔を有する
マスクを介して構造体上に少なくとも一つの金属層を付
着して前記接点開口中でかつ近接して中間金属接点パッ
ドを形成し、（ｂ）前記構造体上にフォトレジスト層を
適用すると共に、一部が過剰に露出する前記中間金属接
点パッド上に前記望ましいサイズのパターンが整合され
て残るように前記フォトレジスト層をパターン化する工
程と、（ｃ）現場マスクとして前記パターンを使用して
中間接点パッドを描写して過剰の金属を除去して望まし
いサイズの最終金属接点パッドを提供し、（ｄ）残余の
フォトレジストパターンを除去する。
【００１９】更に、本発明の方法によれば、工程（ａ）
に先立って、構造体は、同一のマスクを使用してアルゴ
ンイオン射突によってＲＦ洗浄工程を受ける。
【００２０】本発明の特色であると思われる新規な特徴
は、特許請求の範囲に記述されている。しかしながら、
本発明自体は、その他の目的及び利点と同様に、添付図
面と共に実施例の以下の詳細な記載を読むことにより最
高に理解される。
【００２１】
【実施例】図解のために、本発明による金属接点パッド
及びターミナルの製造方法が図４（Ａ）乃至図４（Ｈ）
を参照して説明される。
【００２２】典型的にモリブデン製で１００μｍの孔を
有する従来の厚さ１００μｍの金属マスクが半導体ウエ
ハを覆うと共にそれと整合されるように配置される。こ
の厚さが本発明の方法に対する感知性パラメータではな
いので、厚いモリブデンマスクは問題なく使用される。
図４（Ａ）には、ベース構造体として再度使用される半
導体チップ構造体１０（図１参照）の頂部２３及びモリ
ブデンマスク２７が図示されている。モリブデンマスク
２７が電極支持ウエハと同電位に接続された後に、この
構造体は、アルゴンイオン（Ａｒ+ ）射突を受ける。ア
ルゴンイオンは、一旦接点開口がパッシベーション層１
９を介して形成されると、マスク孔を介して典型的には
アルミニュウムの金属ランド１８の露出部分に自然に形
成される本来の酸化物をエッチバックする。この結果、
前記金属ランド１８は、適切に洗浄される。モリブデン
マスク２７の中実部分は、チップ構造体の残余の部分を
アルゴンイオン射突から保護するので、下層のＦＥＴの
ゲート酸化物層に打ち込まれるアルゴンイオンの数は、
中実部分の表面とマスク孔の表面との比率が非常に高い
ことのおかげで、最少になる。
【００２３】ＲＦ洗浄の後、その位置にモリブデンマス
ク２７を残し、金属層が付着される。この付着に先立っ
て、ウエハは約２００°Ｃまで加熱されて前記金属層へ
の付着性を改良することが好ましい。初めに、クロム層
２８、その上に銅層２９（クロム／銅オーバーラップ層
がクロム層２８と銅層２９の間に挿入されることが好ま
しい）及び最後に金層３０が、適切な装置、例えば、バ
ルザーズ モデル ＢＡＫ７６０（Ｂａｌｚｅｒｓ Ｍ
ｏｄｅｌ ＢＡＫ ７６０）で付着される。それぞれの
層の厚さは、Ｃｒ層が１５０ｎｍ、Ｃｒ／Ｃｕ層が１０
０ｎｍ、Ｃｕ層が５００ｎｍ、Ａｕ層が１００ｎｍであ
る。この結果できる接点パッド構造体３３’は、一般的
に多層化された構造体であり、直径約１００μｍの円形
である。従って、この中間接点パッド３３’の直径は、
超高密度接点ターミナルチップとして最終的に必要とさ
れる７０μｍの望ましい直径より大きい。製造プロセス
のこの段階での構造体が図４（Ｂ）に示されている。
【００２４】本発明の重要な特徴は、ＲＦ洗浄工程及び
同じ真空蒸着装置でモリブデンマスク２７を取り除くこ
となく連続して行われるそれに続く金属層付着工程を備
えることである。
【００２５】図４（Ｃ）によれば、ＡＺ１３５０のよう
なポジティブフォトレジスト層３１が、チップ構造体上
へ適用され、硬化のために９０°Ｃで加熱される。クロ
ムマスク３２は、シリコンウエハ上に位置決めされ、こ
のシリコンウエハと整合される。次に、フォトレジスト
層３１は、ＭＴＩマルチファブモデル（ＭＴＩ ＭＵＬ
ＴＩＦＡＢ ｍｏｄｅｌ）のようなスッテッパー又は近
接プリンタ装置でクロムマスクを介してＵＶ光へ露光さ
れる。
【００２６】フォトレジスト層３１は、ＡＺ現像剤のよ
うな現像剤で現像される。この結果得られる構造体が、
図４（Ｄ）に示されている。接点パッド構造体の上に形
成された残余のフォトレジストパターン３１は、約７０
μｍの直径を備え、中間接点パッド構造体がフォトレジ
ストパターン３１の周縁部で環状部分が露出されたまま
となる。
【００２７】図４（Ｅ）によれば、１３０°Ｃでの新規
のベーク工程の後、フォトレジストパターン３１は、現
場マスクとして使用されウエットエッチングにより中間
金属接点パッドの露出部分がエッチングされる。その
後、ウエットエッチング操作条件は以下のように与えら
れる。金層はヨー化カリウム（ＫＩ）及びヨー素
（Ｉ2）溶液でエッチングされる。銅層は、硝酸（ＮＯ
3 Ｈ）溶液でエッチングされる。クロム／銅オーバーラ
ップ層は、Ｈ2 Ｏ、ＨＮＯ3 、及びＣｅ（ＳＯ4 ）2 、
２（ＮＨ4 ）ＳＯ4 、２Ｈ2 Ｏ溶液でエッチングされ
る。クロムは、クロム／銅オーバーラップ層と同じ溶液
でエッチングされる。セリウムを含む硫酸アンモニュウ
ム−ベースのエッチング溶液をクロムのエッチングに使
用することが薦められる。何故ならば、この溶液は、ア
ルミニュウムを侵さないからである。別法として、金層
及び銅層は、王水（ＨＣＬ＋ＨＮＯ3 ）で除去され、銅
層は、ＨＮＯ3 溶液で除去されてもよい。これらの処理
の結果得られる構造体が、図４（Ｅ）に示されている。
本発明方法の他の重要な特徴は、除去されるべき金属が
各中間金属接点パッドの露出リングに丁度対応するの
で、このウエットエッチング工程の間に取り除かれる金
属の量が僅かである点である。この結果、プロセスのこ
の段階では、大きな金属の残留物は認められない。
【００２８】フォトレジストパターン３１の残りの部分
は、ＮＭＰ溶液で剥離され、Ｃｒ−Ｃｒ／Ｃｕ−Ｃｒ−
Ａｕ複合層により形成される最終の金属接点パッド３３
が残留する。この金属接点パッド３３は、図４（Ｆ）に
示されているように、７０μｍの望ましい直径を備えて
いる。
【００２９】接点ターミナルは図４（Ｇ）及び図４
（Ｈ）に示されるように、標準の処理工程により達成さ
れる。しかしながら、図４（Ｇ）に示されるように、錫
−銅層３４’は、ＲＦ洗浄及び金属層付着（図４（Ａ）
及び図４（Ｂ））の初期の工程で用いられたのと同じモ
リブデンマスク２７を介して付着されることに気付かれ
るべきである。ろうのリフロー後に、ろうの隆起３４’
は、図４（Ｈ）に示される接点ターミナル３５となるろ
うボール３４を形成する。
【００３０】
【発明の効果】本発明の方法は、上記で引用された変形
例に比較して、ＦＥＴのしきい値電圧の接点抵抗の除去
に関して、アルゴンＲＦ洗浄の結果、幾つかの大きな利
点がある。更に、除去されるべき金属の量が、金属の大
きく且つ連続表面の代わりに、リング形状の余分の金属
（３０μｍ幅）に限定されるので（約２％が無くなるに
過ぎない）、ウエハの表面に存在する金属残留物は殆ど
なくなり、汚染が殆どなくなる。
【００３１】本発明の方法を使用すれば、１００ｘ２０
０μｍのピッチで７０μｍの接点パッド径のマトリック
スに配置された５０ｘ５０＝２５００個の接点パッドの
フットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）を特徴とする
２００ｍｍ半導体ウエハが製造される。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｃ４タイプの金属接点ターミナルを特徴とする
従来の多レベル金属半導体チップ構造体の一部破断断面
図である。
【図２】図１の金属接点ターミナルのより詳細な多層化
された接点パッド構造体及びろうボール構造を示す拡大
断面図である。
【図３】（ＡＡ）、（ＢＡ）、（ＡＢ）、（ＢＢ）、
（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は、図２の金属接点ターミナ
ルの形成の二つの既知のプロセス変形例により行われる
従来の製造過程を示す半導体チップ構造の断面図であ
る。
【図４】（Ａ）乃至（Ｆ）は、本発明の方法による新規
な金属接点パッド及び接点ターミナルの形成を示す。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ構造体 １５ 金属ランド ２７ モリブデンマスク ２８ クロム層 ２９ 銅層 ３０ 金層 ３１ フォトレジスト層（フォトレジストパターン） ３２ クロムマスク ３３’ 中間接点パッド ３３ 最終金属接点パッド ３４’ 錫−鉛層（ろう隆起） ３４ ろうボール
フロントページの続き (72)発明者 ジョルジュ ロベール フランス国91510、ラ フェルト−アレ、 リュドゥ ラ フェルム−ボーヌ １

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上に形成された金属ランド（１８）と前
    記金属ランドの一部を露出する接点開口が設けられたパ
    ッシヴェイティング層（１９）とを有する絶縁基板（１
    ７）を備えるタイプの構造体（２３）上に定められたサ
    イズの金属接点パッド（３３）を形成する方法であっ
    て、 （ａ）前記接点開口内に近接して中間金属接点パッド
    （３３’）を形成するために前記定められたサイズより
    大きい孔を有する金属マスク（２７）を介して前記構造
    体上に金属層（２８）を付着する工程と、 （ｂ）前記構造体上にフォトレジスト層（３１）を適用
    すると共に、一部が過剰に露出する前記中間金属接点パ
    ッド（３３’）上に前記定められたサイズのパターン
    （３１）が整合されて残るように前記フォトレジスト層
    （３１）をパターン化する工程と、 （ｃ）前記パターン（３１）を現場マスクとして利用し
    て前記中間金属接点パッド（３３’）を描写すると共
    に、前記定められたサイズを有する最終の金属接点パッ
    ド（３３）を得るために前記中間金属接点パッド（３
    ３’）の前記過剰金属を除去する工程と、 （ｄ）残りのフォトレジストパターン（３１）を除去す
    る工程と、 よりなる金属接点パッド形成方法。
  2. 【請求項２】 前記（ａ）工程に先立って、前記金属マ
    スク（２７）を利用して前記構造体がアルゴンイオン衝
    撃によりＲＦ洗浄工程を受ける請求項１記載の金属接点
    パッド形成方法。
  3. 【請求項３】 前記金属層は、Ｃｒ（２８）−Ｃｒ／Ｃ
    ｕ−Ｃｕ（２９）−Ａｕ（３０）複合層よりなる請求項
    １又は２記載の金属接点パッド形成方法。
  4. 【請求項４】 前記パターン化の前記（ｂ）工程は、ポ
    ジティブレジスト層を前記構造体へ適用する工程と、 前記レジスト層をベークする工程と、 クロムマスク（３２）と前記構造体と整合する工程と、 前記レジスト層を近接プリンタ又はステッパでＵＶ光に
    露光する工程と、 前記レジスト層を現像剤で現像する工程と、よりなる請
    求項１又は２又は３記載の金属接点パッド形成方法。
  5. 【請求項５】 前記過剰金属を除去する工程は、 Ａｕ層をヨー素及びヨー化カリウム溶液でエッチングす
    る工程と、 Ｃｕ層及びＣｒ層を硝酸溶液でエッチングする工程と、 Ｃｒ／Ｃｕオーバーラップ層をセリウム含有の硫酸アン
    モニウム溶液の混合物でエッチングする工程と、を備え
    る請求項３又は４記載の金属接点パッド形成方法。
  6. 【請求項６】 前記Ａｕ層又はＣｕ層をエッチングする
    工程は、ＨＣｌ＋ＨＮＯ3 溶液で行なわれる請求項４記
    載の金属接点パッド形成方法。
  7. 【請求項７】 上に形成された金属ランド（１８）と前
    記金属ランドの一部を露出する接点開口が設けられたパ
    ッシヴェイティング層（１９）とを有する絶縁基板（１
    ７）を備えるタイプの構造体（２３）上に定められたサ
    イズの金属接点ターミナル（３５）を形成する方法であ
    って、 （ａ）前記接点開口内に近接して中間金属接点パッド
    （３３’）を形成するために前記定められたサイズより
    大きい孔を有する金属マスク（２７）を介して前記構造
    体上に金属層（２８）を付着する工程と、 （ｂ）前記構造体上にフォトレジスト層（３１）を適用
    すると共に、一部が過剰に露出する前記中間金属接点パ
    ッド（３３’）上に前記定められたサイズのパターン
    （３１）が整合されて残るように前記フォトレジスト層
    （３１）をパターン化する工程と、 （ｃ）前記パターン（３１）を現場マスクとして利用し
    て前記中間金属接点パッド（３３’）を描写すると共
    に、前記定められたサイズを有する最終の金属接点パッ
    ド（３３）を得るために前記中間金属接点パッド（３
    ３’）の前記過剰金属を除去する工程と、 （ｄ）残りのフォトレジストパターン（３１）を除去す
    る工程と、 （ｅ）前記構造体と前記最終の金属接点パッド（３３）
    を中心とする孔を有する金属マスクとを整合する工程
    と、 （ｆ）前記最終の金属接点パッド（３３）上にろう隆起
    （３４’）を形成するために前記金属マスクを覆うよう
    に鉛−錫ろう層（３４’）を付着する工程と、 （ｇ）ろうボール（３４）を形成するために前記ろうを
    リフローし、前記接点パッドサイトに前記金属接点ター
    ミナル（３５）を提供する工程と、よりなる金属接点タ
    ーミナル形成方法。
  8. 【請求項８】 前記（ｅ）工程の前記金属マスクは、前
    記（ａ）工程で用いられた物と同一である請求項７記載
    の金属接点ターミナル形成方法。
  9. 【請求項９】 前記金属層は、複合Ｃｒ−Ｃｒ／Ｃｕ−
    Ｃｕ−Ａｕ層よりなる請求項７又は８記載の金属接点タ
    ーミナル形成方法。
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Families Citing this family (131)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4225138A1 (de) * 1992-07-30 1994-02-03 Daimler Benz Ag Multichipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US5376584A (en) * 1992-12-31 1994-12-27 International Business Machines Corporation Process of making pad structure for solder ball limiting metallurgy having reduced edge stress
US5367195A (en) * 1993-01-08 1994-11-22 International Business Machines Corporation Structure and method for a superbarrier to prevent diffusion between a noble and a non-noble metal
US5366140A (en) * 1993-09-30 1994-11-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Patterned array of uniform metal microbeads
US5384283A (en) * 1993-12-10 1995-01-24 International Business Machines Corporation Resist protection of ball limiting metal during etch process
US5466540A (en) * 1994-02-14 1995-11-14 Ceridian Corporation Mark of an electronic component lid
US5665639A (en) * 1994-02-23 1997-09-09 Cypress Semiconductor Corp. Process for manufacturing a semiconductor device bump electrode using a rapid thermal anneal
US5470787A (en) * 1994-05-02 1995-11-28 Motorola, Inc. Semiconductor device solder bump having intrinsic potential for forming an extended eutectic region and method for making and using the same
US5540377A (en) * 1994-07-15 1996-07-30 Ito; Carl T. Solder ball placement machine
US5539153A (en) * 1994-08-08 1996-07-23 Hewlett-Packard Company Method of bumping substrates by contained paste deposition
JP2792532B2 (ja) * 1994-09-30 1998-09-03 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
US5605856A (en) * 1995-03-14 1997-02-25 University Of North Carolina Method for designing an electronic integrated circuit with optical inputs and outputs
JPH08321486A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Sony Corp 金属膜のパターン形成方法
US5847455A (en) * 1995-11-07 1998-12-08 Vlsi Technology, Inc. Molded leadframe ball grid array
US5710695A (en) * 1995-11-07 1998-01-20 Vlsi Technology, Inc. Leadframe ball grid array package
US5736456A (en) * 1996-03-07 1998-04-07 Micron Technology, Inc. Method of forming conductive bumps on die for flip chip applications
US5851911A (en) * 1996-03-07 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Mask repattern process
JP3385604B2 (ja) * 1996-05-08 2003-03-10 ソニー株式会社 はんだバンプの形成方法
US5903058A (en) * 1996-07-17 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Conductive bumps on die for flip chip application
JP3413020B2 (ja) * 1996-07-17 2003-06-03 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5902686A (en) * 1996-11-21 1999-05-11 Mcnc Methods for forming an intermetallic region between a solder bump and an under bump metallurgy layer and related structures
TW480636B (en) * 1996-12-04 2002-03-21 Seiko Epson Corp Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment
US5946590A (en) * 1996-12-10 1999-08-31 Citizen Watch Co., Ltd. Method for making bumps
US6097098A (en) 1997-02-14 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Die interconnections using intermediate connection elements secured to the die face
US6609652B2 (en) 1997-05-27 2003-08-26 Spheretek, Llc Ball bumping substrates, particuarly wafers
US6293456B1 (en) 1997-05-27 2001-09-25 Spheretek, Llc Methods for forming solder balls on substrates
US7654432B2 (en) 1997-05-27 2010-02-02 Wstp, Llc Forming solder balls on substrates
US7842599B2 (en) * 1997-05-27 2010-11-30 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
US7007833B2 (en) 1997-05-27 2006-03-07 Mackay John Forming solder balls on substrates
US7819301B2 (en) * 1997-05-27 2010-10-26 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
US5988487A (en) * 1997-05-27 1999-11-23 Fujitsu Limited Captured-cell solder printing and reflow methods
US7288471B2 (en) * 1997-05-27 2007-10-30 Mackay John Bumping electronic components using transfer substrates
US6082610A (en) * 1997-06-23 2000-07-04 Ford Motor Company Method of forming interconnections on electronic modules
US5891756A (en) 1997-06-27 1999-04-06 Delco Electronics Corporation Process for converting a wire bond pad to a flip chip solder bump pad and pad formed thereby
US6120885A (en) * 1997-07-10 2000-09-19 International Business Machines Corporation Structure, materials, and methods for socketable ball grid
US6297559B1 (en) 1997-07-10 2001-10-02 International Business Machines Corporation Structure, materials, and applications of ball grid array interconnections
US6337522B1 (en) * 1997-07-10 2002-01-08 International Business Machines Corporation Structure employing electrically conductive adhesives
US6642136B1 (en) * 2001-09-17 2003-11-04 Megic Corporation Method of making a low fabrication cost, high performance, high reliability chip scale package
SG75841A1 (en) 1998-05-02 2000-10-24 Eriston Invest Pte Ltd Flip chip assembly with via interconnection
US6406939B1 (en) 1998-05-02 2002-06-18 Charles W. C. Lin Flip chip assembly with via interconnection
TW444236B (en) 1998-12-17 2001-07-01 Charles Wen Chyang Lin Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill
SG78324A1 (en) 1998-12-17 2001-02-20 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating
TW396462B (en) 1998-12-17 2000-07-01 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with solder via
US6232212B1 (en) * 1999-02-23 2001-05-15 Lucent Technologies Flip chip bump bonding
US6544880B1 (en) * 1999-06-14 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding
JP3606769B2 (ja) 1999-07-13 2005-01-05 新光電気工業株式会社 半導体装置
US6861345B2 (en) * 1999-08-27 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device
US6570251B1 (en) 1999-09-02 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Under bump metalization pad and solder bump connections
JP3968554B2 (ja) * 2000-05-01 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法
US6293457B1 (en) * 2000-06-08 2001-09-25 International Business Machines Corporation Integrated method for etching of BLM titanium-tungsten alloys for CMOS devices with copper metallization
US6258705B1 (en) 2000-08-21 2001-07-10 Siliconeware Precision Industries Co., Ltd. Method of forming circuit probing contact points on fine pitch peripheral bond pads on flip chip
US6562657B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6551861B1 (en) 2000-08-22 2003-04-22 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive
US6562709B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6660626B1 (en) 2000-08-22 2003-12-09 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6436734B1 (en) 2000-08-22 2002-08-20 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6403460B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly
US6402970B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6350633B1 (en) 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6692629B1 (en) 2000-09-07 2004-02-17 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Flip-chip bumbing method for fabricating solder bumps on semiconductor wafer
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
TW456008B (en) 2000-09-28 2001-09-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Flip chip packaging process with no-flow underfill method
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6878642B1 (en) * 2000-10-06 2005-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to improve passivation openings by reflow of photoresist to eliminate tape residue
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US7414319B2 (en) * 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
US6815324B2 (en) * 2001-02-15 2004-11-09 Megic Corporation Reliable metal bumps on top of I/O pads after removal of test probe marks
TWI313507B (en) 2002-10-25 2009-08-11 Megica Corporatio Method for assembling chips
US8158508B2 (en) * 2001-03-05 2012-04-17 Megica Corporation Structure and manufacturing method of a chip scale package
US6818545B2 (en) * 2001-03-05 2004-11-16 Megic Corporation Low fabrication cost, fine pitch and high reliability solder bump
US6489229B1 (en) 2001-09-07 2002-12-03 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor device having conductive bumps without using gold
US7099293B2 (en) 2002-05-01 2006-08-29 Stmicroelectronics, Inc. Buffer-less de-skewing for symbol combination in a CDMA demodulator
US6853076B2 (en) * 2001-09-21 2005-02-08 Intel Corporation Copper-containing C4 ball-limiting metallurgy stack for enhanced reliability of packaged structures and method of making same
US6740427B2 (en) 2001-09-21 2004-05-25 Intel Corporation Thermo-mechanically robust C4 ball-limiting metallurgy to prevent failure due to die-package interaction and method of making same
TWI245402B (en) 2002-01-07 2005-12-11 Megic Corp Rod soldering structure and manufacturing process thereof
US6593224B1 (en) 2002-03-05 2003-07-15 Bridge Semiconductor Corporation Method of manufacturing a multilayer interconnect substrate
JP3693057B2 (ja) * 2003-07-04 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
DE10333465B4 (de) * 2003-07-22 2008-07-24 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung desselben sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers mit Kontaktflecken
US7470997B2 (en) * 2003-07-23 2008-12-30 Megica Corporation Wirebond pad for semiconductor chip or wafer
KR100510543B1 (ko) * 2003-08-21 2005-08-26 삼성전자주식회사 표면 결함이 제거된 범프 형성 방법
KR100659527B1 (ko) * 2003-10-22 2006-12-20 삼성전자주식회사 3차원 범프 하부 금속층을 갖는 플립 칩 본딩용 반도체칩과 그 실장 구조
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US8067837B2 (en) 2004-09-20 2011-11-29 Megica Corporation Metallization structure over passivation layer for IC chip
US6977213B1 (en) * 2004-08-27 2005-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. IC chip solder bump structure and method of manufacturing same
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US8294279B2 (en) 2005-01-25 2012-10-23 Megica Corporation Chip package with dam bar restricting flow of underfill
TWI246733B (en) * 2005-05-04 2006-01-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Fabrication method of under bump metallurgy structure
US20070102815A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Kaufmann Matthew V Bumping process with self-aligned A1-cap and the elimination of 2nd passivation layer
DE102006001254B4 (de) * 2005-11-30 2015-03-19 Globalfoundries Inc. Verfahren zur Herstellung von Lotkugeln mit einer stabilen Oxidschicht durch Steuern der Aufschmelzumgebung
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US20090051079A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Ronan Jeffrey J Roofing components having vacuum-formed thermoset materials and related manufacturing methods
DE102009013921B3 (de) 2009-03-19 2010-09-30 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad
US9093385B2 (en) * 2013-05-28 2015-07-28 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor workpiece with metallization
US9806046B2 (en) * 2014-03-13 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor device structure and manufacturing method
CN104465426B (zh) * 2014-12-25 2018-04-27 颀中科技（苏州）有限公司 凸块的制作方法
US9859213B2 (en) * 2015-12-07 2018-01-02 Dyi-chung Hu Metal via structure

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4113578A (en) * 1973-05-31 1978-09-12 Honeywell Inc. Microcircuit device metallization
US4293637A (en) * 1977-05-31 1981-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making metal electrode of semiconductor device
US4427715A (en) * 1978-07-03 1984-01-24 National Semiconductor Corporation Method of forming expanded pad structure
US4410622A (en) * 1978-12-29 1983-10-18 International Business Machines Corporation Forming interconnections for multilevel interconnection metallurgy systems
JPS5649543A (en) * 1979-09-28 1981-05-06 Hitachi Ltd Method for forming solder bump
US4434434A (en) * 1981-03-30 1984-02-28 International Business Machines Corporation Solder mound formation on substrates

Also Published As

Publication number Publication date
US5137845A (en) 1992-08-11
DE69014871D1 (de) 1995-01-19
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EP0469216A1 (en) 1992-02-05
JPH0715910B2 (ja) 1995-02-22
EP0469216B1 (en) 1994-12-07

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