JPH05217955A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH05217955A JPH05217955A JP1714992A JP1714992A JPH05217955A JP H05217955 A JPH05217955 A JP H05217955A JP 1714992 A JP1714992 A JP 1714992A JP 1714992 A JP1714992 A JP 1714992A JP H05217955 A JPH05217955 A JP H05217955A
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- Japan
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- etching
- tungsten silicide
- flow rate
- silicide layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程においてタングステン
シリサイド層をエッチングする際のドライエッチング方
法に関し、シリコン酸化膜のエッチングを抑制すると共
にタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を
防止し、更に環境破壊を防止する。 【構成】 タングステンシリサイド層１３上にフォトレ
ジスト１４をパターン形成し、その後タングステンシリ
サイド層１３を弗素以外のハロゲン元素（ＨＢｒ、Ｃｌ
2 ）と酸素ガスとの混合ガス又は前記混合ガスにＨｅを
添加した混合ガスを使用して、反応性イオンエッチング
によりエッチングする。
シリサイド層をエッチングする際のドライエッチング方
法に関し、シリコン酸化膜のエッチングを抑制すると共
にタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を
防止し、更に環境破壊を防止する。 【構成】 タングステンシリサイド層１３上にフォトレ
ジスト１４をパターン形成し、その後タングステンシリ
サイド層１３を弗素以外のハロゲン元素（ＨＢｒ、Ｃｌ
2 ）と酸素ガスとの混合ガス又は前記混合ガスにＨｅを
添加した混合ガスを使用して、反応性イオンエッチング
によりエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、タングステンシリサイ
ドのドライエッチング方法に関する。
ドのドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＬＳＩの高集積化及び高速化に伴
い、配線材料がポリシリコンからタングステンシリサイ
ドに変わってきている。これは、ポリシリコンに比べて
タングステンシリサイドは層抵抗が低く、コンタクト部
での抵抗も低いためである。
い、配線材料がポリシリコンからタングステンシリサイ
ドに変わってきている。これは、ポリシリコンに比べて
タングステンシリサイドは層抵抗が低く、コンタクト部
での抵抗も低いためである。
【０００３】従来のタングステンシリサイドのエッチン
グには反応性イオンエッチング（以後、ＲＩＥという）
が主として使用されている。このエッチングに使用する
反応ガスとしては、（１）フロンガス（ＣＦ4 及びＣＣ
ｌ2 Ｆ2 等のように、Ｃ、Ｈ、Ｃｌ及びＦを含む化合物
の総称）、（２）六弗化イオウ（ＳＦ6 ）ガス、（３）
フロンガス及びＳＦ6 ガスの混合ガス、（４）フロンガ
ス及び酸素（Ｏ2 ）ガスの混合ガス（例えば、E.R.Whit
e et al,“Plasma Etching of Composite Silicide Gat
e Electrodes" J.Electrochem.Soc,Vol.129,1982,P1330
において、ＣＦ4 及びＯ2 の混合ガスが使用されてい
る。）、及び（５）ＨＢｒ及びＳＦ6 の混合ガス（辰巳
哲也他“フロンを用いないガス系によるWSix/n+ Poly-S
i の異方性エッチング”，1990年春応物予稿集28P-2F-
3）等がある。
グには反応性イオンエッチング（以後、ＲＩＥという）
が主として使用されている。このエッチングに使用する
反応ガスとしては、（１）フロンガス（ＣＦ4 及びＣＣ
ｌ2 Ｆ2 等のように、Ｃ、Ｈ、Ｃｌ及びＦを含む化合物
の総称）、（２）六弗化イオウ（ＳＦ6 ）ガス、（３）
フロンガス及びＳＦ6 ガスの混合ガス、（４）フロンガ
ス及び酸素（Ｏ2 ）ガスの混合ガス（例えば、E.R.Whit
e et al,“Plasma Etching of Composite Silicide Gat
e Electrodes" J.Electrochem.Soc,Vol.129,1982,P1330
において、ＣＦ4 及びＯ2 の混合ガスが使用されてい
る。）、及び（５）ＨＢｒ及びＳＦ6 の混合ガス（辰巳
哲也他“フロンを用いないガス系によるWSix/n+ Poly-S
i の異方性エッチング”，1990年春応物予稿集28P-2F-
3）等がある。
【０００４】上述のエッチング用反応ガス系において
は、弗素ラジカルによりシリサイドをＷＦｘ、ＷＯＦｘ
及びＳｉＦｘの化合物として揮発し、Ｃ及びＨＢｒによ
り側壁を保護して異方性のエッチングを可能にしてい
る。
は、弗素ラジカルによりシリサイドをＷＦｘ、ＷＯＦｘ
及びＳｉＦｘの化合物として揮発し、Ｃ及びＨＢｒによ
り側壁を保護して異方性のエッチングを可能にしてい
る。
【０００５】次に、従来のドライエッチング方法につい
て添付の図面を参照して説明する。図４は従来のドライ
エッチング方法において、タングステンシリサイドのエ
ッチングに弗素を含有した反応ガスを使用した場合の一
工程を示す断面図である。
て添付の図面を参照して説明する。図４は従来のドライ
エッチング方法において、タングステンシリサイドのエ
ッチングに弗素を含有した反応ガスを使用した場合の一
工程を示す断面図である。
【０００６】先ず、シリコン基板２１上の全面にシリコ
ン酸化膜２２を形成し、このシリコン酸化膜２２上に被
エッチング物であるタングステンシリサイド層２３上を
スパッタリング法により形成する。次に、このタングス
テンシリサイド２３上に、フォトリソグラフィ技術を使
用してフォトレジスト２４を所定のパターンで形成す
る。次に、図４に示すように、タングステンシリサイド
層２３を弗素を含有した反応ガスを使用したＲＩＥによ
りエッチングして、フォトレジスト２４に被覆されてい
ない部分のタングステンシリサイド層２３を除去する。
ン酸化膜２２を形成し、このシリコン酸化膜２２上に被
エッチング物であるタングステンシリサイド層２３上を
スパッタリング法により形成する。次に、このタングス
テンシリサイド２３上に、フォトリソグラフィ技術を使
用してフォトレジスト２４を所定のパターンで形成す
る。次に、図４に示すように、タングステンシリサイド
層２３を弗素を含有した反応ガスを使用したＲＩＥによ
りエッチングして、フォトレジスト２４に被覆されてい
ない部分のタングステンシリサイド層２３を除去する。
【０００７】図５は従来のドライエッチング方法におい
て、タングステンシリサイドのエッチングにフロンガス
及びＯ2 ガスの混合ガスを使用した場合の一工程を示す
断面図である。
て、タングステンシリサイドのエッチングにフロンガス
及びＯ2 ガスの混合ガスを使用した場合の一工程を示す
断面図である。
【０００８】シリコン基板３１上の全面に、上述の図４
の場合と同様にしてシリコン酸化膜３２、タングステン
シリサイド層３３及び所定パターンのフォトレジスト３
４を形成する。次に、図５に示すように、タングステン
シリサイド層３３を、フロンガス及びＯ2 ガスの混合ガ
スを使用したＲＩＥによりエッチングして、タングステ
ンシリサイド層３３をパターニングする。
の場合と同様にしてシリコン酸化膜３２、タングステン
シリサイド層３３及び所定パターンのフォトレジスト３
４を形成する。次に、図５に示すように、タングステン
シリサイド層３３を、フロンガス及びＯ2 ガスの混合ガ
スを使用したＲＩＥによりエッチングして、タングステ
ンシリサイド層３３をパターニングする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のタングステンシリサイドのエッチングにおいて
は、弗素を含有したガスを反応ガスとして使用した場合
には、タングステンシリサイド層２３とシリコン酸化膜
２２との選択比が低いため、図４に示すように、タング
ステンシリサイド層２３の下層にあるシリコン酸化膜２
２がエッチングされてしまうという問題点がある。
た従来のタングステンシリサイドのエッチングにおいて
は、弗素を含有したガスを反応ガスとして使用した場合
には、タングステンシリサイド層２３とシリコン酸化膜
２２との選択比が低いため、図４に示すように、タング
ステンシリサイド層２３の下層にあるシリコン酸化膜２
２がエッチングされてしまうという問題点がある。
【００１０】また、エッチング用反応ガスとして、フロ
ンガスとＯ2 ガスとの混合ガスを使用した場合には、図
５に示すように、タングステンシリサイド層３３にアン
ダーカット３５が生じるという問題点がある。しかも、
上記フロンガスの中で、特定フロン（フロン１１，１
２，１１３，１１４，１１５等のＣ，Ｃｌ，Ｆの３元素
を含むフロン）は成層圏にあるオゾン層を破壊して環境
破壊が生じるという問題点もある。
ンガスとＯ2 ガスとの混合ガスを使用した場合には、図
５に示すように、タングステンシリサイド層３３にアン
ダーカット３５が生じるという問題点がある。しかも、
上記フロンガスの中で、特定フロン（フロン１１，１
２，１１３，１１４，１１５等のＣ，Ｃｌ，Ｆの３元素
を含むフロン）は成層圏にあるオゾン層を破壊して環境
破壊が生じるという問題点もある。
【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、シリコン酸化膜のエッチングを抑制し、ま
たタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を
防止し、更に、環境破壊の発生を防止できるドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
のであって、シリコン酸化膜のエッチングを抑制し、ま
たタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を
防止し、更に、環境破壊の発生を防止できるドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るドライエッ
チング方法は、タングステンシリサイドを反応性イオン
エッチングによりドライエッチングする方法において、
エッチング用ガスとして、弗素元素以外のハロゲン元素
を１種又は２種以上含むガスとＯ2 ガスとの混合ガスを
使用することを特徴とする。
チング方法は、タングステンシリサイドを反応性イオン
エッチングによりドライエッチングする方法において、
エッチング用ガスとして、弗素元素以外のハロゲン元素
を１種又は２種以上含むガスとＯ2 ガスとの混合ガスを
使用することを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係るドライエッチング方法
は、前記弗素元素以外のハロゲン元素を１種又は２種以
上含むガスは臭化水素ガス（ＨＢｒ）と塩素ガス（Ｃｌ
2 ）とを１／５乃至２／１の流量比で混合した混合ガス
であり、Ｏ2 ガス流量が全ガス流量の５％以下であるこ
とが好ましい。
は、前記弗素元素以外のハロゲン元素を１種又は２種以
上含むガスは臭化水素ガス（ＨＢｒ）と塩素ガス（Ｃｌ
2 ）とを１／５乃至２／１の流量比で混合した混合ガス
であり、Ｏ2 ガス流量が全ガス流量の５％以下であるこ
とが好ましい。
【００１４】また、本発明に係るドライエッチング方法
は、前記エッチング用ガスに、ヘリウムガス（Ｈｅ）を
全ガス流量の５０％以下添加することが好ましい。
は、前記エッチング用ガスに、ヘリウムガス（Ｈｅ）を
全ガス流量の５０％以下添加することが好ましい。
【００１５】
【作用】本発明は、チタンシリサイドのエッチング用ガ
スとして弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスとＯ2
ガスとの混合ガスを使用している。これにより、チタン
シリサイドの選択比を高くすることができる。従って、
チタンシリサイド以外の領域のエッチングを防止するこ
とができる。
スとして弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスとＯ2
ガスとの混合ガスを使用している。これにより、チタン
シリサイドの選択比を高くすることができる。従って、
チタンシリサイド以外の領域のエッチングを防止するこ
とができる。
【００１６】また、前記エッチング用ガスにＨｅガスを
添加することにより、エッチング速度を均一化すること
ができる。これにより、チタンシリサイドを均一にエッ
チングすることができ、部分的に過剰にエッチングされ
ることにより生じるアンダーカットの発生を防止するこ
とができる。
添加することにより、エッチング速度を均一化すること
ができる。これにより、チタンシリサイドを均一にエッ
チングすることができ、部分的に過剰にエッチングされ
ることにより生じるアンダーカットの発生を防止するこ
とができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例に係るドライエッチン
グ方法について添付の図面を参照して具体的に説明す
る。
グ方法について添付の図面を参照して具体的に説明す
る。
【００１８】先ず、第１の実施例に係るドライエッチン
グ方法について説明する。図１は、本発明の第１の実施
例に係るドライエッチング方法における一工程を示す断
面図、図２は本発明の第１の実施例に係るドライエッチ
ング方法において、エッチング用混合ガスのＯ2 ガス流
量に対するエッチング速度及び選択比を示すグラフ図で
ある。
グ方法について説明する。図１は、本発明の第１の実施
例に係るドライエッチング方法における一工程を示す断
面図、図２は本発明の第１の実施例に係るドライエッチ
ング方法において、エッチング用混合ガスのＯ2 ガス流
量に対するエッチング速度及び選択比を示すグラフ図で
ある。
【００１９】図１に示すように、シリコン基板１１上の
全面にシリコン酸化膜１２を形成する。また、このシリ
コン酸化膜１２上に被エッチング物であるタングステン
シリサイド層１３をスパッタリング法により形成する。
更に、このタングステンシリサイド層１３上にフォトリ
ソグラフィ技術を使用してフォトレジスト１４をパター
ン形成する。次に、このフォトレジスト１４をマスクに
して、タングステンシリサイド層１３を、ＨＢｒ、Ｃｌ
2 及びＯ2 ガスを含む混合ガスを使用したＲＩＥでエッ
チングし、フォトレジスト１４に被覆されていない部分
のタングステンシリサイド層１３を除去する。
全面にシリコン酸化膜１２を形成する。また、このシリ
コン酸化膜１２上に被エッチング物であるタングステン
シリサイド層１３をスパッタリング法により形成する。
更に、このタングステンシリサイド層１３上にフォトリ
ソグラフィ技術を使用してフォトレジスト１４をパター
ン形成する。次に、このフォトレジスト１４をマスクに
して、タングステンシリサイド層１３を、ＨＢｒ、Ｃｌ
2 及びＯ2 ガスを含む混合ガスを使用したＲＩＥでエッ
チングし、フォトレジスト１４に被覆されていない部分
のタングステンシリサイド層１３を除去する。
【００２０】このエッチング条件の一例は、例えば、圧
力が４００ｍｔｏｒｒ、高周波（ＲＦ）パワーが３００
Ｗである。また、ＨＢｒガスの流量は７５ｓｃｃｍ、Ｃ
ｌ2ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスの流量は５
ｓｃｃｍである。この混合ガスにおいて、Ｃｌ2 ガス流
量に対するＨＢｒガス流量の比（つまり、ＨＢｒガス流
量／Ｃｌ2 ガス流量）は１／５乃至２／１に設定するこ
とが好ましい。ＨＢｒガス流量の比率が１／５未満にな
ると、タングステンシリサイド層１３にアンダーカット
が生じ、逆にＨＢｒガス流量の比率が２／１を超えると
エッチング不足となる。このため、ＨＢｒガス流量／Ｃ
ｌ2 ガス流量を１／５乃至２／１に設定することが好ま
しい。
力が４００ｍｔｏｒｒ、高周波（ＲＦ）パワーが３００
Ｗである。また、ＨＢｒガスの流量は７５ｓｃｃｍ、Ｃ
ｌ2ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスの流量は５
ｓｃｃｍである。この混合ガスにおいて、Ｃｌ2 ガス流
量に対するＨＢｒガス流量の比（つまり、ＨＢｒガス流
量／Ｃｌ2 ガス流量）は１／５乃至２／１に設定するこ
とが好ましい。ＨＢｒガス流量の比率が１／５未満にな
ると、タングステンシリサイド層１３にアンダーカット
が生じ、逆にＨＢｒガス流量の比率が２／１を超えると
エッチング不足となる。このため、ＨＢｒガス流量／Ｃ
ｌ2 ガス流量を１／５乃至２／１に設定することが好ま
しい。
【００２１】図２は横軸にＯ2 ガス流量をとり、縦軸に
エッチング速度及び混合ガスのＳｉＯ2 に対するタング
ステンシリサイドの選択比及びエッチング速度をとっ
て、エッチング速度及び選択比に対するＯ2 ガス流量の
影響を示すグラフ図である。この図２に示すように、全
流量が一定の場合、混合ガスのＯ2 ガス流量が増すにつ
れてタングステンシリサイドのエッチング速度及び選択
比が向上する。但し、Ｏ2 流量を増加し過ぎると、タン
グステンシリサイドのエッチング速度が減少し、エッチ
ング不足となって残渣が生じることから、Ｏ2 ガス流量
は混合ガス全流量の５％以下とする。
エッチング速度及び混合ガスのＳｉＯ2 に対するタング
ステンシリサイドの選択比及びエッチング速度をとっ
て、エッチング速度及び選択比に対するＯ2 ガス流量の
影響を示すグラフ図である。この図２に示すように、全
流量が一定の場合、混合ガスのＯ2 ガス流量が増すにつ
れてタングステンシリサイドのエッチング速度及び選択
比が向上する。但し、Ｏ2 流量を増加し過ぎると、タン
グステンシリサイドのエッチング速度が減少し、エッチ
ング不足となって残渣が生じることから、Ｏ2 ガス流量
は混合ガス全流量の５％以下とする。
【００２２】本実施例においては、タングステンシリサ
イドのエッチング用反応ガスとして弗素元素以外のハロ
ゲン元素であるＨＢｒ及びＣｌ2 を含むガスとＯ2 ガス
の混合ガスを使用している。これにより、タングステン
シリサイドの選択比を３５以上と高くすることができ
る。従って、タングステンシリサイドの下層に形成した
シリコン酸化膜１２のエッチングを抑制することができ
る。
イドのエッチング用反応ガスとして弗素元素以外のハロ
ゲン元素であるＨＢｒ及びＣｌ2 を含むガスとＯ2 ガス
の混合ガスを使用している。これにより、タングステン
シリサイドの選択比を３５以上と高くすることができ
る。従って、タングステンシリサイドの下層に形成した
シリコン酸化膜１２のエッチングを抑制することができ
る。
【００２３】次に、本発明の第２の実施例に係るドライ
エッチング方法について説明する。この第２の実施例に
おいては、エッチング用混合ガスとして、第１の実施例
のＨＢｒ、Ｃｌ2 及びＯ2 ガスを含む混合ガスの代わり
に、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｏ2 及びＨｅガスを含む混合ガス
を使用する。このエッチング条件は、例えば、圧力が４
００ｍｔｏｒｒ、ＲＦパワーが３００Ｗ、ＨＢｒガス流
量が７５ｓｃｃｍとし、Ｃｌ2 ガス流量が１００ｓｃｃ
ｍ、Ｏ2 ガス流量が５ｓｃｃｍ、Ｈｅガス流量が５０ｓ
ｃｃｍである。ここで、エッチング速度の最大値、最小
値及び平均値を夫々Ｒｍａｘ、Ｒｍｉｎ及びＲとする
と、エッチングの均一性を（Ｒｍｉｘ―Ｒｍｉｎ）／２
Ｒと定義する。
エッチング方法について説明する。この第２の実施例に
おいては、エッチング用混合ガスとして、第１の実施例
のＨＢｒ、Ｃｌ2 及びＯ2 ガスを含む混合ガスの代わり
に、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｏ2 及びＨｅガスを含む混合ガス
を使用する。このエッチング条件は、例えば、圧力が４
００ｍｔｏｒｒ、ＲＦパワーが３００Ｗ、ＨＢｒガス流
量が７５ｓｃｃｍとし、Ｃｌ2 ガス流量が１００ｓｃｃ
ｍ、Ｏ2 ガス流量が５ｓｃｃｍ、Ｈｅガス流量が５０ｓ
ｃｃｍである。ここで、エッチング速度の最大値、最小
値及び平均値を夫々Ｒｍａｘ、Ｒｍｉｎ及びＲとする
と、エッチングの均一性を（Ｒｍｉｘ―Ｒｍｉｎ）／２
Ｒと定義する。
【００２４】図３は、横軸にＨｅガス流量をとり、縦軸
にエッチング均一性をとって、Ｈｅガス流量とエッチン
グ均一性との関係を示すグラフ図である。この図３に示
すように、Ｈｅガス流量が増加することにより、エッチ
ング均一性が向上する。但しＨｅガス流量を過剰に添加
すると、他のガスの分圧が低下し、エッチング速度が低
下するので、Ｈｅガス流量は混合ガス全流量の５０％以
下とする。
にエッチング均一性をとって、Ｈｅガス流量とエッチン
グ均一性との関係を示すグラフ図である。この図３に示
すように、Ｈｅガス流量が増加することにより、エッチ
ング均一性が向上する。但しＨｅガス流量を過剰に添加
すると、他のガスの分圧が低下し、エッチング速度が低
下するので、Ｈｅガス流量は混合ガス全流量の５０％以
下とする。
【００２５】本実施例においては、タングステンシリサ
イドのエッチング用ガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｏ2
及びＨｅガスを含む混合ガスを使用している。このエッ
チング用ガスを使用することにより、タングステンシリ
サイドのエッチング速度を均一化することができる。従
って、タングステンシリサイドを均一にエッチングする
ことができ、部分的に過剰にエッチングされることによ
り生じるアンダーカットの発生を防止することができ
る。
イドのエッチング用ガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｏ2
及びＨｅガスを含む混合ガスを使用している。このエッ
チング用ガスを使用することにより、タングステンシリ
サイドのエッチング速度を均一化することができる。従
って、タングステンシリサイドを均一にエッチングする
ことができ、部分的に過剰にエッチングされることによ
り生じるアンダーカットの発生を防止することができ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればタン
グステンシリサイドのエッチング用ガスとして弗素元素
以外のハロゲン元素を一種又は２種以上を含むガス、例
えば、ＨＢｒ、Ｃｌ2 と、Ｏ2 ガスとの混合ガス又はこ
れにＨｅを添加したガスを使用しているので、シリコン
酸化膜との高選択比（３５以上）が可能になり、シリコ
ン酸化膜の減厚を防止することができる。また、前記エ
ッチング用ガスにＨｅを添加したものは、タングステン
シリサイドのエッチング速度を均一化することができ、
タングステンシリサイドを均一にエッチングすることが
できる。これにより、部分的に過剰にエッチングされる
ことにより生じるアンダーカットの発生を防止すること
ができる。
グステンシリサイドのエッチング用ガスとして弗素元素
以外のハロゲン元素を一種又は２種以上を含むガス、例
えば、ＨＢｒ、Ｃｌ2 と、Ｏ2 ガスとの混合ガス又はこ
れにＨｅを添加したガスを使用しているので、シリコン
酸化膜との高選択比（３５以上）が可能になり、シリコ
ン酸化膜の減厚を防止することができる。また、前記エ
ッチング用ガスにＨｅを添加したものは、タングステン
シリサイドのエッチング速度を均一化することができ、
タングステンシリサイドを均一にエッチングすることが
できる。これにより、部分的に過剰にエッチングされる
ことにより生じるアンダーカットの発生を防止すること
ができる。
【００２７】従って、シリコン酸化膜に対する選択比が
高く異方性のエッチングが可能で、タングステンシリサ
イドにアンダーカットを発生させることなく、均一にタ
ングステンシリサイドをエッチングすることができるド
ライエッチング方法を提供することができる。
高く異方性のエッチングが可能で、タングステンシリサ
イドにアンダーカットを発生させることなく、均一にタ
ングステンシリサイドをエッチングすることができるド
ライエッチング方法を提供することができる。
【００２８】更に、本発明方法で使用するエッチング用
ガスは、地球を囲むオゾン層を破壊するフロンガスが含
まれていないため、環境破壊の問題を発生させない。
ガスは、地球を囲むオゾン層を破壊するフロンガスが含
まれていないため、環境破壊の問題を発生させない。
【図１】本発明の第１の実施例に係るドライエッチング
方法における一工程を示す断面図である。
方法における一工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係るドライエッチング
方法において、Ｏ2 ガス流量に対するタングステンシリ
サイドのエッチング速度及びシリコン酸化膜に対する選
択比を示すグラフ図である。
方法において、Ｏ2 ガス流量に対するタングステンシリ
サイドのエッチング速度及びシリコン酸化膜に対する選
択比を示すグラフ図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係るドライエッチング
方法において、Ｈｅガス流量に対するタングステンシリ
サイドのエッチング速度の均一性を示すグラフ図であ
る。
方法において、Ｈｅガス流量に対するタングステンシリ
サイドのエッチング速度の均一性を示すグラフ図であ
る。
【図４】従来のドライエッチング方法における一工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来のドライエッチング方法における一工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
１１，２１，３１；シリコン基板 １２，２２，３２；シリコン酸化膜 １３，２３，３３；タングステンシリサイド層 １４，２４，３４；フォトレジスト ３５；アンダーカット
Claims (3)
- 【請求項１】 タングステンシリサイドを反応性イオン
エッチングによりドライエッチングする方法において、
エッチング用ガスとして、弗素元素以外のハロゲン元素
を１種又は２種以上含むガスと酸素ガスとの混合ガスを
使用することを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記弗素元素以外のハロゲン元素を１種
又は２種以上含むガスは臭化水素ガスと塩素ガスとを１
／５乃至２／１の流量比で混合した混合ガスであり、酸
素ガス流量が全ガス流量の５％以下であることを特徴と
する請求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチング用ガスに、ヘリウムガス
を全ガス流量の５０％以下添加することを特徴とする請
求項１又は２に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1714992A JPH05217955A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1714992A JPH05217955A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217955A true JPH05217955A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11935935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1714992A Pending JPH05217955A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217955A (ja) |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP1714992A patent/JPH05217955A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981209 |