JPH05217216A - 光テープ - Google Patents

光テープ

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JPH05217216A
JPH05217216A JP4021418A JP2141892A JPH05217216A JP H05217216 A JPH05217216 A JP H05217216A JP 4021418 A JP4021418 A JP 4021418A JP 2141892 A JP2141892 A JP 2141892A JP H05217216 A JPH05217216 A JP H05217216A
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JP
Japan
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film
layer
roughness
polyester film
center line
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Application number
JP4021418A
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English (en)
Inventor
Megumi Komiyama
恵 小見山
Kenji Kato
憲司 加藤
Hidemi Yoshida
秀実 吉田
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Diafoil Co Ltd
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Diafoil Co Ltd
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
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  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 記録特性の優れた光テープを提供する。 【構成】 表面粗度およびF5 値が下記式〜を同時
に満足する、多層が共押出しにより積層、延伸配向され
てなるポリエステルフィルムの高粗面度面側に、表面粗
度が下記式およびを同時に満足するバックコート層
が設けられ、低粗面度側に記録層が設けられてなる光テ
ープ。 RaA ≦0.005 … 0.005≦RaB ≦0.030 … 0.005≦RaB −RaA ≦0.026… 9≦F5 ≦30 … 0.012≦RaC ≦0.040 … 0.003≦RaC −RaB ≦0.035… 上記式中、RaA はポリエステルフィルムの低粗面度面
の中心線平均粗さ(μm)、RaB はポリエステルフィ
ルムの高粗面度面の中心線平均粗さ(μm)、RaC
バックコート層表面の中心線平均粗さ(μm)、F5
ポリエステルフィルムの縦方向のF5 値(kg/m
2 )を示す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光の照射により、情報の
記録・再生が可能である光テープに関するものである。
特に本発明は、記録情報の記録再生特性が著しく改善さ
れた光テープに関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、情報記録テープとしては、磁気記録媒体が一般に用
いられてきたが、近年、情報記録密度の向上の要求が高
まり、それに対応するものとして光学式記録再生システ
ムを利用した方式、例えば、プラスチックベースフィル
ム上にTe−As−Seの金属膜を設けたもの(特開昭
57−33447号公報)、ポリイミド系のテープ基板
上にTe−Se系、Se−In−Sb系およびAg−Z
n系合金をRF−マグネトロンスパッタリングにより形
成し、さらにその上に保護層を形成したもの(特開昭6
2−132251号公報)等の光テープが報告されてい
る。
【0003】このような蒸着、スパッタ又はイオンプレ
ーティング等の薄膜形成手法によって形成される記録層
は、その膜厚さが薄く、支持体の表面状態(表面凹凸)
がそのまま、磁性膜の凹凸として発現し、それが記録再
生特性低下の原因となることが欠点とされていた。この
ため記録再生特性の観点からは、支持体の表面状態が、
できるだけ平滑であることが好ましい。
【0004】しかしながら、支持体フィルムの表面が平
滑になると、フィルムの滑り性が劣るため、円滑なテー
プ走行性が得られない。また、フィルム製造時の取扱い
性も悪く、延伸ロール通過時にフィルムにスリ傷等の欠
陥が生じやすいという問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
に鑑み、鋭意検討した結果、ある特定の層構成を有する
光テープが優れた特性を有することを見いだし、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明の要旨は、表面
粗度およびF5 値が下記式〜を同時に満足する、多
層が共押出により積層、延伸配向されてなるポリエステ
ルフィルムの高粗面度面側に、表面粗度が下記式およ
びを同時に満足するバックコート層が設けられ、低粗
面度面側に記録層が設けられてなる光テープに存する。
【0006】 RaA ≦0.005 … 0.005≦RaB ≦0.030 … 0.005≦RaB −RaA ≦0.026… 9≦F5 ≦30 … 0.012≦RaC ≦0.040 … 0.003≦RaC −RaB ≦0.035… 上記式中、RaA はポリエステルフィルムの低粗面度面
の中心線平均粗さ(μm)、RaB はポリエステルフィ
ルムの高粗面度面の中心線平均粗さ(μm)、RaC
バックコート層表面の中心線平均粗さ(μm)、F5
ポリエステルフィルムの縦方向のF5 値(kg/m
2 )を示す。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
いうポリエステルとは、テレフタル酸、ナフタレン−
2,6−ジカルボン酸等のような芳香族ジカルボン酸
と、エチレングリコール、ジエチレングリコール、テト
ラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等のよ
うな脂肪族グリコールとを重縮合させて得られるポリマ
ーである。かかるポリマーの代表的なものとしては、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレン−
2,6−ナフタレンジカルボキシレート(PEN)等が
例示される。また、ホモポリマー以外に、結晶性を低下
させない程度、つまり10モル%以下の他の芳香族およ
び脂肪族のジカルボン酸、ジオール等を共重合して得ら
れるポリマーでもよい。
【0008】また、他の重合体、例えばポリアミド、ポ
リオレフィン、ポリカーボネート等を10重量%以下ブ
レンドすることも可能である。ただし、結晶性を極端に
低下させたり、ブレンドにより表面粗度が極端に凹凸化
する重合体は好ましくない。また、異なる種類のポリマ
ーを組み合わせて積層することも好ましく、例えばPE
TとPENその他のポリマーとの組み合わせでもよい
し、同じポリマーでも、共重合比の異なるもの、固有粘
度の異なるものの組み合わせ等、目的に応じて選択する
ことができる。前記ポリエステル中には、エステル交換
触媒、重合触媒以外にリン酸、亜リン酸およびそれらの
エステル等の安定剤、紫外線吸収剤、二酸化チタン、微
粒子状シリカ、カオリン、炭酸カルシウム等の艶消剤、
滑剤など必要に応じて含まれていてもよい。
【0009】本発明で用いるポリエステルフィルムの露
出する一方の面(低粗面面、A面)は光記録層を設ける
面であり、延伸、熱固定後のフィルムA面の中心線平均
粗さ(RaA )は小さいほど良い。本発明においては、
RaA は0.005μm以下である必要があり、さらに
好ましくは0.003μm以下である。RaA が0.0
05μmを超えると、光記録特性が低下する。
【0010】このようなフィルム表面特性を付与するた
めに、ポリエステル中に添加粒子、析出粒子、その他の
触媒残渣を含有していてもよいが、実質的に粒子を含有
しないポリエステルを用いることがもっとも好ましい。
ここでいう実質的とは、粒子含有量が0.05重量%以
下程度のことを指す。粒子を実質的に含有しないポリエ
ステル樹脂としては、例えばマグネシウム化合物、マン
ガン化合物、亜鉛化合物等のエステル交換触媒を用い、
燐化合物によって触媒残渣の析出を防いで得られるポリ
エステル、あるいはエステル化触媒を用いないで製造さ
れた、直重法によるポリエステル等が好適に用いられ
る。重合触媒としては、アンチモン化合物、ゲルマニウ
ム化合物、チタン化合物、スズ化合物等が用いられ、特
に制限はないが、アンチモン量を減らして重合した低触
媒レジンを用いることが特に好ましい。
【0011】A面には、光記録層との接着性を高める目
的あるいは平坦性をさらに高める目的で塗布層を設けて
もよい。本発明で用いるフィルムのもう一方の露出する
面(高粗面面、B面)は、延伸・熱固定後のフィルムの
中心線平均表面粗さ(RaB )が0.005〜0.03
0μmの易滑面を与えるような微細な粒子を包含するポ
リエステル層からなるもので、融液状で各層を口金また
は口金以前で複合して積層される。RaB が0.005
μm未満では、走行性が劣り不適当である。また、Ra
B が0.030μmを超えると、走行性がそれ以上改良
されないだけでなく、蒸着時等に、冷却ドラムとの密着
性に劣り好ましくない。
【0012】B層としては通常、添加粒子または析出粒
子を含有するポリエステルを用いる。B層に用いる粒子
としては、既知のものが採用できるが、フィルムのスリ
傷等、延伸製膜時の欠陥の形成を低減する目的で高硬度
微粒子、例えば酸化アルミニウムの微粒子を添加するこ
とが特に好ましい。A面およびB面を構成する層の厚み
の比率およびそれらの表面粗度の選択によっては、B面
を構成する層(B層)の突起がA面を構成する層(A
層)の平滑面に影響を及ぼし、A面の表面粗度が単独で
製膜したときよりも、長周期の凹凸もしくはうねりが生
じてRaが大きくなる場合、また、熱処理や、弛緩、延
伸条件、キャスティング条件など種々選んで微小凹凸を
形成する場合でも光テープの基体フィルムの両面が先に
述べた条件を満足していれば良い。ただし、このような
長周期のうねりはない方が好ましく、うねりを生じさせ
ないためには、B層の厚みを全体厚みに対して、通常1
/2以下、好ましくは1/3以下、さらに好ましくは1
/4以下とする。
【0013】本発明で用いるポリエステルフィルムのA
面とB面の表面粗度の差(RaB −RaA )は0.00
5〜0.026μmの範囲である。両者の差が0.00
5μm未満では、フィルムの走行性が維持されないため
好ましくない。一方、Raの差が0.026μmを超え
るものでは、フィルム巻取後、B面からA面への表面形
状の裏写り現象が起きるので、フィルムの平面性が劣り
好ましくない。Raの差は、好ましくは0.007〜
0.020μmの範囲である。
【0014】B面の表面形状のA面への裏写りを防止す
るため、例えば、延伸条件を適切に選択してB面の突起
を核として、その周辺に窪みを有するような突起を形成
させ、粒子が窪みの中に埋れるように存在させる手段は
好ましい方法である。以上のように、本発明で用いるフ
ィルムは、裏表異なる表面粗度を有し、その差がある特
定範囲であるフィルムでなければならないが、それと同
時に縦方向の5%伸長時の引張り強度(F5 値)は9〜
30kg/mm2 の範囲であり、好ましくは14〜30
kg/mm2 、さらに好ましくは18〜30kg/mm
2 の範囲である。
【0015】ベースフィルムの縦方向のF5 値が9kg
/mm2 未満の場合、光テープの耐久性が劣り、好まし
くない。一方、F5 値が30kg/mm2 を超えるフィ
ルムはフィルム製造工程での連続性に劣るので、実用的
でない。上述のベースフィルム上に形成される記録層と
しては、記録が一回のみ可能な追記型のものおよび記
録、消去が何回でも可能な書き換え型のいずれも採用す
ることができる。書き換え可能なものとしては、光磁気
効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の
変化を利用した相変化媒体が挙げられる。これらの書換
え可能な記録媒体は、ベースフィルム側からレーザビー
ムを照射して情報の記録再生を行う場合には、一般に、
ベースフィルム−誘電体層−記録層−誘電体層−反射層
の層構成をとり、また、記録層側からレーザビームを照
射する場合には、一般にベースフィルム−反射層−誘電
体層−記録層−誘電体層の層構成をとる。
【0016】誘電体層は、酸化されやすい記録層を、水
分や酸素から保護する目的および記録層の変形防止の目
的で用いられ、通常、透明で耐熱性が高い金属酸化物、
金属窒化物、金属硫化物、無機炭化物などが用いられ
る。金属酸化物としては、Al2 3 ,Ta2 5 ,S
iO,SiO2 の金属酸化物単独またはこれらの混合物
あるいはAl−Ta−O等の複合酸化物が挙げられる。
また、これらの化合物に他の元素、例えばTi,Zr,
Mo,Y等が酸化物の形で単独あるいはAl,Taと複
合して酸化物を形成していてもよい。これらの金属酸化
物は緻密な構造であるので、外部からの水分や酸素の浸
入を防ぎ、耐蝕性が高く、光磁気記録層や相変化記録層
との反応性も低く、樹脂との密着性も優れ好ましい。
【0017】金属窒化物としては、具体的にSi,A
l,Ge等の金属の窒化物あるいはこれら2種以上の複
合窒化物またはこれらとNb,Taとの複合窒化物(例
えば、SiNbN,SiTaN等)が挙げられる。これ
らの中でもSiを含有する窒化物が良好な効果を奏す
る。金属窒化物は緻密で外部からの水分や酸素の浸入を
防ぎ、それ自身の耐蝕性も高い。
【0018】金属硫化物としては、ZnS等が挙げら
れ、単独でも用いられるが、これと前記の金属酸化物あ
るいは金属窒化物との混合物として用いられることも多
い。無機炭化物としてはSiC等が挙げられる。本発明
では特に酸化タンタル(Ta2 5 )、硫化亜鉛(Zn
S)が内部応力が小さく、クラックの発生が少ないので
好適に用いられる。
【0019】これら誘電体層の膜厚としては、レーザー
光を照射する側の誘電体層が500〜3000Å、反射
層側が100〜3000Å程度が好ましい。記録層とし
ては、希土類と還移金属との合金、例えばTbFeC
o,GdTbFe,GdTbFeCo,GdDyFeC
o,NdDyFeCo等の光磁気記録材料またはGe−
Te系、Ge−Sb−Te系、In−Sb−Te系等の
相変化記録材料が用いられる。
【0020】記録層の膜厚は、100〜2000Åの範
囲が好ましい。なお、記録層および誘電体層の膜厚は、
多層構成に伴なう干渉効果も考慮して、レーザー光の吸
収効率が良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記
録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。反
射層としては、通常、反射率の高いAl,Au,Ag,
Ni等の金属薄膜が用いられる。なお、反射層は記録層
が吸収した熱エネルギーの拡散を促進する効果もある。
反射層の膜厚は、200〜3000Åの範囲が好まし
い。また、反射層の上に紫外線硬化樹脂などの樹脂保護
層が設けてあってもよい。
【0021】記録層、誘電体層、反射層は公知の真空中
での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、スパッタリング法等により形成される。組成、
膜厚コントロールの容易さ等から、特にスパッタリング
法が推奨される。形成する記録層等の厚さの制御は、公
知の技術である水晶振動子などの膜厚計によりモニタリ
ングすることで行える。
【0022】得られた光記録媒体の蒸着面の反対面に公
知の手段でバックコート層が設けられる。バックコート
層の形成は光記録層の形成前に行ってもよいが、光記録
層を形成した後に行うことがより好ましい。バックコー
ト層表面の中心線平均粗さRaC は0.012〜0.0
40μmの範囲であり、好ましくは、0.015〜0.
035μm、さらに好ましくは0.020〜0.035
μmの範囲である。RaC が0.012μm未満では、
光テープとしての走行性が不足し不適当である。一方、
RaC が0.040μmを超えるものでは、バックコー
ト層の均一性に劣り不適当である。
【0023】かくして得られたバックコート層のRaC
とB面のRaB との差(RaC −RaB )は、0.00
3〜0.035μmの範囲であり、好ましくは、0.0
08〜0.035μmの範囲である。かかるRaの差が
0.003μm未満では、フィルムのB面の粗さがバッ
クコート層の粗さに影響し、突起の均一性が損なわれ、
走行性に悪影響を及ぼすため不適当である。一方、Ra
の差が0.035μmを超えるものでは、バックコート
面の突起が不均一となり耐久走行性が悪化するため不適
当である。
【0024】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。なお、フィルムおよび
光テープの特性評価は以下の方法により行った。
【0025】(1)平均表面粗さ(Ra) 小坂研究所(株)表面粗さ測定器(SE−3FK)によ
って次のように求めた。触針の先端半径は2μm、荷重
は30mgとして測定したフィルム断面曲線からその中
心線の方向に基準長さL(2.5mm)の部分を抜き取
り、この抜き取り部分の中心線をX軸、縦倍率の方向を
Y軸として、粗さ曲線y=f(x)で表わしたとき、次
の式で与えられた値をμmで表した。ただし、カットオ
フ値は80μmとした。Raは縦方向に5点、横方向に
5点の計10点の平均値を求めた。
【0026】
【数1】
【0027】(2)引張試験(F5 値) (株)インテスコ製、引張試験機インテスコモデル20
01型を用いて、温度23℃、湿度50%RHに調節さ
れた室内において長さ50mm、幅15mmの試料フィ
ルムを50mm/minの速度で引張り、5%伸張時の
強度をF5 値とした。
【0028】実施例1 内部に粒子を含有しないポリエチレンテレフタレート原
料を層A1 の原料とし、δ−Al2 3 粒子を0.3w
t%と0.6μmの合成炭酸カルシウム粒子0.08w
t%とを含有するポリエチレンテレフタレート原料を層
1 の原料として、A1 層とB1 層の厚み比を1:5の
割合となるようにシート状に共押出しし、このシートを
85〜90℃の温度で縦方向に3.3倍延伸し、次いで
テンターに導いて横方向に95〜100℃の温度で3.
5倍延伸した後、215℃で熱固定して15μmのフィ
ルムを得た。得られたフィルムの特性を下記表1に示
す。
【0029】得られたフィルムの滑り性は良好でブロッ
キングも発生せず、良好に巻き取ることができた。ま
た、フィルム表面にスリ傷等の欠陥も生じていなかっ
た。このポリエステルフィルム表面A1 にスパッタリン
グ法によりAl反射層を1000Å、Ta2 5 誘電体
層を1500Å、Ge22Sb28Te50(原子%)記録層
を700Å、Ta2 5 誘電体層1100Åを同一チャ
ンバー内で真空下順次形成し、次いで反対面B1 にバッ
クコート層を設けて、相変化記録媒体を作成した。得ら
れた相変化記録媒体を4m/sの線速度で走行させ、記
録層側から半導体レーザー光を照射し、1MHzの信号
を記録したところ、50dB以上の良好なC/Nが得ら
れ、かつオーバーライトも可能であった。
【0030】実施例2 実施例1で得られたポリエステルフィルムのA1 面上
に、スパッタリング法によりAl反射層を1000Å、
Ta2 5 誘電体層を900Å、Tb22Fe70Co
8 (原子%)記録層を400Å、Ta2 5 誘電体層7
50Åを同一チャンバー内で真空下順次形成し、次いで
反対面B1 にバックコート層を設けて、光磁気記録媒体
を作成した。
【0031】得られた光磁気記録媒体を、電磁石で一括
消去した後、4m/sの線速度で走行させながら、記録
層側から半導体レーザー光を照射し、200Oeのバイ
アス磁界をかけ、1MHzの信号を記録したところ、5
0dB以上の良好なC/Nが得られた。
【0032】比較例1 表裏共に実施例1のA1 面と同等の粗度となるように単
層にする以外は実施例1と同様に製膜したところ、巻き
取りが困難で、かつ、傷の発生頻度が高く、歩留まりが
極端に悪いため、工業的な生産は不可能であった。
【0033】比較例2 実施例1において、縦延伸後横延伸前にインラインで塗
布処理を施し、バックコート層を設けない外は実施例1
と同様にして光記録媒体を得、実機で走行させたとこ
ろ、走行を多数回繰り返すと塗布層が損傷を受け、走行
性が悪化した。
【0034】実施例3 実施例1において、ポリエチレンテレフタレートをポリ
エチレン−2,6−ナフタレートフィルムとする外は実
施例1と同様にして未延伸フィルムを得た。得られた未
延伸フィルムを縦方向に135℃で4.5倍、延伸し、
次いで150℃で4.3倍、横方向に延伸した後、さら
に縦方向に140℃で1.2倍再縦延伸を行い、200
℃で1.15倍、再横延伸後、225℃で熱固定し10
μmのフィルムを得た。得られたフィルムの物性を下記
表1に示す。得られたフィルムの平坦面上に実施例1と
同様にして光記録層を形成し、バックコート層を設けて
相変化記録媒体を作成した。
【0035】得られた相変化記録媒体を4m/sの線速
度で走行させ、記録層側から半導体レーザー光を照射
し、1MHzの信号を記録したところ、50dB以上の
良好なC/Nが得られ、かつオーバーライトも可能であ
った。
【0036】
【表1】
【0037】
【発明の効果】本発明の光テープは、優れた記録再生特
性を有するものであり、その工業的価値は高い。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B29L 7:00 4F (72)発明者 吉田 秀実 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成株式会社総合研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面粗度およびF5 値が下記式〜を
    同時に満足する、多層が共押出しにより積層、延伸配向
    されてなるポリエステルフィルムの高粗面度面側に、表
    面粗度が下記式およびを同時に満足するバックコー
    ト層が設けられ、低粗面度面側に記録層が設けられてな
    る光テープ。 RaA ≦0.005 … 0.005≦RaB ≦0.030 … 0.005≦RaB −RaA ≦0.026… 9≦F5 ≦30 … 0.012≦RaC ≦0.040 … 0.003≦RaC −RaB ≦0.035… 上記式中、RaA はポリエステルフィルムの低粗面度面
    の中心線平均粗さ(μm)、RaB はポリエステルフィ
    ルムの高粗面度面の中心線平均粗さ(μm)、RaC
    バックコート層表面の中心線平均粗さ(μm)、F5
    ポリエステルフィルムの縦方向のF5 値(kg/m
    2 )を示す。
JP4021418A 1991-06-24 1992-02-06 光テープ Pending JPH05217216A (ja)

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JP4021418A JPH05217216A (ja) 1992-02-06 1992-02-06 光テープ
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CA002071689A CA2071689A1 (en) 1991-06-24 1992-06-19 Optical tape
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