JPH05217193A - 光ディスクドライブ - Google Patents
光ディスクドライブInfo
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- JPH05217193A JPH05217193A JP4054211A JP5421192A JPH05217193A JP H05217193 A JPH05217193 A JP H05217193A JP 4054211 A JP4054211 A JP 4054211A JP 5421192 A JP5421192 A JP 5421192A JP H05217193 A JPH05217193 A JP H05217193A
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- semiconductor laser
- drive
- laser element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スクープノイズを除去しノイズの少ない再生
信号を得る。 【構成】 制御回路１６は、半導体レーザ素子２から出
射したレーザ光の光ディスク８による反射光信号をもと
にアドレスを求め、更に光ディスク８上の半径位置を求
め半導体レーザ素子２を高周波駆動する駆動回路１の駆
動周波数あるいはデューティを、求めた半径位置に対応
したスクープ防止用適値に変更する。
信号を得る。 【構成】 制御回路１６は、半導体レーザ素子２から出
射したレーザ光の光ディスク８による反射光信号をもと
にアドレスを求め、更に光ディスク８上の半径位置を求
め半導体レーザ素子２を高周波駆動する駆動回路１の駆
動周波数あるいはデューティを、求めた半径位置に対応
したスクープ防止用適値に変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクドライブに
関し、特に分離光学系を有しスクープ防止が可能な光デ
ィスクドライブに関する。
関し、特に分離光学系を有しスクープ防止が可能な光デ
ィスクドライブに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスクドライブの光学系とし
ては、シーク速度を上げるため図５に示すような分離光
学系が使われている。
ては、シーク速度を上げるため図５に示すような分離光
学系が使われている。
【０００３】図５において、５１は図示しない高周波モ
ジュール（駆動回路）により高周波駆動される半導体レ
ーザ素子（レーザダイオード）であって、この半導体レ
ーザ素子５１から出力されるレーザ光はコリメータレン
ズ５２、ビームスプリッタ５３を介してピックアップの
可動部５７に入射する。ピックアップの可動部５７で
は、立ち上げミラー５４はビームスプリッタ５３からの
レーザ光を反射し、対物レンズ５５を通して光ディスク
５６上に照射する。光ディスク５６からの反射光はピッ
クアップの可動部５７の対物レンズ５５、立ち上げミラ
ー５４を介してビームスプリッタ５３に入射し、ここで
反射されて集光レンズ５８を介して光検出器５９に入射
するようになっている。
ジュール（駆動回路）により高周波駆動される半導体レ
ーザ素子（レーザダイオード）であって、この半導体レ
ーザ素子５１から出力されるレーザ光はコリメータレン
ズ５２、ビームスプリッタ５３を介してピックアップの
可動部５７に入射する。ピックアップの可動部５７で
は、立ち上げミラー５４はビームスプリッタ５３からの
レーザ光を反射し、対物レンズ５５を通して光ディスク
５６上に照射する。光ディスク５６からの反射光はピッ
クアップの可動部５７の対物レンズ５５、立ち上げミラ
ー５４を介してビームスプリッタ５３に入射し、ここで
反射されて集光レンズ５８を介して光検出器５９に入射
するようになっている。
【０００４】ここに、ピックアップの可動部５７は、ト
ラッキングアクチュエータによって駆動され、ピックア
ップの可動部５７はラジアル方向にシークする。
ラッキングアクチュエータによって駆動され、ピックア
ップの可動部５７はラジアル方向にシークする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、現
在、光ディスクドライブは、分離光学系を使用してい
る。分離光学系では、図５に示すようにピックアップの
可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置であ
るとき、往復の光路長Ｌout は、Ｌout ＝２（ＬO ＋Ｌ
out ）である。また、ピックアップの可動部５７のシー
ク位置がシーク範囲の最内周位置であるとき、往復の光
路長Ｌin＝２（Ｌo ＋Ｌin）である。また、ピックアッ
プの可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置
であるとき、半導体レーザ素子５１から出射したレーザ
光が戻ってくるまでの時間ｔ1 は、ｔ1＝２（ＬO ＋Ｌ
out ）／ｃである。ここに、Ｌo は、立ち上げミラー５
４と光ディスク５６間の距離、Ｌout はピックアップの
可動部５７のシーク位置が図示の如くシーク範囲の最外
周位置にあるとき、半導体レーザ素子５１から光ディス
ク５６への照射位置までの距離、Ｌinはピックアップの
可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最内周位置にあ
るとき、半導体レーザ素子５１から光ディスク５６への
照射位置までの距離、ｃは光速である。
在、光ディスクドライブは、分離光学系を使用してい
る。分離光学系では、図５に示すようにピックアップの
可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置であ
るとき、往復の光路長Ｌout は、Ｌout ＝２（ＬO ＋Ｌ
out ）である。また、ピックアップの可動部５７のシー
ク位置がシーク範囲の最内周位置であるとき、往復の光
路長Ｌin＝２（Ｌo ＋Ｌin）である。また、ピックアッ
プの可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置
であるとき、半導体レーザ素子５１から出射したレーザ
光が戻ってくるまでの時間ｔ1 は、ｔ1＝２（ＬO ＋Ｌ
out ）／ｃである。ここに、Ｌo は、立ち上げミラー５
４と光ディスク５６間の距離、Ｌout はピックアップの
可動部５７のシーク位置が図示の如くシーク範囲の最外
周位置にあるとき、半導体レーザ素子５１から光ディス
ク５６への照射位置までの距離、Ｌinはピックアップの
可動部５７のシーク位置がシーク範囲の最内周位置にあ
るとき、半導体レーザ素子５１から光ディスク５６への
照射位置までの距離、ｃは光速である。
【０００６】このように光路長が、ピックアップの可動
部５７のシーク位置によって変わるため、スクープ防止
用の高周波モジュールの周波数、デューティの最適値が
変わってしまう。従って、ピックアップの可動部５７の
シーク位置に応じてスクープ防止用の高周波モジュール
の周波数、デューティを最適値に変えてやらないと、次
のような問題が生じる。
部５７のシーク位置によって変わるため、スクープ防止
用の高周波モジュールの周波数、デューティの最適値が
変わってしまう。従って、ピックアップの可動部５７の
シーク位置に応じてスクープ防止用の高周波モジュール
の周波数、デューティを最適値に変えてやらないと、次
のような問題が生じる。
【０００７】即ち、図５に示すようにピックアップの可
動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置である
ときは、図６に示す如く駆動パルス信号Ｐ1 で半導体レ
ーザ素子５１を駆動して半導体レーザ素子５１から出射
したレーザ光６１が、次の駆動パルス信号Ｐ2 で半導体
レーザ素子５１がレーザ光を出射しないうちに光ディス
ク５６で反射されて半導体レーザ素子５１へ時間ｔ1 で
返ってくればスクープは生じない。しかし、ピックアッ
プの可動部５７のシーク位置がある位置にあるとき、駆
動パルス信号Ｐ1 で半導体レーザ素子５１から出射した
レーザ光６１が、光ディスク５６で反射されて半導体レ
ーザ素子５１の方へ時間ｔ2 で戻ってくるときに、次の
駆動パルス信号Ｐ2 で半導体レーザ素子５１がレーザ光
を出射すると、スクープノイズが発生してしまう。
動部５７のシーク位置がシーク範囲の最外周位置である
ときは、図６に示す如く駆動パルス信号Ｐ1 で半導体レ
ーザ素子５１を駆動して半導体レーザ素子５１から出射
したレーザ光６１が、次の駆動パルス信号Ｐ2 で半導体
レーザ素子５１がレーザ光を出射しないうちに光ディス
ク５６で反射されて半導体レーザ素子５１へ時間ｔ1 で
返ってくればスクープは生じない。しかし、ピックアッ
プの可動部５７のシーク位置がある位置にあるとき、駆
動パルス信号Ｐ1 で半導体レーザ素子５１から出射した
レーザ光６１が、光ディスク５６で反射されて半導体レ
ーザ素子５１の方へ時間ｔ2 で戻ってくるときに、次の
駆動パルス信号Ｐ2 で半導体レーザ素子５１がレーザ光
を出射すると、スクープノイズが発生してしまう。
【０００８】本発明の目的は、このような問題に鑑み、
スクープノイズを減らしてノイズの少ない再生信号を得
ることができるようにした光ディスクドライブを提供す
ることにある。
スクープノイズを減らしてノイズの少ない再生信号を得
ることができるようにした光ディスクドライブを提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクドラ
イブは、分離光学系を有し、半導体レーザ素子を駆動回
路で高周波駆動する光ディスクドライブにおいて、制御
回路としての制御回路１６を備えることを特徴とする。
イブは、分離光学系を有し、半導体レーザ素子を駆動回
路で高周波駆動する光ディスクドライブにおいて、制御
回路としての制御回路１６を備えることを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の光ディスクドライブにおいて
は、制御回路１６は、半導体レーザ素子２から出射した
レーザ光の光ディスク８による反射光信号をもとに、レ
ーザ光が照射された光ディスク上の半径位置を求め、半
導体レーザ素子２を高周波駆動する駆動回路１の高周波
駆動の周波数あるいはデューティ（ｄｕｔｙ）を、求め
た半径位置に対応したスクープ防止用適値に変更する。
は、制御回路１６は、半導体レーザ素子２から出射した
レーザ光の光ディスク８による反射光信号をもとに、レ
ーザ光が照射された光ディスク上の半径位置を求め、半
導体レーザ素子２を高周波駆動する駆動回路１の高周波
駆動の周波数あるいはデューティ（ｄｕｔｙ）を、求め
た半径位置に対応したスクープ防止用適値に変更する。
【００１１】請求項２に記載の光ディスクドライブにお
いては、制御回路１６は、半導体レーザ素子２を高周波
駆動する駆動回路１の高周波駆動の周波数あるいはデュ
ーティ（ｄｕｔｙ）を、光ディスク８面の使用半径領域
にわたって共通なスクープ用適値にする。
いては、制御回路１６は、半導体レーザ素子２を高周波
駆動する駆動回路１の高周波駆動の周波数あるいはデュ
ーティ（ｄｕｔｙ）を、光ディスク８面の使用半径領域
にわたって共通なスクープ用適値にする。
【００１２】このようにすると、スクープノイズを減ら
してノイズの少ない再生信号を得ることができる。
してノイズの少ない再生信号を得ることができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例につき図面を用いて説明
する。
する。
【００１４】図１は、本発明の光ディスクドライブの一
実施例を示す構成図である。同図において、１は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）２を、スクープを防止
すべく高周波駆動する駆動回路であって、半導体レーザ
素子２の出力レーザ光はコリメータレンズ３、ビームス
プリッタ４を介してピックアップの可動部５の立ち上げ
ミラー６に入射し、ここで反射される。立ち上げミラー
６で反射されたレーザ光は、対物レンズ７を介して光デ
ィスク８に照射され、記録情報に応じた変調を受けて反
射される。
実施例を示す構成図である。同図において、１は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）２を、スクープを防止
すべく高周波駆動する駆動回路であって、半導体レーザ
素子２の出力レーザ光はコリメータレンズ３、ビームス
プリッタ４を介してピックアップの可動部５の立ち上げ
ミラー６に入射し、ここで反射される。立ち上げミラー
６で反射されたレーザ光は、対物レンズ７を介して光デ
ィスク８に照射され、記録情報に応じた変調を受けて反
射される。
【００１５】この変調された反射光は、再び対物レンズ
７、立ち上げミラー６を介してビームスプリッタ４に入
射し、ここで反射されて集光レンズ９を介して光検出器
１０に入射する。光検出器１０は、入力される反射光の
変化を検出して光ディスク８に記録されている情報信号
に対応した電気信号を出力する。この電気信号は、ディ
テクタアンプ１１で増幅されてＲＦ信号として出力され
る。
７、立ち上げミラー６を介してビームスプリッタ４に入
射し、ここで反射されて集光レンズ９を介して光検出器
１０に入射する。光検出器１０は、入力される反射光の
変化を検出して光ディスク８に記録されている情報信号
に対応した電気信号を出力する。この電気信号は、ディ
テクタアンプ１１で増幅されてＲＦ信号として出力され
る。
【００１６】アドレス検出回路１２は、ディテクタアン
プ１１からのＲＦ信号より、ピックアップの対物レンズ
７によるレーザ光の照射位置の光ディスク８のアドレス
を検出し、これをＣＰＵ１３に出力する。ＣＰＵ１３
は、アドレス信号より光ディスク８の半径位置を求め、
Ｄ／Ａ変換器１４を介して駆動回路１を制御する電圧制
御発振回路（ＶＣＯ）１５の出力周波数およびＶＣＯ１
５の出力電圧（ＶＣＯ１５による駆動回路１への設定電
圧）を、求めた半径位置に応じて変える。これにより高
周波駆動の駆動回路１の周波数あるいはデューティをス
クープ防止用の最適値にする。
プ１１からのＲＦ信号より、ピックアップの対物レンズ
７によるレーザ光の照射位置の光ディスク８のアドレス
を検出し、これをＣＰＵ１３に出力する。ＣＰＵ１３
は、アドレス信号より光ディスク８の半径位置を求め、
Ｄ／Ａ変換器１４を介して駆動回路１を制御する電圧制
御発振回路（ＶＣＯ）１５の出力周波数およびＶＣＯ１
５の出力電圧（ＶＣＯ１５による駆動回路１への設定電
圧）を、求めた半径位置に応じて変える。これにより高
周波駆動の駆動回路１の周波数あるいはデューティをス
クープ防止用の最適値にする。
【００１７】なお、制御回路１６は、アドレス回路１２
とＣＰＵ１３とＤ／Ａ変換器１４とＶＣＯ１５とから構
成される。
とＣＰＵ１３とＤ／Ａ変換器１４とＶＣＯ１５とから構
成される。
【００１８】次に、図２は図１のＤ／Ａ変換器１４、Ｖ
ＣＯ１５の部分の具体的実施例を示す回路図である。図
２のＬＣ発振回路において、２１はトランジスタ、２２
はトランジスタ２１のベース、エミッタ間に接続された
コイル、２３はトランジスタ２１のコレクタ、エミッタ
間に接続されたコンデンサである。また、２４はコイル
であって、コイル２４には複数の端子（ここでは４個の
端子）が設けられている。２５は、スイッチであって、
スイッチ２５の各固定接点２６はコイル２４の各端子に
接続されている。スイッチ２５の可動接点２７はトラン
ジスタ２１のコレクタに接続されている。コイル２４の
一端はトランジスタ２１のエミッタに接続されている。
ＣＰＵ１３は求めた光ディスク８の半径位置にもとづき
ＶＣＯ１５の出力が制御すべき設定電圧となるようにス
イッチ２５の可動接片を該当する固定接点２６に切換え
るようになっている。
ＣＯ１５の部分の具体的実施例を示す回路図である。図
２のＬＣ発振回路において、２１はトランジスタ、２２
はトランジスタ２１のベース、エミッタ間に接続された
コイル、２３はトランジスタ２１のコレクタ、エミッタ
間に接続されたコンデンサである。また、２４はコイル
であって、コイル２４には複数の端子（ここでは４個の
端子）が設けられている。２５は、スイッチであって、
スイッチ２５の各固定接点２６はコイル２４の各端子に
接続されている。スイッチ２５の可動接点２７はトラン
ジスタ２１のコレクタに接続されている。コイル２４の
一端はトランジスタ２１のエミッタに接続されている。
ＣＰＵ１３は求めた光ディスク８の半径位置にもとづき
ＶＣＯ１５の出力が制御すべき設定電圧となるようにス
イッチ２５の可動接片を該当する固定接点２６に切換え
るようになっている。
【００１９】コンデンサ２３の静電容量をＣ、コイル２
４のインダクタンスをＬとすると、発振周波数ｆo は、
ｆo ＝１／２π（ＬＣ）1/2 となる。
４のインダクタンスをＬとすると、発振周波数ｆo は、
ｆo ＝１／２π（ＬＣ）1/2 となる。
【００２０】図３は、図１の駆動回路１の一実施例を示
す回路図である。図３において、３１、３２は、トラン
ジスタであって、トランジスタ３１のコレクタは半導体
レーザ素子２を介して電源電圧３３に接続されている。
また、トランジスタ３１のエミッタはトランジスタ３４
のコレクタ、エミッタ、抵抗３５を介して接地されてい
る。トランジスタ３２のコレクタは抵抗３６を介して電
源電圧３３に接続されている。トランジスタ３２のエミ
ッタはランジスタ３４のコレクタに接続されている。ト
ランジスタ３１のベースは入力端子３７に接続されてい
る。また、入力端子３７ははインバータ３８を介してト
タンジスタ３２のベースに接続されている。
す回路図である。図３において、３１、３２は、トラン
ジスタであって、トランジスタ３１のコレクタは半導体
レーザ素子２を介して電源電圧３３に接続されている。
また、トランジスタ３１のエミッタはトランジスタ３４
のコレクタ、エミッタ、抵抗３５を介して接地されてい
る。トランジスタ３２のコレクタは抵抗３６を介して電
源電圧３３に接続されている。トランジスタ３２のエミ
ッタはランジスタ３４のコレクタに接続されている。ト
ランジスタ３１のベースは入力端子３７に接続されてい
る。また、入力端子３７ははインバータ３８を介してト
タンジスタ３２のベースに接続されている。
【００２１】トランジスタ３４のベースには、トランジ
スタ３４をオン状態とすべく基準電圧Ｖf が印加されて
おり、トランジスタ３４のコレクタ、エミッタを通して
一定電流が流れるようになっている。即ち、トランジス
タ３４と抵抗３５は定電流回路を構成する。
スタ３４をオン状態とすべく基準電圧Ｖf が印加されて
おり、トランジスタ３４のコレクタ、エミッタを通して
一定電流が流れるようになっている。即ち、トランジス
タ３４と抵抗３５は定電流回路を構成する。
【００２２】入力端子３７には、ＶＣＯ１５の出力が供
給される。入力端子３７への入力電圧により、トランジ
スタ３１がオンし、トランジスタ３２がオフすると、電
源電圧３３より半導体レーザ素子２、トランジスタ３
１、３４、抵抗３５を通して一定の電流が流れる。次に
入力電圧によりトランジスタ３１がオフし、トランジス
タ３２がオンすると、電源電圧３３より抵抗３６、トラ
ンジスタ３２、トランジスタ３４、抵抗３５を通して一
定の電流が流れる。これにより半導体レーザ素子２は、
高周波駆動される。
給される。入力端子３７への入力電圧により、トランジ
スタ３１がオンし、トランジスタ３２がオフすると、電
源電圧３３より半導体レーザ素子２、トランジスタ３
１、３４、抵抗３５を通して一定の電流が流れる。次に
入力電圧によりトランジスタ３１がオフし、トランジス
タ３２がオンすると、電源電圧３３より抵抗３６、トラ
ンジスタ３２、トランジスタ３４、抵抗３５を通して一
定の電流が流れる。これにより半導体レーザ素子２は、
高周波駆動される。
【００２３】次に図１の要部動作について具体的に説明
する。いま、半導体レーザ素子２から出射したレーザ光
が光ディスク８で反射されて戻ってくる時間をｔ、半導
体レーザ素子２を駆動する信号パルスの周期をＴとする
と、デューティが３０％である場合、ｔが、 ０．３Ｔ＜ｔ＜０．７Ｔ ・・・・・・・・・・・・・・・・・（１） の範囲に入るように、ＣＰＵ１３はＶＣＯ１５の出力周
波数ｆo を、先に求めた半径位置に応じて決めてやれば
よい。
する。いま、半導体レーザ素子２から出射したレーザ光
が光ディスク８で反射されて戻ってくる時間をｔ、半導
体レーザ素子２を駆動する信号パルスの周期をＴとする
と、デューティが３０％である場合、ｔが、 ０．３Ｔ＜ｔ＜０．７Ｔ ・・・・・・・・・・・・・・・・・（１） の範囲に入るように、ＣＰＵ１３はＶＣＯ１５の出力周
波数ｆo を、先に求めた半径位置に応じて決めてやれば
よい。
【００２４】ＶＣＯ１５の出力周波数ｆ0 の決定につい
て説明する前に、ｔが、０．３Ｔ＜ｔ＜０．７Ｔの範囲
に入るようにする理由につき図４を用いてまず説明す
る。
て説明する前に、ｔが、０．３Ｔ＜ｔ＜０．７Ｔの範囲
に入るようにする理由につき図４を用いてまず説明す
る。
【００２５】半導体レーザ素子２の駆動信号パルスのデ
ューティが３０％である場合、図４（ａ）に示すように
駆動信号パルス４１で出力されたレーザ光が光ディスク
８で反射されてｔ＝０．７Ｔで戻ってくれば、その戻っ
てきた反射光信号は図示の点線部分４３の如くなり、次
の駆動信号パルス４２で出力されるレーザ光とぶつかる
ことがない。また、同様に、図４（ｂ）に示すように駆
動信号パルス４１で出力されたレーザ光が光ディスク８
で反射されてｔ＝０．３Ｔで戻ってくれば、その戻って
きた反射光信号は図示の点線部分４４の如くなり、駆動
信号パルス４１で出力されるレーザ光と光ディスク８で
反射されて戻ってくる反射光とぶつかることがない。
ューティが３０％である場合、図４（ａ）に示すように
駆動信号パルス４１で出力されたレーザ光が光ディスク
８で反射されてｔ＝０．７Ｔで戻ってくれば、その戻っ
てきた反射光信号は図示の点線部分４３の如くなり、次
の駆動信号パルス４２で出力されるレーザ光とぶつかる
ことがない。また、同様に、図４（ｂ）に示すように駆
動信号パルス４１で出力されたレーザ光が光ディスク８
で反射されてｔ＝０．３Ｔで戻ってくれば、その戻って
きた反射光信号は図示の点線部分４４の如くなり、駆動
信号パルス４１で出力されるレーザ光と光ディスク８で
反射されて戻ってくる反射光とぶつかることがない。
【００２６】よって、ｔが、０．３Ｔ＜ｔ＜０．７Ｔの
範囲内であれば、半導体レーザ素子２から出力されるレ
ーザ光と光ディスク８で反射されて戻ってくる反射光と
はぶつかることがない。従って、スクープノイズが再生
信号に入ることがない。
範囲内であれば、半導体レーザ素子２から出力されるレ
ーザ光と光ディスク８で反射されて戻ってくる反射光と
はぶつかることがない。従って、スクープノイズが再生
信号に入ることがない。
【００２７】次にＶＣＯ１５の出力周波数ｆo の決定に
ついて説明する。半導体レーザ素子２から出力されたレ
ーザ光が光ディスク８で反射されて戻ってくる時間ｔ
は、 ｔ＝２（Ｌo ＋Ｒ）／ｃ ・・・・・・・・・・・・・・・・・（２） で与えられる。ここに、Ｌo は、光ディスク８の面から
立ち上げミラー６までの距離（図５参照）、Ｒは半導体
レーザ素子２からピックアップ可動部５による光ディス
ク８への照射位置（半径位置）までの距離（図５参
照）、ｃは光速である。上記（２）式を（３）式に代入
すると、 ０．３Ｔ＜２（Ｌo ＋Ｒ）／ｃ＜０．７Ｔ ・・・・・・・・・（３） となる。ここで、Ｔ＝１／ｆ（ｆ：周波数）とすると、
（３）式は次の（４）式の如くなる。 ０．３ｃ／２（Ｌo ＋Ｒ）＜ｆ＜０．７ｃ／２（Ｌo ＋Ｒ）・・（４）
ついて説明する。半導体レーザ素子２から出力されたレ
ーザ光が光ディスク８で反射されて戻ってくる時間ｔ
は、 ｔ＝２（Ｌo ＋Ｒ）／ｃ ・・・・・・・・・・・・・・・・・（２） で与えられる。ここに、Ｌo は、光ディスク８の面から
立ち上げミラー６までの距離（図５参照）、Ｒは半導体
レーザ素子２からピックアップ可動部５による光ディス
ク８への照射位置（半径位置）までの距離（図５参
照）、ｃは光速である。上記（２）式を（３）式に代入
すると、 ０．３Ｔ＜２（Ｌo ＋Ｒ）／ｃ＜０．７Ｔ ・・・・・・・・・（３） となる。ここで、Ｔ＝１／ｆ（ｆ：周波数）とすると、
（３）式は次の（４）式の如くなる。 ０．３ｃ／２（Ｌo ＋Ｒ）＜ｆ＜０．７ｃ／２（Ｌo ＋Ｒ）・・（４）
【００２８】ＣＰＵ１３は、アドレス検出回路１２から
のアドレス信号にもとづき、ピックアップ可動部５によ
る光ディスク８への照射位置（半径位置）を求め、更に
半導体レーザ素子２からピックアップ可動部５による光
ディスク８への照射位置（半径位置）までの距離Ｒを求
めることができる。従って、ＣＰＵ１３は（４）式によ
り、先に求めた半径位置に応じた、従って半導体レーザ
素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８へ
の照射位置（半径位置）までの距離Ｒに応じたＶＣＯ１
５の出力周波数、従って駆動回路１による高周波駆動の
周波数ｆを求めることができる。
のアドレス信号にもとづき、ピックアップ可動部５によ
る光ディスク８への照射位置（半径位置）を求め、更に
半導体レーザ素子２からピックアップ可動部５による光
ディスク８への照射位置（半径位置）までの距離Ｒを求
めることができる。従って、ＣＰＵ１３は（４）式によ
り、先に求めた半径位置に応じた、従って半導体レーザ
素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８へ
の照射位置（半径位置）までの距離Ｒに応じたＶＣＯ１
５の出力周波数、従って駆動回路１による高周波駆動の
周波数ｆを求めることができる。
【００２９】例えば、ピックアップの可動部５のシーク
位置がシーク範囲の最内周位置であるとき、半導体レー
ザ素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８
への照射位置（半径位置）までの距離Ｌinを２４（ｍ
ｍ）とすると、Ｒ＝Ｌin＝２４（ｍｍ）を（４）式に代
入して（５）式を得る。但し、Ｌo ＝５０（ｍｍ）、ｃ
＝３×１０11（ｍｍ／ｓ）とする。 ０．３×３×１０11／２（５０＋２４）＜ｆ＜０．７×３×１０11／２（５ ０＋２４） ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５） （５）式を計算してｆの範囲を求めると、 ｆ≒２３０ＭＨｚ〜５３０ＭＨｚ ・・・・・・・・・・・・・（６） となる。
位置がシーク範囲の最内周位置であるとき、半導体レー
ザ素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８
への照射位置（半径位置）までの距離Ｌinを２４（ｍ
ｍ）とすると、Ｒ＝Ｌin＝２４（ｍｍ）を（４）式に代
入して（５）式を得る。但し、Ｌo ＝５０（ｍｍ）、ｃ
＝３×１０11（ｍｍ／ｓ）とする。 ０．３×３×１０11／２（５０＋２４）＜ｆ＜０．７×３×１０11／２（５ ０＋２４） ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５） （５）式を計算してｆの範囲を求めると、 ｆ≒２３０ＭＨｚ〜５３０ＭＨｚ ・・・・・・・・・・・・・（６） となる。
【００３０】同様に、ピックアップの可動部５のシーク
位置がシーク範囲の最外周位置であるとき、半導体レー
ザ素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８
への照射位置（半径位置）までの距離Ｌout を４０ｍｍ
とすると、Ｒ＝Ｌout ＝４０ｍｍを（４）式に代入して
（７）式を得る。 ０．３×３×１０11／２（５０＋４０）＜ｆ＜０．７×３×１０11／２（５ ０＋４０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（７） （７）式を計算してｆの範囲を求めると、 ｆ≒５００ＭＨｚ〜１．１６ＧＨｚ ・・・・・・・・・・・・（８） となる。
位置がシーク範囲の最外周位置であるとき、半導体レー
ザ素子２からピックアップ可動部５による光ディスク８
への照射位置（半径位置）までの距離Ｌout を４０ｍｍ
とすると、Ｒ＝Ｌout ＝４０ｍｍを（４）式に代入して
（７）式を得る。 ０．３×３×１０11／２（５０＋４０）＜ｆ＜０．７×３×１０11／２（５ ０＋４０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（７） （７）式を計算してｆの範囲を求めると、 ｆ≒５００ＭＨｚ〜１．１６ＧＨｚ ・・・・・・・・・・・・（８） となる。
【００３１】以上の説明から分かるように、高周波駆動
の駆動回路１の周波数ｆが（４）式（例えば、ピックア
ップの可動部５のシーク位置がシーク範囲の最内周位置
であるとき、（６）式、またピックアップの可動部５の
シーク位置がシーク範囲の最外周位置であるとき、
（８）式）を満足する周波数となるように、ＣＰＵ１３
はＶＣＯ１５を制御し、ＶＣＯ１５の出力電圧を設定す
る。
の駆動回路１の周波数ｆが（４）式（例えば、ピックア
ップの可動部５のシーク位置がシーク範囲の最内周位置
であるとき、（６）式、またピックアップの可動部５の
シーク位置がシーク範囲の最外周位置であるとき、
（８）式）を満足する周波数となるように、ＣＰＵ１３
はＶＣＯ１５を制御し、ＶＣＯ１５の出力電圧を設定す
る。
【００３２】以上は、ＣＰＵ１３がアドレス信号にもと
づいて光ディスク８の半径位置を求め、この半径位置に
応じて駆動回路１の周波数ｆを（４）式を満たす値にす
べくＶＣＯ１５を制御する場合について述べたが、本発
明はこれに限定されることなく、ＣＰＵ１３は、駆動回
路１の駆動周波数ｆが、ピックアップの可動部５のシー
ク範囲により決まる光ディスク８の使用半径範囲に共通
な周波数範囲、ここではＲ＝Ｌout 〜Ｌin＝２４〜４０
（ｍｍ）に亘って（６）式、（８）式に共通な周波数ｆ
の範囲、即ちｆ≒５００〜５３０ＭＨｚの範囲内の周波
数ｆになるように、ＶＣＯ１５を制御し、ＶＣＯ１５の
出力電圧の設定値を変えてやる。これにより、駆動回路
１の高周波駆動の周波数ｆはスクープ防止用の最適値と
なり、スクープノイズが発生せず、ノイズの少ない再生
信号が得られる。この場合は、ピックアップ可動部５の
シーク位置によらず、駆動回路１による半導体レーザ素
子２に対する駆動周波数ｆを５００〜５３０ＭＨｚの範
囲内の周波数ｆに固定することになる。
づいて光ディスク８の半径位置を求め、この半径位置に
応じて駆動回路１の周波数ｆを（４）式を満たす値にす
べくＶＣＯ１５を制御する場合について述べたが、本発
明はこれに限定されることなく、ＣＰＵ１３は、駆動回
路１の駆動周波数ｆが、ピックアップの可動部５のシー
ク範囲により決まる光ディスク８の使用半径範囲に共通
な周波数範囲、ここではＲ＝Ｌout 〜Ｌin＝２４〜４０
（ｍｍ）に亘って（６）式、（８）式に共通な周波数ｆ
の範囲、即ちｆ≒５００〜５３０ＭＨｚの範囲内の周波
数ｆになるように、ＶＣＯ１５を制御し、ＶＣＯ１５の
出力電圧の設定値を変えてやる。これにより、駆動回路
１の高周波駆動の周波数ｆはスクープ防止用の最適値と
なり、スクープノイズが発生せず、ノイズの少ない再生
信号が得られる。この場合は、ピックアップ可動部５の
シーク位置によらず、駆動回路１による半導体レーザ素
子２に対する駆動周波数ｆを５００〜５３０ＭＨｚの範
囲内の周波数ｆに固定することになる。
【００３３】本実施例においては、スクープ防止用の高
周波駆動の駆動回路１の周波数ｆを光路長の変化に合わ
せて最適値に変更する場合や、スクープ防止用の高周波
駆動の駆動回路１の周波数ｆを光路長の変化に関係なく
共通に使用できる固定値を予め設定する場合について説
明したけれども、本発明はこれに限定されることなくス
クープ防止用の高周波駆動の駆動回路１のデューティを
光路長の変化に合わせて最適値に変更する場合や、スク
ープ防止用の高周波駆動の駆動回路１のデューティを光
路長の変化に関係なく共通に使用できる固定値を予め設
定する場合についても同様に適用できることはいうまで
もないことである。
周波駆動の駆動回路１の周波数ｆを光路長の変化に合わ
せて最適値に変更する場合や、スクープ防止用の高周波
駆動の駆動回路１の周波数ｆを光路長の変化に関係なく
共通に使用できる固定値を予め設定する場合について説
明したけれども、本発明はこれに限定されることなくス
クープ防止用の高周波駆動の駆動回路１のデューティを
光路長の変化に合わせて最適値に変更する場合や、スク
ープ防止用の高周波駆動の駆動回路１のデューティを光
路長の変化に関係なく共通に使用できる固定値を予め設
定する場合についても同様に適用できることはいうまで
もないことである。
【００３４】本発明は、本実施例に限定されることな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の応用および
変形が考えられる。
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の応用および
変形が考えられる。
【００３５】
【発明の効果】上述したように本発明の光ディスクドラ
イブによれば、制御回路は、半導体レーザ素子から出射
したレーザ光の光ディスクによる反射光信号をもとに、
レーザ光が照射された光ディスク上の半径位置を求め、
半導体レーザ素子を高周波駆動する駆動回路の高周波駆
動の周波数あるいはデューティ（ｄｕｔｙ）を、求めた
半径位置に対応したスクープ防止用適値に変更すること
により、又は制御回路は、半導体レーザ素子を高周波駆
動する駆動回路の高周波駆動の周波数あるいはデューテ
ィ（ｄｕｔｙ）を、光ディスク面の使用半径領域にわた
って共通なスクープ用適値にすることにより、分離光学
系における光路長の違いによって従来生じるスクープノ
イズを除去して常に良好なノイズの少ない再生信号を得
ることができる。
イブによれば、制御回路は、半導体レーザ素子から出射
したレーザ光の光ディスクによる反射光信号をもとに、
レーザ光が照射された光ディスク上の半径位置を求め、
半導体レーザ素子を高周波駆動する駆動回路の高周波駆
動の周波数あるいはデューティ（ｄｕｔｙ）を、求めた
半径位置に対応したスクープ防止用適値に変更すること
により、又は制御回路は、半導体レーザ素子を高周波駆
動する駆動回路の高周波駆動の周波数あるいはデューテ
ィ（ｄｕｔｙ）を、光ディスク面の使用半径領域にわた
って共通なスクープ用適値にすることにより、分離光学
系における光路長の違いによって従来生じるスクープノ
イズを除去して常に良好なノイズの少ない再生信号を得
ることができる。
【図１】本発明の光ディスクドライブの一実施例を示す
構成図
構成図
【図２】図１のＤ／Ａ変換器１４、ＶＣＯ１５の部分の
具体的実施例を示す回路図
具体的実施例を示す回路図
【図３】図１の駆動回路１の一実施例を示す回路図
【図４】本発明に係る設定条件を説明するための図
【図５】従来の光ディスクドライブの分離光学系の一例
を示す説明図
を示す説明図
【図６】従来の問題点を説明するための図
１ 駆動回路 ２ 半導体レーザ素子 ５ ピックアップの可動部 ８ 光ディスク １２ アドレス検出回路 １３ ＣＰＵ １５ ＶＣＯ １６ 制御回路
Claims (2)
- 【請求項１】 光ディスク上に照射するレーザ光を出力
する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を高周
波駆動する駆動回路と、前記半導体レーザ素子からのレ
ーザ光を前記光ディスクに照射し、かつその反射光を受
ける分離光学系と、前記分離光学系を通して得た反射光
をもとに電気信号を得る光検出器とを有する光ディスク
ドライブにおいて、 前記反射光信号をもとにレーザ光が照射された光ディス
ク上の半径位置を求め、前記駆動回路の高周波駆動の周
波数あるいはデューティを、求めた半径位置に対応した
スクープ防止用適値に変更する制御回路を備えたことを
特徴とする光ディスクドライブ。 - 【請求項２】 光ディスク上に照射するレーザ光を出力
する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を高周
波駆動する駆動回路と、前記半導体レーザ素子からのレ
ーザ光を前記光ディスクに照射し、かつその反射光を受
ける分離光学系と、前記分離光学系を通して得た反射光
をもとに電気信号を得る光検出器とを有する光ディスク
ドライブにおいて、 前記駆動回路の高周波駆動の周波数あるいはデューティ
を、前記光ディスク面の使用半径領域にわたって共通な
スクープ用適値にする制御回路を備えたことを特徴とす
る光ディスクドライブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054211A JPH05217193A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光ディスクドライブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054211A JPH05217193A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光ディスクドライブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217193A true JPH05217193A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12964220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054211A Withdrawn JPH05217193A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光ディスクドライブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217193A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7660222B2 (en) | 2003-05-20 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Optical disk apparatus and information recording/reproduction method |
| JP2010277689A (ja) * | 2006-06-12 | 2010-12-09 | Panasonic Corp | 光学的情報記録媒体の再生装置および再生方法 |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP4054211A patent/JPH05217193A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7660222B2 (en) | 2003-05-20 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Optical disk apparatus and information recording/reproduction method |
| JP2010277689A (ja) * | 2006-06-12 | 2010-12-09 | Panasonic Corp | 光学的情報記録媒体の再生装置および再生方法 |
| JP2011018450A (ja) * | 2006-06-12 | 2011-01-27 | Panasonic Corp | 光学的情報記録媒体の再生装置および再生方法 |
| US8000177B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-08-16 | Panasonic Corporation | Reading device and reading method for an optical data recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |