JPH05216054A - 強誘電液晶素子 - Google Patents

強誘電液晶素子

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JPH05216054A
JPH05216054A JP4074292A JP4074292A JPH05216054A JP H05216054 A JPH05216054 A JP H05216054A JP 4074292 A JP4074292 A JP 4074292A JP 4074292 A JP4074292 A JP 4074292A JP H05216054 A JPH05216054 A JP H05216054A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode
ferroelectric liquid
thickness
cell
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JP4074292A
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English (en)
Inventor
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Yutaka Inaba
豊 稲葉
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶駆動時の液晶セル内での液晶分子の移動
を抑制し、表示品位を向上させる。 【構成】 液晶駆動用の電極をそれぞれ有する2枚の電
極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる強誘電液晶素子
において、両電極基板の電極は、強誘電性液晶のスメク
チック液晶層にほぼ平行な方向に対して凹凸を有するよ
うに厚さが位置的に変動しており、かつその厚さの変動
は、セル厚が位置によって変動しないように、対向電極
間で厚さの増減方向を逆向きにして位置的に対応してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電液晶を用いた素
子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】強誘電液晶(以下、FLCともいう)を
用いた表示素子に関しては、特開昭61−94023号
公報などに示されているように、対向面に透明電極を形
成し配向処理を施した1組のガラス基板を1〜3μm位
のセルギャップを保って向かい合わせて構成した液晶セ
ルに強誘電液晶を注入したものが知られている。
【0003】強誘電液晶を用いた上記表示素子の特徴
は、強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界
と自発分極の結合力をスイッチングに使えることと、強
誘電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と1対1
に対応しているため外部電界の極性によってスイッチン
グできることである。
【0004】強誘電液晶としては、一般にカイラル・ス
メクチック液晶(SmC*、SmH*)を用いるので、
バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、
上述の1〜3μm位のセルギャップのセルにいれること
によって液晶分子長軸のねじれを解消することができる
(P213−P234,N.A.CLARK eta
l,MCLC 1983,Vol.94)。
【0005】実際の強誘電液晶セルは、図8に示すよう
な単純マトリックス基板により構成されている。図8
(a)はセルの断面図、図8(b)はその電極基板の平
面図である。このセルは、図8に示すように、2枚の電
極基板81と82間に強誘電性液晶6を挟持して構成さ
れる。電極基板81と82は、それぞれ、ガラス基板6
1、その上に形成された液晶駆動用のITOストライプ
電極62、その上に形成されたSiO2 絶縁膜、および
その上に積層されたポリイミド配向膜を備える。65は
シーリング部材である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の強誘電液晶セルにおいては、液晶セルの耐久
性に関し、次のような問題点がある。
【0007】FLC分子は、マトリックス駆動時の非選
択信号によってもある程度動くことが知られている。こ
れは、非選択信号を印加した画素の光学応答を調べる
と、印加パルスと同期して光量に変動を生じていること
などからも明らかである。いわゆるスプレイ配向(上下
基板間で分子長軸の角度に大きくねじれのある配向)で
はこのような分子のゆらぎは、それによって分子の安定
位置が変化(スイッチング)することがなければ表示内
容を保持できるので、若干のコントラストの低下以外に
は問題とはならない。ところが、上下基板間での分子長
軸方向の角度の変化の比較的少ない配向(以下、ユニフ
ォーム配向)のセルにおいては、液晶分子が電圧(例え
ば非選択信号)の印加によって層内を移動するという現
象が見られる。この現象を図2を用いて詳しく説明す
る。
【0008】図2(a)は電圧印加前のセル状態、
(b)は電圧印加後のセル状態である。同図において、
FLC36は上下の電極基板間にシール部材35によっ
て封入されている。配向膜層としては、ポリイミド薄膜
を用い、ラビング方向は、同図(a),(b)いずれの
場合も矢印37方向に上下基板とも平行に行っている。
このような処理を行うと、図2(c)に拡大して示すよ
うに、スメクチック層38はラビング方向と直交した方
向に生成される。
【0009】セル厚をらせんピッチを解除できる位に十
分に薄くした場合においてFLC分子は2つの安定状態
を取り得るが、その内の1つの状態にセル内の全分子3
9の方向を揃えておき、この状態を、図2(d)に示す
ように、層法線ベクトルhと液晶分子39とが成す角θ
により+θの状態とすると、層法線に対してほぼ対称の
−θの位置に他の安定状態が存在する。
【0010】この+θ状態下でセル全面に電界(例え
ば、10Hz、±8Vの矩形波)を印加すると、液晶分
子は+θの層法線に対する傾きを保ったまま図2(a)
中の点Aから点Bの方向へ層内を移動し始める。
【0011】その結果、電圧印加を長時間続けると、図
2(b)に示すようにA端には液晶のない部分Eを生
じ、セル厚はB部の方がA部より厚くなる。このような
現象は液晶分子が−θの状態にある場合には、B端から
A端へ向って層内を液晶が移動してE部のような液晶の
ない空隙部がB端に生じる。そして、このような現象は
20〜50時間という比較的短い時間に生じる。E部の
ような電気光学的にコントロールのできない部分の存在
が表示品質上望ましくないのはもちろんのこと、A部と
B部のセル厚が時間によって変化するのでは液晶パネル
全体の駆動制御が難しくFLCを用いた光学素子として
は大きな問題となっている。
【0012】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、強誘電液晶素子において、液晶駆動時の液晶セル
内での液晶分子の移動を抑制し、表示品位を向上させる
ことにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、液晶駆動用の電極をそれぞれ有する2枚の
電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる強誘電液晶素
子において、両電極基板の電極は、強誘電性液晶のスメ
クチック液晶層にほぼ平行な方向に対して凹凸を有する
ように厚さが位置的に変動しており、かつその厚さの変
動は、セル厚が位置によって変動しないように、対向電
極間で厚さの増減方向を逆向きにして位置的に対応して
生じていることを特徴とする。
【0014】電極厚さの変動は、例えば周期的なもので
あり、また、電極は、例えば、ITO膜等の透明な導電
層で構成されている。また、電極は、配線メタルや遮光
用メタルを有する場合は、これらの部分をも含む。
【0015】
【作用】この構成において、電極を介して印加される電
界によって液晶分子がゆらぐとき、非常に僅かではある
が、液晶分子の重心も液晶層にほぼ平行な方向に移動さ
れる。これが何十時間にもわたって繰り返されることに
よって前記のような液晶セル内における液晶の移動が生
じる。そしてこの液晶分子の液晶層内の移動は、基板界
面に対する液晶分子のプレチルト角に大きく依存し、プ
レチルト角が大きい程液晶は流れやすく移動量が大き
い。ここで、プレチルト角とは、図3に示すように、ラ
ビング方向54に向かって液晶分子52が基板50とな
す角度θP である。
【0016】このように液晶分子の移動がプレチルト角
に依存するということは、液晶分子の移動が界面・分子
間相互の作用効果に大きく影響されていることを示す。
そして、液晶セルの構成によっては、流れ易い基板界面
と流れにくい基板界面とがあることが判明している。こ
れらに基づけば、液晶分子の流れ易さは基板面からの距
離に依存し、かつセル厚方向に非対称な分布を有すると
考えられる。
【0017】また、本発明者等によれば、このような液
晶の移動を抑えるには、セル厚が一定であっても、基板
面に凹凸を設けることによって液晶移動経路を長くする
ことが有効であることが判明している。したがって、本
発明の構成によれば、液晶層方向への液晶分子の移動が
抑制される。
【0018】このような移動抑制作用を生じさせるため
には、スメクチック層と平行な方向に凹凸があればよい
ので、図7に示すように、ラビング方向71が上下基板
上のストライプ電極73および75の双方と角度を有す
る場合でも、ストライプ電極73および75に斜めに凹
凸条77を設けることによって液晶の移動が防止され
る。
【0019】また、配線メタルや遮光用メタルを有する
ような場合、メタル部分の高さを高くすることによって
も、ある程度の液晶移動抑制効果が得られる。
【0020】
【実施例】実施例1 図1は本発明の第1の実施例に係る強誘電液晶素子の部
分的な断面図である。このセルは上下の電極基板1,2
に強誘電性液晶16を挟持して構成され、電極基板1
は、ガラス基板11、この上に交互に形成されたストラ
イプ状のITO電極12および13、各電極12と13
の両側部に設けられたメタル配線14、ならびに、これ
らの上に形成された配向膜18を有する。電極12は電
極13より薄く構成される。電極基板2は、ガラス基板
11、この上に形成された凹凸を有するストライプ状の
ITO電極15、電極15の凸部19上両側に設けられ
た画素間遮光用メタル17、ならびにこれらの上に形成
された配向膜18を有する。電極12,13と電極15
とは上から見れば相互に直交するように配置されてい
る。そして、電極12と凸部19とが対応し、電極13
と凹部20とが対応するように構成される。
【0021】21はラビング方向を示す印であり、電極
基板1,2におけるラビング方向は共に図の裏面から表
面へ向かう方向であるが、下側の電極基板2から上側の
電極基板1へかけて約6°右回りに回転する方向へ相互
にずらしてある。すなわち、電極基板2では図の紙面の
垂直上方向に対し左方向に約3°傾き、電極基板1では
右方向に約3°傾いている。このようにラビング方向を
上下基板間でねじれた方向とするのは、自発分極PS
負の液晶を用いたときに、ユニフォーム配向をとり易く
するためである。ユニフォーム配向とは、上下基板間で
ダイレクタのねじれが無いか、あるいは極めて少ない配
向であり、大きなねじれを有するスプレイ(SPLA
Y)配向とは異なる。そしてこのようにねじれたラビン
グ処理によっても、スメクチック層は図の紙面と平行に
形成される。
【0022】ラビングは、毛先が約1.0mmのナイロ
ン植毛布を貼り付けた直径95mmのローラを約100
0回転/分で回転させ、これを70mm/sで移動さ
せ、これに対し、植毛布の毛先の基板上への押付け長さ
が0.3mmとなるように基板を押し付けて行ってあ
る。
【0023】このようにしてラビング処理した上下の電
極基板1,2を上下のラビング方向が反平行となるよう
に組み合わせて構成したセルに、表1に示す強誘電性液
晶を充填し、SmA相におけるプレチルト角をクリスタ
ル・ローテーション法によって測定したところ、約17
°という測定結果を得ている。表1中、δは液晶層の傾
斜角、Θはチルト角(コーン角)である。なお傾斜角δ
は、シェブロン構造の層上下における傾きの平均値であ
る。
【0024】
【表1】 ITO電極12の膜厚は約1500Åであり、ITO電
極13の膜厚はその2倍の約3000Åである。ITO
電極12とITO電極15間のセル厚すなわち液晶16
部分の厚さd1 およびITO電極13とITO電極15
間のセル厚d2は共に1.2μmである。したがって、
両電極基板のITO電極は、強誘電性液晶16のスメク
チック層に平行な方向に対して周期的に凹凸を有し、か
つセル厚が変動しないようになっている。
【0025】メタル配線14は、Moを用い、膜厚が1
500Åとなるようにスパッタ形成により形成される。
遮光用メタル17は、画素間の光漏れを防止するために
形成されるもので、同様にMoを用い膜厚が1500Å
となるようにスパッタ形成により形成される。
【0026】配向膜18は、日立化成社製のLQ−18
02を約350Åの厚さで成膜することにより形成され
る。
【0027】このような本実施例の液晶セルと図5に示
す従来例に係る液晶セルとでは、液晶移動の様子が大き
く異なる。図5の液晶セルは、ITO電極の厚さがすべ
て等しく、かつ凹凸を有していない点を除き、本実施例
の液晶セルと同様の構成を有する。
【0028】これらの液晶セルに前記表1に示す強誘電
性液晶を注入し、30℃において、図4に示すような走
査信号波形S1〜S3および情報信号波形D1,D2に
より構成される黒書込み信号aまたは白書込み信号bに
よる駆動信号を用い、Δt=90μs、VOP=15vo
lt/1.2μm、デューティ比(duty)=1/8
00として駆動し、12時間および24時間経過後のセ
ル厚変化を調べたところ、表2に示す結果が得られてい
る。セル厚の測定は、図2における点Bのように液晶が
移動する方向のセル端部で行っている。
【0029】
【表2】 この表からわかるように、初期セル厚の相違を考慮して
も、従来例に対し、12時間後で1/5、24時間後で
1/3にセル厚の変動量を減少させることができる。
【0030】なお、図1中に示す隣接画素間の段差d3
が大きいほど液晶の移動を抑制できるものと考えられ
る。また、液晶層に垂直な方向にも、液晶層に平行な方
向の前記段差と同様の周期的な段差を設けて、画素内の
液晶が液晶層に垂直な方向へ移動するのを抑制すること
も有効である。
【0031】実施例2 図6は本発明の他の実施例に係る強誘電液晶素子の部分
的な断面図である。この例では、電極基板1のすべての
ITO電極61の横断面形状を同じ凸状とし、この凸部
63に対応する位置に、電極基板2のITO電極62上
の凹部64を設け、画素間遮光用メタル17は凸部65
の中間に設けるようにしている。すなわち、実施例1に
比べスメクチック層に平行な方向の凹凸のピッチが短
く、すべての画素における電極形状が同一となるように
している。これ以外の構成は実施例1と同様である。
【0032】この構成によれば、実施例1の液晶素子で
は隣接画素ごとに若干配向状態の異なる箇所が見られる
のに対し、安定した均質な配向状態が得られる。
【0033】この液晶素子について実施例1と同様の駆
動テストを行いセル厚の変化を調べたところ、表3に示
す結果が得られている。なお。比較のため、表3には前
記従来例のデータも併せて示してある。
【0034】
【表3】 これによれば、本実施例の場合も実施例1の場合と同様
に、12時間後および24時間後のいずれにおいても、
従来例よりセル厚変化分が減少していることがわかる。
【0035】
【発明の効果】以上の説明したように本発明によれば、
スメクチック液晶層にほぼ平行な方向に対して凹凸を有
するように両電極基板の電極の厚さを位置的に変動さ
せ、かつセル厚が位置によって変動しないようにしたた
め、液晶の駆動特性を劣化させることなく液晶の移動を
防止し、表示品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例に係る強誘電液晶素子
の部分的な断面を示す模式図である。
【図2】 液晶分子が電圧印加によって液晶層内を移動
する現象を説明するための説明図である。
【図3】 プレチルト角とラビング方向の説明図であ
る。
【図4】 図1、図5および図6の液晶セルに印加され
る駆動波形を示す波形図である。
【図5】 従来例に係る強誘電液晶素子の部分的な断面
図である。
【図6】 本発明の第2の実施例に係る強誘電液晶素子
の部分的な断面を示す模式図である。
【図7】 ラビング方向が基板電極方向と角度を有する
場合の凹凸条を示す模式図である。
【図8】 他の従来例に係る強誘電液晶素子の断面図と
電極基板の平面図である。
【符号の説明】
1,2:電極基板、11:ガラス基板、12,13,1
5,61,62:ITO電極、14:メタル配線、1
6:強誘電性液晶、17:画素間遮光用メタル、18:
配向膜、19,63,65:凸部、20,64:凹部、
21,71:ラビング方向、77:凹凸条

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶駆動用の電極をそれぞれ有する2枚
    の電極基板間に強誘電性液晶を挟持してなる強誘電液晶
    素子において、両電極基板の電極は、強誘電性液晶のス
    メクチック液晶層にほぼ平行な方向に対して凹凸を有す
    るように厚さが位置的に変動しており、かつその厚さの
    変動は、セル厚が位置によって変動しないように、対向
    電極間で厚さの増減方向を逆向きにして位置的に対応し
    て生じていることを特徴とする強誘電液晶素子。
  2. 【請求項2】 前記電極の厚さの変動は周期的であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の強誘電液晶素子。
  3. 【請求項3】 前記電極は透明な導電層で構成されてい
    ることを特徴とする請求項1または2記載の強誘電液晶
    素子。
  4. 【請求項4】 前記電極はITO膜で構成されているこ
    とを特徴とする請求項1または2記載の強誘電液晶素
    子。
JP4074292A 1992-01-31 1992-01-31 強誘電液晶素子 Pending JPH05216054A (ja)

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