JPH0521357B2 - - Google Patents
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- JPH0521357B2 JPH0521357B2 JP3404287A JP3404287A JPH0521357B2 JP H0521357 B2 JPH0521357 B2 JP H0521357B2 JP 3404287 A JP3404287 A JP 3404287A JP 3404287 A JP3404287 A JP 3404287A JP H0521357 B2 JPH0521357 B2 JP H0521357B2
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、主として銅の厚膜配線パターン中に
形成されるクロスオーバ配線構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention mainly relates to a crossover wiring structure formed in a copper thick film wiring pattern.
＜従来の技術＞
銅ペーストの印刷焼成により形成される厚膜配
線パターンは、抵抗値が小さく、かつコスト面で
有利であるため、多用されている。<Prior Art> Thick film wiring patterns formed by printing and firing copper paste are widely used because they have a low resistance value and are advantageous in terms of cost.
この銅の厚膜配線パターンにおいて、配線をク
ロスオーバさせる場合、既に設けられている配線
パターンを酸化させないために、絶縁層を中性雰
囲気、すなわち窒素雰囲気中で焼成可能な絶縁ペ
ーストで形成することが望ましいが、中性雰囲気
中で焼成可能な絶縁ペーストは、一般に絶縁性能
が低く、信頼性に乏しい。 In this copper thick film wiring pattern, when wiring is to be crossed over, the insulating layer must be formed with an insulating paste that can be fired in a neutral atmosphere, that is, a nitrogen atmosphere, in order to prevent the existing wiring pattern from oxidizing. However, insulating pastes that can be fired in a neutral atmosphere generally have low insulation performance and poor reliability.
そこで、従来の銅の厚膜配線パターンでのクロ
スオーバ個所では、絶縁層を酸化雰囲気、すなわ
ち大気雰囲気中で焼成可能な絶縁ペーストで形成
し、絶縁層の絶縁性を高める方法がある。もつと
も、この方法では、絶縁層の下に来る下部配線パ
ターンが高温の大気雰囲気にさらされるので、こ
の下部配線パターンを銅ペーストで形成すること
ができず、そのため、この下部配線パターンに
は、大気雰囲気中で焼成可能な銀パラジウムペー
ストを用い、これを絶縁層と同様に、大気雰囲気
中で焼成している。 Therefore, there is a method of forming an insulating layer with an insulating paste that can be fired in an oxidizing atmosphere, that is, an air atmosphere, to improve the insulating properties of the insulating layer at the crossover point in a conventional thick-film copper wiring pattern. However, with this method, the lower wiring pattern below the insulating layer is exposed to the high-temperature atmospheric atmosphere, so this lower wiring pattern cannot be formed with copper paste. A silver-palladium paste that can be fired in an atmosphere is used, and this is fired in the air in the same way as the insulating layer.
第１図および第２図は、上記従来のクロスオー
バ配線構造を示している。これらの図において、
アルミナ等のセラミツク基板１上には、銅ペース
トの印刷焼成により、主たる配線パターンである
銅配線パターン２，……が形成されている。そし
て、この銅配線パターン２は、クロスオーバ個所
で分断され、その分断端部どうしは下部配線パタ
ーン３，……で接続されている。この下部配線パ
ターン３は、大気雰囲気中で焼成可能な銀パラジ
ウムペーストで形成されている。下部配線パター
ン３上には、大気雰囲気中で焼成可能な絶縁ペー
スト、たとえばホウケイ酸亜鉛系ガラスペースト
の印刷焼成により絶縁層４が被覆形成されてい
る。この絶縁層４の上には、さらに、銅ペースト
を印刷しこれを窒素雰囲気中で焼成することによ
り、上部配線パターン５が形成されている。 FIG. 1 and FIG. 2 show the above-mentioned conventional crossover wiring structure. In these figures,
Copper wiring patterns 2, which are main wiring patterns, are formed on a ceramic substrate 1 made of alumina or the like by printing and firing a copper paste. This copper wiring pattern 2 is divided at a crossover point, and the divided ends are connected to each other by lower wiring patterns 3, . . . . The lower wiring pattern 3 is made of silver-palladium paste that can be fired in the air. An insulating layer 4 is formed on the lower wiring pattern 3 by printing and baking an insulating paste that can be baked in the air, such as a zinc borosilicate glass paste. On this insulating layer 4, an upper wiring pattern 5 is further formed by printing a copper paste and baking it in a nitrogen atmosphere.
＜発明が解決しようとする問題点＞
ところで、下部配線パターン３に使用されてい
る銀パラジウムペーストは通常、電子部品の電極
の形成に使用されるものであつて、上記のクロス
オーバ配線構造では、このような銀パラジウムペ
ーストを転用しているにすぎない。<Problems to be Solved by the Invention> Incidentally, the silver palladium paste used for the lower wiring pattern 3 is normally used for forming electrodes of electronic components, and in the above crossover wiring structure, This kind of silver-palladium paste is simply being repurposed.
このように、従来使用されている銀パラジウム
ペーストは、本来、半田付けを要する部分に使用
されるものであるから、半田濡れ性を良くするた
めに、ビスマスを含有している。銀パラジウムペ
ーストに含まれるビスマスは、銀パラジウムペー
ストや絶縁ペーストを大気雰囲気中で焼成してい
るときには、Bi2O3のように酸化物の形で安定し
て存在するが、上部配線パターンを構成する銅ペ
ーストを窒素雰囲気中で焼成するときには、還元
されて下部配線パターンから絶縁層中に拡散し、
これによつて、上下両配線パターン間の絶縁性を
低下させる。 As described above, since the conventionally used silver palladium paste is originally used for parts requiring soldering, it contains bismuth in order to improve solder wettability. Bismuth contained in silver-palladium paste exists stably in the form of oxides such as Bi 2 O 3 when silver-palladium paste or insulating paste is fired in the atmosphere, but it does not form the upper wiring pattern. When the copper paste is fired in a nitrogen atmosphere, it is reduced and diffused from the lower wiring pattern into the insulating layer.
This reduces the insulation between the upper and lower wiring patterns.
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもの
であつて、中性雰囲気中での焼成処理による上下
配線パターン間の絶縁性の低下を防止し、絶縁性
の良好なクロスオーバ配線構造を提供することを
目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it prevents the deterioration of insulation between upper and lower wiring patterns due to baking treatment in a neutral atmosphere, and provides a cross-over wiring structure with good insulation. The purpose is to provide.
＜問題点を解決するための手段＞
本発明は、上記の目的を達成するために、下部
配線パターン上に大気雰囲気中で焼成可能な絶縁
ペーストにより絶縁層を形成し、この絶縁層上に
中性雰囲気中で焼成可能な導電性ペーストにより
上部配線パターンを形成したクロスオーバ配線構
造において、前記下部配線パターンを銀が主成分
でかつビスマスを含まない導電性ペーストで形成
した。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention forms an insulating layer on the lower wiring pattern using an insulating paste that can be fired in an atmospheric atmosphere, and then forms a medium on the insulating layer. In the crossover wiring structure in which the upper wiring pattern was formed from a conductive paste that can be fired in a neutral atmosphere, the lower wiring pattern was formed from a conductive paste whose main component was silver and did not contain bismuth.
＜作用＞
上記構成において、下部配線パターンは、ビス
マスを含まない導電性ペーストを焼成することに
より形成されるので、内部にビスマスを含有しな
い。この下部配線パターン上には絶縁層が形成さ
れ、絶縁層上にはさらに、銅ペーストのような導
電性ペーストを塗布しこれを中性雰囲気中で焼成
することにより、上部配線パターンが形成される
が、この中性雰囲気での焼成の際、従来のよう
に、下部配線パターンから絶縁層中にビスマスが
拡散するようなことがなく、したがつて、上下両
配線パターン間での絶縁性低下が生じない。<Function> In the above configuration, the lower wiring pattern is formed by firing a conductive paste that does not contain bismuth, and therefore does not contain bismuth inside. An insulating layer is formed on this lower wiring pattern, and an upper wiring pattern is formed by further applying a conductive paste such as copper paste on the insulating layer and baking it in a neutral atmosphere. However, during firing in this neutral atmosphere, bismuth does not diffuse into the insulating layer from the lower wiring pattern as in the conventional case, and therefore the insulation between the upper and lower wiring patterns is reduced. Does not occur.
なお、下部配線パターンに対しては、全く半田
付けを行なわないから、この下部配線パターンが
ビスマスを含まず半田濡れ性が悪くても、何等支
障を生じない。 Note that since no soldering is performed on the lower wiring pattern, no problem occurs even if the lower wiring pattern does not contain bismuth and has poor solder wettability.
＜実施例＞
本発明によるクロスオーバ配線構造の外観形状
は、従来のクロスオーバ配線構造と同様であるの
で、第１図および第２図に基づき、従来のものと
同一の同符号を用いて、その詳細を説明する。<Example> The external shape of the crossover wiring structure according to the present invention is the same as that of the conventional crossover wiring structure, so based on FIGS. 1 and 2, the same symbols as those of the conventional one are used. The details will be explained below.
本発明によるクロスオーバ配線構造は、従来の
ものと同様に、アルミナ等のセラミツク基板１
と、主たる配線パターンである銅配線パターン
２，……と、クロスオーバ個所において銅配線パ
ターン２の分断端部どうしを接続する下部配線パ
ターン３，……と、この下部配線パターン３を被
覆する絶縁層４と、絶縁層４上に形成された上部
配線パターン５とからなる。 The cross-over wiring structure according to the present invention is made of ceramic substrate 1 made of alumina or the like, similar to the conventional one.
, a copper wiring pattern 2, which is the main wiring pattern, ..., a lower wiring pattern 3, which connects the divided ends of the copper wiring pattern 2 at the crossover point, and covering this lower wiring pattern 3. It consists of an insulating layer 4 and an upper wiring pattern 5 formed on the insulating layer 4.
本発明によるクロスオーバ配線構造が、従来の
ものと異なる点は、下部配線パターン３に、ビス
マスを含まない銀パラジウムペーストを使用して
いることで、この銀パラジウムペーストは、スク
リーン印刷等の印刷手段によりセラミツク基板１
上に塗布され、大気雰囲気中において約850℃で
焼成される。 The cross-over wiring structure according to the present invention differs from conventional ones in that a silver-palladium paste that does not contain bismuth is used for the lower wiring pattern 3, and this silver-palladium paste can be applied by printing methods such as screen printing. Ceramic substrate 1
It is coated on top and fired at approximately 850°C in an air atmosphere.
絶縁層４には、大気雰囲気中で焼成可能な絶縁
ペースト、たとえばホウケイ酸亜鉛系ガラスペー
ストを用い、この絶縁ペーストを下部配線パター
ン３上に印刷し、これを大気雰囲気中で焼成する
ことにより、絶縁層４が形成される。上部配線パ
ターン５には、銅ペーストが用いられ、この銅ペ
ーストを絶縁層４上に印刷し、これを窒素雰囲気
中において600℃で焼成することにより、上部配
線パターン５が形成される。 For the insulating layer 4, an insulating paste that can be fired in an atmospheric atmosphere, such as a zinc borosilicate glass paste, is used, and by printing this insulating paste on the lower wiring pattern 3 and firing it in an atmospheric atmosphere, An insulating layer 4 is formed. A copper paste is used for the upper wiring pattern 5, and the upper wiring pattern 5 is formed by printing this copper paste on the insulating layer 4 and baking it at 600° C. in a nitrogen atmosphere.
この上部配線パターン５の焼成の際、下部配線
パターン３は高温の窒素雰囲気にさらされるが、
ビスマスを含有しないので、従来の下部配線パタ
ーンのように、ビスマスを析出させることがな
く、したがつて、下部配線パターン３から絶縁層
４中にビスマスが拡散することもない。 During firing of the upper wiring pattern 5, the lower wiring pattern 3 is exposed to a high temperature nitrogen atmosphere;
Since it does not contain bismuth, unlike the conventional lower wiring pattern, bismuth is not precipitated, and therefore, bismuth does not diffuse from the lower wiring pattern 3 into the insulating layer 4.
＜発明の効果＞
以上のように、本発明によれば、中性雰囲気中
での焼成処理を受ける下部配線パターンにビスマ
スを含まない導電性ペーストを使用したから、従
来のクロスオーバ配線構造におけるように、ビス
マスが還元されて下部配線パターンから絶縁層内
に拡散するようなことがなく、ビスマスの還元・
拡散に伴なう絶縁層の絶縁性低下を招来せず、信
頼性の高いクロスオーバ配線構造が得られる。<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, since a conductive paste that does not contain bismuth is used in the lower wiring pattern that is subjected to baking treatment in a neutral atmosphere, it is possible to use a conductive paste that does not contain bismuth. In addition, bismuth is not reduced and diffused from the lower wiring pattern into the insulating layer.
A highly reliable crossover wiring structure can be obtained without causing deterioration in the insulation properties of the insulating layer due to diffusion.
第１図はクロスオーバ配線構造の平面図、第２
図は第１図−線における断面図である。
１……セラミツク基板、２……銅配線パター
ン、３……下部配線パターン、４……絶縁層、５
……上部配線パターン。
Figure 1 is a plan view of the crossover wiring structure, Figure 2
The figure is a sectional view taken along the line of FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ceramic substrate, 2... Copper wiring pattern, 3... Lower wiring pattern, 4... Insulating layer, 5
...Top wiring pattern.
Claims (1)
能な絶縁ペーストにより絶縁層を形成し、この絶
縁層上に中性雰囲気中で焼成可能な導電性ペース
トにより上部配線パターンを形成したクロスオー
バ配線構造において、 前記下部配線パターンを銀が主成分でかつビス
マスを含まない導電性ペーストで形成したことを
特徴とするクロスオーバ配線構造。[Claims] 1. An insulating layer is formed on the lower wiring pattern using an insulating paste that can be fired in an atmospheric atmosphere, and an upper wiring pattern is formed on this insulating layer using a conductive paste that can be fired in a neutral atmosphere. A crossover wiring structure characterized in that the lower wiring pattern is formed of a conductive paste containing silver as a main component and not containing bismuth.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3404287A JPS63200596A (en) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | Cross-over wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3404287A JPS63200596A (en) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | Cross-over wiring structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200596A JPS63200596A (en) | 1988-08-18 |
| JPH0521357B2 true JPH0521357B2 (en) | 1993-03-24 |
Family
ID=12403261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3404287A Granted JPS63200596A (en) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | Cross-over wiring structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200596A (en) |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP3404287A patent/JPS63200596A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63200596A (en) | 1988-08-18 |
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