JPH0521311A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0521311A JPH0521311A JP3175668A JP17566891A JPH0521311A JP H0521311 A JPH0521311 A JP H0521311A JP 3175668 A JP3175668 A JP 3175668A JP 17566891 A JP17566891 A JP 17566891A JP H0521311 A JPH0521311 A JP H0521311A
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- JP
- Japan
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- reticle
- platen
- reduction projection
- fine
- projection aligner
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縮小投影露光装置に具備したレチクルプラテ
ンのレチクルを吸着固定する接触面の構造に関し，レチ
クルプラテンとレチクルの精密な微細調整ができる構造
を得ることを目的とする。 【構成】 レチクル１をレチクルプラテン２に吸着固定
し，レチクル１上のパターンをマスク，或いは半導体基
板に逐次移動して露光する縮小投影露光装置において，
レチクルプラテン２のレチクルとの接触面が，平坦性を
保ち, 且つ, 吸着固定が可能な高さの微細凹凸面３から
構成されているよう，また，前記微細凹凸面３がフォト
リソグラフィにより作成された多数の凹凸面からなるよ
うに構成する。
ンのレチクルを吸着固定する接触面の構造に関し，レチ
クルプラテンとレチクルの精密な微細調整ができる構造
を得ることを目的とする。 【構成】 レチクル１をレチクルプラテン２に吸着固定
し，レチクル１上のパターンをマスク，或いは半導体基
板に逐次移動して露光する縮小投影露光装置において，
レチクルプラテン２のレチクルとの接触面が，平坦性を
保ち, 且つ, 吸着固定が可能な高さの微細凹凸面３から
構成されているよう，また，前記微細凹凸面３がフォト
リソグラフィにより作成された多数の凹凸面からなるよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，縮小投影露光装置に具
備したレチクルプラテンの接触面の構造に関する。
備したレチクルプラテンの接触面の構造に関する。
【０００２】近年の半導体装置の高集積化，超微細化に
伴い，レチクルパターンもより微細となり，逐次移動式
縮小投影露光装置（ステッパ）のレチクルプラテンへの
レチクルの微細精密位置合わせによる真空吸着が必要と
なる。
伴い，レチクルパターンもより微細となり，逐次移動式
縮小投影露光装置（ステッパ）のレチクルプラテンへの
レチクルの微細精密位置合わせによる真空吸着が必要と
なる。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，４は水銀ランプ，５はコンデンサレンズ群，６はレ
チクル，７はレチクルプラテン，８は縮小レンズ群，９
は基板，10はＸＹステージ，11は台座である。
て，４は水銀ランプ，５はコンデンサレンズ群，６はレ
チクル，７はレチクルプラテン，８は縮小レンズ群，９
は基板，10はＸＹステージ，11は台座である。
【０００４】逐次移動式にレチクルやガラスマスクのパ
ターンを縮小投影露光で焼き付けるステッパを用いて，
ＬＳＩのマスクパターンをガラスマスクやシリコンウエ
ハの基板に転写するとき，レチクルをステッパ上に高精
度で位置合わせする必要がある。
ターンを縮小投影露光で焼き付けるステッパを用いて，
ＬＳＩのマスクパターンをガラスマスクやシリコンウエ
ハの基板に転写するとき，レチクルをステッパ上に高精
度で位置合わせする必要がある。
【０００５】図３（ａ）にステッパの断面構造の概要図
で示すように，レチクル６はレチクルプラテン７上に図
示しない真空パッドを用いて載置され，レチクルプラテ
ン７上のアライメントマークを用いて，正確な位置に吸
着固定する。
で示すように，レチクル６はレチクルプラテン７上に図
示しない真空パッドを用いて載置され，レチクルプラテ
ン７上のアライメントマークを用いて，正確な位置に吸
着固定する。
【０００６】従来，レチクル６は精度の高い平坦度（５
μｍ以内）で鏡面加工されたレチクルプラテン７の接触
面上に真空で吸着されるが，このレチクル６のレチクル
プラテン７との精密位置合わせは，マイクロマニピュレ
ータでレチクルプラテン７を微細に動かして，位置合わ
せを行っている。
μｍ以内）で鏡面加工されたレチクルプラテン７の接触
面上に真空で吸着されるが，このレチクル６のレチクル
プラテン７との精密位置合わせは，マイクロマニピュレ
ータでレチクルプラテン７を微細に動かして，位置合わ
せを行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし，レチクル６の
ガラス面もレチクルプラテン７と同様に鏡面加工されて
いるため，レチクル６の重量及び接触面の吸着力によ
り，両者が密着してしまい，微細な位置決めのコントロ
ールが非常に困難となり，多くの時間を要したり，許容
誤差範囲にまで位置合わせが出来ないこともある。
ガラス面もレチクルプラテン７と同様に鏡面加工されて
いるため，レチクル６の重量及び接触面の吸着力によ
り，両者が密着してしまい，微細な位置決めのコントロ
ールが非常に困難となり，多くの時間を要したり，許容
誤差範囲にまで位置合わせが出来ないこともある。
【０００８】そのため，レチクル６とレチクルプラテン
７の接触部をアルコール等で拭いたりして，両方の面の
滑りを良くして使用していた。しかし，このことによ
り，レチクル６に細かいゴミが付着し，微細パターンに
悪影響を及ぼすことが多い。
７の接触部をアルコール等で拭いたりして，両方の面の
滑りを良くして使用していた。しかし，このことによ
り，レチクル６に細かいゴミが付着し，微細パターンに
悪影響を及ぼすことが多い。
【０００９】本発明は，以上の点に鑑み，レチクルプラ
テン７の精密な微細調整ができる構造を得ることを目的
として提供されるものである。
テン７の精密な微細調整ができる構造を得ることを目的
として提供されるものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１はレチクル，２はレチクルプ
ラテン，３は微細凹凸面である。
図である。図において，１はレチクル，２はレチクルプ
ラテン，３は微細凹凸面である。
【００１１】以上説明したように, レチクルとレチクル
プラテンの接触面の密着度が大きく，微細調整が困難な
ため，図１に断面図で示すように，本発明ではレチクル
プラテン２のレチクル１との接触する面を微細凹凸面３
とすることで，レチクル１とレチクルプラテン２の直接
に接触する面積を減少させることとした。
プラテンの接触面の密着度が大きく，微細調整が困難な
ため，図１に断面図で示すように，本発明ではレチクル
プラテン２のレチクル１との接触する面を微細凹凸面３
とすることで，レチクル１とレチクルプラテン２の直接
に接触する面積を減少させることとした。
【００１２】これは透明ガラス製のレチクルと金属，或
いはセラミック製のレチクルプラテンの両方とも，高い
平面度に加工できることと，長期にわたって表面を精度
良く維持出来ることなどにより実施できる。
いはセラミック製のレチクルプラテンの両方とも，高い
平面度に加工できることと，長期にわたって表面を精度
良く維持出来ることなどにより実施できる。
【００１３】微細なパターンとしては，例えば，１μｍ
□程度の突起を無数に作って，凹凸面とする。この場
合，真空吸着に支障のない範囲の高さに凸面を加工す
る。即ち，本発明の目的は，図１に示すように，レチク
ル１をレチクルプラテン２に吸着固定し，該レチクル１
上のパターンをマスク，或いは半導体基板に逐次移動し
て露光する縮小投影露光装置において，該レチクルプラ
テン２のレチクル１との接触面が，平坦性を保ち, 且
つ, 吸着固定が可能な高さの微細凹凸面３から構成され
ていることにより達成される。
□程度の突起を無数に作って，凹凸面とする。この場
合，真空吸着に支障のない範囲の高さに凸面を加工す
る。即ち，本発明の目的は，図１に示すように，レチク
ル１をレチクルプラテン２に吸着固定し，該レチクル１
上のパターンをマスク，或いは半導体基板に逐次移動し
て露光する縮小投影露光装置において，該レチクルプラ
テン２のレチクル１との接触面が，平坦性を保ち, 且
つ, 吸着固定が可能な高さの微細凹凸面３から構成され
ていることにより達成される。
【００１４】
【作用】本発明では，以上説明したような方法により，
レチクルプラテンのレチクルとの接触面を凹凸のあるも
のにしたので，レチクルとレチクルプラテンの接触面積
が減少し両者間に働く吸着力も減少するので，精密な位
置合わせがし易くなる。
レチクルプラテンのレチクルとの接触面を凹凸のあるも
のにしたので，レチクルとレチクルプラテンの接触面積
が減少し両者間に働く吸着力も減少するので，精密な位
置合わせがし易くなる。
【００１５】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において, ２はレチクルプラテン，３は微細凹凸面であ
る。
において, ２はレチクルプラテン，３は微細凹凸面であ
る。
【００１６】本発明の一実施例について，図２により説
明する。図２（ａ）に斜視図で示すレチクルプラテン２
の表面を鏡面加工した後，その表面をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて，微細凹凸面３を形成するエッチング加
工を行う。即ち，レチクルプラテン２の表面にフォトレ
ジスト膜を塗布するか或いは，感光性樹脂膜を張り付
け，微細凹凸面３のパターンを描画したフォトマスクを
その上に載せ，紫外線により一括露光を行い，通常の工
程で現像，焼付を行う。
明する。図２（ａ）に斜視図で示すレチクルプラテン２
の表面を鏡面加工した後，その表面をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて，微細凹凸面３を形成するエッチング加
工を行う。即ち，レチクルプラテン２の表面にフォトレ
ジスト膜を塗布するか或いは，感光性樹脂膜を張り付
け，微細凹凸面３のパターンを描画したフォトマスクを
その上に載せ，紫外線により一括露光を行い，通常の工
程で現像，焼付を行う。
【００１７】レチクルプラテン２は金属材により形成さ
れており，その材質に応じたエッチング液でエッチング
加工を行い，微細凹凸面３を形成する。一実施例では，
図２（ａ）の点線内の部分を拡大して図２（ｂ）に示す
ように，１mmピッチの千鳥状に50μｍ□のパターンを20
μｍの深さにエッチング加工して, 微細凹凸面3 を形成
している。
れており，その材質に応じたエッチング液でエッチング
加工を行い，微細凹凸面３を形成する。一実施例では，
図２（ａ）の点線内の部分を拡大して図２（ｂ）に示す
ように，１mmピッチの千鳥状に50μｍ□のパターンを20
μｍの深さにエッチング加工して, 微細凹凸面3 を形成
している。
【００１８】微細凹凸面３はレチクル１がレチクルプラ
テン２に真空吸着により固定されるため，微細凹凸面３
内のパターンの密度，大きさ，高さを真空吸着に支障な
いように設計する必要がある。
テン２に真空吸着により固定されるため，微細凹凸面３
内のパターンの密度，大きさ，高さを真空吸着に支障な
いように設計する必要がある。
【００１９】尚，この微細凹凸面３の加工はフオトリソ
グラフィ技術を用いる他，機械加工による線条痕の形
成，或いは多孔性材質の焼結金属やセヨミックスを用い
ても良い。
グラフィ技術を用いる他，機械加工による線条痕の形
成，或いは多孔性材質の焼結金属やセヨミックスを用い
ても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように, 本発明によれば,
レチクルとレチクルプラテンの位置合わせ時間が５分か
ら１分に短縮され，位置決め精度も±0.1 μｍから±0.
03μｍに向上し, 併せて, クリーンネスもより良くなる
など, マスク或いは半導体基板の品質向上に寄与すると
ころが大きい。
レチクルとレチクルプラテンの位置合わせ時間が５分か
ら１分に短縮され，位置決め精度も±0.1 μｍから±0.
03μｍに向上し, 併せて, クリーンネスもより良くなる
など, マスク或いは半導体基板の品質向上に寄与すると
ころが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
１ レチクル
２ レチクルプラテン
３ 微細凹凸面
Claims (2)
- 【請求項１】 レチクル(1) をレチクルプラテン(2) に
吸着固定し，該レチクル(1) 上のパターンをマスク，或
いは半導体基板に逐次移動して露光する縮小投影露光装
置において， 該レチクルプラテン(2) のレチクルとの接触面が，平坦
性を保ち, 且つ, 吸着固定が可能な高さの微細凹凸面
(3) から構成されていることを特徴とする縮小投影露光
装置。 - 【請求項２】 前記微細凹凸面(3) がフォトリソグラフ
ィにより作成された多数の凹凸面からなることを特徴と
する請求項１記載の縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175668A JPH0521311A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175668A JPH0521311A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521311A true JPH0521311A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16000143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175668A Withdrawn JPH0521311A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521311A (ja) |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3175668A patent/JPH0521311A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |