JPH05210106A - Packaging structure for liquid crystal - Google Patents
Packaging structure for liquid crystalInfo
- Publication number
- JPH05210106A JPH05210106A JP9240492A JP4049292A JPH05210106A JP H05210106 A JPH05210106 A JP H05210106A JP 9240492 A JP9240492 A JP 9240492A JP 4049292 A JP4049292 A JP 4049292A JP H05210106 A JPH05210106 A JP H05210106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal panel
- transparent substrate
- substrate
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶の実装構造に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal mounting structure.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、液晶の実装はフレキシブル基板、
ワイヤーボンディング等を使用して行われている。フレ
キシブル基板を用いた場合には、フレキシブル基板のハ
ンダのみで液晶パネルの回路基板上への固定、両者間の
接続が行われており、強度、信頼性ともに問題である。
一方、ワイヤーボンディングでは、このことは問題とな
らないが、液晶パネルの端子と回路基板の端子の高さが
異なる場合には、接続部分にワイヤーの応力がかかり非
常に不安定である。2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid crystal is mounted on a flexible substrate,
It is performed using wire bonding or the like. When a flexible substrate is used, the liquid crystal panel is fixed to the circuit substrate and the connection between the two is performed only by soldering the flexible substrate, which is a problem in terms of strength and reliability.
On the other hand, in wire bonding, this is not a problem, but when the heights of the terminals of the liquid crystal panel and the terminals of the circuit board are different, the stress of the wire is applied to the connection portion and it is very unstable.
【0003】かかる問題を解決する手段として、特開昭
64−11234号公報には、パネル回路基板に中央部
の穴の大きさの異なった二枚の板をはり合わせた基板を
用い、液晶パネルを接着剤にてパネル回路基板の中央部
の穴の段状部分に装着することにより、液晶パネルの端
子と回路基板の端子が同一平面状となる様に配置して、
ワイヤーボンディングにて両者を接続することが開示さ
れている。また、同種の手段として、特開昭64−48
027号公報には、パネル回路基板に液晶パネルの大き
さにあってザグリを設け、液晶パネルを接着剤にてパネ
ル回路基板のザグリ部分に装着することにより、液晶パ
ネルの端子と回路基板の端子が同一平面状となる様に配
置して、ワイヤーボンディングにて両者を接続すること
が開示されている。As a means for solving such a problem, Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-11234 discloses a liquid crystal panel which uses a panel circuit board on which two plates having different sizes of holes in the central portion are bonded together. By attaching to the stepped portion of the hole in the center of the panel circuit board with an adhesive, the terminals of the liquid crystal panel and the terminals of the circuit board are arranged in the same plane,
It is disclosed that both are connected by wire bonding. Further, as a means of the same kind, Japanese Patent Laid-Open No. 64-48
No. 027 discloses that a liquid crystal panel is provided with a counterbore in the size of a liquid crystal panel, and the liquid crystal panel is attached to the counterbore portion of the panel circuit board with an adhesive, whereby the terminals of the liquid crystal panel and the terminals of the circuit board are attached. Are arranged so as to be in the same plane, and both are connected by wire bonding.
【0004】更に、液晶パネルの外部電極接続パッド構
造に関して、特開平2−173725号公報には、基板
及び電極との密着力が小さい有機オーバーコート層、カ
ラーフィルター層上に形成された電極を駆動ICと接続
するに際して、導電接着剤と強い密着力を有する基板上
の一部に、該導電接着剤が接する様に接着して実装強度
を向上させることが開示されている。Further, regarding an external electrode connection pad structure of a liquid crystal panel, Japanese Patent Laid-Open No. 173725/1990 drives an electrode formed on an organic overcoat layer or a color filter layer, which has a small adhesion to a substrate and an electrode. It is disclosed that when connecting to an IC, the conductive adhesive is adhered to a part of the substrate having a strong adhesion to the conductive adhesive so as to be in contact with the conductive adhesive to improve the mounting strength.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの方法で
は、液晶パネルを回路基板へ装着する際の位置合わせが
必要である、回路基板作成の工程数が増加する等、製造
工程が複雑となる。However, these methods complicate the manufacturing process, such as the necessity of alignment when mounting the liquid crystal panel on the circuit board and the increase in the number of steps for producing the circuit board.
【0006】本発明は、かかる問題点を解決し、安価で
透明な基板に液晶パネルを実装する手段を提供すること
を目的とする。It is an object of the present invention to solve the above problems and provide an inexpensive means for mounting a liquid crystal panel on a transparent substrate.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、それぞ
れ電極が形成されてなる一対の基板、該一対の基板間に
に挟持されてなる液晶層を有している液晶パネルを実装
するにおいて、透明基板上に駆動回路と前記液晶パネル
を実装し、液晶パネルの信号入出力端子と駆動回路を直
接ワイヤーボンディングにて接続したことを特徴とする
液晶の実装構造である。That is, according to the present invention, in mounting a liquid crystal panel having a pair of substrates each having electrodes formed thereon, and a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates. The liquid crystal mounting structure is characterized in that the drive circuit and the liquid crystal panel are mounted on a transparent substrate, and the signal input / output terminals of the liquid crystal panel are directly connected to the drive circuit by wire bonding.
【0008】[0008]
【実施例】以下、具体的な実施例によって本発明を説明
する。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to specific examples.
【0009】(実施例1)図3は、本実施例に用いる液
晶パネルの概略工程図である。Example 1 FIG. 3 is a schematic process diagram of a liquid crystal panel used in this example.
【0010】300ミクロンの厚みを持ったP型(10
0)単結晶Si基板にHF溶液中において陽極化成を施
し、多孔質Si基板を形成した。A P-type (10
0) A single crystal Si substrate was anodized in an HF solution to form a porous Si substrate.
【0011】陽極化成条件は以下のとおりであった。The anodization conditions were as follows.
【0012】印加電圧: 2.6 (V) 電流密度: 30 (mA・cm−2) 陽極化成溶液: HF:H2 O:C2 H5 OH=
1:1:1 時間: 2.4 (時間) 多孔質Siの厚み: 300 (μm) Porosity: 56 (%) こうして得られたP型(100)多孔質Si基板101
上に減圧CVD法により、Siエピタキシャル層102
を1.0ミクロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以
下のとおりである。Applied voltage: 2.6 (V) Current density: 30 (mA · cm-2) Anodizing solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH =
1: 1: 1 Time: 2.4 (hour) Thickness of porous Si: 300 (μm) Porosity: 56 (%) P-type (100) porous Si substrate 101 thus obtained
The Si epitaxial layer 102 is formed on the upper surface by low pressure CVD.
Were grown to a layer thickness of 1.0 micron. The deposition conditions are as follows.
【0013】ソースガス: SiH4 キヤリヤーガス: H2 温度: 850℃ 圧力: 1x10-2Torr 成長速度: 3.3nm/sec 次に、このエピタキシャル層102の表面に1000オ
ングストロームの酸化層103を形成し、その酸化表面
に、表面に5000オングストロームの酸化層104、
1000オングストロームの窒化層105を形成したも
う一方のSi基板107を重ね合せ、窒素雰囲気中で8
00℃、0.5時間加熱することにより、2つのSi基
板を、強固に貼り合せた。Source gas: SiH 4 Carrier gas: H 2 Temperature: 850 ° C. Pressure: 1 × 10 -2 Torr Growth rate: 3.3 nm / sec Next, a 1000 angstrom oxide layer 103 is formed on the surface of the epitaxial layer 102. 5,000 Angstrom oxide layer 104 on the oxidized surface,
The other Si substrate 107 on which the nitride layer 105 of 1000 angstrom is formed is laid on top of one another and placed in a nitrogen atmosphere for 8 hours.
The two Si substrates were firmly bonded by heating at 00 ° C. for 0.5 hours.
【0014】その後、該貼り合せた基板を49%弗酸と
アルコールと30%過酸化水素水との混合液(10:
6:50)中で撹拌することなく選択エッチングした。
65分後には、非多孔質Si層だけがエッチングされず
に残り、単結晶Siをエッチ・ストップの材料として、
多孔質Si基板101は選択エッチングされ、完全に除
去された。非多孔質Si単結晶の該エッチング液にたい
するエッチング速度は、極めて低く65分後でもエッチ
ング層は50オングストローム以下であり、多孔質層の
エッチング速度との選択比は十の五乗以下にも達し、非
多孔質層におけるエッチング量(数+オングストロー
ム)は実用上無視できる程度のものであった。こうした
ところ、200ミクロンの厚みをもった多孔質化された
Si基板101は、除去され、SiO2 103上に1.
0μmの厚みを持った単結晶Si層102が形成でき
た。ソースガスとして、SiH2 Clを用いた場合に
は、成長温度を数十度上昇させる必要があるが、多孔質
基板に特有な増速エッチング特性は、維持された。Then, the bonded substrates are mixed with a mixed solution of 49% hydrofluoric acid, alcohol, and 30% hydrogen peroxide (10:
The selective etching was carried out in the 6:50) without stirring.
After 65 minutes, only the non-porous Si layer remains without being etched, and the single crystal Si is used as an etch stop material.
The porous Si substrate 101 was selectively etched and completely removed. The etching rate of the non-porous Si single crystal with respect to the etching solution is extremely low, the etching layer is 50 angstroms or less even after 65 minutes, and the selectivity with the etching rate of the porous layer reaches 10 5 or less, The etching amount (number + angstrom) in the non-porous layer was practically negligible. Such places, Si substrate 101 made porous having a thickness of 200 microns are removed, on the SiO 2 103 1.
A single crystal Si layer 102 having a thickness of 0 μm could be formed. When SiH 2 Cl was used as the source gas, it was necessary to raise the growth temperature by several tens of degrees, but the enhanced etching characteristic peculiar to the porous substrate was maintained.
【0015】上記単結晶シリコン薄膜102に電解効果
トランジスタを作成し、相互に接続することにより、相
補性素子、及びその集積回路を作成し、液晶画像表示装
置に必要な画素切り替え素子、駆動周辺回路を形成し
た。なお、各トランジスタの製造方法については公知の
MOS集積回路製造技術を用いた。A field effect transistor is formed in the single crystal silicon thin film 102 and connected to each other to form a complementary element and an integrated circuit thereof, and a pixel switching element and a driving peripheral circuit necessary for a liquid crystal image display device. Was formed. A known MOS integrated circuit manufacturing technique was used for the manufacturing method of each transistor.
【0016】カバーガラスにブラックマトリクス及びカ
ラーフィルターを形成したのちに共通電極を形成し、配
向処理した。アクティブ・マトリクス基板に配向処理を
施し、シール材を印刷したのち両者を組立て液晶を注入
した。この液晶に関する諸工程は、公知の液晶表示装置
製造技術を適用した。After forming a black matrix and a color filter on the cover glass, a common electrode was formed and an alignment treatment was performed. After aligning the active matrix substrate and printing a sealant, both were assembled and liquid crystal was injected. A well-known liquid crystal display device manufacturing technique is applied to the various steps relating to the liquid crystal.
【0017】こののちSi基板107側に液晶画素部の
直下を除いて耐弗酸性ゴムを被覆し、弗酸、酢酸、硝酸
の混合液を用いて、絶縁層104までシリコン基板10
7を部分的に除去し、光透過による投射型液晶画像表示
装置を完成した。After that, the Si substrate 107 side is covered with a hydrofluoric acid-resistant rubber except under the liquid crystal pixel portion, and the silicon substrate 10 up to the insulating layer 104 is formed using a mixed solution of hydrofluoric acid, acetic acid, and nitric acid.
7 was partially removed, and a projection type liquid crystal image display device by light transmission was completed.
【0018】以上の方法で作成した液晶パネルは、経済
性に優れて、大面積に亙り均一平坦な、極めて優れた結
晶性を有するSi単結晶基板よりなる。半導体能動素子
は欠陥の著しく少ない該Si単結晶層上に作成されるた
め、浮遊容量が低減し、高速動作が可能で、ランチアッ
プ現象等がなく、耐放射線特性に優れる。しかし、図3
から明らかな様にSi基板を除去した光透過部分が他の
部分に比べ薄いため、この部分の強度を補強することが
好ましい。本実施例では、液晶パネルの強度補強のため
の裏面透明ガラスを実装用基板として利用する。The liquid crystal panel manufactured by the above method is made of a Si single crystal substrate which is economically excellent, is even and flat over a large area, and has extremely excellent crystallinity. Since the semiconductor active element is formed on the Si single crystal layer having extremely few defects, the stray capacitance is reduced, high-speed operation is possible, there is no launch-up phenomenon, and the radiation resistance is excellent. However, FIG.
As is clear from the above, since the light transmitting portion where the Si substrate is removed is thinner than other portions, it is preferable to reinforce the strength of this portion. In this embodiment, the rear transparent glass for reinforcing the strength of the liquid crystal panel is used as a mounting substrate.
【0019】図1は本実施例の実装構造を示す図であ
り、図1(a)は断面図、図1(b)は上面図である。
駆動用IC4を実装するための配線パターン1が液晶パ
ネルの裏面補強用ガラスである透明基板2上に形成され
ており、該透明基板2上に液晶パネル3と駆動用IC4
を実装した後、両者の入出力端子の間及び駆動用IC4
と配線パターン1の間をワイヤーボンディングにて接続
する。その後、封止樹脂8にて、接続部を封止する。外
部との接続は透明基板2に接続された異方性導電フィル
ム6により行う。なお、透明基板2としては一般に使用
される安価な低アルカリガラスを使用した。1A and 1B are views showing a mounting structure of this embodiment, FIG. 1A is a sectional view, and FIG. 1B is a top view.
A wiring pattern 1 for mounting the driving IC 4 is formed on a transparent substrate 2 which is a glass for reinforcing the back surface of the liquid crystal panel, and the liquid crystal panel 3 and the driving IC 4 are formed on the transparent substrate 2.
After mounting the
And the wiring pattern 1 are connected by wire bonding. After that, the connecting portion is sealed with the sealing resin 8. The connection with the outside is made by the anisotropic conductive film 6 connected to the transparent substrate 2. As the transparent substrate 2, a commonly used inexpensive low alkali glass was used.
【0020】本実施例によれば、液晶パネルの裏面補強
用ガラスを回路基板として流用するため、製造コストを
大幅に下げることができる。また、液晶パネルの入出力
端子から直接、異方性導電フィルム等で外部に接続する
場合に比べ、液晶パネルの配線ピッチを狭くできるた
め、取り出しピンの数が増えても液晶パネルの片側から
取り出すことが可能となり、製造上有利である。更に、
ワイヤーボンディングにて接続する方式であるので液晶
パネルサイズが小さくてすみ、取り数がアップする、配
線基板が透明であるため光を透過させるためのくりぬき
工程が不要となる等コストダウンが可能である。According to this embodiment, since the glass for reinforcing the back surface of the liquid crystal panel is used as the circuit board, the manufacturing cost can be greatly reduced. In addition, the wiring pitch of the liquid crystal panel can be narrowed compared to the case where the input / output terminals of the liquid crystal panel are directly connected to the outside with an anisotropic conductive film, etc. Therefore, even if the number of extraction pins increases, it can be taken out from one side of the liquid crystal panel. This is possible and advantageous in manufacturing. Furthermore,
Since it is a method of connecting by wire bonding, the size of the liquid crystal panel can be small, the number of take-ups can be increased, and since the wiring board is transparent, a hollowing process for transmitting light is not necessary, and cost can be reduced. .
【0021】(実施例2)液晶パネル3のSOI基板7
の裏面と透明基板2を導電部材を含んだ接着剤で接着
し、該接着部と配線パターン1を裏面電気接続用配線パ
ターンで接続した以外は実施例1と同様にして実装し
た。(Embodiment 2) SOI substrate 7 of liquid crystal panel 3
Was mounted in the same manner as in Example 1 except that the back surface of the transparent substrate 2 was bonded to the transparent substrate 2 with an adhesive containing a conductive member, and the bonding portion and the wiring pattern 1 were connected by a wiring pattern for back surface electrical connection.
【0022】本実施例によれば、液晶パネルのSOI基
板の裏面の電位を制御することにより、該基板上のトラ
ンジスターを安定駆動させることができ、液晶パネルの
表示品位を向上させることが可能である。According to this embodiment, by controlling the potential of the back surface of the SOI substrate of the liquid crystal panel, the transistors on the substrate can be stably driven, and the display quality of the liquid crystal panel can be improved. is there.
【0023】(実施例3)図2は本実施例の実装構造を
示す図であり、図2(a)は断面図、図2(b)は上面
図である。本実施例においては、石英ガラス上に形成さ
れたTFTを用いた液晶パネルを実装する。(Embodiment 3) FIG. 2 is a diagram showing a mounting structure of the present embodiment, FIG. 2 (a) is a sectional view, and FIG. 2 (b) is a top view. In this embodiment, a liquid crystal panel using TFTs formed on quartz glass is mounted.
【0024】図2に示すごとく、液晶パネル13、駆動
用IC14、フレキシブル基板16を配線パターンの形
成されていない透明基板12上に接着する。各入出力端
子間をワイヤーボンディングにて接続し、その後封止樹
脂18にて封止する。As shown in FIG. 2, the liquid crystal panel 13, the driving IC 14, and the flexible substrate 16 are bonded onto the transparent substrate 12 on which no wiring pattern is formed. The input / output terminals are connected by wire bonding and then sealed with a sealing resin 18.
【0025】本実施例によれば、透明基板上に配線パタ
ーンを形成する必要がなく、製造工程の簡略化が可能で
ある。According to this embodiment, it is not necessary to form a wiring pattern on the transparent substrate, and the manufacturing process can be simplified.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明のごとく、本発明によれば、液
晶パネルの裏面補強用ガラスを回路基板として流用でき
る、ワイヤーボンディングにて接続する方式であるので
液晶パネルサイズが小さくてすみ、取り数がアップす
る、配線基板が透明であるため光を透過させるためのく
りぬき工程が不要となる等製造コストを大幅に下げるこ
とが可能となる。As described above, according to the present invention, the glass for reinforcing the back surface of the liquid crystal panel can be diverted as the circuit board, and the connection is made by wire bonding. Since the wiring board is transparent, a hollowing process for transmitting light is not necessary, and the manufacturing cost can be significantly reduced.
【0027】また、液晶パネルの入出力端子から直接、
異方性導電フィルム等で外部に接続する場合に比べ、液
晶パネルの配線ピッチを狭くできるため、取り出しピン
の数が増えても液晶パネルの片側から取り出すことが可
能となり、製造上有利である。Further, directly from the input / output terminals of the liquid crystal panel,
Since the wiring pitch of the liquid crystal panel can be narrowed compared to the case of connecting to the outside with an anisotropic conductive film or the like, it is possible to take out from one side of the liquid crystal panel even if the number of takeout pins increases, which is advantageous in manufacturing.
【図1】実施例1の実装構造を示す図FIG. 1 is a diagram showing a mounting structure of a first embodiment.
【図2】実施例2の実装構造を示す図FIG. 2 is a diagram showing a mounting structure of a second embodiment.
【図3】実施例1で使用した液晶パネルの概略工程図FIG. 3 is a schematic process diagram of the liquid crystal panel used in Example 1.
Claims (1)
板、該一対の基板間にに挟持されてなる液晶層を有して
いる液晶パネルを実装するにおいて、透明基板上に駆動
回路と前記液晶パネルを実装し、液晶パネルの信号入出
力端子と駆動回路を直接ワイヤーボンディングにて接続
したことを特徴とする液晶の実装構造。1. When mounting a liquid crystal panel having a pair of substrates each having electrodes and a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, a drive circuit and the liquid crystal are provided on a transparent substrate. A liquid crystal mounting structure in which the panel is mounted and the signal input / output terminals of the liquid crystal panel and the drive circuit are directly connected by wire bonding.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9240492A JPH05210106A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Packaging structure for liquid crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9240492A JPH05210106A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Packaging structure for liquid crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05210106A true JPH05210106A (en) | 1993-08-20 |
Family
ID=12582077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9240492A Withdrawn JPH05210106A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Packaging structure for liquid crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05210106A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014157193A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | Liquid crystal display device |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP9240492A patent/JPH05210106A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014157193A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | Liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3584035B2 (en) | Fabrication method of single crystal silicon island on quartz substrate | |
US5317433A (en) | Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side | |
US6187605B1 (en) | Method of forming a semiconductor device for a light valve | |
US5633182A (en) | Method of manufacturing an image display device with reduced cell gap variation | |
US5736768A (en) | Single crystal silicon arrayed devices for display panels | |
US6414783B2 (en) | Method of transferring semiconductors | |
JP2866730B2 (en) | Method of forming semiconductor circuit | |
US6093577A (en) | Low temperature adhesion bonding method for composite substrates | |
JPH05232422A (en) | Production of liquid crystal panel | |
US20120273831A1 (en) | Semiconductor device, process for producing same, and display device | |
US5644373A (en) | Liquid crystal device with substrates of different materials and similar thermal expansion coefficients | |
US6908834B2 (en) | Semiconductor device production method and semiconductor device | |
US5633176A (en) | Method of producing a semiconductor device for a light valve | |
JP2824818B2 (en) | Active matrix liquid crystal display | |
JPH05210106A (en) | Packaging structure for liquid crystal | |
JPH0642494B2 (en) | Method of manufacturing thin film transistor | |
JPH10293322A (en) | Liquid crystal display and manufacture therefor | |
US6128052A (en) | Semiconductor device applicable for liquid crystal display device, and process for its fabrication | |
JPH05241139A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH05241183A (en) | Liquid crystal display body | |
JPH06214241A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH06289421A (en) | Liquid crystal display element and its production | |
JP3154100B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal image display device | |
JP3098815B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP3595568B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |